JP4421822B2 - ボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、巨大磁気抵抗効果(GMR;Giant Magnetoresistance )を利用して情報を再生する再生ヘッドに適用されるスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子およびその製造方法に係り、特に、ボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
巨大磁気抵抗効果を利用して情報を再生する再生ヘッドが知られている。この再生ヘッドに一般的に適用される構造、すなわち磁性層や非磁性層を含む積層構造は、いわゆるスピンバルブ磁気抵抗効果(SVMR;Spin Valve Magnetoresistance)構造と呼ばれている。
【0003】
このSVMR構造の主要部は、例えば、銅(Cu)よりなる薄い導電性の非磁性層を挟んで、コバルト鉄合金(CoFe)やニッケル鉄合金(NiFe)よりなる2つの強磁性層が積層され、すなわち2つの強磁性層が非磁性層を介して分離された3層構成を有している。2つの強磁性層のうちの一方の強磁性層は、いわゆるピンド層(被固定層)である。すなわち、このピンド層には、例えば、マンガン白金合金(MnPt)などの反強磁性材料(AFM;Antiferromagnetic Material)よりなるピンニング層(固定作用層)が隣接されており、このピンニング層による交換結合作用を利用して、ピンド層の磁化方向が空間的に固定され、すなわちピン止めされている。一方、他方の強磁性層は、いわゆるフリー層である。すなわち、ピンド層の磁化方向が固定されているのに対して、フリー層の磁化方向は、例えば磁気メディアの移動(例えば磁気ディスクの回転)時に生じる外部磁場の変化に応じて回転可能になっている。なお、このときの外部磁場の変化は、ピンド層の磁化方向に影響を与えるものではない。
【0004】
フリー層の磁化方向の回転特性は、非磁性層、ピンド層およびフリー層よりなる3層構造の抵抗特性(磁気抵抗特性)に基づいて変化し、その変化量は、ピンド層の磁化方向とフリー層の磁化方向との間の角度の余弦に依存している。これらの3層構造の抵抗が変化すると、SVMR構造中を流れるセンス電流に起因して、そのセンス電流を横切るように電圧変化が生じ、その電圧変化が外部回路により検出される。抵抗変化に基づいて磁化方向が変化する現象は、スピン依存電子の散乱現象に起因するものである。磁化方向とセンス電流中の電子の電気的スピン配向との関係は、電子の散乱現象に直接影響を及ぼし、その結果、磁性材料の抵抗に影響を及ぼすこととなる。
【0005】
ピンド層を備えたSVMR構造に関する新しい構成としては、例えば、薄い非磁性のスペーサ層または結合層を挟んで2つの強磁性層が積層され、これらの2つの強磁性層がスペーサ層や結合層を介して交換結合された3層構成が挙げられる。2つの強磁性層は、それぞれの磁化方向が反強磁性のピンニング層を利用して互いに反平行となるように磁気的に連結されている。この構成の積層型ピンド層は、「シンセティック反強磁性(SyAF;Synthetic Anti-Ferromagnetic)ピンド層」と呼ばれ、略してSyAP(Synthetic Anti-ferromagnetic pinned )層と呼ばれている。
【0006】
巨大磁気抵抗効果が利用される以前は、磁気抵抗の変化を検出するために、異方性磁気抵抗効果(AMR;Anisotropy Magnetoresistance)が利用されていた。異方性磁気抵抗効果では、磁性材料の抵抗が、磁化方向と電流方向との間の角度に依存する。この異方性磁気抵抗効果の改良に当たり、磁性層を1層でなく2層とすることによりSVMR構造を構築したり、あるいはSVMR構造にSyAP層を導入したところ、磁気抵抗効果が高まることが発見されたため、これらの技術的アプローチを経て巨大磁気抵抗効果が確立された。
【0007】
SVMR構造の性能を示す重要な示性数は、そのSVMR構造の動作時における最大磁気抵抗変化を表す磁気抵抗効果比dR/R(%)である。SVMR構造を有する磁気センサ素子(以下、単に「SVMRセンサ素子」という。)の磁気抵抗効果比dR/Rを向上させるためには、例えば、SVMRセンサ素子にセンス電流を流した際、その磁気的な活性領域において電子が可能な限り留まるようにすることが要求される。例えば、SVMRセンサ素子が、磁気抵抗効果に直接関与しない非磁性の導電層を含んで構成されていると、センス電流の一部が導電層を流れてしまい、電圧変化に寄与しないこととなる。一般的に、巨大磁気抵抗効果に関する磁気抵抗効果比dR/Rを向上させる最大の要因は、SVMRセンサ素子中に存在する各層間の界面であると考えられている。なぜなら、SVMRセンサ素子中の界面では電子が鏡面反射され、電子散乱現象の平均自由行程に関する制限(この制限は、一般に、SVMRセンサ素子の寸法を制御することにより調整されていた。)が効果的に取り除かれるからである。磁気抵抗効果比dR/Rに大きく関与する電子の内部反射特性を考慮すれば、電子の内部散乱効果を加味してSVMRセンサ素子を構成する必要がある。具体的には、磁気抵抗効果比dR/Rを向上させるために、例えば、保護層、シード層、バッファ層またはナノオキサイド層(NOL;Nano-Oxide Layer)などの各種層をSVMRセンサ素子に導入する試みがなされている。
【0008】
具体的には、例えば、Huai等により、シード層上にテクスチュアを改善しながら反強磁性層(すなわちピンニング層)を成長させる技法が開示されている(例えば、特許文献1参照。)。この技法によれば、ピンド層がフリー層よりも下方に配置されているSVMRセンサ素子、すなわちボトムSVMRセンサ素子において、シード層が、反強磁性のピンニング層の成長を制御し、そのテクスチュアを改善する機能を果たす。これにより、ピンニング層とピンド層との間の交換結合が改善されるため、磁気抵抗効果比が向上する。
【0009】
【特許文献1】
米国特許第6222707B1号明細書
【0010】
また、例えば、Huai等により、高抵抗のレニウム層を挟んで2つの反平行ピンド層が積層され、これらの2つの反平行ピンド層がレニウム層を介して互いに磁気的に連結された3層構造を含むボトムSVMRセンサ素子が開示されている(例えば、特許文献2参照。)。この高抵抗のレニウム層は、2つの反平行ピンド層間の磁気的連結状態を適正に維持しつつ、3層構造中において電流を流れやすくするためのものである。なお、Huai等により開示されたボトムSVMRセンサ素子は、上記した3層構造と共に、タンタル(Ta)よりなる酸化防止用の保護層を含んで構成されている。
【0011】
【特許文献2】
米国特許第6175476B1号明細書
【0012】
また、例えば、Gill等により、フリー層上に、銅(Cu)や酸化ニッケル(NiO)よりなる鏡面反射層が積層されたSVMRセンサ素子の製造方法が開示されている(例えば、特許文献3参照。)。
【0013】
【特許文献3】
米国特許第6181534B1号明細書
【0014】
また、例えば、Pinarbasi により、SVMRセンサ素子に適用される保護構造として、コバルト鉄合金(CoFe)層とタンタル(Ta)層、あるいはコバルト鉄合金(CoFe)層と銅(Cu)層とタンタル(Ta)層とを含む保護構造が開示されている(例えば、特許文献4参照。)。この保護構造によれば、高温下、長期間に渡るSVMEセンサ素子の磁気抵抗効果特性が改善される。
【0015】
【特許文献4】
米国特許第6208491B号明細書
【0016】
また、例えば、Lee 等により、タンタル(Ta)、ニッケル鉄クロム合金(NiFeCr)、ニッケルクロム合金(NiCr)、ニッケルクロム合金とタンタルとの積層体(NiCr/Ta)、およびタンタルとニッケルクロム合金との積層体(Ta/NiCr)のうちのいずれかよりなる保護層を備えたSVMRセンサ素子が開示されている(例えば、特許文献5参照。)。ニッケル鉄クロム合金またはニッケルクロム合金のいずれかを用いて保護層を構成すれば、タンタルを用いて保護層を構成した場合と比較して、SVMRセンサ素子の熱安定性が改善される。
【0017】
【特許文献5】
米国特許第5731936号明細書
【0018】
また、例えば、Kim 等により、強磁性層の表面を保護することを目的として、0nmよりも大きく、かつ10nm以下の膜厚を有するタンタルよりなる保護層を備えたボトムSVMRセンサ素子が開示されている(例えば、特許文献6参照。)。また、Kim等は、SVMRセンサ素子の材料や構造を改良した結果、磁気抵抗効果比を改善した旨も報告している。
【0019】
【特許文献6】
米国特許第5637235号明細書
【0020】
また、例えば、磁気抵抗効果比の改善に関して、Swagten 等は、絶縁性の酸化ニッケル(NiO)層を利用して電子の反射特性を高めたことを報告している(例えば、非特許文献1参照。)。この絶縁性の酸化ニッケル層は、SVMR構造に交換バイアスを付与するために利用されている。また、Swagten 等は、酸化ニッケル層中に、コバルト/銅/コバルト(Co/Cu/Co)層とニッケル鉄合金/銅/ニッケル鉄合金(Ni80Fe20/Cu/Ni80Fe20)層とを挿入することにより、磁気抵抗効果比を向上させたことも報告している(例えば、非特許文献2参照。)。
【0021】
【非特許文献1】
”Specular Reflection in Spin Valves Bounded by NiO Layers”,
IEEE Transactions on Magnetics,Vol.34,No.4,July 1998,
pp.948-953
【非特許文献2】
”Enhanced giant magnetoresistance in spin-valves sandwiched
between insulating NiO”,Phys.Rev.B,Vol.53,No.14,1 April,
1966
【0022】
また、例えば、Y.Kamiguchi等は、ピンド層の電子鏡面散乱特性を高めるためのナノオキサイド層(NOL)を備えたSVMRセンサ素子について報告している(例えば、非特許文献3参照。)。
【非特許文献3】
”CoFe Specular Spin Valve GMR Head Using NOL in Pinned Layer”,Paper DB-01,Digest of Intermagnetic Conference 1999
【0023】
また、例えば、T.MizuguchiとH.Kanoは、フリー層の保磁力を低く維持しつつ、巨大磁気抵抗効果特性を改善することが可能な新しいSVMRセンサ素子の構成について報告している(例えば、非特許文献4参照。)。この新しいSVMRセンサ素子では、酸化タンタル(TaO)よりなる上部鏡面反射保護層からフリー層が銅(Cu)層を介して分離されていると共に、ピンド層中に、酸化ルテニウム(RuO)よりなる他の鏡面反射層が挿入されている。
【非特許文献4】
”Characteristics of spin-valve films with non-magnetic oxide
layers for specular scattering”,Paper EB-12,
Digest of MMM/Intermag.2001 conference,p.263
【0024】
また、例えば、Y.Huai等は、薄い酸化保護層を備えたボトムSVMRセンサ素子に関し、その酸化保護層の電子反射特性を高める効果について報告している(例えば、非特許文献5参照。)。このボトムSVMRセンサ素子は、シンセティック構造および鏡面反射構造を有している。
【非特許文献5】
”Highly Sensitive Spin-Valve Heads with Specular Thin Oxide
Capping Layer”,Paper EB-14,Digest of MMM/Intermag.2001
Conference,p263
【0025】
【発明が解決しようとする課題】
図3は、保護層を備えた従来のボトムSVMRセンサ素子の概略断面構成を表している。このボトムSVRMセンサ素子は、いわゆるスペキュラー型と呼ばれるものであり、基体101上に、シード層102と、反強磁性ピンニング層104と、SyAP層106と、非磁性スペーサ層114と、強磁性フリー層116と、保護層130とがこの順に積層された構成を有している。
【0026】
