JP2005150292A - 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ピンド層における磁化の方向の固定の不安定性を抑制して、磁気抵抗効果素子の感度の変動を抑制する。
【解決手段】ＭＲ素子５は、互いに反対側を向く２つの面を有する非磁性導電層２５と、この非磁性導電層２５の一方の面に隣接するように配置されたフリー層２６と、非磁性導電層２５の他方の面に隣接するように配置され、磁化の方向が固定されたピンド層２４と、このピンド層２４における非磁性導電層２５とは反対側の面に隣接するように配置され、ピンド層２４との交換結合によりピンド層２４における磁化の方向を固定する反強磁性層２２と、反強磁性層２２とピンド層２４との間に配置され、非磁性且つ導電性の材料よりなる中間層２３とを有している。
【選択図】図２

Description

本発明は、磁気抵抗効果素子、ならびに、この磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に関する。

近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、基板に対して、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。

ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗（Anisotropic Magnetoresistive）効果を用いたＡＭＲ素子や、巨大磁気抵抗（Giant Magnetoresistive）効果を用いたＧＭＲ素子や、トンネル磁気抵抗（Tunnel-type Magnetoresistive）効果を用いたＴＭＲ素子等がある。

再生ヘッドの特性としては、高感度および高出力であることが要求される。この要求を満たす再生ヘッドとして、既に、スピンバルブ型ＧＭＲ素子を用いたＧＭＲヘッドが量産されている。スピンバルブ型ＧＭＲ素子は、一般的には、互いに反対側を向く２つの面を有する非磁性導電層と、この非磁性導電層の一方の面に隣接するように配置されたフリー層と、非磁性導電層の他方の面に隣接するように配置されたピンド層と、このピンド層における非磁性導電層とは反対側の面に隣接するように配置された反強磁性層とを有している。フリー層は信号磁界に応じて磁化の方向が変化する層である。ピンド層は、磁化の方向が固定された強磁性層である。反強磁性層は、ピンド層との交換結合により、ピンド層における磁化の方向を固定する層である。このようなスピンバルブ型ＧＭＲ素子の構成は、例えば特許文献１に記載されている。

また、ＴＭＲ素子は、一般的に、上記スピンバルブ型ＧＭＲ素子における非磁性導電層を薄い絶縁層に置き換えた構成になっている。

特開２００１−１９５７１０号公報

ところで、例えばＰｔＭｎによって形成された反強磁性層には、微視的に見ると、ピンド層との間における交換結合エネルギーよりも、異方性エネルギーが小さくなる領域が多く存在している。このように反強磁性層中の異方性エネルギーが小さい領域に対向するピンド層中の領域では、磁化の方向の固定が不十分となり、外部磁界の大きさや方向に応じて磁化の方向が固定されたり固定されなかったりする現象が生じる。この現象から、従来の再生ヘッドでは、感度が変動するという問題点があった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、ピンド層における磁化の方向の固定の不安定性を抑制して、感度の変動を抑制できるようにした磁気抵抗効果素子、ならびに、この磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置を提供することにある。

本発明の第１の磁気抵抗効果素子は、
互いに反対側を向く２つの面を有する非磁性導電層と、
非磁性導電層における一方の面に隣接するように配置され、外部磁界に応じて磁化の方向が変化するフリー層と、
非磁性導電層の他方の面に隣接するように配置され、磁化の方向が固定されたピンド層と、
ピンド層における非磁性導電層とは反対側の面に隣接するように配置され、ピンド層との交換結合により、ピンド層における磁化の方向を固定する反強磁性層と
非磁性且つ導電性の材料よりなり、反強磁性層とピンド層との間に配置された中間層とを備えたものである。

本発明の第２の磁気抵抗効果素子は、
互いに反対側を向く２つの面を有する絶縁層と、
絶縁層における一方の面に隣接するように配置され、外部磁界に応じて磁化の方向が変化するフリー層と、
絶縁層の他方の面に隣接するように配置され、磁化の方向が固定されたピンド層と、
ピンド層における絶縁層とは反対側の面に隣接するように配置され、ピンド層との交換結合により、ピンド層における磁化の方向を固定する反強磁性層と
非磁性且つ導電性の材料よりなり、反強磁性層とピンド層との間に配置された中間層とを備えたものである。

本発明の第１または第２の磁気抵抗効果素子では、反強磁性層とピンド層との間に、非磁性且つ導電性の材料よりなる中間層が配置されている。これにより、中間層がない場合に比べて、反強磁性層とピンド層との交換結合は全体的に弱まる。その結果、反強磁性層中の異方性エネルギーが特に小さい領域に対向するピンド層中の領域では、反強磁性層との交換結合による磁化の方向の固定が行なわれなくなる。これにより、ピンド層中の上記領域において、外部磁界の大きさや方向に応じて磁化の方向が固定されたり固定されなかったりする現象がなくなり、その結果、磁気抵抗効果素子の感度の変動が抑制される。

本発明の第１または第２の磁気抵抗効果素子において、中間層の厚さは、０．１〜０．５ｎｍの範囲内であってもよい。また、中間層の材料はＣｕ（銅）であってもよい。

本発明の薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、記録媒体からの信号磁界を検出するために媒体対向面の近傍に配置された本発明の第１または第２の磁気抵抗効果素子とを備えたものである。

本発明のヘッドジンバルアセンブリは、本発明の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、スライダを弾性的に支持するサスペンションとを備えたものである。

本発明のハードディスク装置は、本発明の薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向するように配置されるスライダと、スライダを支持すると共に記録媒体に対して位置決めする位置決め装置とを備えたものである。

