JPH08204253A - 磁気抵抗効果膜 - Google Patents
磁気抵抗効果膜Info
- Publication number
- JPH08204253A JPH08204253A JP7011354A JP1135495A JPH08204253A JP H08204253 A JPH08204253 A JP H08204253A JP 7011354 A JP7011354 A JP 7011354A JP 1135495 A JP1135495 A JP 1135495A JP H08204253 A JPH08204253 A JP H08204253A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- magnetic
- antiferromagnetic
- magnetoresistive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 25
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 157
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 139
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 86
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000002885 antiferromagnetic material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 claims description 4
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 claims description 4
- -1 CoCrTa Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910017344 Fe2 O3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 18
- 230000008859 change Effects 0.000 description 16
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910015136 FeMn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017112 Fe—C Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017086 Fe-M Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017082 Fe-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017133 Fe—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003286 Ni-Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003289 NiMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 241000981595 Zoysia japonica Species 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(II) oxide Inorganic materials [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/11—Magnetic recording head
- Y10T428/1107—Magnetoresistive
- Y10T428/1121—Multilayer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気記録媒体から磁界強度を信号として読み
取るためのＭＲ素子に関して、小さい外部磁場で抵抗変
化率の大きい磁気抵抗効果膜を提供する。 【構成】 反強磁性体と交換結合して抗磁力を与えられ
た磁性層と軟磁性層とが、非磁性層を介して積層された
人工格子からなる磁気抵抗効果膜において、反強磁性体
を酸化物反強磁性体、反強磁性体超格子（または永久磁
石膜）６とする。次に、磁性薄膜３，非磁性薄膜１，磁
性薄膜４からなるサンドイッチ膜の下地として、厚さ１
０〜６０オングストロームのｂｃｃ Ｆｅ薄膜２を挿入
する。さらに、この上に反強磁性体（または永久磁石材
料）７を形成して磁性薄膜４を単磁区化する。これによ
り、小さな外部磁場で大きな抵抗変化を示す磁気抵抗効
果膜を得る。
取るためのＭＲ素子に関して、小さい外部磁場で抵抗変
化率の大きい磁気抵抗効果膜を提供する。 【構成】 反強磁性体と交換結合して抗磁力を与えられ
た磁性層と軟磁性層とが、非磁性層を介して積層された
人工格子からなる磁気抵抗効果膜において、反強磁性体
を酸化物反強磁性体、反強磁性体超格子（または永久磁
石膜）６とする。次に、磁性薄膜３，非磁性薄膜１，磁
性薄膜４からなるサンドイッチ膜の下地として、厚さ１
０〜６０オングストロームのｂｃｃ Ｆｅ薄膜２を挿入
する。さらに、この上に反強磁性体（または永久磁石材
料）７を形成して磁性薄膜４を単磁区化する。これによ
り、小さな外部磁場で大きな抵抗変化を示す磁気抵抗効
果膜を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体等から磁
界強度を信号として読み取るための磁気抵抗効果素子に
用いる磁気抵抗効果膜に関し、さらに詳しくは、小さい
外部磁場で抵抗変化率が大きい磁気抵抗効果膜に関する
ものである。
界強度を信号として読み取るための磁気抵抗効果素子に
用いる磁気抵抗効果膜に関し、さらに詳しくは、小さい
外部磁場で抵抗変化率が大きい磁気抵抗効果膜に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気センサーの高感度化、および
磁気記録における高密度化が進められており、これに伴
い磁気抵抗効果型磁気センサー（以下、ＭＲセンサーと
いう）および磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘ
ッドという）の開発が盛んに進められている。ＭＲセン
サーおよびＭＲヘッドも、磁性材料からなる読み取りセ
ンサー部の抵抗変化により外部磁界信号を読み出すが、
ＭＲセンサーおよびＭＲヘッドは、磁気記録媒体との相
対速度が再生出力に依存しないことから、ＭＲセンサー
では高感度が、ＭＲヘッドでは高密度磁気記録において
も高い出力が得られるという長所がある。
磁気記録における高密度化が進められており、これに伴
い磁気抵抗効果型磁気センサー（以下、ＭＲセンサーと
いう）および磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘ
ッドという）の開発が盛んに進められている。ＭＲセン
サーおよびＭＲヘッドも、磁性材料からなる読み取りセ
ンサー部の抵抗変化により外部磁界信号を読み出すが、
ＭＲセンサーおよびＭＲヘッドは、磁気記録媒体との相
対速度が再生出力に依存しないことから、ＭＲセンサー
では高感度が、ＭＲヘッドでは高密度磁気記録において
も高い出力が得られるという長所がある。
【０００３】最近、非磁性薄膜を介して積層された少な
くとも２層の磁性薄膜を有し、一方の軟磁性薄膜に反強
磁性薄膜を隣接して設けることで抗磁力を与え、非磁性
薄膜を介して隣接した他方の軟磁性薄膜と異る外部磁界
で磁化回転させることで抵抗変化を行う磁気抵抗効果膜
がある（例えば、フィジカル レビュー Ｂ(Phys. Re
v. B)第43巻、1297頁、1991年，特開平４−３５８３１
０号公報）。
くとも２層の磁性薄膜を有し、一方の軟磁性薄膜に反強
磁性薄膜を隣接して設けることで抗磁力を与え、非磁性
薄膜を介して隣接した他方の軟磁性薄膜と異る外部磁界
で磁化回転させることで抵抗変化を行う磁気抵抗効果膜
がある（例えば、フィジカル レビュー Ｂ(Phys. Re
v. B)第43巻、1297頁、1991年，特開平４−３５８３１
０号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記先
願の磁気抵抗効果素子においても、小さい外部磁場で動
作するとは言え、実用的なＭＲセンサー，ＭＲヘッドと
して使用する場合、磁化容易軸方向に信号磁界が印加さ
れる必要があり、磁気センサーとして用いる場合、ゼロ
磁場前後で抵抗変化を示さないこと、および磁壁の不連
続な移動によるバルクハウゼンジャンプなどの非直線性
が現れるという問題があった。
願の磁気抵抗効果素子においても、小さい外部磁場で動
作するとは言え、実用的なＭＲセンサー，ＭＲヘッドと
して使用する場合、磁化容易軸方向に信号磁界が印加さ
れる必要があり、磁気センサーとして用いる場合、ゼロ
磁場前後で抵抗変化を示さないこと、および磁壁の不連
続な移動によるバルクハウゼンジャンプなどの非直線性
が現れるという問題があった。
【０００５】さらに、反強磁性薄膜としては、ＦｅＭｎ
という耐食性の悪い材料を用いる必要があり、実用化に
際して添加物を加える、または保護膜を施すなどの処理
を必要とするという問題があった。
という耐食性の悪い材料を用いる必要があり、実用化に
際して添加物を加える、または保護膜を施すなどの処理
を必要とするという問題があった。
【０００６】一方、強磁性層に抗磁力を付与する磁性膜
として、耐食性の優れた酸化物反強磁性膜または永久磁
