JP6679455B2 - 磁気抵抗素子及び磁気メモリ - Google Patents
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Description
第1実施形態による磁気抵抗素子の断面を図1に示す。この第1実施形態による磁気抵抗素子10は、下部電極11と、下地層(第1の層)12と、磁性層14と、非磁性層16と、磁性層18と、上部電極20とがこの順序で積層された構造を有している。また、下地層12、磁性層14、非磁性層16、および磁性層18からなる積層構造の側面に絶縁体からなる保護層19が設けられている。なお、この保護層19は、少なくとも非磁性層16の側面を覆うように設けられていればよい。ここで、側面とは積層構造の積層方向に沿った面であり、積層構造の積層方向に交差する下面および上面と異なる面である。
このように構成された第1実施形態の磁気抵抗素子10への書き込み動作について説明する。説明を簡単に説明するために、この書き込み動作においては、例えば、磁性層14を記憶層、磁性層18を参照層とする。
下部電極11は、低電気抵抗および拡散耐性に優れた材料が用いられることが好ましい。例えば、下部電極11として、低抵抗化するために例えばCuが用いられることが好ましく、拡散耐性を向上させるために例えばTaが用いられることが好ましい。このため、CuをTaで挟んだTa/Cu/Taの積層構造が用いられることがより好ましい。
下地層12は、後述する製造方法において、下地層12、磁性層14、非磁性層16、および磁性層18からなる積層構造の外形形状が画定されるエッチングによって少なくとも非磁性層16の側面に付着した場合に、酸化または窒化し易く、酸化または窒化することにより絶縁性を有しかつ絶縁破壊電圧の高い材料が用いられることが好ましい。例えば、下地層12として、Hf、Zr、Al、Cr、およびMgからなる第1群から選択された少なくとも1つの元素と、Ta、W、Mo、Nb、Si、Ge、Be、Li、Sn、Sb、およびPからなる第2群から選択された少なくとも1つの元素を含むアモルファス層が用いられる。なお、ここでは、アモルファス層は一部に結晶を含んでいてもよい。アモルファス層は平坦性がよく、このアモルファス層上に磁性層を形成する場合、結晶性の高い磁性層を得ることができる。この場合、下地層12は上記第1群から選択された少なくとも1つの元素と上記第2群から選択された少なくとも1つの元素を含む合金層であってもよい。
磁性層14および磁性層18は、一方向異方性を有することが好ましい。その実効膜厚は0.1nmから20nmであることが好ましい。ここで、実効膜厚とは磁気デッド層膜厚を差し引いた、磁気秩序を有する領域のみを換算した膜厚である。更に、これらの磁性層の実効膜厚は、超常磁性にならない程度の厚さが必要であり、0.4nm以上であることがより望ましい。磁性層14または磁性層18として、ホイスラー合金、例えばCo2FeAl1−xSix、またはCo2Mn1−xFexSiなどを用いることができる。
また、上記磁性層14,18としては、GeMn、SiCNi、SiCMn、SiCFe、ZnMnTe、ZnCrTe、BeMnTe、ZnVO、ZnMnO、ZnCoO、GaMnAs、InMnAs、InMnAb、GaMnP、GaMnN、GaCrN、AlCrN、BiFeTe、SbVTe、PbSnMnTe、GeMnTe、CdMnGeP、ZnSiNMn、ZnGeSiNMn、BeTiFeO、CdMnTe、ZnMnS、TiCoO、SiMn、SiGeMnなどの磁性半導体を用いてもよい。
非磁性層16は、非磁性材料からなり、非磁性金属、非磁性半導体、絶縁体等を用いることができる。非磁性層16として、絶縁体が用いられた場合は、トンネルバリア層となり、磁気抵抗素子10は、MTJ素子となる。また、非磁性層16として、例えば、厚さが1nm程度のMgOを用いることができる。この場合、高いMR比を得ることが可能になる。
保護層19は、下地層12に含まれる元素と同種の元素を少なくとも1つ含む絶縁材料で形成されている。つまり、保護層19は、下地層12に含まれる元素、例えばHf、Zr、Al、Cr、およびMgからなる群から選択された少なくとも1つの元素を含んだ絶縁材料、または下地層12に含まれるHf、Zr、Al、Cr、およびMgからなる群から選択された少なくとも1つの元素とBとを含む絶縁材料で形成される。保護層19は、下地層12を構成する材料に対して酸化または窒化をすることで絶縁化しており、下地層12を構成する材料に酸素(O)、または窒素(N)を含有した材料で構成される。なお、保護層19の酸化物、窒化物は、価数状態に関わりなく、絶縁性が確保されていれば良い。
上部電極20は、電極としての機能の他、磁気抵抗素子10をパターニングする際のマスクとしても用いられる。このため、上部電極20としては、低電気抵抗および拡散耐性に優れた材料で、かつ、エッチング耐性またはミリング耐性に優れた材料が望まれる。例えば、上部電極20として、Ta/Ruの積層膜が用いられる。
第1実施形態の変形例による磁気抵抗素子の断面を図2に示す。この変形例による磁気抵抗素子10Aは、図1に示す第1実施形態の磁気抵抗素子10において、下地層(第1の層)12は下地層(第2の層)12aと、この下地層12a上に配置された下地層(第3の層)12bと、を有する積層構造を備えている。
次に、第1実施形態の変形例の磁気抵抗素子10の製造方法について、図3(a)乃至図3(c)を参照して説明する。すなわち、下地層12は、図2に示すように、下地層12aと下地層12bとを有する積層構造を備えている。
