JP5771352B2 - 磁気再生記録ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
磁気再生記録ヘッドおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5771352B2 JP5771352B2 JP2009114756A JP2009114756A JP5771352B2 JP 5771352 B2 JP5771352 B2 JP 5771352B2 JP 2009114756 A JP2009114756 A JP 2009114756A JP 2009114756 A JP2009114756 A JP 2009114756A JP 5771352 B2 JP5771352 B2 JP 5771352B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ferromagnetic
- subshield
- antiferromagnetic
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3912—Arrangements in which the active read-out elements are transducing in association with active magnetic shields, e.g. magnetically coupled shields
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/398—Specially shaped layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
まず、本発明の第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態の磁気再生記録ヘッドのエアベアリング面に平行な断面構成を表している。
NiFe(50nm)/CoFe(2nm以下)/Ru(0.7nm)/CoFe(2nm以下)/NiFe(50nm)/IrMn(7nm)
NiFe(50nm)/CoFe(2nm以下)/Ru(0.7nm)/CoFe(2nm以下)/NiFe(50nm)/CoFe(2nm以下)/IrMn(7nm)/
NiFe(50nm)/Ru(0.7nm)/NiFe(50nm)/CoFe(2nm)/IrMn(7nm)
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図2は、第2実施形態の磁気再生記録ヘッドの構成を表しており、図1に対応する断面構成を示している。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。図3は、第3実施形態の磁気再生記録ヘッドの構成を表しており、図1および図2に対応する断面構成を示している。
Claims (33)
- 第1反強磁性層を形成する工程と、
前記第1反強磁性層の上に、5nm以上200nm以下の厚さとなるように第1強磁性サブシールド層を形成する工程と、
前記第1強磁性サブシールド層の上に、2つの強磁性サブシールド層によりRu層が挟まれた構造を有すると共に前記2つの強磁性サブシールド層が30%以下の範囲内の互いに異なる厚さを有する第1反強磁性結合層を形成する工程と、
前記第1反強磁性結合層の上に、5nm以上200nm以下の厚さとなるように第2強磁性サブシールド層を形成することにより、前記第1反強磁性層、前記第1強磁性サブシールド層、前記第1反強磁性結合層および前記第2強磁性サブシールド層を含む複合下部シールド層を形成して、その複合下部シールド層の磁気モーメントを大きく低下させる工程と、
前記複合下部シールド層の上に、ピンニング層、ピンド層、転移層、フリー層および長手バイアス層を含む磁気抵抗効果デバイスを形成する工程と、
前記磁気抵抗効果デバイスの上に、5nm以上200nm以下の厚さとなるように第3強磁性サブシールド層を形成する工程と、
前記第3強磁性サブシールド層の上に、2つの強磁性サブシールド層によりRu層が挟まれた構造を有する第2反強磁性結合層を形成する工程と、
前記第2反強磁性結合層の上に、5nm以上200nm以下の厚さとなるように第4強磁性サブシールド層を形成する工程と、
前記第4強磁性サブシールド層の上に第2反強磁性層を形成する工程と、
前記第2反強磁性層の上に保護層を形成することにより、前記第3強磁性サブシールド層、前記第2反強磁性結合層、前記第4強磁性サブシールド層、前記第2反強磁性層および前記保護層を含む複合上部シールド層を形成して、その複合上部シールド層の磁気モーメントを大きく低下させる工程と
を含む磁気再生記録ヘッドの製造方法。 - 前記第2強磁性サブシールド層の上に、2つの強磁性サブシールド層によりRu層が挟まれた構造を有する追加反強磁性結合層、および追加強磁性サブシールド層をこの順に形成することにより、前記複合下部サブシールド層が前記追加反強磁性結合層および前記追加強磁性サブシールド層を含むようにする、
請求項1記載の磁気再生記録ヘッドの製造方法。 - 前記前記磁気抵抗効果デバイスが追加保護層を含むようにする、
請求項1記載の磁気再生記録ヘッドの製造方法。 - 前記第4強磁性サブシールド層の上に、2つの強磁性サブシールド層によりRu層が挟まれた構造を有する追加反強磁性結合層、および追加強磁性サブシールド層をこの順に形成することにより、前記複合上部シールド層が前記追加反強磁性結合層および前記追加強磁性サブシールド層を含むようにする、
請求項1記載の磁気再生記録ヘッドの製造方法。 - 前記第1ないし第4強磁性サブシールド層が、NiFe、FeSiAl、FeN、CoFe、CoNiFe、CoFeBおよびCoZrNbから選択される1種または2種以上の材料を含むようにする、
請求項1記載の磁気再生記録ヘッドの製造方法。 - 前記第1および第2反強磁性層がNiMn、FeMn、PtMn、IrMn、PtPdMnおよびNiOから選択される1種または2種以上の材料を含むようにする、
請求項1記載の磁気再生記録ヘッドの製造方法。 - 前記Ru層の厚さが0.2nm以上2nm以下となるようにする、
請求項1記載の磁気再生記録ヘッドの製造方法。 - 前記第1ないし第4強磁性サブシールド層のうちの1つの厚さと前記第1および第2反強磁性層のうちの1つの厚さとの和が0.25μmよりも小さくなるようにする、
請求項1記載の磁気再生記録ヘッドの製造方法。 - 前記複合下部シールド層および前記複合上部シールド層が互いに独立した平面形状および平面サイズを有するようにする、