石薄膜を用いた場合、その上に積層する磁性層／非磁性
層／磁性層サンドイッチ膜の結晶性が悪く、出力にヒス
テリシスが現れやすくなるという問題があった。
として、耐食性の優れた酸化物反強磁性膜または永久磁
石薄膜を用いた場合、その上に積層する磁性層／非磁性
層／磁性層サンドイッチ膜の結晶性が悪く、出力にヒス
テリシスが現れやすくなるという問題があった。
【０００７】本発明の目的は、小さな外部磁場でヒステ
リシスが小さく直線的に大きな抵抗変化を示す磁気抵抗
効果膜を提供することにある。
リシスが小さく直線的に大きな抵抗変化を示す磁気抵抗
効果膜を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に非磁
性薄膜を介して積層した複数の磁性薄膜からなり、非磁
性薄膜を介して隣あう一方の軟磁性薄膜に反強磁性薄膜
または永久磁石薄膜が隣接して設けてあり、この反強磁
性薄膜のバイアス磁界をＨr 、他方の軟磁性薄膜の保磁
力をＨc2としたとき、Ｈc2＜Ｈr であることを特徴とす
る磁気抵抗効果膜である。
性薄膜を介して積層した複数の磁性薄膜からなり、非磁
性薄膜を介して隣あう一方の軟磁性薄膜に反強磁性薄膜
または永久磁石薄膜が隣接して設けてあり、この反強磁
性薄膜のバイアス磁界をＨr 、他方の軟磁性薄膜の保磁
力をＨc2としたとき、Ｈc2＜Ｈr であることを特徴とす
る磁気抵抗効果膜である。
【０００９】本発明の反強磁性薄膜に用いる反強磁性体
は、具体的には、ＮｉＯ，ＣｏＯ，ＦｅＯ，Ｆｅ
2 Ｏ3 ，ＣｒＯ，ＭｎＯ，Ｃｒ、または、これらの混合
物である。また、ＮｉＯ，Ｎｉx Ｃｏ1-x Ｏ（x= 0.1〜
0.9 ），ＣｏＯから選択される少なくとも２つを交互に
積層した超格子構造としてもよい。そして、超格子中の
ＮｉのＣｏに対する原子数比を１．０以上とすることに
より、交換結合膜を形成したときの使用可能温度（ブロ
ッキング温度）を１００℃以上とすることが可能であ
る。反強磁性薄膜の膜厚の上限は、１０００オングスト
ロームである。
は、具体的には、ＮｉＯ，ＣｏＯ，ＦｅＯ，Ｆｅ
2 Ｏ3 ，ＣｒＯ，ＭｎＯ，Ｃｒ、または、これらの混合
物である。また、ＮｉＯ，Ｎｉx Ｃｏ1-x Ｏ（x= 0.1〜
0.9 ），ＣｏＯから選択される少なくとも２つを交互に
積層した超格子構造としてもよい。そして、超格子中の
ＮｉのＣｏに対する原子数比を１．０以上とすることに
より、交換結合膜を形成したときの使用可能温度（ブロ
ッキング温度）を１００℃以上とすることが可能であ
る。反強磁性薄膜の膜厚の上限は、１０００オングスト
ロームである。
【００１０】一方、反強磁性体膜の厚さの下限は特には
ないが、反強磁性体超格子の結晶性が隣接する磁性層へ
の交換結合磁界の大きさに大きく影響するため、結晶性
が良好となる１００オングストローム以上とすることが
好ましい。また、反強磁性体超格子を構成する場合、各
反強磁性層の単位膜厚は、５０オングストローム以下と
することが好ましい。このとき、各反強磁性層間の界面
での相互作用が、超格子の特性に大きく反映され、隣接
する磁性薄膜に大きなバイアス磁界を印加することが可
能である。
ないが、反強磁性体超格子の結晶性が隣接する磁性層へ
の交換結合磁界の大きさに大きく影響するため、結晶性
が良好となる１００オングストローム以上とすることが
好ましい。また、反強磁性体超格子を構成する場合、各
反強磁性層の単位膜厚は、５０オングストローム以下と
することが好ましい。このとき、各反強磁性層間の界面
での相互作用が、超格子の特性に大きく反映され、隣接
する磁性薄膜に大きなバイアス磁界を印加することが可
能である。
【００１１】そして、基板温度を１００〜３００℃とし
て成膜することにより、結晶性が改善されバイアス磁界
が上昇する。この成膜は、蒸着法，スパッタリング法，
分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）等の方法で行う。ま
た、基板としては、ガラス，Ｓｉ，ＭｇＯ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＧａＡｓ，フェライト，ＣａＴｉ2 Ｏ3 ，Ｂａ
Ｔｉ2Ｏ3 ，Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等を用いることができ
る。
て成膜することにより、結晶性が改善されバイアス磁界
が上昇する。この成膜は、蒸着法，スパッタリング法，
分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）等の方法で行う。ま
た、基板としては、ガラス，Ｓｉ，ＭｇＯ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＧａＡｓ，フェライト，ＣａＴｉ2 Ｏ3 ，Ｂａ
Ｔｉ2Ｏ3 ，Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等を用いることができ
る。
【００１２】本発明の永久磁石薄膜に用いる磁性体の種
類は、具体的にはＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＴ
ａＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＮｉＣｒ，
ＣｏＣｒＰｔＳｉ，ＦｅＣｏＣｒである。そして、これ
ら永久磁石薄膜の下地層として、Ｃｒが用いられてもよ
い。
類は、具体的にはＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＴ
ａＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＮｉＣｒ，
ＣｏＣｒＰｔＳｉ，ＦｅＣｏＣｒである。そして、これ
ら永久磁石薄膜の下地層として、Ｃｒが用いられてもよ
い。
【００１３】本発明では、上記反強磁性体薄膜上または
永久磁石薄膜上にｂｃｃ構造のＦｅを１０〜６０オング
ストロームの厚さに積層し、その上に磁性層／非磁性層
／磁性層からなるサンドイッチ膜を積層することによ
り、サンドイッチ膜の結晶性が向上し、磁気抵抗効果素
子とした時の出力のヒステリシスおよびノイズを小さく
抑えることが出来る。
永久磁石薄膜上にｂｃｃ構造のＦｅを１０〜６０オング
ストロームの厚さに積層し、その上に磁性層／非磁性層
／磁性層からなるサンドイッチ膜を積層することによ
り、サンドイッチ膜の結晶性が向上し、磁気抵抗効果素
子とした時の出力のヒステリシスおよびノイズを小さく
抑えることが出来る。
【００１４】本発明の磁性薄膜に用いる磁性体の種類は
特に制限されないが、具体的には、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，
Ｍｎ，Ｃｒ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｔｍ，Ｇｅ，Ｇ
ｄ等が好ましい。また、これらの元素を含む合金や化合
物としては、例えばＦｅ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｆｅ−Ｇｄ，Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｎｉ−Ｆｅ−Ｍ
ｏ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ（センダスト），Ｆｅ−Ｙ，Ｆｅ
−Ｍｎ，Ｃｒ−Ｓｂ，Ｃｏ系アモルファス，Ｃｏ−Ｐ
ｔ，Ｆｅ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃ，Ｍｎ−Ｓｂ，Ｎｉ−Ｍｎ，
フェライト等が好ましい。
特に制限されないが、具体的には、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，
Ｍｎ，Ｃｒ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｔｍ，Ｇｅ，Ｇ
ｄ等が好ましい。また、これらの元素を含む合金や化合
物としては、例えばＦｅ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｆｅ−Ｇｄ，Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｎｉ−Ｆｅ−Ｍ
ｏ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ（センダスト），Ｆｅ−Ｙ，Ｆｅ
−Ｍｎ，Ｃｒ−Ｓｂ，Ｃｏ系アモルファス，Ｃｏ−Ｐ
ｔ，Ｆｅ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃ，Ｍｎ−Ｓｂ，Ｎｉ−Ｍｎ，
フェライト等が好ましい。
【００１５】本発明ではこれらの磁性体から選択して磁
性薄膜を形成する。特に、反強磁性薄膜または永久磁石
薄膜と隣接していない磁性薄膜の異方性磁界Ｈk2が保磁
力Ｈc2より大きい材料を選択することにより実現でき
る。また、異方性磁界は膜厚を薄くすることによっても
大きくできる。例えば、ＮｉＦｅを１０オングストロー
ム程度の厚さにすると、異方性磁界Ｈk2を保磁力Ｈc2よ
りも大きくすることができる。
性薄膜を形成する。特に、反強磁性薄膜または永久磁石
薄膜と隣接していない磁性薄膜の異方性磁界Ｈk2が保磁
力Ｈc2より大きい材料を選択することにより実現でき
る。また、異方性磁界は膜厚を薄くすることによっても
大きくできる。例えば、ＮｉＦｅを１０オングストロー
ム程度の厚さにすると、異方性磁界Ｈk2を保磁力Ｈc2よ
りも大きくすることができる。
【００１６】さらに、このような磁気抵抗効果膜は、磁
性薄膜の磁化容易軸が印加される信号磁界方向に対して
垂直方向になっていて、印加信号磁界方向の磁性薄膜の
保磁力が、Ｈc2＜Ｈk2＜Ｈr になるように、前記磁性薄
膜を磁場中成膜することにより製造できる。具体的に