第2実施形態による磁気抵抗素子の断面を図5に示す。この第2実施形態の磁気抵抗素子10Bは、図1に示す第1実施形態の磁気抵抗素子10において、磁性層14を磁性層14Aに置き換えた構成を有している。
第3実施形態による磁気抵抗素子の断面を図6に示す。この第3実施形態の磁気抵抗素子10Cは、図5に示す第2実施形態の磁気抵抗素子10Bにおいて、下地層12と磁性層14aとの間に層(第5の層)13が配置された構成を有している。
第4実施形態による磁気抵抗素子の断面を図7に示す。この第4実施形態の磁気抵抗素子10Dは、図6に示す第3実施形態の磁気抵抗素子10Cにおいて、層13の代わりに層(第5の層)13aが配置された構成を有している。
第5実施形態による磁気抵抗素子の断面を図8に示す。この第5実施形態の磁気抵抗素子10Eは、図1に示す第1実施形態の磁気抵抗素子10において、磁性層14の代わりに磁性層14Bに置き換えるとともに、下地層12の代わりに第3実施形態で説明した層13に置き換えた構成を有している。
(第6実施形態)
第6実施形態による磁気抵抗素子の断面を図9に示す。この第6実施形態の磁気抵抗素子10Fは、図8に示す第5実施形態の磁気抵抗素子10Eにおいて、磁性層14Bを磁性層14Cに置き換えた構成を有している。
次に、第7実施形態による磁気メモリ(MRAM)について説明する。
Claims (6)
- Hf、Zr、Al、Cr、およびMgからなる第1群のうちの少なくとも1つの元素と、Ta、W、Mo、Nb、Si、Ge、Be、Li、Sn、Sb、およびPからなる第2群のうちの少なくとも1つの元素とを含む第1の層と、
第1磁性層と、
前記第1の層と前記第1磁性層との間に配置された第2磁性層と、
前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に配置された非磁性層と、
少なくとも前記非磁性層の側面に配置され前記第1群のうちの少なくとも1つの元素を含む絶縁層と、
前記第1の層と前記第2磁性層との間に配置され、Hf、Zr、Al、Cr、およびMgのうちの1つの元素を含むか、または、Ru、Pt、Pd、Mo、W、およびTiのうちの少なくとも1つの元素を含む第2の層と、
を備え、
前記第2磁性層は、第3磁性層と、前記第3磁性層と前記非磁性層との間に配置された第4磁性層と、前記第3磁性層と前記第4磁性層との間に配置された第3の層と、を備え、前記第3磁性層は、FeまたはMnGaを含むL1 0 構造の合金、Coを含む人工格子、CoCrPt、DO 22 構造のMnGa合金、および希土類磁性化合物のうちの少なくとも1つを含み、前記第3の層は、B、Zr、Hf、Ta、Nb、Mo、W、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Ru、Ag、Mg、および希土類元素のうちの少なくとも1つの元素を含む、磁気抵抗素子。 - Hf、Zr、Al、Cr、およびMgからなる第1群のうちの少なくとも1つの元素と、Ta、W、Mo、Nb、Si、Ge、Be、Li、Sn、Sb、およびPからなる第2群のうちの少なくとも1つの元素とを含む第1の層と、
第1磁性層と、
前記第1の層と前記第1磁性層との間に配置された第2磁性層と、
前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に配置された非磁性層と、
少なくとも前記非磁性層の側面に配置され前記第1群のうちの少なくとも1つの元素を含む絶縁層と、
前記第1の層と前記第2磁性層との間に配置され、Hf、Zr、Al、Cr、Ti、Sc、およびMgのうちの1つの元素の窒化物を含む、第2の層と、
を備え、
前記第2磁性層は、第3磁性層と、前記第3磁性層と前記非磁性層との間に配置された第4磁性層と、前記第3磁性層と前記第4磁性層との間に配置された第3の層と、を備え、前記第3磁性層は、FeまたはMnGaを含むL1 0 構造の合金、Coを含む人工格子、CoCrPt、DO 22 構造のMnGa合金、および希土類磁性化合物のうちの少なくとも1つを含み、前記第3の層は、B、Zr、Hf、Ta、Nb、Mo、W、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Ru、Ag、Mg、および希土類元素のうちの少なくとも1つの元素を含む、磁気抵抗素子。 - 前記第1の層は、前記第1群のうちの少なくとも1つの元素と、前記第2群のうちの少なくとも1つの元素との合金を含む請求項1または2記載の磁気抵抗素子。
- 前記第1の層は、第1領域と、前記第1領域と前記第2磁性層との間に位置する第2領域と、を有し、前記第2群のうちの少なくとも1つの元素は、前記第1領域よりも第2領域において高い濃度を有する請求項1または2記載の磁気抵抗素子。
- 前記第1の層は、前記第1群のうちの少なくとも1つの元素を含む第4の層と、前記第2群のうちの少なくとも1つの元素を含む第5の層とが積層された積層構造を有している請求項1または2記載の磁気抵抗素子。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載の磁気抵抗素子と、
前記磁気抵抗素子の前記第1磁性層に電気的に接続された第1配線と、
前記磁気抵抗素子の前記第2磁性層に電気的に接続された第2配線と、
を備えた磁気メモリ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016183305A JP6679455B2 (ja) | 2016-09-20 | 2016-09-20 | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