請求項1記載の磁気再生記録ヘッドの製造方法。 - 前記第1ないし第4強磁性サブシールド層、ならびに前記第2反強磁性結合層を構成する強磁性サブシールド層が、30%以下の範囲内の互いに異なる厚さを有することにより、前記複合下部シールド層および前記複合上部シールド層が異なる磁気モーメントを有し、その磁気モーメントが外部磁場に応じて回転可能となるようにする、
請求項1記載の磁気再生記録ヘッドの製造方法。 - 前記複合下部シールド層、前記磁気抵抗効果デバイスおよび前記複合上部シールド層を形成したのち、外部磁場中において150℃以上280℃以下の温度でアニールする、
請求項1記載の磁気再生記録ヘッドの製造方法。 - 前記複合下部シールド層および前記複合上部シールド層が、矩形、台形、六角形、八角形および四辺形から選択される形状を有するようにする、
請求項1記載の磁気再生記録ヘッドの製造方法。 - 前記磁気抵抗効果デバイスが巨大磁気抵抗効果またはトンネル磁気抵抗効果を利用した膜面直交電流型デバイスとなるようにする、
請求項1記載の磁気再生記録ヘッドの製造方法。 - 反強磁性層を形成する工程と、
前記反強磁性層の上に、5nm以上200nm以下の厚さとなるように第1強磁性サブシールド層を形成する工程と、
前記第1強磁性サブシールド層の上に、2つの強磁性サブシールド層によりRu層が挟まれた構造を有すると共に前記2つの強磁性サブシールド層が30%以下の範囲内の互いに異なる厚さを有する反強磁性結合層を形成する工程と、
前記反強磁性結合層の上に、5nm以上200nm以下の厚さとなるように第2強磁性サブシールド層を形成することにより、前記反強磁性層、前記第1強磁性サブシールド層、前記反強磁性結合層および前記第2強磁性サブシールド層を含む複合下部シールド層を形成して、その複合下部シールド層の磁気モーメントを大きく低下させる工程と、
前記複合下部シールド層の上に、ピンニング層、ピンド層、転移層、フリー層および長手バイアス層を含む磁気抵抗効果デバイスを形成する工程と、
前記磁気抵抗効果デバイスの上に上部シールド層を形成する工程と
を含む磁気再生記録ヘッドの製造方法。 - 前記第2強磁性サブシールド層の上に、2つの強磁性サブシールド層によりRu層が挟まれた構造を有する追加反強磁性結合層、および追加強磁性サブシールド層をこの順に形成することにより、前記複合下部シールド層が前記追加反強磁性結合層および前記追加強磁性サブシールド層を含むようにする、
請求項14記載の磁気再生記録ヘッドの製造方法。 - 下部シールド層を形成する工程と、
前記下部シールド層の上に、ピンニング層、ピンド層、転移層、フリー層および長手バイアス層を含む磁気抵抗効果デバイスを形成する工程と、
前記磁気抵抗効果デバイスの上に、5nm以上200nm以下の厚さとなるように第1強磁性サブシールド層を形成する工程と、
前記第1強磁性サブシールド層の上に、2つの強磁性サブシールド層によりRu層が挟まれた構造を有すると共に前記2つの強磁性サブシールド層が30%以下の範囲内の互いに異なる厚さを有する反強磁性結合層を形成する工程と、
前記反強磁性結合層の上に、5nm以上200nm以下の厚さとなるように第2強磁性サブシールド層を形成する工程と、
前記第2強磁性サブシールド層の上に反強磁性層を形成する工程と、
前記第2反強磁性層の上に保護層を形成することにより、前記第1強磁性サブシールド層、前記反強磁性結合層、前記第2強磁性サブシールド層、前記反強磁性層および前記保護層を含む複合上部シールド層を形成して、その複合上部シールド層の磁気モーメントを大きく低下させる工程と
を含む磁気再生記録ヘッドの製造方法。 - 前記第2強磁性サブシールド層の上に、2つの強磁性サブシールド層によりRu層が挟まれた構造を有する追加反強磁性結合層、および追加強磁性サブシールド層をこの順に形成することにより、前記複合上部シールド層が前記追加反強磁性結合層および前記追加強磁性サブシールド層を含むようにする、
請求項16記載の磁気再生記録ヘッドの製造方法。 - 第1反強磁性層と、前記第1反強磁性層の上に形成されると共に5nm以上200nm以下の厚さを有する第1強磁性サブシールド層と、前記第1強磁性サブシールド層の上に形成され、2つの強磁性サブシールド層によりRu層が挟まれた構造を有すると共に前記2つの強磁性サブシールド層が30%以下の範囲内の互いに異なる厚さを有する第1反強磁性結合層と、前記第1反強磁性結合層の上に形成されると共に5nm以上200nm以下の厚さを有する第2強磁性サブシールド層とを含み、磁気モーメントが大きく低下された複合下部シールド層と、
前記複合下部シールド層の上に形成され、ピンニング層、ピンド層、転移層、フリー層および長手バイアス層を含む磁気抵抗効果デバイスと、
前記磁気抵抗効果デバイスの上に形成されると共に5nm以上200nm以下の厚さを有する第3強磁性サブシールド層と、前記第3強磁性サブシールド層の上に形成され、2つの強磁性サブシールド層によりRu層が挟まれた構造を有する第2反強磁性結合層と、前記第2反強磁性結合層の上に形成されると共に5nm以上200nm以下の厚さを有する第4強磁性サブシールド層と、前記第4強磁性サブシールド層の上に形成された第2反強磁性層と、前記第2反強磁性層の上に形成された保護層とを含み、磁気モーメントが大きく低下された複合上部シールド層と
を備えたことを特徴とする磁気再生記録ヘッド。 - 前記複合下部シールド層は、前記第2強磁性サブシールド層の上に順に形成された追加反強磁性結合層および追加強磁性サブシールド層を含み、前記追加強磁性結合層は、2つの強磁性サブシールド層によりRu層が挟まれた構造を有する、
請求項18記載の磁気再生記録ヘッド。 - 前記前記磁気抵抗効果デバイスは、追加保護層を含む、
請求項18記載の磁気再生記録ヘッド。 - 前記複合上部シールド層は、前記第4強磁性サブシールド層の上に順に形成された追加反強磁性結合層および追加強磁性サブシールド層を含み、前記前記追加反強磁性結合層は、2つの強磁性サブシールド層によりRu層が挟まれた構造を有する、
請求項18記載の磁気再生記録ヘッド。 - 前記第1ないし第4強磁性サブシールド層は、NiFe、FeSiAl、FeN、CoFe、CoNiFe、CoFeBおよびCoZrNbから選択される1種または2種以上の材料を含む、
請求項18記載の磁気再生記録ヘッド - 前記第1および第2反強磁性層は、NiMn、FeMn、PtMn、IrMn、PtPdMnおよびNiOから選択される1種または2種以上の材料を含む、
請求項18記載の磁気再生記録ヘッド。 - 前記Ru層の厚さは、0.2nm以上2nm以下である、
