JP3373181B2 - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
- Publication number
- JP3373181B2 JP3373181B2 JP26426399A JP26426399A JP3373181B2 JP 3373181 B2 JP3373181 B2 JP 3373181B2 JP 26426399 A JP26426399 A JP 26426399A JP 26426399 A JP26426399 A JP 26426399A JP 3373181 B2 JP3373181 B2 JP 3373181B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic pole
- layer
- upper magnetic
- pole tip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/312—Details for reducing flux leakage between the electrical coil layers and the magnetic cores or poles or between the magnetic cores or poles
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書き込
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関する。
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方
性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resi
stive ）と記す。）効果を有する膜を用いたＡＭＲ素子
と、巨大磁気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resi
stive ）と記す。）効果を有する膜を用いたＧＭＲ素子
とがあり、ＡＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッ
ドあるいは単にＭＲヘッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用い
た再生ヘッドはＧＭＲヘッドと呼ばれている。ＡＭＲヘ
ッドは面記録密度が１Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2 を超える再生
ヘッドとして利用され、ＧＭＲヘッドは面記録密度が３
Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2 を超える再生ヘッドとして利用され
ている。
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方
性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resi
stive ）と記す。）効果を有する膜を用いたＡＭＲ素子
と、巨大磁気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resi
stive ）と記す。）効果を有する膜を用いたＧＭＲ素子
とがあり、ＡＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッ
ドあるいは単にＭＲヘッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用い
た再生ヘッドはＧＭＲヘッドと呼ばれている。ＡＭＲヘ
ッドは面記録密度が１Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2 を超える再生
ヘッドとして利用され、ＧＭＲヘッドは面記録密度が３
Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2 を超える再生ヘッドとして利用され
ている。
【０００３】一般的に、ＡＭＲ膜は、ＭＲ効果を示す磁
性体を膜としたもので、単層構造になっている。これに
対して、多くのＧＭＲ膜は、複数の膜を組み合わせた多
層構造になっている。ＧＭＲ効果が発生するメカニズム
にはいくつかの種類があり、そのメカニズムによってＧ
ＭＲ膜の層構造が変わる。ＧＭＲ膜としては、超格子Ｇ
ＭＲ膜、スピンバルブ膜、グラニュラ膜等が提案されて
いるが、比較的構成が単純で、弱い磁界でも大きな抵抗
変化を示し、量産を前提とするＧＭＲ膜としては、スピ
ンバルブ膜が有力である。
性体を膜としたもので、単層構造になっている。これに
対して、多くのＧＭＲ膜は、複数の膜を組み合わせた多
層構造になっている。ＧＭＲ効果が発生するメカニズム
にはいくつかの種類があり、そのメカニズムによってＧ
ＭＲ膜の層構造が変わる。ＧＭＲ膜としては、超格子Ｇ
ＭＲ膜、スピンバルブ膜、グラニュラ膜等が提案されて
いるが、比較的構成が単純で、弱い磁界でも大きな抵抗
変化を示し、量産を前提とするＧＭＲ膜としては、スピ
ンバルブ膜が有力である。
【０００４】再生ヘッドの性能を決定する要因として
は、パターン幅、特に、ＭＲハイトの加工精度がある。
ＭＲハイトはＭＲ素子のエアベアリング面（ABS ）側の
端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。この
ＭＲハイトは、本来、エアベアリング面の加工の際の研
磨量によって制御されている。なお、ここにいうエアベ
