JP2005019990A5 - - Google Patents

Claims (2)

1. 基板と、
   前記基板上に形成され、かつ、印加磁界がないときに好適な方向に固定された磁化方向を有する強磁性固定層と、
   前記強磁性固定層と接触した非磁性金属導電性スペーサ層と、
   前記非磁性金属導電性スペーサ層と接触し、かつ、前記強磁性固定層の前記磁化方向に対して自由に回転する磁化方向を有する強磁性自由層と、を有し、
   前記強磁性固定層および前記強磁性自由層の少なくとも一方は、
   反強磁性的に結合された第１の強磁性膜および第２の強磁性膜と、
   前記第１の強磁性膜および第２の強磁性膜の間で接触するように配置された反強磁性
   結合膜と、を有し、
   前記反強磁性結合膜は、前記第１の強磁性膜および第２の強磁性膜がそれらの磁気モーメントが反平行を向いた状態で結合するのに十分な膜厚を有し、
   前記反強磁性結合膜は、本質的にＲｕおよびＦｅからなる材料から形成され、かつ、Ｒｕ _{１００−ｘ} Ｆｅ _ｘ の組成を有し、ｘは、約１０原子パーセントと約６０原子パーセントの間にあることを特徴とする磁気抵抗効果スピン・バルブ・センサ。
2. 基板と、
   前記基板上に形成され、かつ、印加磁界がないときに好適な方向に固定された磁化方向を有する強磁性固定層と、
   前記強磁性固定層と接触したトンネル・バリア絶縁層と、
   前記強磁性固定層の前記磁化方向に対して自由に回転する磁化方向を有し、かつ、前記トンネル・バリア絶縁層と接触した強磁性検知層と、を有し、
   前記強磁性固定層および強磁性検知層の少なくとも一方は、
   反強磁性的に結合された第１の強磁性膜および第２の強磁性膜と、
   前記第１の強磁性膜および第２の強磁性膜の間で接触するように配置された反強磁性
   結合膜と、を有し、
   前記反強磁性結合膜は、前記第１の強磁性膜および第２の強磁性膜がそれらの磁気モーメントが反平行を向いた状態で結合するのに十分な膜厚を有し、
   前記反強磁性結合膜は、本質的にＲｕおよびＦｅからなる材料から形成され、かつ、Ｒｕ _{１００−ｘ} Ｆｅ _ｘ の組成を有し、ｘは、約１０原子パーセントと約６０原子パーセントの間にあることを特徴とする磁気トンネル接合装置。