請求項18記載の磁気再生記録ヘッド。 - 前記第1ないし第4強磁性サブシールド層のうちの1つの厚さと前記第1および第2反強磁性層のうちの1つの厚さとの和は、0.25μmよりも小さい、
請求項18記載の磁気再生記録ヘッド。 - 前記複合下部シールド層および前記複合上部シールド層は、互いに独立した平面形状および平面サイズを有する、
請求項18記載の磁気再生記録ヘッド。 - 前記第1ないし第4強磁性サブシールド層、ならびに前記第2反強磁性結合層を構成する強磁性サブシールド層は30%以下の範囲内の互いに異なる厚さを有することにより、前記複合下部シールド層および前記複合上部シールド層は異なる磁気モーメントを有し、その磁気モーメントは外部磁場に応じて回転可能である、
請求項18記載の磁気再生記録ヘッド。 - 前記複合下部シールド層および前記複合上部シールド層は、矩形、台形、六角形、八角形および四辺形から選択される形状を有する、
請求項18記載の磁気再生記録ヘッド。 - 前記磁気抵抗効果デバイスは、巨大磁気抵抗効果またはトンネル磁気抵抗効果を利用した膜面直交電流型デバイスである、
請求項18記載の磁気再生記録ヘッド。 - 反強磁性層と、前記反強磁性層の上に形成されると共に5nm以上200nm以下の厚さを有する第1強磁性サブシールド層と、前記第1強磁性サブシールド層の上に形成され、2つの強磁性サブシールド層によりRu層が挟まれた構造を有すると共に前記2つの強磁性サブシールド層が30%以下の範囲内の互いに異なる厚さを有する反強磁性結合層と、前記反強磁性結合層の上に形成されると共に5nm以上200nm以下の厚さを有する第2強磁性サブシールド層とを含み、磁気モーメントが大きく低下された複合下部シールド層と、
前記複合下部シールド層の上に形成され、ピンニング層、ピンド層、転移層、フリー層および長手バイアス層を含む磁気抵抗効果デバイスと、
前記磁気抵抗効果デバイスの上に形成された上部シールド層と
を備えた磁気再生記録ヘッド。 - 前記複合下部シールド層は、前記第2強磁性サブシールド層の上に順に形成された追加反強磁性結合層および追加強磁性サブシールド層を含み、前記追加反強磁性結合層は、2つの強磁性サブシールド層によりRu層が挟まれた構造を有する、
請求項30記載の磁気再生記録ヘッド。 - 下部シールド層と、
前記下部シールド層の上に形成され、ピンニング層、ピンド層、転移層、フリー層および長手バイアス層を含む磁気抵抗効果デバイスと、
前記磁気抵抗効果デバイスの上に形成されると共に5nm以上200nm以下の厚さを有する第1強磁性サブシールド層と、前記第1強磁性サブシールド層の上に形成され、2つの強磁性サブシールド層によりRu層が挟まれた構造を有すると共に前記2つの強磁性サブシールド層が30%以下の範囲内の互いに異なる厚さを有する反強磁性結合層と、前記反強磁性結合層の上に形成されると共に5nm以上200nm以下の厚さを有する第2強磁性サブシールド層と、前記第2強磁性サブシールド層の上に形成された反強磁性層と、前記第2反強磁性層の上に形成された保護層とを含み、磁気モーメントが大きく低下された複合上部シールド層と
を備えた磁気再生記録ヘッド。 - 前記複合上部サブシールド層は、前記第2強磁性サブシールド層の上に順に形成された追加反強磁性結合層および追加強磁性サブシールド層を含み、前記追加反強磁性結合層は、2つの強磁性サブシールド層によりRu層が挟まれた構造を有する、
請求項32記載の磁気再生記録ヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/151,921 | 2008-05-09 | ||
US12/151,921 US8514524B2 (en) | 2008-05-09 | 2008-05-09 | Stabilized shields for magnetic recording heads |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009272031A JP2009272031A (ja) | 2009-11-19 |
JP5771352B2 true JP5771352B2 (ja) | 2015-08-26 |
Family
ID=41266674
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009114756A Expired - Fee Related JP5771352B2 (ja) | 2008-05-09 | 2009-05-11 | 磁気再生記録ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8514524B2 (ja) |
JP (1) | JP5771352B2 (ja) |
Families Citing this family (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8049997B2 (en) * | 2008-09-29 | 2011-11-01 | Tdk Corporation | Magnetoresistive element including a pair of free layers coupled to a pair of shield layers |
US20100155232A1 (en) * | 2008-12-23 | 2010-06-24 | Aron Pentek | Method for manufacturing a magnetic write head having a write pole trailing edge taper |
US8305711B2 (en) * | 2010-03-03 | 2012-11-06 | Headway Technologies, Inc. | Process of octagonal pole for microwave assisted magnetic recording (MAMR) writer |
US8451567B2 (en) * | 2010-12-13 | 2013-05-28 | Headway Technologies, Inc. | High resolution magnetic read head using top exchange biasing and/or lateral hand biasing of the free layer |
US8441756B1 (en) | 2010-12-16 | 2013-05-14 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing an antiferromagnetically coupled writer |