アリング面は、薄膜磁気ヘッドの磁気記録媒体に対向す
る面であり、トラック面ともいう。
は、パターン幅、特に、ＭＲハイトの加工精度がある。
ＭＲハイトはＭＲ素子のエアベアリング面（ABS ）側の
端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。この
ＭＲハイトは、本来、エアベアリング面の加工の際の研
磨量によって制御されている。なお、ここにいうエアベ
アリング面は、薄膜磁気ヘッドの磁気記録媒体に対向す
る面であり、トラック面ともいう。
【０００５】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記
録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性
能のうち、記録密度を高めるには、磁気記録媒体におけ
るトラック密度を上げる必要がある。そのためには、記
録ギャップ（write gap)を挟んでその上下に形成された
下部磁極（ボトムポール）および上部磁極（トップポー
ル）のエアベアリング面でのトラック幅を数ミクロンか
らサブミクロンオーダーまで狭くした狭トラック構造の
記録ヘッドを実現する必要があり、この実現には半導体
加工技術が利用されている。
録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性
能のうち、記録密度を高めるには、磁気記録媒体におけ
るトラック密度を上げる必要がある。そのためには、記
録ギャップ（write gap)を挟んでその上下に形成された
下部磁極（ボトムポール）および上部磁極（トップポー
ル）のエアベアリング面でのトラック幅を数ミクロンか
らサブミクロンオーダーまで狭くした狭トラック構造の
記録ヘッドを実現する必要があり、この実現には半導体
加工技術が利用されている。
【０００６】記録ヘッドの性能を決定するその他の要因
としては、スロートハイト（ThroatHeight:TH) の加工
精度がある。スロートハイトは、エアベアリング面か
ら、薄膜コイルを電気的に分離する絶縁層のエッジまで
の部分（磁極部分）の長さ（高さ）をいう。記録ヘッド
の性能向上のためには、スロートハイトの縮小化が望ま
れている。このスロートハイトも、エアベアリング面の
加工の際の研磨量によって制御されていた。
としては、スロートハイト（ThroatHeight:TH) の加工
精度がある。スロートハイトは、エアベアリング面か
ら、薄膜コイルを電気的に分離する絶縁層のエッジまで
の部分（磁極部分）の長さ（高さ）をいう。記録ヘッド
の性能向上のためには、スロートハイトの縮小化が望ま
れている。このスロートハイトも、エアベアリング面の
加工の際の研磨量によって制御されていた。
【０００７】薄膜磁気ヘッドの性能の向上のためには、
上述のような記録ヘッドと再生ヘッドとをバランスよく
形成することが重要である。
上述のような記録ヘッドと再生ヘッドとをバランスよく
形成することが重要である。
【０００８】ここで、図３０ないし図３５を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの一例として複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を説明する。図３６は従来の複合型薄膜磁
気ヘッドの平面図である。なお、図３０ないし図３５に
おいて、（Ａ）は図３６のＸＸＸＶＡ−ＸＸＸＶＡ切断
線で切った工程断面図、（Ｂ）は図３６のＸＸＸＶＢ−
ＸＸＸＶＢ切断線で切った工程断面図である。
従来の薄膜磁気ヘッドの一例として複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を説明する。図３６は従来の複合型薄膜磁
気ヘッドの平面図である。なお、図３０ないし図３５に
おいて、（Ａ）は図３６のＸＸＸＶＡ−ＸＸＸＶＡ切断
線で切った工程断面図、（Ｂ）は図３６のＸＸＸＶＢ−
ＸＸＸＶＢ切断線で切った工程断面図である。
【０００９】（１）まず、図３０に示したように、例え
ばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ ＴｉＣ）よりなる基板１
０１上に、例えばアルミナ（酸化アルミニウム: Ａｌ2
Ｏ3）よりなる絶縁層１０２を、約５μｍ〜１０μｍ程
度の厚みで形成する。続いて、絶縁層１０２上に例えば
パーマロイ（ＮｉＦｅ）からなる再生ヘッド用の下部シ
ールド層１０３を形成する。
ばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ ＴｉＣ）よりなる基板１
０１上に、例えばアルミナ（酸化アルミニウム: Ａｌ2
Ｏ3）よりなる絶縁層１０２を、約５μｍ〜１０μｍ程
度の厚みで形成する。続いて、絶縁層１０２上に例えば
パーマロイ（ＮｉＦｅ）からなる再生ヘッド用の下部シ
ールド層１０３を形成する。
【００１０】（２）図３１に示したように、下部シール
ド層１０３上に、例えばアルミナを１００ｎｍ〜２００
ｎｍの厚みで堆積し、シールドギャップ膜１０４を形成
する。続いて、シールドギャップ膜１０４上に、再生用
のＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜１０５を数十ｎｍの
厚みで形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形
状とする。続いて、このＭＲ膜１０５の両端に一対のリ
ード端子層１０６をリフトオフ法により形成する。続い
て、シールドギャップ膜１０４上、ＭＲ膜１０５上およ
びリード端子層１０６上に、シールドギャップ膜１０７
