JP2000173017A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
- Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
- Y10T29/49044—Plural magnetic deposition layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録ヘッドにおいて、薄膜コイルからの起磁
力を磁極に効率良く伝え、記録特性を向上させることが
できるようにする。 【解決手段】 下部磁極は、下部磁極先端部１９ａと下
部磁極層１８とに２分割されている。下部磁極先端部１
９ａは下部磁極層１８の平坦面上に形成され、無機材料
からなる絶縁層２０ａ，２０ｂが下部磁極先端部１９ａ
と下部接続部１９ｂとの間の凹部内に埋め込まれてい
る。絶縁層２０ａの下部磁極先端部１９ａ側の端縁によ
ってスロートハイトが規定される。上部磁極先端部２３
ａは、記録ギャップ層２２上において下部磁極先端部１
９ａよりも長く形成されており、薄膜コイル２１の一部
に対向する位置まで延在している。薄膜コイル２１から
の起磁力が効率良く上部磁極先端部２３ａに伝わり、薄
膜磁気ヘッドの記録特性が向上する。
力を磁極に効率良く伝え、記録特性を向上させることが
できるようにする。 【解決手段】 下部磁極は、下部磁極先端部１９ａと下
部磁極層１８とに２分割されている。下部磁極先端部１
９ａは下部磁極層１８の平坦面上に形成され、無機材料
からなる絶縁層２０ａ，２０ｂが下部磁極先端部１９ａ
と下部接続部１９ｂとの間の凹部内に埋め込まれてい
る。絶縁層２０ａの下部磁極先端部１９ａ側の端縁によ
ってスロートハイトが規定される。上部磁極先端部２３
ａは、記録ギャップ層２２上において下部磁極先端部１
９ａよりも長く形成されており、薄膜コイル２１の一部
に対向する位置まで延在している。薄膜コイル２１から
の起磁力が効率良く上部磁極先端部２３ａに伝わり、薄
膜磁気ヘッドの記録特性が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書き込
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関する。
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方
性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resi
stive ）と記す。）効果を有する膜を用いたＡＭＲ素子
と、巨大磁気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resi
stive ）と記す。）効果を有する膜を用いたＧＭＲ素子
とがあり、ＡＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッ
ドあるいは単にＭＲヘッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用い
た再生ヘッドはＧＭＲヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッド
は、面記録密度が１ギガビット／（インチ）2 を超える
再生ヘッドとして利用され、ＧＭＲヘッドは、面記録密
度が３ギガビット／（インチ）2 を超える再生ヘッドと
して利用されている。
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方
性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resi
stive ）と記す。）効果を有する膜を用いたＡＭＲ素子
と、巨大磁気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resi
stive ）と記す。）効果を有する膜を用いたＧＭＲ素子
とがあり、ＡＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッ
ドあるいは単にＭＲヘッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用い
た再生ヘッドはＧＭＲヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッド
は、面記録密度が１ギガビット／（インチ）2 を超える
再生ヘッドとして利用され、ＧＭＲヘッドは、面記録密
度が３ギガビット／（インチ）2 を超える再生ヘッドと
して利用されている。
【０００３】一般的に、ＡＭＲ膜は、ＭＲ効果を示す磁
性体を膜としたもので、単層構造になっている。これに
対して、多くのＧＭＲ膜は、複数の膜を組み合わせた多
層構造になっている。ＧＭＲ効果が発生するメカニズム
にはいくつかの種類があり、そのメカニズムによってＧ
ＭＲ膜の層構造が変わる。ＧＭＲ膜としては、超格子Ｇ
ＭＲ膜、スピンバルブ膜、グラニュラ膜等が提案されて
いるが、比較的構成が単純で、弱い磁界でも大きな抵抗
変化を示し、量産を前提とするＧＭＲ膜としては、スピ
ンバルブ膜が有力である。
性体を膜としたもので、単層構造になっている。これに
対して、多くのＧＭＲ膜は、複数の膜を組み合わせた多
層構造になっている。ＧＭＲ効果が発生するメカニズム
にはいくつかの種類があり、そのメカニズムによってＧ
ＭＲ膜の層構造が変わる。ＧＭＲ膜としては、超格子Ｇ
ＭＲ膜、スピンバルブ膜、グラニュラ膜等が提案されて
いるが、比較的構成が単純で、弱い磁界でも大きな抵抗
変化を示し、量産を前提とするＧＭＲ膜としては、スピ
ンバルブ膜が有力である。
【０００４】再生ヘッドの性能を決定する要因として
は、パターン幅、特に、ＭＲハイトがある。ＭＲハイト
はＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反対側の端
部までの長さ（高さ）をいう。このＭＲハイトは、本
来、エアベアリング面の加工の際の研磨量によって制御
される。なお、ここにいうエアベアリング面（ＡＢＳ）
は、薄膜磁気ヘッドの磁気記録媒体に対向する面であ
り、トラック面ともいう。
は、パターン幅、特に、ＭＲハイトがある。ＭＲハイト
はＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反対側の端
部までの長さ（高さ）をいう。このＭＲハイトは、本
来、エアベアリング面の加工の際の研磨量によって制御
される。なお、ここにいうエアベアリング面（ＡＢＳ）
は、薄膜磁気ヘッドの磁気記録媒体に対向する面であ
り、トラック面ともいう。
【０００５】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記
録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性
能のうち、記録密度を高めるには、磁気記録媒体におけ
るトラック密度を上げる必要がある。そのためには、記
録ギャップ（write gap)を挟んでその上下に形成された
下部磁極（ボトムポール）および上部磁極（トップポー
ル）のエアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミ
クロンオーダーまで狭くした狭トラック構造の記録ヘッ
ドを実現する必要があり、そのため半導体加工技術が利
用されている。
録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性
能のうち、記録密度を高めるには、磁気記録媒体におけ
るトラック密度を上げる必要がある。そのためには、記
録ギャップ（write gap)を挟んでその上下に形成された
下部磁極（ボトムポール）および上部磁極（トップポー
ル）のエアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミ
クロンオーダーまで狭くした狭トラック構造の記録ヘッ
ドを実現する必要があり、そのため半導体加工技術が利
用されている。
【０００６】記録ヘッドの性能を決定するその他の要因
としては、スロートハイト（ThroatHeight:TH) があ
る。スロートハイトは、エアベリング面から、薄膜コイ
ルを電気的に分離する絶縁層のエッジまでの部分（磁極
部分）の長さ（高さ）をいう。記録ヘッドの性能向上の
ためには、スロートハイトの縮小化が望まれている。こ
のスロートハイトも、エアベアリング面の加工の際の研
磨量によって制御される。
としては、スロートハイト（ThroatHeight:TH) があ
る。スロートハイトは、エアベリング面から、薄膜コイ
ルを電気的に分離する絶縁層のエッジまでの部分（磁極
部分）の長さ（高さ）をいう。記録ヘッドの性能向上の
ためには、スロートハイトの縮小化が望まれている。こ
のスロートハイトも、エアベアリング面の加工の際の研
磨量によって制御される。
【０００７】薄膜磁気ヘッドの性能の向上のためには、
上述のような記録ヘッドと再生ヘッドをバランスよく形
成することが重要である。
上述のような記録ヘッドと再生ヘッドをバランスよく形
成することが重要である。
【０００８】ここで、図１０（ａ），（ｂ）乃至図１５
（ａ），（ｂ）を参照して、従来の薄膜磁気ヘッドの一
例として複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例を説明
する。
（ａ），（ｂ）を参照して、従来の薄膜磁気ヘッドの一
例として複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例を説明
する。
【０００９】まず、図１０に示したように、例えばアル
ティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）よりなる基板１０１上
に、例えばアルミナ（酸化アルミニウム，Ａｌ2 Ｏ3 ）
よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで
形成する。続いて、絶縁層１０２上に例えばパーマロイ
（ＮｉＦｅ）からなる再生ヘッド用の下部シールド層１
０３を形成する。
ティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）よりなる基板１０１上
に、例えばアルミナ（酸化アルミニウム，Ａｌ2 Ｏ3 ）
よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで
形成する。続いて、絶縁層１０２上に例えばパーマロイ
（ＮｉＦｅ）からなる再生ヘッド用の下部シールド層１
０３を形成する。
【００１０】次に、図１１に示したように、下部シール
ド層１０３上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍ
の厚みで堆積し、シールドギャップ膜１０４を形成す
る。次に、シールドギャップ膜１０４上に、再生用のＭ
Ｒ素子を構成するためのＭＲ膜１０５を数十ｎｍの厚み
に形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形状と
する。続いて、このＭＲ膜１０５に対するリード端子層
１０６をリフトオフ法により形成する。次いで、シール
ドギャップ膜１０４、ＭＲ膜１０５およびリード端子層
１０６上に、シールドギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ
膜１０５およびリード端子層１０６をシールドギャップ
膜１０４，１０７内に埋設する。続いて、シールドギャ
ップ膜１０７上に、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いる磁気材料、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）からなる
膜厚３μｍの上部シールド兼下部磁極（以下，下部磁極
と記す。）１０８を形成する。
ド層１０３上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍ
の厚みで堆積し、シールドギャップ膜１０４を形成す
る。次に、シールドギャップ膜１０４上に、再生用のＭ
Ｒ素子を構成するためのＭＲ膜１０５を数十ｎｍの厚み
に形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形状と
する。続いて、このＭＲ膜１０５に対するリード端子層
１０６をリフトオフ法により形成する。次いで、シール
ドギャップ膜１０４、ＭＲ膜１０５およびリード端子層
１０６上に、シールドギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ
膜１０５およびリード端子層１０６をシールドギャップ
膜１０４，１０７内に埋設する。続いて、シールドギャ
ップ膜１０７上に、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いる磁気材料、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）からなる
膜厚３μｍの上部シールド兼下部磁極（以下，下部磁極
と記す。）１０８を形成する。
【００１１】次に、図１２に示したように、下部磁極１
０８上に、絶縁層例えばアルミナ膜よりなる膜厚２００
ｎｍの記録ギャップ層１０９を形成する。更に、この記
録ギャップ層１０９をフォトリソグラフィによりパター
ニングし、上部磁極と下部磁極との接続用の開口１０９
ａを形成する。続いて、めっき法によりパーマロイ（Ｎ
ｉＦｅ）や窒化鉄（ＦｅＮ）からなる磁気材料により磁
極先端部（ポールチップ）１１０を形成すると共に、上
部磁極と下部磁極との接続部パターン１１０ａを形成す
る。この接続部パターン１１０ａにより下部磁極１０８
と後述の上部磁極層１１６とが接続され、後述のＣＭＰ
（Chemical and Mechanical Polishing: 化学的機械研
磨）工程後の開口（スルーホール）の形成が容易にな
る。
０８上に、絶縁層例えばアルミナ膜よりなる膜厚２００
ｎｍの記録ギャップ層１０９を形成する。更に、この記
録ギャップ層１０９をフォトリソグラフィによりパター
ニングし、上部磁極と下部磁極との接続用の開口１０９
ａを形成する。続いて、めっき法によりパーマロイ（Ｎ
ｉＦｅ）や窒化鉄（ＦｅＮ）からなる磁気材料により磁
極先端部（ポールチップ）１１０を形成すると共に、上
部磁極と下部磁極との接続部パターン１１０ａを形成す
る。この接続部パターン１１０ａにより下部磁極１０８
と後述の上部磁極層１１６とが接続され、後述のＣＭＰ
（Chemical and Mechanical Polishing: 化学的機械研
磨）工程後の開口（スルーホール）の形成が容易にな
る。
【００１２】次に、図１３に示したように、磁極先端部
１１０をマスクとしてイオンミリングによって記録ギャ
ップ層１０９と下部磁極１０８とを約０．３〜０．５μ
ｍ程度エッチングする。下部磁極１０８までエッチング
してトリム構造とすることにより、実効書き込みトラッ
ク幅の広がりが防止される（すなわち、データの書き込
み時において、下部磁極における磁束の広がりが抑制さ
れる）。続いて、全面に、膜厚約３μｍの例えばアルミ
ナからなる絶縁層１１１を形成した後、全面をＣＭＰに
より平坦化する。
１１０をマスクとしてイオンミリングによって記録ギャ
ップ層１０９と下部磁極１０８とを約０．３〜０．５μ
ｍ程度エッチングする。下部磁極１０８までエッチング
