JPH09282618A - 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明の目的は、電極間隔が狭い場合でも磁区
制御層の強さに依らずバルクハウゼンノイズを抑制する
とともに高い再生出力を得ることのできる磁気抵抗効果
型ヘッドとそれを用いた磁気記録再生装置を提供するも
のである。 【解決手段】本発明は、磁気抵抗効果膜を第一の強磁性
膜，非磁性導体膜及び第二の強磁性膜の積層体によって
構成し、第二の強磁性膜を反強磁性膜上に積層し、磁気
抵抗効果膜の幅方向の両側に磁区制御層を配置し、各磁
区制御層上に一対の電極を有し、各電極の電極間隔を磁
気抵抗効果膜の幅よりも狭くし、磁気抵抗効果膜の中心
部にのみ電流を流す構造を有する磁気抵抗効果型ヘッド
とそれを用いた磁気記録再生装置にある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規な磁気抵抗効
果型ヘッドとそれを用いた磁気記録再生装置に係り、特
に、巨大磁気抵抗効果を利用して、磁気記録媒体の情報
を再生する再生ヘッドとして好適な磁気抵抗効果型ヘッ
ドとそれを用いた磁気記録再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録再生装置には記録ヘッドととも
に再生ヘッドが搭載されており、再生ヘッドとして、異
方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ（Anisotropic Magn
etoresistive）ヘッドが知られている。このＡＭＲヘッ
ドにおいては、ヘッドから発生するバルクハウゼンノイ
ズを抑制し、磁気記録再生装置の誤動作を防止すること
が要求されていることから、磁気抵抗効果膜を単一の磁
区に保つための磁区制御層をヘッドに設ける構成が採用
されている。

【０００３】磁区制御層が設けられた第一世代のＡＭＲ
ヘッドにおいては、例えば、米国特許第4663685 号に記
載されているように、パターンド・エクスチェンジと呼
ばれる磁区制御方式が採用されている。この方式は、反
強磁性膜などからなる磁区制御層をパターンニングし、
パターンニングされた磁区制御層を磁気抵抗効果膜（Ｍ
Ｒ膜）の端部領域のみに積層して配置し、この領域を単
一の磁区に保ち、ＭＲ膜のうち中央の感磁部（一対の電
極に挟まれ、磁界の変化を電気信号に変換する領域）を
単一の磁区状態に誘導するものである。

【０００４】パターンド・エクスチェンジ方式を採用し
たＡＭＲヘッドによれば、例えば、論文：日本応用磁気
学会誌第１９巻頁１０５（１９９５）に記載されている
ように、磁区制御層の間隔を電極間隔に比べて大きくす
ることによって、感度が向上することが知られている。

【０００５】第二世代のＡＭＲヘッドにおいては、第一
世代のＡＭＲヘッドよりも製造し易い点を考慮して、例
えば、特開平3−125311 号公報に記載されているよう
に、ハードバイアス方式が採用されている。この方式は
端部領域にまで伸びていたＭＲ膜の両側を切り落し、感
磁部にのみにＭＲ膜を形成し、このＭＲ膜の両側に永久
磁石膜を配置し、永久磁石膜の作る磁界によって感磁部
を単一の磁区状態に保つものである。なお、特開平7−5
7223号公報に記載されているように、永久磁石膜の代わ
りに、軟磁性膜（強磁性膜）と反強磁性膜との積層膜を
用いたものが提案されている。

【０００６】ハードバイアス方式を採用したＡＭＲヘッ
ドによれば、例えば、米国特許第5438470 号に記載され
ているように、電極の一部をＭＲ膜上に形成することに
よって、低抵抗，高い信号雑音比，高い電気的信頼性を
持つヘッドが得られる。しかしながら、この構造のヘッ
ドは、例えば、論文：IEEE Trans. Magn.,vol.３２，
ｐ.６７(１９９６）に記載されているように、クロスト
ーク特性が悪い、すなわち隣接トラックの信号の読みに
じみが大きいという欠点があることが知られている。

【０００７】一方、ＡＭＲヘッドに代わる次世代の高感
度なＭＲヘッドとして、例えば、特開平4−358310 号公
報に記載されているように、巨大磁気抵抗効果を利用し
たスピンバルブヘッドが提案されている。このスピンバ
ルブヘッドは、磁気抵抗効果膜として、磁気記録媒体か
らの磁界により磁化方向が変化する第一の強磁性膜と、
磁化方向が固定された第二の強磁性膜との間に挿入され
た非磁性導体膜とから構成され、第二の強磁性膜がその
磁化方向を固定する反強磁性膜もしくは永久磁石膜に積
層された構成となっている。また、スピンバルブヘッド
の出力を高くするために、その応用として特開平5−347
013 号公報に記載されているように、デュアルタイプの
スピンバルブヘッドが提案されている。このデュアルス
ピンバルブヘッドは、磁気抵抗効果膜として、磁気記録
媒体からの磁界により磁化方向が変化する第一の強磁性
膜と、磁化方向が固定された第二および第三の強磁性膜
と、第一の強磁性膜と第二の強磁性膜との間に挿入され
た非磁性導体膜と、第一の強磁性膜と第三の強磁性膜と
の間に挿入された非磁性導体膜とから構成され、第二の
強磁性膜と第三の強磁性膜は、第一の強磁性膜に対して
相対するように第一の強磁性膜の上下に積層されてお
り、第二，第三の強磁性膜はそれぞれの磁化方向を固定
する反強磁性膜もしくは永久磁石膜に直接積層された構
成となっている。

【０００８】これら各スピンバルブヘッドでは、磁気記
録媒体からの磁界により磁化方向が変化するのは第一の
強磁性膜であるので、スピンバルブヘッドにおいては、
第一の強磁性膜を単一の磁区状態にすることが要求され
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】スピンバルブヘッドは
ＡＭＲヘッドに代わるヘッドとして知られているが、ハ
ードバイアス方式を用いた従来のスピンバルブヘッドに
おいては、磁区制御層の強さによっては再生波形が歪ん
だり、再生出力が低下したりすることがある。

【００１０】例えば、第一の強磁性膜を単一の磁区に制
御するための磁区制御層の強さが必ずしも十分でない場
合には、再生波形が歪み、磁気記録再生装置が誤動作す
ることがある。この歪みは一般にバルクハウゼンノイズ
と呼ばれるものであり、このノイズの発生原因は、第一
の強磁性膜端部の磁化の不連続な動きにあることがわか
った。しかも、このバルクハウゼンノイズは、スピンバ
ルブヘッドの方がAMRヘッドよりもより発生し易い。こ
れは、前述したようにスピンバルブヘッドでは、第一の
強磁性膜の磁化を真横に向けた状態を中心に動作させる
一方、ＡＭＲヘッドではＭＲ膜の磁化を斜め４５°付近
に傾けた状態を中心に動作させることによっている。つ
まり、スピンバルブヘッドでは、磁気記録媒体の漏洩磁
界（正，負）を印加した時、第一の強磁性膜端部の磁化
が上下方向に反転しているためである。これは、磁区制
御層の強さが必ずしも十分でない場合、第一の強磁性膜
端部の磁化が真横を向くと、静磁エネルギーが高くなる
ので、磁化方向としては斜め上または斜め下が安定な状
態であるからである。これに対して、ＡＭＲヘッドで
は、第一の強磁性膜端部の磁化は常に斜め方向を向いて
いるので、スピンバルブヘッドのような磁化の不連続な
動きは生じにくい。

【００１１】次に、磁区制御層の強さがある程度十分な
場合、磁気記録再生装置の高トラック密度化に際して、
スピンバルブヘッドの電極の間隔を狭くすると、単位電
極間隔当たりの出力（感度）が急激に低下する。スピン
バルブヘッドの出力は、基本的には電極の間隔に比例し
て大きくなる。この理由は、電圧が変化する部分が直列
に長く接続される程、全体の電圧変化が大きくなること
にある。ところが、従来のハードバイアス構造のスピン
バルブヘッドにおいて電極の間隔を単に狭くすると、単
位電極間隔あたりの出力（感度）が急激に低下する。特
に電極間隔を２μｍ以下にすると、ヘッドの感度は本来
の感度の９０％以下に低下する。この感度の低下の原因
は、電極の下に積層されている磁区制御層の影響で、第
一の強磁性膜の左右両端領域の感度が低いことにある。
よって電極間隔が狭くなり、磁区制御層の影響が強くな
るにつれて感度の高い中央部分の割合が少なくなり、結
果として感度が低下する。従って、従来のハードバイア
ス構造のスピンバルブヘッドでは、電極間隔を単に狭く
すると、感度が急激に低くなり、磁気記録再生装置の誤
動作が増加する。この結果として、磁気記録再生装置の
高トラック密度化が困難となる。

【００１２】更に、磁区制御層の強さがある程度十分な
場合、電極間隔が一定でも、ヘッドの出力は磁区制御層
の強さが強くなる程急激に低下する。例えば、磁区制御
層の強さを示す尺度である長手バイアス比が２の場合、
ヘッドの出力は本来の出力の６０％程度に低下する。こ
こで、長手バイアス比は、磁区制御層が永久磁石の場
合、永久磁石膜の残留磁束密度Ｂｒと膜厚ｔとの積算値
（Ｂｒ・ｔ）と、スピンバルブヘッドにおける第一の強
磁性膜の飽和磁束密度Ｂｓと膜厚ｔとの積算値（Ｂｓ・
ｔ）との比で表わされる値である。また長手バイアス比
は、磁区制御層が強磁性膜と反強磁性膜との積層膜の場
合、磁区制御層における強磁性膜の飽和磁束密度Ｂｓと
膜厚ｔとの積算値（Ｂｓ・ｔ）を、スピンバルブヘッド
における第一の強磁性膜の飽和磁束密度Ｂｓと膜厚ｔと
の積算値（Ｂｓ・ｔ）との比で表わされる値である。

【００１３】更に、磁区制御層は第一の強磁性膜とは別
工程で作製されるため、磁区制御層の強さ、すなわち長
手バイアス比は、ある範囲のバラツキを有する。その結
果としてヘッドの出力にバラツキが発生する。しかも、
磁区制御層の強さが不十分であると、前述したように、
バルクハウゼンノイズが発生するところから、磁区制御
層の強さは、必要な値よりも若干大きく設定されてい
る。その結果として出力が低くなる。

【００１４】このように、従来のハードバイアス構造の
スピンバルブヘッドでは、ヘッドの出力は磁区制御層の
強さに大きく依存しているため、磁区制御層の強さが強
い場合には、出力が低下し、磁気記録再生装置の誤動作
が増加する。

【００１５】本発明の目的は、電極間隔が狭い場合には
磁区制御層の強さに依らず安定した高い再生出力を得る
ことができる磁気抵抗効果型ヘッドとこのヘッドを用い
た磁気再生装置及び磁気記録再生装置を提供することに
ある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、磁気記録媒体のトラック幅に対応した大
きさの複数の膜が多層に積層された磁気抵抗効果膜と、
磁気抵抗効果膜の積層方向と交差する幅方向の領域の両
側に隣接して配置された磁区制御層と、磁区制御層上に
積層されて磁気抵抗効果膜と電気的に接続された一対の
電極とを備え、磁気抵抗効果膜は、磁気記録媒体からの
磁界により磁化方向が変化する単層又は複数層の第一の
強磁性膜と、磁化方向が固定された単層又は複数層の第
二の強磁性膜と、第一の強磁性膜と第二の強磁性膜との
間に挿入された非磁性導体膜とを有し、第二の強磁性膜
がその磁化方向を固定する反強磁性膜もしくは永久磁石
膜上に直接積層されている磁気抵抗効果型ヘッドであっ
て、前記一対の電極の一部がそれぞれ前記磁気抵抗効果
膜上に積層され、前記各電極の間隔が前記磁気抵抗効果
膜の幅よりも狭く形成されていること又は電極は磁気抵
抗効果膜の中心部にのみ電流を流す位置に配置され、そ
の間隔が２μｍ以下であることを特徴とする磁気抵抗効
果型ヘッドを構成したものである。

【００１７】また、その間隔は０.２５〜１.５μｍとす
ることができる。

【００１８】巨大磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果
型ヘッドのうち、第二の強磁性膜上に磁化方向を固定す
る反強磁性膜もしくは永久磁石膜が直接積層されている
ものには、一対の電極の一部がそれぞれ前記反強磁性膜
もしくは永久磁石膜上に積層され、各電極の間隔が磁気
抵抗効果膜の幅よりも狭く形成されている構成を採用す
ることができる。

【００１９】本発明は、磁気記録媒体のトラック幅に対
応した大きさの複数の膜が積層された磁気抵抗効果膜
と、磁気抵抗効果膜の両側に隣接して配置された磁区制
御層と、該磁区制御層上に積層されて磁気抵抗効果膜と
電気的に接続された一対の電極とを備え、前記磁気抵抗
効果膜は、磁気記録媒体からの磁界により磁化方向が変
化する第一の強磁性膜と、磁化方向が固定された第二お
よび第三の強磁性膜と、前記第一の強磁性膜と第二の強
磁性膜との間に挿入された第一の非磁性導体膜と、前記
第一の強磁性膜と第三の強磁性膜との間に挿入された第
二の非磁性導体膜と、前記第一の強磁性膜は第二の強磁
性膜の上に積層され、第三の強磁性膜は第一の強磁性膜
の上に積層されており、前記第二および第三の強磁性膜
の磁化方向を固定する反強磁性膜もしくは永久磁石膜と
を有する磁気抵抗効果型ヘッドにある。

【００２０】その巨大磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗
効果型ヘッドのうち、第三の強磁性膜上に磁化方向を固
定する反強磁性膜もしくは永久磁石膜が直接積層されて
いるものには、一対の電極の一部がそれぞれ前記反強磁
性膜もしくは永久磁石膜に積層され、各電極の間隔が磁
気抵抗効果膜の幅よりも狭く形成されているか、又は前
述の如く磁気抵抗効果膜の中心部にのみ電流を流す位置
に配置され、その間隔が２μｍ以下である構成を採用す
ることができる。

【００２１】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、
磁区制御層に永久磁石膜を用いた場合には第二又は第三
の強磁性膜の磁化方向を固定する磁性膜には反強磁性膜
を用い、磁区制御層に反強磁性膜と軟磁性膜との積層膜
を用いた場合の第二又は第三の強磁性膜の磁化方向を固
定する磁性膜には反強磁性膜又は永久磁石膜を用いるの
が好ましい。前者の関係が特に好ましいものである。

【００２２】磁気抵抗効果膜の幅は、一対の電極の間隔
に０.５〜４μｍ を加えた値が好ましい。

【００２３】また、一対の電極のうち電極間隔を規定す
る各電極端部の位置は、磁気抵抗効果膜の幅方向両端部
からそれぞれ０.２５〜２μｍ の範囲が好ましい。

【００２４】更に、一対の電極の電極間隔は２μｍ以
下、特に２μｍ未満、より０.２５ 〜１.５μｍ に設定
することができる。

【００２５】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは再生ヘッ
ドとして用いられ、以下の装置に適用することができ
る。

【００２６】（１）情報を磁気的に記録する磁気記録媒
体と、磁気記録媒体から漏洩する磁界の変化を電気信号
に変換する再生ヘッドと、再生ヘッドからの電気信号を
処理する再生処理回路とを備えた磁気再生装置。

【００２７】（２）情報を磁気的に記録する磁気記録媒
体と、電気信号に応じた磁界を発生しこの磁界による情
報を磁気記録媒体に記録させる記録ヘッドと、磁気記録
媒体から漏洩する磁界の変化を電気信号に変換する再生
ヘッドと、再生ヘッドからの電気信号を処理する再生処
理回路とを備えた磁気記録再生装置。

【００２８】（３）複数台の上述の磁気記録再生装置
と、これらの装置の動作を制御するコントローラとを備
えたディスクアレイ装置。

【００２９】前記した手段によれば、各電極の相対向す
る端部が磁気抵抗効果膜の幅方向の端部位置に比べて内
側に配置され、磁気抵抗効果膜の幅方向端部には実質的
に電流が流れず、磁区制御層からの磁界の影響を受けに
くい中央部にのみ電流が流れるため、磁区制御層の強さ
が必ずしも十分ではない時でも、磁気抵抗効果膜からバ
ルクハウゼンノイズが発生するのを抑制することができ
る。更に、磁区制御層の強さが十分な場合でも、出力を
高く保つことができる。しかも電極の幅を狭くしても、
高感度な出力を保持できるとともに、読みにじみを小さ
くでき、高トラック密度化にも対応することができる。

【００３０】

【発明の実施の形態】

（実施例１）図１は、本発明に係るスピンバルブヘッド
の媒体対向面を示す構成図である。図１において再生用
の磁気抵抗効果型ヘッドとして構成されたスピンバルブ
ヘッド（巨大磁気抵抗効果型ヘッド）は磁気抵抗効果膜
１０，磁区制御層１２，一対の電極１４を備えており、
磁気抵抗効果膜１０が反強磁性膜１６上に積層されてい
る。磁気抵抗効果膜１０は、磁気記録媒体のトラック幅
に対応した大きさの複数の膜が多層に積層されている。
多層膜は、第一の強磁性膜１８，非磁性導体膜２０，第
二の強磁性膜２２，２４から構成されており、第二の強
磁性膜２４が反強磁性膜１６上に積層されている。これ
ら多層膜は、所定の幅（磁気抵抗効果膜の幅２６）に対
応した大きさに切り落された状態で積層されている。第
一の強磁性膜１８は自由層として、例えばＮｉＦｅ，Ｃ
ｏＦｅ，ＣｏＮｉＦｅ等を用いて構成され、膜厚は５ｎ
ｍ（好ましくは２〜１５ｎｍ）に設定されている。非磁
性導体膜２０には、例えばＣｕが用いられており、膜厚
は２ｎｍ（好ましくは１〜５ｎｍ）に設定されいる。第
二の強磁性膜２２，２４はそれぞれ固定層として積層膜
を構成しており、第二の強磁性膜２２には、例えばＣｏ
が用いられ、膜厚は１ｎｍに設定されている。第二の強
磁性膜２４には、例えばＮｉＦｅが用いられており、こ
の膜厚は１ｎｍに設定され、好ましくは両者で１〜５ｎ
ｍである。反強磁性膜１６にはＮｉＯが用いられてお
り、この膜厚は５０ｎｍ（好ましくは２０〜８０ｎｍ）
に設定されている。そして第二の強磁性膜２２，２４は
その磁化方向が反強磁性膜１６との交換結合によってほ
ぼ媒体対向面を指すように固定されている。第一の強磁
性膜１８の磁化方向は、例えば磁気抵抗効果膜の幅方向
に設定されており、この磁化方向は磁気記録媒体の磁界
によって紙面と垂直方向に変化するようになっている。
第一の強磁性膜１８は第二の強磁性膜２２，２４の合計
の厚さより大きく約２〜３倍の大きさを有する。

【００３１】磁区制御層１２は永久磁石膜２８と配向制
御下地膜３０とが積層された積層膜で構成されており、
磁区制御層１２は磁気抵抗効果膜１０の積層方向と交差
する幅方向の領域の両側に隣接して配置されている。永
久磁石膜２８としては、例えばＣｏＣｒＰｔ系の合金が
用いられており、配向制御下地膜３０としては、１０ｎ
ｍ（好ましくは５〜２０ｎｍ）のＣｒが用いられてい
る。そして磁区制御層１２から発生する磁界によって第
一の強磁性膜１８が単一の磁区に制御されるようになっ
ている。磁区制御層１２は第一の強磁性膜１８とほぼ同
じ高さに配置されており、その厚さは１０ｎｍ（好まし
くは４〜３０ｎｍ、より５〜１５ｎｍが好ましい）であ
る。

【００３２】一対の電極１４はそれぞれ磁区制御層１２
上に積層されており、各電極１４の一部が第一の強磁性
膜１８上に積層されている。すなわち各電極１４は、電
極間隔３２を保って第一の強磁性膜１８と磁区制御層１
２上に積層されている。各電極１４は、例えばＡｕ，Ｃ
ｕ，Ｔａなどの金属で構成されており、各電極１４の電
極間隔３２は磁気抵抗効果膜の幅２６よりも狭く設定さ
れている。

【００３３】スピンバルブヘッドでは、出力はスピンバ
ルブ膜固有の比抵抗変化量Δρと、第一の強磁性膜と第
二の強磁性膜の磁化方向のなす角度Δθの余弦cosΔθ
との積に比例する。そして比抵抗変化量ΔρがＡＭＲヘ
ッドに比べて２倍以上高いところから、スピンバルブヘ
ッドがＡＭＲヘッドに比べて高感度であることが知られ
ている。ここで、第二の強磁性膜の磁化方向を媒体対向
面に対して垂直に、例えば、真下（マイナス９０°）付
近に固定したとすると、cosΔθ は第一の強磁性膜の磁
化方向と媒体対向面とのなす角度θを用いて、cos(θ＋
９０°）と書き直すことができる。すなわち、出力はsi
nθ に比例する。このため、出力をθの変化に対して線
形に変化させるためには、θは０°付近が望ましい。よ
って、第一の強磁性膜の磁化方向は、媒体対向面とほぼ
平行、すなわちほぼ真横になるように設定してある。

【００３４】図２は、スピンバルブヘッドの反強磁性膜
１６として、ＮｉＯの代わりに、ＦｅＭｎ系，ＮｉＭｎ
系，ＣｒＭｎ系などの合金を用いたスピンバルブヘッド
の構成図である。第二の強磁性膜２２，２４のうちいず
れか一方を省略することも可能である。図２に示すよう
に、磁気抵抗効果膜１０の積層方向が図１とは異なり、
磁気抵抗効果膜１０上に反強磁性膜１６が積層される。
また、図１，図２に示したいずれの場合にも、反強磁性
膜１６は永久磁石膜に置換することができる。本図面に
おける各層の厚さは図１と同様である。磁区制御層１２
は反強磁性膜１６の上面より下になる。

【００３５】図３は、スピンバルブヘッドの出力を高く
するため、その応用であるデュアルスピンバルブヘッド
を用いた構成図である。この場合の磁気抵抗効果膜１０
の構成は、図３に示すように、第一の強磁性膜１８，磁
化方向が固定された第二の強磁性膜２２，２４，第三の
強磁性膜３６，３８，第一の強磁性膜１８と第二の強磁
性膜２２との間に挿入された非磁性導体膜２０と、第一
の強磁性膜１８と第三の強磁性膜３６との間に挿入され
た非磁性導体膜３４とから構成されており、第二の強磁
性膜２２，２４は反強磁性膜１６上に積層され、反強磁
性膜４０は第三の強磁性膜３６，３８上に積層された構
成となっている。第一の強磁性膜１８は自由層として、
例えば、ＮｉＦｅ，ＣｏＦｅ，ＣｏＮｉＦｅ等を用いて
構成され、膜厚は５ｎｍに設定されている。非磁性導体
膜２０，３４には、例えばＣｕが用いられ、膜厚は２ｎ
ｍに設定されている。第二の強磁性膜２２，２４および
第三の強磁性膜３６，３８は、それぞれ固定層として積
層膜を構成しており、第二の強磁性膜２２，第三の強磁
性膜３６には例えばＣｏが用いられ、ともに膜厚は１ｎ
ｍに設定されている。第二の強磁性膜２４，第三の強磁
性膜３８には例えばＮｉＦｅが用いられ、ともに膜厚は
１ｎｍ（好ましくは０.５〜３ｎｍ)に設定されている。
反強磁性膜１６，４０にはＮｉＯ，ＣｏＯ等酸化物やＦ
ｅＭｎ系，ＮｉＭｎ系，ＣｒＭｎ系の合金などから最も
適したものが選ばれる。ここで反強磁性膜１６，４０は
同一の材料で構成しても別材料で構成してもよく、更に
永久磁石に置換することもできる。また第二の強磁性膜
２２，２４のうちいずれか一方を省略することもでき、
同様に第三の強磁性膜３６，３８のうちいずれか一方を
省略することもできる。他の各層の厚さは図１と同様で
ある。

【００３６】また上記各スピンバルブヘッドにおいて、
永久磁石膜２８は、ＮｉＦｅ系合金と反強磁性膜である
ＦｅＭｎ系，ＮｉＭｎ系，ＣｒＭｒ系などの合金との積
層膜に置換することもできる。この場合、配向制御下地
膜３０はＴａなどに置換した方が良い特性が得られる。
磁区制御膜１２は磁気抵抗効果膜１０の上面より下に形
成される。

【００３７】図４は、本発明におけるスピンバルブヘッ
ドを用いて再生信号を測定するに際して、磁区制御層１
２の磁界の強さを示す長手バイアス比を０.８ と低くし
て測定した測定結果を示す線図である。この時、同一の
条件で従来のハードバイアス構造のスピンバルブヘッド
を測定したところ、従来のヘッドではバルクハウゼンノ
イズが生じているのに対して、本発明によるヘッドに依
れば、バルクハウゼンノイズが抑制されていることがわ
かる。これは、各電極１４の電極間隔３２が磁気抵抗効
果膜の幅２６よりも狭く設定され、磁気抵抗効果膜１０
のうちバルクハウゼンノイズの発生源である端部には電
流が流れないので、このバルクハウゼンノイズを感知し
なくても済むためである。このため、磁区制御層１２の
磁界の強さが十分でない場合でも、バルクハウゼンノイ
ズの発生が抑制され、このヘッドを磁気記録再生装置に
用いても、磁気記録再生装置の誤動作を少なくすること
ができる。

【００３８】図５は、磁区制御層の強さが十分な場合と
して、長手バイアス比を１.５ とした時の単位電極間隔
当たりの出力（感度）と電極間隔との関係を従来のハー
ドバイアス構造のヘッドと比較した線図である。なお、
本発明におけるスピンバルブヘッドにおいては、各電極
１４が第一の強磁性膜１８を覆う距離３４に対応したオ
ーバーラップ量を０.５μｍ とし、磁気抵抗効果膜の幅
２６を電極間隔３２＋１.０μｍ としている。

【００３９】図５から、本発明のヘッドに依れば、従来
のヘッドとは異なって、電極間隔３２が０.５μｍ と極
めて狭くなった場合でも、感度を高く保つことができる
ことがわかる。

【００４０】図６は、本実施形態におけるスピンバルブ
ヘッドと従来のスピンバルブヘッドのマイクロトラック
特性を比較したものである。マイクロトラック特性の半
値幅は、実効的な再生幅を示し、この比較により読みに
じみの大小の比較が可能となる。なお、図６では、本発
明におけるヘッドのオーバーラップ量は左右ともに０.
５μｍ としている。そして電極間隔は各ヘッドととも
１.０μｍ とした。ここでマイクロトラック特性は、磁
気記録媒体上にトラック幅０.２μｍ 程度の細い領域に
信号を記録し、このマイクロトラックの信号をヘッドの
下で移動させることによって求められる。

【００４１】図６から、本発明のヘッドの半値幅（実効
トラック幅）は１.０μｍ と電極間隔に等しく、読みに
じみは小さいことがわかる。一方、従来のヘッドでは
０.９μｍと電極間隔よりもむしろ若干狭い。

【００４２】そこで、本発明に依るヘッドと従来のヘッ
ドの出力に関して、実効トラック幅で規格化して比較し
たところ、従来のヘッドの規格化出力は０.７８ であっ
たのに対して、本発明のヘッドでは０.９５ と約２割高
い結果が得られた。この結果からも、本発明のヘッドは
従来のヘッドよりも有利であることがわかる。

【００４３】このように、長手バイアス比が大きく、電
極間隔が狭くなった場合でも、高感度さを保持でき、か
つ読みにじみが小さいため、磁気記録再生装置が高トラ
ック密度化されても、本発明のヘッドを用いれば、磁気
記録再生装置の誤動作を少なくすることができる。

【００４４】図７は、電極間隔が１μｍと狭い場合の出
力とオーバーラップ量との関係を測定した結果を示す線
図である。

【００４５】図７から、ヘッドの出力を本来の出力の９
０％以上に保つためには、オーバーラップ量を０.２５
μｍ 以上にすれば良いことがわかる。これは、磁気抵
抗効果膜１０の幅方向の端部の領域、すなわち感度が低
い領域には実質的に電流が流れず、感度の高い中央部の
領域にのみ電流が流れるので、出力を高く保つことがで
きるからである。このため、狭電極間隔でありながら高
感度なヘッドとするためには、各電極１４の先端側の端
部は左右ともに磁気抵抗効果膜１０の幅方向の端部より
も０.２５μｍ 以上内側になるように配置することが望
ましい。

【００４６】一方、オーバーラップ量を余り大きくする
と、磁気抵抗効果膜１０の両側に隣接して配置されてい
る磁区制御層１２の効果が感磁部にまで波及しなくな
る。すなわち本発明のスピンバルブヘッドでは、磁化の
最も不安定でノイズ発生源になり得る部分は各電極１４
の内側の端部の領域である。これは、この領域で電流に
よるバイアス磁界のねじれが生じるからである。従っ
て、各電極の端部位置において、電流によるバイアス磁
界（５〜１０エルステッド程度）を上回る、磁気抵抗効
果膜の幅方向の実効的異方性磁界が磁区制御層１２によ
って第一の強磁性膜１８に印加されていることが望まし
い。

【００４７】図８は磁区制御層１２からの距離と実効的
異方性磁界との関係を求めた結果を示す線図である。図
８には、第一の強磁性膜１８の幅方向の実効的な異方性
磁界の分布が示されている。ここでは、原点に存在する
磁化のみが強く幅方向に拘束されている（磁区制御され
ている）ことを仮定した。図８から実効的な異方性磁界
を１０エルステッド以上にするには、磁区制御層１２か
らの距離は２μｍ以下にすると良いことがわかった。そ
こで、各電極１４の内側（先端側）の端部位置を、磁気
抵抗効果膜１０の幅方向の端部位置に比べて左右ともに
それぞれ２μｍ以下の範囲内で内側になるように配置す
ることが望ましい。すなわち、各電極１４に対するオー
バーラップ量としては、０.２５μｍ 以上で２μｍ以下
の範囲内にあることが望ましい。

【００４８】図９は、電極間隔を１.０μｍ と狭くした
場合のヘッドの出力と長手バイアス比との関係について
従来のヘッドと比較した結果を示す線図である。

【００４９】図９から、本発明のヘッドに依れば、長手
バイアス比、すなわち磁区制御層１２の磁界の強さが大
きくなっても、磁区制御層１２の磁界の影響を大きく受
けることなく出力の低下を低く抑えることができる。

【００５０】本実施形態によれば、電極間隔が狭くなっ
ても、磁区制御層１２の磁界の強さが強くなっても出力
の低下を低く抑えることができ、高出力のヘッドを提供
することができる。

【００５１】電極を磁気抵抗効果膜の上に積層すること
によって、電極と磁気抵抗効果膜との間の接触抵抗を低
くする（従来：１〜５Ω，本発明１Ω以下）にすること
ができる。よってヘッドノイズや不要な発熱を抑えるこ
とができる。

【００５２】また、本実施形態によるヘッドを以下の装
置に用いれば、誤動作の少ない装置を提供することがで
きる。例えば、磁気再生装置として、情報を磁気的に記
録する磁気記録媒体と、磁気記録媒体から漏洩する磁界
の変化を電気信号に変換する再生ヘッドと、再生ヘッド
からの電気信号を処理する再生処理回路を備えたもの。
更に、この再生装置の要素に加えて、電気信号に応じた
磁界を発生しこの磁界に依る情報を磁気記録媒体に記憶
される記録ヘッドを備えたもの。

【００５３】（実施例２）図１０は、本発明の一実施形
態であるスピンバルブヘッドの媒体対向面を示す構成図
である。図１０において再生用の磁気抵抗効果型ヘッド
として構成されたスピンバルブヘッド（巨大磁気抵抗効
果型ヘッド）は、磁気抵抗効果膜１０，磁区制御層３
３，一対の電極３１を備えており、磁気抵抗効果膜１０
は、磁気記録媒体のトラック幅に対応した大きさの複数
の膜が多層に積層されている。

【００５４】多層膜は、第一の強磁性膜１１，非磁性導
体膜１９，第二の強磁性膜１３から構成されており、第
二の強磁性膜１３の上に反強磁性膜２１が積層されてい
る。これら多層膜からなる磁気抵抗効果膜１０と反強磁
性膜２１とは、積層して形成された後に、磁気抵抗効果
膜１０の幅（第一の強磁性膜１１，非磁性導体膜１９，
第二の強磁性膜１３の幅のうち、最も狭い幅で定義す
る）５１が所定の大きさである例えば２.０μｍ になる
ように、一括して両横が切り落されている。第一の強磁
性膜１１は自由層として、例えばＮｉ₈₀Ｆｅ₂₀を用いて
構成され、膜厚は例えば２〜１５ｎｍ程度の間の最適な
値に設定されている。また、第一の強磁性膜１１は自由
層として、例えばＮｉ₈₀Ｆｅ₂₀,Ｎｉ₆₈Ｆｅ₁₇Ｃｏ₁₅,Co
₆₀Ni₂₀Fe₂₀，Ｃｏ₉₀Ｆｅ₁₀，Ｃｏ等の単層膜、及びこれ
らのうちの幾つかの膜を最適に積層した多層膜を用いて
構成することもできる。非磁性導体膜１９には、例えば
Ｃｕが用いられており、膜厚は例えば１〜４ｎｍ程度の
間の最適な値に設定されている。第二の強磁性膜１３は
固定層として、例えばＣｏを用いて構成され、膜厚は例
えば１〜５ｎｍ程度の間の最適な値に設定されている。
また、第二の強磁性膜１３は固定層として、例えばＮｉ
₈₀Ｆｅ₂₀，Ｎｉ₆₈Ｆｅ₁₇Ｃｏ₁₅，Co₆₀Ni₂₀Fe₂₀，Ｃｏ₉₀
Ｆｅ₁₀，Ｃｏ等の単層膜、及びこれらのうちの幾つかの
膜を最適に積層した多層膜を用いて構成することもでき
る。反強磁性膜２１には例えばＣｒ₄₅Ｍｎ₄₅Ｐｔ₁₀が用
いられており、この膜厚は例えば３０ｎｍ程度に設定さ
れている。また反強磁性膜２１には、上記のほかに例え
ばＦｅ₅₀Ｍｎ₅₀，Ｍｎ₈₀Ｉｒ₂₀，Ｎｉ₅₀Ｍｎ₅₀等を用い
ることもできる。そして、第二の強磁性膜１３はその磁
化方向が反強磁性膜２１との交換結合によってほぼ媒体
対向面を指すように固定されている。第一の強磁性膜１
１の磁化方向は、例えば磁気抵抗効果膜の幅方向に設定
されており、この磁化方向は磁気記録媒体の磁界によっ
て紙面と垂直方向に変化するようになっている。なお、
反強磁性膜２１は永久磁石に置換することもできる。

【００５５】磁区制御層３３は、例えば永久磁石膜と配
向制御下地膜とが積層された積層膜で構成されており、
磁区制御層３３は磁気抵抗効果膜１０の積層方向と交差
する幅方向の領域の両側に隣接して配置されている。磁
区制御層３３を構成する永久磁石膜としては、例えば、
Ｃｏ₇₅Ｃｒ₁₀Ｐｔ₁₅，Ｃｏ₇₅Ｃｒ₁₀Ｔａ₁₅等が用いられ
ており、配向制御下地膜は例えばＣｒが用いられてい
る。また、磁区制御層３３を構成する永久磁石膜として
は、他に例えばＣｏ₈₀Ｐｔ₂₀を用いることもでき、ま
た、Ｃｏ₇₅Ｃｒ₁₀Ｐｔ₁₅，Ｃｏ₇₅Ｃｒ₁₀Ｔａ₁₅，Ｃｏ₈₀
Ｐｔ₂₀等の合金にＺｒＯ₂，ＳｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅等の酸化
物を添加したものを用いることもできる。これらの場
合、配向制御下地膜を省略することもできる。そして磁
区制御層３３から発生する磁界によって第一の強磁性膜
１１が単一の磁区に制御されるようになっている。ま
た、磁区制御層３３は、反強磁性膜と強磁性膜と配向制
御下地膜との積層膜で構成することもできる。この場
合、反強磁性膜はＦｅ₅₀Ｍｎ₅₀，Ｍｎ₈₀Ｉｒ₂₀，Ｎｉ₅₀
Ｍｎ₅₀，Ｃｒ₄₅Ｍｎ₄₅Ｐｔ₁₀等の合金から選択され、強
磁性膜はＮｉＦｅ系，ＣｏＦｅ系，ＣｏＮｉ系の合金等
から選択され、配向制御下地膜はＴａ等が良い。また反
強磁性膜としてＮｉＯ，ＣｏＯ等を用いることもでき、
この場合には配向制御下地膜は省略することができる。

【００５６】一対の電極３１は、それぞれ磁区制御層３
３上に積層されており、各電極の一部が反強磁性膜２１
の上に積層されている。ここで、各電極と反強磁性膜と
の積層幅５３は例えば０.５μｍ に設定されている。す
なわち、磁気抵抗効果膜の幅５１は２.０μｍであるの
で、各電極３１は、電極間隔５２が１.０μｍになるよ
うに保たれながら、磁区制御層３３と反強磁性膜２１上
に積層されている。各電極３１は、例えばＴａ，Ａｕ，
Ｃｕ等の低抵抗の金属で構成されている。

【００５７】図１１は、反強磁性膜２１として上述の合
金の代わりにＮｉＯ，ＣｏＯ等の酸化物を用いたスピン
バルブヘッドの断面図である。図１１に示すように、磁
気抵抗効果膜１０と反強磁性膜２１の積層方向が図１０
とは異なり、反強磁性膜２１の上に磁気抵抗効果膜１０
が積層される。よって一対の電極３１は、それぞれ磁区
制御層３３上に積層されており、各電極の一部が第一の
強磁性膜１１の上に積層されている。なお、反強磁性膜
２１は永久磁石に置換することができる。各層の厚さは
図１０と同様である。

【００５８】図１２は、スピンバルブヘッドの感度を高
くするためその応用であるデュアルスピンバルブヘッド
を用いた場合の断面図である。この場合の磁気抵抗効果
膜１０の構成は、反強磁性膜２１の上に第二の強磁性膜
１３，非磁性導体膜１７，第一の強磁性膜１１，非磁性
導体膜２３，第三の強磁性膜１５，反強磁性膜２２が逐
次直接積層された構成となっている。第一の強磁性膜１
１は自由層として、例えばＮｉ₈₀Ｆｅ₂₀，Ｎｉ₆₈Ｆｅ₁₇
Ｃｏ₁₅，Ｃｏ₆₀Ｎｉ₂₀Ｆｅ₂₀，Ｃｏ₉₀Ｆｅ₁₀，Ｃｏ等の
単層膜、及びこれらのうちの幾つかの膜を最適に積層し
た多層膜を用いて構成されており、膜厚は例えば２から
１５ｎｍ程度の間の最適な値に設定されている。非磁性
導体膜１７及び非磁性導体膜２３には、例えばＣｕが用
いられており、膜厚は例えば１から４ｎｍ程度の間の最
適な値に設定されている。第二の強磁性膜１３及び第三
の強磁性膜１５は固定層として、例えばＣｏ，Ｎｉ₈₀Ｆ
ｅ₂₀，Ｎｉ₆₈Ｆｅ₁₇Ｃｏ₁₅，Ｃｏ₆₀Ｎｉ₂₀Ｆｅ₂₀，Ｃｏ
₉₀Ｆｅ₁₀等の単層膜、及びこれらのうちの幾つかの膜を
最適に積層した多層膜を用いて構成されており、膜厚は
例えば１〜５ｎｍ程度の間の最適な値に設定されてい
る。反強磁性膜２１，２２には、Ｆｅ₅₀Ｍｎ₅₀，Ｍｎ₈₀
Ｉｒ₂₀，Ｎｉ₅₀Ｍｎ₅₀，Ｃｒ₄₅Ｍｎ₄₅Ｐｔ₁₀等の合金
や、ＮｉＯ，ＣｏＯ等の酸化物から最適なものが選ばれ
る。ここで、反強磁性膜２１，２２は同一の材料で構成
しても別材料で構成しても良く、更に永久磁石に置換す
ることもできる。他、各層の厚さは図１０と同様であ
る。

【００５９】図１０〜図１３の磁区制御層の位置及び厚
さは実施例１と同様の関係を有するものである。

【００６０】以下、本発明のスピンバルブヘッドの一例
として、図１０に示したヘッドを用いて特性の説明を行
う。図１４は図１０に示すスピンバルブヘッドと図１３
に示す電極の一部をＭＲ膜上に形成した比較のＡＭＲヘ
ッドとの再生特性の比較を行った結果である。なお、図
１３に示したＡＭＲヘッドは、磁気抵抗効果膜１０とし
てＭＲ膜４１，中間Ｔａ層４２，ＳＡＬ４３が積層した
構造を有する。図１４では各電極３１が反強磁性体２
１、またはＭＲ膜４１上に積層されている部分の幅５３
（磁区制御層３３から各電極３１の端部までの距離（オ
ーバーラップ量）を変化させて、ヘッドの再生出力を測
定した。電極間隔５２は１.０μｍ 一定とし、オーバー
ラップ量５３を変化させた場合には、磁気抵抗効果膜の
幅５１も同時に変化させた。図１４に示すように比較の
図１３のＡＭＲヘッドの場合、オーバーラップ量５３を
大きくしても、出力はあまり上昇しない。しかしなが
ら、本発明のスピンバルブヘッドの場合、オーバーラッ
プ量５３を大きくした場合の出力上昇は著しい。スピン
バルブヘッドで出力が高くなるのは、磁区制御層３３の
影響で感度の低くなっている磁気抵抗効果膜１０の幅方
向の端部領域を、各電極３１でオーバーラップすること
によって、実質的には電流を流さず、感度の高い中央部
分の出力のみを取り出しているためである。一方、ＡＭ
Ｒヘッドでこの効果がはっきりと現われないのは、磁気
抵抗効果膜１０のうち各電極３１がオーバーラップした
部分の磁化状態がオーバーラップ無しの場合とは大きく
異なるため、出力が低下し、これが出力の上昇分をキャ
ンセルしてしまうことにあるとわかった。このような、
オーバーラップの有無による磁化状態の違いは、本発明
のスピンバルブヘッドでは極めて小さい。これは第二の
強磁性膜１３の磁化状態が、電流によって変化しにくい
という特徴によっている。よって、本発明のスピンバル
ブヘッドには、各電極３１の一部を反強磁性膜２１等の
上に形成することによって出力を高くできるという、特
有の効果があることがわかった。

【００６１】次に、オーバーラップ量５３の最適値を求
めた。図１４から、本発明のヘッドにおいて、ヘッドの
出力を最大値の９０％以上に保つためには、オーバーラ
ップ量５３を０.２５μｍ 以上にすれば良いことがわか
る。よって、狭電極間隔でありながら高感度なヘッドと
するためには、各電極３１の先端側の端部は、左右とも
に磁気抵抗効果膜１０の幅方向の端部よりも０.２５μ
ｍ 以上内側になるように配置することが望ましい。一
方、オーバーラップ量５３を余り大きくすると、磁気抵
抗効果膜１０の両側に隣接して配置されている磁区制御
層３３の効果が感磁部まで波及しなくなる。すなわち本
発明のスピンバルブヘッドでは、磁化の最も不安定でノ
イズ発生源になり得る部分は各電極３１の先端側の端部
領域である。これは、ここを境にして電流によるバイア
ス磁界の有無の差が生じるからである。従って、各電極
の端部位置において、電流によるバイアス磁界（５から
１０エルステッド程度）を上回る、磁気抵抗効果膜１０
の幅方向の実効的異方性磁界が、磁区制御層３３によっ
て第一の強磁性膜１１に印加されていることが望まし
い。図１５は、オーバーラップ量５３と、電極端部にお
ける磁気抵抗効果膜１０の幅方向の実効的異方性磁界と
の関係を示す線図である。図１５から電極端部位置での
実効的異方性磁界を１０エルステッド以上にするには、
オーバーラップ量５３は２μｍ以下にすると良いことが
わかった。そこで、各電極３１の先端側の端部位置を、
磁気抵抗効果膜１０の幅方向の端部位置に比べて、左右
ともにそれぞれ２μｍ以下の範囲で内側になるように配
置することが望ましい。すなわち、各電極３１に対する
オーバーラップ量５３としては、０.２５μｍ 以上で２
μｍ以下の範囲内にあることが望ましい。

【００６２】図１６は、スピンバルブヘッドにおいて、
本発明のようにオーバーラップ量がある場合と、従来の
ヘッドのようにオーバーラップ量が無い場合の電極間隔
（１μｍ）あたりの出力、すなわち感度と電極間隔との
関係を示す線図である。本発明におけるスピンバルブヘ
ッドにおいては、各電極３１が反強磁性膜２１を覆う幅
に対応したオーバーラップ量５３を０.５μｍ とし、磁
気抵抗効果膜の幅５１を電極間隔５２に１.０μｍ を加
えた値としている。図１６から、本発明のヘッドによれ
ば、従来のヘッドとは異なって、電極間隔５２が０.５
μｍ と極めて狭くなった場合でも、感度を高く保つこ
とができることがわかる。

【００６３】また、本発明のスピンバルブヘッドでは、
反強磁性膜２１の一部に各電極３１が積層されているこ
とを考慮し、読みにじみの大小をマイクロトラック特性
を測定することによって、従来のヘッドと比較した。電
極間隔は、ともに１.０μｍとした。なお、マイクロト
ラック特性は、磁気記録媒体上にトラック幅０.２μm程
度の細い領域に信号を記録し、このマイクロトラックの
信号をヘッドの下で移動させることによって求められ
る。オーバーラップ量５３を０.５μｍ とした本発明の
ヘッドにおいて、マイクロトラック特性の半値幅すなわ
ち実効トラック幅は１.０μｍ と電極間隔に等しく、読
みにじみは小さいことがわかる。一方、従来のヘッドで
は実効トラック幅は０.９μｍ と電極間隔よりもむしろ
狭い。そこで、本発明によるヘッドと従来のヘッドの出
力に関して、実効トラック幅で規格化して比較したとこ
ろ、従来のヘッドの規格化出力は０.７８ であったのに
対して、本発明のヘッドは０.９５ と約２割高い結果が
得られた。この結果からも、本発明のヘッドは従来より
も有利であることがわかる。

【００６４】このように、電極間隔が狭くなった場合で
も、高感度さを保持でき、かつ読みにじみが小さいた
め、磁気記録再生装置が高トラック密度化されても、本
発明のヘッドを用いれば、磁気記録再生装置の誤動作を
少なくすることができ、また磁気記録再生装置を低電力
で動作させることができる。

【００６５】図１７は、電極間隔を１.０μｍ と狭くし
た場合のヘッドの出力と長手バイアス比との関係につい
て、従来のヘッドと比較した示した線図である。図１７
に示すように本発明のヘッドによれば、磁区制御層３３
の作る磁界の強さを示す長手バイアス比がバラツキを持
っていても、この影響を直接受けること無く、出力のバ
ラツキを低く抑えることができる。このため本発明のヘ
ッドを用いれば、高歩留まりのヘッドを提供することが
できる。また長手バイアス比が高い場合にも高感度さを
保持できるので、本発明のヘッドを用いれば、磁気記録
再生装置の誤動作を少なくすることができ、また磁気記
録再生装置を低電力で動作させることができる。

【００６６】図１８は、本発明におけるスピンバルブヘ
ッドを用いて再生信号を測定するに際して、長手バイア
ス比を０.８ と低くして測定した結果を示す線図であ
る。この時、同一の条件で従来のスピンバルブヘッドを
測定したところ、従来のヘッドではバルクハウゼンノイ
ズと呼ばれる信号の不連続が観測されたのに対して、本
発明によるヘッドによれば、バルクハウゼンノイズが抑
制されていることがわかる。これは、各電極３１の間隔
５２が磁気抵抗効果膜の幅５１よりも狭く設定され、磁
気抵抗効果膜１０のうちバルクハウゼンノイズの発生源
である端部には電流が流れないので、このバルクハウゼ
ンノイズを感知しなくても済むためである。このため、
磁区制御層３２の強さが十分でない場合にも、バルクハ
ウゼンノイズの発生が抑制され、このヘッドを磁気記録
再生装置に用いても、磁気記録再生装置の誤動作を少な
くすることができる。

【００６７】電極を磁気抵抗効果膜の上に積層すること
によって、電極と磁気抵抗効果膜との間の接触抵抗を低
くする（従来：１〜５Ω，本発明１Ω以下）にすること
ができる。よってヘッドノイズや不要な発熱を抑えるこ
とができる。

【００６８】（実施例３）図１９は実施例１及び２に記
載のスピンバルブヘッドの磁気抵抗効果型再生ヘッドを
用いたハードディスク装置の概略図である。本装置はデ
ィスク回転軸６４とこれを高速で回転させるスピンドル
モータ６５を持っており、ディスク回転軸６４には一枚
ないし複数枚（本実施例では二枚）のディスク４０が所
定の間隔で取り付けられている。よって各ディスク４０
はディスク回転軸６４とともに一体となって回転する。
ディスク４０は所定の半径と厚みを持った円板で、両面
に永久磁石膜が形成されており情報の記録面となってい
る。本装置はまた、ディスク４０の外側にヘッドの位置
決め用回転軸６２とこれを駆動させるボイスコイルモー
タ６３を持っており、ヘッドの位置決め用回転軸６２に
は複数個のアクセスアーム６１が取り付けられており、
各アクセスアーム６１の先端には記録再生用ヘッド（以
後ヘッドと記す）６０が取り付けられている。よって各
ヘッド６０は、ヘッドの位置決め用回転軸６２が所定角
度だけ回転することによって各ディスク４０上を半径方
向に移動し、所定の場所に位置決めされる。また各ヘッ
ド６０は、ディスク４０が高速で回転する時に生じる浮
力と、アクセスアーム６１の一部を構成する弾性体であ
るジンバルの押し付け力とのバランスによって、ディス
ク４０表面から数十ｎｍ程度の距離に保持されている。
スピンドルモータ６５とボイスコイルモータ６３とはハ
ードディスクコントローラ６６にそれぞれ接続されてお
り、ハードディスクコントローラ６６によりディスク４
０の回転速度やヘッド６０の位置が制御されている。

【００６９】図２０は本発明のハードディスク装置に用
いたインダクティブ型の記録ヘッド断面図であるが、こ
の薄膜ヘッドは上部シールド膜１８６と、その上に付着
された磁性膜からなる下部磁性膜１８４及び上部磁性膜
１８５からなる。非磁性絶縁体１８９がこれらの磁性膜
の間に付着されている。絶縁体の一部が磁気ギャップ１
８８を規定する。支持体はエア・ベアリング表面（ＡＢ
Ｓ）を有するスライダの形になっており、これはディス
ク・ファイル動作中に回転するディスクの媒体に近接し
浮上する関係にある。

【００７０】薄膜磁気ヘッドは上部磁性膜１８５，下部
磁性膜１８４により出来るバック・ギャップ１９０を有
する。バック・ギャップ１９０は介在するコイル１８７
により磁気ギャップから隔てられている。

【００７１】連続しているコイル１８７は例えばめっき
により下部磁性膜１８４の上に作った層になっており、
これらの電磁結合する。コイル１８７は絶縁体１８９で
埋められてあるコイルの中央には電気接点があり、同じ
くコイルの外端部終止点には電気接点として更に大きく
区域がある。接点は外部電線及び読み取り書き込み信号
処理ヘッド回路（図示略）に接続されている。

【００７２】本発明においては、単一の層で作られたコ
イル１８７が、やや歪んだ楕円形をしており、その断面
積の小さい部分が磁気ギャップに最も近く配置され、磁
気ギャップからの距離が大きくなるにつれ、断面積が徐
々に大きくなる。

【００７３】しかし楕円形コイルはバック・ギャップ１
９０と磁気ギャップ１８８との間で比較的密に多数本入
っており、コイルの幅乃至断面直径はこの区域では小さ
い。更に、磁気ギャップから最も遠い部分での大きな断
面減少は電気抵抗の減少をもたらす。更に、楕円（長
円）形コイルは角や鋭い隅や端部を持たず、電流への抵
抗が少ない。又、楕円形状は矩形や円形（環状）コイル
に比べ導電体の全長が少なくて済む。これらの利点の結
果、コイルの全抵抗は比較的少なく、発熱は少なく、適
度の放熱性が得られる。熱を相当量減らすので、薄膜層
の層崩れ，伸長，膨張は防止され、ＡＢＳでのボール・
チップ突出の原因が除かれる。

【００７４】幅の変化がほぼ均一に進む楕円形コイル形
状は、スパッタリングや蒸着等より安価な従来のめっき
技術で付着できる。他の形状特に角のある形のコイルで
はめっき付着が不均一な幅の構造になり易い。角や鋭い
端縁部の除去は出来上ったコイルにより少ない機械的ス
トレスしか与えない。

【００７５】本実施例では多数巻回したコイルがほぼ楕
円形状で磁気コア間に形成され、コイル断面径は磁気ギ
ャップからバック・ギャップに向けて徐々に拡がってお
り、信号出力は増加し、発熱が減少させる。

【００７６】本実施例では、インダクティブ型の記録ヘ
ッドの上部及び下部磁性膜を以下の電気めっき法によっ
て形成した。

【００７７】Ｎｉ⁺⁺量：１６.７ｇ／ｌ，Ｆｅ⁺⁺量：２.
４ｇ／ｌを含み、その他通常の応力緩和剤，界面活性剤
を含んだめっき浴において、ｐＨ：３.０ ，めっき電気
密度：１５ｍＡ／cm² の条件でフレームめっきした上・
下部磁気コアを有する誘導型の薄膜磁気ヘッドを作製し
た。トラック幅は４.０μｍ、ギャップ長は０.４μｍで
ある。この磁性膜の組成は４２.４Ｎｉ−Ｆｅ(重量％）
であり、磁気特性は飽和磁束密度（Ｂ_S）が１.６４Ｔ，
困難軸保磁力（Ｈ_CH）が０.５Ｏｅ で比抵抗（ρ）は４
８.１μΩcm であった。上部磁気コア８５，上部シール
ド層を兼ねた下部磁気コア８４，コイル１８７である。
再生のための磁気抵抗効果型素子８６，磁気抵抗効果型
素子にセンス電流を流すための電極，下部シールド層，
スライダの構成を有する。本実施例の磁気コアの結晶粒
径は１００〜５００Åとなり、困難軸保磁力が１.０Ｏ
ｅ 以下であった。

【００７８】このような構成で評価した本発明による記
録ヘッドの性能（オーバーライト特性）を測定した結
果、４０ＭＨｚ以上の高周波領域でも−５０ｄＢ程度の
優れた記録性能が得られた。

【００７９】図２１は本発明のインダクティブ型記録ヘ
ッドと磁気抵抗効果型再生ヘッドとを有する磁気ヘッド
の斜視概念図である。ヘッドスライダを兼ねる基体１５
０上に下部シールド１８２，磁気抵抗効果膜１１０，磁
区制御膜１４１，電極端子１４０を有する再生ヘッドと
下部磁性膜１８４および上部磁性膜１８３を形成し、下
部ギャップ，上部ギャップの図示は省略してあり、コイ
ル１４２は電磁誘導効果によって上部磁気コアおよび上
部シールド兼下部コアに起磁力が発生するインダクティ
ブ型記録ヘッドとを搭載したものである。

【００８０】図２２は負圧スライダの斜視図である。負
圧スライダ１７０は、空気導入面１７１と浮揚力を発生
する二つの正圧発生面１７７，１７７とに囲まれた負圧
発生面１７８を有し、さらに空気導入面１７９並びに二
つの正圧発生面１７７，１７７と負圧発生面１７８との
境界において負圧発生面１７８より段差の大きい溝１７
４とから構成される。なお、空気流出端１７５には磁気
ディスクに情報の記録を行う後述するインダクティブ型
の記録ヘッドと再生を行う前述のＭＲセンサとが前述の
図２４に示す概略構造の記録再生分離型の薄膜磁気ヘッ
ド素子176を有する。

【００８１】負圧スライダ１７０の浮上時においては、
空気導入面１７９から導入された空気は負圧発生面１７
８で膨張されるが、その際に溝１７４に向かう空気の流
れも作られるため、溝１７４の内部にも空気導入面１７
９から空気流出端１７５に向かう空気の流れが存在す
る。したがって、負圧スライダ１７０の浮上時に空気中
に浮遊する塵芥が空気導入面１７１から導入されたとし
ても溝１７４の内部へ導入され、溝１７４内部の空気の
流れによって押し流され、空気流出端１７８より負圧ス
ライダ１７０の外へ排出されることになる。また負圧ス
ライダ１７０の浮上時には溝４内部には常に空気の流れ
が存在し澱み等がないため、塵芥が凝集することもな
い。

【００８２】図２３に本発明の一例である磁気ディスク
装置の全体斜視図を示す。本磁気ディスク装置の構成
は、情報を記録するための磁気ディスク、これを回転す
る手段のＤＣモータ（図面省略），情報を書き込み，読
み取りするための磁気ヘッド、これを支持して磁気ディ
スクに対して位置を変える手段の位置決め装置、即ち、
アクチュエータとボイスコイルモータなどからなる。こ
れらの図では、同一の回転軸に５枚の磁気ディスクを取
り付け、合計の記憶容量を大きくした例を示している。

【００８３】本実施例によれば高保磁力媒体に対して
も、高周波領域でも十分に記録可能であり、メディア転
送速度１５ＭＢ／秒以上，記録周波数４５ＭＨｚ以上，
磁気ディスク４００rpm 以上のデータの高速転送，アク
セス時間の短縮，記録容量の増大など優れたＭＲ効果を
有する高感度のＭＲセンサが得られることから面記録密
度として３Ｇｂ／ｉｎ² 以上との磁気ディスク装置が得
られるものである。

【００８４】図２４には上記の磁気記録再生装置を複数
台組み合わせることによってディスクアレイ装置を組ん
だ場合の例を示す。この場合、複数の磁気記録再生装置
を同時に扱うため、情報の処理能力が早くでき、また装
置の信頼性を高めることができる。この場合にも、各磁
気記録再生装置の性能（低誤り率，低消費電力等）が高
い方が良いことは言うまでもなく、そのため高性能な複
合ヘッドが不可欠である。

【００８５】

【発明の効果】本発明によれば、各電極の間隔を磁気抵
抗効果膜の幅よりも狭く形成し、磁気抵抗効果膜の中心
部の領域にのみ電流を流すようにしたため、磁区制御層
の強さが十分でないときでもバルクハウゼンノイズが発
生するのを抑制することができ、磁区制御層の強さが十
分なときでも、出力の変動を低く抑えることができる。
更に、狭電極間隔であっても高感度でかつ読みにじみを
少なくすることができ、高トラック密度化に適応するこ
とができる。

【００８６】また、本発明によるヘッドを磁気再生装置
や磁気記録再生装置に用いれば誤動作の少ない装置を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１本発明のスピンバルブヘッドの構成
図。

【図２】実施例１本発明の第二のスピンバルブヘッドの
構成図。

【図３】実施例１本発明の第三のスピンバルブヘッドの
構成図。

【図４】本発明のスピンバルブヘッドと従来のスピンバ
ルブヘッドの再生波形を示す特性図。

【図５】本発明のスピンバルブヘッドと従来のスピンバ
ルブヘッドにおける電極間隔と出力との関係を示す特性
図。

【図６】本発明のスピンバルブヘッドと従来のスピンバ
ルブヘッドにおけるオフトラック量と出力との関係を示
す特性図。

【図７】本発明のスピンバルブヘッドにおけるオーバー
ラップ量と出力との関係を示す特性図。

【図８】本発明のスピンバルブヘッドにおける磁区制御
層からの距離と実効的異方性磁界との関係を示す特性
図。

【図９】本発明のスピンバルブヘッドと従来のスピンバ
ルブヘッドにおける長手バイアス比と出力との関係を示
す特性図。

【図１０】実施例２に示すスピンバルブヘッドの構成
図。

【図１１】実施例２に示すスピンバルブヘッドの構成
図。

【図１２】実施例２に示すスピンバルブヘッドの構成
図。

【図１３】実施例２に示すＡＭＲヘッドの構成図。

【図１４】本発明と従来のＡＭＲヘッドの出力とオーバ
ーラップ量との関係を示す線図。

【図１５】本発明のスピンバルブヘッドにおける実効異
方性磁界とオーバーラップ量との関係を示す線図。

【図１６】本発明のスピンバルブヘッドと従来のスピン
バルブヘッドにおける電極間隔と出力との関係を示す特
性図。

【図１７】本発明のスピンバルブヘッドと従来のスピン
バルブヘッドにおける長手バイアス比と出力との関係を
示す特性図。

【図１８】本発明のスピンバルブヘッドと従来のスピン
バルブヘッドの再生波形を示す特性図。

【図１９】本発明に係るハードディスク装置の概略図。

【図２０】本発明に係るインダクティブ型磁気記録ヘッ
ドの断面図。

【図２１】本発明に係るインダクティブ型磁気記録ヘッ
ドと磁気抵抗効果型再生ヘッドとを一体にした磁気ヘッ
ドの部分斜視図。

【図２２】本発明に係る負圧スライダーの斜視図。

【図２３】本発明に係る磁気ディスク装置の全体図。

【図２４】本発明に係るディスクアレイ装置の概念図。

【符号の説明】

１０…磁気抵抗効果膜、１１，１８…第一の強磁性膜、
１２，３３…磁区制御層、１３，２２，２４…第二の強
磁性膜、１４，３１…電極、１５，３６，３８…第三の
強磁性膜、１６，２１，２２，４０…反強磁性膜、１
７，１９，２０，２３，３４…非磁性導体膜、２６，５
１…磁気抵抗効果膜の幅、２８…永久磁石膜、３０…配
向制御下地膜、３２,５２…電極間隔、１４２,１８７…
コイル、１８３，１８５…上部磁性膜、１８４…下部磁
性膜、１８６…上部シールド膜、１８８…磁気ギャッ
プ、１８９…非磁性絶縁体、１９０…バック・ギャッ
プ。

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】磁気記録媒体のトラック幅に対応した大き
   さの複数の膜が積層された磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗
   効果膜の両側に隣接して配置された磁区制御層と、磁区
   制御層上に積層されて磁気抵抗効果膜と電気的に接続さ
   れた一対の電極とを備え、前記磁気抵抗効果膜は、磁気
   記録媒体からの磁界により磁化方向が変化する車層又は
   複数層の第一の強磁性膜と、磁化方向が固定された単層
   又は複数層の第二の強磁性膜と、前記第一の強磁性膜と
   第二の強磁性膜との間に挿入された非磁性導体膜と、前
   記第二の強磁性膜の磁化方向を固定する反強磁性膜もし
   くは永久磁石膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッドであっ
   て、 前記一対の電極の一部がそれぞれ前記磁気抵抗効果膜上
   に積層され、前記各電極の間隔が前記磁気抵抗効果膜の
   幅よりも狭く形成されていることを特徴とする磁気抵抗
   効果型ヘッド。
2. 【請求項２】磁気記録媒体のトラック幅に対応した大き
   さの複数の膜が積層された磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗
   効果膜の両側に隣接して配置された磁区制御層と、磁区
   制御層上に積層されて磁気抵抗効果膜と電気的に接続さ
   れた一対の電極とを備え、磁気抵抗効果膜は、磁気記録
   媒体からの磁界により磁化方向が変化する単層又は複数
   層の第一の強磁性膜と、磁化方向が固定された単層又は
   複数層の第二の強磁性膜と、前記第一の強磁性膜と第二
   の強磁性膜との間に挿入された非磁性導体膜と、前記第
   二の強磁性膜の磁化方向を固定する反強磁性膜もしくは
   永久磁石膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッドであって、 前記一対の電極の一部がそれぞれ前記反強磁性膜もしく
   は永久磁石膜上に積層され、前記各電極の間隔が前記磁
   気抵抗効果膜の幅よりも狭く形成されていることを特徴
   とする磁気抵抗効果型ヘッド。
3. 【請求項３】磁気記録媒体のトラック幅に対応した大き
   さの複数の膜が積層された磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗
   効果膜の両側に隣接して配置された磁区制御層と、磁区
   制御層上に積層されて磁気抵抗効果膜と電気的に接続さ
   れた一対の電極とを備え、前記磁気抵抗効果膜は、磁気
   記録媒体からの磁界により磁化方向が変化する単層又は
   複数層の第一の強磁性膜と、磁化方向が固定された単層
   又は複数層の第二および第三の強磁性膜と、前記第一の
   強磁性膜と第二の強磁性膜との間に挿入された第一の非
   磁性導体膜と、前記第一の強磁性膜と第三の強磁性膜と
   の間に挿入された第二の非磁性導体膜と、前記第一の強
   磁性膜は前記第二の強磁性膜の上に積層され、前記第三
   の強磁性膜は、前記第一の強磁性膜の上に積層されてお
   り、前記第二および第三の強磁性膜の磁化方向を固定す
   る反強磁性膜もしくは永久磁石膜とを有する磁気抵抗効
   果型ヘッドであって、 前記一対の電極の一部がそれぞれ前記第三の強磁性膜の
   磁化方向を固定している反強磁性膜もしくは永久磁石膜
   上に積層され、前記各電極の間隔が前記磁気抵抗効果膜
   の幅よりも狭く形成されていることを特徴とする磁気抵
   抗効果型ヘッド。
4. 【請求項４】磁気記録媒体のトラック幅に対応した大き
   さの複数の膜が積層された磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗
   効果膜の両側に隣接して配置された磁区制御層と、磁区
   制御層上に積層されて磁気抵抗効果膜と電気的に接続さ
   れた一対の電極とを備え、前記磁気抵抗効果膜は、磁気
   記録媒体からの磁界により磁化方向が変化する単層又は
   複数層の第一の強磁性膜と、磁化方向が固定された単層
   又は複数層の第二の強磁性膜と、前記第一の強磁性膜と
   第二の強磁性膜との間に挿入された非磁性導体膜と、前
   記第二の強磁性膜がその磁化方向を固定する反強磁性膜
   もしくは永久磁石膜上に積層されている磁気抵抗効果型
   ヘッドであって、 前記一対の電極は前記磁気抵抗効果膜の中心部にのみ電
   流を流す位置に配置されていることを特徴とする磁気抵
   抗効果型ヘッド。
5. 【請求項５】磁気記録媒体のトラック幅に対応した大き
   さの複数の膜が積層された磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗
   効果膜の両側に隣接して配置された磁区制御層と、磁区
   制御層上に積層されて磁気抵抗効果膜と電気的に接続さ
   れた一対の電極とを備え、前記磁気抵抗効果膜は、磁気
   記録媒体からの磁界により磁化方向が変化する単層又は
   複数層の第一の強磁性膜と、磁化方向が固定された単層
   又は複数層の第二の強磁性膜と、前記第一の強磁性膜と
   第二の強磁性膜との間に挿入された非磁性導体膜と、前
   記第二の強磁性膜上にその磁化方向を固定する反強磁性
   膜もしくは永久磁石膜が積層されている磁気抵抗効果型
   ヘッドであって、 前記一対の電極は前記磁気抵抗効果膜の中心部にのみ電
   流を流す位置に配置されていることを特徴とする磁気抵
   抗効果型ヘッド。
6. 【請求項６】磁気記録媒体のトラック幅に対応した大き
   さの複数の膜が積層された磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗
   効果膜の両側に隣接して配置された磁区制御層と、該磁
   区制御層上に積層されて磁気抵抗効果膜と電気的に接続
   された一対の電極とを備え、前記磁気抵抗効果膜は、磁
   気記録媒体からの磁界により磁化方向が変化する単層又
   は複数層の第一の強磁性膜と、磁化方向が固定された単
   層又は複数層の第二および第三の強磁性膜と、前記第一
   の強磁性膜と第二の強磁性膜との間に挿入された第一の
   非磁性導体膜と、前記第一の強磁性膜と第三の強磁性膜
   との間に挿入された第二の非磁性導体膜と、前記第一の
   強磁性膜は第二の強磁性膜の上に積層され、第三の強磁
   性膜は第一の強磁性膜の上に積層されており、前記第二
   および第三の強磁性膜の磁化方向を固定する反強磁性膜
   もしくは永久磁石膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッドで
   あって、 前記一対の電極は前記磁気抵抗効果膜の中心部にのみ電
   流を流す位置に配置されていることを特徴とする磁気抵
   抗効果型ヘッド。
7. 【請求項７】磁気記録媒体のトラック幅に対応した大き
   さの複数の膜が積層された磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗
   効果膜の両側に隣接して配置された磁区制御層と、磁区
   制御層上に積層されて磁気抵抗効果膜と電気的に接続さ
   れた一対の電極とを備え、前記磁気抵抗効果膜は、磁気
   記録媒体からの磁界により磁化方向が変化し前記電極に
   接して設けられた単層又は複数層の第一の強磁性膜と、
   磁化方向が固定された単層又は複数層の第二の強磁性膜
   と、前記第一の強磁性膜と第二の強磁性膜との間に挿入
   された非磁性導体膜と、前記第二の強磁性膜の磁化方向
   を固定する反強磁性膜もしくは永久磁石膜とを有する磁
   気抵抗効果型ヘッドであって、 前記一対の電極の一部がそれぞれ前記磁気抵抗効果膜上
   に積層され、前記各電極の間隔が前記磁気抵抗効果膜の
   幅よりも狭く形成されていることを特徴とする磁気抵抗
   効果型ヘッド。
8. 【請求項８】磁気記録媒体のトラック幅に対応した大き
   さの複数の膜が積層された磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗
   効果膜の両側に隣接して配置された磁区制御層と、磁区
   制御層上に積層されて磁気抵抗効果膜と電気的に接続さ
   れた一対の電極とを備え、磁気抵抗効果膜は、磁気記録
   媒体からの磁界により磁化方向が変化する単層又は複数
   層の第一の強磁性膜と、磁化方向が固定された単層又は
   複数層の第二の強磁性膜と、前記第一の強磁性膜と第二
   の強磁性膜との間に挿入された非磁性導体膜と、前記第
   二の強磁性膜の磁化方向を固定する反強磁性膜もしくは
   永久磁石膜とを有し、該反強磁性膜もしくは永久磁石膜
   は前記電極に接して設けられている磁気抵抗効果型ヘッ
   ドであって、 前記一対の電極の一部がそれぞれ前記反強磁性膜もしく
   は永久磁石膜上に積層され、前記各電極の間隔が前記磁
   気抵抗効果膜の幅よりも狭く形成されていることを特徴
   とする磁気抵抗効果型ヘッド。
9. 【請求項９】磁気記録媒体のトラック幅に対応した大き
   さの複数の膜が積層された磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗
   効果膜の両側に隣接して配置された磁区制御層と、磁区
   制御層上に積層されて磁気抵抗効果膜と電気的に接続さ
   れた一対の電極とを備え、前記磁気抵抗効果膜は、磁気
   記録媒体からの磁界により磁化方向が変化する単層又は
   複数層の第一の強磁性膜と、磁化方向が固定された単層
   又は複数層の第二および第三の強磁性膜と、前記第一の
   強磁性膜と第二の強磁性膜との間に挿入された第一の非
   磁性導体膜と、前記第一の強磁性膜と第三の強磁性膜と
   の間に挿入された第二の非磁性導体膜と、前記第一の強
   磁性膜は前記第二の強磁性膜の上に積層され、前記第三
   の強磁性膜は、前記第一の強磁性膜の上に積層されてお
   り、前記第二および第三の強磁性膜の磁化方向を固定す
   る反強磁性膜もしくは永久磁石膜とを有し、前記第一，
   第二及び第三の強磁性膜は一対の前記反強磁性膜もしく
   は永久磁石膜間に設けられている磁気抵抗効果型ヘッド
   であって、 前記一対の電極の一部がそれぞれ前記第三の強磁性膜の
   磁化方向を固定している反強磁性膜もしくは永久磁石膜
   上に積層され、前記各電極の間隔が前記磁気抵抗効果膜
   の幅よりも狭く形成されていることを特徴とする磁気抵
   抗効果型ヘッド。
10. 【請求項１０】磁気記録媒体のトラック幅に対応した大
    きさの複数の膜が積層された磁気抵抗効果膜と、磁気抵
    抗効果膜の両側に隣接して配置された永久磁石からなる
    磁区制御層と、磁区制御層上に積層されて磁気抵抗効果
    膜と電気的に接続された一対の電極とを備え、前記磁気
    抵抗効果膜は、磁気記録媒体からの磁界により磁化方向
    が変化する単層又は複数層の第一の強磁性膜と、磁化方
    向が固定された単層又は複数層の第二の強磁性膜と、前
    記第一の強磁性膜と第二の強磁性膜との間に挿入された
    非磁性導体膜と、前記第二の強磁性膜の磁化方向を固定
    する反強磁性膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッドであっ
    て、 前記一対の電極の一部がそれぞれ前記磁気抵抗効果膜上
    に積層され、前記各電極の間隔が前記磁気抵抗効果膜の
    幅よりも狭く形成されていることを特徴とする磁気抵抗
    効果型ヘッド。
11. 【請求項１１】磁気記録媒体のトラック幅に対応した大
    きさの複数の膜が積層された磁気抵抗効果膜と、磁気抵
    抗効果膜の両側に隣接して配置された反強磁性膜と軟磁
    性膜との積層膜からなる磁区制御層と、磁区制御層上に
    積層されて磁気抵抗効果膜と電気的に接続された一対の
    電極とを備え、磁気抵抗効果膜は、磁気記録媒体からの
    磁界により磁化方向が変化する単層又は複数層の第一の
    強磁性膜と、磁化方向が固定された単層又は複数層の第
    二の強磁性膜と、前記第一の強磁性膜と第二の強磁性膜
    との間に挿入された非磁性導体膜と、前記第二の強磁性
    膜の磁化方向を固定する反強磁性膜もしくは永久磁石膜
    とを有する磁気抵抗効果型ヘッドであって、 前記一対の電極の一部がそれぞれ前記磁気抵抗効果膜上
    に積層され、前記各電極の間隔が前記磁気抵抗効果膜の
    幅よりも狭く形成されていることを特徴とする磁気抵抗
    効果型ヘッド。
12. 【請求項１２】磁気記録媒体のトラック幅に対応した大
    きさの複数の膜が積層された磁気抵抗効果膜と、磁気抵
    抗効果膜の両側に隣接して配置された永久磁石からなる
    磁区制御層と、磁区制御層上に積層されて磁気抵抗効果
    膜と電気的に接続された一対の電極とを備え、前記磁気
    抵抗効果膜は、磁気記録媒体からの磁界により磁化方向
    が変化する単層又は複数層の第一の強磁性膜と、磁化方
    向が固定された単層又は複数層の第二の強磁性膜と、前
    記第一の強磁性膜と第二の強磁性膜との間に挿入された
    非磁性導体膜と、前記第二の強磁性膜の磁化方向を固定
    する反強磁性膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッドであっ
    て、 前記一対の電極の一部がそれぞれ前記反強磁性膜上に積
    層され、前記各電極の間隔が前記磁気抵抗効果膜の幅よ
    りも狭く形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果
    型ヘッド。
13. 【請求項１３】磁気記録媒体のトラック幅に対応した大
    きさの複数の膜が積層された磁気抵抗効果膜と、磁気抵
    抗効果膜の両側に隣接して配置された反強磁性膜と軟磁
    性膜との積層膜からなる磁区制御層と、磁区制御層上に
    積層されて磁気抵抗効果膜と電気的に接続された一対の
    電極とを備え、磁気抵抗効果膜は、磁気記録媒体からの
    磁界により磁化方向が変化する単層又は複数層の第一の
    強磁性膜と、磁化方向が固定された単層又は複数層の第
    二の強磁性膜と、前記第一の強磁性膜と第二の強磁性膜
    との間に挿入された非磁性導体膜と、前記第二の強磁性
    膜の磁化方向を固定する反強磁性膜もしくは永久磁石膜
    とを有する磁気抵抗効果型ヘッドであって、 前記一対の電極の一部がそれぞれ前記反強磁性膜もしく
    は永久磁石膜上に積層され、前記各電極の間隔が前記磁
    気抵抗効果膜の幅よりも狭く形成されていることを特徴
    とする磁気抵抗効果型ヘッド。
14. 【請求項１４】磁気記録媒体のトラック幅に対応した大
    きさの複数の膜が積層された磁気抵抗効果膜と、磁気抵
    抗効果膜の両側に隣接して配置された永久磁石からなる
    磁区制御層と、磁区制御層上に積層されて磁気抵抗効果
    膜と電気的に接続された一対の電極とを備え、前記磁気
    抵抗効果膜は、磁気記録媒体からの磁界により磁化方向
    が変化する単層又は複数層の第一の強磁性膜と、磁化方
    向が固定された単層又は複数層の第二および第三の強磁
    性膜と、前記第一の強磁性膜と第二の強磁性膜との間に
    挿入された第一の非磁性導体膜と、前記第一の強磁性膜
    と第三の強磁性膜との間に挿入された第二の非磁性導体
    膜と、前記第一の強磁性膜は前記第二の強磁性膜の上に
    積層され、前記第三の強磁性膜は、前記第一の強磁性膜
    の上に積層されており、前記第二および第三の強磁性膜
    の磁化方向を固定する反強磁性膜を有し、前記第一，第
    二及び第三の強磁性膜は一対の前記反強磁性膜の間に設
    けられている磁気抵抗効果型ヘッドであって、 前記一対の電極の一部がそれぞれ前記第三の強磁性膜の
    磁化方向を固定している反強磁性膜上に積層され、前記
    各電極の間隔が前記磁気抵抗効果膜の幅よりも狭く形成
    されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
15. 【請求項１５】磁気記録媒体のトラック幅に対応した大
    きさの複数の膜が積層された磁気抵抗効果膜と、磁気抵
    抗効果膜の両側に隣接して配置された反強磁性膜と軟磁
    性膜との積層膜からなる磁区制御層と、磁区制御層上に
    積層されて磁気抵抗効果膜と電気的に接続された一対の
    電極とを備え、前記磁気抵抗効果膜は、磁気記録媒体か
    らの磁界により磁化方向が変化する単層又は複数層の第
    一の強磁性膜と、磁化方向が固定された単層又は複数層
    の第二および第三の強磁性膜と、前記第一の強磁性膜と
    第二の強磁性膜との間に挿入された第一の非磁性導体膜
    と、前記第一の強磁性膜と第三の強磁性膜との間に挿入
    された第二の非磁性導体膜と、前記第一の強磁性膜は前
    記第二の強磁性膜の上に積層され、前記第三の強磁性膜
    は、前記第一の強磁性膜の上に積層されており、前記第
    二および第三の強磁性膜の磁化方向を固定する反強磁性
    膜もしくは永久磁石膜とを有し、前記第一，第二及び第
    三の強磁性膜は一対の前記反強磁性膜もしくは永久磁石
    膜間に設けられている磁気抵抗効果型ヘッドであって、 前記一対の電極の一部がそれぞれ前記第三の強磁性膜の
    磁化方向を固定している反強磁性膜もしくは永久磁石膜
    上に積層され、前記各電極の間隔が前記磁気抵抗効果膜
    の幅よりも狭く形成されていることを特徴とする磁気抵
    抗効果型ヘッド。
16. 【請求項１６】前記磁気抵抗効果膜の幅は、前記一対の
    電極の間隔に０.５〜４μｍ を加えた値を有することを
    特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載の磁気抵抗
    効果型ヘッド。
17. 【請求項１７】前記一対の電極の各電極は、前記磁気抵
    抗効果膜の幅方向端部に対し０.２５〜２μｍの範囲で
    前記磁気抵抗効果膜と重なっていることを特徴とする請
    求項１〜１６のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッ
    ド。
18. 【請求項１８】前記一対の電極の電極間隔は２μｍ以下
    であることを特徴とする請求項１〜１７のいずれかに記
    載の磁気抵抗効果型ヘッド。
19. 【請求項１９】情報を磁気的に記録する磁気記録媒体
    と、該磁気記録媒体から漏洩する磁界の変化を電気信号
    に変換する再生ヘッドと、再生ヘッドからの電気信号を
    処理する再生処理回路とを備えた磁気再生装置におい
    て、前記再生ヘッドは、請求項１〜１８のいずれかに記
    載の磁気抵抗効果型ヘッドからなることを特徴とする磁
    気再生装置。
20. 【請求項２０】情報を磁気的に記録する磁気記録媒体
    と、電気信号に応じた磁界を発生しこの磁界による情報
    を前記磁気記録媒体に記録させる記録ヘッドと、磁気記
    録媒体から漏洩する磁界の変化を電気信号に変換する再
    生ヘッドと、再生ヘッドからの電気信号を処理する再生
    処理回路とを備えた磁気記録再生装置において、前記再
    生ヘッドは、請求項１〜１８のいずれかに記載の磁気抵
    抗効果型ヘッドからなることを特徴とする磁気記録再生
    装置。