JPH11288503A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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JPH11288503A
JPH11288503A JP10089806A JP8980698A JPH11288503A JP H11288503 A JPH11288503 A JP H11288503A JP 10089806 A JP10089806 A JP 10089806A JP 8980698 A JP8980698 A JP 8980698A JP H11288503 A JPH11288503 A JP H11288503A
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thin
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magnetic layer
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Yoshitaka Sasaki
芳高 佐々木
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁極部分を微細化しても磁束の飽和や漏れが
少なく、特に短いスロートハイトを有する薄膜磁気ヘッ
ドおよびそれを効率良く、迅速に量産できる方法を提供
する。 【解決手段】 基体の上に、第１の磁性層２８を形成し
た後、その表面に凹部を形成し、この凹部内に絶縁層２
９を埋め込み、平坦な平面とする。この平坦な表面の上
にライトギャップ層３０を形成した後、ポールチップを
構成する第２の磁性層３１を所定のパターンにしたがっ
て形成する。この第２の磁性層３１の後端は、前記凹部
のエアベアリング面側の端縁よりも内方まで延在させ
る。ライトギャップ層３０の上に絶縁層３２，３４によ
って覆われた薄膜コイル３３，３５を形成した後、先端
３６ａがエアベアリング面よりも後退するように第３の
磁性層３６を形成し、全体の上にオーバーコート層３７
を形成する。前記第１の磁性層２８に形成した凹部の端
縁をスロートハイト零の位置の基準としてエアベアリン
グ面を研磨出しする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、書き込み用の誘導
型薄膜磁気ヘッドを含む磁気ヘッドとその製造方法に関
するもので、特に書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッド
と、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドとを積
層した状態で基体により支持した複合型薄膜磁気ヘッド
およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴い、複合型薄膜磁気ヘッドについてもその性
能向上が求められている。複合型薄膜磁気ヘッドとし
て、書き込みを目的とする誘導型の薄膜磁気ヘッドと、
読み出しを目的とする磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッド
とを、基体上に積層した構造を有するものが提案され、
実用化されている。読み取り用の磁気抵抗素子として
は、通常の異方性磁気抵抗(AMR：Anisotropic Magneto
Resistive)効果を用いたものが従来一般に使用されてき
たが、これよりも抵抗変化率が数倍も大きな巨大磁気抵
抗(GMR：Giant Magneto Resistive)効果を用いたものも
開発されている。本明細書では、これら AMR素子および
GMR素子などを総称して磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
または簡単にMR再生素子と称することにする。
【０００３】AMR素子を使用することにより、数ギガビ
ット／インチ2 の面記録密度を実現することができ、ま
た GMR素子を使用することにより、さらに面記録密度を
上げることができる。このように面記録密度を高くする
ことによって、10Ｇバイト以上の大容量のハードディス
ク装置の実現が可能となってきている。このような磁気
抵抗再生素子よりなる再生ヘッドの性能を決定する要因
の一つとして、磁気抵抗再生素子の高さ(MR Height：MR
ハイト) がある。このMRハイトは、端面がエアベアリン
グ面に露出する磁気抵抗再生素子の、エアベアリング面
から測った距離であり、薄膜磁気ヘッドの製造過程にお
いては、エアベアリング面を研磨して形成する際の研磨
量を制御することによって所望のMRハイトを得るように
している。
【０００４】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記
録ヘッドの性能向上も求められている。面記録密度を上
げるには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる
必要がある。このためには、エアベアリング面における
ライトギャップ（write gap)の幅を数ミクロンからサブ
ミクロンオーダーまで狭くする必要があり、これを達成
するために半導体加工技術が利用されている。
【０００５】書き込み用薄膜磁気ヘッドの性能を決定す
る要因の一つとして、スロートハイト（Throat Height
: TH) がある。このスロートハイトは、エアベアリン
グ面から薄膜コイルを電気的に分離する絶縁層のエッジ
までの磁極部分の距離であり、この距離をできるだけ短
くすることが望まれている。このスロートハイトの縮小
化もまた、エアベアリング面からの研磨量で決定され
る。したがって、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッド
と、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドとを積
層した複合型薄膜磁気ヘッドの性能を向上させるために
は、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドと、読み取り用
の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドをバランス良く形成す
ることが重要である。
【０００６】図１〜９に、従来の標準的な薄膜磁気ヘッ
ドの製造要領を工程順に示し、各図においてＡは薄膜磁
気ヘッド全体の断面図、Ｂは磁極部分の断面図である。
また図１０〜１２はそれぞれ、完成した従来の薄膜磁気
ヘッド全体の断面図、磁極部分の断面図および薄膜磁気
ヘッド全体の平面図である。なおこの例で、薄膜磁気ヘ
ッドは、誘導型の書込用薄膜磁気ヘッドおよび読取用の
MR再生素子を積層した複合型のものである。
【０００７】まず、図１に示すように、例えばアルティ
ック(AlTiC) からなる基体１の上に例えばアルミナ(Al2
O3) からなる絶縁層２を約５〜10μm の厚みに堆積す
る。次いで、図２に示すように、再生ヘッドのMR再生素
子を外部磁界の影響から保護するための一方の磁気シー
ルドを構成する第１の磁性層３を３μm の厚みで形成す
る。その後、図３に示すように、絶縁層４として、アル
ミナを 100〜150 nmの厚みでスパッタ堆積させたのち、
MR再生素子を構成する磁気抵抗効果を有する材料よりな
る磁気抵抗層５を１０nm以下の厚みに形成し、高精度の
マスクアライメントで所望の形状とする。続いて、図４
に示すように、再度、絶縁層６を形成して、磁気抵抗層
５を絶縁層４、６内に埋設する。
【０００８】次に、図５に示すように、パーマロイより
なる第２の磁性層７を３μm の膜厚に形成する。この第
２の磁性層７は、上述した第１の磁性層３と共にMR再生
素子を磁気遮蔽する他方のシールドとしての機能を有す
るだけでなく、書き込み用薄膜磁気ヘッドの一方のポー
ルとしての機能をも有するものである。
【０００９】ついで、第２の磁性層７の上に、非磁性材
料、例えばアルミナよりなるライトギャップ層８を約20
0 nmの膜厚に形成した後、例えばパーマロイ（Ni：50wt
％、Fe：50wt％）や窒化鉄（FeN)のような高飽和磁束密
度材料からなる磁性層を形成し、高精度のマスクアライ
メントで所望の形状としてポールチップ９を形成する。
このポールチップ９の幅Ｗでトラック幅が規定される。
したがって、このポールチップ９の幅Ｗを狭くすること
が高い面記録密度を実現するためには必要である。この
際、第２の磁性層７と、他方のポールを構成する第３の
磁性層を接続するためのダミーパターン９′を同時に形
成すると、機械的研磨または化学機械的研磨（Chemical
Mechanical Polishing ：CMP)後に、スルーホールを容
易に開口することができる。
【００１０】そして、実効書込トラック幅の広がりを防
止するため、すなわちデータの書込時に、一方のポール
において磁束が広がるのを防止するために、ポールチッ
プ９の周囲のギャップ層８と、他方のポールを構成する
第２の磁性層７をイオンミリング等のイオンビームエッ
チングにてエッチングする。その状態を図５に示した
が、この構造をトリム（Trim）といい、この部分が第２
の磁性層の磁極部分となる。
【００１１】次に、図６に示すように、絶縁層である例
えばアルミナ膜１０をおよそ３μmの厚みに形成後、全
体を例えばＣＭＰにて平坦化する。その後、電気絶縁性
のフォトレジスト層１１を高精度のマスクアライメント
で所定のパターンに形成した後、このフォトレジスト層
１１の上に、例えば銅よりなる第１層目の薄膜コイル１
２を形成する。
【００１２】続いて、図７に示すように、薄膜コイル１
２上に再度、高精度のマスクアライメントにより、絶縁
性のフォトレジスト層１３を形成後、表面を平坦にする
ため、例えば 250〜300 ℃の温度で焼成する。
【００１３】さらに、図８に示すように、このフォトレ
ジスト層１３の平坦化された表面の上に、第２層目の薄
膜コイル１４を形成する。ついで、この第２層目の薄膜
コイル１４の上に高精度マスクアライメントでフォトレ
ジスト層１５を形成した後、再度表面を平坦化するため
に、例えば 250°Ｃで焼成する。上述したように、フォ
トレジスト層１１、１３および１５を高精度のマスクア
ライメントで形成する理由は、フォトレジスト層の磁極
部分側の端縁を基準位置としてスロートハイトやMRハイ
トを規定しているためである。
【００１４】次に、図９に示すように、ポールチップ９
およびフォトレジスト層１１、１３および１５の上に、
他方のポールを構成する第３の磁性層１６を、例えばパ
ーマロイにより、３μm の厚みで所望のパターンに従っ
て選択的に形成する。この第３の磁性層１６は、磁極部
分から離れた後方位置において、ダミーパターン９′を
介して第２の磁性層７と接触し、第２の磁性層、ポール
チップ、第３の磁性層によって構成される閉磁路を薄膜
コイル１２、１４が通り抜ける構造になっている。さら
に、第３の磁性層１６の露出表面の上にアルミナよりな
るオーバーコート層１７を堆積する。
【００１５】最後に、磁気抵抗層５やギャップ層８を形
成した側面を研磨して、磁気記録媒体と対向するエアベ
アリング面(Air Bearing Surface：ABS)１８を形成す
る。このエアベアリング面１８の形成過程において磁気
抵抗層５も研磨され、MR再生素子１９が得られる。この
ようにして上述したスロートハイトTHおよびMRハイトが
決定される。その様子を図１０に示す。実際の薄膜磁気
ヘッドにおいては、薄膜コイル１２、１４およびMR再生
素子１９に対する電気的接続を行なうためのパッドが形
成されているが、図示では省略してある。なお、図１１
は、このようにして形成された複合型薄膜磁気ヘッドの
磁極部分を、エアベアリング面１８と平行な平面で切っ
た断面図である。
【００１６】図１０に示したように、薄膜コイル１２、
１４を絶縁分離するフォトレジスト層１１、１３、１５
側面の角部を結ぶ線分Ｓと第３の磁性層１６の上面との
なす角度θ（ApexAngle ：アペックスアングル) も、上
述したスロートハイトTHおよびMRハイトと共に、薄膜磁
気ヘッドの性能を決定する重要なファクタとなってい
る。
【００１７】また、図１２に平面で示すように、ポール
チップ９および第３の磁性層１６の磁極部分２０の幅Ｗ
は狭くなっており、この幅によって磁気記録媒体に記録
されるトラックの幅が規定されるので、高い面記録密度
を実現するためには、この幅Ｗをできるだけ狭くする必
要がある。なお、この図では、図面を簡単にするため、
薄膜コイル１２、１４は同心円状に示してある。
【００１８】さて、従来、薄膜磁気ヘッドの形成におい
て、特に問題となっていたのは、薄膜コイルの形成後、
フォトレジスト絶縁層でカバーされたコイル凸部、特に
その傾斜部（Apex）に沿って形成されるトップポールの
微細形成の難しさである。すなわち、従来は、第３の磁
性層を形成する際、約７〜１０μm の高さのコイル凸部
の上にパーマロイ等の磁性材料をメッキした後、フォト
レジストを３〜４μm の厚みで塗布し、その後フォトリ
ソグラフィ技術を利用して所定のパターン形成を行って
いた。
【００１９】ここに、山状コイル凸部の上のレジストで
パターニングされるレジスト膜厚として、最低３μm が
必要であるとすると、傾斜部の下方では８〜１０μm 程
度の厚みのフォトレジストが塗布されることになる。一
方、このような１０μm 程度の高低差があるコイル凸部
の表面および平坦上に形成されたライトギャップ層の上
に形成される第３の磁性層は、フォトレジスト絶縁層
（例えば図７の１１、１３）のエッジ近傍に記録ヘッド
の狭トラックを形成する必要があるため、第３の磁性層
をおよそ１μm 幅にパターニングする必要がある。した
がって、８〜１０μm の厚みのフォトレジスト膜を使用
して１μm 幅のパターンを形成する必要が生じる。
【００２０】しかしながら、８〜１０μm のように厚い
フォトレジスト膜で、１μm 幅程度の幅の狭いパターン
を形成しようとしても、フォトリソグラフィの露光時に
光の反射光によるパターンのくずれ等が発生したり、レ
ジスト膜厚が厚いことに起因して解像度の低下が起こる
ため、幅の狭いトラックを形成するための幅の狭いトッ
プポールを正確にパターニングすることはきわめて難し
いものである。
【００２１】そこで、前掲した従来例にも示したとお
り、記録ヘッドの狭トラック幅形成が可能なポールチッ
プでデーターの書き込みを行うものとして、かかるポー
ルチップを形成後、このポールチップにトップポールを
構成する第３の磁性層を接続する方式とすることによ
り、換言すると、トラック幅を決めるポールチップと磁
束を誘導する第３の磁性層とに２分割した構造とするこ
とにより、上記の問題を改善することが提案されてい
る。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにして形成された薄膜磁気ヘッド、特に記録ヘッド
には、依然として、以下に述べるような問題が残されて
いた。第３の磁性層１６の端面がエアベアリング面１８
に露出しているため、ここからの磁束の漏れがあり、正
確な磁気記録を行なうことができず、また面記録密度を
向上することも困難である。このような不具合を解決す
るために、第３の磁性層１６の端面をエアベアリング面
１８から内方に後退させることも提案されているが、そ
の場合には第３の磁性層とポールチップ９との接触面積
が小さくなり、磁気抵抗が増大し、効率が低下してしま
う。
【００２３】ポールチップ９と第３の磁性層１６との接
触面積を大きくして磁気抵抗を下げるためには、エアベ
アリング面１８に垂直な方向に見たポールチップの長さ
を長くすることが考えられるが、従来の薄膜磁気ヘッド
の構造では、ポールチップ９のエアベアリング面１８と
は反対側の端面がスロートハイト零の基準位置となって
いるので、ポールチップの長さを長くすると、このスロ
ートハイト零の基準位置がエアベアリング面から遠くな
り、スロートハイトを正確に設定することが難しくな
る。換言すると、従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、ポ
ールチップをスロートハイト零の基準位置を越えて内方
に延在させることができなかった。
【００２４】誘導型薄膜磁気ヘッドの磁気特性を向上す
るとともに小型を図るためには、スロートハイトTHをで
きるだけ短くする必要があり、そのためにはスロートハ
イト零の位置を基準としてスロートハイトを正確に設定
する必要があるが、従来の複合型薄膜磁気ヘッドにおい
ては、上述した理由によってスロートハイト零の基準位
置をエアベアリング面に十分接近させることができない
ので、特に短いスロートハイトを正確に設定できないと
いう問題がある。
【００２５】本発明の目的は、上述した従来の複合型薄
膜磁気ヘッドおよびその製造方法の種々の問題点を、解
決もしくは軽減できる薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法を提供しようとするものである。
【００２６】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、基体と、この基体によって支持された第１の磁性層
と、この第１の磁性層の、前記基体によって支持された
面とは反対側の面に形成された凹部内に、この面と同一
平面となるように埋め込まれた絶縁層と、これら第１の
磁性層および絶縁層の平坦な面に沿って設けられたライ
トギャップ層と、このライトギャップ層の、前記基体と
は反対側の面に沿って、前記第１の磁性層の、前記絶縁
層が埋め込まれていない部分から絶縁層が埋め込まれて
いる部分まで延在するように設けられた第２の磁性層
と、前記ライトギャップ層の、前記基体とは反対側の面
に沿って、絶縁分離された状態で配設された薄膜コイル
と、前記第２の磁性層の、前記ライトギャップ層とは反
対側の面の、エアベアリング面から後退した部分に連結
されるとともにエアベアリング面から離れた後方位置に
おいて前記第１の磁性層と磁気的に結合された第３の磁
性層と、前記第１の磁性層の凹部に埋め込まれた絶縁層
の、エアベアリング面側の端縁をスロートハイト零の位
置の基準として形成されたエアベアリング面と、を具え
ることを特徴とするものである。
【００２７】また、本発明による複合型薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、少なくとも誘導型薄膜磁気ヘッドを基体
により支持した薄膜磁気ヘッドを製造する方法であっ
て、基体の表面に、エアベアリング面から延在するよう
に第１の磁性層を形成する工程と、この第１の磁性層の
表面に、エアベアリング面から所定の距離だけ離れた位
置に端縁を有する凹部を形成する工程と、前記第１の磁
性層のエアベアリング面から前記凹部の端縁まで延在す
る部分の表面と同一平面となるように凹部内に埋め込ま
れた絶縁層を形成する工程と、この同一平面とされた第
１の磁性層の表面および絶縁層の表面にライトギャップ
層を形成する工程と、このライトギャップ層の上に、エ
アベアリング面から前記凹部の端縁よりも後方まで延在
し、ポールチップを構成する第２の磁性層を形成する工
程と、前記ライトギャップ層の上に絶縁分離された状態
で支持された薄膜コイルを形成する工程と、前記第２の
磁性層の、エアベアリング面から後退した部分に連結さ
れるとともにエアベアリング面から離れた後方位置にお
いて前記第１の磁性層と磁気的に結合された第３の磁性
層を形成する工程と、エアベアリング面を研磨出しする
工程と、を具えることを特徴とするものである。
【００２８】上述した本発明による薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法では、ポールチップを構成する第２の磁
性層を飽和磁束密度が高い材料で構成することにより、
磁束が途中で飽和することなく、有効に書き込みを行な
うことができる。さらに、第３の磁性層の先端はエアベ
アリング面から後退しているので、漏れ磁束による書き
込み不良も回避できる。この場合、第２の磁性層および
第３の磁性層を共に飽和磁束密度が高い材料で構成する
場合よりも、製造工程中の取扱いが容易になること、製
造コストを低くすることができることなどの利点が得ら
れる。
【００２９】さらに、本発明による薄膜磁気ヘッドにお
いては、第２の磁性層をエアベアリング面から離れた位
置まで延在させているので、上述したように第３の磁性
層の先端をエアベアリング面よりも後退させるにも拘ら
ず、第２の磁性層と第３の磁性層との接触面積を大きく
することができる。
【００３０】さらに、このように第２の磁性層の後端を
エアベアリング面から離しているにも拘らず、スロート
ハイト零の基準位置は、エアベアリング面に接近させる
ことができるので、スロートハイトの短い磁極部分を正
確に形成することができる。換言すれば、本発明では、
ポールチップを構成する第２の磁性層をスロートハイト
零の基準位置を越えて内方まで延在させることにより、
スロートハイトの短い薄膜磁気ヘッドを正確に得ること
ができる。
【００３１】さらに、本発明による複合型薄膜磁気ヘッ
ドにおいては、前記第１の磁性層の表面とその凹部に形
成した絶縁層の表面とを同一平面とすることができ、し
たがってライトギャップ層を平坦とすることができ、所
望の寸法、形状のものを容易に製造することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、図１３〜２４を参照して本
発明による薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法の第１の
実施例を説明する。なお、これらの図面においては、断
面図をＡで示し、正面図をＢで示した。また、本例で
は、基体の上に読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドを形成し、その上に書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘ
ッドを積層した複合型薄膜磁気ヘッドとしたものであ
る。
【００３３】アルティック（AlTiC ）より成る基体本体
２１の一方の表面に、約３〜５m の膜厚でアルミナより
成る絶縁層２２を形成した様子を図１３に示す。これ
ら、基体本体２１および絶縁層２２を、本明細書におい
ては、基体またはウエファ２３と称する。また、本明細
書において、絶縁層とは、少なくとも電気的な絶縁特性
を有する膜を意味しており、非磁性特性はあってもなく
ても良い。しかし、一般には、アルミナのように、電気
絶縁特性を有しているとともに非磁性特性を有する材料
が使用されているので、絶縁層と、非磁性層とを同じ意
味に使用する場合もある。
【００３４】次に、基体２３の絶縁層２２の上に、磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに対するボトムシールド層２
４をパーマロイにより約３μm の膜厚に形成した様子を
図１４に示す。このボトムシールド層２４は、フォトレ
ジストをマスクとするメッキ法によって所定のパターン
にしたがって形成する。続いて、図１５に示すように、
ボトムシールド２４の上に、アルミナより成る絶縁層を
約４μm の膜厚で形成した後、化学機械研磨（ＣＭＰ）
処理によって平坦として絶縁層２５を形成する。
【００３５】次に、図１６に示すように、平坦な平面と
なっているボトムシールド層２４および絶縁層２５の上
にアルミナより成るシールドギャップ層２６に埋設され
たＧＭＲ層２７を形成する。このシールドギャップ層２
６の膜厚は０．２μm とすることができる。さらに、図
１６に示すようにＧＭＲ層２７を埋設したシールドギャ
ップ層２６の上に、ＧＭＲ層に対するトップシールドを
構成するとともに誘導型薄膜磁気ヘッドのボトムポール
を構成する第１の磁性層２８をパーマロイにより３〜４
μmの膜厚に形成し、さらにフォトレジストパターンを
形成した後、これをマスクとしてアルゴンガスによるイ
オンビームエッチングを施して、第１の磁性層の表面に
深さ約１．０μm の凹部２８ａを形成する。
【００３６】次に、アルミナより成る絶縁層を１〜２μ
m の膜厚に形成した後、ＣＭＰ処理を施して上述した凹
部２８ａ内に埋め込まれた絶縁層２９を平坦面となるよ
うに形成し、さらにこのように平坦となった第１の磁性
層２８および絶縁層２９の表面に、アルミナより成るラ
イトギャップ層３０を、０．２〜０．３μm の膜厚に形
成した様子を図１７に示す。このＣＭＰ処理は、第１の
磁性層２８の表面が露出した後、０．３〜０．５μm 程
度オーバーエッチングするように行なう。
【００３７】このように第１の磁性層２８を所定のパタ
ーンにしたがって形成した後、その表面に絶縁層２９を
埋め込んだ構造の平面の様子を図１８に示す。なお、こ
の図１８においては、ライトギャップ層３０を省くとと
もに後に形成される誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイル
を仮想線で示した。また、図１８において、薄膜コイル
の中心に形成されている部分は凹部２８ａの中心に形成
されている凸部２８ｂを示し、後述するように第１の磁
性層２８により構成される下部ヨークと上部ヨークとを
連結するためのものである。
【００３８】実際の製造では、多数の複合型薄膜磁気ヘ
ッドをウエファ上にマトリックス状に配列して形成した
後、ウエファを複数のバーに切断し、各バーの端面を研
磨してエアベアリング面を形成し、最後にバーを切断し
て個々の複合型薄膜磁気ヘッドを得るようにしているの
で、この段階では端面が現れないが、説明の便宜上、こ
の端面を示している。したがって、図１３〜１７やそれ
以降の図面においても、この端面の正面図をも示してあ
る。
【００３９】次に、図１９に示すように、第１の磁性層
２８の凸部２８ｂの上にあるライトギャップ層３０を選
択的に除去した後、高磁束密度を有する磁性材料である
NiFe(50％, 50％) やFeN より成る第２の磁性層３１
を、２〜４μm の膜厚に形成する。この第２の磁性層３
１はポールチップを構成するものであり、メッキ法で所
定のパターンに形成するか、スパッタ後、ドライエッチ
ングで所定のパターンとすることができる。また、この
第２の磁性層３１の巾によって記録トラックの巾が決ま
るので、その巾は０．５〜１．２μm と狭くする。この
第２の磁性層３１の形成と同時に第１の磁性層２８の凸
部２８ｂの上に連結用磁性層３１ａが形成される。
【００４０】本発明においては、図１９に明瞭に示すよ
うに、ポールチップを構成する第２の磁性層３１を、第
１の磁性層２８の凹部に埋め込んだ絶縁層２９のエアベ
アリング面側の端縁を越えて内方に延在するように形成
する。この端縁を越えて内方に延在される距離は、例え
ば１〜３μm とすることができる。この絶縁層２９のエ
アベアリング面側の端縁は、スロートハイト零の基準位
置となるものであるので、本発明は第２の磁性層３１を
このスロートハイト零の基準位置を越えて内方まで延在
させている。このスロートハイト零の基準位置からエア
ベアリング面までの距離がスロートハイトの長さとなる
が、本発明ではこの長さを１μm 以下とすることができ
る。
【００４１】次に、第２の磁性層３１をマスクとし、フ
レオン系ガスまたは塩素系ガスを用いるリアクティブイ
オンエッチングよってライトギャップ層３０を選択的に
除去し、さらに露出した第１の磁性層２８の表面をイオ
ンビームエッチングにより部分的に除去してトリム構造
を形成した様子を図１９に示す。
【００４２】さらに、図２０に示すように、ライトギャ
ップ層３０の上に、フォトレジストより成る絶縁層３２
によって絶縁分離された状態で支持された第１層目の薄
膜コイル３３を形成し、続いて図２１に示すように、フ
ォトレジストより成る絶縁層３４によって絶縁分離され
た状態で支持された第２層目の薄膜コイル３５を形成し
た後、２００〜２５０°Ｃの温度でアニールする。
【００４３】次に、第３の磁性層３６を３〜４μm の膜
厚に形成した様子を図２２に示す。この第３の磁性層３
６は、ポールチップを構成する第２の磁性層３１と同様
の高い飽和磁束密度を有する磁性材料をメッキ法または
スパッタ法によって形成することができる。
【００４４】図２３は、第２の磁性層３１と第３の磁性
層３６の形状および配置を示す線図的平面図である。第
２の磁性層３１は、磁極部分を構成する巾の狭い部分
と、第３の磁性層３６と接触する面積の大きな部分とか
ら形成されている。また、第３の磁性層３６の、第２の
磁性層３１と重なる部分は頂角が９０〜１３０°の屋根
形となっている。また、第３の磁性層３６の先端部分を
巾を狭くして第２の磁性層３１の上を覆うようにしてい
るが、その端面はほぼスロートハイト零の基準位置と一
致させるようにしている。すなわち、ＧＭＲ層２７のエ
アベアリング面とは反対側の端縁と、第１の磁性層３１
に形成した凹部のエアベアリング面側の端縁と、第３の
磁性層３６のエアベアリング面側の端縁とがスロートハ
イト零の基準位置の近傍においてほぼ一直線上に並ぶよ
うに構成している。
【００４５】上述したように、本発明においては第３の
磁性層３６の、第２の磁性層３１と連結される先端部分
３６ａの端面がエアベアリング面よりも内方に後退して
いる。このように第３の磁性層３６の先端部分３６ａを
後退させても、第２の磁性層３１をスロートハイト零の
基準位置を越えて内方に延在させているので、第２の磁
性層３１と第３の磁性層３６との接触面積を十分広くと
ることができ、薄膜磁気ヘッドの磁気特性を改善でき
る。本例では、この第２の磁性層３１と第３の磁性層３
６との接触面積をさらに増大させるために、第２の磁性
層の後方部分を３角形状に形成している。次に、図２４
に示すように、アルミナより成るオーバーコート層３７
を約２０〜３０μm の膜厚に形成する。
【００４６】図２５は、本発明による薄膜磁気ヘッドの
第２の実施例を示す断面図であり、前例と同様の部分に
は同じ符号を付けて示し、その詳細な説明は省略する。
本例において、ライトギャップ層３０の上にポールチッ
プを構成する第２の磁性層３１を選択的に形成するまで
の工程は前例と同じである。本例では、ライトギャップ
層３０の上に第１層目の薄膜コイル３３を形成した後、
アルミナ、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜などの無機
絶縁層４１を約５〜７μm の膜厚に形成し、ＣＭＰによ
って表面を平坦とする。さらにこの平坦な面の上に、フ
ォトレジストより成る絶縁層３４によって支持された第
２層目の薄膜コイル３５を形成する。
【００４７】図２６は、本発明による薄膜磁気ヘッドの
第３の実施例を示す断面図である。本例においても、前
例と同じ部分には同じ符号を付けて示した。本例でも、
ライトギャップ層３０の上にポールチップを構成する第
２の磁性層３１を選択的に形成するまでの工程は前例と
同じである。本例では、ライトギャップ層３０の上にア
ルミナ、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜などの無機絶
縁層４２を約５〜７μm の膜厚に形成した後、ＣＭＰに
よって平坦な面とした後、フォトレジストより成る絶縁
層３２によって絶縁分離された状態で支持された第１層
目の薄膜コイル３３と、フォトレジストより成る絶縁層
３４によって絶縁分離された状態で支持された第２層目
の薄膜コイル３５とを形成するものである。また、この
実施例の変形例として、第１層目の薄膜コイル３３を絶
縁分離した状態で支持する絶縁層を、フォトレジストの
代わりに無機絶縁層で形成することもできる。
【００４８】本発明は上述した実施例にのみ限定される
ものではなく、幾多の変更や変形が可能である。例え
ば、上述した実施例においては、基体上に読み取り用の
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを設け、その上に書き込
み用の誘導型薄膜磁気ヘッドを積層した構成としたが、
これらの薄膜磁気ヘッドの積層順序を逆とすることもで
きる。また、上述した実施例では、磁気抵抗素子をＧＭ
Ｒ素子としたが、ＡＭＲ素子とすることもできる。
【００４９】さらに、本発明はこのように読み取り用の
薄膜磁気ヘッドを磁気抵抗効果型のものとしたが、それ
以外の読み取り用薄膜磁気ヘッドを用いることもでき
る。また、読み取り用の薄膜磁気ヘッドは必ずしも設け
る必要はなく、誘導型薄膜磁気ヘッドだけを設けること
もできる。
【００５０】また、上述した実施例においては、第３の
磁性層３６の先端部分に巾の狭い部分を設けたが、この
ような突起状の部分を設ける必要は必ずしもない。その
ような場合でも、第３の磁性層３６の先端面の位置は、
ほぼスロートハイト零の基準位置の近傍とすることがで
きる。
【００５１】
【発明の効果】上述した本発明による薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法によれば、性能の向上および歩留りの
向上を図ることができる。その理由は、ポールチップを
構成する第２の磁性層を、平坦な表面に形成するので、
その巾を０．５〜１．２μm と非常に狭くすることがで
きるとともに、第２の磁性層を飽和磁束密度の高い磁性
材料で形成できるので、薄膜コイルで発生される磁束が
途中で飽和することがなく、有効に書き込み領域に到達
し、磁束の損失が少なくなるためである。
【００５２】また、ポールチップを構成する第２の磁性
層はスロートハイト零の基準位置よりも内方まで延在し
ているので、第３の磁性層の先端をエアベアリング面か
ら後退させても第２の磁性層との接触面積を十分広くす
ることができる。このため、第３の磁性層の先端からの
漏れ磁束がなくなるとともに十分に大きな磁束を第２の
磁性層に流すことができ、正確な記録動作を効率良く行
なうことができる。
【００５３】さらに、上述したようにスロートハイト零
の基準位置を、ポールチップを構成する第２の磁性層の
後端よりもエアベアリング面に接近させることができる
ので、短いスロートハイトでも正確に形成することがで
き、磁気特性を向上することができる。また、スロート
ハイト零の基準位置は、第１の磁性層の表面に形成さ
れ、絶縁層を埋め込んだ凹部の、エアベアリング面側の
端縁によって規定しているが、この凹部の端縁の位置は
製造工程中に変動することがないとともにエアベアリン
グ面に一層接近しているのでウエファ内に形成される多
数のチップの各々においてサブミクロンオーダーのスロ
ートハイトを正確にコントロールすることができ、歩留
りを著しく向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、従来の複合型薄膜磁気ヘッドを製造す
る方法の最初の工程を示す断面図である。
【図２】図２は、次の工程を示す断面図である。
【図３】図３は、次の工程を示す断面図である。
【図４】図４は、次の工程を示す断面図である。
【図５】図５は、次の工程を示す断面図である。
【図６】図６は、次の工程を示す断面図である。
【図７】図７は、次の工程を示す断面図である。
【図８】図８は、次の工程を示す断面図である。
【図９】図９は、次の工程を示す断面図である。
【図１０】図１０は、最終的に得られる複合型薄膜磁気
ヘッドを示す断面図である。
【図１１】図１１は、その磁極部分の断面図である。
【図１２】図１２は、その平面図である。
【図１３】図１３は、本発明による複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法の第１の実施例における最初の工程を示す
断面図および正面図である。
【図１４】図１４は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図１５】図１５は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図１６】図１６は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図１７】図１６は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図１８】図１８は、そのときの平面図である。
【図１９】図１９は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図２０】図２０は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図２１】図２１は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図２２】図２２は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図２３】図２３は、その時の平面図である。
【図２４】図２４は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図２５】図２５は、本発明による薄膜磁気ヘッドの第
２の実施例の構成を示す断面図である。
【図２６】図２６は、本発明による薄膜磁気ヘッドの第
３の実施例の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
２１ 基体本体 ２２ 絶縁層 ２３ 基体 ２４ 下部シールド層 ２５ 絶縁層 ２６ シールドギャップ層 ２７ ＧＭＲ層 ２８ 第１の磁性層 ２９ 絶縁層 ３０ ライトギャップ層 ３１ ポールチップを構成する第２の磁性層 ３２ 絶縁層 ３３ 薄膜コイル ３４ 絶縁層 ３５ 薄膜コイル ３６ 第３の磁性層 ３７ オーバーコート層 ４１ 無機絶縁層 ４２ 無機絶縁層

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基体と、 この基体によって支持された第１の磁性層と、 この第１の磁性層の、前記基体によって支持された面と
    は反対側の面に形成された凹部内に、この面と同一平面
    となるように埋め込まれた絶縁層と、 これら第１の磁性層および絶縁層の平坦な面に沿って設
    けられたライトギャップ層と、 このライトギャップ層の、前記基体とは反対側の面に沿
    って、前記第１の磁性層の、前記絶縁層が埋め込まれて
    いない部分から絶縁層が埋め込まれている部分まで延在
    するように設けられた第２の磁性層と、 前記ライトギャップ層の、前記基体とは反対側の面に沿
    って、絶縁分離された状態で配設された薄膜コイルと、 前記第２の磁性層の、前記ライトギャップ層とは反対側
    の面の、エアベアリング面から後退した部分に連結され
    るとともにエアベアリング面から離れた後方位置におい
    て前記第１の磁性層と磁気的に結合された第３の磁性層
    と、を具えることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記第１の磁性層の凹部に埋め込まれた
    絶縁層の、エアベアリング面側の端縁をスロートハイト
    零の位置の基準として形成されたエアベアリング面を具
    えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  3. 【請求項３】 前記第２の磁性層を、第３の磁性層より
    も高い飽和磁束密度を有する磁性材料で構成したことを
    特徴とする請求項１または２の何れかに記載の薄膜磁気
    ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記ライトギャップ層の、前記基体とは
    反対側の面に、前記第２の磁性層と同一平面となるよう
    に形成した無機絶縁層を具え、前記薄膜コイルを、この
    無機絶縁層の、前記基体とは反対側の面に設けたことを
    特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  5. 【請求項５】 前記ライトギャップ層の、前記基体とは
    反対側の面に、前記第２の磁性層と同一平面となるよう
    に形成した無機絶縁層を具え、前記薄膜コイルの第１層
    目の薄膜コイルを、前記無機絶縁層によって絶縁分離さ
    れた状態で支持したことを特徴とする請求項１〜３の何
    れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記第２の磁性層が、磁極部分を構成す
    る巾の狭い部分と、前記第３の磁性層と連結された巾の
    広い部分とを具えることを特徴とする請求項１〜５の何
    れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】 少なくとも誘導型薄膜磁気ヘッドを基体
    により支持した薄膜磁気ヘッドを製造する方法であっ
    て、 基体の表面に、エアベアリング面から延在するように第
    １の磁性層を形成する工程と、 この第１の磁性層の表面に、エアベアリング面から所定
    の距離だけ離れた位置に端縁を有する凹部を形成する工
    程と、 前記第１の磁性層のエアベアリング面から前記凹部の端
    縁まで延在する部分の表面と同一平面となるように凹部
    内に埋め込まれた絶縁層を形成する工程と、 この同一平面とされた第１の磁性層の表面および絶縁層
    の表面にライトギャップ層を形成する工程と、 このライトギャップ層の上に、エアベアリング面から前
    記凹部の端縁よりも後方まで延在し、ポールチップを構
    成する第２の磁性層を形成する工程と、 前記ライトギャップ層の上に絶縁分離された状態で支持
    された薄膜コイルを形成する工程と、 前記第２の磁性層の、エアベアリング面から後退した部
    分に連結されるとともにエアベアリング面から離れた後
    方位置において前記第１の磁性層と磁気的に結合された
    第３の磁性層を形成する工程と、 エアベアリング面を研磨出しする工程と、を具えること
    を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  8. 【請求項８】 前記薄膜コイルを少なくとも２層の薄膜
    コイルで形成し、第１層目の薄膜コイルを形成した後、
    有機絶縁層で覆い、その上に第２層目の薄膜コイルを形
    成した後、有機絶縁層で覆うことを特徴とする請求項７
    に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  9. 【請求項９】 前記ライトギャップ層の上に薄膜コイル
    を形成する前に、ライトギャップ層の上に無機絶縁層を
    形成し、その表面を平坦化した後、この無機絶縁層の上
    に薄膜コイルを形成することを特徴とする請求項７に記
    載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記薄膜コイルを複数の層を以て形成
    し、その第１層目の薄膜コイルを無機絶縁層で覆い、そ
    の表面を平坦化した後、その上に第２層目の薄膜コイル
    を形成することを特徴とする請求項７に記載の薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記エアベアリング面を研磨出しする
    工程を、前記凹部の端縁をスロートハイト零の基準位置
    として行なうことを特徴とする請求項７〜１０の何れか
    に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6567239B1 (en) 2000-03-08 2003-05-20 Fujitsu Limited Thin film magnetic head including a coil insulating resin filler and an insulating metallic layer covering at least partly the insulating resin filler on a datum plane
US7321480B2 (en) 2003-09-11 2008-01-22 Tdk Corporation Thin-film magnetic head having magnetic layers of different thicknesses and fabrication method for same

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3721262B2 (ja) 1998-07-23 2005-11-30 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ 薄膜磁気ヘッドの製造方法および磁気ヘッド
JP2000057520A (ja) * 1998-08-04 2000-02-25 Hitachi Ltd 磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記憶装置
US6317288B1 (en) 1998-08-28 2001-11-13 Tdk Corporation Thin-film magnetic head and method of manufacturing same
WO2000077777A1 (fr) * 1999-06-14 2000-12-21 Fujitsu Limited Tete d'enregistrement magnetique utilisant un film mince et son procede de fabrication
JP2001052309A (ja) * 1999-08-06 2001-02-23 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP2001236606A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Hitachi Metals Ltd 磁気ヘッド
JP2001256610A (ja) * 2000-03-09 2001-09-21 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US6430806B1 (en) * 2000-06-23 2002-08-13 Read-Rite Corporation Method for manufacturing an inductive write element employing bi-layer photoresist to define a thin high moment pole pedestal
JP3971934B2 (ja) * 2001-03-07 2007-09-05 ヤマハ株式会社 磁気センサとその製法
US6788501B2 (en) 2002-09-24 2004-09-07 International Business Machines Corporation GMR read head having a pinned layer with an active portion oxidized to reduce the magnetic moment thereof
US7185415B2 (en) * 2003-08-29 2007-03-06 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for forming a magnetic head having a flux shaping layer
US7199973B2 (en) * 2003-09-26 2007-04-03 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Perpendicular magnetic recording head with trailing shield throat height less than shaping layer distance from ABS

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6010409A (ja) 1983-06-29 1985-01-19 Fujitsu Ltd 薄膜磁気ヘツドの製造方法
JPS6117871A (ja) * 1984-07-03 1986-01-25 松下電器産業株式会社 吸収冷凍機
JPS61178710A (ja) 1985-02-05 1986-08-11 Canon Inc 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法
JPS62245509A (ja) 1986-04-18 1987-10-26 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘツドの製造方法
JPS6358610A (ja) * 1986-08-28 1988-03-14 Fuji Photo Film Co Ltd 薄膜磁気ヘツド
JPH0254412A (ja) * 1988-08-19 1990-02-23 Sumitomo Metal Ind Ltd 薄膜磁気ヘッド
JPH0810485B2 (ja) * 1989-03-20 1996-01-31 株式会社日立製作所 磁気ディスク装置及びこれに搭載する薄膜磁気ヘッドとその製造方法並びに情報の書込み・読出方法
JPH02302916A (ja) * 1989-05-17 1990-12-14 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘッド
JPH04285711A (ja) * 1991-03-13 1992-10-09 Fujitsu Ltd 薄膜ヘッドの製造方法
JP2740698B2 (ja) * 1991-07-02 1998-04-15 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッド
JPH0520639A (ja) * 1991-07-12 1993-01-29 Nec Corp 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法
JP2727915B2 (ja) * 1993-04-30 1998-03-18 日本ビクター株式会社 薄膜磁気ヘッド
US5452164A (en) * 1994-02-08 1995-09-19 International Business Machines Corporation Thin film magnetic write head
US5438747A (en) 1994-03-09 1995-08-08 International Business Machines Corporation Method of making a thin film merged MR head with aligned pole tips
JPH08339508A (ja) * 1995-06-14 1996-12-24 Nec Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気記憶装 置
JPH09106508A (ja) * 1995-10-09 1997-04-22 Yamaha Corp 誘導型薄膜磁気ヘッド
US5805391A (en) * 1996-10-28 1998-09-08 International Business Machines Corporation Write head with recessed stitched yoke on a planar portion of an insulation layer defining zero throat height
US5793578A (en) 1996-11-15 1998-08-11 International Business Machines Corporation Thin film induction recording head having an inset first insulation layer that defines zero throat height and pole tip apex angle
JPH11213329A (ja) * 1998-01-20 1999-08-06 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US6104576A (en) * 1998-04-10 2000-08-15 International Business Machines Corporation Inductive head with reduced height insulation stack due to partial coverage zero throat height defining insulation layer

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6567239B1 (en) 2000-03-08 2003-05-20 Fujitsu Limited Thin film magnetic head including a coil insulating resin filler and an insulating metallic layer covering at least partly the insulating resin filler on a datum plane
US6813824B2 (en) 2000-03-08 2004-11-09 Fujitsu Limited Method of producing thin film magnetic head
US7321480B2 (en) 2003-09-11 2008-01-22 Tdk Corporation Thin-film magnetic head having magnetic layers of different thicknesses and fabrication method for same

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Publication number Publication date
US6558561B2 (en) 2003-05-06
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US6388845B1 (en) 2002-05-14

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