本発明によれば、反強磁性層とピンド層との間に、非磁性且つ導電性の材料よりなる中間層を配置したので、反強磁性層中の異方性エネルギーが特に小さい領域に対向するピンド層中の領域において、外部磁界の大きさや方向に応じて磁化の方向が固定されたり固定されなかったりする現象がなくなる。従って、本発明によれば、ピンド層における磁化の方向の固定の不安定性を抑制して、磁気抵抗効果素子の感度の変動を抑制することができるという効果を奏する。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図７および図８を参照して、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成および製造方法の概略について説明する。図７は薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面および基板に垂直な断面を示す断面図、図８は薄膜磁気ヘッドの磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。なお、ここでは、ＭＲ素子としてＧＭＲ素子を用いた場合を例にとって説明する。

本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、アルティック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板１の上に、スパッタリング法等によって、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の絶縁材料よりなる絶縁層２を、例えば１〜５μｍの厚さに形成する。次に、絶縁層２の上に、スパッタリング法またはめっき法等によって、パーマロイ（ＮｉＦｅ）等の磁性材料よりなる再生ヘッド用の下部シールド層３を、例えば約３μｍの厚さに形成する。

次に、下部シールド層３の上に、スパッタリング法等によって、アルミナ等の絶縁材料よりなる下部シールドギャップ膜４を、例えば１０〜２００ｎｍの厚さに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５と、図示しないバイアス磁界印加層と、電極層６を、それぞれ、例えば数十ｎｍの厚さに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、スパッタリング法等によって、アルミナ等の絶縁材料よりなる上部シールドギャップ膜７を、例えば１０〜２００ｎｍの厚さに形成する。

次に、上部シールドギャップ膜７の上に、磁性材料からなり、記録ヘッドの下部磁極層を兼ねた再生ヘッドの上部シールド層８を、例えば３〜４μｍの厚さに形成する。なお、上部シールド層８に用いる磁性材料は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料である。上部シールド層８は、スパッタリング法またはめっき法等によって形成される。なお、上部シールド層８の代わりに、上部シールド層と、この上部シールド層の上にスパッタリング法等によって形成されたアルミナ等の非磁性材料よりなる分離層と、この分離層の上に形成された下部磁極層とを設けてもよい。

次に、上部シールド層８の上に、スパッタリング法等によって、アルミナ等の絶縁材料よりなる記録ギャップ層９を、例えば５０〜３００ｎｍの厚さに形成する。次に、磁路形成のために、後述する薄膜コイルの中心部分において、記録ギャップ層９を部分的にエッチングしてコンタクトホール９ａを形成する。

次に、記録ギャップ層９の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイルの第１層部分１０を、例えば２〜３μｍの厚さに形成する。なお、図７において、符号１０ａは、第１層部分１０のうち、後述する薄膜コイルの第２層部分１５に接続される接続部を表している。第１層部分１０は、コンタクトホール９ａの周囲に巻回される。

次に、薄膜コイルの第１層部分１０およびその周辺の記録ギャップ層９を覆うように、フォトレジスト等の、加熱時に流動性を有する有機絶縁材料よりなる絶縁層１１を所定のパターンに形成する。次に、絶縁層１１の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。この熱処理により、絶縁層１１の外周および内周の各端縁部分は、丸みを帯びた斜面形状となる。

次に、絶縁層１１のうちの後述するエアベアリング面２０側の斜面部分からエアベアリング面２０側にかけての領域において、記録ギャップ層９および絶縁層１１の上に、記録ヘッド用の磁性材料によって、上部磁極層１２のトラック幅規定層１２ａを形成する。上部磁極層１２は、このトラック幅規定層１２ａと、後述する連結部分層１２ｂおよびヨーク部分層１２ｃとで構成される。

トラック幅規定層１２ａは、記録ギャップ層９の上に形成され、上部磁極層１２の磁極部分となる先端部と、絶縁層１１のエアベアリング面２０側の斜面部分の上に形成され、ヨーク部分層１２ｃに接続される接続部とを有している。先端部の幅は記録トラック幅と等しくなっている。接続部の幅は、先端部の幅よりも大きくなっている。

トラック幅規定層１２ａを形成する際には、同時に、コンタクトホール９ａの上に磁性材料よりなる連結部分層１２ｂを形成すると共に、接続部１０ａの上に磁性材料よりなる接続層１３を形成する。連結部分層１２ｂは、上部磁極層１２のうち、上部シールド層８に磁気的に連結される部分を構成する。

次に、磁極トリミングを行う。すなわち、トラック幅規定層１２ａの周辺領域において、トラック幅規定層１２ａをマスクとして、記録ギャップ層９および上部シールド層８の磁極部分における記録ギャップ層９側の少なくとも一部をエッチングする。これにより、図８に示したように、上部磁極層１２の磁極部分、記録ギャップ層９および上部シールド層８の磁極部分の少なくとも一部の各幅が揃えられたトリム（Trim）構造が形成される。このトリム構造によれば、記録ギャップ層９の近傍における磁束の広がりによる実効的なトラック幅の増加を防止することができる。

次に、全体に、アルミナ等の無機絶縁材料よりなる絶縁層１４を、例えば３〜４μｍの厚さに形成する。次に、この絶縁層１４を、例えば化学機械研磨によって、トラック幅規定層１２ａ、連結部分層１２ｂおよび接続層１３の表面に至るまで研磨して平坦化する。

次に、平坦化された絶縁層１４の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイルの第２層部分１５を、例えば２〜３μｍの厚さに形成する。なお、図７において、符号１５ａは、第２層部分１５のうち、接続層１３を介して薄膜コイルの第１層部分１０の接続部１０ａに接続される接続部を表している。第２層部分１５は、連結部分層１２ｂの周囲に巻回される。

次に、薄膜コイルの第２層部分１５およびその周辺の絶縁層１４を覆うように、フォトレジスト等の、加熱時に流動性を有する有機絶縁材料よりなる絶縁層１６を所定のパターンに形成する。次に、絶縁層１６の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。この熱処理により、絶縁層１６の外周および内周の各端縁部分は、丸みを帯びた斜面形状となる。