TW106104889A TWI680596B (zh) | 2016-09-20 | 2017-02-15 | 磁阻元件以及磁性記憶體 |
CN201710109768.6A CN107845725B (zh) | 2016-09-20 | 2017-02-28 | 磁阻元件和磁存储器 |
US15/445,221 US20180083065A1 (en) | 2016-09-20 | 2017-02-28 | Magnetoresistive element and magnetic memory |
US16/103,678 US10707268B2 (en) | 2016-09-20 | 2018-08-14 | Magnetoresistive element and magnetic memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016183305A JP6679455B2 (ja) | 2016-09-20 | 2016-09-20 | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018049880A JP2018049880A (ja) | 2018-03-29 |
JP6679455B2 true JP6679455B2 (ja) | 2020-04-15 |
Family
ID=61621278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016183305A Active JP6679455B2 (ja) | 2016-09-20 | 2016-09-20 | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20180083065A1 (ja) |
JP (1) | JP6679455B2 (ja) |
CN (1) | CN107845725B (ja) |
TW (1) | TWI680596B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019057636A (ja) | 2017-09-21 | 2019-04-11 | 東芝メモリ株式会社 | 磁気記憶装置 |
JP2020043201A (ja) * | 2018-09-10 | 2020-03-19 | キオクシア株式会社 | 磁気記憶装置及びその製造方法 |
KR102604743B1 (ko) * | 2018-12-11 | 2023-11-22 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 장치 |
JP2021044359A (ja) * | 2019-09-10 | 2021-03-18 | キオクシア株式会社 | 磁気記憶装置 |
JP7055935B2 (ja) * | 2019-12-19 | 2022-04-18 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子および強磁性層の結晶化方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6127045A (en) * | 1998-05-13 | 2000-10-03 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction device with optimized ferromagnetic layer |
WO2003092083A1 (fr) * | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Element magnetoresistant |
JP4738395B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2011-08-03 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ |
JP4649457B2 (ja) | 2007-09-26 | 2011-03-09 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
US8743593B2 (en) * | 2008-12-10 | 2014-06-03 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistance effect element and magnetic memory cell and magnetic random access memory using same |
JP5491757B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2014-05-14 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗素子および磁気メモリ |
US8817426B2 (en) | 2011-10-17 | 2014-08-26 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic sensor having CoFeBTa in pinned and free layer structures |
JP5895610B2 (ja) | 2012-03-07 | 2016-03-30 | 富士通株式会社 | 磁気抵抗メモリおよび磁気抵抗メモリの製造方法 |
JP2013201343A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP5514256B2 (ja) | 2012-05-18 | 2014-06-04 | 株式会社東芝 | 磁気記憶素子及びその製造方法 |
JP5680045B2 (ja) * | 2012-11-14 | 2015-03-04 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
KR20150102302A (ko) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치 및 그 제조 방법 |
KR20160073782A (ko) * | 2014-12-17 | 2016-06-27 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치 및 그 제조 방법 |
US10490741B2 (en) | 2013-06-05 | 2019-11-26 | SK Hynix Inc. | Electronic device and method for fabricating the same |
US9281468B2 (en) | 2013-06-17 | 2016-03-08 | Imec | Magnetic memory element |
US20150069554A1 (en) | 2013-09-06 | 2015-03-12 | Masahiko Nakayama | Magnetic memory and method of manufacturing the same |
JP6135018B2 (ja) * | 2014-03-13 | 2017-05-31 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗素子および磁気メモリ |
JP6320812B2 (ja) * | 2014-03-19 | 2018-05-09 | 株式会社東芝 | 圧力センサの製造方法、成膜装置及び熱処理装置 |
US9184375B1 (en) | 2014-07-03 | 2015-11-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetic junctions using asymmetric free layers and suitable for use in spin transfer torque memories |
JP6054479B2 (ja) | 2015-06-30 | 2016-12-27 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、磁気メモリ、磁界センサ |
-
2016
- 2016-09-20 JP JP2016183305A patent/JP6679455B2/ja active Active
-
2017
- 2017-02-15 TW TW106104889A patent/TWI680596B/zh active
- 2017-02-28 CN CN201710109768.6A patent/CN107845725B/zh active Active
- 2017-02-28 US US15/445,221 patent/US20180083065A1/en not_active Abandoned
-
2018
- 2018-08-14 US US16/103,678 patent/US10707268B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018049880A (ja) | 2018-03-29 |
US20180083065A1 (en) | 2018-03-22 |
US10707268B2 (en) | 2020-07-07 |
CN107845725B (zh) | 2020-08-21 |
TWI680596B (zh) | 2019-12-21 |
CN107845725A (zh) | 2018-03-27 |
TW201814929A (zh) | 2018-04-16 |
US20180374894A1 (en) | 2018-12-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20170605 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20180904 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181004 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190913 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191105 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200318 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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