JPH08153313A

JPH08153313A - 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気ディスク装置

Info

Publication number: JPH08153313A
Application number: JP29474394A
Authority: JP
Inventors: Kensuke Miyagawa; 健祐宮川
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1994-11-29
Filing date: 1994-11-29
Publication date: 1996-06-11

Abstract

(57)【要約】【目的】軟磁性金属でなる複数の磁性層を非磁性金属
でなる非磁性中間層を介して積層すると共に、この積層
された複数の磁性層の内の最浮上面側と最深面側に位置
する磁性層の少なくとも一方の磁性層については、該磁
性層に隣接してバイアス層を設けて該磁性層の磁化の向
きを固定し、複数の磁性層の内のバイアス層に隣接しな
い磁性層については、外部磁界により磁化の向きを可動
に構成した磁気抵抗効果型ヘッド並びに磁気ディスク装
置に関し、バイアス層に起因する性能劣化を回避できる
磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気ディスク装置を実現する
ことを目的とする。【構成】磁性層１１，１２を非磁性中間層１３を介し
て積層し、一方の磁性層１１の両端部近傍の各表面上に
は、硬磁性膜でなるバイアス層１４を形成するようにし
た磁気抵抗効果素子部を用いて磁気抵抗効果型ヘッド及
び磁気ディスク装置を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、軟磁性金属でなる複数
の磁性層を非磁性金属でなる非磁性中間層を介して積層
すると共に、この積層された複数の磁性層の内の最浮上
面側と最深面側に位置する磁性層の少なくとも一方の磁
性層については、該磁性層に隣接してバイアス層を設け
て該磁性層の磁化の向きを固定し、前記複数の磁性層の
内の前記バイアス層に隣接しない磁性層については、外
部磁界により磁化の向きを可動に構成した磁気抵抗効果
型ヘッド、並びに、磁気記録媒体から外部磁界が印加さ
れていないときには、前記バイアス層に隣接しない磁性
層の磁化の向きは、前記バイアス層に隣接している磁性
層の磁化の向きと垂直であり、外部磁界が印加される
と、前記バイアス層に隣接しない磁性層の磁化の向き
は、前記バイアス層に隣接している磁性層の磁化の向き
と平行，反平行になり、磁気抵抗効果素子部の電気抵抗
が増減することを利用して、磁気記録媒体に記録されて
いる情報を読み取る磁気ディスク装置に関する。

【０００２】近年、磁気ディスク装置の大容量化や小型
化が要望され、面記録密度の高密度化が求められてい
る。このため、磁気ヘッドにおいては、感度の高い高密
度ヘッドの実現が待たれている。

【０００３】

【従来の技術】高密度ヘッドとして、磁界の強さに応じ
て電気抵抗が変化する磁気抵抗素子を用いた磁気抵抗効
果型ヘッドが知られている。磁気抵抗効果型ヘッドは、
一般にはＭＲヘッド（ＭＲはmagnetoresistiveの略）と
呼ばれ、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲヘッド
（ＡＭＲは anisotropic magnetoresistiveの略）や、
巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲヘッド（ＧＭＲは g
iant magnetoresistiveの略）等がある。

【０００４】ＡＭＲヘッドは、例えば、ＮｉＦｅＲｈ
（ニッケル−鉄−ロジウム）やＮｉＦｅＣｒ（ニッケル
−鉄−クロム）等の磁化された磁性材料からなるソフト
アジャセント（soft adjusent）層と、Ｔａ（タンタ
ル）等の非磁性中間層と、ＮｉＦｅ（フェライト）等の
磁気抵抗層（ＭＲ層）と、反強磁性体であるＦｅＭｎ
（鉄−マンガン）で形成されて実質的に磁化された状態
にあるＢＣＳ（boundary control stabilization）層と
を、この順序で積層し、ＢＣＳ層により、磁気抵抗層に
記録トラックの幅方向の磁気バイアスを与え、ソフトア
ジャセント層により、磁気抵抗層にＢＣＳ層の磁気バイ
アスと直角方向の磁気バイアスを与えるようにしたもの
である。