US9123359B1 (en) | 2010-12-22 | 2015-09-01 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording transducer with sputtered antiferromagnetic coupling trilayer between plated ferromagnetic shields and method of fabrication |
US8760819B1 (en) | 2010-12-23 | 2014-06-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording sensor with sputtered antiferromagnetic coupling trilayer between plated ferromagnetic shields |
US20120250189A1 (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | Tdk Corporation | Magnetic head including side shield layers on both sides of a mr element |
US8659854B2 (en) * | 2011-05-06 | 2014-02-25 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistive shield with stabilizing feature |
US8472147B2 (en) | 2011-05-06 | 2013-06-25 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistive shield with lateral sub-magnets |
US8711525B2 (en) | 2011-05-06 | 2014-04-29 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistive shield with coupled lateral magnet bias |
US20120327537A1 (en) * | 2011-06-23 | 2012-12-27 | Seagate Technology Llc | Shield Stabilization Configuration With Applied Bias |
US8630068B1 (en) | 2011-11-15 | 2014-01-14 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a side shielded read transducer |
US8786987B2 (en) | 2012-04-27 | 2014-07-22 | Seagate Technology Llc | Biased two dimensional magnetic sensor |
US8780508B2 (en) | 2012-06-29 | 2014-07-15 | Seagate Technology Llc | Magnetic element with biased side shield lamination |
US8837092B2 (en) | 2012-06-29 | 2014-09-16 | Seagate Technology Llc | Magnetic element with biasing structure distal the air bearing surface |
US9142232B2 (en) | 2012-08-22 | 2015-09-22 | Seagate Technology Llc | Magnetic stack with separated contacts |
US8797692B1 (en) * | 2012-09-07 | 2014-08-05 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording sensor with AFM exchange coupled shield stabilization |
US8630069B1 (en) * | 2012-10-04 | 2014-01-14 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic shield having improved resistance to the hard bias magnetic field |
US8760820B1 (en) | 2012-11-30 | 2014-06-24 | Seagate Technology Llc | Magnetic element with coupled side shield |
US8902544B2 (en) * | 2012-12-13 | 2014-12-02 | HGST Netherlands B.V. | Spin torque oscillator (STO) reader with soft magnetic side shields |
US8531801B1 (en) | 2012-12-20 | 2013-09-10 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having a composite magnetic shield with smooth interfaces |
US8638530B1 (en) * | 2013-02-20 | 2014-01-28 | HGST Netherlands B.V. | Current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor having a top shield with an antiparallel structure |
US9230577B2 (en) | 2013-03-05 | 2016-01-05 | Headway Technologies, Inc. | Thin seeded antiferromagnetic coupled side shield for sensor biasing applications |