次に、トラック幅規定層１２ａ、絶縁層１４，１６および連結部分層１２ｂの上に、パーマロイ等の記録ヘッド用の磁性材料によって、上部磁極層１２のヨーク部分を構成するヨーク部分層１２ｃを形成する。ヨーク部分層１２ｃのエアベアリング面２０側の端部は、エアベアリング面２０から離れた位置に配置されている。また、ヨーク部分層１２ｃは、連結部分層１２ｂを介して上部シールド層８に接続されている。

次に、全体を覆うように、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１７を形成する。最後に、上記各層を含むスライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面２０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。

このようにして製造される薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面としてのエアベアリング面２０と再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、エアベアリング面２０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層８とを有している。

記録ヘッドは、エアベアリング面２０側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された下部磁極層（上部シールド層８）および上部磁極層１２と、この下部磁極層の磁極部分と上部磁極層１２の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層９と、少なくとも一部が下部磁極層および上部磁極層１２の間に、これらに対して絶縁された状態で配設された薄膜コイル１０，１５とを有している。この薄膜磁気ヘッドでは、図７に示したように、エアベアリング面２０から、絶縁層１１のエアベアリング面２０側の端部までの長さが、スロートハイトＴＨとなる。なお、スロートハイトとは、エアベアリング面２０から、２つの磁極層の間隔が開き始める位置までの長さ（高さ）をいう。

次に、図１ないし図６を参照して、本実施の形態における再生ヘッドの構成について詳しく説明する。本実施の形態において、ＭＲ素子５は、スピンバルブ型ＧＭＲ素子またはトンネル磁気抵抗効果を用いるＴＭＲ素子である。

まず、図１ないし図３を参照して、ＭＲ素子５としてスピンバルブ型ＧＭＲ素子を用いたときの再生ヘッドの構成の一例について説明する。図１は、再生ヘッドのエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。図１に示した再生ヘッドは、所定の間隔を開けて配置された下部シールド層３および上部シールド層８と、この下部シールド層３と上部シールド層８との間に配置されたＭＲ素子５と、下部シールド層３とＭＲ素子５との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、上部シールド層８とＭＲ素子５との間に配置された上部シールドギャップ膜７とを備えている。ＭＲ素子５は、互いに反対側を向く２つの面と、２つの側部とを有している。

再生ヘッドは、更に、ＭＲ素子５の各側部に隣接するように配置され、ＭＲ素子５に対して縦バイアス磁界を印加する２つのバイアス磁界印加層１８と、それぞれ各バイアス磁界印加層１８の一方の面に隣接するように配置され、ＭＲ素子５に対して信号検出用の電流であるセンス電流を流す２つの電極層６とを備えている。図１では、電極層６はバイアス磁界印加層１８の上に配置されているが、バイアス磁界印加層１８のない領域では、電極層６は下部シールドギャップ膜４の上に配置されている。

バイアス磁界印加層１８は、硬磁性層（ハードマグネット）や、強磁性層と反強磁性層との積層体等を用いて構成される。電極層６は、例えば、Ｔａ層とＡｕ層との積層体、Ｔｉｗ層とＴａ層の積層体、あるいはＴｉＮ層とＴａ層の積層体等によって構成される。

図２は、図１におけるＭＲ素子５の構成の一例を示す斜視図である。このＭＲ素子５は、下部シールドギャップ膜４の上に順に積層された下地層２１、反強磁性層２２、中間層２３、ピンド層２４、非磁性導電層２５、フリー層２６および保護層２７を有している。ピンド層２４は磁化の方向が固定された層であり、反強磁性層２２はピンド層２４における磁化の方向を固定する層である。中間層２３は、非磁性且つ導電性の材料よりなる層である。中間層２３の機能については、後で詳しく説明する。フリー層２６は、軟磁性層からなり、記録媒体からの信号磁界に応じて磁化の方向が変化する層である。

このようにＭＲ素子５は、互いに反対側を向く２つの面を有する非磁性導電層２５と、この非磁性導電層２５の一方の面（上面）に隣接するように配置されたフリー層２６と、非磁性導電層２５の他方の面（下面）に隣接するように配置され、磁化の方向が固定されたピンド層２４と、このピンド層２４における非磁性導電層２５とは反対側の面に隣接するように配置され、ピンド層２４との交換結合によりピンド層２４における磁化の方向を固定する反強磁性層２２と、反強磁性層２２とピンド層２４との間に配置された中間層２３とを有している。

下地層２１の厚さは、例えば２〜６ｎｍである。下地層２１の材料としては、例えばＴａやＮｉＣｒが用いられる。

反強磁性層２２の厚さは、例えば５〜３０ｎｍである。反強磁性層２２は、例えば、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｒ、ＣｒおよびＦｅからなる群のうちの少なくとも１種Ｍ_IIと、Ｍｎとを含む反強磁性材料により構成されている。このうちＭｎの含有量は３５原子％以上９５原子％以下、その他の元素Ｍ_IIの含有量は５原子％以上６５原子％以下であることが好ましい。この反強磁性材料には、熱処理しなくても反強磁性を示し、強磁性材料との間に交換結合磁界を誘起する非熱処理系反強磁性材料と、熱処理により反強磁性を示すようになる熱処理系反強磁性材料とがある。この反強磁性層２２は、そのどちらにより構成されていてもよい。

なお、非熱処理系反強磁性材料にはγ相を有するＭｎ合金等があり、具体的には、ＲｕＲｈＭｎ、ＦｅＭｎあるいはＩｒＭｎ等がある。熱処理系反強磁性材料には規則結晶構造を有するＭｎ合金等があり、具体的には、ＰｔＭｎ、ＮｉＭｎおよびＰｔＲｈＭｎ等がある。

