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  1. 基板と、
    前記基板上にあり、反強磁性材料の層と、半金属強磁性体ホイスラー合金の層と、前記反強磁性材料と前記合金に接触しかつその間に配置された強磁性材料の層と、を有する交換結合構造と、を有し、
    前記合金は、Ｃｏ ２ Ｆｅ ｘ Ｃｒ (1-ｘ) Ａｌであり、ここでＸは０と１の間であることを特徴とする磁気抵抗素子。
  2. 前記反強磁性材料は、ＰｔＭｎ、ＰｄＰｔＭｎ、ＲｕＭｎ、ＮｉＭｎ、ＩｒＭｎ、ＩｒＭｎＣｒ、ＦｅＭｎ、ＮｉＯ及びＣｏＯからなるグループから選択された材料であることを特徴とする請求項１記載の素子。
  3. 前記強磁性材料は、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅの１つ以上の合金であることを特徴とする請求項１記載の素子。
  4. 前記Ｘは、ほぼ０．６であることを特徴とする請求項１記載の素子。
  5. 前記素子は、面直交電流磁気抵抗センサであることを特徴とする請求項１記載の素子。
  6. 前記素子は、面内電流磁気抵抗センサであることを特徴とする請求項１記載の素子。
  7. 前記素子は、磁気記録読み出しヘッドであることを特徴とする請求項１記載の素子。
  8. 前記素子は、磁気トンネル接合素子であることを特徴とする請求項１記載の素子。
  9. 前記磁気トンネル接合素子は、メモリセルであることを特徴とする請求項８記載の素子。
  10. 前記磁気トンネル接合素子は、磁気記録読み出しヘッドであることを特徴とする請求項８記載の素子。
  11. 基板と、
    前記基板上にあり、磁界の存在下で磁気モーメントが実質的に自由に回転する強磁性体層と、
    前記基板上にあり、反強磁性材料の層と、半金属強磁性体ホイスラー合金の層と、前記反強磁性材料と前記合金に接触しかつその間に配置されており、磁気モーメントが前記反強磁性体層との交換バイアスにより固定されている強磁性材料の層と、を有する交換結合構造と、
    前記自由強磁性体層と半金属強磁性体合金層に接触しかつその間に配置された非磁性スペーサ層と、
    を有し、
    前合金は、Ｃｏ ２ Ｆｅ ｘ Ｃｒ (1-ｘ) Ａｌであり、ここでＸは０と１の間であることを特徴とする磁気抵抗素子。
  12. 前記交換結合構造は前記基板と前記スペーサ層の間に配置され、前記自由強磁性体層は前記スペーサ層の上に設けられていることを特徴とする請求項１１記載の素子。
  13. 前記自由強磁性体層は前記基板と前記スペーサ層の間に配置され、前記交換結合構造は前記スペーサ層の上に設けられていることを特徴とする請求項１１記載の素子。
  14. 前記素子は磁気トンネル接合素子であり、前記スペーサ層は電気的絶縁体であることを特徴とする請求項１１記載の素子。
  15. 前記磁気トンネル接合素子は、メモリセルであることを特徴とする請求項１４記載の素子。
  16. 前記磁気トンネル接合素子は、磁気記録読み出しヘッドであることを特徴とする請求項１４記載の素子。
  17. 前記スペーサ層は、導電体であることを特徴とする請求項１１記載の素子。
  18. 前記素子は、面内電流スピン・バルブ磁気記録読み出しヘッドであることを特徴とする請求項１７記載の素子。
  19. 前記素子は、面直交電流スピン・バルブ磁気記録読み出しヘッドであることを特徴とする請求項１７記載の素子。
  20. 前記反強磁性材料は、ＰｔＭｎ、ＰｄＰｔＭｎ、ＲｕＭｎ、ＮｉＭｎ、ＩｒＭｎ、ＩｒＭｎＣｒ、ＦｅＭｎ、ＮｉＯ及びＣｏＯからなるグループの中から選択された材料であることを特徴とする請求項１１記載の素子。
  21. 前記強磁性材料は、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅのうち１つ以上の合金であることを特徴とする請求項１１記載の素子。
  22. 前記Ｘは、ほぼ０．６であることを特徴とする請求項１１記載の素子。
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