US8780505B1 (en) | 2013-03-12 | 2014-07-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having an improved composite magnetic shield |
US20140268417A1 (en) | 2013-03-16 | 2014-09-18 | Seagate Technology Llc | Bottom shield stabilized magnetic seed layer |
US9013836B1 (en) | 2013-04-02 | 2015-04-21 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing an antiferromagnetically coupled return pole |
US9431047B1 (en) | 2013-05-01 | 2016-08-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing an improved AFM reader shield |
US8780506B1 (en) | 2013-06-20 | 2014-07-15 | HGST Netherlands B.V. | Current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor with side shields and an antiparallel structure top shield |
US9478239B2 (en) | 2013-06-27 | 2016-10-25 | Seagate Technology Llc | Reader structure with barrier layer contacting shield |
US9251815B2 (en) | 2013-06-28 | 2016-02-02 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistive sensor with AFM-stabilized bottom shield |
US9691417B1 (en) | 2013-06-28 | 2017-06-27 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistive sensor having a synthetic antiferromagnetic bottom shield |
US8988832B2 (en) * | 2013-07-30 | 2015-03-24 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistive sensor shield |
US9153250B2 (en) | 2013-07-31 | 2015-10-06 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistive sensor |
US9190082B2 (en) | 2013-08-28 | 2015-11-17 | Seagate Technology, Llc | Dual reader structure |
US9190078B2 (en) | 2013-08-30 | 2015-11-17 | Seagate Technology Llc | Dual reader structure |
US9230575B2 (en) | 2013-12-13 | 2016-01-05 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistive sensor with SAF structure having crystalline layer and amorphous layer |
US9183858B2 (en) * | 2014-01-28 | 2015-11-10 | HGST Netherlands B.V. | Dual capping layer utilized in a magnetoresistive effect sensor |
US9368136B2 (en) * | 2014-02-27 | 2016-06-14 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistive sensor having synthetic antiferromagnetic layer in top and bottom shields |
US9412401B2 (en) | 2014-05-13 | 2016-08-09 | Seagate Technology Llc | Data reader magnetic shield with CoFeNiB material |
US9230565B1 (en) * | 2014-06-24 | 2016-01-05 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic shield for magnetic recording head |
US9269381B1 (en) | 2014-09-15 | 2016-02-23 | Seagate Technology Llc | Sensor structure having layer with high magnetic moment |
US9454979B1 (en) | 2014-11-14 | 2016-09-27 | Seagate Technology Llc | Sensor structure with multilayer top shield |
US10074387B1 (en) | 2014-12-21 | 2018-09-11 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having symmetric antiferromagnetically coupled shields |
US9431031B1 (en) * | 2015-03-24 | 2016-08-30 | Western Digital (Fremont), Llc | System and method for magnetic transducers having multiple sensors and AFC shields |
