JP2013089967A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 磁気センサであって、
   第１磁性層構造、第２磁性層構造、および前記第１磁性層構造と前記第２磁性層構造との間に挟まれた非磁性結合層を含む磁化固定層構造、
   磁化自由層構造、
   前記磁化自由層構造と前記磁化固定層構造との間に挟まれた非磁性障壁層、
   を備え、
   前記磁化固定層構造の前記第２磁性層構造は、第１、第２、第３および第４磁性下位層を備え、
   前記第１磁性下位層がＣｏを含み、かつ前記非磁性結合層に隣接して位置しており、
   前記第２磁性下位層がＣｏＦｅＢＴａを含み、かつ前記第１磁性下位層と接触しており、
   前記第３磁性下位層がＣｏＦｅＢを含み、かつ前記第２磁性下位層と接触しており、
   前記第４磁性下位層が前記第３磁性下位層と接触しており、かつＣｏＦｅを含む、
   磁気センサ。
2. 前記磁化固定層構造の前記第２磁性層構造が前記非磁性障壁層に隣接して位置する、
   請求項１記載の磁気センサ。
3. 前記磁化自由層構造が第１、第２、第３および第４自由下位層を含み、
   前記第１自由下位層が前記非磁性障壁層上に形成されるとともにＣｏＦｅを含み、
   前記第２自由下位層が前記第１自由下位層上に形成されるとともにＣｏＦｅＢを含み、
   前記第３自由下位層が前記第２自由下位層上に形成されるとともにＣｏＨｆを含み、
   前記第４自由下位層が前記第３自由下位層上に形成されるとともにＮｉＦｅ_ｘを含み、ｘ＜１０である、
   請求項１記載の磁気センサ。
4. 前記第２磁性下位層が４〜６オングストロームの厚さを有する、
   請求項１記載の磁気センサ。
5. 前記第１磁性下位層が約５オングストロームの厚さを有し、前記第２磁性下位層が約５オングストロームの厚さを有し、前記第３磁性下位層が約５オングストロームの厚さを有し、前記第４磁性下位層が約４．５オングストロームの厚さを有する、
   請求項１記載の磁気センサ。
6. 前記ＣｏＦｅＢＴａの層が、ある濃度の（Ｃｏ_４０Ｆｅ_４０Ｂ_２０）_{１００−Ｘ}Ｔａ_Ｘを有し、Ｘが４〜１０の原子パーセントである、請求項１記載の磁気センサ。
7. 前記ＣｏＦｅＢＴａの層が、ある濃度の（Ｃｏ_６０Ｆｅ_２０Ｂ_２０）_{１００−Ｘ}Ｔａ_Ｘを有し、Ｘが４〜１０原子パーセントである、請求項１記載の磁気センサ。
8. 前記ＣｏＦｅＢＴａの層が、ある濃度のＣｏＦｅ_ＸＢ_ＹＴａ_Ｚを有し、Ｘが６０原子パーセント以下であり、Ｙが３０原子パーセント以下であり、Ｚが１５原子パーセント以下である、請求項１記載の磁気センサ。
9. 前記磁化自由層構造がＣｏＦｅＢＴａの層を含む、請求項１記載の磁気センサ。
10. 前記磁化自由層構造が第１、第２、第３および第４磁化自由下位層を含み、
    前記第１磁化自由下位層が前記非磁性障壁層に隣接して位置しており、
    前記第２磁化自由下位層が前記第１磁化自由下位層と接触しており、
    前記第３磁化自由下位層が前記第２磁化自由下位層と接触しており、
    前記第４磁化自由下位層が前記第３磁化自由下位層と接触しており、
    前記第３磁化自由下位層がＣｏＦｅＢＴａを含む、
    請求項１記載の磁気センサ。
11. 前記磁化自由層構造が第１、第２、第３および第４磁化自由下位層を含み、
    前記第１磁化自由下位層が前記非磁性障壁層に隣接して位置しており、
    前記第２磁化自由下位層が前記第１磁化自由下位層と接触しており、
    前記第３磁化自由下位層が前記第２磁化自由下位層と接触しており、
    前記第４磁化自由下位層が前記第３磁化自由下位層と接触しており、
    前記第１磁化自由下位層がＣｏＦｅを含み、
    前記第２磁化自由下位層がＣｏＦｅＢを含み、
    前記第３磁化自由下位層がＣｏＦｅＢＴａを含み、
    前記第４磁化自由下位層がＮｉＦｅを含む、
    請求項１記載の磁気センサ。
12. 前記磁化固定層構造における前記ＣｏＦｅＢＴａの層が、ある濃度の（Ｃｏ_４０Ｆｅ_４０Ｂ_２０）_{１００−Ｘ}Ｔａ_Ｘを有し、４＜Ｘ＜１０原子パーセントであり、
    前記磁化自由層構造における前記ＣｏＦｅＢＴａの層が、ある濃度の（Ｃｏ_７６Ｆｅ_４Ｂ_２０）_{（１００−Ｘ）}Ｔａ_（Ｘ）を有し、４＜Ｘ＜１０原子パーセントである、
    請求項９記載の磁気センサ。
13. 前記磁化固定層構造における前記ＣｏＦｅＢＴａの層が、ある濃度の（Ｃｏ_６０Ｆｅ_２０Ｂ_２０）_{（１００−Ｘ）}Ｔａ_（Ｘ）、４＜Ｘ＜１０原子パーセントを有し、
    前記磁化自由層構造における前記ＣｏＦｅＢＴａの層が、ある濃度のＣｏ_７６Ｆｅ_４Ｂ_２０）_{（１００−Ｘ）}Ｔａ_（Ｘ）を有し、４＜Ｘ＜１０原子パーセントである、
    請求項９記載の磁気センサ。
14. 前記磁化自由層構造における前記ＣｏＦｅＢＴａの層が、ある濃度のＣｏＦｅ_ＸＢ_ＹＴａ_Ｚを有し、Ｘが１０原子パーセント以下であり、Ｙが２５原子パーセント以下であり、Ｚが１０原子パーセント以下である、請求項９記載の磁気センサ。
15. 磁気データ記録システムであって、
    磁気メディア、
    アクチュエータ、
    前記磁気メディアの表面に隣接した移動のために前記アクチュエータと接続されたスライダ、
    前記スライダ上に形成された磁気読み出しセンサ、
    を備え、
    前記磁気読み出しセンサは、
    第１磁性層構造、第２磁性層構造、および前記第１磁性層構造と前記第２磁性層構造との間に挟まれた非磁性結合層を含む磁化固定層構造、
    磁化自由層構造、
    前記磁化自由層構造と前記磁化固定層構造との間に挟まれた非磁性障壁層、
    をさらに備え、
    前記磁化固定層構造の前記第２磁性層構造は、第１、第２、第３および第４磁性下位層を備え、
    前記第１磁性下位層がＣｏを含み、かつ前記非磁性結合層に隣接して位置しており、
    前記第２磁性下位層がＣｏＦｅＢＴａを含み、かつ前記第１磁性下位層と接触しており、
    前記第３磁性下位層がＣｏＦｅＢを含み、かつ前記第２磁性下位層と接触しており、
    前記第４磁性下位層が前記第３磁性下位層と接触しており、かつＣｏＦｅを含む、
    磁気データ記録システム。
16. 前記磁化自由層構造がＣｏＦｅＢＴａの層を含む、請求項１５記載の磁気データ記録システム。