ピンド層２４では、反強磁性層２２との交換結合により、磁化の向きが固定されている。ピンド層２４は、例えば、反強磁性層２２側から順に、第１の強磁性層２４ａ、結合層２４ｂおよび第２の強磁性層２４ｃを、この順に積層した構造を有している。第１の強磁性層２４ａおよび第２の強磁性層２４ｃは、例えば、ＣｏおよびＦｅからなる群のうちの少なくともＣｏを含む強磁性材料により構成されている。特に、この強磁性材料の（１１１）面は積層方向に配向していることが好ましい。２つの強磁性層２４ａ，２４ｃを合わせた厚さは、例えば１．５〜５ｎｍである。２つの強磁性層２４ａ，２４ｃは、反強磁性結合し、磁化の方向が互いに逆方向に固定されている。

ピンド層２４における結合層２４ｂの厚さは、例えば０．２〜１．２ｎｍである。結合層２４ｂは、例えば、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｅ、ＣｒおよびＺｒからなる群のうち少なくとも１種を含む非磁性材料により構成されている。この結合層２４ｂは、第１および第２の強磁性層２４ａ，２４ｃの間に反強磁性交換結合を生じさせ、第１の強磁性層２４ａの磁化と第２の強磁性層２４ｃの磁化とを互いに逆方向に固定するためのものである。なお、第１の強磁性層２４ａの磁化と第２の強磁性層２４ｃの磁化が互いに逆方向というのは、これら２つの磁化の方向が互いに１８０°異なる場合のみならず、２つの磁化の方向が１８０°±２０°異なる場合を含む。

ピンド層２４における第２の強磁性層２４ｃは、その内側において、磁性を有し、他の部分よりも電気抵抗が大きい強磁性層内高抵抗層を有していてもよい。この強磁性層内高抵抗層は、電子の少なくとも一部を反射して電子の移動を制限することにより、ＭＲ素子５の抵抗変化率を大きくするためのものである。強磁性層内高抵抗層の厚さは０．３〜１ｎｍが好ましい。強磁性層内高抵抗層は、酸化物、窒化物および酸化窒化物のうちの少なくとも１種を含むことが好ましい。それは、磁気的に安定であり、出力変動を小さくすることができるからである。また、強磁性層内高抵抗層は、第２の強磁性層２４ｃの他の部分を構成する材料の一部を酸化、窒化または酸化および窒化することによって形成してもよい。

中間層２３は、反強磁性層２２中の異方性エネルギーが特に小さい領域とこれに対向するピンド２４層中の領域との間を除いて、反強磁性層２２とピンド２４層との交換結合を生じさせることのできる厚さとする。中間層２３の材料は、非磁性且つ導電性の材料であるが、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇのいずれかであることが好ましく、特にＣｕであることが好ましい。中間層２３の厚さは、０．１〜０．５ｎｍの範囲内であることが好ましい。この好ましい範囲の下限値である０．１ｎｍは、中間層２３を成膜可能か否かという観点で定められ、成膜可能な中間層２３の厚さの下限値とほぼ等しい。好ましい範囲の上限値である０．５ｎｍは、後で示す実験の結果に基づいて定められている。

非磁性導電層２５の厚さは、例えば１．０〜３．０ｎｍである。非磁性導電層２５は、例えば、Ｃｕ、ＡｕおよびＡｇからなる群のうち少なくとも１種を８０重量％以上含む非磁性の導電性材料により構成されている。

フリー層２６の厚さは、例えば１．０〜８．０ｎｍである。フリー層２６は、単層で構成されていてもよいし、２つ以上の層によって構成されていてもよい。ここでは、フリー層２４が２つの軟磁性層で構成される場合の例を挙げる。２つの軟磁性層のうち、非磁性導電層２５側の層を第１の軟磁性層と呼び、保護層２７側の層を第２の軟磁性層と呼ぶ。

第１の軟磁性層の厚さは、例えば０．５〜３ｎｍである。第１の軟磁性層は、例えば、Ｎｉ、ＣｏおよびＦｅからなる群のうちの少なくともＣｏを含む磁性材料により構成されている。具体的には、第１の軟磁性層は、（１１１）面が積層方向に配向しているＣｏ_xＦｅ_yＮｉ_100-(x+y)により構成されることが好ましい。式中、ｘ，ｙはそれぞれ原子％で７０≦ｘ≦１００、０≦ｙ≦２５の範囲内である。

第２の軟磁性層の厚さは、例えば０．５〜８ｎｍである。第２の軟磁性層は、例えば、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｈ、ＭｏおよびＮｂからなる群のうち少なくともＮｉを含む磁性材料により構成されている。具体的には、第２の軟磁性層は、［Ｎｉ_xＣｏ_yＦｅ_100-(x+y)］_100-ZＭ_IZにより構成されることが好ましい。式中、Ｍ_Iは、Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｈ、ＭｏおよびＮｂのうち少なくとも１種を表し、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ原子％で７５≦ｘ≦９０、０≦ｙ≦１５、０≦ｚ≦１５の範囲内である。

保護層２７の厚さは、例えば０．５〜１０ｎｍである。保護層２７の材料としては、例えばＴａが用いられる。また、保護層２５は、Ｔａ層、Ｒｕ層等の組み合わせの２積層構造や、Ｔａ層、Ｒｕ層、Ｔａ層等の組み合わせの３積層構造としてもよい。

図３は、図１におけるＭＲ素子５の構成の他の例を示す斜視図である。このＭＲ素子５は、反強磁性層２２からフリー層２６までの層の順番が図２に示した構成と逆になっているものである。すなわち、図３に示したＭＲ素子５は、下地層２１の上に、フリー層２６、非磁性導電層２５、ピンド層２４、中間層２３、反強磁性層２２および保護層２７が順に積層された構成になっている。

次に、図４ないし図６を参照して、ＭＲ素子５としてＴＭＲ素子を用いたときの再生ヘッドの構成の一例について説明する。図４は、再生ヘッドのエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。図４に示した再生ヘッドは、所定の間隔を開けて配置された下部シールド層３および上部シールド層８と、この下部シールド層３と上部シールド層８との間に配置されたＭＲ素子５とを備えている。ＭＲ素子５は、互いに反対側を向く２つの面と、２つの側部とを有している。ＭＲ素子５の一方の面（下面）は下部シールド層３に接し、ＭＲ素子５の他方の面（上面）は上部シールド層８に接している。

再生ヘッドは、更に、ＭＲ素子５の２つの側部に隣接するように配置され、ＭＲ素子５に対してバイアス磁界を印加する２つのバイアス磁界印加層１８と、ＭＲ素子５およびバイアス磁界印加層１８の周囲に配置された下部シールドギャップ膜４および上部シールドギャップ膜７とを備えている。下部シールドギャップ膜４は、下部シールド層３およびＭＲ素子５と、バイアス磁界印加層１８との間に介在して、これらの間を絶縁する。上部シールドギャップ膜７は、バイアス磁界印加層１８と上部シールド層８との間に介在して、これらの間を絶縁する。

図５は、図４におけるＭＲ素子５の構成の一例を示す断面図である。このＭＲ素子５は、図２に示したＭＲ素子５における非磁性導電層２５の代わりに、非磁性絶縁層よりなるトンネルバリア層２８が設けられた構成になっている。このトンネルバリア層２８は、トンネル効果によりスピンを保存した状態で電子が通過できる層である。トンネルバリア層２８の厚さは、例えば０．５〜２ｎｍである。トンネルバリア層２８の材料としては、例えばＡｌ₂Ｏ₃、ＮｉＯ、ＧｄＯ、ＭｇＯ、Ｔａ₂Ｏ₅、ＭｏＯ₂、ＴｉＯ₂またはＷＯ₂が用いられる。図５に示したＭＲ素子５のその他の構成は、図２に示したＭＲ素子５と同様である。

図６は、図４におけるＭＲ素子５の構成の他の例を示す断面図である。このＭＲ素子５は、図３に示したＭＲ素子５における非磁性導電層２５の代わりに、非磁性絶縁層よりなるトンネルバリア層２８が設けられた構成になっている。図６に示したＭＲ素子５のその他の構成は、図３に示したＭＲ素子５と同様である。

図５、図６に示したＭＲ素子５では、下部シールド層３と上部シールド層８が、ＭＲ素子５にセンス電流を流すための電極層を兼ねている。図５、図６に示したＭＲ素子５では、センス電流は、ＭＲ素子５を構成する各膜の面に対して垂直な方向に流れる。なお、下部シールド層３とＭＲ素子５の間と、ＭＲ素子５と上部シールド層８との間に、それぞれ、ＭＲ素子５にセンス電流を流すための電極層を設けてもよい。

次に、本実施の形態に係るＭＲ素子５および薄膜磁気ヘッドの作用について説明する。薄膜磁気ヘッドは、記録ヘッドによって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生する。

ここで、図２および図３に示したように、バイアス磁界印加層１８によるバイアス磁界の方向をＸ方向とし、エアベアリング面２０に垂直な方向をＹ方向とする。Ｘ方向とＹ方向は直交している。ＭＲ素子５において、信号磁界がない状態では、フリー層２６の磁化の方向は、バイアス磁界の方向であるＸ方向に揃えられている。一方、ピンド層２４では、強磁性層２４ａの磁化の方向は、反強磁性層２２によってＹ方向に固定され、強磁性層２４ｃの磁化の方向は、強磁性層２４ａの磁化の方向とは逆方向に固定されている。

ＭＲ素子５では、記録媒体からの信号磁界に応じてフリー層２６の磁化の方向が変化し、これにより、フリー層２６の磁化の方向とピンド層２４の強磁性層２４ｃの磁化の方向との間の相対角度が変化し、その結果、ＭＲ素子５の抵抗値が変化する。ＭＲ素子５の抵抗値は、ＭＲ素子５にセンス電流を流したときの２つの電極層間の電位差より求めることができる。このようにして、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生することができる。

次に、中間層２３の機能について説明する。反強磁性層２２には、微視的に見ると、ピンド層２４との間における交換結合エネルギーよりも、異方性エネルギーが小さくなる領域が多く存在している。そのため、中間層２３を設けない場合には、反強磁性層２２中の異方性エネルギーが小さい領域に対向するピンド層２４中の領域では、磁化の方向の固定が不十分となり、外部磁界の大きさや方向に応じて磁化の方向が固定されたり固定されなかったりする現象が生じる。この現象から、再生ヘッドの感度が変動する。

本実施の形態では、反強磁性層２２とピンド層２４との間に、非磁性且つ導電性の材料よりなる中間層２３が配置されている。これにより、中間層２３がない場合に比べて、反強磁性層２２とピンド層２４との交換結合は全体的に弱まる。その結果、反強磁性層２２中の異方性エネルギーが特に小さい領域に対向するピンド層２４中の領域では、反強磁性層２２との交換結合による磁化の方向の固定が行なわれなくなる。これにより、ピンド層２４中の上記領域において、外部磁界の大きさや方向に応じて磁化の方向が固定されたり固定されなかったりする現象がなくなり、その結果、ＭＲ素子５の感度の変動が抑制される。従って、本実施の形態によれば、ピンド層２４における磁化の方向の固定の不安定性を抑制して、ＭＲ素子５感度の変動を抑制することができる。