シード層102は、ニッケルクロム合金(NiCr)により構成されており、その厚さは約4.0nmである。反強磁性ピンニング層104は、マンガン白金合金(MnPt)により構成されており、その厚さは約13.0nmである。SyAP層106は、非磁性結合層112を挟んで第2の反平行ピンド層108(AP2)と第1の反平行ピンド層110(AP1)とが積層され、これらの第2の反平行ピンド層108と第1の反平行ピンド層110とが非磁性結合層112を介して磁化方向が互いに反平行となるように交換結合された3層構成を有している。非磁性結合層112は、ルテニウム(Ru)により構成されており、その厚さは約0.8nmである。第2の反平行ピンド層108は、コバルト鉄合金(CoFe)により構成されており、その厚さは約1.5nmである。第1の反平行ピンド層110は、第2の反平行ピンド層108と同様にコバルト鉄合金により構成されており、その厚さは約2.0nmである。非磁性スペーサ層114は、銅(Cu)により構成されており、その厚さは約1.9nmである。強磁性フリー層116は、コバルト鉄合金(CoFe)により構成されており、その厚さは約2.0nmである。保護層130は、は、ボトムSVMRセンサ素子を保護するためのものであり、非磁性層118と鏡面反射層120とがこの順に積層された構成を有している。非磁性層118は、酸化防止層や導電層として機能するものであり、銅により構成され、その厚さは約0.5nmである。鏡面反射層120は、タンタル(Ta)により構成されており、その厚さは約0.8nmである。
【0027】
なお、図3に示したボトムSVMRセンサ素子の構成を詳細に表すと、以下の通りである。NiCr(4.0nm)/MnPt(13.0nm)/CoFe(1.5nm)/Ru(0.8nm)/CoFe(2.0nm)/Cu(1.9nm)/CoFe(2.0nm)/Cu(0.5nm)/Ta(0.8nm)
【0028】
ところで、今後ますます増加することが想定される磁気メディアの記録密度を考慮すると、ボトムSVMRセンサ素子の磁気抵抗効果比は可能な限り高いことが要求される。しかしながら、図3に示した従来のボトムSVMRセンサ素子では、今後想定される記録密度、具体的には約45Gb/in2 〜70Gb/in2 の記録密度に見合う十分な磁気抵抗効果比を確保することが困難であるという問題があった。
【0029】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第1の目的は、従来のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子よりも高磁気抵抗効果比および低抵抗のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子およびその製造方法を提供することにある。
【0030】
また、本発明の第2の目的は、約45Gb/in2 〜70Gb/in2 の記録密度の磁気メディアに適用可能なボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子およびその製造方法を提供することにある。
【0031】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の観点に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法は、基体上に、磁気抵抗効果を高めるためのシード層を形成する第1の工程と、このシード層上に、反強磁性材料を用いて固定作用層を形成する第2の工程と、この固定作用層上に、シンセティック反強磁性被固定層を形成する第3の工程とを含むボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子を製造する方法であり、第3の工程が、固定作用層上に、強磁性材料を用いて第2の反平行被固定層を形成する工程と、この第2の反平行被固定層上に、非磁性結合層を形成する工程と、この非磁性結合層上に、第1の反平行被固定層を形成することにより、シンセティック反強磁性被固定層を完成させる工程とを含み、さらに、シンセティック反強磁性被固定層のうちの第1の反平行被固定層上に、非磁性スペーサ層を形成する第4の工程と、この非磁性スペーサ層上に、強磁性フリー層を形成する第5の工程と、この強磁性フリー層上に、非磁性層と鏡面反射層とがこの順に積層された2層構造をなすように、保護層を形成する第6の工程と、所定の強度の外部磁場中において所定の温度で全体を熱アニールすることにより、強磁性フリー層およびシンセティック反強磁性被固定層を磁化する第7の工程とを含み、第6の工程において、鉄タンタル合金酸化物(FeTaO)を用いて、0.5nm以上4.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、保護層のうちの鏡面反射層を形成するものである。また、本発明の第2の観点に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法は、基体上に、磁気抵抗効果を高めるためのシード層を形成する第1の工程と、このシード層上に、反強磁性材料を用いて固定作用層を形成する第2の工程と、この固定作用層上に、シンセティック反強磁性被固定層を形成する第3の工程とを含むボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子を製造する方法であり、第3の工程が、固定作用層上に、強磁性材料を用いて第2の反平行被固定層を形成する工程と、この第2の反平行被固定層上に、非磁性結合層を形成する工程と、この非磁性結合層上に、第1の反平行被固定層を形成することにより、シンセティック反強磁性被固定層を完成させる工程とを含み、さらに、シンセティック反強磁性被固定層のうちの第1の反平行被固定層上に、非磁性スペーサ層を形成する第4の工程と、この非磁性スペーサ層上に、強磁性フリー層を形成する第5の工程と、この強磁性フリー層上に、非磁性層と鏡面反射層とがこの順に積層された2層構造をなすように、保護層を形成する第6の工程と、所定の強度の外部磁場中において所定の温度で全体を熱アニールすることにより、強磁性フリー層およびシンセティック反強磁性被固定層を磁化する第7の工程とを含み、第6の工程において、鉄コバルトバナジウム合金((Fe65Co35)97V3 )の酸化物を用いて、0.5nm以上4.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、保護層のうちの鏡面反射層を形成するものである。
【0032】
本発明の第3の観点に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法は、基体上に、磁気抵抗効果を高めるためのシード層を形成する第1の工程と、このシード層上に、反強磁性材料を用いて固定作用層を形成する第2の工程と、この固定作用層上に、シンセティック反強磁性被固定層を形成する第3の工程とを含むボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子を製造する方法であり、第3の工程が、固定作用層上に、強磁性材料を用いて第2の反平行被固定層を形成する工程と、この第2の反平行被固定層上に、非磁性結合層を形成する工程と、この非磁性結合層上に、第1の反平行被固定層を形成することにより、シンセティック反強磁性被固定層を完成させる工程とを含み、さらに、シンセティック反強磁性被固定層のうちの第1の反平行被固定層上に、非磁性スペーサ層を形成する第4の工程と、この非磁性スペーサ層上に、強磁性フリー層を形成する第5の工程と、この強磁性フリー層上に、鏡面反射材料を用いて保護層を形成する第6の工程と、所定の強度の外部磁場中において所定の温度で全体を熱アニールすることにより、強磁性フリー層およびシンセティック反強磁性被固定層を磁化する第7の工程とを含み、第6の工程において、鉄タンタル合金酸化物(FeTaO)を用いて、0.5nm以上4.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、保護層を形成するものである。
【0033】
本発明の第1の観点に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子は、基体上に配設され、磁気抵抗効果を高めるシード層と、このシード層上に配設され、反強磁性材料よりなる固定作用層と、この固定作用層上に配設されたシンセティック反強磁性被固定層とを備えたものであり、シンセティック反強磁性被固定層が、固定作用層上に配設され、強磁性材料よりなる第2の反平行被固定層と、この第2の反平行被固定層上に配設された非磁性結合層と、この非磁性結合層上に配設された第1の反平行被固定層とを含み、さらに、シンセティック反強磁性被固定層のうちの第1の反平行被固定層上に配設された非磁性スペーサ層と、この非磁性スペーサ層上に配設された強磁性フリー層と、この強磁性フリー層上に配設され、非磁性層と鏡面反射層とがこの順に積層された2層構造の保護層とを備え、強磁性フリー層が縦方向に磁化されていると共に、シンセティック反強磁性被固定層が、強磁性フリー層の磁化方向と直交する方向に磁化されており、保護層のうちの鏡面反射層が、鉄タンタル合金酸化物(FeTaO)により構成されており、その厚さが0.5nm以上4.0nm以下の範囲内であるものである。また、本発明の第2の観点に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子は、基体上に配設され、磁気抵抗効果を高めるシード層と、このシード層上に配設され、反強磁性材料よりなる固定作用層と、この固定作用層上に配設されたシンセティック反強磁性被固定層とを備えたものであり、シンセティック反強磁性被固定層が、固定作用層上に配設され、強磁性材料よりなる第2の反平行被固定層と、この第2の反平行被固定層上に配設された非磁性結合層と、この非磁性結合層上に配設された第1の反平行被固定層とを含み、さらに、シンセティック反強磁性被固定層のうちの第1の反平行被固定層上に配設された非磁性スペーサ層と、この非磁性スペーサ層上に配設された強磁性フリー層と、この強磁性フリー層上に配設され、非磁性層と鏡面反射層とがこの順に積層された2層構造の保護層とを備え、強磁性フリー層が縦方向に磁化されていると共に、シンセティック反強磁性被固定層が、強磁性フリー層の磁化方向と直交する方向に磁化されており、保護層のうちの鏡面反射層が、鉄コバルトバナジウム合金((Fe65Co35)97V3 )の酸化物により構成されており、その厚さは0.5nm以上4.0nm以下の範囲内であるものである。
【0034】
本発明の第3の観点に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子は、基体上に配設され、磁気抵抗効果を高めるシード層と、このシード層上に配設され、反強磁性材料よりなる固定作用層と、この固定作用層上に配設されたシンセティック反強磁性被固定層とを備えたものであり、シンセティック反強磁性被固定層が、固定作用層上に配設され、強磁性材料よりなる第2の反平行被固定層と、この第2の反平行被固定層上に配設された非磁性結合層と、この非磁性結合層上に配設された第1の反平行被固定層とを含み、さらに、シンセティック反強磁性被固定層のうちの第1の反平行被固定層上に配設された非磁性スペーサ層と、この非磁性スペーサ層上に配設された強磁性フリー層と、この強磁性フリー層上に配設され、鏡面反射材料よりなる保護層とを備え、強磁性フリー層が縦方向に磁化されていると共に、シンセティック反強磁性被固定層が、強磁性フリー層の磁化方向と直交する方向に磁化されており、保護層が、鉄タンタル合金酸化物(FeTaO)により構成されており、その厚さが0.5nm以上4.0nm以下の範囲内であるものである。
【0035】
本発明の第1〜第3の観点に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子またはそれらの製造方法では、鏡面反射層または鏡面反射材料よりなる保護層を備え、電子の鏡面反射特性に優れた鉄タンタル酸化物(FeTaO)または鉄コバルトバナジウム合金((Fe65Co35)97V3 )の酸化物で鏡面反射層や保護層を構成しているため、電子の鏡面反射特性が著しく向上する。
【0036】
本発明の第1〜第3の観点に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子またはそれらの製造方法では、ニッケルクロム合金またはニッケル鉄クロム合金のいずれかを用いて、3.0nm以上7.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、シード層を形成するようにしてもよい。
