JPH07147437A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
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- JPH07147437A JPH07147437A JP5292856A JP29285693A JPH07147437A JP H07147437 A JPH07147437 A JP H07147437A JP 5292856 A JP5292856 A JP 5292856A JP 29285693 A JP29285693 A JP 29285693A JP H07147437 A JPH07147437 A JP H07147437A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ホイスラー合金層２と非磁性層３とが交互に
積層された積層体４を基板１上に形成して磁気抵抗効果
素子とする。 【効果】 小さな積層数で大きな磁気抵抗変化率が得ら
れ、飽和磁界も比較的小さく、しかも磁気抵抗効果曲線
のヒステリシスが小さくなる。
積層された積層体４を基板１上に形成して磁気抵抗効果
素子とする。 【効果】 小さな積層数で大きな磁気抵抗変化率が得ら
れ、飽和磁界も比較的小さく、しかも磁気抵抗効果曲線
のヒステリシスが小さくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は超薄膜の積層体、いわ
ゆる人工格子膜を利用した磁気抵抗効果素子に関する。
ゆる人工格子膜を利用した磁気抵抗効果素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果は印加磁界により抵抗が変
化する効果である。このような磁気抵抗効果を利用した
磁気抵抗効果素子は高感度であり、比較的大きな出力を
得ることができるため、磁界センサや磁気ヘッドとして
利用されている。
化する効果である。このような磁気抵抗効果を利用した
磁気抵抗効果素子は高感度であり、比較的大きな出力を
得ることができるため、磁界センサや磁気ヘッドとして
利用されている。
【０００３】従来、磁気抵抗効果素子としてはパーマロ
イ合金薄膜が広く用いられている。しかしパーマロイ合
金薄膜の磁気抵抗変化率は２％〜３％程度であり、十分
な感度が得られないという問題がある。
イ合金薄膜が広く用いられている。しかしパーマロイ合
金薄膜の磁気抵抗変化率は２％〜３％程度であり、十分
な感度が得られないという問題がある。
【０００４】一方、最近、新しい磁気抵抗効果素子とし
て、数オングストローム（以下Ａとする）から十数Ａの
厚さの磁性層（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉおよびそれらの合金）
と非磁性層（Ｃｕ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｒｕなど）とを交互に
積層させた積層体、いわゆる人工格子膜が注目されてい
る。このような人工格子膜としては、（Ｆｅ／Ｃｒ）ｎ
（Phys.Rev.Lett., 61,2472(1988))，（パーマロイ／Ｃ
ｕ／Ｃｏ／Ｃｕ）ｎ（J.Phys.Soc.Jpn., 59,3061(199
0)) ，（Ｃｏ／Ｃｕ）ｎ（J.Mag.Mag.Mater.,94,L1,(19
91)，Phys.Rev.Lett., 66,22152(1991)) ，（Ｃｏ−Ｆ
ｅ／Ｃｕ）ｎ（Japan J.Appl.Phys., 30,L1733(1991))
などが知られている。
て、数オングストローム（以下Ａとする）から十数Ａの
厚さの磁性層（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉおよびそれらの合金）
と非磁性層（Ｃｕ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｒｕなど）とを交互に
積層させた積層体、いわゆる人工格子膜が注目されてい
る。このような人工格子膜としては、（Ｆｅ／Ｃｒ）ｎ
（Phys.Rev.Lett., 61,2472(1988))，（パーマロイ／Ｃ
ｕ／Ｃｏ／Ｃｕ）ｎ（J.Phys.Soc.Jpn., 59,3061(199
0)) ，（Ｃｏ／Ｃｕ）ｎ（J.Mag.Mag.Mater.,94,L1,(19
91)，Phys.Rev.Lett., 66,22152(1991)) ，（Ｃｏ−Ｆ
ｅ／Ｃｕ）ｎ（Japan J.Appl.Phys., 30,L1733(1991))
などが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような人工格子膜
は従来のパーマロイ薄膜と比較して大きな磁気抵抗効果
を有する。しかし大きな磁気抵抗効果を得るためには積
層数ｎを大きくする必要があった。そのため成膜に時間
がかかったり、特性のばらつきが多かったりするという
問題があった。また飽和磁界Ｈｓ（抵抗値が飽和する磁
界）が、パーマロイの数Ｏｅに対しｋＯｅ単位と大き
く、さらに磁気抵抗効果曲線のヒステリシスが大きいと
いう欠点もあった。なお積層数ｎ＝３と小さいと磁気抵
抗変化率が４％〜１２％，飽和磁界Ｈｓが３００Ｏｅ〜
５００Ｏｅ程度になる。
は従来のパーマロイ薄膜と比較して大きな磁気抵抗効果
を有する。しかし大きな磁気抵抗効果を得るためには積
層数ｎを大きくする必要があった。そのため成膜に時間
がかかったり、特性のばらつきが多かったりするという
問題があった。また飽和磁界Ｈｓ（抵抗値が飽和する磁
界）が、パーマロイの数Ｏｅに対しｋＯｅ単位と大き
く、さらに磁気抵抗効果曲線のヒステリシスが大きいと
いう欠点もあった。なお積層数ｎ＝３と小さいと磁気抵
抗変化率が４％〜１２％，飽和磁界Ｈｓが３００Ｏｅ〜
５００Ｏｅ程度になる。
【０００６】本発明は、上記のような従来技術の欠点を
除去し、積層数ｎが少なくても大きな磁気抵抗効果を持
ち、飽和磁界Ｈｓ，ヒステリシスが小さい磁気抵抗効果
素子を提供することを目的とする。
除去し、積層数ｎが少なくても大きな磁気抵抗効果を持
ち、飽和磁界Ｈｓ，ヒステリシスが小さい磁気抵抗効果
素子を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、上記
課題を解決するために、磁性層と非磁性層とが磁気抵抗
効果を有するように積層された積層体を備えた磁気抵抗
効果素子において、磁性層がホイスラー合金で構成され
ていることを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。
課題を解決するために、磁性層と非磁性層とが磁気抵抗
効果を有するように積層された積層体を備えた磁気抵抗
効果素子において、磁性層がホイスラー合金で構成され
ていることを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。
【０００８】ホイスラー合金は一般式Ｘ2 ＹＺ（Ｘは遷
移金属，ＹはＭｎ，Ｚは非磁性元素）という組成であ
り、ホイスラー型構造と呼ばれる規則格子を持つ体心立
方晶の合金である。ここでＭｎの一部は、ホイスラー型
構造の規則格子が保たれる限りは、Ｘ，Ｚと置換しても
良い。なおＸ：Ｙ：Ｚの比率は強磁性が保たれる範囲で
多少ずれても良い。この合金ではＭｎの３ｄバンドの一
方は↑スピン（マジョリティスピン）電子で完全に占め
られ、他方の↓スピン（マイノリティ）バンドは完全に
空になっており、磁気モーメントが大きい。
移金属，ＹはＭｎ，Ｚは非磁性元素）という組成であ
り、ホイスラー型構造と呼ばれる規則格子を持つ体心立
方晶の合金である。ここでＭｎの一部は、ホイスラー型
構造の規則格子が保たれる限りは、Ｘ，Ｚと置換しても
良い。なおＸ：Ｙ：Ｚの比率は強磁性が保たれる範囲で
多少ずれても良い。この合金ではＭｎの３ｄバンドの一
方は↑スピン（マジョリティスピン）電子で完全に占め
られ、他方の↓スピン（マイノリティ）バンドは完全に
空になっており、磁気モーメントが大きい。
【０００９】ホイスラー合金におけるＸ元素はホイスラ
ー合金を形成した時にホイスラー合金が強磁性を示す遷
移金属であれば何でも良いが、Ｃｕ，Ｃｏ，Ｎｉを用い
たものが特に良好な積層体を作製しやすい。またＺ元素
としてはＡｌ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｓｉ，Ｇｅな
どを用いることができる。一方、非磁性層はホイスラー
合金と格子定数がマッチングするものであれば何でも良
い。特にＣｕ，Ａｇ，Ａｕは抵抗が小さいので、大きな
磁気抵抗効果が得られる点で優れている。
ー合金を形成した時にホイスラー合金が強磁性を示す遷
移金属であれば何でも良いが、Ｃｕ，Ｃｏ，Ｎｉを用い
たものが特に良好な積層体を作製しやすい。またＺ元素
としてはＡｌ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｓｉ，Ｇｅな
どを用いることができる。一方、非磁性層はホイスラー
合金と格子定数がマッチングするものであれば何でも良
い。特にＣｕ，Ａｇ，Ａｕは抵抗が小さいので、大きな
磁気抵抗効果が得られる点で優れている。
【００１０】実質的に磁場を印加しない状態で非磁性層
を介して隣合う磁性層が反強磁性的に結合している場
合、磁気抵抗変化率が高くなる。反強磁性的結合とは、
磁性層の磁気モーメントが、隣合う磁性層間で逆向きで
あるように結合していることをいう。このような時、磁
気モーメントが適当に大きければ磁気抵抗変化率はより
高くなる。
を介して隣合う磁性層が反強磁性的に結合している場
合、磁気抵抗変化率が高くなる。反強磁性的結合とは、
磁性層の磁気モーメントが、隣合う磁性層間で逆向きで
あるように結合していることをいう。このような時、磁
気モーメントが適当に大きければ磁気抵抗変化率はより
高くなる。
【００１１】本発明者は、以上のような知見に基づき、
ホイスラー合金層と非磁性層との積層体を作製したとこ
ろ、非常に大きな磁気抵抗効果が得られることを見い出
した。この場合、積層数は小さくても良く、例えばサン
ドイッチ膜のようなものでも大きな磁気抵抗効果が得ら
れる。以下、この発明について詳細に説明する。
ホイスラー合金層と非磁性層との積層体を作製したとこ
ろ、非常に大きな磁気抵抗効果が得られることを見い出
した。この場合、積層数は小さくても良く、例えばサン
ドイッチ膜のようなものでも大きな磁気抵抗効果が得ら
れる。以下、この発明について詳細に説明する。
【００１２】この発明に係る磁気抵抗効果素子は例えば
図１に示すように、ホイスラー合金層２と、非磁性層３
とを交互に積層してなる積層体４であり、基板１に、ホ
イスラー合金層２と、非磁性層３とのペアをｎ回積層す
ることにより構成される。この場合、図１に示すように
ホイスラー合金層２を先に形成しても良いし、逆に非磁
性層３を先に形成しても良い。また基板１の上に磁気抵
抗変化率を高めるために予めＦｅ等のバッファ層を形成
し、その上に上記積層体４を形成しても良い。またホイ
スラー合金層２、非磁性層３の膜厚はそれぞれ５Ａ〜１
００Ａ，２Ａ〜１００Ａ程度が好ましい。
図１に示すように、ホイスラー合金層２と、非磁性層３
とを交互に積層してなる積層体４であり、基板１に、ホ
イスラー合金層２と、非磁性層３とのペアをｎ回積層す
ることにより構成される。この場合、図１に示すように
ホイスラー合金層２を先に形成しても良いし、逆に非磁
性層３を先に形成しても良い。また基板１の上に磁気抵
抗変化率を高めるために予めＦｅ等のバッファ層を形成
し、その上に上記積層体４を形成しても良い。またホイ
スラー合金層２、非磁性層３の膜厚はそれぞれ５Ａ〜１
００Ａ，２Ａ〜１００Ａ程度が好ましい。
【００１３】上記積層体４は分子線エピタキシー（ＭＢ
Ｅ）法、超高真空スパッタ法などの超高真空下で作製す
る方法のほかに、ＲＦマグネトロンスパッタ法、イオン
ビームスパッタ法、蒸着法などの通常の薄膜形成技術で
も作製できる。このようにして作製した磁気抵抗効果素
子５は図２に示すように、電極６を両端につないで、磁
界センサや磁気ヘッドとして利用できる。
Ｅ）法、超高真空スパッタ法などの超高真空下で作製す
る方法のほかに、ＲＦマグネトロンスパッタ法、イオン
ビームスパッタ法、蒸着法などの通常の薄膜形成技術で
も作製できる。このようにして作製した磁気抵抗効果素
子５は図２に示すように、電極６を両端につないで、磁
界センサや磁気ヘッドとして利用できる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 （実施例１）この実施例においては、ホイスラー合金層
２をＣｕ2 ＭｎＡｌとし、非磁性層３をＣｕとして、イ
オンビームスパッタ法を用いて積層体４を作製した例に
ついて示す。
２をＣｕ2 ＭｎＡｌとし、非磁性層３をＣｕとして、イ
オンビームスパッタ法を用いて積層体４を作製した例に
ついて示す。
【００１５】まずチャンバー内にＭｇＯ（１００）単結
晶基板１とＣｕ2 ＭｎＡｌターゲットをセットし、チャ
ンバー内を５×１０-7Torrまで排気した後、Ａｒガスを
１×１０-4Torrになるまで導入した。スパッタリングは
Ａｒイオンの加速電圧６００Ｖ，ビーム電流３０ｍＡの
条件で行なった。
晶基板１とＣｕ2 ＭｎＡｌターゲットをセットし、チャ
ンバー内を５×１０-7Torrまで排気した後、Ａｒガスを
１×１０-4Torrになるまで導入した。スパッタリングは
Ａｒイオンの加速電圧６００Ｖ，ビーム電流３０ｍＡの
条件で行なった。
【００１６】最初にＣｕ2 ＭｎＡｌターゲットをスパッ
タしてＭｇＯ（１００）基板上に５０Ａ形成し、続けて
Ｃｕターゲットをスパッタして２０Ａ形成した。これを
２回繰り返して図１に示すような積層体４を作製した。
タしてＭｇＯ（１００）基板上に５０Ａ形成し、続けて
Ｃｕターゲットをスパッタして２０Ａ形成した。これを
２回繰り返して図１に示すような積層体４を作製した。
【００１７】このような積層体４について、四端子法を
用いて磁気抵抗効果を測定した。その結果を図３に示
す。図３は横軸に磁界の大きさを取り、縦軸に飽和磁界
Ｈｓでの抵抗値Ｒｓで規格化した抵抗値変化率△Ｒ／Ｒ
ｓを取って、それらの関係を示すグラフであり、（△Ｒ
／Ｒｓ）ｍａｘ＝２０％，Ｈｓ＝１５０Ｏｅであった。
このように積層数ｎが２と小さいにもかかわらず非常に
大きな磁気抵抗変化率と、比較的小さな飽和磁界が得ら
れた。さらにヒステリシスも非常に小さかった。 （実施例２）この実施例においては、ホイスラー合金層
２をＣｏ2 ＭｎＧｅとし、非磁性層３をＡｕとして、イ
オンビームスパッタ法を用いてＭｇＯ（１００）単結晶
基板上に積層体４を作製した例について示す。
用いて磁気抵抗効果を測定した。その結果を図３に示
す。図３は横軸に磁界の大きさを取り、縦軸に飽和磁界
Ｈｓでの抵抗値Ｒｓで規格化した抵抗値変化率△Ｒ／Ｒ
ｓを取って、それらの関係を示すグラフであり、（△Ｒ
／Ｒｓ）ｍａｘ＝２０％，Ｈｓ＝１５０Ｏｅであった。
このように積層数ｎが２と小さいにもかかわらず非常に
大きな磁気抵抗変化率と、比較的小さな飽和磁界が得ら
れた。さらにヒステリシスも非常に小さかった。 （実施例２）この実施例においては、ホイスラー合金層
２をＣｏ2 ＭｎＧｅとし、非磁性層３をＡｕとして、イ
オンビームスパッタ法を用いてＭｇＯ（１００）単結晶
基板上に積層体４を作製した例について示す。
【００１８】実施例と同一の条件でまずＣｏ2 ＭｎＧｅ
を５０Ａ形成し、続けてＡｕを２０Ａ形成した。これを
２回繰り返して図１に示すような積層体４を作製した。
このような積層体４について、四端子法を用いて磁気抵
抗効果を測定した。その結果を図４に示す。図４は図３
と同様のグラフであり、（△Ｒ／Ｒｓ）ｍａｘ＝２５
％，Ｈｓ＝２００Ｏｅであった。このように積層数ｎが
２と小さいにもかかわらず非常に大きな磁気抵抗変化率
と、比較的小さな飽和磁界が得られた。さらにヒステリ
シスも非常に小さかった。 （実施例３）この実施例においては、ホイスラー合金層
２をＣｕ2 ＭｎＡｌとし、非磁性層３をＣｕとして、積
層数ｎを１０とした場合の例について示す。作製にはイ
オンビームスパッタ法を用い、基板１としてはＭｇＯ
（１００）単結晶基板を用いた。
を５０Ａ形成し、続けてＡｕを２０Ａ形成した。これを
２回繰り返して図１に示すような積層体４を作製した。
このような積層体４について、四端子法を用いて磁気抵
抗効果を測定した。その結果を図４に示す。図４は図３
と同様のグラフであり、（△Ｒ／Ｒｓ）ｍａｘ＝２５
％，Ｈｓ＝２００Ｏｅであった。このように積層数ｎが
２と小さいにもかかわらず非常に大きな磁気抵抗変化率
と、比較的小さな飽和磁界が得られた。さらにヒステリ
シスも非常に小さかった。 （実施例３）この実施例においては、ホイスラー合金層
２をＣｕ2 ＭｎＡｌとし、非磁性層３をＣｕとして、積
層数ｎを１０とした場合の例について示す。作製にはイ
オンビームスパッタ法を用い、基板１としてはＭｇＯ
（１００）単結晶基板を用いた。
【００１９】実施例１と同一の条件でまずＣｕ2 ＭｎＡ
ｌを５０Ａ形成し、続けてＣｕを２０Ａ形成した。これ
を１０回繰り返して図１に示すような積層体４を作製し
た。このような積層体４について、四端子法を用いて磁
気抵抗効果を測定した。その結果を図５に示す。図５は
図３と同様のグラフであり、（△Ｒ／Ｒｓ）ｍａｘ＝５
０％，Ｈｓ＝１３０Ｏｅであった。このように積層数ｎ
を増すことで磁気抵抗変化率はさらに大きくなった。さ
らにヒステリシスも非常に小さかった。
ｌを５０Ａ形成し、続けてＣｕを２０Ａ形成した。これ
を１０回繰り返して図１に示すような積層体４を作製し
た。このような積層体４について、四端子法を用いて磁
気抵抗効果を測定した。その結果を図５に示す。図５は
図３と同様のグラフであり、（△Ｒ／Ｒｓ）ｍａｘ＝５
０％，Ｈｓ＝１３０Ｏｅであった。このように積層数ｎ
を増すことで磁気抵抗変化率はさらに大きくなった。さ
らにヒステリシスも非常に小さかった。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、小
さな積層数で大きな磁気抵抗変化率が得られ、飽和磁界
も比較的小さく、しかも磁気抵抗効果曲線のヒステリシ
スが小さい、実用上優れた磁気抵抗効果素子が提供でき
る。
さな積層数で大きな磁気抵抗変化率が得られ、飽和磁界
も比較的小さく、しかも磁気抵抗効果曲線のヒステリシ
スが小さい、実用上優れた磁気抵抗効果素子が提供でき
る。
【図１】 本発明の実施例に係る磁気抵抗効果素子を示
す断面図
す断面図
【図２】 本発明の磁気抵抗効果素子の実施例を示す斜
視図
視図
【図３】 本発明の実施例１における磁気抵抗変化率を
示す特性図
示す特性図
【図４】 本発明の実施例２における磁気抵抗変化率を
示す特性図
示す特性図
【図５】 本発明の実施例３における磁気抵抗変化率を
示す特性図
示す特性図
１…基板 ２…ホイスラー合金層 ３…非磁性層 ４…積層体 ５…磁気抵抗効果素子 ６…電極
Claims (1)
- 【請求項１】 磁性層と非磁性層とが積層された磁気抵
抗効果を示す積層体を備えた磁気抵抗効果素子におい
て、 前記磁性層がホイスラー合金で構成されていることを特
徴とする磁気抵抗効果素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5292856A JPH07147437A (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | 磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5292856A JPH07147437A (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07147437A true JPH07147437A (ja) | 1995-06-06 |
Family
ID=17787260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5292856A Pending JPH07147437A (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07147437A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0827220A2 (en) * | 1996-08-26 | 1998-03-04 | Read-Rite Corporation | Methods and compositions for optimizing interfacial properties of transducers used in data storage devices |
| GB2388915A (en) * | 2002-05-22 | 2003-11-26 | Toshiba Res Europ Ltd | Anisotropic magnetoresistive sensor |
| WO2005078748A1 (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Japan Science And Technology Agency | 磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイス |
| JP2006161120A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Ulvac Japan Ltd | ホイスラー合金膜の成膜方法及びトンネル磁気抵抗素子 |
| JP2008004944A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Headway Technologies Inc | 強磁性構造、スピンバルブ構造およびその製造方法、磁気抵抗効果素子およびその製造方法 |
| JPWO2006028101A1 (ja) * | 2004-09-06 | 2008-07-31 | 国立大学法人 鹿児島大学 | スピントロニクス材料及びｔｍｒ素子 |
| CN100423313C (zh) * | 2003-02-24 | 2008-10-01 | 日立环球储存科技荷兰有限公司 | 具有在被钉扎层中含半金属铁磁性哈斯勒合金的交换耦合结构的磁电阻器件 |
| US7558028B2 (en) | 2005-11-16 | 2009-07-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic head with improved CPP sensor using Heusler alloys |
-
1993
- 1993-11-24 JP JP5292856A patent/JPH07147437A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0827221A2 (en) * | 1996-08-26 | 1998-03-04 | Read-Rite Corporation | Methods and compositions for optimizing interfacial properties of magnetoresistive sensors |
| EP0827220A3 (en) * | 1996-08-26 | 1999-06-09 | Read-Rite Corporation | Methods and compositions for optimizing interfacial properties of transducers used in data storage devices |
| EP0827221A3 (en) * | 1996-08-26 | 1999-11-03 | Read-Rite Corporation | Methods and compositions for optimizing interfacial properties of magnetoresistive sensors |
| EP0827220A2 (en) * | 1996-08-26 | 1998-03-04 | Read-Rite Corporation | Methods and compositions for optimizing interfacial properties of transducers used in data storage devices |
| GB2388915A (en) * | 2002-05-22 | 2003-11-26 | Toshiba Res Europ Ltd | Anisotropic magnetoresistive sensor |
| GB2388915B (en) * | 2002-05-22 | 2004-07-14 | Toshiba Res Europ Ltd | An anisotropic magnetoresistance sensor and a method of detecting a magnetic field |
| CN100423313C (zh) * | 2003-02-24 | 2008-10-01 | 日立环球储存科技荷兰有限公司 | 具有在被钉扎层中含半金属铁磁性哈斯勒合金的交换耦合结构的磁电阻器件 |
| WO2005078748A1 (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Japan Science And Technology Agency | 磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイス |
| JPWO2006028101A1 (ja) * | 2004-09-06 | 2008-07-31 | 国立大学法人 鹿児島大学 | スピントロニクス材料及びｔｍｒ素子 |
| JP2006161120A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Ulvac Japan Ltd | ホイスラー合金膜の成膜方法及びトンネル磁気抵抗素子 |
| JP4541861B2 (ja) * | 2004-12-09 | 2010-09-08 | 株式会社アルバック | ホイスラー合金膜の成膜方法 |
| US7558028B2 (en) | 2005-11-16 | 2009-07-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic head with improved CPP sensor using Heusler alloys |
| JP2008004944A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Headway Technologies Inc | 強磁性構造、スピンバルブ構造およびその製造方法、磁気抵抗効果素子およびその製造方法 |
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