【０００５】このＡＭＲヘッドの抵抗変化率は１．５〜
２％程度である。これに対して、ＧＭＲヘッドの抵抗変
化率は３％以上であり、ＧＭＲヘッドではＡＭＲヘッド
よりも一層の高密度化が可能となる。

【０００６】図９は従来のＧＭＲヘッドの磁気抵抗効果
素子部の積層構造を示す説明図で、（ａ）は断面図、
（ｂ）は斜視図である。図９において、１，２はＮｉＦ
ｅ等の軟磁性金属でなる磁性層で、これらはＴａ等の非
磁性金属でなる非磁性中間層３を介して積層されてい
る。磁性層１には、これに隣接するようにして、ＦｅＭ
ｎからなるバイアス層４が設けられており、このバイア
ス層４によって、磁性層１には磁気バイアスが与えら
れ、磁性層１の磁化の向きは、例えば図９（ｂ）の実線
の矢印の方向（上向き）に固定されている。

【０００７】一方、バイアス層４に隣接しない磁性層２
については、バイアス層４による磁気バイアスが存在し
ないため、磁化の向きは外部磁界により可動である。即
ち、磁性層２は、磁気記録媒体から印加される外部磁界
に応じて、その磁化の向きが、磁性層１の磁化の向きと
は逆である反平行状態（図９（ｂ）の破線の矢印の方
向；下向き）に変化したり、磁性層１の磁化の向きと同
じである平行状態に変化するように構成されている。

【０００８】バイアス層４上には、図９（ｂ）の上下方
向に延びた一対のセンス電流供給用の導体層５，６が、
記録トラック幅に相応する間隔をもって並設されてい
る。ここで、磁性層１，２の磁化の向きが平行であれ
ば、磁性層１，２、非磁性中間層３及びバイアス層４で
なる磁気抵抗効果素子部の電気抵抗は小さく、逆に、磁
性層１，２の磁化の向きが反平行であれば、上記磁気抵
抗効果素子部の電気抵抗は大きい。そこで、上記構成の
ＧＭＲヘッドを用いた磁気ディスク装置では、この抵抗
変化を導体層５，６を介して検出し、磁気記録媒体に記
録されている情報を読み取っている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記構成のＧ
ＭＲヘッドでは、記録トラックの幅方向の磁気バイアス
を与え、磁化の向きを固定するバイアス層として、Ｆｅ
Ｍｎからなるものを用いている。しかし、ＦｅＭｎは耐
食性が低く極めて腐食し易い。

【００１０】このため、従来はバイアス層の腐食による
磁気抵抗効果型ヘッドの性能劣化ひいては磁気ディスク
装置の性能劣化が短期間に発生するという問題があっ
た。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、そ
の目的は、バイアス層の腐食に起因する性能劣化を回避
できる磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気ディスク装置を実
現することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】磁気抵抗効果型ヘッドに
関する本発明は、軟磁性金属でなる複数の磁性層を非磁
性金属でなる非磁性中間層を介して積層すると共に、こ
の積層された複数の磁性層の内の最浮上面側と最深面側
に位置する磁性層の少なくとも一方の磁性層について
は、該磁性層に隣接してバイアス層を設けて該磁性層の
磁化の向きを固定し、前記複数の磁性層の内の前記バイ
アス層に隣接しない磁性層については、外部磁界により
磁化の向きを可動に構成した磁気抵抗効果型ヘッドにお
いて、前記バイアス層を前記磁性層の両端部近傍に形成
し、且つ、このバイアス層を硬磁性膜で構成したことを
特徴とするものである。

【００１２】ここで、バイアス層を形成するに際して
は、バイアス層に隣接する磁性層の両端部近傍の表面を
外側から厚さ方向に切り欠き、この切欠によって得られ
た凹部にバイアス層である硬磁性膜を形成して、磁性層
を両端からこの硬磁性膜で挟み込むように構成すること
が、有効に磁気バイアスを印加できる点から好ましい。

【００１３】センス電流供給用の導体層の接続位置は、
バイアス層上及びこのバイアス層に隣接する磁性層上に
選択し、バイアス層に交差する方向に延びるように一対
設けることが、成膜作業上好ましい。