【0037】
また、本発明の第1〜第3の観点に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子またはそれらの製造方法では、マンガン白金合金、イリジウムマンガン合金、ニッケルマンガン合金およびマンガンパラジウム白金合金のうちのいずれかの反強磁性材料を用い、より具体的には、マンガン白金合金を用いて、8.0nm以上25.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、固定作用層を形成するようにしてもよい。
【0038】
また、本発明の第1〜第3の観点に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子またはそれらの製造方法では、コバルト鉄合金、ニッケル鉄合金およびコバルト鉄ニッケル合金のうちのいずれかの強磁性材料を用い、より具体的には、コバルト鉄合金を用いて、1.0nm以上2.5nm以下の範囲内の厚さとなるように、第2の反平行被固定層を形成するようにしてもよい。
【0039】
また、本発明の第3の観点に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子またはその製造方法では、被固定層内非磁性スペーサ層を挟んで第1および第2の強磁性層が積層された3層構造をなすように、第2の反平行被固定層を形成するようにしてもよい。この場合には、コバルト鉄合金、ニッケル鉄合金およびコバルト鉄ニッケル合金のうちのいずれかの強磁性材料を用い、より具体的には、コバルト鉄合金を用いて、0.5nm以上1.5nm以下の範囲内の厚さとなるように、第1および第2の強磁性層を形成するようにしてもよい。また、タンタル、ニッケルクロム合金およびニッケル鉄クロム合金のうちのいずれかの非磁性材料を用い、より具体的には、タンタルを用いて、0.05nm以上0.5nm以下の範囲内の厚さとなるように、被固定層内非磁性スペーサ層を形成するようにしてもよい。
【0040】
また、本発明の第1〜第3の観点に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子またはそれらの製造方法では、ルテニウム、ロジウムおよびレニウムのうちのいずれかの非磁性材料を用い、より具体的には、ルテニウムを用いて、0.3nm以上0.9nm以下の範囲内の厚さとなるように、非磁性結合層を形成するようにしてもよい。
【0041】
また、本発明の第1〜第3の観点に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子またはそれらの製造方法では、コバルト鉄合金、ニッケル鉄合金およびコバルト鉄ニッケル合金のうちのいずれかの強磁性材料を用い、より具体的には、コバルト鉄合金を用いて、1.0nm以上3.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、第1の反平行被固定層を形成するようにしてもよい。
【0042】
また、本発明の第1〜第3の観点に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子またはそれらの製造方法では、銅、銀および金のうちのいずれかの非磁性材料を用いて、非磁性スペーサ層を形成するようにしてもよい。具体的には、本発明の第1および第2の観点に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子またはその製造方法では、銅を用い、0.8nm以上3.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、より具体的には、銅を用いて、1.8nmまたは1.9nmの厚さとなるように、非磁性スペーサ層を形成するようにしてもよい。また、本発明の第3の観点に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子またはその製造方法では、銅を用い、0.8nm以上3.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、より具体的には、銅を用いて、1.9nmの厚さとなるように、非磁性スペーサ層を形成するようにしてもよい。
【0043】
また、本発明の第1および第2の観点に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子またはその製造方法では、コバルト鉄合金、ニッケル鉄合金、コバルト鉄ニッケル合金、およびコバルト鉄合金とニッケル鉄合金との積層体のうちのいずれかの強磁性材料を用い、より具体的には、コバルト鉄合金を用いて、1.0nm以上6.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、強磁性フリー層を形成するようにしてもよい。
【0044】
また、本発明の第1および第2の観点に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子またはその製造方法では、銅、銀、金、ロジウムおよびレニウムのうちのいずれかの非磁性材料を用い、より具体的には、銅を用いて、0nmより大きく、かつ2.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、保護層のうちの非磁性層を形成するようにしてもよい。
【0045】
また、本発明の第1の観点に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法では、非磁性層上に、0.3nm以上3.0nm以下の範囲内の厚さとなるように鉄タンタル合金を形成したのち、この鉄タンタル合金を酸化して鉄タンタル合金酸化物とすることにより、鏡面反射層を形成するようにし、特に、鉄を95原子%含み、かつタンタルを5原子%含むように、鉄タンタル合金を形成するようにしてもよい。この場合には、酸化処理用のチャンバを使用して、酸素の供給流量を5.0×(1.667×10-8)m3 /s以上50.0×(1.667×10-8)m3 /s以下の範囲内とし、圧力を0.05×133.322Pa以上0.5×133.322Pa以下の範囲内とし、処理時間を9秒以上11秒以下の範囲内として、酸化処理を行うようにするのが好ましい。
【0046】
また、本発明の第2の観点に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子またはその製造方法では、第6の工程において、鉄コバルトバナジウム合金の酸化物を形成するために、酸化処理用のチャンバを使用して、酸素の供給流量を5.0×(1.667×10-8)m3 /s以上50.0×(1.667×10-8)m3 /s以下の範囲内とし、圧力を0.05×133.322Pa以上0.5×133.322Pa以下の範囲内とし、処理時間を9秒以上11秒以下の範囲内として、酸化処理を行うようにするのが好ましい。
【0047】
また、本発明の第1および第2の観点に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法では、強磁性フリー層を磁化するために、900×(103 /4π)A/m以上1100×(103 /4π)A/m以下の範囲内の外部縦方向磁場中において、240℃以上300℃以下の範囲内の温度で、9分以上11分以下の範囲内の時間に渡って熱アニールする第1の熱アニール工程と、シンセティック反強磁性被固定層を磁化するために、7000×(103 /4π)A/m以上9000×(103 /4π)A/m以下の範囲内の、外部縦方向磁場と直交する方向の外部磁場中において、240℃以上300℃以下の範囲内の温度で、2時間以上4時間以下の範囲内の時間に渡って熱アニールする第2の熱アニール工程と、引き続き強磁性フリー層を磁化するために、180×(103 /4π)A/m以上220×(103 /4π)A/m以下の範囲内の外部縦方向磁場中において、190℃以上240℃以下の範囲内の温度で、1.5時間以上2.5時間以下の範囲内の時間に渡って熱アニールする第3の熱アニール工程とを含むようにするのが好ましい。
【0048】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0049】
[第1の実施の形態]
まず、図1を参照して、本発明の第1の実施の形態に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子(ボトムSVMRセンサ素子)の構成について説明する。図1は、本実施の形態に係るボトムSVMRセンサ素子の概略断面構成を表している。
【0050】
このボトムSVMRセンサ素子は、ピンド層がフリー層よりも下方に配置されたボトム型構造を有すると共に、電子の鏡面反射現象を利用して巨大磁気抵抗効果を向上させることが可能ないわゆるスペキュラー型構造を有するものであり、基体1上に、シード層2と、反強磁性ピンニング層(固定作用層)4と、シンセティック反強磁性ピンド(SyAP)層(被固定層)6と、非磁性スペーサ層14と、強磁性フリー層16と、保護層30とがこの順に積層された構成を有している。
【0051】
シード層2は、巨大磁気抵抗効果を高めるためのものであり、例えば、ニッケルクロム合金(NiCr)またはニッケル鉄クロム合金(NiFeCr)のいずれかにより構成されており、その厚さは約3.0nm〜7.0nmである。具体的には、例えば、シード層2は、約4.0nm厚のニッケルクロム合金により構成されている。
【0052】
反強磁性ピンニング層4は、SyAP層6の磁化方向を固定するためのものであり、例えば、マンガン白金合金(MnPt)、イリジウムマンガン合金(IrMn)、マンガンパラジウム白金合金(MnPdPt)およびニッケルマンガン合金(NiMn)のうちのいずれかの反強磁性材料により構成されている。具体的には、例えば、反強磁性ピンニング層4は、マンガン白金合金により構成されとり、その厚さは約8.0nm〜25.0nm(より具体的には約13.0nm)である。
【0053】
SyAP層6は、非磁性結合層12を挟んで第2の反平行ピンド層8と第1の反平行ピンド層10とが積層され、これらの2つの反平行ピンド層8,10が非磁性結合層12を介して磁化方向が互いに反平行となるように交換結合された3層構成を有している。非磁性結合層12は、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)およびレニウム(Re)のうちのいずれかの非磁性材料により構成されている。具体的には、例えば、非磁性結合層12は、ルテニウムにより構成されており、その厚さは約0.3〜0.9nm(より具体的には約0.8nm)である。第2の反平行ピンド層8は、コバルト鉄合金(CoFe)、ニッケル鉄合金(NiFe)およびコバルト鉄ニッケル合金(CoFeNi)のうちのいずれかの強磁性材料により構成されている。具体的には、例えば、第2の反平行ピンド層8は、コバルト鉄合金により構成されており、その厚さは約1.0nm〜2.5nm(より具体的には約1.5nm)である。一方、第1の反平行ピンド層10は、第2の反平行ピンド層8と同様に、コバルト鉄合金、ニッケル鉄合金およびコバルト鉄ニッケル合金のうちのいずれかの強磁性材料により構成されている。具体的には、例えば、第1の反平行ピンド層10は、コバルト鉄合金により構成されており、その厚さは約1.0nm〜3.0nm(より具体的には約2.0nm)である。ここでは、2つの反平行ピンド層8,10を区別するために、反強磁性ピンニング層4に隣接している反平行ピンド層8を「第2の反平行ピンド(Anti-parallel Pinned)層AP2」と表し、一方、非磁性スペーサ層14に隣接している反平行ピンド層10を「第1の反平行ピンド層AP1」と表している。この「反平行」という用語は、非磁性結合層12を介して分離されている状態において2つの反平行ピンド層8,10の磁化方向が互いに反平行であり、すなわち2つの反平行ピンド層8,10が低エネルギー状態にあることを意味している。このSyAP層6は、全体として、その磁化方向が強磁性フリー層16の磁化方向と直交する方向(横方向)を向くように磁化されている。
【0054】
非磁性スペーサ層14は、SyAP層6と強磁性フリー層16との間を磁気的に分離するためのものであり、例えば、銅(Cu)、銀(Ag)および金(Au)のうちのいずれかの非磁性材料により構成されている。具体的には、例えば、非磁性スペーサ層14は、銅により構成されており、その厚さは約0.8nm〜3.0nm(より具体的には約1.9nm)である。