は、反強磁性膜と隣接する軟磁性膜の容易軸と、これと
非磁性層を介して隣あう磁性膜の容易磁化方向とが、直
交するように成膜中印加磁界を９０度回転させる、また
は磁場中で基板を９０度回転させることにより実現され
る。
性薄膜の磁化容易軸が印加される信号磁界方向に対して
垂直方向になっていて、印加信号磁界方向の磁性薄膜の
保磁力が、Ｈc2＜Ｈk2＜Ｈr になるように、前記磁性薄
膜を磁場中成膜することにより製造できる。具体的に
は、反強磁性膜と隣接する軟磁性膜の容易軸と、これと
非磁性層を介して隣あう磁性膜の容易磁化方向とが、直
交するように成膜中印加磁界を９０度回転させる、また
は磁場中で基板を９０度回転させることにより実現され
る。
【００１７】各磁性薄膜の膜厚は、２００オングストロ
ーム以下が好ましい。一方、磁性薄膜の厚さの下限は特
にないが、３０オングストローム以下は伝導電子の表面
散乱の効果が大きくなり、磁気抵抗変化が小さくなる。
また、厚さを３０オングストローム以上とすれば、膜厚
を均一に保つことが容易となり、特性も良好となる。ま
た、飽和磁化の大きさが小さくなりすぎることもない。
ーム以下が好ましい。一方、磁性薄膜の厚さの下限は特
にないが、３０オングストローム以下は伝導電子の表面
散乱の効果が大きくなり、磁気抵抗変化が小さくなる。
また、厚さを３０オングストローム以上とすれば、膜厚
を均一に保つことが容易となり、特性も良好となる。ま
た、飽和磁化の大きさが小さくなりすぎることもない。
【００１８】また、反強磁性薄膜に隣接する磁性薄膜の
保磁力は、基板温度を１５０〜３００℃として反強磁性
薄膜と連続して成膜することにより小さくすることが可
能である。
保磁力は、基板温度を１５０〜３００℃として反強磁性
薄膜と連続して成膜することにより小さくすることが可
能である。
【００１９】さらに、磁性薄膜／非磁性薄膜界面に、Ｃ
ｏまたはＣｏ系合金を挿入することにより、伝導電子の
界面散乱確率が上昇し、より大きな抵抗変化を得ること
が可能である。挿入する膜厚の下限は５オングストロー
ムである。また、膜厚がこれ以下になると、挿入効果が
減少するとともに膜厚制御も困難となる。挿入膜厚の上
限は特にはないが、３０オングストローム程度が望まし
い。そして、膜厚がこれ以上厚くなると、磁気抵抗効果
素子の動作範囲における出力にヒステリシスが現れる。
ｏまたはＣｏ系合金を挿入することにより、伝導電子の
界面散乱確率が上昇し、より大きな抵抗変化を得ること
が可能である。挿入する膜厚の下限は５オングストロー
ムである。また、膜厚がこれ以下になると、挿入効果が
減少するとともに膜厚制御も困難となる。挿入膜厚の上
限は特にはないが、３０オングストローム程度が望まし
い。そして、膜厚がこれ以上厚くなると、磁気抵抗効果
素子の動作範囲における出力にヒステリシスが現れる。
【００２０】このような磁気抵抗効果膜において、外部
磁界を検知する磁性層、すなわち反強磁性薄膜または永
久磁石薄膜と隣接しない磁性層の容易磁化方向に反強磁
性薄膜または永久磁石薄膜を隣接させることにより、磁
区安定化がはかられ、磁壁の不連続な移動に伴うバルク
ハウゼンジャンプなどの非直線的な出力が回避される。
ここで、磁区安定化に用いられる反強磁性薄膜として
は、例えば、ＦｅＭｎ，ＮｉＭｎ，ＮｉＯ，ＣｏＯ，Ｆ
ｅＯ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，ＣｒＯ，ＭｎＯなどが好ましい。ま
た、永久磁石薄膜としては、ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａ，
ＣｏＣｒＴａＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＮｉＰｔ，Ｃｏ
ＮｉＣｒ，ＣｏＣｒＰｔＳｉ，ＦｅＣｏＣｒなどが好ま
しい。そして、これらの永久磁石薄膜の下地層として、
Ｃr などが用いられてもよい。
磁界を検知する磁性層、すなわち反強磁性薄膜または永
久磁石薄膜と隣接しない磁性層の容易磁化方向に反強磁
性薄膜または永久磁石薄膜を隣接させることにより、磁
区安定化がはかられ、磁壁の不連続な移動に伴うバルク
ハウゼンジャンプなどの非直線的な出力が回避される。
ここで、磁区安定化に用いられる反強磁性薄膜として
は、例えば、ＦｅＭｎ，ＮｉＭｎ，ＮｉＯ，ＣｏＯ，Ｆ
ｅＯ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，ＣｒＯ，ＭｎＯなどが好ましい。ま
た、永久磁石薄膜としては、ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａ，
ＣｏＣｒＴａＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＮｉＰｔ，Ｃｏ
ＮｉＣｒ，ＣｏＣｒＰｔＳｉ，ＦｅＣｏＣｒなどが好ま
しい。そして、これらの永久磁石薄膜の下地層として、
Ｃr などが用いられてもよい。
【００２１】さらに、非磁性薄膜は、磁性薄膜間の磁気
相互作用を弱める役割をはたす材料であり、その種類に
特に制限はなく、各種金属ないし半金属非磁性体および
非金属非磁性体から適宜選択すればよい。この金属非磁
性体としては、例えば、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ａ
ｌ，Ｍｇ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｈｆ，Ｓｂ，
Ｚｒ，Ｇａ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｐｂ等およびこれらの合金が
好ましい。また、半金属非磁性体としては、ＳｉＯ2 ，
ＳｉＯ，ＳｉＮ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ，ＭｇＯ，ＴｉＮ
等およびこれらに別の元素を添加したものが好ましい。
相互作用を弱める役割をはたす材料であり、その種類に
特に制限はなく、各種金属ないし半金属非磁性体および
非金属非磁性体から適宜選択すればよい。この金属非磁
性体としては、例えば、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ａ
ｌ，Ｍｇ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｈｆ，Ｓｂ，
Ｚｒ，Ｇａ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｐｂ等およびこれらの合金が
好ましい。また、半金属非磁性体としては、ＳｉＯ2 ，
ＳｉＯ，ＳｉＮ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ，ＭｇＯ，ＴｉＮ
等およびこれらに別の元素を添加したものが好ましい。
【００２２】そして、実験結果より非磁性薄膜の厚さ
は、２０〜３５オングストロームが望ましい。一般に膜
厚が４０オングストロームを超えると、非磁性薄膜によ
り抵抗が決まるため、スピンに依存する散乱効果が相対
的に小さくなってしまい、その結果、磁気抵抗変化率が
小さくなってしまう。一方、膜厚が２０オングストロー
ム以下になると、磁性薄膜間の磁気相互作用が大きくな
りすぎ、また、磁気的な直接接触状態（ピンホール）の
発生が避けられないことから、両磁性薄膜の磁化方向が
相異なる状態が生じにくくなる。
は、２０〜３５オングストロームが望ましい。一般に膜
厚が４０オングストロームを超えると、非磁性薄膜によ
り抵抗が決まるため、スピンに依存する散乱効果が相対
的に小さくなってしまい、その結果、磁気抵抗変化率が
小さくなってしまう。一方、膜厚が２０オングストロー
ム以下になると、磁性薄膜間の磁気相互作用が大きくな
りすぎ、また、磁気的な直接接触状態（ピンホール）の
発生が避けられないことから、両磁性薄膜の磁化方向が
相異なる状態が生じにくくなる。
【００２３】磁性薄膜または非磁性薄膜の膜厚は、透過
型電子顕微鏡，走査型電子顕微鏡，オージェ電子分光分
析等により測定することができる。また、薄膜の結晶構
造は、Ｘ線回折や高速電子線回折等により確認すること
ができる。
型電子顕微鏡，走査型電子顕微鏡，オージェ電子分光分
析等により測定することができる。また、薄膜の結晶構
造は、Ｘ線回折や高速電子線回折等により確認すること
ができる。
【００２４】本発明の磁気抵抗効果素子において、人工
格子膜の繰り返し積層回数Ｎには特に制限はなく、目的
とする磁気抵抗変化率等に応じて適宜選定すればよい。
しかしながら、酸化物反強磁性薄膜を用いる場合、比抵
抗値が大きく、積層する効果が損なわれるため、反強磁
性層／磁性層／非磁性層／磁性層／非磁性層／磁性層／
反強磁性層とする構造に置き替えられるのが好ましい。
格子膜の繰り返し積層回数Ｎには特に制限はなく、目的
とする磁気抵抗変化率等に応じて適宜選定すればよい。
しかしながら、酸化物反強磁性薄膜を用いる場合、比抵
抗値が大きく、積層する効果が損なわれるため、反強磁
性層／磁性層／非磁性層／磁性層／非磁性層／磁性層／
反強磁性層とする構造に置き替えられるのが好ましい。
【００２５】なお、最上層の磁性薄膜の表面には、窒化
珪素，酸化珪素，酸化アルミ等の酸化防止膜が設けられ
てもよく、また、電極を引き出すための金属導電層が設
けられてもよい。
珪素，酸化珪素，酸化アルミ等の酸化防止膜が設けられ
てもよく、また、電極を引き出すための金属導電層が設
けられてもよい。
【００２６】また、磁気抵抗効果素子中に存在する磁性
薄膜は、その磁気特性を直接測定することはできないの
で、通常、下記のようにして測定する。まず、測定すべ
き磁性薄膜を、磁性薄膜の合計厚さが、５００〜１００
０オングストローム程度になるまで非磁性薄膜と交互に
成膜して測定用サンプルを作製し、これについて磁気特
性を測定する。この場合、磁性薄膜の厚さ，非磁性薄膜
の厚さおよび非磁性薄膜の組成は、磁気抵抗効果素子に
おけるものと同等にする。
薄膜は、その磁気特性を直接測定することはできないの
で、通常、下記のようにして測定する。まず、測定すべ
き磁性薄膜を、磁性薄膜の合計厚さが、５００〜１００
０オングストローム程度になるまで非磁性薄膜と交互に
成膜して測定用サンプルを作製し、これについて磁気特
性を測定する。この場合、磁性薄膜の厚さ，非磁性薄膜
の厚さおよび非磁性薄膜の組成は、磁気抵抗効果素子に
おけるものと同等にする。
【００２７】
【作用】本発明の磁気抵抗効果膜では、一方の軟磁性薄
膜に隣接して反強磁性薄膜または永久磁石薄膜が形成さ
れており、交換バイアス力が働いていることが必須であ
る。その理由は、本発明の原理が隣合った磁性薄膜の磁
化の向きが互いに逆向きに向いたとき、最大の抵抗を示
すことにあるからである。すなわち、本発明の磁気抵抗
効果膜では、図３のＢ−Ｈ曲線に示すように、外部磁場
Ｈが磁性薄膜の異方性磁界Ｈk2と反強磁性薄膜または永
久磁石薄膜によって交換バイアスされた一方の磁性薄膜
の抗磁力（Ｈr orＨch）の間にあるとき、すなわちＨk2
＜Ｈ＜ＨrorＨchであるとき、隣合った磁性薄膜の磁化
の方向が互いに逆向きになり、抵抗が増大する。
膜に隣接して反強磁性薄膜または永久磁石薄膜が形成さ
れており、交換バイアス力が働いていることが必須であ
る。その理由は、本発明の原理が隣合った磁性薄膜の磁
化の向きが互いに逆向きに向いたとき、最大の抵抗を示
すことにあるからである。すなわち、本発明の磁気抵抗
効果膜では、図３のＢ−Ｈ曲線に示すように、外部磁場
Ｈが磁性薄膜の異方性磁界Ｈk2と反強磁性薄膜または永
久磁石薄膜によって交換バイアスされた一方の磁性薄膜
の抗磁力（Ｈr orＨch）の間にあるとき、すなわちＨk2
＜Ｈ＜ＨrorＨchであるとき、隣合った磁性薄膜の磁化
の方向が互いに逆向きになり、抵抗が増大する。
【００２８】図２は、本発明の磁気抵抗効果膜を用いた
ＭＲセンサの一例を示す展開斜視図である。このＭＲセ
ンサは、図２に示すように、基板５上に形成された人工
格子膜８からなり、基板５上に形成された反強磁性薄膜
（または永久磁石薄膜）７の上に、非磁性薄膜１を介し
た磁性薄膜３，４間の磁化容易軸方向を直交させ、磁気
記録媒体９から放出される信号磁界を磁性薄膜４の磁化
容易軸方向に対し垂直となるように設定する。
ＭＲセンサの一例を示す展開斜視図である。このＭＲセ
ンサは、図２に示すように、基板５上に形成された人工
格子膜８からなり、基板５上に形成された反強磁性薄膜
（または永久磁石薄膜）７の上に、非磁性薄膜１を介し
た磁性薄膜３，４間の磁化容易軸方向を直交させ、磁気
記録媒体９から放出される信号磁界を磁性薄膜４の磁化
容易軸方向に対し垂直となるように設定する。
【００２９】このとき、磁性薄膜３は、隣接する反強磁
性薄膜（または永久磁石薄膜）６により一方向異方性が
付与されている。また、磁性薄膜４の両端部の近傍に
は、磁化容易軸方向に反強磁性薄膜（または永久磁石薄
膜）７が隣接しており、磁化容易軸方向に一方向化され
ている。そして、磁性薄膜４の磁化方向が、磁気記録媒
体９の信号磁界の大きさに応答して回転することによ
り、抵抗が変化し磁場を検知する。
性薄膜（または永久磁石薄膜）６により一方向異方性が
付与されている。また、磁性薄膜４の両端部の近傍に
は、磁化容易軸方向に反強磁性薄膜（または永久磁石薄
膜）７が隣接しており、磁化容易軸方向に一方向化され
ている。そして、磁性薄膜４の磁化方向が、磁気記録媒
体９の信号磁界の大きさに応答して回転することによ
り、抵抗が変化し磁場を検知する。
【００３０】次に、本発明の磁気抵抗効果膜における外
部磁場、保磁力および磁化方向の関係について、図３を
参照して説明する。
部磁場、保磁力および磁化方向の関係について、図３を
参照して説明する。
【００３１】(1) 本発明の磁気抵抗効果膜を、図３に示
すように、交換バイアスされた軟磁性薄膜の抗磁力をＨ
r 、他方の軟磁性薄膜の保磁力をＨc2、異方性磁界をＨ
k2とする（０＜Ｈk2＜Ｈr ）。そして、最初に外部磁場
Ｈを、Ｈ＜−Ｈk2となるように印加しておく。このと
き、磁性薄膜３および磁性薄膜４の磁化方向は、外部磁
場Ｈと同じ−（負）方向に向いている〔領域（Ａ）〕。
すように、交換バイアスされた軟磁性薄膜の抗磁力をＨ
r 、他方の軟磁性薄膜の保磁力をＨc2、異方性磁界をＨ
k2とする（０＜Ｈk2＜Ｈr ）。そして、最初に外部磁場
Ｈを、Ｈ＜−Ｈk2となるように印加しておく。このと
き、磁性薄膜３および磁性薄膜４の磁化方向は、外部磁
場Ｈと同じ−（負）方向に向いている〔領域（Ａ）〕。
【００３２】(2) 次に、外部磁場を弱めていくと、−Ｈ
k2＜Ｈ＜Ｈk2において、磁性薄膜４の磁化は＋（正）方
向に回転する〔領域（Ｂ）〕。
k2＜Ｈ＜Ｈk2において、磁性薄膜４の磁化は＋（正）方
向に回転する〔領域（Ｂ）〕。
【００３３】(3) そして、外部磁場Ｈが、Ｈk2＜Ｈ＜Ｈ
r では、磁性薄膜３および磁性薄膜４の磁化方向は互い
に逆向きになる〔領域（Ｃ）〕。
r では、磁性薄膜３および磁性薄膜４の磁化方向は互い
に逆向きになる〔領域（Ｃ）〕。
【００３４】(4) さらに、外部磁場Ｈを大きくした、Ｈ
r ＜Ｈでは、磁性薄膜４の磁化も反転し、磁性薄膜３お
よび磁性薄膜４の磁化方向は、同じ＋（正）方向に揃っ
て向く〔領域（Ｄ）〕。
r ＜Ｈでは、磁性薄膜４の磁化も反転し、磁性薄膜３お
よび磁性薄膜４の磁化方向は、同じ＋（正）方向に揃っ
て向く〔領域（Ｄ）〕。
【００３５】この磁気抵抗効果膜の抵抗値は、図４に示
すＲ−Ｈ曲線から判るように、磁性薄膜３および磁性薄
膜４の相対的な磁化方向によって変化し、領域（Ｂ）の
ゼロ磁場前後では直線的に変化し、領域（Ｃ）では最大
値（Ｒmax ）となり、領域（Ａ）および領域（Ｄ）では
最小値（Ｒmin ）となる。
すＲ−Ｈ曲線から判るように、磁性薄膜３および磁性薄
膜４の相対的な磁化方向によって変化し、領域（Ｂ）の
ゼロ磁場前後では直線的に変化し、領域（Ｃ）では最大
値（Ｒmax ）となり、領域（Ａ）および領域（Ｄ）では
最小値（Ｒmin ）となる。
【００３６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００３７】図１は、本発明に係る磁気抵抗効果膜を示
す一部省略側面図である。本発明の磁気抵抗効果膜は、
図１に示すように、基板５上に人工格子膜８を形成した
ものであって、反強磁性体薄膜（または永久磁石薄膜）
６を形成した基板５上に、ｂｃｃ構造のＦｅからなるｂ
ｃｃ Ｆｅ薄膜２，磁性薄膜３，非磁性薄膜１，磁性薄
膜４，反強磁性薄膜（または永久磁石薄膜）７を順次積
層して構成されている。
す一部省略側面図である。本発明の磁気抵抗効果膜は、
図１に示すように、基板５上に人工格子膜８を形成した
ものであって、反強磁性体薄膜（または永久磁石薄膜）
６を形成した基板５上に、ｂｃｃ構造のＦｅからなるｂ
ｃｃ Ｆｅ薄膜２，磁性薄膜３，非磁性薄膜１，磁性薄
膜４，反強磁性薄膜（または永久磁石薄膜）７を順次積
層して構成されている。
【００３８】次に、本発明の磁気抵抗効果膜による具体
的な実験結果について説明する。
的な実験結果について説明する。
【００３９】まず、基板には、ガラス基板を用い、この
ガラス基板を真空装置の中に入れ、１０-7Ｔｏｒｒ台ま
で真空引きを行う。そして、ガラス基板の温度を１５０
℃に上昇させ、反強磁性体層を５００オングストローム
の厚さで形成し、続いて、ｂｃｃ Ｆｅ層およびＮｉＦ
ｅの磁性層を成膜する。このようにして、１５０℃で交
換結合膜を形成後、ガラス基板の温度を再び室温に戻
し、非磁性層および磁性層を形成して磁気抵抗効果膜と
する。
ガラス基板を真空装置の中に入れ、１０-7Ｔｏｒｒ台ま
で真空引きを行う。そして、ガラス基板の温度を１５０
℃に上昇させ、反強磁性体層を５００オングストローム
の厚さで形成し、続いて、ｂｃｃ Ｆｅ層およびＮｉＦ
ｅの磁性層を成膜する。このようにして、１５０℃で交
換結合膜を形成後、ガラス基板の温度を再び室温に戻
し、非磁性層および磁性層を形成して磁気抵抗効果膜と
する。
【００４０】この人工格子による磁気抵抗効果膜の磁化
測定は、振動試料型磁力計により行った。抵抗測定は、
試料から１．０×１０ｍｍ2 の形状のサンプルを作製
し、外部磁界を面内に電流と垂直方向になるように印加
しながら−５００〜５００Ｏｅまで変化させたときの抵
抗値を４端子法により測定し、その抵抗値から磁気抵抗
変化率ΔＲ／Ｒを求めた。この磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒ
は、測定した抵抗値の最大抵抗値をＲmax ，最小抵抗値
をＲmin として、次式により計算した。
測定は、振動試料型磁力計により行った。抵抗測定は、
試料から１．０×１０ｍｍ2 の形状のサンプルを作製
し、外部磁界を面内に電流と垂直方向になるように印加
しながら−５００〜５００Ｏｅまで変化させたときの抵
抗値を４端子法により測定し、その抵抗値から磁気抵抗
変化率ΔＲ／Ｒを求めた。この磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒ
は、測定した抵抗値の最大抵抗値をＲmax ，最小抵抗値
をＲmin として、次式により計算した。
【００４１】
【００４２】そして、次に示す人工格子膜を約２．２〜
３．５オングストローム／秒の成膜速度で成膜して作製
した。
３．５オングストローム／秒の成膜速度で成膜して作製
した。
【００４３】Glass / (CoO(10)/NiO(10))25 / Fe(50) /
NiFe(50) / Cu(25) / NiFe(100) ここで、上記の人工格子膜は、ガラス基板上に、厚
さ１０オングストロームのＣｏＯ層とＮｉＯ層とを交互
に２５回ずつ積層した超格子の反強磁性層を形成した
後、厚さ５０オングストロームのｂｃｃ Ｆｅ層、