してトリム構造とすることにより、実効書き込みトラッ
ク幅の広がりが防止される（すなわち、データの書き込
み時において、下部磁極における磁束の広がりが抑制さ
れる）。続いて、全面に、膜厚約３μｍの例えばアルミ
ナからなる絶縁層１１１を形成した後、全面をＣＭＰに
より平坦化する。
【００１３】次に、図１４に示したように、絶縁層１１
１上に、例えばめっき法により、例えば銅（Ｃｕ）より
なる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１１
２を選択的に形成し、更に、絶縁層１１１および薄膜コ
イル１１２上に、フォトレジスト膜１１３を高精度のフ
ォトリソグラフィで所定のパターンに形成する。続い
て、フォトレジスト膜１１３の平坦化および薄膜コイル
１１２間の絶縁化のために所定の温度で熱処理する。更
に、同様に、フォトレジスト膜１１３上に、第２層目の
薄膜コイル１１４およびフォトレジスト膜１１５を形成
し、フォトレジスト膜１１５の平坦化および薄膜コイル
１１４間の絶縁化のために所定の温度で熱処理する。
１上に、例えばめっき法により、例えば銅（Ｃｕ）より
なる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１１
２を選択的に形成し、更に、絶縁層１１１および薄膜コ
イル１１２上に、フォトレジスト膜１１３を高精度のフ
ォトリソグラフィで所定のパターンに形成する。続い
て、フォトレジスト膜１１３の平坦化および薄膜コイル
１１２間の絶縁化のために所定の温度で熱処理する。更
に、同様に、フォトレジスト膜１１３上に、第２層目の
薄膜コイル１１４およびフォトレジスト膜１１５を形成
し、フォトレジスト膜１１５の平坦化および薄膜コイル
１１４間の絶縁化のために所定の温度で熱処理する。
【００１４】次に、図１５に示したように、磁極先端部
１１０、フォトレジスト膜１１３，１１５上に、記録ヘ
ッド用の磁気材料、例えばパーマロイからなる上部ヨー
ク兼上部磁極層（以下、上部磁極層と記す。）１１６を
形成する。この上部磁極層１１６は、薄膜コイル１１
２，１１４よりも後方の位置において、下部磁極１０８
と接触し、磁気的に連結される。続いて、上部磁極層１
１６上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１
１７を形成する。最後に、スライダの機械加工を行っ
て、記録ヘッドおよび再生ヘッドのトラック面（エアベ
アリング面）１１８を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成
する。
１１０、フォトレジスト膜１１３，１１５上に、記録ヘ
ッド用の磁気材料、例えばパーマロイからなる上部ヨー
ク兼上部磁極層（以下、上部磁極層と記す。）１１６を
形成する。この上部磁極層１１６は、薄膜コイル１１
２，１１４よりも後方の位置において、下部磁極１０８
と接触し、磁気的に連結される。続いて、上部磁極層１
１６上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１
１７を形成する。最後に、スライダの機械加工を行っ
て、記録ヘッドおよび再生ヘッドのトラック面（エアベ
アリング面）１１８を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成
する。
【００１５】図１５において、ＴＨはスロートハイトを
表し、ＭＲ−ＨはＭＲハイトをそれぞれ表している。ま
た、Ｐ２Ｗはトラック（磁極）幅を表している。
表し、ＭＲ−ＨはＭＲハイトをそれぞれ表している。ま
た、Ｐ２Ｗはトラック（磁極）幅を表している。
【００１６】薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因とし
て、スロートハイトＴＨやＭＲハイトＭＲ−Ｈ等の他
に、図１５においてθで示したようなエイペックスアン
グル（Apex Angle）がある。このエイペックスアングル
は、フォトレジスト膜１１３，１１５のトラック面側の
側面の角部を結ぶ直線と上部磁極層１１６の上面とのな
す角度をいう。
て、スロートハイトＴＨやＭＲハイトＭＲ−Ｈ等の他
に、図１５においてθで示したようなエイペックスアン
グル（Apex Angle）がある。このエイペックスアングル
は、フォトレジスト膜１１３，１１５のトラック面側の
側面の角部を結ぶ直線と上部磁極層１１６の上面とのな
す角度をいう。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘッドの性能
を向上させるには、図１５に示したようなスロートハイ
トＴＨ、ＭＲハイトＭＲ−Ｈ、エイペックスアングルθ
およびトラック幅Ｐ２Ｗを正確に形成することが重要で
ある。
を向上させるには、図１５に示したようなスロートハイ
トＴＨ、ＭＲハイトＭＲ−Ｈ、エイペックスアングルθ
およびトラック幅Ｐ２Ｗを正確に形成することが重要で
ある。
【００１８】特に、近年は、高面密度記録を可能とする
ため、すなわち、狭トラック構造の記録ヘッドを形成す
るために、トラック幅Ｐ２Ｗには、１．０μｍ以下のサ
ブミクロン寸法が要求されている。そのために、半導体
加工技術を利用して上部磁極をサブミクロンに加工する
技術が必要となる。また、狭トラック構造となるに伴っ
て、磁極には、より高い飽和磁束密度を持った磁性材料
の使用が望まれている。
ため、すなわち、狭トラック構造の記録ヘッドを形成す
るために、トラック幅Ｐ２Ｗには、１．０μｍ以下のサ
ブミクロン寸法が要求されている。そのために、半導体
加工技術を利用して上部磁極をサブミクロンに加工する
技術が必要となる。また、狭トラック構造となるに伴っ
て、磁極には、より高い飽和磁束密度を持った磁性材料
の使用が望まれている。
【００１９】ここで、問題となるのは、フォトレジスト
膜（例えば、図１５のフォトレジスト膜１１３，１１
５）で覆われて山状に盛り上がったコイル部分（エイペ
ックス部）の上に形成される上部磁極層（トップポー
ル）１１６を微細に形成することが困難であることであ
る。
膜（例えば、図１５のフォトレジスト膜１１３，１１
５）で覆われて山状に盛り上がったコイル部分（エイペ
ックス部）の上に形成される上部磁極層（トップポー
ル）１１６を微細に形成することが困難であることであ
る。
【００２０】上部磁極を形成する方法としては、例えば
特開平７−２６２５１９号公報に示されるように、フレ
ームめっき法が用いられる。フレームめっき法を用いて
上部磁極を形成する場合は、まず、エイペックス部の上
に全体的に、例えばパーマロイよりなる薄い電極膜を形
成する。次に、その上にフォトレジストを塗布し、フォ
トリソグラフィによりパターニングして、めっきのため
のフレーム（外枠）を形成する。そして、先に形成した
電極膜をシード層として、めっき法によって上部磁極を
形成する。
特開平７−２６２５１９号公報に示されるように、フレ
ームめっき法が用いられる。フレームめっき法を用いて
上部磁極を形成する場合は、まず、エイペックス部の上
に全体的に、例えばパーマロイよりなる薄い電極膜を形
成する。次に、その上にフォトレジストを塗布し、フォ
トリソグラフィによりパターニングして、めっきのため
のフレーム（外枠）を形成する。そして、先に形成した
電極膜をシード層として、めっき法によって上部磁極を
形成する。
【００２１】ところで、上述のエイペックス部では、例
えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイペック
ス部上に形成されるフォトレジストの膜厚が最低３μｍ
以上必要であるとすると、流動性のあるフォトレジスト
は低い方に集まることから、エイペックス部の下方で
は、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレジスト膜
が形成されることとなる。前述のように狭トラックを形
成するためには、フォトレジスト膜によってサブミクロ
ン幅のパターンを形成する必要がある。従って、８〜１
０μｍ以上の厚みのあるフォトレジスト膜によって、サ
ブミクロン幅の微細なパターンを形成する必要が生じる
が、これは極めて困難であった。
えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイペック
ス部上に形成されるフォトレジストの膜厚が最低３μｍ
以上必要であるとすると、流動性のあるフォトレジスト
は低い方に集まることから、エイペックス部の下方で
は、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレジスト膜
が形成されることとなる。前述のように狭トラックを形
成するためには、フォトレジスト膜によってサブミクロ
ン幅のパターンを形成する必要がある。従って、８〜１
０μｍ以上の厚みのあるフォトレジスト膜によって、サ
ブミクロン幅の微細なパターンを形成する必要が生じる
が、これは極めて困難であった。
【００２２】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、例えばパーマロイよりなる電極膜で反射
し、この反射光によってもフォトレジストが感光して、
フォトレジストパターンのくずれ等が生じる。その結
果、上部磁極の側壁が丸みを帯びた形状になる等、上部
磁極を所望の形状に形成できなくなる。このように、従
来は、トラックＰ２Ｗを正確に制御して、狭トラック構
造とするための上部磁極を精度よく形成することが極め
て困難であった。
露光用の光が、例えばパーマロイよりなる電極膜で反射
し、この反射光によってもフォトレジストが感光して、
フォトレジストパターンのくずれ等が生じる。その結
果、上部磁極の側壁が丸みを帯びた形状になる等、上部
磁極を所望の形状に形成できなくなる。このように、従
来は、トラックＰ２Ｗを正確に制御して、狭トラック構
造とするための上部磁極を精度よく形成することが極め
て困難であった。
【００２３】このようなことから、上述の従来例の図１
２〜図１５の工程でも示したように、記録ヘッドの狭ト
ラックの形成に有効な磁極先端部１１０で１．０μｍ以
下のトラック幅を形成した後、この磁極先端部１１０と
ヨーク部を兼ねる上部磁極層１１６とを接続させる方
法、すなわち、通常の上部磁極を、トラック幅を決定す
る磁極先端部１１０と、磁束を誘導するためのヨーク部
となる上部磁極層１１６との２つに分割する方法が採用
されている（特開昭６２−２４５５０９，特開昭６０−
１０４０９号公報参照）。このように上部磁極を２分割
することにより、一方の磁極先端部１１０を記録ギャッ
プ層１０９の平坦面上においてサブミクロン幅に微細に
加工することが可能になる。
２〜図１５の工程でも示したように、記録ヘッドの狭ト
ラックの形成に有効な磁極先端部１１０で１．０μｍ以
下のトラック幅を形成した後、この磁極先端部１１０と
ヨーク部を兼ねる上部磁極層１１６とを接続させる方
法、すなわち、通常の上部磁極を、トラック幅を決定す
る磁極先端部１１０と、磁束を誘導するためのヨーク部
となる上部磁極層１１６との２つに分割する方法が採用
されている（特開昭６２−２４５５０９，特開昭６０−
１０４０９号公報参照）。このように上部磁極を２分割
することにより、一方の磁極先端部１１０を記録ギャッ
プ層１０９の平坦面上においてサブミクロン幅に微細に
加工することが可能になる。
【００２４】しかしながら、この薄膜磁気ヘッドにおい
ては、依然、以下のような問題があった。
ては、依然、以下のような問題があった。
【００２５】（１）まず、従来の磁気ヘッドでは、磁極
先端部１１０のトラック面１１８から遠い側の端部にお
いてスロートハイトを決定している。しかし、この磁極
先端部１１０の幅が狭くなると、フォトリソグラフィー
においてパターンエッジが丸みを帯びて形成される。そ
のため、高精度な寸法を要求されるスロートハイトが不
均一となり、トラック面の加工，研磨工程において、磁
気抵抗効果素子のトラック幅との間のバランスに欠ける
事態が発生していた。例えば、トラック幅として、０．
５〜０．６μｍ必要なときに、磁極先端部１１０のトラ
ック面１１８から遠い側の端部がスロートハイト零の位
置からトラック面側にずれ、大きく書き込みギャップが
開き、記録データの書き込みができなくなるという問題
がしばしば発生していた。
先端部１１０のトラック面１１８から遠い側の端部にお
いてスロートハイトを決定している。しかし、この磁極
先端部１１０の幅が狭くなると、フォトリソグラフィー
においてパターンエッジが丸みを帯びて形成される。そ
のため、高精度な寸法を要求されるスロートハイトが不
均一となり、トラック面の加工，研磨工程において、磁
気抵抗効果素子のトラック幅との間のバランスに欠ける
事態が発生していた。例えば、トラック幅として、０．
５〜０．６μｍ必要なときに、磁極先端部１１０のトラ
ック面１１８から遠い側の端部がスロートハイト零の位
置からトラック面側にずれ、大きく書き込みギャップが
開き、記録データの書き込みができなくなるという問題
がしばしば発生していた。
【００２６】（２）次に、前述のように、従来の磁気ヘ
ッドでは、２分割された上部磁極のうちの一方の磁極先
端部１１０により記録ヘッドのトラック幅が規定される
ため、他方の上部磁極層１１６は磁極先端部１１０程に
は微細に加工する必要はないといえる。しかしながら、
上部磁極層１１６は磁極先端部１１０の上部にフォトリ
ソグラフィーの位置合わせにより位置が決定されるた
め、トラック面１１８（図１５）側から見た場合、双方
が片側に大きく位置ずれすると、上部磁極層１１６側で
書き込みを行う、所謂サイドライトが発生する。そのた
め実効トラック幅が広くなり、ハードディスクにおい
て、本来のデータ記録領域以外の領域においても書き込
みが行われる、という不具合が発生する。
ッドでは、２分割された上部磁極のうちの一方の磁極先
端部１１０により記録ヘッドのトラック幅が規定される
ため、他方の上部磁極層１１６は磁極先端部１１０程に
は微細に加工する必要はないといえる。しかしながら、
上部磁極層１１６は磁極先端部１１０の上部にフォトリ
ソグラフィーの位置合わせにより位置が決定されるた
め、トラック面１１８（図１５）側から見た場合、双方
が片側に大きく位置ずれすると、上部磁極層１１６側で
書き込みを行う、所謂サイドライトが発生する。そのた
め実効トラック幅が広くなり、ハードディスクにおい
て、本来のデータ記録領域以外の領域においても書き込
みが行われる、という不具合が発生する。
【００２７】また、記録ヘッドのトラック幅が極微細、
特に０．５μｍ以下になってくると、上部磁極層１１６
においてもサブミクロン幅の加工精度が要求される。す
なわち、トラック面１１８（図１５）側から見た場合、
磁極先端部１１０と上部磁極層１１６との横方向の寸法
差が大き過ぎると、上記と同様に、サイドライトが発生
し、本来のデータ記録領域以外の領域においても書き込
みが行われる、という不具合が発生する。
特に０．５μｍ以下になってくると、上部磁極層１１６
においてもサブミクロン幅の加工精度が要求される。す
なわち、トラック面１１８（図１５）側から見た場合、
磁極先端部１１０と上部磁極層１１６との横方向の寸法
差が大き過ぎると、上記と同様に、サイドライトが発生
し、本来のデータ記録領域以外の領域においても書き込
みが行われる、という不具合が発生する。
【００２８】このようなことから、磁極先端部１１０だ
けでなく、上部磁極層１１６もサブミクロン幅に加工す
る必要があるが、上部磁極層１１６の下のエイペックス
部には、依然、前述のような大きな高低差があるため、
上部磁極層１１６の微細加工が困難であった。
けでなく、上部磁極層１１６もサブミクロン幅に加工す
る必要があるが、上部磁極層１１６の下のエイペックス
部には、依然、前述のような大きな高低差があるため、
上部磁極層１１６の微細加工が困難であった。
【００２９】（３）更に、従来の磁気ヘッドでは磁路長
（Yoke Length)を短くすることが困難であるという問題
があった。すなわち、コイルピッチが狭い程、磁路長の
短いヘッドを実現することができ、特に高周波特性に優
れた記録ヘッドを形成することができるが、コイルピッ
チを限りなく小さくしていった場合、スロートハイト零
の位置から、コイルの外周端の距離が磁路長を妨げる大
きな要因となっていた。磁路長は、一層のコイルよりは
２層のコイルの方が短くできることから、多くの高周波
用の記録ヘッドは２層コイルを採用している。
（Yoke Length)を短くすることが困難であるという問題
があった。すなわち、コイルピッチが狭い程、磁路長の
短いヘッドを実現することができ、特に高周波特性に優
れた記録ヘッドを形成することができるが、コイルピッ
チを限りなく小さくしていった場合、スロートハイト零
の位置から、コイルの外周端の距離が磁路長を妨げる大
きな要因となっていた。磁路長は、一層のコイルよりは
２層のコイルの方が短くできることから、多くの高周波
用の記録ヘッドは２層コイルを採用している。
【００３０】従来の磁気ヘッドでは、１層目のコイルを
形成した後、コイル間の絶縁膜を形成するために、フォ
トレジスト膜を約２μｍの厚さで形成している。そのた
め、１層目のコイルの外周端には丸みを帯びた小さなエ
イペックス部が形成される。次に、その上に２層目のコ
イルを形成するが、その際に、エイペックス部の傾斜部
では、コイルのシード層のエッチングができず、コイル
がショートするため、２層目のコイルを形成することが
できない。そのため、２層目のコイルは平坦部に形成す
る必要がある。コイルの厚みが２〜３μｍで、更にコイ
ル間絶縁膜の厚みを２μｍとすると、エイペックス部の
傾斜が４５〜５５度の場合、コイルの外周端からスロー
トハイトの零の位置近傍まで３〜４μｍの距離の２倍
（上部磁極と下部磁極とのコンタクト部からコイル外周
端までの距離も４〜５μｍ必要）の６〜８μｍが必要で
あり、これが磁路長の縮小を妨げる要因となっていた。
例えば、ライン／スペースが１．５μｍ／０．５μｍの
１１巻コイルを２層で形成する場合、１層目を６巻、２
層目を５巻とすると、磁路長のコイルを占める部分の長
さは１１μｍである。ここで、上記コイル外周端のエイ
ペックス部に６〜８μｍが必要なことから、これ以上磁
路長の縮小は不可能で、これが高周波特性の改善を妨げ
ていた。
形成した後、コイル間の絶縁膜を形成するために、フォ
トレジスト膜を約２μｍの厚さで形成している。そのた
め、１層目のコイルの外周端には丸みを帯びた小さなエ
イペックス部が形成される。次に、その上に２層目のコ
イルを形成するが、その際に、エイペックス部の傾斜部
では、コイルのシード層のエッチングができず、コイル
がショートするため、２層目のコイルを形成することが
できない。そのため、２層目のコイルは平坦部に形成す
る必要がある。コイルの厚みが２〜３μｍで、更にコイ
ル間絶縁膜の厚みを２μｍとすると、エイペックス部の
傾斜が４５〜５５度の場合、コイルの外周端からスロー
トハイトの零の位置近傍まで３〜４μｍの距離の２倍
（上部磁極と下部磁極とのコンタクト部からコイル外周
端までの距離も４〜５μｍ必要）の６〜８μｍが必要で
あり、これが磁路長の縮小を妨げる要因となっていた。
例えば、ライン／スペースが１．５μｍ／０．５μｍの
１１巻コイルを２層で形成する場合、１層目を６巻、２
層目を５巻とすると、磁路長のコイルを占める部分の長
さは１１μｍである。ここで、上記コイル外周端のエイ
ペックス部に６〜８μｍが必要なことから、これ以上磁
路長の縮小は不可能で、これが高周波特性の改善を妨げ
ていた。
【００３１】また、各薄膜コイルはスロートハイトが零
の位置に近い程、起磁力が磁極先端部（トップポール）
に伝わりやすく記録特性の優れた薄膜磁気ヘッドを実現
することができる。従って、薄膜コイルはスロートハイ
トが零の位置にできるだけ近くすることが望ましい。
の位置に近い程、起磁力が磁極先端部（トップポール）
に伝わりやすく記録特性の優れた薄膜磁気ヘッドを実現
することができる。従って、薄膜コイルはスロートハイ
トが零の位置にできるだけ近くすることが望ましい。
【００３２】なお、磁路長を縮小するための関連技術と
して、特開平６−１７６３１８号公報および特開平５−
１２０６２８号公報に開示されたものがある。特開平６
−１７６３１８号公報には、コイル間の間隙幅を小さく
して高密度で低抵抗の多層コイルを形成し、磁路長を小
さくするために、第１のコイルを形成した後、この第１
のコイル間に絶縁層を形成し、この絶縁層をマスクとし
て第１のコイル上に厚い第２のコイルを形成する技術が
開示されている。しかしながら、この技術では、薄膜コ
イルをスロートハイトが零の近傍位置に形成すること
や、薄膜コイルからの起磁力を効率良く磁極に伝えるこ
とができず、また、記録ヘッドにおけるスロートハイト
の正確な制御などの上述の問題点は解決することができ
ない。一方、特開平５−１２０６２８号公報では、導体
コイルを形成する部分において、ギャップ層を構成する
第１の金属層を導体コイルの下側に設け、絶縁層と第２
の金属層を導体コイルの上側に設けるようにし、磁路長
の短縮化を図っている。しかし、この技術においても、
薄膜コイルからの起磁力を効率良く磁極に伝えることが
できず、スロートハイトの正確な制御などの上述の問題
点は解決することができない。
して、特開平６−１７６３１８号公報および特開平５−
１２０６２８号公報に開示されたものがある。特開平６
−１７６３１８号公報には、コイル間の間隙幅を小さく
して高密度で低抵抗の多層コイルを形成し、磁路長を小
さくするために、第１のコイルを形成した後、この第１
のコイル間に絶縁層を形成し、この絶縁層をマスクとし
て第１のコイル上に厚い第２のコイルを形成する技術が
開示されている。しかしながら、この技術では、薄膜コ
イルをスロートハイトが零の近傍位置に形成すること
や、薄膜コイルからの起磁力を効率良く磁極に伝えるこ
とができず、また、記録ヘッドにおけるスロートハイト
の正確な制御などの上述の問題点は解決することができ
ない。一方、特開平５−１２０６２８号公報では、導体
コイルを形成する部分において、ギャップ層を構成する
第１の金属層を導体コイルの下側に設け、絶縁層と第２
の金属層を導体コイルの上側に設けるようにし、磁路長
の短縮化を図っている。しかし、この技術においても、
薄膜コイルからの起磁力を効率良く磁極に伝えることが
できず、スロートハイトの正確な制御などの上述の問題
点は解決することができない。
【００３３】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その第１の目的は、記録ヘッドにおいて、薄膜コ
イルからの起磁力を効率良く磁極に伝えることができ、
記録特性を向上させることができる薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法を提供することにある。
ので、その第１の目的は、記録ヘッドにおいて、薄膜コ
イルからの起磁力を効率良く磁極に伝えることができ、
記録特性を向上させることができる薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法を提供することにある。
【００３４】また、本発明の第２の目的は、記録ヘッド
におけるスロートハイトの正確な制御が可能であると共
に、磁路長を縮小し、薄膜コイルからの起磁力を効率良
く、磁極に伝えることができ、高周波特性および記録面
密度を向上させることができる薄膜磁気ヘッドおよびそ
の製造方法を提供することにある。
におけるスロートハイトの正確な制御が可能であると共
に、磁路長を縮小し、薄膜コイルからの起磁力を効率良
く、磁極に伝えることができ、高周波特性および記録面
密度を向上させることができる薄膜磁気ヘッドおよびそ
の製造方法を提供することにある。
【００３５】更に、本発明の第３の目的は、上記効果に
加え、磁極先端部だけでなく、上部磁極層のサブミクロ
ン幅の極微細加工が可能であり、更に記録ヘッドの特性
を改善することができる薄膜磁気ヘッドおよびその製造
方法を提供することにある。
加え、磁極先端部だけでなく、上部磁極層のサブミクロ
ン幅の極微細加工が可能であり、更に記録ヘッドの特性
を改善することができる薄膜磁気ヘッドおよびその製造
方法を提供することにある。
【００３６】
【課題を解決するための手段】本発明による薄膜磁気ヘ
ッドは、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側
の一部が記録ギャップ層を介して対向する第１の磁極お
よび第２の磁極を含む少なくとも２つの磁性層と、磁束
発生用の１層あるいは２層以上の薄膜コイルとを有し、
対向する第１の磁極および第２の磁極のうちの一方の磁
極に絶縁層を介して薄膜コイルの一部が対向しているよ
うに構成したものである。
ッドは、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側
の一部が記録ギャップ層を介して対向する第１の磁極お
よび第２の磁極を含む少なくとも２つの磁性層と、磁束
発生用の１層あるいは２層以上の薄膜コイルとを有し、
対向する第１の磁極および第２の磁極のうちの一方の磁
極に絶縁層を介して薄膜コイルの一部が対向しているよ
うに構成したものである。
【００３７】この薄膜磁気ヘッドでは、対向する２つの
磁極のうちの一方の磁極に絶縁層を介して薄膜コイルの
一部が対向しているため、薄膜コイルからの起磁力が対
向する磁極に効率良く伝わる。
磁極のうちの一方の磁極に絶縁層を介して薄膜コイルの
一部が対向しているため、薄膜コイルからの起磁力が対
向する磁極に効率良く伝わる。
【００３８】更に、本発明の他の薄膜磁気ヘッドは、磁
気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記
録ギャップ層を介して対向する第１の磁極および第２の
磁極を含む少なくとも２つの磁性層と、磁束発生用の１
層あるいは２層以上の薄膜コイルとを有する薄膜磁気ヘ
ッドであって、第１の磁性層と、この第１の磁性層と分
割して形成されると共に、記録ギャップ面との隣接面の
反対側の面が、第１の磁性層の一部領域に磁気的に結合
された第１の磁極と、無機系材料に形成されると共に、
少なくとも第１の磁極の記録媒体に対向する側の反対面
から第１の磁性層の一方の面に連続的に形成された絶縁
層と、この絶縁層が形成された領域内に埋め込まれた薄
膜コイルと、記録ギャップ層を介して第１の磁極に対向
すると共に、記録媒体に対向する面から奥側に向けて第
１の磁極よりも長く形成され、少なくとも薄膜コイルの
一部に対向する第２の磁極と、この第２の磁極と分割し
て形成されると共に、第２の磁極の記録ギャップ層との
隣接面の反対側の面の少なくとも一部において第２の磁
極に磁気的に結合された第２の磁性層とを備えた構成を
有している。
気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記
録ギャップ層を介して対向する第１の磁極および第２の
磁極を含む少なくとも２つの磁性層と、磁束発生用の１
層あるいは２層以上の薄膜コイルとを有する薄膜磁気ヘ
ッドであって、第１の磁性層と、この第１の磁性層と分
割して形成されると共に、記録ギャップ面との隣接面の
反対側の面が、第１の磁性層の一部領域に磁気的に結合
された第１の磁極と、無機系材料に形成されると共に、
少なくとも第１の磁極の記録媒体に対向する側の反対面
から第１の磁性層の一方の面に連続的に形成された絶縁
層と、この絶縁層が形成された領域内に埋め込まれた薄
膜コイルと、記録ギャップ層を介して第１の磁極に対向
すると共に、記録媒体に対向する面から奥側に向けて第
１の磁極よりも長く形成され、少なくとも薄膜コイルの
一部に対向する第２の磁極と、この第２の磁極と分割し
て形成されると共に、第２の磁極の記録ギャップ層との
隣接面の反対側の面の少なくとも一部において第２の磁
極に磁気的に結合された第２の磁性層とを備えた構成を
有している。
【００３９】また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側
の一部が記録ギャップ層を介して対向する第１の磁極お
よび第２の磁極を含む少なくとも２つの磁性層と、磁束
発生用の１層あるいは２層以上の薄膜コイルとを有する
薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、第１の磁性層を形
成した後、第１の磁性層の上に第１の磁性層の一部領域
と磁気的に結合されるように第１の磁極を形成する工程
と、少なくとも第１の磁極の記録媒体に対向する側の反
対面から第１の磁性層の一方の面にかけて無機系材料か
らなる絶縁層を連続的に形成する工程と、絶縁層が形成
された凹部領域内に薄膜コイルを形成する工程と、少な
くとも第１の磁極の上に記録ギャップ層を形成した後、
第２の磁極を、記録媒体に対向する面から奥側に向けて
薄膜コイルの少なくとも一部に対向するように第１の磁
極よりも長く形成する工程と、第２の磁極に磁気的に結
合させて第２の磁性層を形成する工程とを含むものであ
る。
方法は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側
の一部が記録ギャップ層を介して対向する第１の磁極お
よび第２の磁極を含む少なくとも２つの磁性層と、磁束
発生用の１層あるいは２層以上の薄膜コイルとを有する
薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、第１の磁性層を形
成した後、第１の磁性層の上に第１の磁性層の一部領域
と磁気的に結合されるように第１の磁極を形成する工程
と、少なくとも第１の磁極の記録媒体に対向する側の反
対面から第１の磁性層の一方の面にかけて無機系材料か
らなる絶縁層を連続的に形成する工程と、絶縁層が形成
された凹部領域内に薄膜コイルを形成する工程と、少な
くとも第１の磁極の上に記録ギャップ層を形成した後、
第２の磁極を、記録媒体に対向する面から奥側に向けて
薄膜コイルの少なくとも一部に対向するように第１の磁
極よりも長く形成する工程と、第２の磁極に磁気的に結
合させて第２の磁性層を形成する工程とを含むものであ
る。
【００４０】本発明による他の薄膜磁気ヘッドまたはそ
の製造方法では、第１の磁極が第１の磁極層上に突状に
形成され、第１の磁極に隣接した凹部領域に薄膜コイル
が形成される。従って、無機材料からなる絶縁層を第１
の磁極に隣接した凹部内に埋め込むことができ、これに
より第１の磁極のトラック面と反対側の端縁によって正
確にスロートハイトが規定される。
の製造方法では、第１の磁極が第１の磁極層上に突状に
形成され、第１の磁極に隣接した凹部領域に薄膜コイル
が形成される。従って、無機材料からなる絶縁層を第１
の磁極に隣接した凹部内に埋め込むことができ、これに
より第１の磁極のトラック面と反対側の端縁によって正
確にスロートハイトが規定される。
【００４１】また、第１の磁極に隣接した凹部内に薄膜
コイルを埋め込むことにより、その分、エイペックス部
の段差を従来構造に比べて低くすることができる。従っ
て、その後の工程において、第２の磁性層をフォトリソ
グラフィーにより形成する際に、エイペックス部の上部
と下部においてフォトレジスト膜の厚さの差が低減され
る。よって、第２の磁性層のサブミクロン寸法の微細化