【0055】
強磁性フリー層16は、コバルト鉄合金(CoFe)、ニッケル鉄合金(NiFe)、コバルト鉄ニッケル合金(CoFeNi)、およびコバルト鉄合金とニッケル鉄合金との積層体(CoFe/NiFe)のうちのいずれかの強磁性材料により構成されている。具体的には、例えば、強磁性フリー層16は、コバルト鉄合金により構成されており、その厚さは約1.0nm〜6.0nm(より具体的には2.0nm)である。この強磁性フリー層16は、その磁化方向が所定の方向(縦方向)を向くように磁化されている。
【0056】
保護層30は、主に、ボトムSVMRセンサ素子を保護するためのものであり、非磁性層18と鏡面反射層22とがこの順に積層された2層構成を有している。非磁性層18は、例えば、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、ロジウム(Rh)およびレニウム(Re)のうちのいずれかの非磁性材料により構成されている。具体的には、例えば、非磁性層18は、銅により構成されており、その厚さは0nmよりも大きく、かつ2.0nm以下(より具体的には約0.5nm)である。鏡面反射層22は、電子を鏡面反射させるためのものであり、例えば、鉄タンタル合金酸化物(FeTaO)などの鏡面反射材料により構成され、その厚さは約0.5nm〜4.0nm(より具体的には約0.5nm)である。この鏡面反射層22は、特に、鏡面反射ナノオキサイド層(NOL;Nano Oxide Layer)とも呼ばれる。
【0057】
なお、図1に示したボトムSVMRセンサ素子の具体的な構成を詳細に表すと、以下の通りである。なお、「FeTa//OX」は、鉄タンタル合金(FeTa)が形成されたのち、その鉄タンタル合金が酸化されたことを表している。NiCr(4.0nm)/MnPt(13.0nm)/CoFe(1.5nm)/Ru(0.8nm)/CoFe(2.0nm)/Cu(1.9nm)/CoFe(2.0nm)/Cu(0.5nm)/FeTa(0.5nm)//OX
【0058】
このボトムSVMRセンサ素子は、以下のように動作する。すなわち、ボトムSVMRセンサ素子では、センス電流が付与されると巨大磁気抵抗効果が生じ、SyAP層6の磁化方向と強磁性フリー層16の磁化方向との間の角度に基づいて磁気抵抗が変化する。そして、巨大磁気抵抗効果を利用して、例えば磁気ディスクなどの記録媒体から生じる外部磁界の変化が磁気抵抗の変化として検出されることにより、その磁気ディスクに記録されていた情報が磁気的に再生される。
【0059】
次に、図1を参照して、ボトムSVMRセンサ素子の製造方法について説明する。なお、ボトムSVMRセンサ素子の構成要素の材質や厚さに関する詳細については既に説明したので、以下では、それらの説明を随時省略するものとする。
【0060】
ボトムSVMRセンサ素子を製造する際には、まず、基体1上に、ニッケルクロム合金を用いてシード層2を約4.0nmの厚さとなるように形成したのち、このシード層2上に、マンガン白金合金などの反強磁性材料を用いて反強磁性ピンニング層4を約13.0nmの厚さとなるように形成する。続いて、反強磁性ピンニング層4上に、コバルト鉄合金などの強磁性材料よりなる約1.5nm厚の強磁性層8と、ルテニウムなどの非磁性材料よりなる約0.8nm厚の非磁性結合層12と、コバルト鉄合金などの強磁性材料よりなる約2.0nm厚の強磁性層10とをこの順に積層させることにより、3層構成を有するSyAP層6を完成させる。続いて、SyAP層6上、すなわちSyAP層6のうちの第1の反平行ピンド層10上に、銅などの非磁性材料を用いて非磁性スペーサ層14を約1.9nmの厚さとなるように形成したのち、この非磁性スペーサ層14上に、コバルト鉄合金などの強磁性材料を用いて強磁性フリー層16を約2.0nmの厚さとなるように形成する。
【0061】
続いて、強磁性フリー層16上に、銅などの非磁性材料よりなる約0.5nm厚の非磁性層18と、鉄タンタル合金酸化物などの鏡面反射材料よりなる約0.5nm厚の鏡面反射層22とをこの順に積層させることにより、2層構成を有する保護層30を形成する。鏡面反射層22を形成する際には、例えば、鉄を約95原子%含み、かつタンタルを5原子%含む鉄タンタル合金を約0.3nm〜3.0nmの厚さとなるように形成したのち、酸化処理用のチャンバ(例えばPM5 TIMモジュール)中において酸化処理を実行し、鉄タンタル合金を酸化して鉄タンタル合金酸化物とする。このときの酸化条件は、例えば、酸素の供給流量=約5.0×(1.667×10-8)m3 /s〜50.0×(1.667×10-8)m3 /s(約5.0sccm〜50.0sccm)、供給圧力=約0.05×(10-3×133.322)Pa〜0.5×(10-3×133.322)Pa(約0.05mTorr〜0.5mTorr)、供給時間=約9.0秒〜11.0秒である。具体的には、例えば、酸素の供給量=約5.0×(1.667×10-8)m3 /s、供給圧力=約0.05×(10-3×133.322)Pa、供給時間=約10.0秒とする。
【0062】
最後に、全体を熱アニールすることによりSyAP層6および強磁性フリー層16を磁化し、すなわちSyAP層6および強磁性フリー層16の磁化方向を設定する。熱アニール処理を行う場合には、例えば、所定の強度の外部磁場中、所定の処理温度、所定の処理時間で、3段階に渡って行うようにする。具体的には、まず、第1段階として、例えば、縦方向の外部磁場中において、外部磁場強度=約900×(103 /4π)A/m〜1100×(103 /4π)A/m(約900Oe〜1100Oe)、処理温度=約240℃〜300℃、処理時間=約9分〜11分、より具体的には外部縦方向磁場強度=約1000×(103 /4π)A/m、処理温度=約270℃、処理時間=約10分として熱アニール処理を行うことにより、強磁性フリー層16を磁化する。続いて、第2段階として、例えば、上記した第1段階の外部磁場と直交する方向、すなわち横方向の外部磁場中において、外部磁場強度=約7000×(103 /4π)A/m〜9000×(103 /4π)A/m(約7000Oe〜9000Oe)、処理温度=約240℃〜300℃、処理時間=約2時間〜4時間、より具体的には外部磁場強度=約8000×(103 /4π)A/m、処理温度=約270℃、処理時間=約3時間として熱アニール処理を行うことにより、SyAP層6を磁化する。最後に、第3段階として、例えば、縦方向の外部磁場中において、外部磁場強度=約180×(103 /4π)A/m〜220×(103 /4π)A/m(約180Oe〜220Oe)、処理温度=約190℃〜240℃、処理時間=約1.5時間〜2.5時間、より具体的には外部磁場強度=約200×(103 /4π)A/m、処理温度=約210℃、処理時間=約2時間として熱アニール処理を行うことにより、引き続き強磁性フリー層16を磁化する。この熱アニール処理により、磁化方向が互いに直交するようにSyAP層6と強磁性フリー層16とが磁化され、ボトムSVMRセンサ素子が完成する。
【0063】
本実施の形態に係るボトムSVMRセンサ素子では、電子の鏡面反射特性に優れた鉄タンタル酸化物(FeTaO)よりなる鏡面反射層22を備えるようにしたので、この鏡面反射層22の存在に基づき、従来のボトムSVMRセンサ素子と比較して抵抗が低くなり、電子の鏡面反射特性が著しく向上する。したがって、本実施の形態では、従来よりも巨大磁気抵抗効果の磁気抵抗効果比を向上させることができる。特に、磁気抵抗効果比が向上した本実施の形態のボトムSVMRセンサ素子は、約45Gb/in2 〜70Gb/in2 の記録密度の磁気メディアに適用することができる。
【0064】
また、本実施の形態に係るボトムSVMRセンサ素子の製造方法では、SyAP層6および強磁性フリー層16を磁化するために3段階の熱アニール処理を行うようにしたので、SyAP層6および強磁性フリー層16がいずれも適正に磁化される。したがって、本実施の形態では、電子の鏡面反射特性に優れた鉄タンタル酸化物よりなる鏡面反射層22を備え、磁気抵抗効果比を向上させることが可能な本実施の形態のボトムSVMRセンサ素子を容易に製造することができる。
【0065】
なお、本実施の形態では、鉄タンタル合金酸化物を用いて鏡面反射層22を構成するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、鉄タンタル合金酸化物に代えて、鉄の酸化物(酸化鉄)や鉄コバルトバナジウム合金((Fe65Co35)97V3 )の酸化物を用いて鏡面反射層22を構成するようにしてもよい。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。なお、酸化鉄や鉄コバルトバナジウム合金酸化物を用いた場合における鏡面反射層22の厚さ、ならびに酸化物を形成する際の酸化条件は、例えば、鉄タンタル合金酸化物を用いた場合と同様である。すなわち、酸化鉄や鉄コバルトバナジウム合金酸化物を用いた場合における鏡面反射層22の厚さは約0.5nm〜4.0nmであり、一方、酸化物を形成する際の酸化条件は酸素の供給流量=約5.0×(1.667×10-8)m3 /s〜50.0×(1.667×10-8)m3 /s、供給圧力=約0.05×(10-3×133.322)Pa〜0.5×(10-3×133.322)Pa、供給時間=約9.0秒〜11.0秒である。
【0066】
[第2の実施の形態]
次に、図2を参照して、本発明の第2の実施の形態に係るボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の構成について説明する。図2は、本実施の形態に係るボトムSVMRセンサ素子の概略断面構成を表している。なお、図2に示した構成要素のうち、上記第1の実施の形態において説明した構成要素と同一の部分には、同一の符号を付している。
【0067】
このボトムSVMRセンサ素子は、基体1上に、シード層2と、反強磁性ピンニング層4と、SyAP層7と、非磁性スペーサ層14と、強磁性フリー層16と、保護層としての鏡面反射層22とがこの順に積層された構成を有している。
【0068】
SyAP層7は、非磁性結合層12を挟んで第2の反平行ピンド層9(AP2)と第1の反平行ピンド層21(AP1)とが積層され、これらの2つの反平行ピンド層9,21が非磁性結合層12を介して磁化方向が互いに反平行となるように交換結合されたものである。特に、第2の反平行ピンド層9は、ピンド層内非磁性スペーサ層11を挟んで第1の強磁性層19と第2の強磁性層17とが積層された3層構成を有している。すなわち、SyAP層7は、全体として、第2の反平行ピンド層9を構成する第1の強磁性層19、ピンド層内非磁性スペーサ層11および第2の強磁性層17と、非磁性結合層12と、第1の反平行ピンド層21とがこの順に積層された5層構成を有している。
【0069】
ピンド層内非磁性スペーサ層11は、電流の流れを抑制することにより第2の反平行ピンド層9の抵抗を増加させるためのものであり、例えば、タンタル(Ta)、ニッケルクロム合金(NiCr)およびニッケル鉄クロム合金(NiFeCr)のうちのいずれかの非磁性材料により構成されている。具体的には、例えば、ピンド層内非磁性スペーサ層11は、タンタルにより構成されており、その厚さは約0.05nm〜0.5nm(より具体的には約0.1nm)である。第1の強磁性層19および第2の強磁性層17は、例えば、コバルト鉄合金(CoFe)、ニッケル鉄合金(NiFe)およびコバルト鉄ニッケル合金(CoFeNi)のうちのいずれかの強磁性材料により構成されている。具体的には、例えば、第1の強磁性層19および第2の強磁性層17は、コバルト鉄合金により構成されており、その厚さは約0.5nm〜1.5nm(より具体的には約0.65nm)である。第1の反平行ピンド層21は、コバルト鉄合金(CoFe)、ニッケル鉄合金(NiFe)およびコバルト鉄ニッケル合金(CoFeNi)のうちのいずれかの強磁性材料により構成されている。具体的には、例えば、第1の反平行ピンド層21は、コバルト鉄合金により構成されており、その厚さは約1.0nm〜3.0nm(より具体的には約1.8nm)である。このSyAP層7は、全体として、その磁化方向が強磁性フリー層16の磁化方向(縦方向)と直交する方向(横方向)を向くように磁化されている。
【0070】