US20160365104A1 (en) * | 2015-06-15 | 2016-12-15 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistive sensor fabrication |
US9601138B1 (en) | 2015-09-09 | 2017-03-21 | Headway Technologies, Inc. | Bias layer and shield biasing design |
KR102465539B1 (ko) | 2015-09-18 | 2022-11-11 | 삼성전자주식회사 | 자기 터널 접합 구조체를 포함하는 반도체 소자 및 그의 형성 방법 |
US9824703B2 (en) * | 2016-02-18 | 2017-11-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording and reproducing device having magnetic head with first and second reproducing element portions and magnetic reproducing method |
US9947344B2 (en) * | 2016-04-12 | 2018-04-17 | International Business Machines Corporation | Stabilizing layered structure for magnetic tape heads |
US9940956B1 (en) * | 2016-06-30 | 2018-04-10 | Western Digital (Fremont), Llc | Apparatus and method for reducing corrosion in capping layer of magnetic recording reader |
US9747931B1 (en) * | 2016-08-16 | 2017-08-29 | International Business Machines Corporation | Tunnel magnetoresistive sensor having stabilized magnetic shield and dielectric gap sensor |
US10115418B2 (en) | 2016-11-21 | 2018-10-30 | Headway Technologies, Inc. | Hard magnet stabilized shield for double (2DMR) or triple (3DMR) dimension magnetic reader structures |
JP6490130B2 (ja) * | 2017-03-24 | 2019-03-27 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
US10319398B2 (en) | 2017-08-25 | 2019-06-11 | Headway Technologies, Inc. | Tapered junction shield for self-compensation of asymmetry with increasing aspect ratio for tunneling magneto-resistance (TMR) type read head |
US10522173B1 (en) | 2018-06-13 | 2019-12-31 | Headway Technologies, Inc. | Magnetic read head structure with improved bottom shield design for better reader performance |
US10714131B1 (en) | 2019-02-14 | 2020-07-14 | Headway Technologies, Inc. | Unified dual free layer reader with shared reference layer to enable reduced reader-to-reader separation |
US11380355B2 (en) | 2020-10-27 | 2022-07-05 | Headway Technologies, Inc. | Adaptive bias control for magnetic recording head |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5465185A (en) | 1993-10-15 | 1995-11-07 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive spin valve sensor with improved pinned ferromagnetic layer and magnetic recording system using the sensor |
SG46731A1 (en) | 1995-06-30 | 1998-02-20 | Ibm | Spin valve magnetoresistive sensor with antiparallel pinned layer and improved exchange bias layer and magnetic recording system using the senor |
US6358635B1 (en) * | 1999-12-20 | 2002-03-19 | Headway Technologies, Inc. | Magnetic recording sensor with stabilizing shield |
US6437949B1 (en) * | 2000-02-08 | 2002-08-20 | Seagate Technology Llc | Single domain state laminated thin film structure |
US7180712B1 (en) | 2000-02-28 | 2007-02-20 | Headway Technologies, Inc. | Shield structure design to improve the stability of an MR head |