を図ることが可能になる。
コイルを埋め込むことにより、その分、エイペックス部
の段差を従来構造に比べて低くすることができる。従っ
て、その後の工程において、第２の磁性層をフォトリソ
グラフィーにより形成する際に、エイペックス部の上部
と下部においてフォトレジスト膜の厚さの差が低減され
る。よって、第２の磁性層のサブミクロン寸法の微細化
を図ることが可能になる。
【００４２】加えて、本発明による他の薄膜磁気ヘッド
では、スロートハイト零の位置から薄膜コイルを離れて
形成する必要が無くなる。従って、薄膜コイルを第１の
磁極の端縁のスロートハイト零の近傍位置に形成するこ
とができ、しかも、記録ギャップ層を介して第２の磁極
を、第１の磁極および薄膜コイルの一部に対向するよう
にしているため、薄膜コイルからの起磁力が効率良く、
第２の磁極に伝わる。
では、スロートハイト零の位置から薄膜コイルを離れて
形成する必要が無くなる。従って、薄膜コイルを第１の
磁極の端縁のスロートハイト零の近傍位置に形成するこ
とができ、しかも、記録ギャップ層を介して第２の磁極
を、第１の磁極および薄膜コイルの一部に対向するよう
にしているため、薄膜コイルからの起磁力が効率良く、
第２の磁極に伝わる。
【００４３】本発明による薄膜磁気ヘッドおよびその製
造方法では、上記構成に加えて、更に、以下の態様とす
ることができる。
造方法では、上記構成に加えて、更に、以下の態様とす
ることができる。
【００４４】まず、本発明による薄膜磁気ヘッドまたは
その製造方法では、第１の磁極の記録媒体に対向する面
からの長さを記録ヘッドのスロートハイトに等しくする
ようにしてもよい。すなわち、本発明による薄膜磁気ヘ
ッドまたはその製造方法では、第１の磁極が第１の磁性
層と分割され、第１の磁性層に対して突状に形成されて
いるため、無機系材料により形成された絶縁層が第１の
磁極に隣接して形成される。従って、第１の磁極の記録
媒体に対向する面からの奥行き方向への長さを、記録ヘ
ッドのスロートハイトに等しくすることにより、スロー
トハイトが正確に規定される。
その製造方法では、第１の磁極の記録媒体に対向する面
からの長さを記録ヘッドのスロートハイトに等しくする
ようにしてもよい。すなわち、本発明による薄膜磁気ヘ
ッドまたはその製造方法では、第１の磁極が第１の磁性
層と分割され、第１の磁性層に対して突状に形成されて
いるため、無機系材料により形成された絶縁層が第１の
磁極に隣接して形成される。従って、第１の磁極の記録
媒体に対向する面からの奥行き方向への長さを、記録ヘ
ッドのスロートハイトに等しくすることにより、スロー
トハイトが正確に規定される。
【００４５】また、本発明による薄膜磁気ヘッドまたは
その製造方法では、第１の磁極の記録媒体に対向する側
の反対面から第１の磁性層の一方の面に沿って連続的に
第１の絶縁層を形成し、少なくとも薄膜コイルの巻線間
に第２の絶縁層を形成するようにしてもよい。
その製造方法では、第１の磁極の記録媒体に対向する側
の反対面から第１の磁性層の一方の面に沿って連続的に
第１の絶縁層を形成し、少なくとも薄膜コイルの巻線間
に第２の絶縁層を形成するようにしてもよい。
【００４６】更に、本発明による薄膜磁気ヘッドまたは
その製造方法では、第２の絶縁層の第１の磁性層との隣
接面の反対面が、第１の磁極の記録ギャップ層との隣接
面の反対面と実質的に同一面となるように平坦化するよ
うにしてもよい。
その製造方法では、第２の絶縁層の第１の磁性層との隣
接面の反対面が、第１の磁極の記録ギャップ層との隣接
面の反対面と実質的に同一面となるように平坦化するよ
うにしてもよい。
【００４７】また、本発明による薄膜磁気ヘッドまたは
その製造方法では、第１の磁極の記録媒体に対向する面
に沿った幅を第２の磁極よりも広く形成するようにして
もよい。
その製造方法では、第１の磁極の記録媒体に対向する面
に沿った幅を第２の磁極よりも広く形成するようにして
もよい。
【００４８】更に、本発明による薄膜磁気ヘッドまたは
その製造方法では、第２の磁性層の記録媒体に対向する
面側の端部を、記録媒体に対向する面から後退した位置
に形成するようにしてもよい。
その製造方法では、第２の磁性層の記録媒体に対向する
面側の端部を、記録媒体に対向する面から後退した位置
に形成するようにしてもよい。
【００４９】また、本発明による薄膜磁気ヘッドまたは
その製造方法では、更に、第３の絶縁層を、少なくと
も、第２の磁極の記録媒体に対向する側の反対面から、
記録ギャップ層の第２の磁極との隣接面の反対側の面に
かけて連続的に形成するようにしてもよい。
その製造方法では、更に、第３の絶縁層を、少なくと
も、第２の磁極の記録媒体に対向する側の反対面から、
記録ギャップ層の第２の磁極との隣接面の反対側の面に
かけて連続的に形成するようにしてもよい。
【００５０】更に、本発明による薄膜磁気ヘッドまたは
その製造方法では、第３の絶縁層が形成された領域内に
他の薄膜コイルを配設し、この他の薄膜コイルを、第３
の絶縁層と第２の磁性層との間において、第１ないし第
３の絶縁層とは異なる他の絶縁層により覆うようにして
もよい。
その製造方法では、第３の絶縁層が形成された領域内に
他の薄膜コイルを配設し、この他の薄膜コイルを、第３
の絶縁層と第２の磁性層との間において、第１ないし第
３の絶縁層とは異なる他の絶縁層により覆うようにして
もよい。
【００５１】また、本発明による薄膜磁気ヘッドまたは
その製造方法では、第３の絶縁層および他の絶縁層を、
第２の磁極の記録ギャップ層との隣接面の反対面と実質
的に同一面となるように平坦化するようにしてもよい。
その製造方法では、第３の絶縁層および他の絶縁層を、
第２の磁極の記録ギャップ層との隣接面の反対面と実質
的に同一面となるように平坦化するようにしてもよい。
【００５２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００５３】〔第１の実施の形態〕図１（ａ），（ｂ）
ないし図６（ａ），（ｂ）は、それぞれ、本発明の一実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドとしての複合型薄膜磁気
ヘッドの製造工程を表すものである。なお、図１ないし
図６において、（ａ）はトラック面（ＡＢＳ）に垂直な
断面を示し、（ｂ）は磁極部分のトラック面に平行な断
面をそれぞれ示している。
ないし図６（ａ），（ｂ）は、それぞれ、本発明の一実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドとしての複合型薄膜磁気
ヘッドの製造工程を表すものである。なお、図１ないし
図６において、（ａ）はトラック面（ＡＢＳ）に垂直な
断面を示し、（ｂ）は磁極部分のトラック面に平行な断
面をそれぞれ示している。
【００５４】まず、図６（ａ），（ｂ）を参照して本実
施の形態に係る複合型薄膜磁気ヘッドの構成について説
明する。この磁気ヘッドは、再生用の磁気抵抗効果読み
出しヘッド部（以下，再生ヘッド部という）１Ａと、記
録用のインダクティブ記録ヘッド部（以下，記録ヘッド
部という）１Ｂとを有している。
施の形態に係る複合型薄膜磁気ヘッドの構成について説
明する。この磁気ヘッドは、再生用の磁気抵抗効果読み
出しヘッド部（以下，再生ヘッド部という）１Ａと、記
録用のインダクティブ記録ヘッド部（以下，記録ヘッド
部という）１Ｂとを有している。
【００５５】再生ヘッド部１Ａは、例えばアルティック
（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）からなる基板１１上に、例えば
アルミナ（酸化アルミニウム，Ａｌ2 Ｏ3 ）により形成
された絶縁層１２、例えば珪化鉄アルミニウム（ＦｅＡ
ｌＳｉ）により形成された下部シールド層１３、例えば
アルミナにより形成されたシールドギャップ層１４を順
次介して磁気抵抗効果膜（以下，ＭＲ膜という）１５の
パターンを形成したものである。また、シールドギャッ
プ層１４上には、例えばタンタル（Ｔａ）やタングステ
ン（Ｗ）等のＭＲ膜に拡散しない材料により形成された
リード端子層１５ａも形成されており、このリード端子
層１５ａがＭＲ膜１５に電気的に接続されている。ＭＲ
膜１５は、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ合金）やニッケ
ル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金など磁気抵抗効果を
有する各種材料により形成されている。ＭＲ膜１５およ
びリード端子層１５ａの上には例えばアルミナよりなる
シールドギャップ層１７が積層されている。つまり、Ｍ
Ｒ膜１５とリード端子層１５ａとはシールドギャップ層
１４，１７間に埋設されている。なお、ＭＲ膜１５は、
特に限定するものではなく、ＡＭＲ膜やＧＭＲ膜あるい
は他の磁気抵抗効果膜などでもよい。
（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）からなる基板１１上に、例えば
アルミナ（酸化アルミニウム，Ａｌ2 Ｏ3 ）により形成
された絶縁層１２、例えば珪化鉄アルミニウム（ＦｅＡ
ｌＳｉ）により形成された下部シールド層１３、例えば
アルミナにより形成されたシールドギャップ層１４を順
次介して磁気抵抗効果膜（以下，ＭＲ膜という）１５の
パターンを形成したものである。また、シールドギャッ
プ層１４上には、例えばタンタル（Ｔａ）やタングステ
ン（Ｗ）等のＭＲ膜に拡散しない材料により形成された
リード端子層１５ａも形成されており、このリード端子
層１５ａがＭＲ膜１５に電気的に接続されている。ＭＲ
膜１５は、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ合金）やニッケ
ル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金など磁気抵抗効果を
有する各種材料により形成されている。ＭＲ膜１５およ
びリード端子層１５ａの上には例えばアルミナよりなる
シールドギャップ層１７が積層されている。つまり、Ｍ
Ｒ膜１５とリード端子層１５ａとはシールドギャップ層
１４，１７間に埋設されている。なお、ＭＲ膜１５は、
特に限定するものではなく、ＡＭＲ膜やＧＭＲ膜あるい
は他の磁気抵抗効果膜などでもよい。
【００５６】記録ヘッド部１Ｂは、この再生ヘッド部１
Ａ上に、ＭＲ膜１５に対する上部シールド層を兼ねる下
部磁極および記録ギャップ層２２を介して上部磁極を形
成したものである。
Ａ上に、ＭＲ膜１５に対する上部シールド層を兼ねる下
部磁極および記録ギャップ層２２を介して上部磁極を形
成したものである。
【００５７】本実施の形態では、下部磁極は、シールド
ギャップ層１７上に形成された下部磁極層（下部ポー
ル）１８と、トラック面側において下部磁極層１８上に
形成された下部磁極先端部（下部ポールチップ）１９ａ
とに２分割して形成されている。同様に、上部磁極も２
分割されており、トラック面側において、下部磁極先端
部１９ａ上に記録ギャップ層２２を間にして形成された
上部磁極先端部（上部ポールチップ）２３ａと、この上
部磁極先端部２３ａに接触すると共に、後述のコイルを
含むエイペックス部の上面に沿って形成された、ヨーク
部を兼ねる上部磁極層（上部ポール）２５とにより構成
されている。上部磁極層２５は、エイペックス部のトラ
ック面と反対側の位置（図６（ａ）において右側）にお
いて、上部接続部２３ｂおよび下部接続部１９ｂを介し
て下部磁極層１８と磁気的に結合されている。
ギャップ層１７上に形成された下部磁極層（下部ポー
ル）１８と、トラック面側において下部磁極層１８上に
形成された下部磁極先端部（下部ポールチップ）１９ａ
とに２分割して形成されている。同様に、上部磁極も２
分割されており、トラック面側において、下部磁極先端
部１９ａ上に記録ギャップ層２２を間にして形成された
上部磁極先端部（上部ポールチップ）２３ａと、この上
部磁極先端部２３ａに接触すると共に、後述のコイルを
含むエイペックス部の上面に沿って形成された、ヨーク
部を兼ねる上部磁極層（上部ポール）２５とにより構成
されている。上部磁極層２５は、エイペックス部のトラ
ック面と反対側の位置（図６（ａ）において右側）にお
いて、上部接続部２３ｂおよび下部接続部１９ｂを介し
て下部磁極層１８と磁気的に結合されている。
【００５８】以上の下部磁極層１８、下部磁極先端部１
９ａ、下部接続部１９ｂ、上部磁極先端部２３ａ、上部
接続部２３ｂおよび上部磁極層２５は、それぞれ、例え
ば高飽和磁束密度材料（Ｈｉ−Ｂｓ材）、例えばＮｉＦ
ｅ（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％），ＮｉＦｅ
（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％），ＦｅＮ，Ｆ
ｅＺｒＮＰ，ＣｏＦｅＮなどにより形成されている。
９ａ、下部接続部１９ｂ、上部磁極先端部２３ａ、上部
接続部２３ｂおよび上部磁極層２５は、それぞれ、例え
ば高飽和磁束密度材料（Ｈｉ−Ｂｓ材）、例えばＮｉＦ
ｅ（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％），ＮｉＦｅ
（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％），ＦｅＮ，Ｆ
ｅＺｒＮＰ，ＣｏＦｅＮなどにより形成されている。
【００５９】この記録ヘッド部１Ｂでは、上部磁極先端
部２３ａに対向する下部磁極先端部１９ａは、その表面
部分を一部突状に加工したトリム（Trim）構造となって
いる。これにより、実効書き込みトラック幅の広がり、
すなわち、データの書き込み時において、下部磁極にお
ける磁束の広がりが抑制されるようになっている。
部２３ａに対向する下部磁極先端部１９ａは、その表面
部分を一部突状に加工したトリム（Trim）構造となって
いる。これにより、実効書き込みトラック幅の広がり、
すなわち、データの書き込み時において、下部磁極にお
ける磁束の広がりが抑制されるようになっている。
【００６０】なお、本実施の形態においては、下部磁極
層１８が本発明の第１の磁性層、下部磁極先端部１９ａ
が本発明の第１の磁極にそれぞれ対応し、また、上部磁
極先端部２３ａが本発明の第２の磁極、上部磁極層２５
が本発明の第２の磁性層にそれぞれ対応している。
層１８が本発明の第１の磁性層、下部磁極先端部１９ａ
が本発明の第１の磁極にそれぞれ対応し、また、上部磁
極先端部２３ａが本発明の第２の磁極、上部磁極層２５
が本発明の第２の磁性層にそれぞれ対応している。
【００６１】本実施の形態では、１層目の薄膜コイル２
１が、下部磁極層１８上の下部磁極先端部１９ａおよび
下部接続部１９ｂに隣接する凹部領域に形成されてい
る。すなわち、凹部領域の内壁面（底面および側壁面）
には絶縁層２０ａが形成され、この絶縁層２０ａ上に薄
膜コイル２１が形成されている。薄膜コイル２１のコイ
ル間は絶縁層２０ｂにより埋め込まれており、この絶縁
層２０ｂの表面と下部磁極先端部１９ａの表面とが同一
面を構成するように平坦化されている。よって、この薄
膜コイル２１の分だけ、後述の薄膜コイル２４を含むエ
イペックス部の段差が低くなっている。なお、絶縁層２
０ａが本発明の第１の絶縁層、絶縁層２０ｂが本発明の
第２の絶縁層にそれぞれ対応している。
１が、下部磁極層１８上の下部磁極先端部１９ａおよび
下部接続部１９ｂに隣接する凹部領域に形成されてい
る。すなわち、凹部領域の内壁面（底面および側壁面）
には絶縁層２０ａが形成され、この絶縁層２０ａ上に薄
膜コイル２１が形成されている。薄膜コイル２１のコイ