を形成し、ＭＲ膜１０５およびリード端子層１０６をシ
ールドギャップ膜１０４と１０７との間に埋設する。続
いて、シールドギャップ膜１０７上に、再生ヘッドと記
録ヘッドの双方に用いる磁気材料、例えばＮｉＦｅから
なる膜厚３μｍの上部シールド兼下部磁極（以下、単に
下部磁極と記す。）１０８を形成する。
ド層１０３上に、例えばアルミナを１００ｎｍ〜２００
ｎｍの厚みで堆積し、シールドギャップ膜１０４を形成
する。続いて、シールドギャップ膜１０４上に、再生用
のＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜１０５を数十ｎｍの
厚みで形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形
状とする。続いて、このＭＲ膜１０５の両端に一対のリ
ード端子層１０６をリフトオフ法により形成する。続い
て、シールドギャップ膜１０４上、ＭＲ膜１０５上およ
びリード端子層１０６上に、シールドギャップ膜１０７
を形成し、ＭＲ膜１０５およびリード端子層１０６をシ
ールドギャップ膜１０４と１０７との間に埋設する。続
いて、シールドギャップ膜１０７上に、再生ヘッドと記
録ヘッドの双方に用いる磁気材料、例えばＮｉＦｅから
なる膜厚３μｍの上部シールド兼下部磁極（以下、単に
下部磁極と記す。）１０８を形成する。
【００１１】（３）図３２に示したように、下部磁極１
０８上に、絶縁層例えばアルミナ膜よりなる膜厚２００
ｎｍの記録ギャップ層１０９を形成する。更に、この記
録ギャップ層１０９をフォトリソグラフィによりパター
ンニングし、下部磁極１０８とこの上層に後に形成され
る上部磁極（１１６）との接続用の開口１０９ａを形成
する。続いて、めっき法によりＮｉＦｅや窒化鉄（Ｆｅ
Ｎ）からなる磁気材料により磁極先端部（ポールチッ
プ）１１０を形成すると共に、上部磁極と下部磁極１０
８との間を磁気的に接続する磁極連結部１１０ａを形成
する。この磁極連結部１１０ａを予め形成しておくこと
により、絶縁層１１１を形成し、その表面をＣＭＰ（Ch
emical and Mechanical Polishing : 化学的機械研磨）
工程で平坦化した後に、あえて双方の接続のための開口
（スルーホール）を形成しなくても、下部磁極１０８と
上部磁極との間を磁気的に簡易に接続することができ
る。
０８上に、絶縁層例えばアルミナ膜よりなる膜厚２００
ｎｍの記録ギャップ層１０９を形成する。更に、この記
録ギャップ層１０９をフォトリソグラフィによりパター
ンニングし、下部磁極１０８とこの上層に後に形成され
る上部磁極（１１６）との接続用の開口１０９ａを形成
する。続いて、めっき法によりＮｉＦｅや窒化鉄（Ｆｅ
Ｎ）からなる磁気材料により磁極先端部（ポールチッ
プ）１１０を形成すると共に、上部磁極と下部磁極１０
８との間を磁気的に接続する磁極連結部１１０ａを形成
する。この磁極連結部１１０ａを予め形成しておくこと
により、絶縁層１１１を形成し、その表面をＣＭＰ（Ch
emical and Mechanical Polishing : 化学的機械研磨）
工程で平坦化した後に、あえて双方の接続のための開口
（スルーホール）を形成しなくても、下部磁極１０８と
上部磁極との間を磁気的に簡易に接続することができ
る。
【００１２】（４）図３３に示したように、磁極先端部
１１０をマスクとしてイオンミリングによって約０．３
μｍ〜０．５μｍ程度のエッチングを行い、記録ギャッ
プ層１０９および下部磁極１０８の表面の一部を取り除
く。下部磁極１０８までエッチングしてトリム構造とす
ることにより、実効書き込みトラック幅の広がりが防止
される（すなわち、データの書き込み時において、下部
磁極１０８における磁束の広がりが抑制される）。続い
て、基板全面に、膜厚約３μｍの例えばアルミナからな
る絶縁層１１１を形成した後、絶縁層１１１の全面をＣ
ＭＰにより平坦化する。
１１０をマスクとしてイオンミリングによって約０．３
μｍ〜０．５μｍ程度のエッチングを行い、記録ギャッ
プ層１０９および下部磁極１０８の表面の一部を取り除
く。下部磁極１０８までエッチングしてトリム構造とす
ることにより、実効書き込みトラック幅の広がりが防止
される（すなわち、データの書き込み時において、下部
磁極１０８における磁束の広がりが抑制される）。続い
て、基板全面に、膜厚約３μｍの例えばアルミナからな
る絶縁層１１１を形成した後、絶縁層１１１の全面をＣ
ＭＰにより平坦化する。
【００１３】（５）図３４に示したように、絶縁層１１
１上に、例えばめっき法により銅（Cu）からなる誘導型
の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１１２を選択的
に形成する。続いて、絶縁層１１１および薄膜コイル１
１２上に、フォトレジスト膜１１３を高精度のフォトリ
ソグラフィで所定のパターンに形成する。続いて、フォ
トレジスト膜１１３の平坦化および薄膜コイル１１２間
の絶縁化のために所定の温度の熱処理を行う。更に、第
１層目の薄膜コイル１１２と同様の条件で、フォトレジ
スト膜１１３上に第２層目の薄膜コイル１１４を形成す
る。そして、第２層目の薄膜コイル１１４上にフォトレ
ジスト膜１１５を形成し、フォトレジスト膜１１５の平
坦化および薄膜コイル１１４間の絶縁化のために所定の
温度の熱処理を行う。
１上に、例えばめっき法により銅（Cu）からなる誘導型
の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１１２を選択的
に形成する。続いて、絶縁層１１１および薄膜コイル１
１２上に、フォトレジスト膜１１３を高精度のフォトリ
ソグラフィで所定のパターンに形成する。続いて、フォ
