JP2013089967A - 固定層構造および自由層構造にCoFeBTaを有する磁気センサ - Google Patents
固定層構造および自由層構造にCoFeBTaを有する磁気センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013089967A JP2013089967A JP2012228542A JP2012228542A JP2013089967A JP 2013089967 A JP2013089967 A JP 2013089967A JP 2012228542 A JP2012228542 A JP 2012228542A JP 2012228542 A JP2012228542 A JP 2012228542A JP 2013089967 A JP2013089967 A JP 2013089967A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- layer
- layer structure
- sublayer
- cofebta
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 168
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 42
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 28
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910019236 CoFeB Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 1
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 10
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 7
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000002885 antiferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001061076 Melanonus zugmayeri Species 0.000 description 1
- 235000013290 Sagittaria latifolia Nutrition 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 235000015246 common arrowhead Nutrition 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3909—Arrangements using a magnetic tunnel junction
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/11—Magnetic recording head
- Y10T428/115—Magnetic layer composition
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
【解決手段】磁気センサは、磁化自由層構造310と磁化固定層構造とを含む。磁化固定層構造は、非磁性結合層318によって互いに分離させた第1の磁性層314および第2の磁性層316を含む。磁化固定層構造の第2の磁性層はCoFeBTaの層を含んでおり、この層が原子の拡散を防止し、さらには所望のBCC結晶粒成長を促進する。磁化自由層構造は、原子拡散をさらに防止し、所望のBCC粒成長をさらに促進するためのかかるCoFeBTa層を含むこともできる。
【選択図】図4
Description
112 磁気ディスク
113 スライダ
114 スピンドル
115 サスペンション
118 ディスクドライブモータ
119 アクチュエータアーム
121 磁気ヘッドアセンブリ
122 ディスク表面
123 ライン
127 アクチュエータ手段
128 ライン
129 制御ユニット
300 磁気読み出しヘッド
302 センサスタック
304 第1の磁気シールド
306 第2の磁気シールド
308 磁化固定層
310 磁化自由層
312 非磁性障壁層
314 第1の磁性層
316 第2の磁性層
318 非磁性結合層
320 反強磁性材料の層
322 矢印の頭
324 矢印の尾
326 シード層
328 キャップ層
332 ハード磁気バイアス層
334 ハード磁気バイアス層
402 第1の下位層
404 第2の下位層
406 第1の下位層
408 第2の下位層
410 第1の下位層
412 第2の下位層
414 第3の下位層
416 第4の下位層
418 第1の下位層
420 第2の下位層
422 第3の下位層
424 第4の下位層
426 第1の下位層
428 第2の下位層
430 第3の下位層
510 自由層構造
518 第1の下位層
520 第2の下位層
522 第3の下位層
524 第4の下位層
Claims (22)
- 第1磁性層構造、第2磁性層構造、および前記第1磁性層構造と前記第2磁性層構造との間に挟まれた非磁性結合層を含む磁化固定層構造と、
磁化自由層構造と、
前記磁化自由層構造と前記磁化固定層構造との間に挟まれた非磁性障壁層と、
を備え、
前記固定層構造の前記第2磁性層構造がCoFeBTaの層を含む、
磁気読み出しセンサ。 - 前記磁化固定層構造の前記第2磁性層構造が前記非磁性障壁層に隣接して位置する、
請求項1記載の磁気センサ。 - 前記固定層構造の前記第2磁性層構造が、第1、第2、第3および第4磁性下位層を備え、
前記第1磁性下位層がCoを含み、かつ前記非磁性結合層に隣接して位置しており、
前記第2磁性下位層がCoFeBTaを含み、かつ前記第1磁性下位層と接触しており、
前記第3磁性下位層がCoFeBを含み、かつ前記第2磁性下位層と接触しており、
前記第4磁性下位層が前記第3磁性下位層と接触しており、かつCoFeを含む、
請求項1記載の磁気センサ。 - 前記第2下位層が4〜6オングストロームの厚さを有する、
請求項3記載の磁気センサ。 - 前記第1下位層が約5オングストロームの厚さを有し、前記第2下位層が約5オングストロームの厚さを有し、前記第3下位層が約5オングストロームの厚さを有し、前記第4下位層が約4.5オングストロームの厚さを有する、
請求項3記載の磁気センサ。 - 前記CoFeBTaの層が、ある濃度の(Co40Fe40B20)100−XTaXを有し、Xが4〜10の原子パーセントである、請求項1記載の磁気センサ。
- 前記CoFeBTaの層が、ある濃度の(Co60Fe20B20)100−XTaXを有し、Xが4〜10原子パーセントである、請求項1記載の磁気センサ。
- CoFeBTaの層が、ある濃度のCoFeXBYTaZを有し、Xが60原子パーセント以下であり、Yが30原子パーセント以下であり、Zが15原子パーセント以下である、請求項1記載の磁気センサ。
- 前記磁化自由層構造がCoFeBTaの層を含む、請求項1記載の磁気センサ。
- 前記磁化自由層構造が第1、第2、第3および第4磁性下位層を含み、
前記第1磁性下位層が前記非磁性障壁層に隣接して位置しており、
前記第2磁性下位層が前記第1磁性下位層と接触しており、