ル間は絶縁層２０ｂにより埋め込まれており、この絶縁
層２０ｂの表面と下部磁極先端部１９ａの表面とが同一
面を構成するように平坦化されている。よって、この薄
膜コイル２１の分だけ、後述の薄膜コイル２４を含むエ
イペックス部の段差が低くなっている。なお、絶縁層２
０ａが本発明の第１の絶縁層、絶縁層２０ｂが本発明の
第２の絶縁層にそれぞれ対応している。
【００６２】平坦化された絶縁層２０ｂおよび薄膜コイ
ル２１上には記録ギャップ層２２が延在している。本実
施の形態では、上部磁極先端部２３ａは、記録ギャップ
層２２上において下部磁極先端部１９ａよりも長く形成
され、薄膜コイル２１の一部に対向する位置まで延在し
ている。上部磁極先端部２３ａおよび上部接続部２３ｂ
に隣接する凹部領域内には絶縁層２０ｃが形成されてい
る。この絶縁層２０ｃ上に２層目の薄膜コイル２４が形
成されている。薄膜コイル２４は例えばアルミナからな
る絶縁層２０ｄ内に埋め込まれている。薄膜コイル２
１，２４は上部接続部２３ｂおよび下部接続部１９ｂの
後方位置において、コイル接続部２１ａ，２４ａを介し
て互いに電気的に接続されている。なお、絶縁層２０ｃ
が本発明の第３の絶縁層、絶縁層２０ｄが本発明の他の
絶縁層に対応している。
ル２１上には記録ギャップ層２２が延在している。本実
施の形態では、上部磁極先端部２３ａは、記録ギャップ
層２２上において下部磁極先端部１９ａよりも長く形成
され、薄膜コイル２１の一部に対向する位置まで延在し
ている。上部磁極先端部２３ａおよび上部接続部２３ｂ
に隣接する凹部領域内には絶縁層２０ｃが形成されてい
る。この絶縁層２０ｃ上に２層目の薄膜コイル２４が形
成されている。薄膜コイル２４は例えばアルミナからな
る絶縁層２０ｄ内に埋め込まれている。薄膜コイル２
１，２４は上部接続部２３ｂおよび下部接続部１９ｂの
後方位置において、コイル接続部２１ａ，２４ａを介し
て互いに電気的に接続されている。なお、絶縁層２０ｃ
が本発明の第３の絶縁層、絶縁層２０ｄが本発明の他の
絶縁層に対応している。
【００６３】絶縁層２０ｄ上にはヨーク部を兼ねる上部
磁極層２５が形成されている。この上部磁極層２５はオ
ーバーコート層２６により覆われている。
磁極層２５が形成されている。この上部磁極層２５はオ
ーバーコート層２６により覆われている。
【００６４】本実施の形態の磁気ヘッドでは、再生ヘッ
ド部１Ａにおいて、ＭＲ膜１５の磁気抵抗効果を利用し
て磁気ディスク（図示せず）から情報の読み出しが行わ
れると共に、記録ヘッド部１Ｂにおいて、薄膜コイル２
１，２４による、上部磁極先端部２３ａと下部磁極先端
部１９ａとの間の磁束の変化を利用して磁気ディスクに
対して情報が書き込まれる。
ド部１Ａにおいて、ＭＲ膜１５の磁気抵抗効果を利用し
て磁気ディスク（図示せず）から情報の読み出しが行わ
れると共に、記録ヘッド部１Ｂにおいて、薄膜コイル２
１，２４による、上部磁極先端部２３ａと下部磁極先端
部１９ａとの間の磁束の変化を利用して磁気ディスクに
対して情報が書き込まれる。
【００６５】次に、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００６６】本実施の形態では、まず、図１に示したよ
うに、例えばアルティック（Ａｌ2O3 ・ＴｉＣ）からな
る基板１１上に、例えばスパッタ法により例えばアルミ
ナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）よりなる絶縁層１２を、約３〜５μｍ
程度の厚みで形成する。次に、絶縁層１２上に、フォト
レジスト膜をマスクとして、めっき法にて、パーマロイ
（ＮｉＦｅ）を約３μｍの厚みで選択的に形成して、再
生ヘッド用の下部シールド層１３を形成する。続いて、
例えばスパッタまたはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposit
ion ）法により約４〜６μｍの厚さのアルミナ膜（図示
せず）を形成し、ＣＭＰによって平坦化する。
うに、例えばアルティック（Ａｌ2O3 ・ＴｉＣ）からな
る基板１１上に、例えばスパッタ法により例えばアルミ
ナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）よりなる絶縁層１２を、約３〜５μｍ
程度の厚みで形成する。次に、絶縁層１２上に、フォト
レジスト膜をマスクとして、めっき法にて、パーマロイ
（ＮｉＦｅ）を約３μｍの厚みで選択的に形成して、再
生ヘッド用の下部シールド層１３を形成する。続いて、
例えばスパッタまたはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposit
ion ）法により約４〜６μｍの厚さのアルミナ膜（図示
せず）を形成し、ＣＭＰによって平坦化する。
【００６７】次に、図２に示したように、下部シールド
層１３上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚
みでスパッタ法により堆積し、シールドギャップ層１４
を形成する。続いて、シールドギャップ層１４上に、再
生用のＭＲ素子等を構成するＭＲ膜１５を、数十ｎｍの
厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形
状とする。続いて、このＭＲ膜１５に対するリード端子
層１５ａをリフトオフ法により形成する。次いで、シー
ルドギャップ層１４、ＭＲ膜１５およびリード端子層１
５ａ上に、シールドギャップ層１７を形成し、ＭＲ膜１
５およびリード端子層１５ａをシールドギャップ層１
４，１７内に埋設させる。
層１３上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚
みでスパッタ法により堆積し、シールドギャップ層１４
を形成する。続いて、シールドギャップ層１４上に、再
生用のＭＲ素子等を構成するＭＲ膜１５を、数十ｎｍの
厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形
状とする。続いて、このＭＲ膜１５に対するリード端子
層１５ａをリフトオフ法により形成する。次いで、シー
ルドギャップ層１４、ＭＲ膜１５およびリード端子層１
５ａ上に、シールドギャップ層１７を形成し、ＭＲ膜１
５およびリード端子層１５ａをシールドギャップ層１
４，１７内に埋設させる。
【００６８】続いて、シールドギャップ膜１７上に、例
えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）よりなる上部シールドを兼
ねた下部磁極層（下部ポール）１８を、約１．０〜１．
５μｍの厚みで形成する。
えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）よりなる上部シールドを兼
ねた下部磁極層（下部ポール）１８を、約１．０〜１．
５μｍの厚みで形成する。
【００６９】次に、図３に示したように、下部磁極層１
８上に、下部磁極先端部（下部ポールチップ）１９ａお
よび下部接続部１９ｂを約２．０〜２．５μｍの厚みで
形成する。ここで、下部磁極先端部１９ａは、そのトラ
ック側の先端部がＭＲ（ＧＭＲ）ハイト零の位置の近辺
になるように成形し、同時に、トラック面の反対側がス
ロートハイト零の位置となるようにする。なお、この下
部磁極先端部１９ａおよび下部接続部１９ｂは、前述の
ようにＮｉＦｅ等のめっき膜により形成してもよく、Ｆ
ｅＮ，ＦｅＺｒＮＰ，ＣｏＦｅＮなどのスパッタ膜によ
り形成してもよい。
８上に、下部磁極先端部（下部ポールチップ）１９ａお
よび下部接続部１９ｂを約２．０〜２．５μｍの厚みで
形成する。ここで、下部磁極先端部１９ａは、そのトラ
ック側の先端部がＭＲ（ＧＭＲ）ハイト零の位置の近辺
になるように成形し、同時に、トラック面の反対側がス
ロートハイト零の位置となるようにする。なお、この下
部磁極先端部１９ａおよび下部接続部１９ｂは、前述の
ようにＮｉＦｅ等のめっき膜により形成してもよく、Ｆ
ｅＮ，ＦｅＺｒＮＰ，ＣｏＦｅＮなどのスパッタ膜によ
り形成してもよい。
【００７０】続いて、全面に、例えばスパッタ法または
ＣＶＤ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚
０．３〜０．６μｍの絶縁層２０ａを形成する。次い
で、フォトレジスト膜１６のパターンをマスクとして、
下部磁極先端部１９ａおよび下部接続部１９ｂにより形
成された凹部領域に、例えば電解めっき法により、例え
ば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の１層目の
薄膜コイル２１およびコイル接続部２１ａを、例えば
１．０〜２．０μｍの厚み、コイルピッチ１．２〜２．
０μｍで形成する。
ＣＶＤ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚
０．３〜０．６μｍの絶縁層２０ａを形成する。次い
で、フォトレジスト膜１６のパターンをマスクとして、
下部磁極先端部１９ａおよび下部接続部１９ｂにより形
成された凹部領域に、例えば電解めっき法により、例え
ば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の１層目の
薄膜コイル２１およびコイル接続部２１ａを、例えば
１．０〜２．０μｍの厚み、コイルピッチ１．２〜２．
０μｍで形成する。
【００７１】次に、図４に示したように、フォトレジス
ト膜１６を除去した後、全面に、スパッタ法により絶縁
材料、例えばアルミナよりなる膜厚３．０〜４．０μｍ
の絶縁層２０ｂを形成した後、例えばＣＭＰ法により表
面を平坦化し、下部磁極先端部１９ａの表面を露出させ
る。このとき、本実施の形態では、薄膜コイル２１の表
面は露出していないが、露出させるようにしてもよい。
ト膜１６を除去した後、全面に、スパッタ法により絶縁
材料、例えばアルミナよりなる膜厚３．０〜４．０μｍ
の絶縁層２０ｂを形成した後、例えばＣＭＰ法により表
面を平坦化し、下部磁極先端部１９ａの表面を露出させ
る。このとき、本実施の形態では、薄膜コイル２１の表
面は露出していないが、露出させるようにしてもよい。
【００７２】次に、図５に示したように、スパッタ法に
より絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚０．２〜
０．３μｍの記録ギャップ層２２を形成する。記録ギャ
ップ層２２は、アルミナの他、窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）、シリコン酸化物系、シリコン窒化物系の材料など
により形成するようにしてもよい。続いて、この記録ギ
ャップ層２２をフォトリソグラフィーによりパターニン
グし、上部磁極と下部磁極との接続用の開口２２ａを形
成する。
より絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚０．２〜
０．３μｍの記録ギャップ層２２を形成する。記録ギャ
ップ層２２は、アルミナの他、窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）、シリコン酸化物系、シリコン窒化物系の材料など
により形成するようにしてもよい。続いて、この記録ギ
ャップ層２２をフォトリソグラフィーによりパターニン
グし、上部磁極と下部磁極との接続用の開口２２ａを形
成する。
【００７３】続いて、記録ギャップ層２２上に記録ヘッ
ドのトラック幅を決定するための上部磁極先端部（ポー
ルチップ）２３ａをフォトリソグラフィーにより形成す
る。すなわち、記録ギャップ層２２上に、例えばスパッ
タ法により高飽和磁束密度材料（Ｈｉ−Ｂｓ材）、例え
ばＮｉＦｅ（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％），
ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％），Ｆ
ｅＮ，ＦｅＺｒＮＰ，ＣｏＦｅＮなどからなる、膜厚
２．０〜３．０μｍの磁極層を形成する。続いて、この
磁極層を、フォトレジストマスクを用いた例えばＡｒ
（アルゴン）のイオンミリングによって選択的に除去
し、上部磁極先端部２３ａを形成すると共に、上部磁極
と下部磁極とを磁気的に接続させるための上部接続部２
３ｂを形成する。上部磁極先端部２３ａおよび上部接続
部２３ｂはフォトレジストマスクの代わりにアルミナ等
の無機系絶縁層によるマスクを用いてエッチングするよ
うにしてもよく、また、このようなフォトリソグラフィ
ーによらず、その他、めっき法、スパッタ法などによっ
て形成するようにしてもよい。
ドのトラック幅を決定するための上部磁極先端部（ポー
ルチップ）２３ａをフォトリソグラフィーにより形成す
る。すなわち、記録ギャップ層２２上に、例えばスパッ
タ法により高飽和磁束密度材料（Ｈｉ−Ｂｓ材）、例え
ばＮｉＦｅ（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％），
ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％），Ｆ
ｅＮ，ＦｅＺｒＮＰ，ＣｏＦｅＮなどからなる、膜厚
２．０〜３．０μｍの磁極層を形成する。続いて、この
磁極層を、フォトレジストマスクを用いた例えばＡｒ
（アルゴン）のイオンミリングによって選択的に除去
し、上部磁極先端部２３ａを形成すると共に、上部磁極
と下部磁極とを磁気的に接続させるための上部接続部２
３ｂを形成する。上部磁極先端部２３ａおよび上部接続
部２３ｂはフォトレジストマスクの代わりにアルミナ等
の無機系絶縁層によるマスクを用いてエッチングするよ
うにしてもよく、また、このようなフォトリソグラフィ
ーによらず、その他、めっき法、スパッタ法などによっ
て形成するようにしてもよい。
【００７４】ここで、本実施の形態では、上部磁極先端
部２３ａを、トラック面から奥側に下部磁極先端部１９
ａよりも長く形成し、この上部磁極先端部２３ａが、記
録ギャップ層２２を介して、下部磁極先端部１９ａだけ
でなく、薄膜コイル２１の最外周端側の一部に対向する
ようにする。
部２３ａを、トラック面から奥側に下部磁極先端部１９
ａよりも長く形成し、この上部磁極先端部２３ａが、記
録ギャップ層２２を介して、下部磁極先端部１９ａだけ
でなく、薄膜コイル２１の最外周端側の一部に対向する
ようにする。
【００７５】続いて、上部磁極先端部２３ａをマスクと
して、その周辺の記録ギャップ層２２および下部磁極先
端部１９ａを自己整合的にエッチングする。すなわち、
上部磁極先端部２３ａをマスクとした塩素系ガス（Ｃｌ
2 ，ＣＦ4 ，ＢＣｌ2 ，ＳＦ6 等）によるＲＩＥ（Reac
tive Ion Etching) により、記録ギャップ層２２を選択
的に除去した後、露出した下部磁極先端部１９ａを、再
び、例えばＡｒのイオンミリングによって約０．３〜
０．６μｍ程度エッチングして、トリム構造の記録トラ
ックを形成する。
して、その周辺の記録ギャップ層２２および下部磁極先
端部１９ａを自己整合的にエッチングする。すなわち、
上部磁極先端部２３ａをマスクとした塩素系ガス（Ｃｌ
2 ，ＣＦ4 ，ＢＣｌ2 ，ＳＦ6 等）によるＲＩＥ（Reac
tive Ion Etching) により、記録ギャップ層２２を選択
的に除去した後、露出した下部磁極先端部１９ａを、再
び、例えばＡｒのイオンミリングによって約０．３〜
０．６μｍ程度エッチングして、トリム構造の記録トラ
ックを形成する。
【００７６】続いて、全面に、例えばスパッタ法または