厚さ５０オングストロームのＮｉ８０％−Ｆｅ２０％の
磁性層、厚さ２５オングストロームのＣｕからなる非
磁性層、厚さ１００オングストロームのＮｉ８０％−
Ｆｅ２０％の磁性層を順次成膜し積層した、ことを意味
する。
NiFe(50) / Cu(25) / NiFe(100) ここで、上記の人工格子膜は、ガラス基板上に、厚
さ１０オングストロームのＣｏＯ層とＮｉＯ層とを交互
に２５回ずつ積層した超格子の反強磁性層を形成した
後、厚さ５０オングストロームのｂｃｃ Ｆｅ層、
厚さ５０オングストロームのＮｉ８０％−Ｆｅ２０％の
磁性層、厚さ２５オングストロームのＣｕからなる非
磁性層、厚さ１００オングストロームのＮｉ８０％−
Ｆｅ２０％の磁性層を順次成膜し積層した、ことを意味
する。
【００４４】また、この人工格子膜は、非磁性層の厚を
２５オングストロームとすることにより、３．８％程度
の抵抗変化率が得られ、ヒステリシスもｂｃｃ Ｆｅを
磁性サンドイッチ層の下地として挿入することにより小
さくなった。さらに、磁性層（ＮｉＦｅ）／非磁性層
（Ｃｕ）界面にＣｏを挿入することにより、６％の抵抗
変化率が得られた。
２５オングストロームとすることにより、３．８％程度
の抵抗変化率が得られ、ヒステリシスもｂｃｃ Ｆｅを
磁性サンドイッチ層の下地として挿入することにより小
さくなった。さらに、磁性層（ＮｉＦｅ）／非磁性層
（Ｃｕ）界面にＣｏを挿入することにより、６％の抵抗
変化率が得られた。
【００４５】図５は、本実施例の人工格子膜について、
外部磁界を−５００〜５００Ｏｅまで変化させたときの
Ｂ−Ｈ曲線を示し、また、図６は、同様に抵抗変化率を
示すＭＲ曲線を示し、ゼロ磁場前後で直線的に大きな抵
抗変化を示すことが判る。
外部磁界を−５００〜５００Ｏｅまで変化させたときの
Ｂ−Ｈ曲線を示し、また、図６は、同様に抵抗変化率を
示すＭＲ曲線を示し、ゼロ磁場前後で直線的に大きな抵
抗変化を示すことが判る。
【００４６】なお、本実施例では、反強磁性層がＣｏＯ
とＮｉＯとの超格子のみの場合について記述したが、Ｎ
ｉx Ｃｏ1-x Ｏ（x= 0.1〜0.9 ）とＮｉＯとの超格子、
Ｎｉx Ｃｏ1-x Ｏ（x= 0.1〜0.9 ）とＣｏＯとの超格
子、または、ＮｉＯ，ＣｏＯ，ＦｅＯ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃ
ｒＯ，ＭｎＯ，Ｃｒのいずれか１つ、またはこれらの混
合物からなる超格子、さらに、この反強磁性層をＣｏＣ
ｒ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＴａＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ，
ＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＣｒＰｔＳｉ，Ｆｅ
ＣｏＣｒのいずれか１つからなる永久磁石層に置き換え
たものでも、４〜７％の抵抗変化率が得られた。
とＮｉＯとの超格子のみの場合について記述したが、Ｎ
ｉx Ｃｏ1-x Ｏ（x= 0.1〜0.9 ）とＮｉＯとの超格子、
Ｎｉx Ｃｏ1-x Ｏ（x= 0.1〜0.9 ）とＣｏＯとの超格
子、または、ＮｉＯ，ＣｏＯ，ＦｅＯ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃ
ｒＯ，ＭｎＯ，Ｃｒのいずれか１つ、またはこれらの混
合物からなる超格子、さらに、この反強磁性層をＣｏＣ
ｒ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＴａＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ，
ＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＣｒＰｔＳｉ，Ｆｅ
ＣｏＣｒのいずれか１つからなる永久磁石層に置き換え
たものでも、４〜７％の抵抗変化率が得られた。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気抵抗
効果膜は、小さな外部磁場でヒステリシスが小さく直線
的に大きな抵抗変化を示す磁気抵抗効果膜を得ることが
できる。
効果膜は、小さな外部磁場でヒステリシスが小さく直線
的に大きな抵抗変化を示す磁気抵抗効果膜を得ることが
できる。
【図１】本発明に係る磁気抵抗効果膜を示す一部省略側
面図である。
面図である。
【図２】本発明の磁気抵抗効果膜を用いたＭＲセンサー
の一例を示す展開斜視図である。
の一例を示す展開斜視図である。
【図３】本発明の磁気抵抗効果膜の作用原理を説明する
Ｂ−Ｈ曲線である。
Ｂ−Ｈ曲線である。
【図４】本発明の磁気抵抗効果膜の作用原理を説明する
Ｒ−Ｈ曲線である。
Ｒ−Ｈ曲線である。
【図５】本発明に係る磁気抵抗効果膜のＢ−Ｈ曲線であ
る。
る。
【図６】本発明に係る磁気抵抗効果膜のＭＲ曲線であ
る。
る。
１ 非磁性薄膜 ２ ｂｃｃ Ｆｅ薄膜 ３，４ 磁性薄膜 ５ 基板 ６，７ 反強磁性薄膜（または永久磁石薄膜） ８ 人工格子膜 ９ 磁気録媒体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石原 邦彦 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に非磁性薄膜を介して積層した複
数の磁性薄膜からなり、非磁性薄膜を介して隣接する一
方の軟磁性薄膜に反強磁性薄膜が隣接して設けてあり、
前記反強磁性薄膜のバイアス磁界をＨr 、前記反強磁性
薄膜に隣接しない他方の軟磁性薄膜の保磁力をＨc2とし
たとき、Ｈc2＜Ｈr である磁気抵抗効果膜において、 前記反強磁性体が、ＮｉＯ，Ｎｉx Ｃｏ1-x Ｏ（x= 0.1
〜0.9 ），ＣｏＯの少なくとも２つからなる超格子であ
り、この超格子中のＮｉのＣｏに対する原子数比が１．
０以上であることを特徴とする磁気抵抗効果膜。 - 【請求項２】 前記反強磁性体が、ＮｉＯ，ＣｏＯ，Ｆ
ｅＯ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，ＣｒＯ，ＭｎＯ，Ｃｒのいずれか１
つ、または少なくともこれらの２つの混合物からなるこ
とを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果膜。 - 【請求項３】 基板上に非磁性薄膜を介して積層した複
数の磁性薄膜からなり、非磁性薄膜を介して隣あう一方
の軟磁性薄膜に永久磁石薄膜が隣接して設けてあり、前
記永久磁石薄膜の保磁力をＨch、前記永久磁石薄膜に隣
接しない他方の軟磁性薄膜の保磁力をＨc2としたとき、
Ｈc2＜Ｈchである磁気抵抗効果膜において、 前記永久磁石薄膜が、ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣ
ｒＴａＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＮｉＣ
ｒ，ＣｏＣｒＰｔＳｉ，ＦｅＣｏＣｒのいずれか１つか
らなることを特徴とする磁気抵抗効果膜。 - 【請求項４】 請求項１または２記載の磁気抵抗効果膜
において、前記反強磁性体薄膜上に厚さ１０〜６０オン
グストロームのｂｃｃ構造のＦｅを積層し、その上に磁
性層／非磁性層／磁性層からなるサンドイッチ膜を積層
することを特徴とする磁気抵抗効果膜。 - 【請求項５】 請求項３記載の磁気抵抗効果膜におい
て、前記永久磁石薄膜上に厚さ１０〜６０オングストロ
ームのｂｃｃ構造のＦｅを積層し、その上に磁性層／非
磁性層／磁性層からなるサンドイッチ膜を積層すること
を特徴とする磁気抵抗効果膜。 - 【請求項６】 請求項１または２記載の磁気抵抗効果膜
において、前記反強磁性薄膜と隣接しない前記他方の軟
磁性薄膜を別の反強磁性薄膜または永久磁石薄膜を用い
て単磁区化することを特徴とする磁気抵抗効果膜。 - 【請求項７】 請求項３記載の磁気抵抗効果膜におい
て、前記永久磁石薄膜と隣接しない前記他方の軟磁性薄
膜を別の反強磁性薄膜または永久磁石薄膜を用いて単磁
区化することを特徴とする磁気抵抗効果膜。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7011354A JP2748876B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 磁気抵抗効果膜 |
| DE69637811T DE69637811D1 (de) | 1995-01-27 | 1996-01-29 | Magnetowiderstandseffekt-Film |
| US08/593,689 US5917400A (en) | 1995-01-27 | 1996-01-29 | Magnetoresistance effects film |
| EP96300598A EP0724301B1 (en) | 1995-01-27 | 1996-01-29 | Magnetoresistance effects film |
| US09/038,093 US6063491A (en) | 1995-01-27 | 1998-03-11 | Magnetoresistance effects film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7011354A JP2748876B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 磁気抵抗効果膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08204253A true JPH08204253A (ja) | 1996-08-09 |
| JP2748876B2 JP2748876B2 (ja) | 1998-05-13 |