前記第3磁性下位層が前記第2磁性下位層と接触しており、
前記第4磁性下位層が前記第3の磁性下位層と接触しており、
前記第3磁性下位層がCoFeBTaを含む、
請求項1記載の磁気センサ。 - 前記磁化自由層構造が第1、第2、第3および第4下位層を含み、
前記第1磁性下位層が前記非磁性障壁層に隣接して位置しており、
前記第2磁性下位層が前記第1磁性下位層と接触しており、
前記第3磁性下位層が前記第2磁性下位層と接触しており、
前記第4磁性下位層が前記第3磁性下位層と接触しており、
前記第1下位層がCoFeを含み、
前記第2下位層がCoFeBを含み、
前記第3下位層がCofeBTaを含み、
前記第4下位層がNiFeを含む、
請求項1記載の磁気センサ。 - 前記磁化固定層構造における前記CoFeBTaの層が、ある濃度の(Co40Fe40B20)100−XTaXを有し、4<X<10原子パーセントであり、
前記自由層構造における前記CoFeBTaの層が、ある濃度の(Co76Fe4B20)(100−X)Ta(X)を有し、4<X<10原子パーセントである、
請求項9記載の磁気センサ。 - 前記磁化固定層構造における前記CoFeBTaの層が、ある濃度の(Co60Fe20B20)(100−X)Ta(X)、4<X<10原子パーセントを有し、
前記自由層構造における前記CoFeBTaの層が、ある濃度のCo76Fe4B20)(100−X)Ta(X)を有し、4<X<10原子パーセントである、
請求項9記載の磁気センサ。 - 前記磁化自由層構造における前記CoFeBTaの層が、ある濃度のCoFeXBYTaZを有し、Xが10原子パーセント以下であり、Yが25原子パーセント以下であり、Zが10原子パーセント以下である、請求項9記載の磁気センサ。
- 第1および第2磁性層構造ならびに前記第1磁性層構造と前記第2磁性層構造との間に挟まれた非磁性結合層を含む磁化固定層構造と、
磁化自由層構造と、
前記磁化自由層構造と前記磁化固定層構造との間に挟まれた非磁性障壁層と、
を備え、
前記磁化自由層構造がCoFeBTaの層を含む、
磁気読み出しセンサ。 - 前記磁化自由層構造が第1、第2、第3および第4下位層を含み、
前記第1磁性下位層が前記非磁性障壁層に隣接して位置しており、
前記第2磁性下位層が前記第1磁性下位層と接触しており、
前記第3磁性下位層が前記第2磁性下位層と接触しており、
前記第4磁性下位層が前記第3磁性下位層と接触しており、
前記第1下位層がCoFeを含み、
前記第2下位層がCoFeBを含み、
前記第3下位層がCofeBTaを含み、
前記第4下位層がNiまたはNiFeXを含み、X<10である、
請求項15記載の磁気センサ。 - 前記CoFeBTaの層が、ある濃度の(Co76Fe4B20)100−XTaXを有し、4<X<10原子パーセントである、請求項15記載の磁気センサ。
- 前記CoFeBTaの層が、ある濃度のCoFeXBYTaZを有し、Xが10原子パーセント以下であり、Yが25原子パーセント以下であり、Zが10原子パーセント以下である、請求項15記載の磁気センサ。
- 第1および第2磁性層構造ならびに前記第1磁性層構造と前記第2磁性層構造との間に挟まれた非磁性結合層を含む磁化固定層構造と、
磁化自由層構造と、
前記磁化自由層構造と前記磁化固定層構造との間に挟まれた非磁性障壁層と、
を備え、
前記磁化自由層構造と前記磁化固定層構造の前記第2磁性層構造のうちの少なくとも1つがCoFeXYの層を含み、XがAlまたはSiであり、YがHf、Zr、NbまたはMoである、
磁気読み出しセンサ。 - 前記自由層が、第1、第2、第3および第4下位層を備え、
前記第1下位層が前記非磁性障壁層の上に形成されており、かつCoFeを含み、
前記第2下位層が前記第1下位層の上に形成されており、かつCoFeBを含み、
前記第3下位層が前記第2下位層の上に形成されており、かつアモルファスCoHfを含み、
前記第4下位層が前記第3下位層の上に形成されており、かつNiFeXを含み、X<10である、
請求項1記載の磁気センサ。 - 磁気メディアと、
アクチュエータと、
前記磁気メディアの表面に隣接した移動のために前記アクチュエータと接続されたスライダと、
前記スライダ上に形成された磁気読み出しセンサと、
を備え、
前記磁気読み出しセンサは、
第1および第2磁性層構造ならびに前記第1磁性層構造と前記第2磁性層構造との間に挟まれた非磁性結合層を含む磁化固定層構造と、
磁化自由層構造と、
前記磁化自由層構造と前記磁化固定層構造との間に挟まれた非磁性障壁層と、
をさらに備え、
前記固定層構造の前記第2磁性層構造がCoFeBTaの層を含む、
磁気データ記録システム。 - 前記磁化自由層構造がCoFeBTaの層を含む、請求項21記載の磁気データ記録システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/275,208 US8817426B2 (en) | 2011-10-17 | 2011-10-17 | Magnetic sensor having CoFeBTa in pinned and free layer structures |
US13/275,208 | 2011-10-17 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013089967A true JP2013089967A (ja) | 2013-05-13 |
JP2013089967A5 JP2013089967A5 (ja) | 2015-11-26 |
JP5897448B2 JP5897448B2 (ja) | 2016-03-30 |
Family
ID=48085820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012228542A Active JP5897448B2 (ja) | 2011-10-17 | 2012-10-16 | 固定層構造および自由層構造にCoFeBTaを有する磁気センサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8817426B2 (ja) |
JP (1) | JP5897448B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016071925A (ja) * | 2014-09-28 | 2016-05-09 | エイチジーエスティーネザーランドビーブイ | MgOトンネル型バリア層およびホウ素の拡散を最少化する窒素含有層を含むトンネル型磁気抵抗(TMR)素子 |
US20190279667A1 (en) * | 2016-12-12 | 2019-09-12 | Western Digital Technologies, Inc. | Spin transfer torque (stt) device with template layer for heusler alloy magnetic layers |
US10867625B1 (en) | 2019-03-28 | 2020-12-15 | Western Digital Technologies, Inc | Spin transfer torque (STT) device with template layer for Heusler alloy magnetic layers |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090122450A1 (en) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Headway Technologies, Inc. | TMR device with low magnetostriction free layer |