ＣＶＤ法により、膜厚約０．３〜０．６μｍの例えばア
ルミナからなる絶縁層２０ｃを形成する。次いで、絶縁
層２０ｃ、記録ギャップ層２２および絶縁層２０ｂを選
択的にエッチングし、薄膜コイル２１のコイル接続部２
１ａの表面部分を露出させる。次に、絶縁層２０ｃの上
の上部磁極先端部２３ａおよび上部接続部２３ｂにより
形成された凹部領域に、例えば電解めっき法により、例
えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の２層目
の薄膜コイル２４およびコイル接続部２４ａを例えば
１．０〜２．０μｍの厚み、コイルピッチ１．２〜２．
０μｍで形成する。このときコイル接続部２１ａ，２４
ａにより、上下の薄膜コイル２１，２４が電気的に接続
される。
ＣＶＤ法により、膜厚約０．３〜０．６μｍの例えばア
ルミナからなる絶縁層２０ｃを形成する。次いで、絶縁
層２０ｃ、記録ギャップ層２２および絶縁層２０ｂを選
択的にエッチングし、薄膜コイル２１のコイル接続部２
１ａの表面部分を露出させる。次に、絶縁層２０ｃの上
の上部磁極先端部２３ａおよび上部接続部２３ｂにより
形成された凹部領域に、例えば電解めっき法により、例
えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の２層目
の薄膜コイル２４およびコイル接続部２４ａを例えば
１．０〜２．０μｍの厚み、コイルピッチ１．２〜２．
０μｍで形成する。このときコイル接続部２１ａ，２４
ａにより、上下の薄膜コイル２１，２４が電気的に接続
される。
【００７７】次に、図６に示したように、全面に、例え
ばスパッタ法またはＣＶＤ法により、膜厚約３〜４μｍ
の例えばアルミナからなる絶縁層２０ｄを形成する。な
お、この絶縁層２０ｄや絶縁層２０ｃは、アルミナに限
らず、二酸化珪素（ＳｉＯ2）や、窒化珪素（ＳｉＮ）
等の他の絶縁材料により形成してもよい。続いて、例え
ばＣＭＰ法により、上部磁極先端部２３ａおよび上部接
続部２３ｂの表面が露出するように絶縁層２０ｄおよび
絶縁層２０ｃをエッチングし、絶縁層２０ｃ，２０ｄの
表面と上部磁極先端部２３ａおよび上部接続部２３ｂの
各表面とが同一面を構成するように平坦化する。
ばスパッタ法またはＣＶＤ法により、膜厚約３〜４μｍ
の例えばアルミナからなる絶縁層２０ｄを形成する。な
お、この絶縁層２０ｄや絶縁層２０ｃは、アルミナに限
らず、二酸化珪素（ＳｉＯ2）や、窒化珪素（ＳｉＮ）
等の他の絶縁材料により形成してもよい。続いて、例え
ばＣＭＰ法により、上部磁極先端部２３ａおよび上部接
続部２３ｂの表面が露出するように絶縁層２０ｄおよび
絶縁層２０ｃをエッチングし、絶縁層２０ｃ，２０ｄの
表面と上部磁極先端部２３ａおよび上部接続部２３ｂの
各表面とが同一面を構成するように平坦化する。
【００７８】続いて、例えば上部磁極先端部２３ａと同
じ材料を用いて、例えば電解めっき法やスパッタ法など
の方法により、上部磁極層２５を約２〜３μｍの厚みに
形成する。この上部磁極層２５は、トラック面側から見
て、薄膜コイル２１，２４よりも後方の位置において、
上部接続部２３ｂを介して、下部接続部１９ｂと接触
し、下部磁性層１８と磁気的に連結される。最後に、上
部磁極先端部２３ａ、上部磁極層２５および絶縁層２０
ｄ上に、例えばスパッタ法によりアルミナよりなる膜厚
約３０μｍのオーバーコート層２６を形成する。その
後、スライダの機械加工を行い、記録ヘッドおよび再生
ヘッドのトラック面（ＡＢＳ）を形成することにより、
薄膜磁気ヘッドが完成する。
じ材料を用いて、例えば電解めっき法やスパッタ法など
の方法により、上部磁極層２５を約２〜３μｍの厚みに
形成する。この上部磁極層２５は、トラック面側から見
て、薄膜コイル２１，２４よりも後方の位置において、
上部接続部２３ｂを介して、下部接続部１９ｂと接触
し、下部磁性層１８と磁気的に連結される。最後に、上
部磁極先端部２３ａ、上部磁極層２５および絶縁層２０
ｄ上に、例えばスパッタ法によりアルミナよりなる膜厚
約３０μｍのオーバーコート層２６を形成する。その
後、スライダの機械加工を行い、記録ヘッドおよび再生
ヘッドのトラック面（ＡＢＳ）を形成することにより、
薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００７９】図７は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの平面図を示している。この図は、スライダの機械加
工を行う前の状態を表している。この図において、ＴＨ
はスロートハイトを表しており、このスロートハイトＴ
Ｈは、絶縁層２０ａの磁極部分側の端縁、すなわち下部
磁極先端部１９ａのトラック面と反対側の端縁によって
規定される。この図では、スロートハイトＴＨはＧＭＲ
ハイトと一致しているため、ＴＨ＝ＧＭＲハイトとな
る。また、図中、１８ａは下部磁性層１８のうちの前述
のトリム構造のためにトリミングされた領域を表してい
る。
ドの平面図を示している。この図は、スライダの機械加
工を行う前の状態を表している。この図において、ＴＨ
はスロートハイトを表しており、このスロートハイトＴ
Ｈは、絶縁層２０ａの磁極部分側の端縁、すなわち下部
磁極先端部１９ａのトラック面と反対側の端縁によって
規定される。この図では、スロートハイトＴＨはＧＭＲ
ハイトと一致しているため、ＴＨ＝ＧＭＲハイトとな
る。また、図中、１８ａは下部磁性層１８のうちの前述
のトリム構造のためにトリミングされた領域を表してい
る。
【００８０】以上の本実施の形態では、次のような効果
を得ることができる。
を得ることができる。
【００８１】（１）まず、本実施の形態では、下部磁極
を、下部磁極先端部１９ａと下部磁極層１８とに２分割
し、下部磁極先端部１９ａを、下部磁極層１８の平坦面
上に形成するようにしたので、無機材料からなる絶縁層
２０ａ，２０ｂを下部磁極先端部１９ａと下部接続部１
９ｂとの間の凹部内に埋め込むことができる。従って、
絶縁層２０ａの下部磁極先端部１９ａ側の端縁（すなわ
ち下部磁極先端部１９ａのトラック面と反対側の端縁）
によってスロートハイトが規定される。よって、従来の
フォトレジスト膜のように、端縁の位置変動（パターン
シフト）およびプロファイル悪化が生じることがなく、
スロートハイトの正確な制御が可能になる。更に、ＭＲ
ハイトの正確な制御や、エイペックスアングルの正確な
制御も可能となる。
を、下部磁極先端部１９ａと下部磁極層１８とに２分割
し、下部磁極先端部１９ａを、下部磁極層１８の平坦面
上に形成するようにしたので、無機材料からなる絶縁層
２０ａ，２０ｂを下部磁極先端部１９ａと下部接続部１
９ｂとの間の凹部内に埋め込むことができる。従って、
絶縁層２０ａの下部磁極先端部１９ａ側の端縁（すなわ
ち下部磁極先端部１９ａのトラック面と反対側の端縁）
によってスロートハイトが規定される。よって、従来の
フォトレジスト膜のように、端縁の位置変動（パターン
シフト）およびプロファイル悪化が生じることがなく、
スロートハイトの正確な制御が可能になる。更に、ＭＲ
ハイトの正確な制御や、エイペックスアングルの正確な
制御も可能となる。
【００８２】（２）また、本実施の形態では、上部磁極
を、上部磁極先端部２３ａと上部磁極層２５とに２分割
し、上部磁極先端部２３ａを、下部磁極先端部１９ａ上
の平坦面に形成するようにしたので、記録トラック幅を
規制する上部磁極先端部２３ａをサブミクロン寸法に精
度良く形成することができる。加えて、本実施の形態で
は、１層目の薄膜コイル２１が絶縁層２０ｂによって下
部磁極先端部１９ａに隣接した凹部領域内に埋め込まれ
ると共に、絶縁層２０ｂの表面が下部磁極先端部１９ａ
の表面と同一面を形成する程度に平坦化されている。す
なわち、２層目の薄膜コイル２４を含むエイペックス部
の段差が、１層目の薄膜コイル２１の分だけ、従来構造
に比べて低くなる。従って、上部磁極先端部２３ａに部
分的に接触する上部磁極層２５をフォトリソグラフィー
により形成する際に、エイペックス部の上部と下部にお
いてフォトレジスト膜の厚さの差が低減され、その結
果、上部磁極層２５のサブミクロン寸法の微細化を図る
ことが可能になる。
を、上部磁極先端部２３ａと上部磁極層２５とに２分割
し、上部磁極先端部２３ａを、下部磁極先端部１９ａ上
の平坦面に形成するようにしたので、記録トラック幅を
規制する上部磁極先端部２３ａをサブミクロン寸法に精
度良く形成することができる。加えて、本実施の形態で
は、１層目の薄膜コイル２１が絶縁層２０ｂによって下
部磁極先端部１９ａに隣接した凹部領域内に埋め込まれ
ると共に、絶縁層２０ｂの表面が下部磁極先端部１９ａ
の表面と同一面を形成する程度に平坦化されている。す
なわち、２層目の薄膜コイル２４を含むエイペックス部
の段差が、１層目の薄膜コイル２１の分だけ、従来構造
に比べて低くなる。従って、上部磁極先端部２３ａに部
分的に接触する上部磁極層２５をフォトリソグラフィー
により形成する際に、エイペックス部の上部と下部にお
いてフォトレジスト膜の厚さの差が低減され、その結
果、上部磁極層２５のサブミクロン寸法の微細化を図る
ことが可能になる。
【００８３】よって、本実施の形態により得られる薄膜
磁気ヘッドでは、記録ヘッドによる高面密度記録が可能
となり、コイルを２層，３層と積層して記録ヘッドの性
能を更に向上させることができる。なお、上部磁極先端
部２３ａおよび上部磁極層２５のフォトリソグラフィー
の際に、フォトレジストの代わりに無機系絶縁層をマス
クとすることにより、上部磁極先端部２３ａおよび上部
磁極層２５の微細化を、より高精度に実現することが可
能になる。また、上部磁極先端部２３ａおよび上部磁極
層２５をフォトリソグラフィー以外のスパッタ等により
形成する場合においても、同様に、エイペックス部の段
差の影響が低減されるため、上部磁極先端部２３ａおよ
び上部磁極層２５の微細化を図ることができる。
磁気ヘッドでは、記録ヘッドによる高面密度記録が可能
となり、コイルを２層，３層と積層して記録ヘッドの性
能を更に向上させることができる。なお、上部磁極先端
部２３ａおよび上部磁極層２５のフォトリソグラフィー
の際に、フォトレジストの代わりに無機系絶縁層をマス
クとすることにより、上部磁極先端部２３ａおよび上部
磁極層２５の微細化を、より高精度に実現することが可
能になる。また、上部磁極先端部２３ａおよび上部磁極
層２５をフォトリソグラフィー以外のスパッタ等により
形成する場合においても、同様に、エイペックス部の段
差の影響が低減されるため、上部磁極先端部２３ａおよ
び上部磁極層２５の微細化を図ることができる。
【００８４】（３）更に、本実施の形態では、従来例の
ようにフォトレジストパターンの傾斜部が存在しないた
め、第１および第２層目の薄膜コイル２１，２４を共に
平坦部に形成することができ、傾斜部によるコイル外周
部端とスロートハイト零の位置までの距離が磁路長縮小
の妨げとはならない。従って、磁路長を短くすることが
でき、記録ヘッドの高周波特性を著しく向上させること
ができる。ちなみに、本実施の形態では、フォトリソグ
ラフィーの位置合わせ誤差の０．１μｍ〜．０．２μｍ
で設計できるため、従来例の３０〜４０％以下に磁路長
を縮小することが可能になる。また、薄膜コイルの巻数
が同じ場合には、その分コイルの厚さを薄くすることが
できる。なお、図８（ａ），（ｂ）は、上記実施の形態
の薄膜磁気ヘッドと、従来の薄膜磁気ヘッドの磁路長を
比較して表したものである。ここに、図８（ａ）はトラ
ック面（ＡＢＳ）に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部
分のトラック面に平行な断面をそれぞれ示している。
ようにフォトレジストパターンの傾斜部が存在しないた
め、第１および第２層目の薄膜コイル２１，２４を共に
平坦部に形成することができ、傾斜部によるコイル外周
部端とスロートハイト零の位置までの距離が磁路長縮小
の妨げとはならない。従って、磁路長を短くすることが
でき、記録ヘッドの高周波特性を著しく向上させること
ができる。ちなみに、本実施の形態では、フォトリソグ
ラフィーの位置合わせ誤差の０．１μｍ〜．０．２μｍ
で設計できるため、従来例の３０〜４０％以下に磁路長
を縮小することが可能になる。また、薄膜コイルの巻数
が同じ場合には、その分コイルの厚さを薄くすることが
できる。なお、図８（ａ），（ｂ）は、上記実施の形態
の薄膜磁気ヘッドと、従来の薄膜磁気ヘッドの磁路長を
比較して表したものである。ここに、図８（ａ）はトラ
ック面（ＡＢＳ）に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部
分のトラック面に平行な断面をそれぞれ示している。
【００８５】（４）また、本実施の形態では、スロート
ハイト零の位置の近傍に薄膜コイル２１を形成すること
ができる。しかも、記録ギャップ層２２を介して上部磁
極先端部２３ａを下部磁極先端部１９ａおよび薄膜コイ
ル２１の一部に対向するようにしているため、薄膜コイ
ル２１からの起磁力が効率良く上部磁極先端部２３ａに
伝わる。これによって、薄膜磁気ヘッドの記録特性が向
上する。
ハイト零の位置の近傍に薄膜コイル２１を形成すること
ができる。しかも、記録ギャップ層２２を介して上部磁
極先端部２３ａを下部磁極先端部１９ａおよび薄膜コイ
ル２１の一部に対向するようにしているため、薄膜コイ
ル２１からの起磁力が効率良く上部磁極先端部２３ａに
伝わる。これによって、薄膜磁気ヘッドの記録特性が向
上する。
【００８６】（５）また、本実施の形態では、図７に示
したように、各パターンを真上から見た場合、下部磁極
先端部１９ａの幅を上部磁極先端部２３ａの幅よりも広
くしているために、上部磁極先端部２３ａがハーフミク
ロン幅の狭トラックであっても、下部磁極先端部１９ａ
の近傍において磁束が飽和することがない。
したように、各パターンを真上から見た場合、下部磁極
先端部１９ａの幅を上部磁極先端部２３ａの幅よりも広
くしているために、上部磁極先端部２３ａがハーフミク
ロン幅の狭トラックであっても、下部磁極先端部１９ａ
の近傍において磁束が飽和することがない。
【００８７】（６）更に、本実施の形態では、薄膜コイ
ル２１と上部シールドを兼ねた下部磁極層１８との間に
は無機系の絶縁膜２０ａ，２０ｂ、また、薄膜コイル２
１，２４間には記録ギャップ膜２２および絶縁層２０ｃ
が設けられていため、各絶縁層の厚さを調整することに
より、薄膜コイル２１，２４、上部シールドとの間にそ
れぞれ大きな絶縁耐圧を得ることができ、絶縁性を保持
することができると共に薄膜コイル２１，２４からの磁
束の漏れを低減できる。
ル２１と上部シールドを兼ねた下部磁極層１８との間に
は無機系の絶縁膜２０ａ，２０ｂ、また、薄膜コイル２
１，２４間には記録ギャップ膜２２および絶縁層２０ｃ
が設けられていため、各絶縁層の厚さを調整することに
より、薄膜コイル２１，２４、上部シールドとの間にそ
れぞれ大きな絶縁耐圧を得ることができ、絶縁性を保持
することができると共に薄膜コイル２１，２４からの磁
束の漏れを低減できる。
【００８８】（７）また、本実施の形態では、上部磁極
先端部２３ａ，上部磁極層２５等の磁性層は高飽和磁束
密度（Ｈｉ−Ｂｓ）材により形成されているので、トラ
ック幅が狭くなっても、薄膜コイル２１，２４に発生し
た磁気が途中で飽和することなく、有効に上部磁極先端
部２３ａおよび下部磁極先端部１９ａに到達し、これに
よって磁気損失のない記録ヘッドを実現できる。
先端部２３ａ，上部磁極層２５等の磁性層は高飽和磁束
密度（Ｈｉ−Ｂｓ）材により形成されているので、トラ
ック幅が狭くなっても、薄膜コイル２１，２４に発生し
た磁気が途中で飽和することなく、有効に上部磁極先端
部２３ａおよび下部磁極先端部１９ａに到達し、これに
よって磁気損失のない記録ヘッドを実現できる。
【００８９】（８）更に、本実施の形態では、トラック
幅を決定する上部磁極先端部２３ａの上に形成された上
部磁極層２５が、トラック面に露出していないため、上
部磁極層２５によるサイドライトが発生することはな
い。
幅を決定する上部磁極先端部２３ａの上に形成された上
部磁極層２５が、トラック面に露出していないため、上
部磁極層２５によるサイドライトが発生することはな
い。
【００９０】〔第２の実施の形態〕図９（ａ），（ｂ）
は本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を
表すものである。なお、第１の実施の形態と同一構成部
分については同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施の形態では、第１の実施の形態が、１層目の薄膜
コイルの一部が上部磁極に対向する構成としたのに対し
て、２層目の薄膜コイルの一部が下部磁極に対向するよ
うにしたものである。
は本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を
表すものである。なお、第１の実施の形態と同一構成部
分については同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施の形態では、第１の実施の形態が、１層目の薄膜
コイルの一部が上部磁極に対向する構成としたのに対し
て、２層目の薄膜コイルの一部が下部磁極に対向するよ
うにしたものである。
【００９１】本実施の形態では、下部シールド層１３と
上部シールド層の第１の部分３９ａとの間に溝１３ａが
形成され、この溝部１３ａ内に例えばアルミナよりなる
絶縁層３１が例えばスパッタ法により形成されている。
この絶縁層３１により覆われた溝１３ａ内にはＭＲ膜１
５に接続される電極（リード）となる例えば銅（Ｃｕ）
の導電層３２が例えばめっき法やスパッタ法により形成
されている。
上部シールド層の第１の部分３９ａとの間に溝１３ａが
形成され、この溝部１３ａ内に例えばアルミナよりなる
絶縁層３１が例えばスパッタ法により形成されている。
この絶縁層３１により覆われた溝１３ａ内にはＭＲ膜１
５に接続される電極（リード）となる例えば銅（Ｃｕ）
の導電層３２が例えばめっき法やスパッタ法により形成
されている。
【００９２】下部シールド層１３、絶縁層３１および導
電層３２の表面は、ＣＭＰ法等により平坦化されてい
る。平坦化された表面には、シールドギャップ膜３４
ａ，３４ｂに埋め込まれたＭＲ膜１５、およびＭＲ膜１
５と導電層３２とを電気的に接続するための電極層３３
がそれぞれ形成されている。また、上部シールド層の第
１の部分３９ａの上には、アルミナやシリコン酸化膜か
らなる絶縁層３５が選択的に形成され、この絶縁層３５
の上に例えば銅からなる薄膜コイル３６が例えばめっき
法により形成されている。この薄膜コイル３６および絶
縁層３５の上には、フォトレジストよりなる絶縁層３７
が所定のパターンで形成されている。
電層３２の表面は、ＣＭＰ法等により平坦化されてい
る。平坦化された表面には、シールドギャップ膜３４
ａ，３４ｂに埋め込まれたＭＲ膜１５、およびＭＲ膜１
５と導電層３２とを電気的に接続するための電極層３３
がそれぞれ形成されている。また、上部シールド層の第
１の部分３９ａの上には、アルミナやシリコン酸化膜か
らなる絶縁層３５が選択的に形成され、この絶縁層３５
の上に例えば銅からなる薄膜コイル３６が例えばめっき
法により形成されている。この薄膜コイル３６および絶
縁層３５の上には、フォトレジストよりなる絶縁層３７
が所定のパターンで形成されている。
【００９３】絶縁層３５，３７はアルミナよりなる絶縁
層３８により覆われている。シールドギャップ膜３４ｂ
および上部シールド層の第１の部分３９ａ上には、第１
の部分３９ａに磁気的に結合される上部シールド層の第
２の部分（兼下部磁極）３９ｂが形成されている。ま
た、薄膜コイル３６の後方の第１の部分３９ａ上には磁
性層３９ｃが選択的に形成され、これら上部シールド層
の第２の部分３９ｂ、絶縁層３８および磁性層３９ｃの
表面はＣＭＰ法等により平坦化されている。平坦化され
た上部シールド層の第２の部分３９ｂおよび絶縁層３８
の表面には、例えばアルミナにより記録ヘッドのスロー
トハイトを規定するための絶縁層４０が形成されてい
る。絶縁層４０の上には２層目の薄膜コイル４１が形成
され、この薄膜コイル４１はフォトレジストよりなる絶
縁層４２により覆われている。ここで、薄膜コイル４１
は、そのトラック面側の一部が絶縁層４０を介して下部
磁極を兼ねた上部シールド層の第２の部分３９ｂに対向
する位置になるように配置されている。
層３８により覆われている。シールドギャップ膜３４ｂ
および上部シールド層の第１の部分３９ａ上には、第１
の部分３９ａに磁気的に結合される上部シールド層の第
２の部分（兼下部磁極）３９ｂが形成されている。ま
た、薄膜コイル３６の後方の第１の部分３９ａ上には磁
性層３９ｃが選択的に形成され、これら上部シールド層
の第２の部分３９ｂ、絶縁層３８および磁性層３９ｃの
表面はＣＭＰ法等により平坦化されている。平坦化され
た上部シールド層の第２の部分３９ｂおよび絶縁層３８
の表面には、例えばアルミナにより記録ヘッドのスロー
トハイトを規定するための絶縁層４０が形成されてい
る。絶縁層４０の上には２層目の薄膜コイル４１が形成
され、この薄膜コイル４１はフォトレジストよりなる絶
縁層４２により覆われている。ここで、薄膜コイル４１
は、そのトラック面側の一部が絶縁層４０を介して下部
磁極を兼ねた上部シールド層の第２の部分３９ｂに対向
する位置になるように配置されている。
【００９４】下部磁極を兼ねた上部シールド層の第２の
部分３９ｂ、絶縁層４０および絶縁層４２の上には記録
ギャップ層４３が形成されている。記録ギャップ層４３
の上には記録ヘッドのトラック幅を決定する上部磁極層
４４が形成されており、この上部磁極層４４は薄膜コイ
ル３６，４１の後方位置において磁性層３９ｂと磁気的
に結合されている。上部磁極層４４は例えばアルミナか
らなるオーバーコート層４５により覆われている。
部分３９ｂ、絶縁層４０および絶縁層４２の上には記録
ギャップ層４３が形成されている。記録ギャップ層４３
の上には記録ヘッドのトラック幅を決定する上部磁極層
４４が形成されており、この上部磁極層４４は薄膜コイ
ル３６，４１の後方位置において磁性層３９ｂと磁気的
に結合されている。上部磁極層４４は例えばアルミナか
らなるオーバーコート層４５により覆われている。
【００９５】なお、本実施の形態においては、下部磁極
を兼ねた上部シールド層の第２の部分３９ｂが本発明の
第１の磁性層および第１の磁極に対応し、また、上部磁
極層４４が本発明の第２の磁性層および第２の磁極にそ
れぞれ対応している。
を兼ねた上部シールド層の第２の部分３９ｂが本発明の
第１の磁性層および第１の磁極に対応し、また、上部磁
極層４４が本発明の第２の磁性層および第２の磁極にそ
れぞれ対応している。
【００９６】本実施の形態では、下部シールド層１３と
上部シールド層の第１の部分３９ａとの間に形成された
溝１３ａ内に、ＭＲ膜１５に接続される電極の一部（導
電層３２）を絶縁状態で配置することにより、導電層３
２と、下部シールド層１３および上部シールド層の第１
の部分３９ａとの間の絶縁性能を極めて高くすることが
できる。加えて、本実施の形態では、薄膜コイル４１の
トラック面側の一部が、絶縁層４０を介して下部磁極
（上部シールド層の第２の部分３９ｂ）に対向してい
る。従って、第１の実施の形態と同様に、薄膜コイル４
１からの起磁力が下部磁極効率良くに伝わる。これによ
り、本実施の形態においても、薄膜磁気ヘッドの記録特
性が向上する。
上部シールド層の第１の部分３９ａとの間に形成された
溝１３ａ内に、ＭＲ膜１５に接続される電極の一部（導
電層３２）を絶縁状態で配置することにより、導電層３
２と、下部シールド層１３および上部シールド層の第１
の部分３９ａとの間の絶縁性能を極めて高くすることが
できる。加えて、本実施の形態では、薄膜コイル４１の
トラック面側の一部が、絶縁層４０を介して下部磁極
（上部シールド層の第２の部分３９ｂ）に対向してい
る。従って、第１の実施の形態と同様に、薄膜コイル４
１からの起磁力が下部磁極効率良くに伝わる。これによ
り、本実施の形態においても、薄膜磁気ヘッドの記録特
性が向上する。
【００９７】以上実施の形態を挙げて本発明を説明した
が、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく
種々変形可能である。例えば、上記実施の形態におい
て、上部磁極先端部２３ａおよび上部磁極層２５等は、
ＮｉＦｅ（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％），Ｎ
ｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）の他、
ＦｅＮ，ＦｅＣｏＺｒ等の高飽和磁束密度材を用いる例
について説明したが、これらの材料を２種類以上積層し
た構造としてもよい。
が、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく
種々変形可能である。例えば、上記実施の形態におい
て、上部磁極先端部２３ａおよび上部磁極層２５等は、
ＮｉＦｅ（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％），Ｎ
ｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）の他、
ＦｅＮ，ＦｅＣｏＺｒ等の高飽和磁束密度材を用いる例
について説明したが、これらの材料を２種類以上積層し
た構造としてもよい。
【００９８】また、第１の実施の形態では、上部磁極層
２５をトラック面から後退した位置に形成する構造（リ
セス構造）について説明したが、上部磁極層２５の厚さ
を上部磁極先端部２３ａよりも相対的に厚くすることに
より、上部磁極層２５を上部磁極先端部２３ａと共にト
ラック面に露出させる構造とすることもできる。これに
よりリセス構造としなくても、上部磁極層２５によりサ
イドライトが発生する不具合を解消することができる。
２５をトラック面から後退した位置に形成する構造（リ
セス構造）について説明したが、上部磁極層２５の厚さ
を上部磁極先端部２３ａよりも相対的に厚くすることに
より、上部磁極層２５を上部磁極先端部２３ａと共にト
ラック面に露出させる構造とすることもできる。これに
よりリセス構造としなくても、上部磁極層２５によりサ
イドライトが発生する不具合を解消することができる。
【００９９】また、上記実施の形態では、絶縁層２０ｂ
および絶縁層２０ｄをアルミナ，二酸化珪素あるいは窒
化珪素により形成する例について説明したが、これらは
ＳＯＧ（Spin On Glass)膜を用いて形成するようにして
もよい。
および絶縁層２０ｄをアルミナ，二酸化珪素あるいは窒
化珪素により形成する例について説明したが、これらは
ＳＯＧ（Spin On Glass)膜を用いて形成するようにして
もよい。
【０１００】なお、上記実施の形態では、下部磁極を第
１の磁性層に、上部磁極を第２の磁性層にそれぞれ対応
させた構成を示したが、この対応を逆にした構成も可能
である。つまり、下部磁極を第２の磁性層に、上部磁極
を第１の磁性層にそれぞれ対応させた構成としてもよ
い。また、上記実施の形態では、再生用素子の上に記録
用素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドについて説明し
たが、記録用素子の上に再生用素子を積層した構造の薄
膜磁気ヘッド、更には誘導型磁気変換素子を有する記録
専用の薄膜磁気ヘッドなどについても適用可能である。
１の磁性層に、上部磁極を第２の磁性層にそれぞれ対応
させた構成を示したが、この対応を逆にした構成も可能
である。つまり、下部磁極を第２の磁性層に、上部磁極
を第１の磁性層にそれぞれ対応させた構成としてもよ
い。また、上記実施の形態では、再生用素子の上に記録
用素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドについて説明し
たが、記録用素子の上に再生用素子を積層した構造の薄
膜磁気ヘッド、更には誘導型磁気変換素子を有する記録
専用の薄膜磁気ヘッドなどについても適用可能である。
【０１０１】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る薄膜磁
気ヘッドによれば、対向する２つの磁極のうちの一方の
磁極に絶縁層を介して薄膜コイルの一部を対向させるよ
うにしたので、薄膜コイルからの起磁力が対向する磁極
に効率良く伝わり、記録特性が向上する。
気ヘッドによれば、対向する２つの磁極のうちの一方の
磁極に絶縁層を介して薄膜コイルの一部を対向させるよ
うにしたので、薄膜コイルからの起磁力が対向する磁極
に効率良く伝わり、記録特性が向上する。
【０１０２】また、本発明に係る他の薄膜磁気ヘッド、
または本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第１の磁極を第１の磁極層上に突状に形成し、第１
の磁極に隣接した凹部領域に薄膜コイルを形成するよう
にしたので、無機材料からなる絶縁層を第１の磁極に隣
接した凹部内に埋め込むことができる。従って、第１の
磁極のトラック面と反対側の端縁によってスロートハイ
トが規定され、従来のフォトレジスト膜のように端縁の
位置変動およびプロファイル悪化が生じることがなく、
スロートハイトの正確な制御が可能になる。
または本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第１の磁極を第１の磁極層上に突状に形成し、第１
の磁極に隣接した凹部領域に薄膜コイルを形成するよう
にしたので、無機材料からなる絶縁層を第１の磁極に隣
接した凹部内に埋め込むことができる。従って、第１の
磁極のトラック面と反対側の端縁によってスロートハイ
トが規定され、従来のフォトレジスト膜のように端縁の
位置変動およびプロファイル悪化が生じることがなく、
スロートハイトの正確な制御が可能になる。
【０１０３】また、第１の磁極に隣接した凹部内に薄膜
コイルを絶縁層により埋め込むことにより、その分、エ
イペックス部の段差を従来構造に比べて低くすることが
できる。従って、その後の工程において、第２の磁性層
をフォトリソグラフィーにより形成する際に、エイペッ
クス部の上部と下部においてフォトレジスト膜の厚さの
差が低減され、その結果、第２の磁性層のサブミクロン
寸法の微細化を図ることが可能になる。よって、記録ヘ
ッドによる高面密度記録が可能となり、コイルを２層，
３層と積層することにより、記録ヘッドの性能を更に向
上させることが可能になる。
コイルを絶縁層により埋め込むことにより、その分、エ
イペックス部の段差を従来構造に比べて低くすることが
できる。従って、その後の工程において、第２の磁性層
をフォトリソグラフィーにより形成する際に、エイペッ
クス部の上部と下部においてフォトレジスト膜の厚さの
差が低減され、その結果、第２の磁性層のサブミクロン
寸法の微細化を図ることが可能になる。よって、記録ヘ
ッドによる高面密度記録が可能となり、コイルを２層，
３層と積層することにより、記録ヘッドの性能を更に向
上させることが可能になる。
【０１０４】加えて、スロートハイト零の位置から薄膜
コイルを離れて形成する必要が無くなる。すなわち、薄
膜コイルを第１の磁極の端縁のスロートハイト零の近傍
位置に薄膜コイルを形成することができ、しかも、記録
ギャップ層を介して第２の磁極を薄膜コイルの一部に対
向するようにしているため、薄膜コイルからの起磁力が
効率良く第２の磁極に伝わり、記録特性が向上する。
コイルを離れて形成する必要が無くなる。すなわち、薄
膜コイルを第１の磁極の端縁のスロートハイト零の近傍
位置に薄膜コイルを形成することができ、しかも、記録
ギャップ層を介して第２の磁極を薄膜コイルの一部に対
向するようにしているため、薄膜コイルからの起磁力が
効率良く第２の磁極に伝わり、記録特性が向上する。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を説明するための断面図である。
ドの製造工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図７】本発明の第１の実施の形態によって製造される
薄膜磁気ヘッドの平面図である。
薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図８】第１の実施の形態の薄膜磁気ヘッドと従来の薄
膜磁気ヘッドとの磁路長の差を説明するための断面図で
ある。
膜磁気ヘッドとの磁路長の差を説明するための断面図で
ある。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの構成を説明するための断面図である。
ドの構成を説明するための断面図である。
【図１０】従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する
ための断面図である。
ための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図１５】図１４に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
１１…基板、１８…上部シールド兼下部磁極（下部磁極
層）（第１の磁性層）、１９ａ…下部磁極先端部（第１
の磁極）、２２…記録ギャップ層、２３ａ…上部磁極先
端部（第２の磁極）、２０ａ…絶縁層（第１の絶縁
層）、２０ｂ…絶縁層（第２の絶縁層）、２０ｃ…絶縁
層（第３の絶縁層）、２０ｄ…絶縁層（他の絶縁層）、
２１，２４…薄膜コイル、２５…上部磁極層（第２の磁
性層）
層）（第１の磁性層）、１９ａ…下部磁極先端部（第１
の磁極）、２２…記録ギャップ層、２３ａ…上部磁極先
端部（第２の磁極）、２０ａ…絶縁層（第１の絶縁
層）、２０ｂ…絶縁層（第２の絶縁層）、２０ｃ…絶縁
層（第３の絶縁層）、２０ｄ…絶縁層（他の絶縁層）、
２１，２４…薄膜コイル、２５…上部磁極層（第２の磁
性層）
Claims (20)
- 【請求項１】 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向
する側の一部が記録ギャップ層を介して対向する第１の
磁極および第２の磁極を含む少なくとも２つの磁性層
と、磁束発生用の１層あるいは２層以上の薄膜コイルと
を有する薄膜磁気ヘッドであって、 前記対向する第１の磁極および第２の磁極のうちの一方
の磁極に絶縁層を介して前記薄膜コイルの一部が対向し
ていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記薄膜コイルの巻線間およびコイル間
が無機系の絶縁材料により覆われていることを特徴とす
る請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向
する側の一部が記録ギャップ層を介して対向する第１の
磁極および第２の磁極を含む少なくとも２つの磁性層
と、磁束発生用の１層あるいは２層以上の薄膜コイルと
を有する薄膜磁気ヘッドであって、 第１の磁性層と、 この第１の磁性層と分割して形成されると共に、前記記
録ギャップ面との隣接面の反対側の面が、前記第１の磁
性層の一部領域に磁気的に結合された第１の磁極と、 無機系材料に形成されると共に、少なくとも前記第１の
磁極の前記記録媒体に対向する側の反対面から前記第１
の磁性層の一方の面に連続的に形成された絶縁層と、 この絶縁層が形成された領域内に埋め込まれた薄膜コイ
ルと、 前記記録ギャップ層を介して前記第１の磁極に対向する
と共に、前記記録媒体に対向する面から奥側に向けて前
記第１の磁極よりも長く形成され、少なくとも前記薄膜
コイルの一部に対向する第２の磁極と、 この第２の磁極と分割して形成されると共に、前記第２
の磁極の前記記録ギャップ層との隣接面の反対側の面の
少なくとも一部において前記第２の磁極に磁気的に結合
された第２の磁性層とを備えたことを特徴とする薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項４】 前記第１の磁極の前記記録媒体に対向す
る面からの長さが記録ヘッドのスロートハイトに等しい
ことを特徴とする請求項３項に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記絶縁層は、前記第１の磁極の記録媒
体に対向する側の反対面から前記第１の磁性層の一方の
面に沿って連続的に形成された第１の絶縁層と、少なく
とも前記薄膜コイルの巻線間に形成された第２の絶縁層
とを含むことを特徴とする請求項３または４に記載の薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 前記絶縁層の前記第１の磁性層との隣接
面の反対面が、前記第１の磁極の前記記録ギャップ層と
の隣接面の反対面と実質的に同一面となるように形成さ
れていることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１
項に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】 前記第１の磁極の前記記録媒体に対向す
る面に沿った幅が前記第２の磁極の幅よりも広く形成さ
れていることを特徴とする請求項３乃至６のいずれか１
項に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項８】 前記第２の磁性層の前記記録媒体に対向
する面側の端部は、前記記録媒体に対向する面から後退
した位置に形成されていることを特徴とする請求項３乃
至７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項９】 更に、第３の絶縁層が、少なくとも、前
記第２の磁極の前記記録媒体に対向する側の反対面か
ら、前記記録ギャップ層の前記第２の磁極との隣接面の
反対側の面にかけて連続的に形成されていることを特徴
とする請求項３乃至８のいずれか１項に記載の薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項１０】 前記第３の絶縁層が形成された領域内
に前記薄膜コイルとは異なる他の薄膜コイルが配設さ
れ、前記他の薄膜コイルは、前記第３の絶縁層と前記第
２の磁性層との間において、前記第１ないし第３の絶縁
層とは異なる他の絶縁層に覆われていることを特徴とす
る請求項９に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１１】 前記第３の絶縁層および他の絶縁層
が、前記第２の磁極の前記記録ギャップ層との隣接面の
反対面と実質的に同一面となるように形成されているこ
とを特徴とする請求項１０に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１２】 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対
向する側の一部が記録ギャップ層を介して対向する第１
の磁極および第２の磁極を含む少なくとも２つの磁性層
と、磁束発生用の１層あるいは２層以上の薄膜コイルと
を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記第１の磁性層を形成した後、前記第１の磁性層の上
に前記第１の磁性層の一部領域と磁気的に結合されるよ
うに第１の磁極を形成する工程と、 少なくとも前記第１の磁極の前記記録媒体に対向する側
の反対面から前記第１の磁性層の一方の面にかけて無機
系材料からなる絶縁層を連続的に形成する工程と、 前記絶縁層が形成された凹部領域内に薄膜コイルを形成
する工程と、 少なくとも前記第１の磁極の上に記録ギャップ層を形成
した後、前記第２の磁極を、前記記録媒体に対向する面
から奥側に向けて前記薄膜コイルの少なくとも一部に対
向するように第１の磁極よりも長く形成する工程と、 前記第２の磁極に磁気的に結合させて第２の磁性層を形
成する工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
製造方法。 - 【請求項１３】 前記第１の磁極の前記記録媒体に対向
する面からの長さを記録ヘッドのスロートハイトに等し
くすることを特徴とする請求項１２または１３に記載の
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１４】 前記第１の磁極の前記記録媒体に対向
する側の反対面から前記第１の磁性層の一方の面に沿っ
て連続的に第１の絶縁層を形成する工程と、 少なくとも前記薄膜コイルの巻線間に第２の絶縁層を形
成する工程とを含むことを特徴とする請求項１２乃至１
３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１５】 前記第２の絶縁層の前記第１の磁性層
との隣接面の反対面が、前記第１の磁極の前記記録ギャ
ップ層との隣接面の反対面と実質的に同一面となるよう
に平坦化する工程を含むことを特徴とする請求項１４に
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１６】 前記第１の磁極の前記記録媒体に対向
する面に沿った幅を前記第２の磁極よりも広く形成する
ことを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか１項に
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１７】 前記第２の磁性層の前記記録媒体に対
向する面側の端部を、前記記録媒体に対向する面から後
退した位置に形成することを特徴とする請求項１２乃至
１６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項１８】 更に、第３の絶縁層を、少なくとも、
前記第２の磁極の前記記録媒体に対向する側の反対面か
ら、前記記録ギャップ層の前記第２の磁極との隣接面の
反対側の面にかけて連続的に形成することを特徴とする
請求項１７に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１９】 前記第３の絶縁層が形成された領域内
に前記薄膜コイルとは異なる他の薄膜コイルを配設し、
前記他の薄膜コイルを、前記第３の絶縁層と前記第２の
磁性層との間において、前記第１ないし第３の絶縁層と
は異なる他の絶縁層により覆うことを特徴とする請求項
１８に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２０】 前記第３の絶縁層および他の絶縁層
を、前記第２の磁極の前記記録ギャップ層との隣接面の
反対面と実質的に同一面となるように平坦化することを
特徴とする請求項１９に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
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|---|---|---|---|
| JP34850298A JP3781399B2 (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34850298A JP3781399B2 (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
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|---|---|
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Family
ID=18397452
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34850298A Expired - Fee Related JP3781399B2 (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
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| US6591480B1 (en) * | 2000-05-12 | 2003-07-15 | Headway Technologies, Inc. | Process for fabricating a flux concentrating stitched head |
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| US7193816B2 (en) * | 2004-06-21 | 2007-03-20 | Headway Technologies | Magnetic head for perpendicular magnetic recording and method of manufacturing same |
| JP2006164463A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Alps Electric Co Ltd | 垂直磁気記録ヘッド |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS62245509A (ja) | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPH05120628A (ja) | 1991-10-29 | 1993-05-18 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| US5259583A (en) * | 1992-07-13 | 1993-11-09 | Meredith Phyllis F | Hung art holding device |
| JPH06176318A (ja) | 1992-12-08 | 1994-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜磁気ヘッドのコイル形成方法 |
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- 1998-12-08 JP JP34850298A patent/JP3781399B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1999-12-06 US US09/455,319 patent/US6483665B1/en not_active Expired - Fee Related
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