US6456467B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-09-24 | Seagate Technology Llc | Laminated shields with antiparallel magnetizations |
US6517896B1 (en) * | 2000-08-07 | 2003-02-11 | Headway Technologies, Inc. | Spin filter bottom spin valve head with continuous spacer exchange bias |
US6801409B2 (en) * | 2000-09-19 | 2004-10-05 | Seagate Technology Llc | Read head shield having improved stability |
US6496335B2 (en) * | 2000-11-29 | 2002-12-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic head shield structure having high magnetic stability |
JP3600545B2 (ja) * | 2001-04-02 | 2004-12-15 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
JP3607678B2 (ja) * | 2002-01-24 | 2005-01-05 | アルプス電気株式会社 | 磁気検出素子 |
US7236333B2 (en) | 2003-12-11 | 2007-06-26 | Seagate Technology Llc | Domain wall free shields of MR sensors |
US7256971B2 (en) * | 2004-03-09 | 2007-08-14 | Headway Technologies, Inc. | Process and structure to fabricate CPP spin valve heads for ultra-high recording density |
US7918014B2 (en) * | 2005-07-13 | 2011-04-05 | Headway Technologies, Inc. | Method of manufacturing a CPP structure with enhanced GMR ratio |
US7446984B2 (en) | 2005-12-14 | 2008-11-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic random access memory (MRAM) having increased reference layer anisotropy through ion beam etch of magnetic layers |
JP4705478B2 (ja) * | 2006-01-19 | 2011-06-22 | ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ | 磁気ヘッド |
US7606007B2 (en) * | 2006-02-17 | 2009-10-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Shield stabilization for magnetoresistive sensors |
US7599153B2 (en) * | 2006-02-27 | 2009-10-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and apparatus providing a stabilized top shield in read head for magnetic recording |
JP4121035B2 (ja) * | 2006-04-14 | 2008-07-16 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 |
JP2008192632A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Fujitsu Ltd | 磁性薄膜および磁気抵抗効果素子 |
JP2008252008A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子、およびその製造方法 |
US20100067148A1 (en) * | 2008-09-16 | 2010-03-18 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head having a pair of magnetic layers whose magnetization is controlled by shield layers |
-
2008
- 2008-05-09 US US12/151,921 patent/US8514524B2/en active Active
-
2009
- 2009-05-11 JP JP2009114756A patent/JP5771352B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009272031A (ja) | 2009-11-19 |
US8514524B2 (en) | 2013-08-20 |
US20090279213A1 (en) | 2009-11-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5771352B2 (ja) | 磁気再生記録ヘッドおよびその製造方法 | |
US8531801B1 (en) | Method and system for providing a read transducer having a composite magnetic shield with smooth interfaces | |
JP4794109B2 (ja) | スピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドおよびその製造方法 | |
JP5750211B2 (ja) | Tmr素子およびその形成方法 | |
US8873204B1 (en) | Current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor structure with multiple stacked sensors and center shield with CoFeB insertion layer | |
US9177575B1 (en) | Tunneling magnetoresistive (TMR) read head with reduced gap thickness | |
US8174799B2 (en) | Differential magnetoresistive magnetic head | |
US8945405B2 (en) | Magnetic sensor with composite magnetic shield | |
JP4985006B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁性積層構造体、及び磁性積層構造体の製造方法 | |
JP4492604B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 | |
US8891208B2 (en) | CPP-type magnetoresistive element including a rear bias structure and lower shields with inclined magnetizations | |
JP2002150512A (ja) | 磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
US7898775B2 (en) | Magnetoresistive device having bias magnetic field applying layer that includes two magnetic layers antiferromagnetically coupled to each other through intermediate layer | |
JP2007531179A (ja) | 安定化スピンバルブヘッドとその製造方法 | |
JP2001014616A (ja) | 磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法 | |
JP2007531178A (ja) | 磁気抵抗ヘッド用安定化器及び製造方法 | |
JP4939050B2 (ja) | 磁気トンネル接合素子の磁化自由層の形成方法ならびにトンネル接合型再生ヘッドおよびその製造方法 | |
US9070381B1 (en) | Magnetic recording read transducer having a laminated free layer | |
US6972934B2 (en) | Synthetic anti-parallel spin valve with thin AFM layer for very high density application | |
JP2004039869A (ja) | 磁気抵抗センサ、磁気ヘッド、ならびに磁気記録装置 | |
US20040114284A1 (en) | Thin-film magnetic head with current-perpendicular-to-the plane | |
US10249329B1 (en) | Current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor with wedge shaped free layer | |
US9087525B2 (en) | Layered synthetic anti-ferromagnetic upper shield | |
US9337414B2 (en) | Reader sensor structure and its method of construction | |
JP2005328064A (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその形成方法、薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120426 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131205 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140228 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140305 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140327 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140401 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140423 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140428 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140605 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141125 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20141222 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150116 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150325 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150403 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150609 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150629 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5771352 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |