JP3730976B2 - 薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、及び、ハードディスク装置 - Google Patents
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Description
NiCr5/PtMn15/CoFe1.5/Ru0.8/CoFe2/Cu2/CoFe1/NiFe3/Ta2 (数値の単位はnm)
とした。また、電極層11の構成は、
Ta5/Au50/Ta10 (数値の単位はnm)
とした。光学トラック幅は、平均で0.12μmである。
NiCr5/PtMn15/CoFe1.5/Ru0.8/CoFe2/Cu2/CoFe1/NiFe3/Ta2 (数値の単位はnm)
とした。また、電極層の構成は、
Ta5/Au50/Ta10 (数値の単位はnm)
とした。光学トラック幅は、平均で0.12μmである。
磁区制御層を、図10に示すように、厚み(最大膜厚)25nmを有するCoCr5Pt15を用いた硬質磁性層と、厚み(最大膜厚)3nmを有するFeCo10を用いた強磁性層と、厚み(最大膜厚)2nmを有するCrTi15を用いた下地層との層構造体とし、バルクハウゼンノイズの発生率を求めた。そして、磁区制御層を、厚み(最大膜厚)25nmを有するCoCr5Pt15を用いた硬質磁性層と、厚み(最大膜厚)3nmを有するFeCo10を用いた強磁性層との層構造体とし、バルクハウゼンノイズの発生率を求め、バルクハウゼンノイズの発生割合を得た。
磁区制御層を、図10に示すように、厚み(最大膜厚)25nmを有するCoCr5Pt15を用いた硬質磁性層と、厚み(最大膜厚)3nmを有するFeCo10を用いた強磁性層と、厚み(最大膜厚)2nmを有するTiW75(Ti25at%、W75at%の組成)を用いた下地層との層構造体とし、バルクハウゼンノイズの発生率を求めた。そして、磁区制御層を、厚み(最大膜厚)25nmを有するCoCr5Pt15を用いた硬質磁性層と、厚み(最大膜厚)3nmを有するFeCo10を用いた強磁性層との層構造体とし、バルクハウゼンノイズの発生率を求め、バルクハウゼンノイズの発生割合を得た。
磁区制御層を、図10に示すように、厚み(最大膜厚)25nmを有するCoCr5Pt15を用いた硬質磁性層と、厚み(最大膜厚)3nmを有するFeCo10を用いた強磁性層と、厚み(最大膜厚)2nmを有するCrMo20(Cr80at%、Mo20at%の組成)を用いた下地層との層構造体とし、バルクハウゼンノイズの発生率を求めた。そして、磁区制御層を、厚み(最大膜厚)25nmを有するCoCr5Pt15を用いた硬質磁性層と、厚み(最大膜厚)3nmを有するFeCo10を用いた強磁性層との層構造体とし、バルクハウゼンノイズの発生率を求め、バルクハウゼンノイズの発生割合を得た。
磁区制御層を、図10に示すように、厚み(最大膜厚)25nmを有するCoCr5Pt15を用いた硬質磁性層と、厚み(最大膜厚)3nmを有するFeCo10を用いた強磁性層と、厚み(最大膜厚)2nmを有するCrW20(Cr80at%、W20at%の組成)を用いた下地層との層構造体とし、バルクハウゼンノイズの発生率を求めた。そして、磁区制御層を、厚み(最大膜厚)25nmを有するCoCr5Pt15を用いた硬質磁性層と、厚み(最大膜厚)3nmを有するFeCo10を用いた強磁性層との層構造体とし、バルクハウゼンノイズの発生率を求め、バルクハウゼンノイズの発生割合を得た。
Claims (8)
- 磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向における両側に互いに離間して配置され、当該磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を印加するための一対の磁区制御層と、を有し、
前記磁区制御層は、硬質磁性層と、強磁性層と、前記硬質磁性層の磁化方向を面内方向で揃えるための下地層との層構造体を含み、
前記層構造体において、前記硬質磁性層と前記下地層との間に前記強磁性層が積層されており、
前記強磁性層の飽和磁化が前記硬質磁性層の飽和磁化以上であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 前記下地層は、体心立方構造を有する材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記下地層は、Ti、Cr、Mo、W、及びこれらの合金からなる群より選ばれる金属で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記下地層は、その厚みが1〜3nmの範囲に設定されていることを特徴とする請求項1〜請求項3の何れか一項に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記硬質磁性層は、Coを含む硬質磁性材料からなることを特徴とする請求項1〜請求項4の何れか一項に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記強磁性層は、Fe又はCoの少なくとも一方を含む金属で形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項5の何れか一項に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 基台と、前記基台上に形成される薄膜磁気ヘッドと、前記基台を固定するジンバルとを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、
磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向における両側に互いに離間して配置され、当該磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を印加するための一対の磁区制御層と、を有し、
前記磁区制御層は、硬質磁性層と、強磁性層と、前記硬質磁性層の磁化方向を面内方向で揃えるための下地層との層構造体を含み、
前記層構造体において、前記硬質磁性層と前記下地層との間に前記強磁性層が積層されており、
前記強磁性層の飽和磁化が前記硬質磁性層の飽和磁化以上であることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。 - 基台と、前記基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、前記薄膜磁気ヘッドと対向する記録媒体と、を備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、
磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向における両側に互いに離間して配置され、当該磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を印加するための一対の磁区制御層と、を有し、
前記磁区制御層は、硬質磁性層と、強磁性層と、前記硬質磁性層の磁化方向を面内方向で揃えるための下地層との層構造体を含み、
前記層構造体において、前記硬質磁性層と前記下地層との間に前記強磁性層が積層されており、
前記強磁性層の飽和磁化が前記硬質磁性層の飽和磁化以上であることを特徴とするハードディスク装置。
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