Family
ID=11775704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7011354A Expired - Lifetime JP2748876B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 磁気抵抗効果膜 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5917400A (ja) |
| EP (1) | EP0724301B1 (ja) |
| JP (1) | JP2748876B2 (ja) |
| DE (1) | DE69637811D1 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997011499A1 (fr) * | 1995-09-21 | 1997-03-27 | Tdk Corporation | Transducteur magnetique |
| US5889640A (en) * | 1995-09-14 | 1999-03-30 | Nec Corporation | Magnetoresistive element and sensor having optimal cross point |
| US6083632A (en) * | 1997-01-08 | 2000-07-04 | Nec Corporation | Magnetoresistive effect film and method of manufacture thereof |
| US6090480A (en) * | 1997-04-30 | 2000-07-18 | Nec Corporation | Magnetoresistive device |
| US6114850A (en) * | 1997-03-18 | 2000-09-05 | Nec Corporation | Magnetoresistance effect element, and magnetoresistance effect sensor and magnetic information recording and playback system using same |
| US6178073B1 (en) * | 1997-12-01 | 2001-01-23 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element with a fixing layer formed from a superlattice of at least two different materials and production method of the same |
| US6301088B1 (en) | 1998-04-09 | 2001-10-09 | Nec Corporation | Magnetoresistance effect device and method of forming the same as well as magnetoresistance effect sensor and magnetic recording system |
| US6369993B1 (en) | 1997-05-14 | 2002-04-09 | Nec Corporation | Magnetoresistance effect sensor and magnetoresistance detection system and magnetic storage system using this sensor |
| JP2002520884A (ja) * | 1998-07-20 | 2002-07-09 | モトローラ・インコーポレイテッド | 低い面抵抗を有するｍｔｊおよびそれを製造する方法 |
| KR100347084B1 (ko) * | 1997-10-30 | 2002-10-25 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 외부자계센서로서 이용 가능한 자기터널접합소자 |
| WO2003021579A1 (en) * | 2001-08-29 | 2003-03-13 | Lambeth David N | Magnetic material structures, devices and methods |
| US6597547B1 (en) | 1997-09-29 | 2003-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive device with an α-Fe2O3 antiferromagnetic film and indirect exchange coupling film layers of differing thickness |
| US6775110B1 (en) | 1997-05-14 | 2004-08-10 | Tdk Corporation | Magnetoresistance effect device with a Ta, Hf, or Zr sublayer contacting an NiFe layer in a magneto resistive structure |
| JP2005353819A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Canon Inc | 磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子を用いた記憶装置 |
| US7128988B2 (en) | 2002-08-29 | 2006-10-31 | Lambeth Systems | Magnetic material structures, devices and methods |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2748876B2 (ja) * | 1995-01-27 | 1998-05-13 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果膜 |
| US5708358A (en) * | 1996-03-21 | 1998-01-13 | Read-Rite Corporation | Spin valve magnetoresistive transducers having permanent magnets |
| WO1998001762A2 (en) * | 1996-07-05 | 1998-01-15 | Philips Electronics N.V. | A magnetic field sensor and a method of manufacturing such a sensor |
| JP3030333B2 (ja) * | 1997-03-14 | 2000-04-10 | 工業技術院長 | 電流及び電場誘起相転移を用いたスイッチング素子及びメモリー素子 |
| JP3255872B2 (ja) | 1997-04-17 | 2002-02-12 | アルプス電気株式会社 | スピンバルブ型薄膜素子及びその製造方法 |
| US6436871B1 (en) * | 1999-02-22 | 2002-08-20 | Symyx Technologies, Inc. | Catalysts for oxidative dehydrogenation |
| JP3473835B2 (ja) * | 1999-06-10 | 2003-12-08 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッド集合体及びその処理方法 |
| US6219210B1 (en) * | 1999-07-30 | 2001-04-17 | International Business Machines Corporation | Spin valve sensor with nickel oxide pinning layer on a chromium seed layer |
| JP3421281B2 (ja) * | 1999-08-11 | 2003-06-30 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法 |
| US6754054B2 (en) | 2000-01-10 | 2004-06-22 | Seagate Technology Llc | Spin valve read element using a permanent magnet to form a pinned layer |
| US7050274B2 (en) * | 2001-03-15 | 2006-05-23 | Seagate Technology Llc | Multilayer permanent magnet films |
| WO2003092083A1 (fr) * | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Element magnetoresistant |
| US20150125622A1 (en) * | 2010-04-01 | 2015-05-07 | The Trustees of Columbia University in HIe City of | Systems and methods for high and ultra-high vacuum physical vapor deposition with in-situ magnetic field |