JP5862242B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2016-02-16 | ソニー株式会社 | 記憶素子、記憶装置 |
US8947835B2 (en) * | 2011-12-22 | 2015-02-03 | HGST Netherlands B.V. | Tunneling magnetoresistance (TMR) read sensor with a long diffusion path and ex-situ interfaces in a sense layer structure |
US9341685B2 (en) * | 2013-05-13 | 2016-05-17 | HGST Netherlands B.V. | Antiferromagnetic (AFM) grain growth controlled random telegraph noise (RTN) suppressed magnetic head |
US9361913B1 (en) * | 2013-06-03 | 2016-06-07 | Western Digital (Fremont), Llc | Recording read heads with a multi-layer AFM layer methods and apparatuses |
US9121886B2 (en) | 2013-09-25 | 2015-09-01 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistive sensor including an amorphous insertion layer excluding glass former elements |
US9230575B2 (en) | 2013-12-13 | 2016-01-05 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistive sensor with SAF structure having crystalline layer and amorphous layer |
KR102567975B1 (ko) | 2016-07-12 | 2023-08-17 | 삼성전자주식회사 | 자기 소자 |
JP6679455B2 (ja) | 2016-09-20 | 2020-04-15 | キオクシア株式会社 | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
US11031545B2 (en) | 2016-09-30 | 2021-06-08 | Intel Corporation | High stability free layer for perpendicular spin torque transfer memory |
US10950260B1 (en) * | 2020-04-17 | 2021-03-16 | Western Digital Technologies, Inc. | Magnetoresistive sensor with improved magnetic properties and magnetostriction control |
US11152048B1 (en) * | 2020-04-20 | 2021-10-19 | Western Digital Technologies, Inc. | Tunneling metamagnetic resistance memory device and methods of operating the same |
US11200934B2 (en) * | 2020-04-20 | 2021-12-14 | Western Digital Technologies, Inc. | Tunneling metamagnetic resistance memory device and methods of operating the same |
US11430592B2 (en) | 2020-09-24 | 2022-08-30 | Western Digital Technologies, Inc. | Magnetic elements of amorphous based dual free layer structures and recording devices using such elements |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005150292A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 |
JP2007158058A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子 |
JP2008243920A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果再生素子、磁気ヘッド、および磁気再生装置 |
US20090213503A1 (en) * | 2008-02-21 | 2009-08-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Magnetic tunnel junction device |
JP2010166051A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Headway Technologies Inc | 磁気抵抗効果素子およびその形成方法 |
US20110134563A1 (en) * | 2009-12-08 | 2011-06-09 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetoresistive effect head having a multilayered pinned layer or free layer and systems thereof |
JP2011123944A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | Tmrリード・ヘッドの製造方法及びtmr積層体 |
US20110188157A1 (en) * | 2010-02-01 | 2011-08-04 | Headway Technologies, Inc. | TMR device with novel free layer structure |
WO2011121777A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | 株式会社 東芝 | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI222630B (en) | 2001-04-24 | 2004-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetoresistive element and magnetoresistive memory device using the same |
WO2006006420A1 (ja) | 2004-07-12 | 2006-01-19 | Nec Corporation | 磁気抵抗効素子、磁気ランダムアクセスメモリ、磁気ヘッド及び磁気記憶装置 |
US7098495B2 (en) | 2004-07-26 | 2006-08-29 | Freescale Semiconducor, Inc. | Magnetic tunnel junction element structures and methods for fabricating the same |
US7602033B2 (en) | 2007-05-29 | 2009-10-13 | Headway Technologies, Inc. | Low resistance tunneling magnetoresistive sensor with composite inner pinned layer |
WO2008152915A1 (ja) | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Ulvac, Inc. | 磁気デバイスの製造方法、磁気デバイスの製造装置、及び磁気デバイス |
US7978439B2 (en) | 2007-06-19 | 2011-07-12 | Headway Technologies, Inc. | TMR or CPP structure with improved exchange properties |
US20090121710A1 (en) | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Headway Technologies, Inc. | Novel free layer design for TMR/CPP device |
US8270125B2 (en) | 2007-12-18 | 2012-09-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Tunnel junction magnetoresistive sensor having a near zero magnetostriction free layer |
US9040178B2 (en) | 2008-09-22 | 2015-05-26 | Headway Technologies, Inc. | TMR device with novel free layer structure |
US8169753B2 (en) | 2008-11-21 | 2012-05-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Current-perpendicular-to-plane (CPP) read sensor with ferromagnetic amorphous buffer and polycrystalline seed layers |
KR101115039B1 (ko) | 2009-08-21 | 2012-03-07 | 한국과학기술연구원 | 자기터널접합 디바이스 및 그 제조 방법 |
US8564080B2 (en) * | 2010-07-16 | 2013-10-22 | Qualcomm Incorporated | Magnetic storage element utilizing improved pinned layer stack |
-
2011
- 2011-10-17 US US13/275,208 patent/US8817426B2/en active Active
-
2012
- 2012-10-16 JP JP2012228542A patent/JP5897448B2/ja active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005150292A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 |
JP2007158058A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子 |
JP2008243920A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果再生素子、磁気ヘッド、および磁気再生装置 |
US20090213503A1 (en) * | 2008-02-21 | 2009-08-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Magnetic tunnel junction device |
JP2010166051A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Headway Technologies Inc | 磁気抵抗効果素子およびその形成方法 |
US20110134563A1 (en) * | 2009-12-08 | 2011-06-09 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetoresistive effect head having a multilayered pinned layer or free layer and systems thereof |
JP2011123923A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置 |
JP2011123944A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | Tmrリード・ヘッドの製造方法及びtmr積層体 |
US20110188157A1 (en) * | 2010-02-01 | 2011-08-04 | Headway Technologies, Inc. | TMR device with novel free layer structure |
JP2011159973A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Headway Technologies Inc | 磁気抵抗効果素子およびその形成方法 |
WO2011121777A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | 株式会社 東芝 | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016071925A (ja) * | 2014-09-28 | 2016-05-09 | エイチジーエスティーネザーランドビーブイ | MgOトンネル型バリア層およびホウ素の拡散を最少化する窒素含有層を含むトンネル型磁気抵抗(TMR)素子 |
US20190279667A1 (en) * | 2016-12-12 | 2019-09-12 | Western Digital Technologies, Inc. | Spin transfer torque (stt) device with template layer for heusler alloy magnetic layers |