次に、中間層２３による効果を確認するために行った第１の実験の結果について説明する。この実験では、それぞれスピンバルブ型ＧＭＲ素子よりなる３つのＭＲ素子の試料Ａ，Ｂ，Ｃを作製した。試料Ａ，Ｂは比較例の試料であり、中間層２３を有していない。試料Ｃは、本実施の形態の実施例の試料であり、Ｃｕよりなる中間層２３を有している。試料Ｃにおける中間層２３の厚みは０．５ｎｍである。この実験では、上記の試料Ａ，Ｂ，Ｃの状態を、状態１から状態８までの８つの状態に順次切り換え、各状態において、試料Ａ，Ｂ，Ｃの磁気抵抗変化率を測定した。

実験の結果を図１３に示す。図１３において、横軸は状態を表し、縦軸は磁気抵抗変化率を表している。なお、磁気抵抗変化率を測定する際の外部磁界変化量は９００Ｏｅ（９００×７９．６Ａ／ｍ）とした。状態１では、磁気抵抗変化率を測定するための外部磁界以外の外部磁界（以下、外乱磁界と言う。）を試料に印加していない。状態２では、バイアス磁界と同じ方向に、１００００Ｏｅ（１００００×７９．６Ａ／ｍ）の外乱磁界を試料に印加した。状態３では、強磁性層２４ｃの磁化の方向と同じ方向に、１０００Ｏｅ（１０００×７９．６Ａ／ｍ）の外乱磁界を試料に印加した。状態４では、バイアス磁界と同じ方向に、１００００Ｏｅ（１００００×７９．６Ａ／ｍ）の外乱磁界を試料に印加した。状態５では、強磁性層２４ｃの磁化の方向と同じ方向に、５０００Ｏｅ（５０００×７９．６Ａ／ｍ）の外乱磁界を試料に印加した。状態６では、強磁性層２４ｃの磁化の方向と同じ方向に、１００００Ｏｅ（１００００×７９．６Ａ／ｍ）の外乱磁界を試料に印加した。状態７では、外乱磁界を試料に印加していない。状態８では、バイアス磁界と同じ方向に、１００００Ｏｅ（１００００×７９．６Ａ／ｍ）の外乱磁界を試料に印加した。

状態３、状態５および状態６では、外乱磁界は、反強磁性層２２に隣接する強磁性層２４ａの磁化の方向と反対方向である。そのため、外乱磁界は、強磁性層２４ａの磁化の方向を変化させるように働く。ここで、中間層２３が設けられていない試料Ａおよび試料Ｂでは、反強磁性層２２中の異方性エネルギーが特に小さい領域に対向する強磁性層２４ａ中の領域において、外部磁界の大きさや方向に応じて磁化の方向が固定されたり固定されなかったりする現象が生じ、この現象から、ＭＲ素子の感度が変動する。このことは、試料Ａおよび試料Ｂでは、大きな外乱磁界が印加される状態６において、磁気抵抗変化率が大きく低下していることからよく分かる。

本実施の形態では、反強磁性層２２とピンド層２４との間に中間層２３が配置されていることから、上述の現象に起因するＭＲ素子５の感度の変動が抑制される。このことは、試料Ｃでは、状態６においても、磁気抵抗変化率がさほど低下していないことからよく分かる。

なお、中間層２３の材料をＣｕの代わりにＡｕまたはＡｇとした試料でも、上記と同様の実験において、試料Ｃと同様の挙動を示した。

次に、中間層２３の厚さの好ましい範囲を求めるために行なった第２および第３の実験の結果について説明する。第２の実験では、図２に示した構造のスピンバルブ型ＧＭＲ素子よりなるＭＲ素子の試料を用いて、中間層２３の材料および厚さと、反強磁性層２２とピンド層２４の間における交換結合磁界との関係を求めた。第２の実験で用いたＭＲ素子の層の構成は、以下の通りである。下地層２１は厚さ５ｎｍのＮｉＣｒ層とした。反強磁性層２２は厚さ１３ｎｍのＰｔＭｎ層とした。ピンド層２４は厚さ１．５ｎｍのＣｏＦｅ層とした。非磁性導電層２５は厚さ２．４ｎｍのＣｕ層とした。フリー層２６は、厚さ１ｎｍのＣｏＦｅ層と厚さ２ｎｍのＮｉＦｅ層との積層体とした。保護層２７は、厚さ０．５ｎｍのＲｕ層と厚さ２ｎｍのＴａ層との積層体とした。

第２の実験では、試料として、中間層２３を有しないものと、中間層２３がＣｕ層で、厚さがそれぞれ０．３ｎｍ、０．５ｎｍ、０．７ｎｍのものと、中間層２３がＲｕ層で、厚さがそれぞれ０．２ｎｍ、０．３ｎｍ、０．５ｎｍのものとを用いた。第２の実験では、これらの試料について、反強磁性層２２とピンド層２４の間における交換結合磁界を求め、その結果に基づいて、中間層２３の材料および厚さと交換結合磁界との関係を求めた。第２の実験の結果を、下記の表と図１４に示す。図１４において、横軸は中間層２３の厚さを表し、縦軸は交換結合磁界を表している。なお、下記の表には、この後で説明する第３の実験の結果も載せている。

第３の実験では、図２に示した構造のスピンバルブ型ＧＭＲ素子よりなるＭＲ素子の試料を用いて、中間層２３の材料および厚さと、ＭＲ素子の抵抗変化量との関係を求めた。第３の実験で用いたＭＲ素子の層の構成は、以下の通りである。下地層２１は厚さ５ｎｍのＮｉＣｒ層とした。反強磁性層２２は厚さ１３ｎｍのＰｔＭｎ層とした。ピンド層２４は、第１の強磁性層としての厚さ１．５ｎｍのＣｏＦｅ層、結合層としての厚さ０．８ｎｍのＲｕ層、第２の強磁性層としての厚さ１．６ｎｍのＣｏＦｅ層を、この順に積層した構造とした。非磁性導電層２５は厚さ１．９ｎｍのＣｕ層とした。フリー層２６は、厚さ１ｎｍのＣｏＦｅ層と厚さ２ｎｍのＮｉＦｅ層との積層体とした。保護層２７は、厚さ０．５ｎｍのＲｕ層と厚さ２ｎｍのＴａ層との積層体とした。

第３の実験では、第２の実験と同様に、試料として、中間層２３を有しないものと、中間層２３がＣｕ層で、厚さがそれぞれ０．３ｎｍ、０．５ｎｍ、０．７ｎｍのものと、中間層２３がＲｕ層で、厚さがそれぞれ０．２ｎｍ、０．３ｎｍ、０．５ｎｍのものとを用いた。第３の実験では、これらの試料について、ＭＲ素子の抵抗変化量を求め、その結果に基づいて、中間層２３の材料および厚さと抵抗変化量との関係を求めた。第３の実験の結果を、前記の表と図１５に示す。図１５において、横軸は中間層２３の厚さを表し、縦軸は抵抗変化量を表している。

第２の実験から、ＭＲ素子において、中間層２３を有しない場合に比べて、中間層２３を設けることにより、交換結合磁界が小さくなることが分かる。しかし、中間層２３を設けた場合でも、交換結合磁界は、ある程度大きくなければならず、中間層２３を有しない場合における交換結合磁界の８０％以上であることが好ましい。そこで、第２の実験においては、中間層２３を設けた場合における交換結合磁界は、中間層２３を有しない場合における交換結合磁界の約８０％である５００（Ｏｅ＝×79.6Ａ／ｍ）以上が好ましいものとする。

また、第３の実験から、ＭＲ素子において、中間層２３を有しない場合に比べて、中間層２３を設けることにより、抵抗変化量が小さくなることが分かる。しかし、中間層２３を設けた場合でも、抵抗変化量は、ある程度大きくなければならず、中間層２３を有しない場合における抵抗変化量の９０％以上であることが好ましい。そこで、第３の実験においては、中間層２３を設けた場合における抵抗変化量は、中間層２３を有しない場合における抵抗変化量の約９０％である２．４（Ω／□）以上が好ましいものとする。

中間層２３の材料がＣｕの場合には、中間層２３の厚さが０．５ｎｍ以下のときに、上記の２つの好ましい条件を満たす。また、中間層２３の厚さが０．５ｎｍを超えると、抵抗変化量が急激に減少する。これらのことから、中間層２３の厚さは０．５ｎｍ以下であることが好ましい。なお、中間層２３の材料がＲｕの場合には、中間層２３の厚さが０．２ｎｍであっても、交換結合磁界が、中間層２３を有しない場合における交換結合磁界の８０％を下回るため、Ｒｕは中間層２３の材料として好ましくはない。

以下、本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置について説明する。まず、図９を参照して、ヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダ２１０について説明する。ハードディスク装置において、スライダ２１０は、回転駆動される円盤状の記録媒体であるハードディスクに対向するように配置される。このスライダ２１０は、主に図７における基板１およびオーバーコート層１７からなる基体２１１を備えている。基体２１１は、ほぼ六面体形状をなしている。基体２１１の六面のうちの一面は、ハードディスクに対向するようになっている。この一面には、エアベアリング面２０が形成されている。ハードディスクが図９におけるｚ方向に回転すると、ハードディスクとスライダ２１０との間を通過する空気流によって、スライダ２１０に、図９におけるｙ方向の下方に揚力が生じる。スライダ２１０は、この揚力によってハードディスクの表面から浮上するようになっている。なお、図９におけるｘ方向は、ハードディスクのトラック横断方向である。スライダ２１０の空気流出側の端部（図９における左下の端部）の近傍には、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド１００が形成されている。

次に、図１０を参照して、本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリ２２０について説明する。ヘッドジンバルアセンブリ２２０は、スライダ２１０と、このスライダ２１０を弾性的に支持するサスペンション２２１とを備えている。サスペンション２２１は、例えばステンレス鋼によって形成された板ばね状のロードビーム２２２、このロードビーム２２２の一端部に設けられると共にスライダ２１０が接合され、スライダ２１０に適度な自由度を与えるフレクシャ２２３と、ロードビーム２２２の他端部に設けられたベースプレート２２４とを有している。ベースプレート２２４は、スライダ２１０をハードディスク２６２のトラック横断方向ｘに移動させるためのアクチュエータのアーム２３０に取り付けられるようになっている。アクチュエータは、アーム２３０と、このアーム２３０を駆動するボイスコイルモータとを有している。フレクシャ２２３において、スライダ２１０が取り付けられる部分には、スライダ２１０の姿勢を一定に保つためのジンバル部が設けられている。

ヘッドジンバルアセンブリ２２０は、アクチュエータのアーム２３０に取り付けられる。１つのアーム２３０にヘッドジンバルアセンブリ２２０を取り付けたものはヘッドアームアセンブリと呼ばれる。また、複数のアームを有するキャリッジの各アームにヘッドジンバルアセンブリ２２０を取り付けたものはヘッドスタックアセンブリと呼ばれる。

１０は、ヘッドアームアセンブリの一例を示している。このヘッドアームアセンブリでは、アーム２３０の一端部にヘッドジンバルアセンブリ２２０が取り付けられている。アーム２３０の他端部には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２３１が取り付けられている。アーム２３０の中間部には、アーム２３０を回動自在に支持するための軸２３４に取り付けられる軸受け部２３３が設けられている。