なお、上記したSyAP層7の主要部以外の構成要素、すなわちシード層2、反強磁性ピンニング層4、SyAP層7の非磁性結合層12、非磁性スペーサ層14、強磁性フリー層16および鏡面反射層22の材質、厚さおよび機能、ならびにボトムSVMRセンサ素子の動作等は、上記第1の実施の形態と同様であるので、それらの説明を省略する。図2に示したボトムSVMRセンサ素子の具体的な構成を詳細に表すと、以下の通りである。NiCr(4.0nm)/MnPt(10.0nm)/CoFe(0.65nm)/Ta(0.1nm)/CoFe(0.65nm)/Ru(0.8nm)/CoFe(1.8nm)/Cu(1.9nm)/CoFe(2.0nm)/FeTa(0.5nm)//OX
【0071】
次に、図2を参照して、ボトムSVMRセンサ素子の製造方法について説明する。なお、ボトムSVMRセンサ素子の構成要素の材質や厚さに関する詳細については既に説明したので、以下では、それらの説明を随時省略するものとする。
【0072】
ボトムSVMRセンサ素子を製造する際には、まず、基体1上に、ニッケルクロム合金を用いてシード層2を約4.0nmの厚さとなるように形成したのち、このシード層2上に、マンガン白金合金などの反強磁性材料を用いて反強磁性ピンニング層4を約10.0nmの厚さとなるように形成する。続いて、反強磁性ピンニング層4上に、コバルト鉄合金などの強磁性材料よりなる第1の強磁性層19と、タンタルなどの非磁性材料よりなる約0.1nm厚のピンド層内非磁性スペーサ層11と、コバルト鉄合金などの強磁性材料よりなる第2の強磁性層17とをこの順に積層させることにより、3層構成の第2の反平行ピンド層9を形成したのち、さらに、第2の反平行ピンド層9上に、ルテニウムなどの非磁性材料よりなる約0.8nm厚の非磁性結合層12と、コバルト鉄合金などの強磁性材料よりなる約1.8nm厚の第1の反平行ピンド層21とをこの順に積層させることにより、5層構成のSyAP層7を完成させる。続いて、続いて、SyAP層7上、すなわちSyAP層7のうちの第1の反平行ピンド層21上に、銅などの非磁性材料を用いて非磁性スペーサ層14を約1.9nmの厚さとなるように形成したのち、この非磁性スペーサ層14上に、コバルト鉄合金などの強磁性材料を用いて強磁性フリー層16を約2.0の厚さとなるように形成する。続いて、強磁性フリー層16上に、保護層として、鉄タンタル合金酸化物(FeTaO)を用いて鏡面反射層22を約0.5nmの厚さとなるように形成する。この鏡面反射層22を形成する際に用いる形成手法(材料、形成手順、酸化条件等)は、上記第1の実施の形態において鏡面反射層22を形成した場合と同様である。
【0073】
最後に、全体を熱アニールすることによりSyAP層7および強磁性フリー層16を磁化し、すなわちSyAP層7および強磁性フリー層16の磁化方向を設定する。熱アニール処理を行う場合には、例えば、所定の外部磁場中、所定の処理温度、所定の処理時間で、3段階に渡って行うようにする。この3段階の熱アニール処理を行う際に用いる条件(外部磁場の方向、外部磁場強度、処理温度、処理時間等)は、上記第1の実施の形態において3段階の熱アニール処理を行った場合と同様である。
【0074】
本実施の形態に係るボトムSVMRセンサ素子では、電子の鏡面反射特性に優れた鉄タンタル酸化物(FeTaO)よりなる鏡面反射層22を備えるようにしたので、上記第1の実施の形態と同様の作用により、従来よりも抵抗を低くし、磁気抵抗効果比を向上させることができる。特に、本実施の形態では、強磁性フリー層16と鏡面反射層22との間に非磁性層18が挿入された上記第1の実施の形態とは異なり、強磁性フリー層16と鏡面反射層22との間に非磁性層18が挿入されておらず、鏡面反射層22が強磁性フリー層16に隣接しているため、電子の鏡面反射特性に影響を及ぼす鏡面反射層22の表面特性(強磁性フリー層16と鏡面反射層22との界面特性)が適正化され、上記第1の実施の形態よりも電子の鏡面反射特性が向上する。したがって、本実施の形態では、巨大磁気抵抗効果の磁気抵抗効果比をより向上させることができる。
【0075】
また、本実施の形態では、SyAP層7のうちの第2の反平行ピンド層9が、ピンド層内非磁性スペーサ層11を挟んで第1の強磁性層19と第2の強磁性層17とが積層された3層構成を有するようにしたので、第1の強磁性層19と第2の強磁性層17との間に抵抗増加層として機能するピンド層内非磁性スペーサ層11が挿入された特徴的な構成に基づき、ボトムSVMRセンサ素子全体の抵抗が増加する。したがって、本実施の形態では、SyAP層7の構成によっても磁気抵抗効果比の向上に寄与することができる。
【0076】
また、本実施の形態に係るボトムSVMRセンサ素子の製造方法では、SyAP層7および強磁性フリー層16を磁化するために3段階の熱アニール処理を行うようにしたので、上記第1の実施の形態と同様の作用により、本実施の形態のボトムSVMRセンサ素子を容易に製造することができる。
【0077】
なお、本実施の形態では、SyAP層7のうちの第2の反平行ピンド層9が3層構成(第1の強磁性層19/ピンド層内非磁性スペーサ層11/第2の強磁性層17)を有するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、第2の反平行ピンド層9が単層構造を有するようにしてもよい。この場合には、例えば、第2の反平行ピンド層9が、コバルト鉄合金(CoFe)、ニッケル鉄合金(NiFe)およびコバルト鉄ニッケル合金(CoFeNi)のうちのいずれかの強磁性材料により構成され、具体的には、例えば、約1.0nm〜2.5nm厚のコバルト鉄合金により構成されるようにしてもよい。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【0078】
【実施例】
次に、本発明の実施例について説明する。本発明のボトムSVMRセンサ素子について諸特性を調べたところ以下の結果が得られ、この結果に基づいて本発明のボトムSVMRセンサ素子の有用性が証明された。
【0079】
表1は、ボトムSVMRセンサ素子の磁気抵抗効果特性を表す実験結果である。表1中の「dR/R」は磁気抵抗効果比(%)を表し、「dR」は磁気抵抗変化(Ω/sq. )を表している。また、表1中のS1〜S3は鉄タンタル合金酸化物よりなる鏡面反射層22を有し、かつ3段階の熱アニール処理が施された本発明のボトムSVMRセンサ素子を示し、S4,S5は従来のボトムSVMRセンサ素子を示している。具体的には、S1,S2が本発明の第1の実施の形態、S3が本発明の第2の実施の形態、S4,S5が従来についてそれぞれ示している。
【0080】
各ボトムSVMRセンサ素子S1〜S5の具体的な構成(()内は厚さ)は、S1がNiCr(4.0nm)/MnPt(13.0nm)/CoFe(1.5nm)/Ru(0.8nm)/CoFe(2.0nm)/Cu(1.9nm)/CoFe(2.0nm)/Cu(0.5nm)/FeTa//OX、S2がNiCr(4.0nm)/MnPt(13.0nm)/CoFe(1.5nm)/Ru(0.8nm)/CoFe(2.0nm)/Cu(1.8nm)/CoFe(2.0nm)/Cu(0.5nm)/FeTa//OX、S3がNiCr(4.0nm)/MnPt(10.0nm)/CoFe(0.65nm)/Ta(0.1nm)/CoFe(0.65nm)/Ru(0.8nm)/CoFe(1.8nm)/Cu(1.9nm)/CoFe(2.0nm)/FeTa//OX、S4がNiCr(4.0nm)/MnPt(13.0nm)/CoFe(1.5nm)/Ru(0.8nm)/CoFe(2.0nm)/Cu(1.9nm)/CoFe(2.0nm)/Cu(0.5nm)/Ta(0.8nm)、S5がNiCr(4.0nm)/MnPt(13.0nm)/CoFe(1.5nm)/Ru(0.8nm)/CoFe(2.0nm)/Cu(1.8nm)/CoFe(2.0nm)/Ta(0.8nm)である。なお、S1,S2は、Cu(非磁性スペーサ層14)の厚さが異なる点(S1では1.9nm、S2では1.8nm)を除いて、同一の構成を有している。また、S4,S5も同様に、Cu(非磁性スペーサ層114)の厚さが異なる点(S4では1.9nm、S5では1.8nm)を除いて、同一の構成を有している。
【0081】
【表1】
【0082】
表1の結果から、以下のことが明らかとなった。
【0083】
すなわち、第1に、鏡面反射層22(FeTa//OX)を有するS1と、鏡面反射層22を有していないS4とを比較すると、S4よりもS1において磁気抵抗効果比dR/Rおよび磁気抵抗変化dRの双方が大きくなった。また、表1には示していないが、S1では、S4,S5と比較してシート抵抗Rsが小さくなった。
【0084】
第2に、鏡面反射層22を有するS2と鏡面反射層22を有していないS5とを比較した場合においても、S5よりもS2において磁気抵抗効果比dR/Rが大きくなった。
【0085】
第3に、鏡面反射層22を有するS1(非磁性スペーサ14の厚さ=1.9nm),S2(非磁性スペーサ層14の厚さ=1.8nm)を比較すると、より非磁性スペーサ層14(Cu)の厚さが薄いS2において、磁気抵抗効果比dR/Rおよび磁気抵抗変化dRの双方が大きくなった。なお、鏡面反射層22を有していないS4(非磁性スペーサ層114の厚さ=1.9nm),S5(非磁性スペーサ層114の厚さ=1.8nm)を比較した場合、S1,S2を比較した場合と同様に、より非磁性スペーサ層114の厚さが薄いS5において磁気抵抗効果比dR/Rおよび磁気抵抗変化dRの双方が大きくなったが、この場合には、非磁性スペーサ層114が薄すぎることに起因して、センサ特性上において不適正な程度まで層間結合磁界が増加してしまった。
【0086】
第4に、強磁性フリー層16(CoFe)と鏡面反射層22(FeTa//OX)との間に非磁性層18(Cu)が挿入されているS1,S2と、強磁性フリー層16(CoFe)と鏡面反射層22(FeTa//OX)との間に非磁性層18(Cu)が挿入されていないS3とを比較すると、鏡面反射層22が強磁性フリー層16に隣接しているS3において、磁気抵抗効果比dR/Rおよび磁気抵抗変化dRの双方が大きくなった。
【0087】
以上説明した第1〜第4の特性から明らかなように、本発明のボトムSVMRセンサ素子S1〜S3では、従来のボトムSVMRセンサ素子と比較して磁気抵抗効果特性が改善されることが確認された。
【0088】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されず、以下のように種々の変形が可能である。ただし、ボトムSVMRセンサ素子を構成する各構成要素の構成、寸法および材質などが上記実施の形態において説明した仕様から僅かに逸脱しただけでも、ボトムSVMRセンサ素子の諸特性を劣化させる要因になりかねないことに留意する必要がある。
【0089】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1ないし請求項24のいずれか1項に記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法、あるいは請求項43ないし請求項61のいずれか1項に記載のボトムスピンバルブセンサ素子によれば、鏡面反射層を備え、電子の鏡面反射特性に優れた鉄タンタル合金酸化物または鉄コバルトバナジウム合金の酸化物で鏡面反射層を構成しているので、この鏡面反射層の存在に基づき、従来のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子と比較して抵抗が低くなり、電子の鏡面反射特性が著しく向上する。したがって、従来よりも磁気抵抗効果比を向上させることができる。特に、磁気抵抗効果比が向上した本ボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子は、約45Gb/in2 〜70Gb/in2 の記録密度の磁気メディアに適用することができる。
【0090】
また、請求項25ないし請求項42のいずれか1項に記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法、あるいは請求項62ないし請求項79のいずれか1項に記載のボトムスピンバルブセンサ素子によれば、鏡面反射材料よりなる保護層を備えるようにしたので、例えば、電子の鏡面反射特性に優れた鉄タンタル合金酸化物で保護層を構成すれば、この保護層を備えていない従来のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子と比較して抵抗が低くなり、電子の鏡面反射特性が著しく向上する。しかも、強磁性フリー層と鏡面反射材料よりなる保護層との間に非磁性層が挿入されている場合とは異なり、保護層が強磁性フリー層に隣接しているため、電子の鏡面反射特性に影響を及ぼす保護層の表面特性(強磁性フリー層と保護層との界面特性)が適正化され、電子の鏡面反射特性がより向上する。したがって、磁気抵抗効果比をより向上させることができる。もちろん、本ボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子は、約45Gb/in2 〜70Gb/in2 の記録密度の磁気メディアに適用することができる。
【0091】
特に、上記の他、請求項24に記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法によれば、シンセティック反強磁性被固定層および強磁性フリー層を磁化するために3段階の熱アニール処理を行うようにしたので、シンセティック反強磁性被固定層および強磁性フリー層がいずれも適正に磁化される。したがって、電子の鏡面反射特性に優れた鏡面反射層を備え、磁気抵抗効果比を向上させることが可能な本発明のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係るボトムSVMRセンサ素子の概略断面構成を表す断面図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態に係るボトムSVMRセンサ素子の概略断面構成を表す断面図である。
【図3】従来のボトムSVMRセンサ素子の概略断面構成を表す断面図である。
【符号の説明】
1…基体、2…シード層、4…反強磁性ピンニング層、6,7…SyAP層(シンセティック反強磁性ピンド層)、8,9(AP2)…第2の反平行ピンド層、11…ピンド層内非磁性スペーサ層、12…非磁性結合層、10,21(AP1)…第1の反平行ピンド層、14…非磁性スペーサ層、16…強磁性フリー層、17…第2の強磁性層、18…非磁性層、19…第1の強磁性層、22…鏡面反射層、30…保護層。
Claims (79)
- 基体上に、磁気抵抗効果を高めるためのシード層を形成する第1の工程と、
このシード層上に、反強磁性材料を用いて固定作用層を形成する第2の工程と、
この固定作用層上に、シンセティック反強磁性被固定層を形成する第3の工程と
を含むボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法であって、
前記第3の工程が、
前記固定作用層上に、強磁性材料を用いて第2の反平行被固定層を形成する工程と、
この第2の反平行被固定層上に、非磁性結合層を形成する工程と、
この非磁性結合層上に、第1の反平行被固定層を形成することにより、前記シンセティック反強磁性被固定層を完成させる工程と
を含み、
さらに、
前記シンセティック反強磁性被固定層のうちの前記第1の反平行被固定層上に、非磁性スペーサ層を形成する第4の工程と、
この非磁性スペーサ層上に、強磁性フリー層を形成する第5の工程と、
この強磁性フリー層上に、非磁性層と鏡面反射層とがこの順に積層された2層構造をなすように、保護層を形成する第6の工程と、
所定の強度の外部磁場中において所定の温度で全体を熱アニールすることにより、前記強磁性フリー層および前記シンセティック反強磁性被固定層を磁化する第7の工程と
を含み、
前記第6の工程において、鉄タンタル合金酸化物(FeTaO)を用いて、0.5nm以上4.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、前記保護層のうちの前記鏡面反射層を形成する
ことを特徴とするボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 基体上に、磁気抵抗効果を高めるためのシード層を形成する第1の工程と、
このシード層上に、反強磁性材料を用いて固定作用層を形成する第2の工程と、
この固定作用層上に、シンセティック反強磁性被固定層を形成する第3の工程と
を含むボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法であって、
前記第3の工程が、
前記固定作用層上に、強磁性材料を用いて第2の反平行被固定層を形成する工程と、
この第2の反平行被固定層上に、非磁性結合層を形成する工程と、
この非磁性結合層上に、第1の反平行被固定層を形成することにより、前記シンセティック反強磁性被固定層を完成させる工程と
を含み、
さらに、
前記シンセティック反強磁性被固定層のうちの前記第1の反平行被固定層上に、非磁性スペーサ層を形成する第4の工程と、
この非磁性スペーサ層上に、強磁性フリー層を形成する第5の工程と、
この強磁性フリー層上に、非磁性層と鏡面反射層とがこの順に積層された2層構造をなすように、保護層を形成する第6の工程と、
所定の強度の外部磁場中において所定の温度で全体を熱アニールすることにより、前記強磁性フリー層および前記シンセティック反強磁性被固定層を磁化する第7の工程と
を含み、
前記第6の工程において、鉄コバルトバナジウム合金((Fe65Co35)97V3 )の酸化物を用いて、0.5nm以上4.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、前記保護層のうちの前記鏡面反射層を形成する
ことを特徴とするボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 前記第1の工程において、ニッケルクロム合金(NiCr)またはニッケル鉄クロム合金(NiFeCr)のいずれかを用いて、3.0nm以上7.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、前記シード層を形成する
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 前記第2の工程において、マンガン白金合金(MnPt)、イリジウムマンガン合金(IrMn)、ニッケルマンガン合金(NiMn)およびマンガンパラジウム白金合金(MnPdPt)のうちのいずれかの反強磁性材料を用いて、前記固定作用層を形成する
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - マンガン白金合金を用いて、8.0nm以上25.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、前記固定作用層を形成する
ことを特徴とする請求項4記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 前記第3の工程において、コバルト鉄合金(CoFe)、ニッケル鉄合金(NiFe)およびコバルト鉄ニッケル合金(CoFeNi)のうちのいずれかの強磁性材料を用いて、前記第2の反平行被固定層を形成する
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - コバルト鉄合金を用いて、1.0nm以上2.5nm以下の範囲内の厚さとなるように、前記第2の反平行被固定層を形成する
ことを特徴とする請求項6記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 前記第3の工程において、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)およびレニウム(Re)のうちのいずれかの非磁性材料を用いて、前記非磁性結合層を形成する
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - ルテニウムを用いて、0.3nm以上0.9nm以下の範囲内の厚さとなるように、前記非磁性結合層を形成する
ことを特徴とする請求項8記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 前記第3の工程において、コバルト鉄合金(CoFe)、ニッケル鉄合金(NiFe)およびコバルト鉄ニッケル合金(CoFeNi)のうちのいずれかの強磁性材料を用いて、前記第1の反平行被固定層を形成する
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - コバルト鉄合金を用いて、1.0nm以上3.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、前記第1の反平行被固定層を形成する
ことを特徴とする請求項10記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 前記第4の工程において、銅(Cu)、銀(Ag)および金(Au)のうちのいずれかの非磁性材料を用いて、前記非磁性スペーサ層を形成する
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 銅を用いて、0.8nm以上3.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、前記非磁性スペーサ層を形成する
ことを特徴とする請求項12記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 銅を用いて、1.8nmの厚さとなるように、前記非磁性スペーサ層を形成する
ことを特徴とする請求項13記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 銅を用いて、1.9nmの厚さとなるように、前記非磁性スペーサ層を形成する
ことを特徴とする請求項13記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 前記第5の工程において、コバルト鉄合金(CoFe)、ニッケル鉄合金(NiFe)、コバルト鉄ニッケル合金(CoFeNi)、およびコバルト鉄合金とニッケル鉄合金との積層体(CoFe/NiFe)のうちのいずれかの強磁性材料を用いて、前記強磁性フリー層を形成する
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - コバルト鉄合金を用いて、1.0nm以上6.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、前記強磁性フリー層を形成する
ことを特徴とする請求項16記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 前記第6の工程において、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、ロジウム(Rh)およびレニウム(Re)のうちのいずれかの非磁性材料を用いて、前記保護層のうちの前記非磁性層を形成する
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 銅を用いて、0nmより大きく、かつ2.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、前記非磁性層を形成する
ことを特徴とする請求項18記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 前記非磁性層上に、0.3nm以上3.0nm以下の範囲内の厚さとなるように鉄タンタル合金(FeTa)を形成したのち、この鉄タンタル合金を酸化して鉄タンタル合金酸化物(FeTaO)とすることにより、前記鏡面反射層を形成する
ことを特徴とする請求項1記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 鉄(Fe)を95原子%含み、かつタンタル(Ta)を5原子%含むように、鉄タンタル合金を形成する
ことを特徴とする請求項20記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 酸化処理用のチャンバを使用して、酸素の供給流量を5.0×(1.667×10-8)m3 /s以上50.0×(1.667×10-8)m3 /s以下の範囲内とし、圧力を0.05×(10-3×133.322)Pa以上0.5×(10-3×133.322)Pa以下の範囲内とし、処理時間を9秒以上11秒以下の範囲内として、酸化処理を行う
ことを特徴とする請求項21記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 前記第6の工程において、鉄コバルトバナジウム合金の酸化物を形成するために、酸化処理用のチャンバを使用して、酸素の供給流量を5.0×(1.667×10-8)m3 /s以上50.0×(1.667×10-8)m3 /s以下の範囲内とし、圧力を0.05×(10-3×133.322)Pa以上0.5×(10-3×133.322)Pa以下の範囲内とし、処理時間を9秒以上11秒以下の範囲内として、酸化処理を行う
ことを特徴とする請求項2記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 前記第7の工程が、
前記強磁性フリー層を磁化するために、900×(103 /4π)A/m以上1100×(103 /4π)A/m以下の範囲内の強度の外部縦方向磁場中において、240℃以上300℃以下の範囲内の温度で、9分以上11分以下の範囲内の時間に渡って熱アニールする第1の熱アニール工程と、
前記シンセティック反強磁性被固定層を磁化するために、7000×(103 /4π)A/m以上9000×(103 /4π)A/m以下の範囲内の強度の、前記外部縦方向磁場と直交する方向の外部磁場中において、240℃以上300℃以下の範囲内の温度で、2時間以上4時間以下の範囲内の時間に渡って熱アニールする第2の熱アニール工程と、
引き続き前記強磁性フリー層を磁化するために、180×(103 /4π)A/m以上220×(103 /4π)A/m以下の範囲内の強度の外部縦方向磁場中において、190℃以上240℃以下の範囲内の温度で、1.5時間以上2.5時間以下の範囲内の時間に渡って熱アニールする第3の熱アニール工程と
を含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 基体上に、磁気抵抗効果を高めるためのシード層を形成する第1の工程と、
このシード層上に、反強磁性材料を用いて固定作用層を形成する第2の工程と、
この固定作用層上に、シンセティック反強磁性被固定層を形成する第3の工程と
を含むボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法であって、
前記第3の工程が、
前記固定作用層上に、強磁性材料を用いて第2の反平行被固定層を形成する工程と、
この第2の反平行被固定層上に、非磁性結合層を形成する工程と、
この非磁性結合層上に、第1の反平行被固定層を形成することにより、前記シンセティック反強磁性被固定層を完成させる工程と
を含み、
さらに、
前記シンセティック反強磁性被固定層のうちの前記第1の反平行被固定層上に、非磁性スペーサ層を形成する第4の工程と、
この非磁性スペーサ層上に、強磁性フリー層を形成する第5の工程と、
この強磁性フリー層上に、鏡面反射材料を用いて保護層を形成する第6の工程と、
所定の強度の外部磁場中において所定の温度で全体を熱アニールすることにより、前記強磁性フリー層および前記シンセティック反強磁性被固定層を磁化する第7の工程と
を含み、
前記第6の工程において、鉄タンタル合金酸化物(FeTaO)を用いて、0.5nm以上4.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、前記保護層を形成する
ことを特徴とするボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 前記第1の工程において、ニッケルクロム合金(NiCr)またはニッケル鉄クロム合金(NiFeCr)のいずれかを用いて、3.0nm以上7.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、前記シード層を形成する
ことを特徴とする請求項25記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 前記第2の工程において、マンガン白金合金(MnPt)、イリジウムマンガン合金(IrMn)、ニッケルマンガン合金(NiMn)およびマンガンパラジウム白金合金(MnPdPt)のうちのいずれかの反強磁性材料を用いて、前記固定作用層を形成する
ことを特徴とする請求項25記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - マンガン白金合金を用いて、8.0nm以上25.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、前記固定作用層を形成する
ことを特徴とする請求項27記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 前記第3の工程において、コバルト鉄合金(CoFe)、ニッケル鉄合金(NiFe)およびコバルト鉄ニッケル合金(CoFeNi)のうちのいずれかの強磁性材料を用いて、前記第2の反平行被固定層を形成する
ことを特徴とする請求項25記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - コバルト鉄合金を用いて、1.0nm以上2.5nm以下の範囲内の厚さとなるように、前記第2の反平行被固定層を形成する
ことを特徴とする請求項29記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 被固定層内非磁性スペーサ層を挟んで第1および第2の強磁性層が積層された3層構造をなすように、前記第2の反平行被固定層を形成する
ことを特徴とする請求項25記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - コバルト鉄合金(CoFe)、ニッケル鉄合金(NiFe)およびコバルト鉄ニッケル合金(CoFeNi)のうちのいずれかの強磁性材料を用いて、前記第1および第2の強磁性層を形成する。
ことを特徴とする請求項31記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - コバルト鉄合金を用いて、0.5nm以上1.5nm以下の範囲内の厚さとなるように、前記第1および第2の強磁性層を形成する
ことを特徴とする請求項32記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - タンタル(Ta)、ニッケルクロム合金(NiCr)およびニッケル鉄クロム合金(NiFeCr)のうちのいずれかの非磁性材料を用いて、前記被固定層内非磁性スペーサ層を形成する
ことを特徴とする請求項31記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - タンタルを用いて、0.05nm以上0.5nm以下の範囲内の厚さとなるように、前記被固定層内非磁性スペーサ層を形成する
ことを特徴とする請求項34記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 前記第3の工程において、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)およびレニウム(Re)のうちのいずれかの非磁性材料を用いて、前記非磁性結合層を形成する
ことを特徴とする請求項25記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - ルテニウムを用いて、0.3nm以上0.9nm以下の範囲内の厚さとなるように、前記非磁性結合層を形成する
ことを特徴とする請求項36記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 前記第3の工程において、コバルト鉄合金(CoFe)、ニッケル鉄合金(NiFe)およびコバルト鉄ニッケル合金(CoFeNi)のうちのいずれかの強磁性材料を用いて、前記第1の反平行被固定層を形成する
ことを特徴とする請求項25記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - コバルト鉄合金を用いて、1.0nm以上3.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、前記第1の反平行被固定層を形成する
ことを特徴とする請求項38記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 前記第4の工程において、銅(Cu)、銀(Ag)および金(Au)のうちのいずれかの非磁性材料を用いて、前記非磁性スペーサ層を形成する
ことを特徴とする請求項25記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 銅を用いて、0.8nm以上3.0nm以下の範囲内の厚さとなるように、前記非磁性スペーサ層を形成する
ことを特徴とする請求項40記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 銅を用いて、1.9nmの厚さとなるように、前記非磁性スペーサ層を形成する
ことを特徴とする請求項41記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子の製造方法。 - 基体上に配設され、磁気抵抗効果を高めるシード層と、
このシード層上に配設され、反強磁性材料よりなる固定作用層と、
この固定作用層上に配設されたシンセティック反強磁性被固定層と
を備えたボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子であって、
前記シンセティック反強磁性被固定層が、
前記固定作用層上に配設され、強磁性材料よりなる第2の反平行被固定層と、
この第2の反平行被固定層上に配設された非磁性結合層と、
この非磁性結合層上に配設された第1の反平行被固定層と
を含み、
さらに、
前記シンセティック反強磁性被固定層のうちの前記第1の反平行被固定層上に配設された非磁性スペーサ層と、
この非磁性スペーサ層上に配設された強磁性フリー層と、
この強磁性フリー層上に配設され、非磁性層と鏡面反射層とがこの順に積層された2層構造の保護層と
を備え、
前記強磁性フリー層が縦方向に磁化されていると共に、前記シンセティック反強磁性被固定層が、前記強磁性フリー層の磁化方向と直交する方向に磁化されており、
前記保護層のうちの前記鏡面反射層は、鉄タンタル合金酸化物(FeTaO)により構成されており、その厚さは0.5nm以上4.0nm以下の範囲内である
ことを特徴とするボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 基体上に配設され、磁気抵抗効果を高めるシード層と、
このシード層上に配設され、反強磁性材料よりなる固定作用層と、
この固定作用層上に配設されたシンセティック反強磁性被固定層と
を備えたボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子であって、
前記シンセティック反強磁性被固定層が、
前記固定作用層上に配設され、強磁性材料よりなる第2の反平行被固定層と、
この第2の反平行被固定層上に配設された非磁性結合層と、
この非磁性結合層上に配設された第1の反平行被固定層と
を含み、
さらに、
前記シンセティック反強磁性被固定層のうちの前記第1の反平行被固定層上に配設された非磁性スペーサ層と、
この非磁性スペーサ層上に配設された強磁性フリー層と、
この強磁性フリー層上に配設され、非磁性層と鏡面反射層とがこの順に積層された2層構造の保護層と
を備え、
前記強磁性フリー層が縦方向に磁化されていると共に、前記シンセティック反強磁性被固定層が、前記強磁性フリー層の磁化方向と直交する方向に磁化されており、
前記保護層のうちの前記鏡面反射層は、鉄コバルトバナジウム合金((Fe65Co35)97V3 )の酸化物により構成されており、その厚さは0.5nm以上4.0nm以下の範囲内である
ことを特徴とするボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記シード層は、ニッケルクロム合金(NiCr)またはニッケル鉄クロム合金(NiFeCr)のいずれかにより構成されており、その厚さは3.0nm以上7.0nm以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項43または請求項44に記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記固定作用層は、マンガン白金合金(MnPt)、イリジウムマンガン合金(IrMn)、マンガンパラジウム白金合金(MnPdPt)およびニッケルマンガン合金(NiMn)のうちのいずれかの反強磁性材料により構成されている