US10566015B2 (en) * | 2016-12-12 | 2020-02-18 | Western Digital Technologies, Inc. | Spin transfer torque (STT) device with template layer for heusler alloy magnetic layers |
US10867625B1 (en) | 2019-03-28 | 2020-12-15 | Western Digital Technologies, Inc | Spin transfer torque (STT) device with template layer for Heusler alloy magnetic layers |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5897448B2 (ja) | 2016-03-30 |
US8817426B2 (en) | 2014-08-26 |
US20130094108A1 (en) | 2013-04-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5897448B2 (ja) | 固定層構造および自由層構造にCoFeBTaを有する磁気センサ | |
US8373948B2 (en) | Tunnel magnetoresistance (TMR) structures with MGO barrier and methods of making same | |
US8427791B2 (en) | Magnetic tunnel junction having a magnetic insertion layer and methods of producing the same | |
US8902544B2 (en) | Spin torque oscillator (STO) reader with soft magnetic side shields | |
US8270125B2 (en) | Tunnel junction magnetoresistive sensor having a near zero magnetostriction free layer | |
US7672089B2 (en) | Current-perpendicular-to-plane sensor with dual keeper layers | |
US9153258B2 (en) | Scissor magnetic read sensor with novel multi-layer bias structure for uniform free layer biasing | |
JP5944192B2 (ja) | タンタル挿入層を使用したtmrセンサ薄膜及びそのシステム | |
JP5852541B2 (ja) | 磁気抵抗センサーのための磁気バイアス構造 | |
JP2014089793A (ja) | 交換結合側面遮蔽構造を備えた面垂直電流(cpp)磁気抵抗(mr)センサ | |
US8648589B2 (en) | Magnetoresistive sensor employing nitrogenated Cu/Ag under-layers with (100) textured growth as templates for CoFe, CoFeX, and Co2(MnFe)X alloys | |
JP2007026645A (ja) | 直交しない自由層および基準層磁化配向を備えたcpp−gmrセンサ | |
JP2012216275A (ja) | 改善された硬質磁性体バイアス構造を備える面垂直電流(cpp)磁気抵抗(mr)センサ | |
GB2525740A (en) | TMR/CPP reader for narrow reader gap application | |
US8988834B2 (en) | Current perpendicular to plane magnetoresistive sensor employing half metal alloys for improved sensor performance | |
GB2523467A (en) | A dual capping layer utilized in a magnetoresistive effect sensor | |
JP2012128939A (ja) | ハードバイアス層用の改善されたシード層構造を備えた面垂直電流(cpp)磁気抵抗(mr)センサ | |
US11170808B1 (en) | Dual free layer reader head with magnetic seed layer decoupled from shield | |
JP2013004166A (ja) | ハードバイアスのシード構造を有する磁気センサ | |
US9099115B2 (en) | Magnetic sensor with doped ferromagnetic cap and/or underlayer | |
US11283006B1 (en) | Methods and apparatus of high moment free layers for magnetic tunnel junctions | |
JP2014107006A (ja) | MgO絶縁層を有するハードマグネットバイアス構造を有する面垂直電流(CPP)磁気抵抗(MR)センサ | |
US8068315B2 (en) | Current perpendicular to plane GMR and TMR sensors with improved magnetic properties using Ru/Si seed layers | |
JP2011210357A (ja) | 膜面垂直通電(cpp)読み取りセンサの縦バイアス積層構造 | |
US8351163B2 (en) | Tunneling magnetoresistance read head having a cofe interface layer and methods for producing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151007 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151007 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20151007 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20151030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160216 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160302 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5897448 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |