JPH11283215A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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JPH11283215A
JPH11283215A JP10084337A JP8433798A JPH11283215A JP H11283215 A JPH11283215 A JP H11283215A JP 10084337 A JP10084337 A JP 10084337A JP 8433798 A JP8433798 A JP 8433798A JP H11283215 A JPH11283215 A JP H11283215A
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thin
magnetic
film coil
film
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JP10084337A
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Yoshitaka Sasaki
芳高 佐々木
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄膜コイルの磁路長を短くするために、少な
くとも一層の薄膜コイルの順次のコイル巻回体間の間隔
を狭くして、特性を向上させた薄膜磁気ヘッドおよびそ
れを正確かつ安定して製造する方法を提供する。 【解決手段】 第１の磁性層３７の上に絶縁層３８を形
成し、その表面に第１の薄膜コイル半部４０を、順次の
コイル巻回体の間隔を広く形成した後、第２の薄膜コイ
ル半部４４を第１の薄膜コイル半部の順次のコイル巻回
体の間にコイル巻回体が位置するように形成する。絶縁
層４５を形成した後、ライトギャップ層４６を形成し、
その上に第２層目の第１および第２の薄膜コイル半部４
７および４８を同様に形成する。表面に絶縁層５２を形
成した後、第２の磁性層５３およびオーバーコート層５
４を形成する。各層の第１および第２の薄膜コイル半部
の順次のコイル巻回体の間には微細加工が可能な酸化シ
リコンや窒化シリコンやアルミナなどの無機絶縁層が介
在しているので、コイル巻回体の間隔を０．３〜０．5
μm といった微小間隔で形成できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法に関するものであり、特に書き込み用
の誘導型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴い、薄膜磁気ヘッドについてもその性能向上
が求められている。このような薄膜磁気ヘッドの一つと
して、書き込みを目的とする記録ヘッドと、読み出しを
目的とする再生ヘッドとを積層した構造のものが提案さ
れている。ここで、記録ヘッドとしては誘導型薄膜磁気
ヘッドが用いられ、再生ヘッドとしては磁気抵抗素子が
広く用いられている。このような磁気抵抗素子として
は、通常の異方性磁気抵抗（ＡＭＲ：AnisotropicMagne
to Resistive)効果を用いたものが従来一般に使用され
てきたが、これよりも抵抗変化率が数倍も大きな巨大磁
気抵抗（ＧＭＲ：Giant Magneto Resistive)効果を用い
たものも開発されている。本明細書では、これらＡＭＲ
素子およびＧＭＲ素子を総称して磁気抵抗再生素子また
はＭＲ再生素子と称することにする。
【０００３】ＡＭＲ素子を使用することにより、数ギガ
ビット／インチ2 の面記録密度を実現することができ、
またＧＭＲ素子を使用することにより、さらに面記録密
度を上げることができる。このように面記録密度を高く
することによって、１０Ｇバイト以上の大容量のハード
ディスク装置の実現が可能となってきている。このよう
な磁気抵抗再生素子よりなる再生ヘッドの性能を決定す
る要因の一つとして、磁気抵抗再生素子の高さ( ＭＲ H
eight ：ＭＲハイト) がある。このＭＲハイトは、端面
がエアベアリング面に露出する磁気抵抗再生素子の、エ
アベアリング面から測った距離であり、薄膜磁気ヘッド
の製造過程においては、エアベアリング面を研磨して形
成する際の研磨量を制御することによって所望のＭＲハ
イトを得るようにしている。
【０００４】上述したように再生ヘッドの性能はＧＭＲ
素子を用いることによって向上することができるが、こ
れに伴って記録ヘッドの性能向上も求められている。面
記録密度を上げるには、磁気記録媒体におけるトラック
密度を上げる必要がある。このためには、エアベアリン
グ面における磁極部分およびライトギャップ（writega
p)の幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭く
する必要があり、これを達成するために半導体加工技術
が利用されている。
【０００５】書込用の誘導型薄膜磁気ヘッドの性能を決
定する要因の一つとして、スロートハイト（Throat Hei
ght : TH) がある。このスロートハイトは、エアベアリ
ング面から薄膜コイルを電気的に分離する絶縁層のエッ
ジまでの磁極部分の距離であり、この距離をできるだけ
短くすることが望まれている。このスロートハイトの縮
小化もまた、エアベアリング面からの研磨量で決定され
る。また、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドの性能を
向上させるために、ボトムポールおよびトップポール
の、薄膜コイルを囲む部分の長さ（本明細書では、磁路
長と呼ぶ）を短くすることが提案されている。
【０００６】図１〜８に、従来の標準的な複合型薄膜磁
気ヘッドの一例としてＧＭＲ素子を有するものの順次の
製造工程を、エアベアリング面に垂直な平面で切って示
す断面図である。なおこの例は、磁気抵抗効果型の読取
用の薄膜磁気ヘッドの上に誘導型の書込用薄膜磁気ヘッ
ドを積層した複合型薄膜磁気ヘッドである。
【０００７】まず、図１に示すように、例えばアルティ
ック(AlTiC) からなる基体１の上に例えばアルミナ(Al2
O3) からなる絶縁層２を約５〜10μm の厚みに堆積し、
その上に再生ヘッドのＭＲ再生素子を外部磁界の影響か
ら保護する磁気シールドを構成する下部シールド層３を
３〜４μm の厚みで形成し、その後、シールドギャップ
層４に埋設したＧＭＲ層５を数十ｎｍの厚みに形成し、
さらにその上にパーマロイよりなる磁性層６を３〜４μ
m の膜厚に形成する。この磁性層６は、上述した下部シ
ールド層３と共にＧＭＲ再生素子を磁気遮蔽する上部シ
ールド層の機能を有するだけでなく、書込用の誘導型薄
膜磁気ヘッドの下部磁性層としての機能をも有するもの
である。ここでは説明の便宜上、この磁性層６を書込用
磁気ヘッドを構成する一方の磁性層であることに注目し
て第１の磁性層と称することにする。
【０００８】次に、図２に示すように、第１の磁性層６
の上に、非磁性材料、例えばアルミナよりなるライトギ
ャップ層７を約２００ｎｍの膜厚に形成し、後に磁極部
分を構成する部分を除いて、ライトギャップ層７の上に
スロートハイトの基準位置を決定するフォトレジスト８
を形成し、さらに表面全体に１００ｎｍ程度の薄い銅層
９をスパッタにより形成する。この銅層９は、後に電気
メッキによって薄膜コイルを形成するために、シード層
(seed layer)を構成するものであるので、シード層とも
称することにする。このシード層９の上に３μm の厚い
フォトレジスト１０を形成し、このフォトレジストにシ
ード層また達する開口１１を形成する。この開口の高さ
は膜厚に等しく、２μm であり、巾も２μm である。
【０００９】次に、硫酸銅のメッキ液を用いて銅の電気
メッキ処理を行い、図３に示すようにフォトレジスト１
０の開口１１内に第１層目の薄膜コイルを構成するコイ
ル巻回体１２を２〜３μm の膜厚に形成する。このコイ
ル巻回体１２の膜厚は、開口１１の深さよりも小さくす
るのが好適である。次に、図４に示すように、フォトレ
ジスト１０を除去した後、アルゴンイオンビームによる
ミリングを施して、図５に示すようにシード層９を除去
し、コイル巻回体１２相互を分離して１つのコイル状の
導体を形成する。このイオンビームミリングの際には、
薄膜コイルのコイル巻回体１２の底部にあるシード層９
が薄膜コイルよりも外方に突出して残るのを抑止するた
めに、イオンビームミリングは５〜１０°の角度を以て
行なうようにしている。このように、イオンビームミリ
ングを垂直に近い角度で行うと、イオンビームの衝撃に
よって飛散したシード層９の材料が再付着するようにな
り、順次のコイル巻回体１２の間隔を広くしなければな
らない。
【００１０】次に、図６に示すように、第１層目の薄膜
コイルのコイル巻回体１２を覆うようにフォトレジスト
１３を形成し、その上面を平坦に研磨した後、上述した
手法と同様の手法によってシード層１４の上に第２層目
の薄膜コイルのコイル巻回体１５を形成し、さらにフォ
トレジスト１６を形成した後、トップポールを構成する
パーマロイより成る第２の磁性層１７を３〜５μm の膜
厚に形成する。
【００１１】次に、図７および８に示すように、第３の
磁性層１７の磁極部分１７ａをマスクとしてライトギャ
ップ層７および第１の磁性層６の表面をエッチングして
トリム構造を形成し、さらに全体の上にアルミナより成
るオーバーコート層１８を形成する。なお、図８は、図
７の８−８線に沿って切った断面図であり、ＧＭＲ素子
５を電気的に絶縁するとともに磁気的に遮蔽するシール
ドギャップ層４を構成する第１および第２のシールドギ
ャップ層４ａおよび４ｂと、ＧＭＲ素子に対する電気接
続を行なうための導電層５ａおよび５ｂをも示した。
【００１２】実際の薄膜磁気ヘッドの製造においては、
上述した構造をウエファに多数形成した後、多数の薄膜
磁気ヘッドが配列されたバーにウエファを分割し、この
バーの側面を研磨してエアベアリング面１９（図７参
照）を得るようにしている。このエアベアリング面１９
の形成過程においてＧＭＲ層５も研磨され、所望のスロ
ートハイトおよびＭＲハイトを有する複合型薄膜磁気ヘ
ッドが得られる。さらに、実際の薄膜磁気ヘッドにおい
ては、薄膜コイル１２, １５およびＧＭＲ再生素子に対
する電気的接続を行なうための接点パッドが形成されて
いるが、図示では省略してある。
【００１３】さらに、図７においてフォトレジスト８，
１３および１６のエアベアリング面１９側の側面を結ぶ
直線Ｓと基体平面とのなすアペックスアングルθ（Apex
Angle) も、上述したスロートハイトＴＨおよびＭＲハ
イトと共に、薄膜磁気ヘッドの性能を決定する重要なフ
ァクタとなっている。
【００１４】また、図８に示すように、第１の磁性層６
のトリム構造となっている磁極部分６ａおよび第２の磁
性層１７の磁極部分１７ａの幅Ｗによって磁気記録媒体
に記録されるトラックの幅が規定されるので、高い面記
録密度を実現するためには、この幅Ｗをできるだけ狭く
する必要がある。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにして形成
された従来の複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、特に書
き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドの微細化の点で問題が
ある。すなわち、図７に示すように、第１の磁性層６お
よび第２の磁性層１７の、薄膜コイルのコイル巻回体１
２および１５を囲む部分の長さである磁路長ＬM を短く
することによって、誘導型薄膜磁気ヘッドの磁束立ち上
がり時間（Flux Rise Time）や非線形トランジションシ
フト（Non-linear Transition Shift:NLTS）特性や重ね
書き（OverWrite) 特性などを改善できることが知られ
ている。この磁路長ＬM を短くするためには、薄膜コイ
ル１２，１５の、第１および第２の磁性層６および１７
によって囲まれる部分のコイル巾ＬC を短くする必要が
あるが、従来の薄膜磁気ヘッドでは、以下に説明するよ
うにこのコイル巾ＬC を短くすることができなかった。
【００１６】誘導型薄膜磁気ヘッドのコイル巾ＬC を短
くするためには、薄膜コイルの各コイル巻回体の巾を小
さくするとともに順次のコイル巻回体の間隔を狭くする
必要があるが、薄膜コイルの電気抵抗を小さくするため
には、コイル巻回体の巾を短くすることには制限があ
る。すなわち、薄膜コイルの抵抗値を低くするために、
導電率の高い銅を用いても、薄膜コイルの高さは２〜３
μm に制限されるので、コイル巻回体の巾を１．５μm
よりも狭くすることができない。したがって、コイル巾
ＬC を短くするには、コイル巻回体の間隔を狭くする必
要がある。
【００１７】しかし、従来の薄膜磁気ヘッドにおいて
は、薄膜コイルのコイル巻回体１２，１５の間隔を狭く
することができない。以下、その理由を説明する。上述
したように薄膜コイルのコイル巻回体１２，１５は銅の
電気メッキ法により形成されているが、フォトレジスト
１０に形成した開口１１内に、ウエファ全体に亘って均
一に銅を堆積させるためにシード層９を１００ｎｍの膜
厚で形成し、このシード層９が露出している開口１１内
に選択的に銅が堆積されるように電気メッキ処理を施し
てコイル巻回体１２，１５を形成した後、個々のコイル
巻回体を分離するために、シード層９を選択的に除去し
ている。このシード層９の除去には、上述したように、
コイル巻回体１２，１５をマスクとして、例えばアルゴ
ンを用いるイオンビームミリングを採用している。
【００１８】ここで、コイル巻回体１２，１５間のシー
ド層９を除去するには、イオンビームミリングを基体表
面に対して垂直な方向から行なうのが良いが、このよう
にすると、エッチングされた銅の再付着が発生し、順次
のコイル巻回体間の絶縁不良が起こるので、コイル巻回
体の間隔を狭くすることができない。このような欠点を
除去しようとして、５〜１０°の角度を以てイオンビー
ムミリングを行うと、フォトレジスト１０の影の部分に
はイオンが十分に照射されず、シード層９が部分的に残
ってしまう。したがって、コイル巻回体１２，１５間の
絶縁不良を回避するためには、コイル巻回体の間の間隔
を狭くすることができない。したがって、従来では、コ
イル巻回体間の間隔を２〜３μm と広くしており、これ
よりも狭くすることができなかった。
【００１９】さらに、上述した電気メッキ法によって薄
膜コイル１２，１５を形成する際には、薄膜コイルの膜
厚の均一性を確保するために、硫酸銅のようなメッキ液
を攪拌する必要があるが、ここで薄膜コイルのコイル巻
回体の間隔を狭くするためにフォトレジスト１０の開口
１１を画成する壁の巾を薄くすると、電解液の攪拌によ
ってこの薄い壁が倒壊してしまい、薄膜コイルを正確に
形成することができず、この点からも薄膜コイルのコイ
ル巻回体の間隔を狭くすることができなかった。
【００２０】また、従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、
スロートハイトに対する基準位置、すなわちスロートハ
イト零の位置を規定するフォトレジスト８が形成されて
いるが、第１層目の薄膜コイル１２を形成した後、シー
ド層９をエッチングにより除去する際にフォトレジスト
８もエッチングされ、スロートハイト零の位置を規定す
るフォトレジストの端縁が後退してしまい、完成した薄
膜磁気ヘッドにおいて正確に設計値通りのスロートハイ
トを得ることができないという問題もあり、このことが
製造の歩留りを低下させる原因の一つとなっていた。
【００２１】誘導型薄膜磁気ヘッドのＮＬＴＳ特性を向
上するために、薄膜コイルのコイル巻回数を多くするこ
とが考えられる。しかし、このようにコイル巻回数を多
くするには薄膜コイル層の層数を４層、５層と多くする
必要があり、これによってアペックスアングルが大きく
なってしまい、狭トラック巾を達成することができなく
なるという問題があった。アペックスアングルを所定の
範囲に収めるためには、薄膜コイル層の層数は３層以
下、好適には２層以下とするのが望ましいが、これでは
コイル巻回数を多くすることはできず、したがってＮＬ
ＴＳ特性を改善することができない。
【００２２】本発明の目的は、上記の問題を解決し、誘
導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルのコイル巻回体の間隔
を狭くしてコイル巾ＬC を狭くし、その結果として磁路
長Ｌ M を短くして性能を改善した薄膜磁気ヘッドおよび
このような薄膜磁気ヘッドを容易かつ正確に製造するこ
とができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供しようとす
るものである。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、磁気記録媒体と対向する磁極部分を有する第１の磁
性層と、この第１の磁性層の磁極部分の端面とともにエ
アベアリング面を構成する磁極部分を有し、エアベアリ
ング面から離れた位置において第１の磁性層と磁気的に
連結された第２の磁性層と、少なくとも前記エアベアリ
ング面において第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層
の磁極部分との間に介挿された非磁性材料より成るギャ
ップ層と、前記第１および第２の磁性層の間に、絶縁分
離された状態で配設された部分を有する少なくとも１層
の薄膜コイルと、前記第１および第２の磁性層、ギャッ
プ層、絶縁層および薄膜コイルを支持する基体とを具え
る薄膜磁気ヘッドであって、前記薄膜コイルの１層が、
絶縁層を介して交互にコイル巻回体を配置した第１およ
び第２の薄膜コイル半部を具えることを特徴とするもの
である。
【００２４】さらに、本発明による薄膜磁気ヘッドは、
磁気記録媒体と対向する磁極部分を有する第１の磁性層
と、この第１の磁性層の磁極部分の端面とともにエアベ
アリング面を構成する磁極部分を有し、エアベアリング
面から離れた位置において第１の磁性層と磁気的に連結
された第２の磁性層と、少なくとも前記エアベアリング
面において第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁
極部分との間に介挿された非磁性材料より成るギャップ
層と、前記第１および第２の磁性層の間に、絶縁分離さ
れた状態で配設された部分を有する少なくとも第１層お
よび第２層の薄膜コイルと、前記第１および第２の磁性
層、ギャップ層、絶縁層および薄膜コイルを支持する基
体とを具える薄膜磁気ヘッドであって、前記第１層およ
び第２層の薄膜コイルの各々が、絶縁層を介して交互に
コイル巻回体を配置した第１および第２の薄膜コイル半
部を具え、これら薄膜コイル半部の各々は、徐々に巻回
半径が減少または増大するコイル巻回方向に見て巻回開
始側の第１の端部および巻回終了側の第２の端部を有
し、前記第１層の第１の薄膜コイル半部の第２の端部を
第２層の第１の薄膜コイル半部の第２の端部に接続し、
この第２層の第１の薄膜コイル半部の第１の端部を前記
第１層の第２の薄膜コイル半部の第１の端部に接続し、
この第１層の第２の薄膜コイル半部の第２の端部を前記
第２層の第２の薄膜コイル半部の第２の端部に接続し、
前記第１層の第１の薄膜コイル半部の第２の端部および
第２層の第２の薄膜コイル半部の第１の端部を、電流源
に接続される第１および第２のリードに接続したことを
特徴とするものである。
【００２５】このような本発明による薄膜磁気ヘッドに
おいては、前記各層の薄膜コイルを、第１および第２の
薄膜コイル半部を以て構成し、第１の薄膜コイル半部の
順次のコイル巻回体間の間隔をコイル巻回体の巾よりも
やや大きくすることによって、この順次のコイル巻回体
間に第２の薄膜コイル半部を絶縁層を介して配置するこ
とができ、これら第１および第２の薄膜コイル半部の巻
回体間の間隔をきわめて小さくすることができ、したが
って磁路長を短くすることができ、その結果として磁束
立ち上がり時間やＮＬＴＳ特性や重ね書き特性などを改
善することができる。
【００２６】本発明による薄膜磁気ヘッドにおいては、
第１および第２の薄膜コイル半部の隣接するコイル巻回
体の間隔を１μm 以下、特に０．３〜０．５μm とする
のが好適である。ここで、順次のコイル巻回体間の間隔
を０．３μm よりも狭くすると、順次のコイル巻回体間
の絶縁不良が発生する恐れがある。また、順次のコイル
巻回体間の間隔を０．５μm よりも大きくしたのでは、
薄膜コイルの磁路長を短縮する効果が十分に得られな
い。本発明では、上述したように、順次のコイル巻回体
間の間隔を０．３〜０．５μm と狭くすることによっ
て、コイル巻回体の巾を狭くすることなく上述した磁路
長を、従来の磁路長の５０〜７５％程度に短くすること
ができ、誘導型薄膜磁気ヘッドの性能を著しく向上する
ことができる。
【００２７】本発明はさらに、磁気記録媒体と対向する
磁極部分を有する第１の磁性層と、この第１の磁性層の
磁極部分の端面とともにエアベアリング面を構成する磁
極部分を有し、エアベアリング面から離れた位置におい
て第１の磁性層と磁気的に連結された第２の磁性層と、
少なくとも前記エアベアリング面において第１の磁性層
の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に介挿され
た非磁性材料より成るギャップ層と、前記第１および第
２の磁性層の間に絶縁体を介して配設された部分を有す
る少なくとも第１層および第２層の薄膜コイルと、前記
第１および第２の磁性層、ギャップ層、絶縁層および薄
膜コイルを支持する基体とを具える薄膜磁気ヘッドを製