ことを特徴とする請求項43または請求項44に記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記固定作用層は、マンガン白金合金により構成されており、その厚さは8.0nm以上25.0nm以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項46記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記第2の反平行被固定層は、コバルト鉄合金(CoFe)、ニッケル鉄合金(NiFe)およびコバルト鉄ニッケル合金(CoFeNi)のうちのいずれかの強磁性材料により構成されている
ことを特徴とする請求項43または請求項44に記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記第2の反平行被固定層は、コバルト鉄合金により構成されており、その厚さは1.0nm以上2.5nm以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項48記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記非磁性結合層は、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)およびレニウム(Re)のうちのいずれかの非磁性材料により構成されている
ことを特徴とする請求項43または請求項44に記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記非磁性結合層は、ルテニウム(Ru)により構成されており、その厚さは0.3nm以上0.9nm以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項50記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記第1の反平行被固定層は、コバルト鉄合金(CoFe)、ニッケル鉄合金(NiFe)およびコバルト鉄ニッケル合金(CoFeNi)のうちのいずれかの強磁性材料により構成されている
ことを特徴とする請求項43または請求項44に記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記第1の反平行被固定層は、コバルト鉄合金により構成されており、その厚さは1.0nm以上3.0nm以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項52記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記非磁性スペーサ層は、銅(Cu)、銀(Ag)および金(Au)のうちのいずれかの非磁性材料により構成されている
ことを特徴とする請求項43または請求項44に記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記非磁性スペーサ層は、銅により構成されており、その厚さは0.8nm以上3.0nm以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項54記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記非磁性スペーサ層は、銅により構成されており、その厚さは1.8nmである
ことを特徴とする請求項54記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記非磁性スペーサ層は、銅により構成されており、その厚さは1.9nmである
ことを特徴とする請求項54記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記強磁性フリー層は、コバルト鉄合金(CoFe)、ニッケル鉄合金(NiFe)、コバルト鉄ニッケル合金(CoFeNi)、およびコバルト鉄合金とニッケル鉄合金との積層体(CoFe/NiFe)のうちのいずれかの強磁性材料により構成されている
ことを特徴とする請求項43または請求項44に記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記強磁性フリー層は、コバルト鉄合金により構成されており、その厚さは1.0nm以上6.0nm以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項58記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記保護層のうちの前記非磁性層は、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、ロジウム(Rh)およびレニウム(Re)のうちのいずれかの非磁性材料により構成されている
ことを特徴とする請求項43または請求項44に記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記非磁性層は、銅により構成されており、その厚さは0nmより大きく、かつ2.0nm以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項60記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 基体上に配設され、磁気抵抗効果を高めるシード層と、
このシード層上に配設され、反強磁性材料よりなる固定作用層と、
この固定作用層上に配設されたシンセティック反強磁性被固定層と
を備えたボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子であって、
前記シンセティック反強磁性被固定層が、
前記固定作用層上に配設され、強磁性材料よりなる第2の反平行被固定層と、
この第2の反平行被固定層上に配設された非磁性結合層と、
この非磁性結合層上に配設された第1の反平行被固定層と
を含み、
さらに、
前記シンセティック反強磁性被固定層のうちの前記第1の反平行被固定層上に配設された非磁性スペーサ層と、
この非磁性スペーサ層上に配設された強磁性フリー層と、
この強磁性フリー層上に配設され、鏡面反射材料よりなる保護層と
を備え、
前記強磁性フリー層が縦方向に磁化されていると共に、前記シンセティック反強磁性被固定層が、前記強磁性フリー層の磁化方向と直交する方向に磁化されており、
前記保護層は、鉄タンタル合金酸化物(FeTaO)により構成されており、その厚さは0.5nm以上4.0nm以下の範囲内である
ことを特徴とするボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記シード層は、ニッケルクロム合金(NiCr)またはニッケル鉄クロム合金(NiFeCr)のいずれかにより構成されており、その厚さは3.0nm以上7.0nm以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項62記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記固定作用層は、マンガン白金合金(MnPt)、イリジウムマンガン合金(IrMn)、ニッケルマンガン合金(NiMn)およびマンガンパラジウム白金合金(MnPdPt)のうちのいずれかの反強磁性材料により構成されている
ことを特徴とする請求項62記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記固定作用層は、マンガン白金合金により構成されており、その厚さは8.0nm以上25.0nm以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項64記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記第2の反平行被固定層は、コバルト鉄合金(CoFe)、ニッケル鉄合金(NiFe)およびコバルト鉄ニッケル合金(CoFeNi)のうちのいずれかの強磁性材料により構成されている
ことを特徴とする請求項62記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記第2の反平行被固定層は、コバルト鉄合金により構成されており、その厚さは1.0nm以上2.5nm以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項66記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記第2の反平行被固定層は、被固定層内非磁性スペーサ層を挟んで第1および第2の強磁性層が積層された3層構造をなすように構成されている
ことを特徴とする請求項62記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記第1および第2の強磁性層は、コバルト鉄合金(CoFe)、ニッケル鉄合金(NiFe)およびコバルト鉄ニッケル合金(CoFeNi)のうちのいずれかの強磁性材料により構成されている
ことを特徴とする請求項68記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記第1および第2の強磁性層は、コバルト鉄合金により構成されており、その厚さは0.5nm以上1.5nm以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項69記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記被固定層内非磁性スペーサ層は、タンタル(Ta)、ニッケルクロム合金(NiCr)およびニッケル鉄クロム合金(NiFeCr)のうちのいずれかの非磁性材料により構成されている
ことを特徴とする請求項68記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記被固定層内非磁性スペーサ層は、タンタルにより構成されており、その厚さは0.05nm以上0.5nm以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項71記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記非磁性結合層は、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)およびレニウム(Re)のうちのいずれか非磁性材料により構成されている
ことを特徴とする請求項62記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記非磁性結合層は、ルテニウムにより構成されており、その厚さは0.3nm以上0.9nm以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項73記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記第1の反平行被固定層は、コバルト鉄合金(CoFe)、ニッケル鉄合金(NiFe)およびコバルト鉄ニッケル合金(CoFeNi)のうちのいずれかの強磁性材料により構成されている
ことを特徴とする請求項62記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記第1の反平行被固定層は、コバルト鉄合金により構成されており、その厚さは1.0nm以上3.0nm以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項75記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記非磁性スペーサ層は、銅(Cu)、銀(Ag)および金(Au)のうちのいずれかの非磁性材料により構成されている
ことを特徴とする請求項62記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記非磁性スペーサ層は、銅により構成されており、その厚さは0.8nm以上3.0nm以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項77記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。 - 前記非磁性スペーサ層は、銅により構成されており、その厚さは1.9nmである
ことを特徴とする請求項78記載のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子。
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