【００１４】軟磁性金属でなる複数の磁性層としては、
ＮｉＦｅの磁性層が感度上最も好ましい。又、層数は通
常は２層でよいが、これを越えてもよい。非磁性中間層
としては、ＴａやＴｉ（チタン）が好ましい。

【００１５】磁性層の内の最浮上面側と最深面側に位置
する磁性層とは、磁性層の層数が２層の場合には双方の
磁性層を指し、磁性層の層数が３層以上の場合には最も
外側に位置する磁性層を指す。

【００１６】バイアス層を形成する硬磁性膜としては、
ＣｏＣｒＰｔ（コバルト−クロム−白金），ＣｏＮｉＣ
ｒ（コバルト−ニッケル−クロム），ＣｏＣｒＴａ（コ
バルト−クロム−タンタル）の何れかの合金で構成した
ものを用いることが、耐食性及び磁気特性上、好まし
い。

【００１７】バイアス層の残留磁束密度（ｔＢｒ）が１
００〜２００ガウスミクロン（Ｇｕｍ）程度必要である
ので、そのためには、バイアス層による磁界の強さが２
０００エルステッドを超えると、バイアス層に隣接した
磁性層の磁界の制御が困難になり実現困難となる。そこ
で、バイアス層による磁界の強さは、２０００エルステ
ッド以下に選ぶことが好ましい。

【００１８】又、非磁性中間層の膜厚を大きくすると磁
気抵抗効果素子部の断面の中で磁性層の占める面積が小
さくなり、抵抗変化率も小さくなる。このため、磁性層
の膜厚は非磁性中間層の膜厚よりも大きく選ぶことが好
ましい。

【００１９】磁気ディスク装置に関する本発明は、軟磁
性金属でなる複数の磁性層を非磁性金属でなる非磁性中
間層を介して積層すると共に、この積層された複数の磁
性層の内の最浮上面側と最深面側に位置する磁性層の少
なくとも一方の磁性層については、該磁性層に隣接して
バイアス層を設けて該磁性層の磁化の向きを固定し、前
記複数の磁性層の内の前記バイアス層に隣接しない磁性
層については、外部磁界により磁化の向きを可動に構成
し、磁気記録媒体から外部磁界が印加されていないとき
には、前記バイアス層に隣接しない磁性層の磁化の向き
は、前記バイアス層に隣接している磁性層の磁化の向き
と垂直であり、外部磁界が印加されると、前記バイアス
層に隣接しない磁性層の磁化の向きは、前記バイアス層
に隣接している磁性層の磁化の向きと平行，反平行にな
り、磁気抵抗効果素子部の電気抵抗が増減することを利
用して、磁気記録媒体に記録されている情報を読み取る
磁気ディスク装置において、前記バイアス層を前記磁性
層の両端部近傍に形成し、且つ、このバイアス層を硬磁
性膜で構成したことを特徴とするものである。

【００２０】更に、図１を用いて、本発明の磁気抵抗効
果型ヘッド及び磁気ディスク装置における磁気抵抗効果
素子部の積層構造を具体的に説明する。図１は本発明の
磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気ディスク装置の原理図
で、磁気抵抗効果素子部の積層構造を示す図で、（ａ）
は断面図、（ｂ）は斜視図である。この磁気抵抗効果素
子部の積層構造は、図９に示した従来の磁気抵抗効果型
ヘッドと主にバイアス層の構成を除き同様な構造を有し
ている。

【００２１】図１において、１１，１２はＮｉＦｅ等の
軟磁性金属でなる磁性層で、これらは非磁性金属でなる
非磁性中間層１３を介して積層されている。磁性層１１
の両端部（図１（ｂ）の上下の端部）近傍の各表面上に
は、それぞれ硬磁性膜でなるバイアス層１４ａ，１４ｂ
が積層されている。バイアス層１４ａ，１４ｂの着磁方
向は図１（ｂ）の上下方向であり、このバイアス層１４
ａ，１４ｂからなるバイアス層１４によって、磁性層１
１には、図１（ｂ）の上下方向に磁気バイアスが印加さ
れ、磁性層１１（特にその中間部）の磁化の向きは、例
えば図１（ｂ）の実線の矢印の方向（上向き）に固定さ
れている。一方、バイアス層１４に隣接しない磁性層１
２については、バイアス層１４による磁気バイアスがか
からず、外部磁界により磁化の向きは可動である。

【００２２】上記バイアス層１４上には、図１（ｂ）の
上下方向に延びた一対のセンス電流供給用の導体層１
５，１６が、記録トラック幅に相応する間隔をもって並
設されている。尚、この導体層１５，１６の形成位置は
図１の位置に限らない。

【００２３】

【作用】磁気記録媒体から外部磁界が印加されていない
ときは、センス電流による磁界により、磁性層１２の磁
化の向きは磁性層１１の磁化の向きと垂直になってい
る。磁気記録媒体から図１（ｂ）の上下方向の外部磁界
が印加されると、外部磁界の向きに応じて、磁性層１２
の磁化の向きが、磁性層１１の磁化の向きとは逆である
反平行状態（図１（ｂ）の破線の矢印の方向；下向き）
或いは磁性層１１の磁化の向きと同じである平行状態に
移る。

【００２４】ここで、磁性層１１，１２の磁化の向きが
平行であれば、磁性層１１，１２、非磁性中間層１３及
びバイアス層１４でなる磁気抵抗効果素子部の電気抵抗
は小さく、逆に、磁性層１１，１２の磁化の向きが反平
行であれば、上記磁気抵抗効果素子部の電気抵抗は大き
い。そこで、磁気抵抗効果型ヘッドとしては、この抵抗
変化を導体層１５，１６を介して検出し、再生信号とし
て出力する。又、磁気ディスク装置としては、磁気抵抗
効果型ヘッドから得られた再生信号から磁気記録媒体に
記録されている情報を読み取る。

【００２５】ここで、磁性層１１の両端部近傍の表面か
ら厚さ方向に凹部を設け、この凹部にバイアス層１４で
ある硬磁性膜を形成して、磁性層１１を両端からこの硬
磁性膜で挟み込むようにすれば、磁性層１１に有効に磁
気バイアスを印加できる。又、非磁性中間層１３の膜厚
を小さくすると磁気抵抗効果素子部の断面の中で磁性層
１１，１２の占める面積が大きくなり、抵抗変化率も大
きくなる。

【００２６】この磁気抵抗効果素子部の構成では、バイ
アス層１４として、硬磁性膜が用いられているため、バ
イアス層１４の耐食性は良好であり、磁気抵抗効果型ヘ
ッドの性能劣化ひいては磁気ディスク装置の性能劣化が
短期間に発生することはない。

【００２７】

【実施例】磁気ディスク装置等においては、磁気記録媒
体からの情報の読み出しだけを行う再生専用のものでは
なく、磁気記録媒体への情報の書き込みと磁気記録媒体
からの情報の読み出しとを行う記録／再生ヘッドが一般
的であるので、以下、図面を用いて、記録／再生ヘッド
に関する本発明の実施例を説明する。

【００２８】図２は情報の読み出しに磁気抵抗効果素子
を用い情報の記録に誘導型の薄膜ヘッドを用いた磁気抵
抗効果型ヘッドに関する本発明の一実施例を示す図、図
３は図２における磁気抵抗効果素子部の積層構造を示す
図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図である。

【００２９】これらの図において、２０は磁気記録媒体
への情報の記録を行う誘導型の薄膜ヘッド部、３０は情
報の読み出しを行う磁気抵抗効果素子部である。薄膜ヘ
ッド部２０は、下部が一定間隔をもって対向したＮｉＦ
ｅ等でなる磁極２１，２２と、これら磁極２１，２２を
励磁し、下部の記録ギャップ部分にて、磁気記録媒体の
記録トラックＴに情報の記録を行わせるコイル２３等か
ら構成される。尚、コイル２３と磁極２２との間の空間
には、例えば、図示しないＡｌ₂Ｏ₃等でなる絶縁層が隙
間なく設けられ、磁極２２の外側はＡｌ₂Ｏ₃等でなる保
護層で覆われている。

【００３０】セラミック製ヘッド基板２８の表面には、
図示しないが、Ａｌ₂Ｏ₃等でなる非磁性絶縁層、ＮｉＦ
ｅ等でなる磁気シールド層が、この順序で形成されてお
り、磁気抵抗効果素子部３０は、この磁気シールド層と
薄膜ヘッド部２０の磁極２１との間に、Ａｌ₂Ｏ₃等でな
る図示しない他の非磁性絶縁層で挟まれた状態で配置さ
れている。

【００３１】磁気抵抗効果素子部３０において、３１，
３２はＮｉＦｅでなる厚さが例えば約１００〜３００Å
の磁性層で、これらはＴａでなる非磁性中間層３３（膜
厚は磁性層３１，３２より薄い）を介して積層されてい
る（通常、磁性層３１がヘッド基板２８側に位置す
る）。磁性層３１の両端部（図３（ｂ）の上下の端部）
近傍の表面は外側から厚さ方向に切り欠かれ、この切欠
により得られた円筒状凹部に、硬磁性膜であるＣｏＣｒ
Ｐｔ等の合金でなるバイアス層３４ａ，３４ｂが積層さ
れている。バイアス層３４ａ，３４ｂの着磁方向は図３
（ｂ）の上下方向であり、このバイアス層３４ａ，３４
ｂからなるバイアス層３４によって、磁性層３１には、
図３（ｂ）の上下方向に磁気バイアスが印加され、磁性
層３１（特にその中間部）の磁化の向きは、例えば図３
（ｂ）の実線の矢印の方向（上向き）に固定されてい
る。一方、バイアス層３４に隣接しない磁性層３２につ
いては、非磁性中間層３３の働きにより、バイアス層３
４からは磁気バイアスがかからず、外部磁界により磁化
の向きは可動である。

【００３２】上記バイアス層３４上には、図３（ｂ）の
上下方向に延びた一対のセンス電流供給用の導体層３
５，３６が、記録トラック幅に相応する間隔をもって並
設されている。図２中の端子２９はこの導体層３６につ
ながっている。

【００３３】尚、導体層３５，３６の接続位置はセンス
電流を所定の方向に流せるものであればよく、図３の位
置に限る必要はない。又、磁性層３１の両端部近傍に形
成される凹部は、必ずしも円筒状凹面である必要はな
く、又、極端な場合、凹部の床部までも除去し（磁性層
３１の両端部近傍を切り落とすことと同じ）、この空間
部分にバイアス層３４を設け、磁性層３１を両端面をバ
イアス層３４で挟み込むようにしてもよい。

【００３４】次に、上記実施例（磁気抵抗効果型ヘッ
ド）での情報の記録／読み出し動作を説明する。まず、
磁気記録媒体への情報の記録を行う場合は、薄膜ヘッド
部２０のコイル２３に電流を流し、磁極２１，２２に磁
束を生じさせる。これにより、磁極２１，２２の下部の
記録ギャップ部分にて漏れ磁束が生じ、磁気記録媒体の
記録トラックＴに情報の記録が行われる。

【００３５】一方、磁気記録媒体からの情報の読み出し
を行う場合の動作は以下の通りである。磁気記録媒体か
ら外部磁界が印加されていないときは、センス電流によ
る磁界により、磁性層３２の磁化の向きは磁性層３１の
磁化の向きと垂直になっている。磁気記録媒体から図３
（ｂ）の上下方向の外部磁界が印加されると、外部磁化
の向きに応じて、磁性層３２の磁化の向きが、磁性層３
１の磁化の向きとは逆である反平行状態（図３（ｂ）の
破線の矢印の方向；下向き）或いは磁性層３１の磁化の
向きと同じである平行状態に移る。

【００３６】ここで、磁性層３１，３２の磁化の向きが
平行であれば、磁性層３１，３２、非磁性中間層３３及
びバイアス層３４でなる磁気抵抗効果素子部の電気抵抗
は小さく、逆に、磁性層３１，３２の磁化の向きが反平
行であれば、上記磁気抵抗効果素子部の電気抵抗は大き
い。そこで、磁気抵抗効果型ヘッドとしては、この抵抗
変化を導体層３５，３６を介して検出し、再生信号とし
て出力する。

【００３７】上記実施例では、磁性層３１を両端からバ
イアス層３４で挟み込んでいるので、磁性層３１に有効
に磁気バイアスを印加できる。又、非磁性中間層３３の
膜厚が磁性層３１，３２の膜厚より小さいので、磁気抵
抗効果素子部３０の断面の中で磁性層３１，３２の占め
る面積が大きくなり、抵抗変化率も大きくなる。

【００３８】又、この磁気抵抗効果素子部３０の構成で
は、バイアス層３４として、硬磁性膜が用いられている
ため、バイアス層３４の耐食性は良好であり、磁気抵抗
効果型ヘッドの性能劣化が短期間に発生することはな
い。

【００３９】次に、磁気抵抗効果素子部３０の薄膜技術
を用いた作製手順の一例（主要工程）を図４を用いて説
明する。図４の作製手順は、次の〜の工程からな
る。セラミック製ヘッド基板の表面に、Ａｌ₂Ｏ₃等でな
る第１の非磁性絶縁層、ＮｉＦｅ等でなる磁気シールド
層、Ａｌ₂Ｏ₃等でなる第２の非磁性絶縁層を形成後、磁
性層３１，非磁性中間層３３及び磁性層３２を連続成膜
する。

【００４０】磁性層３２にレジストを塗布し、ミリ
ングに備えて、レジストによるパターン形成を行う。ミリングによるパターン形成を行って、磁性層３１
の両端部（図４の上下の端部）近傍の表面を厚さ方向に
切り欠いて凹部を形成する。

【００４１】硬磁性膜ＣｏＣｒＰｔ等の合金でなる
バイアス層３４の成膜を所定の着磁方向が得られるよう
に行い、成膜後、レジスト３７を除去する。尚、この
の工程終了後、上下方向に延びた一対のセンス電流供給
用の導体層３５，３６を形成するために、レジスト形
成、成膜、レジスト除去の作業が必要になる。

【００４２】上記磁気抵抗効果型ヘッドはセラミック製
ヘッド基板２８上に薄膜技術を用いて多数形成される。
その後、ヘッド基板２８をヘッド毎に切り出し所定の形
状に加工することにより、図５に示す磁気抵抗効果型ヘ
ッド付きのスライダが得られる。図５において、スライ
ダ４０の磁気記録媒体に対向する面には、該磁気記録媒
体の回転によって生じる空気流の方向に沿った浮上力発
生用レール４１，４２が設けられている。このレール４
１，４２の浮上面の空気流入側部分には、傾斜面４１
ａ，４２ａが形成されている。そして、スライダ４０に
おけるレール４２の後端面に、図２に示した磁気抵抗効
果型ヘッド４５が形成されている。

【００４３】磁気ディスク装置に関する本発明の実施例
は、図５の磁気抵抗効果型ヘッド及びスライダを用いて
構成される。以下、磁気ディスク装置に関する本発明の
実施例について説明する。

【００４４】図６は図２に示した磁気抵抗効果型ヘッド
及びスライダを用いた磁気ディスク装置の平面図（カバ
ーを除いた状態）、図７は図６におけるＡ−Ａ断面図、
図８は図６中のサスペンションの斜視図である。

【００４５】これらの図において、５０はベースプレー
ト５１上に設けられたスピンドルモータ５２によって回
転駆動される磁気記録媒体としての複数枚（本実施例で
は３枚）の磁気ディスクである。

【００４６】５３はベースプレート５１上に回転可能に
設けられたアクチュエータである。このアクチュエータ
５３の一方の回転端部には、磁気ディスク５０の記録面
方向に延出する複数のヘッドアーム５４が形成されてい
る。このヘッドアーム５４の回転端部には、スプリング
アーム５５が取り付けられ、更に、このスプリングアー
ム５５のフレクシャー部に前述のスライダ４０が図示し
ない絶縁膜を介して傾動可能に取り付けられている。一
方、アクチュエータ５３の他方の回転端部には、コイル
５７が設けられている。

【００４７】ベースプレート５１上には、マグネット及
びヨークで構成された磁気回路５８が設けられ、この磁
気回路５８の磁気ギャップ内に、上記コイル５７が配置
されている。そして、磁気回路５８とコイル５７とでム
ービングコイル型のリニアモータ（ＶＣＭ：ボイスコイ
ルモータ）が構成されている。そして、これらベースプ
レート５１の上部はカバー５９で覆われている。

【００４８】次に、上記構成の磁気ディスク装置の作動
を説明する。磁気ディスク５０が停止している時には、
スライダ４０は磁気ディスク５０の退避ゾーンに接触し
停止している。

【００４９】次に、磁気ディスク５０がスピンドルモー
タ５２によって、高速で回転駆動されると、この磁気デ
ィスク５０の回転による発生する空気流によって、スラ
イダ４０は微小間隔をもってディスク面から浮上する。
この状態でコイル５７に電流を流すと、コイル５７には
推力が発生し、アクチュエータ５３が回転する。これに
より、ヘッド（スライダ４０）を磁気ディスク５０の所
望のトラック上に移動させ、データのリード/ライトを
行なうことができる。

【００５０】この磁気ディスク装置では、磁気抵抗効果
素子部のバイアス層として、硬磁性膜が用いられている
ため、バイアス層の耐食性は良好であり、磁気ディスク
装置の性能劣化が短期間に発生することはない。

【００５１】尚、磁気ディスク装置の構成に関しても本
発明は上記実施例に限るものではない。例えば、上記実
施例では、記録／再生ヘッドとして、記録（書き込み）
ギャップと読み出しギャップとが分けられたもの（ピギ
ーバック型）を用いたが、記録ギャップ中に磁気抵抗効
果素子部を配置する構成（インギャップ型）をとり、記
録ギャップと読み出しギャップとを共用するようにして
もよい。又、記録ヘッド部が薄膜ヘッドでなくてもよ
い。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように、磁気抵抗効果型ヘ
ッドに関する本発明によれば、軟磁性金属でなる複数の
磁性層を非磁性金属でなる非磁性中間層を介して積層す
ると共に、この積層された複数の磁性層の内の最浮上面
側と最深面側に位置する磁性層の少なくとも一方の磁性
層については、該磁性層に隣接してバイアス層を設けて
該磁性層の磁化の向きを固定し、前記複数の磁性層の内
の前記バイアス層に隣接しない磁性層については、外部
磁界により磁化の向きを可動に構成した磁気抵抗効果型
ヘッドにおいて、前記バイアス層を前記磁性層の両端部
近傍に形成し、且つ、このバイアス層を硬磁性膜で構成
したので、バイアス層の耐食性は良好であり、磁気抵抗
効果型ヘッドの性能劣化が短期間に発生することはな
い。

【００５３】又、磁性層を両端からバイアス層で挟み込
む構成をとると、磁性層に有効に磁気バイアスを印加で
きる。更に、非磁性中間層の膜厚を磁性層の膜厚より小
さくとると、磁気抵抗効果素子部の断面の中で磁性層の
占める面積が大きくなり、抵抗変化率も大きくなる。

【００５４】一方、磁気ディスク装置に関する本発明に
おいても、バイアス層を磁性層の両端部近傍に形成し、
且つ、このバイアス層を硬磁性膜で構成したので、バイ
アス層の耐食性は良好であり、磁気ディスク装置の性能
劣化が短期間に発生することはない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気ディス
ク装置の原理図で、磁気抵抗効果素子部の積層構造を示
す図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図である。

【図２】情報の読み出しに磁気抵抗効果素子を用い情報
の記録に誘導型の薄膜ヘッドを用いた磁気抵抗効果型ヘ
ッドに関する本発明の一実施例を示す図である。

【図３】図２における磁気抵抗効果素子部の積層構造を
示す図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図である。

【図４】磁気抵抗効果素子部の薄膜技術を用いた作製手
順の一例（主要工程）を示す図である。

【図５】磁気抵抗効果型ヘッド付きのスライダの説明図
である。

【図６】図２に示した磁気抵抗効果型ヘッド及びスライ
ダを用いた磁気ディスク装置の平面図である。

【図７】図６におけるＡ−Ａ断面図である。

【図８】図６中のサスペンションの斜視図である。

【図９】従来ヘッドにおける磁気抵抗効果素子部の積層
構造を示す図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図であ
る。

【符号の説明】

Ｔ：記録トラック１１，１２，３１，３２：磁性層１３，３３：非磁性中間層１４，１４ａ，１４ｂ，３４，３４ａ，３４ｂ：バイア
ス層１５，１６，３５，３６：導体層２０：薄膜ヘッド部２１，２２：磁極２３：コイル２８：ヘッド基板２９：端子３０：磁気抵抗効果素子部３７：レジスト４０：スライダ４１，４２：レール４５：磁気抵抗効果型ヘッド５０：磁気ディスク５１：ベースプレート５２：スピンドルモータ５３：アクチュエータ５４：ヘッドアーム５５：スプリングアーム５７：コイル５８：磁気回路５９：カバー

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】軟磁性金属でなる複数の磁性層を非磁性
金属でなる非磁性中間層を介して積層すると共に、この
積層された複数の磁性層の内の最浮上面側と最深面側に
位置する磁性層の少なくとも一方の磁性層については、
該磁性層に隣接してバイアス層を設けて該磁性層の磁化
の向きを固定し、前記複数の磁性層の内の前記バイアス
層に隣接しない磁性層については、外部磁界により磁化
の向きを可動に構成した磁気抵抗効果型ヘッドにおい
て、前記バイアス層を前記磁性層の両端部近傍に形成し、且
つ、このバイアス層を硬磁性膜で構成したことを特徴と
する磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項２】前記バイアス層に隣接する磁性層の両端
部近傍の表面から厚さ方向に凹部を設け、この凹部にバ
イアス層である硬磁性膜を形成して、前記磁性層の中央
部を両端から該硬磁性膜で挟み込むように構成したこと
を特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項３】前記バイアス層上及びこのバイアス層が
形成される磁性層上に、前記バイアス層に交差する方向
に延びた一対のセンス電流供給用の導体層を形成したこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気抵抗効果型
ヘッド。
【請求項４】前記磁性層をＮｉＦｅで構成したことを
特徴とする請求項１又は２又は３に記載の磁気抵抗効果
型ヘッド。
【請求項５】前記バイアス層をＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＮ
ｉＣｒ，ＣｏＣｒＴａの何れかで構成したことを特徴と
する請求項１〜４の何れかの請求項に記載の磁気抵抗効
果型ヘッド。
【請求項６】前記バイアス層による磁界の強さが２０
００エルステッド以下であることを特徴とする請求項１
〜５の何れかの請求項に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項７】前記複数の磁性層の膜厚が前記非磁性中
間層の膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項１〜６
の何れかの請求項に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項８】軟磁性金属でなる複数の磁性層を非磁性
金属でなる非磁性中間層を介して積層すると共に、この
積層された複数の磁性層の内の最浮上面側と最深面側に
位置する磁性層の少なくとも一方の磁性層については、
該磁性層に隣接してバイアス層を設けて該磁性層の磁化
の向きを固定し、前記複数の磁性層の内の前記バイアス
層に隣接しない磁性層については、外部磁界により磁化
の向きを可動に構成し、磁気記録媒体から外部磁界が印加されていないときに
は、前記バイアス層に隣接しない磁性層の磁化の向き
は、前記バイアス層に隣接している磁性層の磁化の向き
と垂直であり、外部磁界が印加されると、前記バイアス
層に隣接しない磁性層の磁化の向きは、前記バイアス層
に隣接している磁性層の磁化の向きと平行，反平行にな
り、磁気抵抗効果素子部の電気抵抗が増減することを利
用して、磁気記録媒体に記録されている情報を読み取る
磁気ディスク装置において、前記バイアス層を前記磁性層の両端部近傍に形成し、且
つ、このバイアス層を硬磁性膜で構成したことを特徴と
する磁気ディスク装置。