次に、図１１および図１２を参照して、ヘッドスタックアセンブリの一例と本実施の形態に係るハードディスク装置について説明する。図１１はハードディスク装置の要部を示す説明図、図１２はハードディスク装置の平面図である。ヘッドスタックアセンブリ２５０は、複数のアーム２５２を有するキャリッジ２５１を有している。複数のアーム２５２には、複数のヘッドジンバルアセンブリ２２０が、互いに間隔を開けて垂直方向に並ぶように取り付けられている。キャリッジ２５１においてアーム２５２とは反対側には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２５３が取り付けられている。ヘッドスタックアセンブリ２５０は、ハードディスク装置に組み込まれる。ハードディスク装置は、スピンドルモータ２６１に取り付けられた複数枚のハードディスク２６２を有している。各ハードディスク２６２毎に、ハードディスク２６２を挟んで対向するように２つのスライダ２１０が配置される。また、ボイスコイルモータは、ヘッドスタックアセンブリ２５０のコイル２５３を挟んで対向する位置に配置された永久磁石２６３を有している。

スライダ２１０を除くヘッドスタックアセンブリ２５０およびアクチュエータは、本発明における位置決め装置に対応し、スライダ２１０を支持すると共にハードディスク２６２に対して位置決めする。

本実施の形態に係るハードディスク装置では、アクチュエータによって、スライダ２１０をハードディスク２６２のトラック横断方向に移動させて、スライダ２１０をハードディスク２６２に対して位置決めする。スライダ２１０に含まれる薄膜磁気ヘッドは、記録ヘッドによって、ハードディスク２６２に情報を記録し、再生ヘッドによって、ハードディスク２６２に記録されている情報を再生する。

本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置は、前述の本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドと同様の効果を奏する。

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、実施の形態では、第１の強磁性層２４ａ、結合層２４ｂおよび第２の強磁性層２４ｃが積層された構造のピンド層２４を有するＭＲ素子５を示したが、本発明は他の構造のピンド層を有するＭＲ素子にも適用することができる。

また、実施の形態では、基体側に再生ヘッドを形成し、その上に、記録ヘッドを積層した構造の薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。

また、読み取り専用として用いる場合には、薄膜磁気ヘッドを、再生ヘッドだけを備えた構成としてもよい。

また、本発明の磁気抵抗効果素子は、薄膜磁気ヘッドにおける再生ヘッドに限らず、磁界を検出するセンサや磁性薄膜メモリ等にも適用することができる。

本発明の一実施の形態における再生ヘッドの構成の一例を示す断面図である。 図１におけるＭＲ素子の構成の一例を示す斜視図である。 図１におけるＭＲ素子の構成の他の例を示す斜視図である。 本発明の一実施の形態における再生ヘッドの構成の他の例を示す断面図である。 図４におけるＭＲ素子の構成の一例を示す斜視図である。 図４におけるＭＲ素子の構成の他の例を示す斜視図である。 本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面および基板に垂直な断面を示す断面図である。 本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。 本発明の一実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダを示す斜視図である。 本発明の一実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリを含むヘッドアームアセンブリを示す斜視図である。 本発明の一実施の形態に係るハードディスク装置の要部を説明するための説明図である。 本発明の一実施の形態に係るハードディスク装置の平面図である。 本発明の一実施の形態の効果を示す第１の実験結果を示す説明図である。 本発明の一実施の形態における中間層の厚さの好ましい範囲を求めるために行なった第２の実験の結果を示す特性図である。 本発明の一実施の形態における中間層の厚さの好ましい範囲を求めるために行なった第３の実験の結果を示す特性図である。

符号の説明

１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４…下部シールドギャップ膜、５…ＭＲ素子、６…電極層、７…上部シールドギャップ膜、８…上部シールド層、９…記録ギャップ層、１０…薄膜コイルの第１層部分、１２…上部磁極層、１５…薄膜コイルの第２層部分、１７…オーバーコート層、１８…バイアス磁界印加層、２０…エアベアリング面、２１…下地層、２２…反強磁性層、２３…中間層、２４…ピンド層、２５…反強磁性層、２６…フリー層、２７…保護層。

Claims (9)

1. 互いに反対側を向く２つの面を有する非磁性導電層と、
   前記非磁性導電層における一方の面に隣接するように配置され、外部磁界に応じて磁化の方向が変化するフリー層と、
   前記非磁性導電層の他方の面に隣接するように配置され、磁化の方向が固定されたピンド層と、
   前記ピンド層における前記非磁性導電層とは反対側の面に隣接するように配置され、前記ピンド層との交換結合により、前記ピンド層における磁化の方向を固定する反強磁性層と
   非磁性且つ導電性の材料よりなり、前記反強磁性層とピンド層との間に配置された中間層と
   を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
2. 前記中間層の厚さは、０．１〜０．５ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。
3. 前記中間層の材料はＣｕであることを特徴とする請求項１または２記載の磁気抵抗効果素子。
4. 互いに反対側を向く２つの面を有する絶縁層と、
   前記絶縁層における一方の面に隣接するように配置され、外部磁界に応じて磁化の方向が変化するフリー層と、
   前記絶縁層の他方の面に隣接するように配置され、磁化の方向が固定されたピンド層と、
   前記ピンド層における前記絶縁層とは反対側の面に隣接するように配置され、前記ピンド層との交換結合により、前記ピンド層における磁化の方向を固定する反強磁性層と
   非磁性且つ導電性の材料よりなり、前記反強磁性層とピンド層との間に配置された中間層と
   を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
5. 前記中間層の厚さは、０．１〜０．５ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項４記載の磁気抵抗効果素子。
6. 前記中間層の材料はＣｕのいずれかであることを特徴とする請求項４または５記載の磁気抵抗効果素子。
7. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
   前記記録媒体からの信号磁界を検出するために前記媒体対向面の近傍に配置された請求項１ないし６のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子と
   を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
8. 請求項７記載の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
   前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと
   を備えたことを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
9. 請求項７記載の薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
   前記スライダを支持すると共に前記記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と
   を備えたことを特徴とするハードディスク装置。
   

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