造する方法であって、前記少なくとも第１層および第２
層の薄膜コイルを形成する工程が、前記基体によって支
持されるように第１の絶縁層を形成する工程と、この第
１の絶縁層の表面に、コイル巻回体の巾よりも大きな間
隔を以て第１層の第１の薄膜コイル半部をコイル状に形
成する工程と、この第１層の第１の薄膜コイル半部の順
次のコイル巻回体の間隔内に第２の絶縁層を介して第２
の薄膜コイル半部をコイル状に形成する工程と、この第
１層の第１および第２の薄膜コイル半部を覆うように第
３の絶縁層を形成する工程と、この第３の絶縁層の表面
に、コイル巻回体の巾よりも大きな間隔を以て第２層の
第１の薄膜コイル半部をコイル状に形成するとともにこ
の第２層の第１の薄膜コイル半部の内側または外側端部
を前記第１層の第１の薄膜コイル半部の内側または外側
端部に接続し、この第２層の第１の薄膜コイル半部の外
側または内側端部を前記第１層の第２の薄膜コイル半部
の外側または内側端部に接続する工程と、この第２層の
第１の薄膜コイル半部の順次のコイル巻回体の間隔内に
第４の絶縁層を介して第２の薄膜コイル半部をコイル状
に形成するとともにこの第２層の第２の薄膜コイル半部
の内側または外側端部を前記第１層の第２の薄膜コイル
半部の内側または外側端部に接続する工程と、前記第２
層の第１および第２の薄膜コイル半部を覆うように第５
の絶縁層を形成する工程と、前記第１層の第１の薄膜コ
イル半部の外側または内側端部および前記第２層の第２
の薄膜コイル半部の外側または内側端部に、それぞれ接
続した第１および第２のリード部に形成する工程と、を
具えることを特徴とするものである。
【００２８】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を実施
するに当たっては、前記第１層および／または第２層の
第１および第２の薄膜コイル半部を、前記第１の絶縁層
の表面に第１のシード層を形成する工程と、この第１の
シード層の表面に、第１の薄膜コイル半部を電気メッキ
により形成する工程と、この第１の薄膜コイル半部によ
って覆われていない前記第１のシード層を除去する工程
と、この第１の薄膜コイル半部を覆うように絶縁層を形
成する工程と、この絶縁層の上に第２のシード層を形成
する工程と、前記第１の薄膜コイル半部の巻回体を覆う
ように絶縁層を形成する工程と、この第１の薄膜コイル
半部の巻回体を覆う絶縁層によって覆われていない部分
のシード層上に、第２の薄膜コイル半部を電気メッキに
より形成する工程と、前記第２のシード層の、前記第１
の薄膜コイル半部の上に形成されている部分を選択的に
除去する工程と、を経て形成するのが好適である。
【００２９】
【発明の実施の形態】図９〜１７は本発明による薄膜磁
気ヘッドの一実施例を製造する方法の一例の順次の工程
を示す断面図である。本例では、基体の上に磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドと誘導型薄膜磁気ヘッドとを順次に
積層した複合型薄膜磁気ヘッドを製造するものである。
先ず、図９に示すように、例えばアルティック(AlTiC)
からなる基体３１の上にアルミナからなる絶縁層３２を
約５μm の厚みに堆積し、次いでＧＭＲ再生ヘッドを外
部磁界の影響から保護する磁気シールドを構成する下部
シールド層３３を２〜３μm の厚みで形成した後、アル
ミナより成る下部シールドギャップ層３４を０．１μm
の膜厚に形成し、その上にＧＭＲ再生素子を構成するＧ
ＭＲ層３５を、高精度のマスクアライメントで所望の形
状に形成し、さらにその上に上部シールドギャップ層３
６を０．１μm の膜厚に形成する。その後、図面には示
していないが、ＧＭＲ層３５に対する電気的な接続を行
なう一対のリードを形成した後、パーマロイより成る第
１の磁性層３７を２〜３μm の膜厚に形成し、さらにそ
の上にアルミナより成る第１の絶縁層３８を０．２〜
０．３μm の膜厚に形成する。
【００３０】次に、図１０に示すように、第１の絶縁層
３８の上に、銅より成る第１のシード層３９をスパッタ
リングにより約０．０５μm の膜厚に形成し、従来と同
様のフォトリソグラフを利用するプロセスによって第１
のシード層の上に選択的に銅を電気メッキして第１の薄
膜コイル半部４０を形成する。この第１の薄膜コイル半
部４０の順次のコイル巻回体の巾は２〜３μm とし、間
隔は巾よりも大きなものとする。
【００３１】次に、上述したようにして形成した第１の
薄膜コイル半部４０をマスクとして、例えばアルゴン系
のプラズマエッチングを施し、図１１に示すように第１
のシード層３９を選択的に除去する。続いて、図１２に
示すように、アルミナより成る第２の絶縁層４１を０．
０２５μm の膜厚で形成した後、銅より成る第２のシー
ド層４２を、スパッタリングにより約０．０５μm の膜
厚に形成する。
【００３２】次に、図１３に示すように、フォトレジス
ト４３を形成した後、上述した第１の薄膜コイル半部４
０の順次のコイル巻回体の間にコイル状の開口４３ａを
形成する。この開口４３ａの巾は、次に形成すべき第２
の薄膜コイル半部のコイル巻回体の巾に等しくなってい
る。続いて図１４に示すように、銅を電気メッキしてフ
ォトレジスト４３の開口４３ａの内部に第２の薄膜コイ
ル半部４４を形成する。その後、図１５に示すようにフ
ォトレジスト４３を除去した後、例えばアルゴンスパッ
タエッチングまたはアルゴンイオンミリングによって、
第２のシード層４２の、第１の薄膜コイル半部４０のコ
イル巻回体の上方に形成されている部分を選択的に除去
し、第２の薄膜コイル半部４４の順次のコイル巻回体間
を分離する。この場合、絶縁層４１の側壁には第２のシ
ード層４２が残っているが、問題はない。
【００３３】次に、図１６に示すように、フォトレジス
ト４５を所定のパターンにしたがって形成し、第１の磁
性層３７の磁極部分３７ａの表面を露出させた後、アル
ミナより成るライトギャップ層４６を０．２〜０．３μ
m の膜厚に形成する。続いて、上述した第１層の第１お
よび第２の薄膜コイル半部４０および４４を形成したの
と同様のプロセスによって、第１層の薄膜コイルの上方
に、第２層の第１および第２の薄膜コイル半部４７およ
び４８を銅の電気メッキにより形成した様子を図１７に
示す。なお、図１７においては、第１の薄膜コイル半部
４７の底部には第３のシード層４９が形成されていると
ともに第２の薄膜コイル半部４８の底部および側方には
第４のシード層５０が形成されており、さらに第１およ
び第２の薄膜コイル半部４７および４８を絶縁分離する
絶縁層５１が形成されている様子も示す。さらに、第２
層の第１および第２の薄膜コイル半部４７および４８の
上方にはフォトレジスト５２が所定のパターンで形成さ
れている。
【００３４】ライトギャップ層４６およびフォトレジス
ト５２を覆うようにパーマロイより成る第２の磁性層５
３を２〜３μm の膜厚で形成した後、その磁極部分５３
ａをマスクとしてエッチングを行いライトギャップ層を
除去するとともに第１の磁性層３７を一部分除去してト
リム構造を形成する。その後、第２の磁性層を覆うよう
にアルミナより成るオーバーコート層５４を形成する。
【００３５】図１８は従来の薄膜磁気ヘッドと本発明に
よる薄膜磁気ヘッドとの磁路長を比較して示す線図的平
面図である。本発明によれば、上述したように薄膜コイ
ル半部４０、４４、４７および４８のコイル巻回体の巾
は従来のものと同じであるが、間隔は従来ほぼ２μm 程
度であったものが、０．３〜０．５μm と狭くすること
ができるので、磁路長は従来の磁路長のほぼ６０％と大
幅に短くすることができる。このように磁路長を短くす
ることができるので、磁束立ち上がり時間やＮＬＴＳや
重ね書き特性などを向上することができる。さらに、各
薄膜コイル半部は従来と同じ方法によって形成すること
ができるので、容易に実施することができる。
【００３６】図１９は上述した実施例における薄膜コイ
ル半部４０，４４，４７，４８の接続の態様を線図的に
示すものである。図１９において、Ａは第１層目の第１
および第２の薄膜コイル半部４０および４４が組み合わ
されて形成されている状態を示し、Ｂは第１層目の第１
の薄膜コイル半部４０のみを示し、Ｃは第１層目の第２
の薄膜コイル半部４４のみを示し、Ｄは第２層目の第１
および第２の薄膜コイル半部４７および４８が組み合わ
されて形成されている状態を示し、Ｅは第２層目の第１
の薄膜コイル半部４７のみを示し、Ｆは第２層目の第２
の薄膜コイル半部４８のみを示すものである。
【００３７】今、各薄膜コイル半部のコイル巻回体の巻
回半径が減少する方向に見て、第１層の第１および第２
の薄膜コイル半部４０および４４の巻回方向を右巻きと
し、第２層の第１および第２の薄膜コイル半部４７およ
び４８の巻回方向を左巻きとする。本発明では、上述し
た製造方法の説明から明らかなように、同じ層の第１お
よび第２の薄膜コイル半部の巻回方向は必ず同一のもの
となる。
【００３８】第１層目の第１の薄膜コイル半部４０の外
側端に形成した接点パッド４０─１は、外部端子に接続
された第１のリード（図示せず）に接続されている。こ
の第１の薄膜コイル半部４０の内側端に形成した接点パ
ッド４０─２は第２層目の第１の薄膜コイル半部４７の
内側端に形成された接点パッド４７─３に接続され、こ
の薄膜コイル半部の外側端に形成された接点パッド４７
─４は第１層目の第２の薄膜コイル半部４４の外側端に
形成された接点パッド４４─５に接続され、この薄膜コ
イル半部の内側端に形成された接点パッド４４─６は第
２層目の第２の薄膜コイル半部４８の内側端に形成され
た接点パッド４８─７に接続されている。この第２の薄
膜コイル半部４８の外側端に形成された接点パッドは、
外部端子に接続された第２のリードに接続されている。
このように接続することによって、接点パッド４０─１
と接点パッド４８─８との間に電源を接続することによ
って全ての薄膜コイル半部に同じ方向に電流を流すこと
ができる。
【００３９】本発明によれば、第１層目の第１の薄膜コ
イル半部４０の内側端に形成した接点パッド４０─２か
ら出発し、順次の接点パッド４０─１，４８─８，４８
─７，４４─６，４４─５，４７─４を経て接点パッド
４７─３へと電流が流れるように接続することもでき
る。いずれの場合にも、外側端の接点パッドから出発す
る場合には、外側端の接点パッドと終わり、内側端の接
点パッドから出発する場合には内側端の接点パッドで終
わることになる。
【００４０】図１９は、薄膜コイル半部４０，４４，４
７，４８の巻回方向と接続の態様を線図的に示したもの
であるが、実際の薄膜磁気ヘッドにおいては、これらの
薄膜コイル半部は、第１の磁性層３７と、第２の磁性層
５３とを連結する部分を囲むように形成されている。本
例においては、図２０Ａに示すように、第１層目の第１
および第２の薄膜コイル半部４０および４４の内側端に
形成した接点パッド４０─２および４４─６を並べて配
置し、それらの下側に第１の磁性層３７と第２の磁性層
５３とを連結するためのコンタクトホール６１を形成す
るとともに、図２０Ｂに示すように、第２層目の第１お
よび第２の薄膜コイル半部４７および４８の内輪端に形
成した接点パッド４７─３および４８─７を並べて配置
し、それらの下側に第１の磁性層３７と第２の磁性層５
３とを連結するためのコンタクトホール６２を形成す
る。この場合、接点パッド４０─２と４７─３とが対向
し、接点パッド４４─６と４８─７とが対向するように
構成することによりこれらの接点パッド間の接続を容易
に行なうことができる。このように構成することにより
表面の利用効率が良好となり、一層の小型化が図れる。
【００４１】図２１〜３６は、本発明による薄膜磁気ヘ
ッドの第２の実施例の順次の製造工程を示す断面図であ
る。本例において、前例と同様の部分には同じ符号を付
けて示し、その詳細な説明は省略する。図２１は上述し
た第１の実施例の図９と同じ状態を示し、アルティック
(AlTiC) からなる基体３１の上にアルミナからなる絶縁
層３２を約５μm の厚みに堆積し、その上に下部シール
ド層３３を２〜３μm の厚みで形成した後、アルミナよ
り成る下部シールドギャップ層３４を０．１μm の膜厚
に形成し、その上にＧＭＲ再生素子を構成するＧＭＲ層
３５を所望の形状に形成し、さらにその上に上部シール
ドギャップ層３６を０．１μm の膜厚に形成し、その上
にパーマロイより成る第１の磁性層３７を２〜３μm の
膜厚に形成し、さらにその上にアルミナより成るライト
ギャップ層３８を０．２〜０．３μm の膜厚に形成した
様子を示すものである。
【００４２】次に、ライトギャップ層３８の上にシリコ
ン酸化層よるなる絶縁層７１を約１〜２μm の膜厚に形
成した後、選択的にドライエッチングを施してパターニ
ングした様子を図２２に示す。ここで、絶縁層であるシ
リコン酸化層７１のエアベアリング面側のエッジは、Ｇ
ＭＲ層３５のパターンエッジ、すなわちＧＭＲハイト零
の近傍の位置となるように形成する。また、このエッジ
のプロファイルは、４０〜７０°の角度を持つように形
成する。本例では、この絶縁層７１をシリコン酸化層を
以て形成したが、フォトレジストを２００°Ｃ程度でア
ニールした材料を以て形成することもできる。
【００４３】次に、Ｈｉ−Ｂｓ材料であるＮｉＦｅまた
はＦｅＮより成るポールチップ７２をメッキ或いはスパ
ッタリングによって形成した後、パターニングした様子
を図２３に示す。ポールチップ７２は上述した絶縁層７
１の上部まで覆うように形成する。このポールチップ７
２の形成と同時に、第１の磁性層３７と連結された連結
用磁性層７２ａを形成する。このため、ライトギャップ
層３８には予め開口を形成しておく。
【００４４】次に、ポールチップ７２をマスクとしてイ
オンビームエッチングを施してライトギャップ層３８を
選択的に除去するとともに第１の磁性層３７の表面を、
約０．５μm の深さにエッチングしてトリム構造を形成
した様子を図２４に示す。続いて、図２５に示すよう
に、表面全体にアルミナより成る絶縁層７３を０．５μ
m の膜厚に形成し、上述した第１の実施例におけるのと
同様の銅の電気メッキ法で第１層目の第１の薄膜コイル
半部７４を形成する。なお、図２５においては薄膜コイ
ル半部７４の底部に形成された銅のシード層は省略し
た。
【００４５】次に、図２６に示すように、無機系絶縁材
料であるアルミナより成る絶縁層７５を０．２５μm の
膜厚に形成した後、上述した第１の実施例と同様に第１
層目の第２の薄膜コイル半部７６を銅の電気メッキで形
成した様子を図２７に示す。絶縁層７５は、アルミナ以
外の無機系絶縁材料であるシリコン酸化膜やシリコン窒
化膜で形成することもできる。このようにして、それぞ
れの巻回体の高さが２〜３μm で、巾が１．５〜２μm
で、間隔が０．３〜０．５μm の第１層目の薄膜コイル
を形成することができる。
【００４６】次に、図２８に示すように、アルミナより
成る絶縁層７７を３〜５μm の膜厚に形成した後、化学
機械研磨（ＣＭＰ）を施して表面を平坦化した様子を図
２９に示す。この研磨は、第１層目の第１および第２の
薄膜コイル半部７４および７６の表面が露出するととも
にポールチップ７２および連結用磁性層７２ａが露出す
るように行なう。
【００４７】続いて、図３０に示すように、無機系絶縁
材料であるシリコン酸化物より成る絶縁層７８を１〜２
μm の膜厚に形成し、選択的にドライエッチングを施し
てパターニングする。ここで、この絶縁層７８のエアベ
アリング面と対向する側のエッジのプロファイルは４０
〜７０°とする。また、第１層目の第１の薄膜コイル半
部７４の内側端に形成した接点パッド７４ａの部分を露
出させるように開口７８ａをも形成する。
【００４８】次に、図３１に示すように、上部ポールの
一部分を構成する第２の磁性層７９を形成するとともに
連結用磁性層７２ａと連結された第１の連結用磁性層７
９ａを形成し、さらに上述した第１層目の第１の薄膜コ
イル半部７４を形成するのと同じ手法によって第２層目
の第１の薄膜コイル半部８０を形成する。図３１に示す
ように、第１層目の第１の薄膜コイル半部７４の内側端
に形成した接点パッド７４ａと、第２層目の第１の薄膜
コイル半部８０の接点パッド８０ａとが接続されてい
る。
【００４９】続いて、図３２に示すように、表面全体に
アルミナより成る絶縁層８１を０．２５μm の膜厚に形
成した後、第１の薄膜コイル半部８０の順次のコイル巻
回体の間に第２の薄膜コイル半部８２を形成した様子を
図３３に示す。次に、表面全体の上にアルミナより成る
絶縁層８３を３〜５μm の膜厚に形成した後、ＣＭＰ処
理を施して表面を平坦化した様子を図３４に示す。この
状態では、磁性層７９の表面が露出しているとともに第
２層目の第１および第２の薄膜コイル半部８０および８
２の表面が露出しているとともに連結用磁性層８０ａの
表面も露出している。
【００５０】次に、図３５に示すように、第２層目の薄
膜コイル半部８０，８２の表面にフォトレジスト８４を
所望のパターンにしたがって形成した後、上述した第２
の磁性層７９と共に上部ポールを構成する第３の磁性層
８５を約３〜５μm の膜厚に形成する。さらに、この第
３の磁性層８５を覆うようにオーバーコート層８６を形
成した様子を図３６に示す。
【００５１】図３７は本例における第１層目の第１およ
び第２の薄膜コイル半部および第２層目の第１および第
２の薄膜コイル半部の内側端に形成した接点パッドの配
置を示すものである。本例においては、図３７Ａに示す
ように、第１層目の第１および第２の薄膜コイル半部７
４および７６の内側端に形成した接点パッド７４─２お
よび７６─６を第１の磁性層３７と第２の磁性層８５と
を連結するための第１の連結用磁性層７２ａの互いに対
向する側に配置し、図３７Ｂに示すように、第２層目の
第１および第２の薄膜コイル半部８０および８２の内側
端に形成した接点パッド８０─３および８２─７を第２
の連結用磁性層７９ａの互いに対向する側に配置する。
この場合、接点パッド７４─２と８０─３とが対向し、
接点パッド７６─６と８２─７とが対向するように配置
する。この場合、接点パッド７４─２，８０─３と接点
パッド７６─６，８２─７とはエアベアリング面と直交
する方向に配列されているが、エアベアリング面と平行
な方向に配列することもできる。
【００５２】本発明は上述した実施例にのみ限定される
ものではなく、幾多の変更や変形が可能である。上述し
た実施例では、２層の薄膜コイルを形成したが、１層と
したり３層以上とすることもできる。また、上述した実
施例では、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
にＧＭＲ層を設けたが、ＭＲ層を用いることもできる。
さらに、上述した実施例においては、基板の上に読み取
り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドと書き込み用の誘
導型薄膜磁気ヘッドとを積層した複合型薄膜磁気ヘッド
としたが、誘導型薄膜磁気ヘッドのみを具える薄膜磁気
ヘッドとすることもできる。また、上述した実施例にお
いては、基体の上に読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドを形成し、その上に書き込み用の誘導型薄膜磁
気ヘッドを積層したが、これらの積層順序を逆とするこ
ともできる。
【００５３】
【発明の効果】上述した本発明による薄膜磁気ヘッドに
よれば、薄膜コイル半部を構成するコイル巻回体間の間
隔を従来に比べて短くすることができるので、磁路長を
短くすることができ、磁束立ち上がり特性やＮＬＴＳ特
性や重ね書き特性などを改善することができる。特に、
薄膜コイル半部のコイル巻回体間に設けられた絶縁層を
を酸化シリコンや窒化シリコンやアルミナなどの微細加
工が可能な無機絶縁材料で形成する場合には、コイル巻
回体の間隔を、０．３〜０．５μm ときわめて狭くする
ことができるので、一層当たりのコイル巻回数を多くす
ることができ、特にＮＬＴＳ特性を向上することができ
る。
【００５４】また、本発明によれば、各層の第１の薄膜
コイル半部を形成する際の順次のコイル巻回体間の間隔
は大きく取れるので、シード層を除去するためのエッチ
ングを良好に行なうことができ、再付着の恐れもなくな
る。
【００５５】さらに、本発明によれば、各層の薄膜コイ
ルのコイル巻回数を多くすることができるので、通常は
多くても３層程度の薄膜コイルを設ければ良いので、ア
ペックスアングルを小さくすることができ、トラック巾
の狭くすることができる。
【００５６】さらに、第２の実施例においては、ＧＭＲ
ハイト零の基準位置およびアメリカアペックスアングル
を規定するプロファイルを酸化シリコン、窒化シリコ
ン、アルミナなどの無機絶縁材料で形成しているが、こ
のような無機絶縁材料で形成されたパターンは、シード
層をエッチングする際にもパターン変動を受けないの
で、ＧＭＲハイトおよびアペックスアングルを正確に設
計値通りとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、従来の複合型薄膜磁気ヘッドを製造す
る最初の工程を示す断面図である。
【図２】図２は、同じくその次の工程を示す断面図であ
る。
【図３】図３は、同じくその次の工程を示す断面図であ
る。
【図４】図４は、同じくその次の工程を示す断面図であ
る。
【図５】図５は、同じくその次の工程を示す断面図であ
る。
【図６】図６は、同じくその次の工程を示す断面図であ
る。
【図７】図７は、同じくその次の工程を示す断面図であ
る。
【図８】図８は、同じくその次の工程を示す断面図であ
る。
【図９】図９は、本発明による薄膜磁気ヘッドの一例を
製造する最初の工程を示す断面図である。
【図１０】図１０は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図１１】図１１は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図１２】図１２は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図１３】図１３は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図１４】図１４は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図１５】図１５は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図１６】図１６は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図１７】図１７は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図１８】図１８は、従来の薄膜磁気ヘッドと本発明に
よる薄膜磁気ヘッドとの磁路長を対比して示す線図的平
面図である。
【図１９】図１９Ａ〜Ｆは、薄膜コイル半部の接続の態
様を示す線図である。
【図２０】図２０ＡおよびＢは、第１層目の薄膜コイル
半部の接点パッドおよび第２層目の薄膜コイル半部の接
点パッドと、下部ポールと上部ポールとを連結するため
の連結部分との配置を示す線図的平面図である。
【図２１】図２１は、本発明による複合型薄膜磁気ヘッ
ドを製造する第２の実施例における最初の工程を示す断
面図である。
【図２２】図２２は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図２３】図２３は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図２４】図２４は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図２５】図２５は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図２６】図２６は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図２７】図２７は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図２８】図２８は、本発明による薄膜磁気ヘッドのさ
らに他の実施例の製造工程を示す断面図である。
【図２９】図２９は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図３０】図３０は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図３１】図３１は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図３２】図３２は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図３３】図３３は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図３４】図３４は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図３５】図３５は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図３６】図３６は、同じくその次の工程を示す断面図
である。
【図３７】図３７ＡおよびＢは、第１層目の薄膜コイル
半部の接点パッドおよび第２層目の薄膜コイル半部の接
点パッドと、下部ポールと上部ポールとを連結するため
の連結部分との配置を示す線図的平面図である。
【符号の説明】
３１ 基板、 ３２ 絶縁層、 ３３ 下部シード層、
３４ 第１のシールドギャップ層、 ３５ ＧＭＲ
層、 ３６ 第２のシールドギャップ層、 ３７第１の
磁性層、 ３８ 絶縁層、 ３９ 第１シード層、 ４
０ 第１層目の第１薄膜コイル半部、 ４１ 絶縁層、
４２ 第２のシード層、 ４３ フォトレジスト、
４４ 第１層目の第２の薄膜コイル半部、 ４５ フォ
トレジスト、 ４６ ライトギャップ層、 ４７ 第２
層目の第１の薄膜コイル半部、 ４８ 第２層目の第２
の薄膜コイル半部、 ４９，５０ シード層、 ５１
絶縁層、 ５２ フォトレジスト、 ５３ 第２の磁性
層、 ５４ オーバーコート層、 ６１，６２ 磁性層
連結用開口、 ７１ 絶縁層、 ７２ ポールチップ、
７３ 絶縁層、 ７４ 第１層目の第１の薄膜コイル
半部、 ７５ 絶縁層、 ７６ 第１層目の第２の薄膜
コイル半部、 ７７ 絶縁層、 ７８ 絶縁層、 ７９
第２の磁性層、 ８０ 第２層目の第１の薄膜コイル
半部、 ８１絶縁層、 ８２ 第２層目の第２の薄膜コ
イル半部、 ８３ 絶縁層、 ８４絶縁層、 ８５ 第
３の磁性層、 ８６ オーバーコート層

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】磁気記録媒体と対向する磁極部分を有する
    第１の磁性層と、 この第１の磁性層の磁極部分の端面とともにエアベアリ
    ング面を構成する磁極部分を有し、エアベアリング面か
    ら離れた位置において第１の磁性層と磁気的に連結され
    た第２の磁性層と、 少なくとも前記エアベアリング面において第１の磁性層
    の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に介挿され
    た非磁性材料より成るギャップ層と、 前記第１および第２の磁性層の間に、絶縁分離された状
    態で配設された部分を有する少なくとも１層の薄膜コイ
    ルと、 前記第１および第２の磁性層、ギャップ層、絶縁層およ
    び薄膜コイルを支持する基体とを具える薄膜磁気ヘッド
    であって、 前記薄膜コイルの１層が、絶縁層を介して交互にコイル
    巻回体を配置した第１および第２の薄膜コイル半部を具
    えることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】磁気記録媒体と対向する磁極部分を有する
    第１の磁性層と、 この第１の磁性層の磁極部分の端面とともにエアベアリ
    ング面を構成する磁極部分を有し、エアベアリング面か
    ら離れた位置において第１の磁性層と磁気的に連結され
    た第２の磁性層と、 少なくとも前記エアベアリング面において第１の磁性層
    の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に介挿され
    た非磁性材料より成るギャップ層と、 前記第１および第２の磁性層の間に、絶縁分離された状
    態で配設された部分を有する少なくとも第１層および第
    ２層の薄膜コイルと、 前記第１および第２の磁性層、ギャップ層、絶縁層およ
    び薄膜コイルを支持する基体とを具える薄膜磁気ヘッド
    であって、 前記第１層および第２層の薄膜コイルの各々が、絶縁層
    を介して交互にコイル巻回体を配置した第１および第２
    の薄膜コイル半部を具え、これら薄膜コイル半部の各々
    は、徐々に巻回半径が減少または増大するコイル巻回方
    向に見て巻回開始側の第１の端部および巻回終了側の第
    ２の端部を有し、前記第１層の第１の薄膜コイル半部の
    第２の端部を第２層の第１の薄膜コイル半部の第２の端
    部に接続し、この第２層の第１の薄膜コイル半部の第１
    の端部を前記第１層の第２の薄膜コイル半部の第１の端
    部に接続し、この第１層の第２の薄膜コイル半部の第２
    の端部を前記第２層の第２の薄膜コイル半部の第２の端
    部に接続し、前記第１層の第１の薄膜コイル半部の第２
    の端部および第２層の第２の薄膜コイル半部の第１の端
    部を、電流源に接続される第１および第２のリードに接
    続したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記各層の第２の薄膜コイル半部は、第
    １の薄膜コイル半部によって画成されるコイル状の溝内
    に絶縁層を介して形成されたものとしたことを特徴とす
    る請求項１および２の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記各層の第１および第２の薄膜コイル
    半部の内側端に形成した接点パッドを並べて配置し、こ
    れらの接点パッドに隣接して第１の磁性層と第２の磁性
    層とを連結する磁性層を設けたことを特徴とする請求項
    １〜３の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記各層の第１の薄膜コイル半部の内側
    端に形成した接点パッドを、前記第１の磁性層と第２の
    磁性層とを連結する磁性層の一側に配置し、前記第２の
    薄膜コイル半部の内側端に形成した接点パッドを、前記
    第１の磁性層と第２の磁性層とを連結する磁性層の他側
    に配置したことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記
    載の薄膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記各層の第１および第２の薄膜コイル
    半部の各々が、導電材料のメッキにより構成されたもの
    としたことを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の
    薄膜磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】 前記各層の第１および第２の薄膜コイル
    半部を形成する導電材料を銅としたことを特徴とする請
    求項１〜６の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  8. 【請求項８】 前記各層の第１の薄膜コイル半部の巻回
    体と第２の薄膜コイル半部の巻回体との間隔を１μm 以
    下としたことを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載
    の薄膜磁気ヘッド。
  9. 【請求項９】 前記コイル巻回体の間隔を０．３〜０．
    ５μm としたことを特徴とする請求項８に記載の薄膜磁
    気ヘッド。
  10. 【請求項１０】磁気記録媒体と対向する磁極部分を有す
    る第１の磁性層と、 この第１の磁性層の磁極部分の端面とともにエアベアリ
    ング面を構成する磁極部分を有し、エアベアリング面か
    ら離れた位置において第１の磁性層と磁気的に連結され
    た第２の磁性層と、 少なくとも前記エアベアリング面において第１の磁性層
    の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に介挿され
    た非磁性材料より成るギャップ層と、 前記第１および第２の磁性層の間に絶縁体を介して配設
    された部分を有する少なくとも第１層および第２層の薄
    膜コイルと、 前記第１および第２の磁性層、ギャップ層、絶縁層およ
    び薄膜コイルを支持する基体とを具える薄膜磁気ヘッド
    を製造する方法であって、 前記少なくとも第１層および第２層の薄膜コイルを形成
    する工程が、 前記基体によって支持されるように第１の絶縁層を形成
    する工程と、 この第１の絶縁層の表面に、コイル巻回体の巾よりも大
    きな間隔を以て第１層の第１の薄膜コイル半部をコイル
    状に形成する工程と、 この第１層の第１の薄膜コイル半部の順次のコイル巻回
    体の間隔内に第２の絶縁層を介して第２の薄膜コイル半
    部をコイル状に形成する工程と、 この第１層の第１および第２の薄膜コイル半部を覆うよ
    うに第３の絶縁層を形成する工程と、 この第３の絶縁層の表面に、コイル巻回体の巾よりも大
    きな間隔を以て第２層の第１の薄膜コイル半部をコイル
    状に形成するとともにこの第２層の第１の薄膜コイル半
    部の内側または外側端部を前記第１層の第１の薄膜コイ
    ル半部の内側または外側端部に接続し、この第２層の第
    １の薄膜コイル半部の外側または内側端部を前記第１層
    の第２の薄膜コイル半部の外側または内側端部に接続す
    る工程と、 この第２層の第１の薄膜コイル半部の順次のコイル巻回
    体の間隔内に第４の絶縁層を介して第２の薄膜コイル半
    部をコイル状に形成するとともにこの第２層の第２の薄
    膜コイル半部の内側または外側端部を前記第１層の第２
    の薄膜コイル半部の内側または外側端部に接続する工程
    と、 前記第２層の第１および第２の薄膜コイル半部を覆うよ
    うに第５の絶縁層を形成する工程と、 前記第１層の第１の薄膜コイル半部の外側または内側端
    部および前記第２層の第２の薄膜コイル半部の外側また
    は内側端部に、それぞれ接続した第１および第２のリー
    ド部に形成する工程と、を具えることを特徴とする薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記第１層および／または第２層の第
    １および第２の薄膜コイル半部を形成する工程が、 前記第１の絶縁層の表面に第１のシード層を形成する工
    程と、 この第１のシード層の表面に、第１の薄膜コイル半部を
    電気メッキにより形成する工程と、 この第１の薄膜コイル半部によって覆われていない前記
    第１のシード層を除去する工程と、 この第１の薄膜コイル半部を覆うように絶縁層を形成す
    る工程と、 この絶縁層の上に第２のシード層を形成する工程と、 前記第１の薄膜コイル半部の巻回体を覆うように絶縁層
    を形成する工程と、 この第１の薄膜コイル半部の巻回体を覆う絶縁層によっ
    て覆われていない部分のシード層上に、第２の薄膜コイ
    ル半部を電気メッキにより形成する工程と、 前記第２のシード層の、前記第１の薄膜コイル半部の上
    に形成されている部分を選択的に除去する工程と、を具
    えることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
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