| US8456778B2 (en) * | 2011-05-16 | 2013-06-04 | Headway Technologies, Inc. | Writer design with enhanced writability |
| CN108117390B (zh) * | 2017-12-29 | 2020-11-03 | 江西理工大学 | 具有交换偏置反转的稀土氧化物陶瓷材料及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03153823A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-01 | Kawasaki Steel Corp | 薄板状方向性Ｆｅ―Ｃｒ―Ｃｏ系永久磁石の製造方法 |
| JPH04358310A (ja) * | 1990-12-11 | 1992-12-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気抵抗センサ |
| WO1993012928A1 (en) * | 1992-01-03 | 1993-07-08 | Conner Peripherals, Inc. | Magnetic recording media employing soft magnetic material |
| JPH05347013A (ja) * | 1992-04-13 | 1993-12-27 | Hitachi Ltd | 磁気記録再生装置 |
| JPH08153313A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気ディスク装置 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4103315A (en) * | 1977-06-24 | 1978-07-25 | International Business Machines Corporation | Antiferromagnetic-ferromagnetic exchange bias films |
| JP3088478B2 (ja) * | 1990-05-21 | 2000-09-18 | 財団法人生産開発科学研究所 | 磁気抵抗効果素子 |
| US5341261A (en) * | 1991-08-26 | 1994-08-23 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor having multilayer thin film structure |
| US5304975A (en) * | 1991-10-23 | 1994-04-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect sensor |
| JP3207477B2 (ja) * | 1991-12-24 | 2001-09-10 | 財団法人生産開発科学研究所 | 磁気抵抗効果素子 |
| US5315468A (en) * | 1992-07-28 | 1994-05-24 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor having antiferromagnetic layer for exchange bias |
| JP2725977B2 (ja) * | 1992-08-28 | 1998-03-11 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 磁気抵抗センサ及びその製造方法、磁気記憶システム |
| EP0594243A3 (en) * | 1992-10-19 | 1994-09-21 | Philips Electronics Nv | Magnetic field sensor |
| US5549978A (en) * | 1992-10-30 | 1996-08-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element |
| US5569544A (en) * | 1992-11-16 | 1996-10-29 | Nonvolatile Electronics, Incorporated | Magnetoresistive structure comprising ferromagnetic thin films and intermediate layers of less than 30 angstroms formed of alloys having immiscible components |
| JP2860233B2 (ja) * | 1993-09-09 | 1999-02-24 | 株式会社日立製作所 | 巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびそれを用いた磁気記録再生装置 |
| US5528440A (en) * | 1994-07-26 | 1996-06-18 | International Business Machines Corporation | Spin valve magnetoresistive element with longitudinal exchange biasing of end regions abutting the free layer, and magnetic recording system using the element |
| US5508866A (en) * | 1994-08-15 | 1996-04-16 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor having exchange-coupled stabilization for transverse bias layer |
| JP2738312B2 (ja) * | 1994-09-08 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 |
| JP2748876B2 (ja) * | 1995-01-27 | 1998-05-13 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果膜 |
| US5793279A (en) * | 1996-08-26 | 1998-08-11 | Read-Rite Corporation | Methods and compositions for optimizing interfacial properties of magnetoresistive sensors |
-
1995
- 1995-01-27 JP JP7011354A patent/JP2748876B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-01-29 DE DE69637811T patent/DE69637811D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-01-29 US US08/593,689 patent/US5917400A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-01-29 EP EP96300598A patent/EP0724301B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-03-11 US US09/038,093 patent/US6063491A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03153823A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-01 | Kawasaki Steel Corp | 薄板状方向性Ｆｅ―Ｃｒ―Ｃｏ系永久磁石の製造方法 |
| JPH04358310A (ja) * | 1990-12-11 | 1992-12-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気抵抗センサ |
| WO1993012928A1 (en) * | 1992-01-03 | 1993-07-08 | Conner Peripherals, Inc. | Magnetic recording media employing soft magnetic material |
| JPH05347013A (ja) * | 1992-04-13 | 1993-12-27 | Hitachi Ltd | 磁気記録再生装置 |
| JPH08153313A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気ディスク装置 |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5889640A (en) * | 1995-09-14 | 1999-03-30 | Nec Corporation | Magnetoresistive element and sensor having optimal cross point |
| WO1997011499A1 (fr) * | 1995-09-21 | 1997-03-27 | Tdk Corporation | Transducteur magnetique |
| US5923504A (en) * | 1995-09-21 | 1999-07-13 | Tdk Corporation | Magnetoresistance device |
| US6083632A (en) * | 1997-01-08 | 2000-07-04 | Nec Corporation | Magnetoresistive effect film and method of manufacture thereof |
| US6452386B1 (en) | 1997-03-18 | 2002-09-17 | Nec Corporation | Magnetoresistance effect element, and magnetoresistance effect sensor and magnetic information recording and playback system using same |
| US6114850A (en) * | 1997-03-18 | 2000-09-05 | Nec Corporation | Magnetoresistance effect element, and magnetoresistance effect sensor and magnetic information recording and playback system using same |
| US6456468B1 (en) | 1997-03-18 | 2002-09-24 | Nec Corporation | Magnetoresistance effect element, and magnetoresistance effect sensor and magnetic information recording and playback system using same |
| US6090480A (en) * | 1997-04-30 | 2000-07-18 | Nec Corporation | Magnetoresistive device |
| US6775110B1 (en) | 1997-05-14 | 2004-08-10 | Tdk Corporation | Magnetoresistance effect device with a Ta, Hf, or Zr sublayer contacting an NiFe layer in a magneto resistive structure |
| US6369993B1 (en) | 1997-05-14 | 2002-04-09 | Nec Corporation | Magnetoresistance effect sensor and magnetoresistance detection system and magnetic storage system using this sensor |
| US7064936B2 (en) | 1997-05-14 | 2006-06-20 | Tdk Corporation | Magnetoresistance effect device |
| US6597547B1 (en) | 1997-09-29 | 2003-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive device with an α-Fe2O3 antiferromagnetic film and indirect exchange coupling film layers of differing thickness |
| KR100347084B1 (ko) * | 1997-10-30 | 2002-10-25 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 외부자계센서로서 이용 가능한 자기터널접합소자 |
| US6178073B1 (en) * | 1997-12-01 | 2001-01-23 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element with a fixing layer formed from a superlattice of at least two different materials and production method of the same |
| US6301088B1 (en) | 1998-04-09 | 2001-10-09 | Nec Corporation | Magnetoresistance effect device and method of forming the same as well as magnetoresistance effect sensor and magnetic recording system |
| JP2002520884A (ja) * | 1998-07-20 | 2002-07-09 | モトローラ・インコーポレイテッド | 低い面抵抗を有するｍｔｊおよびそれを製造する方法 |
| JP4897140B2 (ja) * | 1998-07-20 | 2012-03-14 | エバースピン テクノロジーズ インコーポレイテッド | 低い面抵抗を有するｍｔｊを製造する方法 |
| WO2003021579A1 (en) * | 2001-08-29 | 2003-03-13 | Lambeth David N | Magnetic material structures, devices and methods |
| KR100763285B1 (ko) * | 2001-08-29 | 2007-10-04 | 데이빗 엔. 램베스 | 자성장치 |
| US7128988B2 (en) | 2002-08-29 | 2006-10-31 | Lambeth Systems | Magnetic material structures, devices and methods |
| JP2005353819A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Canon Inc | 磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子を用いた記憶装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6063491A (en) | 2000-05-16 |
| EP0724301B1 (en) | 2009-01-14 |
| EP0724301A3 (en) | 1997-11-26 |
| EP0724301A2 (en) | 1996-07-31 |
| JP2748876B2 (ja) | 1998-05-13 |
| US5917400A (en) | 1999-06-29 |
| DE69637811D1 (de) | 2009-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2748876B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜 | |
| JP2738312B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 | |
| JP2778626B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜及びその製造方法並びに磁気抵抗効果素子 | |
| JP3088478B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JP3207477B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JP2690623B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JP3411626B2 (ja) | 磁性多層膜および磁気抵抗効果素子ならびにそれらの製造方法 | |
| JP2901501B2 (ja) | 磁性多層膜およびその製造方法ならびに磁気抵抗効果素子 | |
| JP3088519B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JP2743806B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 | |
| JP2924819B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜及びその製造方法 | |
| EP0624868B1 (en) | Magnetoresistance effect elements and method of fabricating the same | |
| JP3247535B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JP2738295B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 | |
| JP3337732B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| US6001430A (en) | Magnetoresistance effect film and production process thereof | |
| JP2674532B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH07211956A (ja) | 磁気抵抗効果素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970902 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980120 |