JP2006216945A5 - - Google Patents
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- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims 1
Claims (19)
- （ａ）０．８ｎｍ未満の厚さを有するルテニウムスペーサを準備するステップと、
（ｂ）前記ルテニウムスペーサを有するセンサを形成するステップと、
（ｃ）前記ルテニウムスペーサを５テスラ以上の磁場中で熱処理するステップと、
を含むことを特徴とするセンサの結合強度を増大させる方法。 - 前記センサが反平行固定磁化層を有するセンサであることを特徴とする請求項１記載の方法。
- 前記センサが、ＧＭＲセンサおよびＴＭＲセンサから成る群から選択されることを特徴とする請求項１記載の方法。
- 前記ルテニウムスペーサがルテニウム合金であることを特徴とする請求項１記載の方法。
- 前記ルテニウムスペーサが純粋なルテニウムであることを特徴とする請求項１記載の方法。
- 前記ルテニウムスペーサの厚さが０．１〜０．６ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の方法。
- 前記磁場が５〜１０テスラであることを特徴とする請求項１記載の方法。
- （ａ）０．８ｎｍ未満の厚さを有するルテニウムスペーサを準備するステップと、
（ｂ）前記ルテニウムスペーサを備える反平行固定磁化層を有するセンサを形成し、前記ルテニウムスペーサを５テスラ以上の磁場中で熱処理するステップと、
を含むことを特徴とする反平行固定磁化層を有するセンサの反平行結合強度を増大させる方法。 - 前記反平行固定磁化層を有するセンサが、ＧＭＲセンサおよびＴＭＲセンサから成る群から選択されることを特徴とする請求項８記載の方法。
- 前記ルテニウムスペーサがルテニウム合金であることを特徴とする請求項８記載の方法。
- 前記ルテニウムスペーサが純粋なルテニウムであることを特徴とする請求項８記載の方法。
- 前記ルテニウムスペーサの厚さが０．１〜０．６ｎｍであることを特徴とする請求項８記載の方法。
- 前記磁場が５〜１０テスラであることを特徴とする請求項８記載の方法。
- 磁気ディスクと、
０．８ｎｍ未満の厚さで、５テスラ以上の磁場による熱処理を受けたルテニウムスペーサを備える反平行固定磁化層を有するセンサを有し、前記ディスクからデータを読取りまた該ディスクにデータを書込むためのヘッドを有するアクチュエータと、
を有することを特徴とするハードディスクドライブ。 - 前記反平行固定磁化層を有するセンサが、ＧＭＲセンサおよびＴＭＲセンサから成る群から選択されることを特徴とする請求項１４記載のハードディスクドライブ。
- 前記ルテニウムスペーサがルテニウム合金であることを特徴とする請求項１４記載のハードディスクドライブ。
- 前記ルテニウムスペーサが純粋なルテニウムであることを特徴とする請求項１４記載のハードディスクドライブ。
- 前記ルテニウムスペーサの厚さが０．１〜０．６ｎｍであることを特徴とする請求項１４記載のハードディスクドライブ。
- 前記磁場が５〜１０テスラであることを特徴とする請求項１４記載のハードディスクドライブ。
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