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  1. ピン層を形成し、前記ピン層を覆う分離層を形成し、二重複合自由層を形成し、前記二重複合自由層を形成することは、ＣｏＦｅを含む第１フリー層を形成し、ＮｉＦｅを含む第２フリー層を形成し、前記第１フリー層を形成し、前記第２フリー層を形成することは、前記第１フリー層の所望の第１膜厚を形成し、かつ、前記第２フリー層の所望の第２膜厚を形成することで、前記第１フリー層の前記第２フリー層に対する膜厚比を形成することを含み、前記第１フリー層と前記第２フリー層との組成を変更せずに、所望の磁気歪を実現するように前記第１層厚と第２層厚との比を選択することを特徴とする磁気記憶装置のフリー層における磁気歪を制御する方法。
  2. 前記分離層が導体層であることを特徴とする請求項１記載の磁気記憶装置のフリー層における磁気歪を制御する方法。
  3. 前記分離層が絶縁層であることを特徴とする請求項１記載の磁気記憶装置のフリー層における磁気歪を制御する方法。
  4. ピン層と、前記ピン層を覆う分離層と、二重複合自由層と、を有し、前記二重複合自由層は、ＣｏＦｅを含む第１フリー層と、ＮｉＦｅを含む第２フリー層と、を有し、前記第１フリー層は、所望の第１層厚を有し、前記第２フリー層は、所望の第２膜厚を有し、かつ、前記第１フリー層と前記第２フリー層との組成を変更せずに、所望の磁気歪を実現するように前記第１層厚と第２層厚との比を選択することを特徴とする磁気センサ。
  5. 前記分離層が導体層であることを特徴とする請求項４記載の磁気センサ。
  6. 前記分離層は絶縁層であることを特徴とする請求項４記載の磁気センサ。
  7. ピン層と前記ピン層を覆って形成された絶縁層と、二重複合自由層と、を有し、前記二重複合自由層は、ＣｏＦｅを含む第１フリー層と、ＮｉＦｅを含む第２フリー層と、を有し、前記第１フリー層は、所望の第１層厚を有し、前記第２フリー層は、所望の第２膜厚を有し、かつ、前記第１フリー層と前記第２フリー層との組成を変更せずに、所望の磁気歪を実現するように前記第１層厚と第２層厚との比を選択する磁気トンネル接合デバイスと、
    前記磁気トンネル接合デバイスに連結された電流源と、
    前記第1および第2フリー層の磁気配向に基づく前記磁気トンネル接合デバイスを介して電気抵抗を検出するために前記磁気トンネル接合デバイスに連結された磁気抵抗検出器とを備えた磁気トンネル接合センサ。
  8. 可動磁気記録媒体と、
    ピン層と前記ピン層を覆って形成された分離層と、二重複合自由層と、を有し、前記二重複合自由層は、前記分離層上に形成された、ＣｏＦｅを含む第１フリー層と、前記第１フリー層上に形成された、ＮｉＦｅを含む第２フリー層と、を有し、前記第１フリー層は、所望の第１層厚を有し、前記第２フリー層は、所望の第２膜厚を有し、かつ、前記第１フリー層と前記第２フリー層との組成を変更せずに、所望の磁気歪を実現するように前記第１層厚と第２層厚との比を選択する前記可動記録媒体の磁気信号を検知する磁気センサと、
    前記第1および第2フリー層の磁気配向に基づき前記磁気センサを介して電気抵抗を検出するために前記磁気センサに連結された磁気抵抗検出器と、
    前記媒体に応じて前記センサを移動させるため前記磁気センサに結合されたアクチュエータとを備えた磁気記憶システム。
  9. 第１層厚を有する、ＣｏＦｅを含む第１フリー層と、前記第１フリー層を覆って形成された第２層厚を有する、ＮｉＦｅを含む第２フリー層とを有し、前記第１フリー層と前記第２フリー層との組成を変更せずに、所望の磁気歪を実現するように前記第１層厚と第２層厚との比を選択する二重フリー層構造と、
    磁気モーメントを有す強磁性ピン層構造と、
    前記フリー層構造と前記ピン層構造との間に配置された非磁性導電性分離層と、
    前記ピン層構造の前記磁気モーメントを固定させる前記ピン層構造に連結した反強磁性ピニング層と、
    前記フリー層構造の両側に前記フリー層構造と隣接する関係にある硬質磁気薄膜と、
    前記ピニング層構造に隣接するシード層構造とを備えたスピンバルブセンサ。
  10. 第１層厚を有する、ＣｏＦｅを含む第１フリー層と、前記第１フリー層を覆って形成された第２層厚を有する、ＮｉＦｅを含む第２フリー層とを有し、前記第１フリー層と前記第２フリー層との組成を変更せずに、所望の磁気歪を実現するように前記第１層厚と第２層厚との比を選択する二重フリー層構造と、
    磁気モーメントを有す自己固定層構造と、
    前記フリー層構造と前記自己固定層構造との間に配置された非磁性導電性分離層と、
    前記フリー層構造の両側に前記フリー層構造と隣接する関係にある硬質磁気薄膜と、
    この固定させる層構造に隣接するシード層構造とを備えたスピンバルブセンサ。
  11. 固定された磁気配向を提供する手段と、
    磁界を検知する、所望の第１層厚をＣｏＦｅを含む第１手段が有し、磁界を検知する、所望の第２層厚をＮｉＦｅを含む第２手段が有すように、回転自由な磁化を提供する第１および第２手段を備えた、磁界を検知し固定された磁気配向を提供するために前記手段を覆って配置された二重層の手段と、
    前記二重層の手段から磁界を固定させる手段を分離する手段とからなる磁気センサであり、前記第１フリー層と前記第２フリー層との組成を変更せずに、所望の磁気歪を実現するように前記第１層厚と第２層厚との比を選択する磁気センサ。
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