トレジスト膜１１３の平坦化および薄膜コイル１１２間
の絶縁化のために所定の温度の熱処理を行う。更に、第
１層目の薄膜コイル１１２と同様の条件で、フォトレジ
スト膜１１３上に第２層目の薄膜コイル１１４を形成す
る。そして、第２層目の薄膜コイル１１４上にフォトレ
ジスト膜１１５を形成し、フォトレジスト膜１１５の平
坦化および薄膜コイル１１４間の絶縁化のために所定の
温度の熱処理を行う。
【００１４】（６）図３５に示したように、磁極先端部
１１０、フォトレジスト膜１１３、および１１５上に、
記録ヘッド用の磁気材料、例えばＮｉＦｅからなる上部
ヨーク兼上部磁極（以下、単に上部磁極と記す。）１１
６を形成する。この上部磁極１１６は、図３６に示した
ように薄膜コイル１１２、１１４のそれぞれの中心部分
において、磁極連結部１１０ａを介在させて下部磁極１
０８に接触し、かつ磁気的に連結される。続いて、上部
磁極１１６上に、例えばアルミナよりなるオーバーコー
ト層１１７を形成する（図３５参照。）。最後に、スラ
イダによる機械加工により、記録ヘッドおよび再生ヘッ
ドのトラック面（エアベアリング面）１１８を形成し
て、薄膜磁気ヘッドが完成する。
１１０、フォトレジスト膜１１３、および１１５上に、
記録ヘッド用の磁気材料、例えばＮｉＦｅからなる上部
ヨーク兼上部磁極（以下、単に上部磁極と記す。）１１
６を形成する。この上部磁極１１６は、図３６に示した
ように薄膜コイル１１２、１１４のそれぞれの中心部分
において、磁極連結部１１０ａを介在させて下部磁極１
０８に接触し、かつ磁気的に連結される。続いて、上部
磁極１１６上に、例えばアルミナよりなるオーバーコー
ト層１１７を形成する（図３５参照。）。最後に、スラ
イダによる機械加工により、記録ヘッドおよび再生ヘッ
ドのトラック面（エアベアリング面）１１８を形成し
て、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００１５】図３５および図３６において、符号ＴＨは
スロートハイトを表し、ＭＲ−ＨはＭＲハイトをそれぞ
れ表している。また、符号Ｐ２Ｗはトラック（磁極）幅
を表している。薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因と
して、スロートハイトＴＨやＭＲハイトＭＲ−Ｈ等の他
に、同図３５においてθで示したようなエイペックスア
ングル（Apex Angle）がある。このエイペックスアング
ルは、フォトレジスト膜１１３、１１５のそれぞれのト
ラック面側の側面の角部を結ぶ直線と上部磁極１１６の
上面とのなす角度をいう。
スロートハイトを表し、ＭＲ−ＨはＭＲハイトをそれぞ
れ表している。また、符号Ｐ２Ｗはトラック（磁極）幅
を表している。薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因と
して、スロートハイトＴＨやＭＲハイトＭＲ−Ｈ等の他
に、同図３５においてθで示したようなエイペックスア
ングル（Apex Angle）がある。このエイペックスアング
ルは、フォトレジスト膜１１３、１１５のそれぞれのト
ラック面側の側面の角部を結ぶ直線と上部磁極１１６の
上面とのなす角度をいう。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】この種の薄膜磁気ヘッ
ドにおいては、近い将来、面記録密度が１０Ｇｂｉｔｓ
／ｉｎ2 〜２０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2 の高密度に達し、３
００ＭＨｚ〜５００ＭＨｚの高周波帯域での使用が予測
されており、スロートハイトＴＨが零の近傍における磁
気ボリュームをいかに最適に確保できるかが重要な課題
になっている。
ドにおいては、近い将来、面記録密度が１０Ｇｂｉｔｓ
／ｉｎ2 〜２０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2 の高密度に達し、３
００ＭＨｚ〜５００ＭＨｚの高周波帯域での使用が予測
されており、スロートハイトＴＨが零の近傍における磁
気ボリュームをいかに最適に確保できるかが重要な課題
になっている。
【００１７】当然ながら、スロートハイトＴＨが零の近
傍で大きな磁気ボリュームが得られれば、オーバーライ
ト特性を向上させることができる。特開平１０−３２０
９６３号公報には、スロートハイトＴＨが零の近傍にお
いてトラック幅Ｐ２Ｗから９０度に広がりを有する上部
磁極が開示されており、このような上部磁極においては
オーバーライト特性を向上させ易いことが明らかにされ
ている。
傍で大きな磁気ボリュームが得られれば、オーバーライ
ト特性を向上させることができる。特開平１０−３２０
９６３号公報には、スロートハイトＴＨが零の近傍にお
いてトラック幅Ｐ２Ｗから９０度に広がりを有する上部
磁極が開示されており、このような上部磁極においては
オーバーライト特性を向上させ易いことが明らかにされ
ている。
【００１８】しかしながら、スロートハイトＴＨが零の
近傍で磁束が集中した場合、磁極先端部から磁気記録媒
体に漏れる磁束が多くなってしまう。このため、磁気記
録媒体において、本来、記録データが書き込まれる記録
トラックの隣の記録トラックに記録データが書き込まれ
てしまうサイドライトや、記録データの書き滲み等の不
具合を生じる問題がしばしば見受けられた。
近傍で磁束が集中した場合、磁極先端部から磁気記録媒
体に漏れる磁束が多くなってしまう。このため、磁気記
録媒体において、本来、記録データが書き込まれる記録
トラックの隣の記録トラックに記録データが書き込まれ
てしまうサイドライトや、記録データの書き滲み等の不
具合を生じる問題がしばしば見受けられた。
【００１９】さらに、薄膜磁気ヘッドにおいて、磁極先
端部から過度に磁束が流れ、エアベアリング面近傍で極
端に磁束の流れが制限された場合には、低周波特性、高
周波特性のそれぞれの磁気的な実効書き込みトラック幅
が極端に異なるトラブルが生じ、またエアベアリング面
近傍に過度の磁束が流れた場合には、記録データを書き
込む記録トラックの隣の記録トラックに既に書き込まれ
た記録データを消去してしまうサイドトラックイレーズ
を起こしてしまうトラブルが生じる問題がしばしば見受
けられた。特に、ハードディスク装置に組み込まれた薄
膜磁気ヘッドにおいては、サイドトラックイレーズは、
磁気ディスク板を左右にスキューさせた時に、磁気ディ
スク板のセンターや外周で発生することが多かった。
端部から過度に磁束が流れ、エアベアリング面近傍で極
端に磁束の流れが制限された場合には、低周波特性、高
周波特性のそれぞれの磁気的な実効書き込みトラック幅
が極端に異なるトラブルが生じ、またエアベアリング面
近傍に過度の磁束が流れた場合には、記録データを書き
込む記録トラックの隣の記録トラックに既に書き込まれ
た記録データを消去してしまうサイドトラックイレーズ
を起こしてしまうトラブルが生じる問題がしばしば見受
けられた。特に、ハードディスク装置に組み込まれた薄
膜磁気ヘッドにおいては、サイドトラックイレーズは、
磁気ディスク板を左右にスキューさせた時に、磁気ディ
スク板のセンターや外周で発生することが多かった。
【００２０】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その第１の目的は、磁極（磁極先端部）や磁性層
に流れる磁束を最適に制御することが可能な（最適なフ
ラックスコントロールが可能な）薄膜磁気ヘッドおよび
その製造方法を提供することにある。
ので、その第１の目的は、磁極（磁極先端部）や磁性層
に流れる磁束を最適に制御することが可能な（最適なフ
ラックスコントロールが可能な）薄膜磁気ヘッドおよび
その製造方法を提供することにある。
【００２１】本発明の第２の目的は、磁束の飽和を回避
して磁極への十分な磁束の供給を確保することでオーバ
ーライト特性を向上させることができるとともに、磁極
への過剰な磁束の流入を抑制して、サイドライト、記録
データの書き滲み、およびサイドトラックイレーズ等の
不都合を防止することが可能な薄膜磁気ヘッドおよびそ
の製造方法を提供することにある。
して磁極への十分な磁束の供給を確保することでオーバ
ーライト特性を向上させることができるとともに、磁極
への過剰な磁束の流入を抑制して、サイドライト、記録
データの書き滲み、およびサイドトラックイレーズ等の
不都合を防止することが可能な薄膜磁気ヘッドおよびそ
の製造方法を提供することにある。
【００２２】本発明の第３の目的は、本発明の第２の目
的を達成しつつ、周波数特性の違いによる磁気的な実効
書き込みトラック幅の変化量を減少することが可能な薄
膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにあ
る。
的を達成しつつ、周波数特性の違いによる磁気的な実効
書き込みトラック幅の変化量を減少することが可能な薄
膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにあ
る。
【００２３】さらに、本発明の第４の目的は、簡易な構
造または簡単な製造方法で、第１の目的ないし第３の目
的の少なくともいずれか１つを達成することができる薄
膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにあ
る。
造または簡単な製造方法で、第１の目的ないし第３の目
的の少なくともいずれか１つを達成することができる薄
膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにあ
る。
【００２４】さらに、本発明の第５の目的は、製造工程
数を削減しつつ、第１の目的ないし第４の目的を達成す
ることができる薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提
供することにある。
数を削減しつつ、第１の目的ないし第４の目的を達成す
ることができる薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提
供することにある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明による薄膜磁気ヘ
ッドは、記録媒体に対向する記録媒体対向面の側の一部
にギャップ層を介して対向する下部磁極先端部および上
部磁極先端部をそれぞれ含む、磁気的に互いに連結され
た下部磁性層および上部磁性層と、下部磁性層および上
部磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイルと
を有し、上部磁性層が、さらに、上部磁極先端部に磁気
的に連結されると共に薄膜コイルの形成領域まで延在す
る上部磁極を含み、かつ、上部磁極先端部と上部磁極と
が別層として形成されている薄膜磁気ヘッドであって、
上部磁性層の上部磁極先端部に、穴部とこの穴部に埋設
された非磁性体とを含む非磁性体領域を備えたものであ
る。
ッドは、記録媒体に対向する記録媒体対向面の側の一部
にギャップ層を介して対向する下部磁極先端部および上
部磁極先端部をそれぞれ含む、磁気的に互いに連結され
た下部磁性層および上部磁性層と、下部磁性層および上
部磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイルと
を有し、上部磁性層が、さらに、上部磁極先端部に磁気
的に連結されると共に薄膜コイルの形成領域まで延在す
る上部磁極を含み、かつ、上部磁極先端部と上部磁極と
が別層として形成されている薄膜磁気ヘッドであって、
上部磁性層の上部磁極先端部に、穴部とこの穴部に埋設
された非磁性体とを含む非磁性体領域を備えたものであ
る。
【００２６】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、記録媒体に対向する記録媒体対向面の側の一部に、
ギャップ層を介して対向する下部磁極先端部および上部
磁極先端部をそれぞれ含む、磁気的に互いに連結された
下部磁性層および上部磁性層と、下部磁性層および上部
磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイルとを
有し、上部磁性層が、さらに、上部磁極先端部に磁気的
に連結されると共に薄膜コイルの形成領域まで延在する
上部磁極を含み、かつ、上部磁極先端部と上部磁極とが
別層として形成されている薄膜磁気ヘッドの製造方法で
あって、上部磁極先端部を形成する工程と、上部磁極先
端部に穴部を形成する工程と、穴部に非磁性体を埋設す
ることにより、上部磁極先端部に、穴部と非磁性体とを
含む非磁性体領域を形成する工程とを含むようにしたも
のである。
は、記録媒体に対向する記録媒体対向面の側の一部に、
ギャップ層を介して対向する下部磁極先端部および上部
磁極先端部をそれぞれ含む、磁気的に互いに連結された
下部磁性層および上部磁性層と、下部磁性層および上部
磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイルとを
有し、上部磁性層が、さらに、上部磁極先端部に磁気的
に連結されると共に薄膜コイルの形成領域まで延在する
上部磁極を含み、かつ、上部磁極先端部と上部磁極とが
別層として形成されている薄膜磁気ヘッドの製造方法で
あって、上部磁極先端部を形成する工程と、上部磁極先
端部に穴部を形成する工程と、穴部に非磁性体を埋設す
ることにより、上部磁極先端部に、穴部と非磁性体とを
含む非磁性体領域を形成する工程とを含むようにしたも
のである。
【００２７】本発明による薄膜磁気ヘッドまたはその製
造方法では、上部磁性層の上部磁極先端部に非磁性体領
域が存在することになるので、磁束は、この非磁性体領
域を通過することができない。すなわち、非磁性体領域
は、磁束の流れに対して一種の障害物として機能する。
造方法では、上部磁性層の上部磁極先端部に非磁性体領
域が存在することになるので、磁束は、この非磁性体領
域を通過することができない。すなわち、非磁性体領域
は、磁束の流れに対して一種の障害物として機能する。
【００２８】本発明による薄膜磁気ヘッドまたはその製
造方法において、特に、例えば、上部磁極先端部の形成
と同時に穴部を形成し、上部磁極先端部の周辺を埋設す
る絶縁体の形成と同時に穴部に同一の絶縁体を埋設して
非磁性体領域を形成するようにした場合には、上部磁極
先端部の形成工程と絶縁体の形成工程とを利用して非磁
性体領域が形成されるので、非磁性体領域を形成するた
めの特別の工程を必要としない。
造方法において、特に、例えば、上部磁極先端部の形成
と同時に穴部を形成し、上部磁極先端部の周辺を埋設す
る絶縁体の形成と同時に穴部に同一の絶縁体を埋設して
非磁性体領域を形成するようにした場合には、上部磁極
先端部の形成工程と絶縁体の形成工程とを利用して非磁
性体領域が形成されるので、非磁性体領域を形成するた
めの特別の工程を必要としない。
【００２９】また、「非磁性体領域」は、絶縁体または
導電体を含むように構成可能である。
導電体を含むように構成可能である。
【００３０】また、本発明による薄膜磁気ヘッドまたは
その製造方法では、下部磁極先端部における記録媒体対
向面と反対側の端縁位置が、絶縁層の記録媒体対向面側
の端縁位置と一致することが好ましい。
その製造方法では、下部磁極先端部における記録媒体対
向面と反対側の端縁位置が、絶縁層の記録媒体対向面側
の端縁位置と一致することが好ましい。
【００３１】
【００３２】また、本発明による薄膜磁気ヘッドまたは
その製造方法では、穴部が上部磁極先端部の一部領域を
貫通するように配設されているようにしてもよい。
その製造方法では、穴部が上部磁極先端部の一部領域を
貫通するように配設されているようにしてもよい。
【００３３】本発明の他の薄膜磁気ヘッドは、記録媒体
に対向する記録媒体対向面の側の一部に、ギャップ層を
介して対向する下部磁極先端部および上部磁極先端部を
それぞれ含む、磁気的に互いに連結された下部磁性層お
よび上部磁性層と、下部磁性層および上部磁性層の間に
絶縁層を介して配設された薄膜コイルとを有し、上部磁
性層が、さらに、上部磁極先端部に磁気的に連結される
と共に薄膜コイルの形成領域まで延在する上部磁極を含
み、かつ、上部磁極先端部と上部磁極とが別層として形
成されている薄膜磁気ヘッドであって、上部磁性層の上
部磁極先端部に、上部磁極先端部内における磁束の流れ
を制御するための磁束制御部を備えたものである。
に対向する記録媒体対向面の側の一部に、ギャップ層を
介して対向する下部磁極先端部および上部磁極先端部を
それぞれ含む、磁気的に互いに連結された下部磁性層お
よび上部磁性層と、下部磁性層および上部磁性層の間に
絶縁層を介して配設された薄膜コイルとを有し、上部磁
性層が、さらに、上部磁極先端部に磁気的に連結される
と共に薄膜コイルの形成領域まで延在する上部磁極を含
み、かつ、上部磁極先端部と上部磁極とが別層として形
成されている薄膜磁気ヘッドであって、上部磁性層の上
部磁極先端部に、上部磁極先端部内における磁束の流れ
を制御するための磁束制御部を備えたものである。
【００３４】本発明の他の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、記録媒体に対向する記録媒体対向面の側の一部に、
ギャップ層を介して対向する下部磁極先端部および上部
磁極先端部をそれぞれ含む、磁気的に互いに連結された
下部磁性層および上部磁性層と、下部磁性層および上部
磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイルとを
有し、上部磁性層が、さらに、上部磁極先端部に磁気的
に連結されると共に薄膜コイルの形成領域まで延在する
上部磁極を含み、かつ、上部磁極先端部と上部磁極とが
別層として形成されている薄膜磁気ヘッドの製造方法で
あって、上部磁極先端部を形成する工程と、上部磁極先
端部に、磁束の流れを制御するための磁束制御部を形成
する工程とを含むようにしたものである。
は、記録媒体に対向する記録媒体対向面の側の一部に、
ギャップ層を介して対向する下部磁極先端部および上部
磁極先端部をそれぞれ含む、磁気的に互いに連結された
下部磁性層および上部磁性層と、下部磁性層および上部
磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイルとを
有し、上部磁性層が、さらに、上部磁極先端部に磁気的
に連結されると共に薄膜コイルの形成領域まで延在する
上部磁極を含み、かつ、上部磁極先端部と上部磁極とが
別層として形成されている薄膜磁気ヘッドの製造方法で
あって、上部磁極先端部を形成する工程と、上部磁極先
端部に、磁束の流れを制御するための磁束制御部を形成
する工程とを含むようにしたものである。
【００３５】
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００３７】（第１の実施の形態）本発明の第１の実施
の形態は、再生ヘッドと、磁束発生用の１層の薄膜コイ
ルを有する記録ヘッドとを同時に備えた複合型薄膜磁気
ヘッド（以下、単に薄膜磁気ヘッドという。）に、本発
明を適用した例を説明するものである。図１は本発明の
第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部断面図、
図２は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の記録ヘッド部分の平面図である。図１中、（Ａ）は図
２に示すトラック面（またはエアベアリング面）に垂直
なＩＡ−ＩＡ切断線で切った要部断面図、（Ｂ）は同図
２に示すトラック面に平行なＩＢ−ＩＢ切断線で切った
要部断面図である。
の形態は、再生ヘッドと、磁束発生用の１層の薄膜コイ
ルを有する記録ヘッドとを同時に備えた複合型薄膜磁気
ヘッド（以下、単に薄膜磁気ヘッドという。）に、本発
明を適用した例を説明するものである。図１は本発明の
第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部断面図、
図２は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の記録ヘッド部分の平面図である。図１中、（Ａ）は図
２に示すトラック面（またはエアベアリング面）に垂直
なＩＡ−ＩＡ切断線で切った要部断面図、（Ｂ）は同図
２に示すトラック面に平行なＩＢ−ＩＢ切断線で切った
要部断面図である。
【００３８】図１および図２に示したように、本発明の
第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、再生用の磁
気抵抗効果読み出しヘッド部（以下、単に再生ヘッド部
という。）１Ａと、記録用のインダクティブ記録ヘッド
部（以下、単に記録ヘッド部という。）１Ｂとを備え、
再生ヘッド部１Ａ上に記録ヘッド部１Ｂを配設してい
る。
第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、再生用の磁
気抵抗効果読み出しヘッド部（以下、単に再生ヘッド部
という。）１Ａと、記録用のインダクティブ記録ヘッド
部（以下、単に記録ヘッド部という。）１Ｂとを備え、
再生ヘッド部１Ａ上に記録ヘッド部１Ｂを配設してい
る。
【００３９】図１に示したように、再生ヘッド部１Ａ
は、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3・ ＴｉＣ）からな
る基板１１上に、例えばアルミナ（酸化アルミニウム:
Ａｌ2Ｏ3 ）により形成された絶縁層１２、例えば珪化
鉄アルミニウム（ＦｅＡｌＳｉ）により形成された下部
シールド層１３、例えばアルミナにより形成されたシー
ルドギャップ層１４のそれぞれを順次介して所定パター
ンの磁気抵抗効果膜（以下、単にＭＲ膜という。）１５
を備えている。
は、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3・ ＴｉＣ）からな
る基板１１上に、例えばアルミナ（酸化アルミニウム:
Ａｌ2Ｏ3 ）により形成された絶縁層１２、例えば珪化
鉄アルミニウム（ＦｅＡｌＳｉ）により形成された下部
シールド層１３、例えばアルミナにより形成されたシー
ルドギャップ層１４のそれぞれを順次介して所定パター
ンの磁気抵抗効果膜（以下、単にＭＲ膜という。）１５
を備えている。
【００４０】さらに、再生ヘッド部１Ａにおいては、シ
ールドギャップ層１４上に、例えばタンタル（Ｔａ）や
タングステン（Ｗ）等のＭＲ膜に拡散しない材料により
形成された一対のリード端子層１５ａおよび１５ｂが形
成されており、リード端子層１５ａがＭＲ膜１５の一端
に電気的に接続され、リード端子層１５ｂがＭＲ膜１５
の他端に電気的に接続されている。ＭＲ膜１５は、例え
ばパーマロイ（ＮｉＦｅ合金）やニッケル（Ｎｉ）−コ
バルト（Ｃｏ）合金など磁気抵抗効果を有する各種材料
により形成されている。ＭＲ膜１５上、リード端子層１
５ａ上および１５ｂ上には例えばアルミナよりなるシー
ルドギャップ層１７が積層されている。つまり、ＭＲ膜
１５、リード端子層１５ａおよび１５ｂはシールドギャ
ップ層１４と１７との間に埋設されている。なお、ＭＲ
膜１５は、特に限定されるものではなく、ＡＭＲ膜や、
自由層（磁性層）と固定層（磁性層）との間に非磁性層
を介在させたＧＭＲ膜や、ＴＭＲ膜等の磁気抵抗効果を
示す磁気抵抗効果膜で形成してもよい。
ールドギャップ層１４上に、例えばタンタル（Ｔａ）や
タングステン（Ｗ）等のＭＲ膜に拡散しない材料により
形成された一対のリード端子層１５ａおよび１５ｂが形
成されており、リード端子層１５ａがＭＲ膜１５の一端
に電気的に接続され、リード端子層１５ｂがＭＲ膜１５
の他端に電気的に接続されている。ＭＲ膜１５は、例え
ばパーマロイ（ＮｉＦｅ合金）やニッケル（Ｎｉ）−コ
バルト（Ｃｏ）合金など磁気抵抗効果を有する各種材料
により形成されている。ＭＲ膜１５上、リード端子層１
５ａ上および１５ｂ上には例えばアルミナよりなるシー
ルドギャップ層１７が積層されている。つまり、ＭＲ膜
１５、リード端子層１５ａおよび１５ｂはシールドギャ
ップ層１４と１７との間に埋設されている。なお、ＭＲ
膜１５は、特に限定されるものではなく、ＡＭＲ膜や、
自由層（磁性層）と固定層（磁性層）との間に非磁性層
を介在させたＧＭＲ膜や、ＴＭＲ膜等の磁気抵抗効果を
示す磁気抵抗効果膜で形成してもよい。
【００４１】記録ヘッド部１Ｂはこの再生ヘッド部１Ａ
上に積層されて配設されている。記録ヘッド部１Ｂは、
互いに磁気的に連結された下部磁極（下部ポール）１８
および下部磁極先端部（下部ポールチップ）１９ａを含
む下部磁性層と、互いに磁気的に連結された上部磁極
（上部ポールまたはヨークポール）２３および上部磁極
先端部（上部ポールチップ）２３ａを含む上部磁性層
と、磁束発生用の薄膜コイル２１を備えている。下部磁
極先端部（下部ポールチップ）１９ａと上部磁極先端部
２３ａとは、記録ギャップ層２２を介して対向してい
る。上部磁性層の一部領域には、磁束の流れを制御する
非磁性体領域２００が形成されている。
上に積層されて配設されている。記録ヘッド部１Ｂは、
互いに磁気的に連結された下部磁極（下部ポール）１８
および下部磁極先端部（下部ポールチップ）１９ａを含
む下部磁性層と、互いに磁気的に連結された上部磁極
（上部ポールまたはヨークポール）２３および上部磁極
先端部（上部ポールチップ）２３ａを含む上部磁性層
と、磁束発生用の薄膜コイル２１を備えている。下部磁
極先端部（下部ポールチップ）１９ａと上部磁極先端部
２３ａとは、記録ギャップ層２２を介して対向してい
る。上部磁性層の一部領域には、磁束の流れを制御する
非磁性体領域２００が形成されている。
【００４２】
【００４３】下部磁極１８はＭＲ膜１５に対する上部シ
ールド層を兼ねている。本実施の形態において、下部磁
極先端部１９ａは、下部磁極１８の上にこれと別層とし
て形成されると共に、下部磁極１８と磁気的に連結され
ている。上部磁極先端部２３ａと上部磁極２３とは同一
の磁性層として一体的に形成されている。また、下部磁
極１８と上部磁極２３との間は磁気接続部１９ｂを通し
て磁気的に連結されている。この磁気接続部１９ｂは下
部磁極先端部１９ａと同一の磁性層で形成されている。
下部磁極１８よりも後方（エアベアリング面から遠ざか
る方向の）の領域は、絶縁層８によって、下部磁極１８
と同じ高さまで埋め込まれている。
ールド層を兼ねている。本実施の形態において、下部磁
極先端部１９ａは、下部磁極１８の上にこれと別層とし
て形成されると共に、下部磁極１８と磁気的に連結され
ている。上部磁極先端部２３ａと上部磁極２３とは同一
の磁性層として一体的に形成されている。また、下部磁
極１８と上部磁極２３との間は磁気接続部１９ｂを通し
て磁気的に連結されている。この磁気接続部１９ｂは下
部磁極先端部１９ａと同一の磁性層で形成されている。
下部磁極１８よりも後方（エアベアリング面から遠ざか
る方向の）の領域は、絶縁層８によって、下部磁極１８
と同じ高さまで埋め込まれている。
【００４４】以上の下部磁極１８、下部磁極先端部１９
ａ、磁気接続部１９ｂ、上部磁極先端部２３ａおよび上
部磁極２３は、それぞれ、例えば高飽和磁束密度材料
（Hi−Bs材）、具体的にはＮｉＦｅ（Ｎｉ：５０重量
％、Ｆｅ：５０重量％）、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量
％、Ｆｅ：２０重量％）、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮＰ、Ｃｏ
ＦｅＮ等で形成することが実用的である。
ａ、磁気接続部１９ｂ、上部磁極先端部２３ａおよび上
部磁極２３は、それぞれ、例えば高飽和磁束密度材料
（Hi−Bs材）、具体的にはＮｉＦｅ（Ｎｉ：５０重量
％、Ｆｅ：５０重量％）、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量
％、Ｆｅ：２０重量％）、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮＰ、Ｃｏ
ＦｅＮ等で形成することが実用的である。
【００４５】この記録ヘッド部１Ｂにおいては、上部磁
極先端部２３ａ、記録ギャップ層２２、下部磁極先端部
１９ａの表面の一部のそれぞれを所定のトラック幅に合
わせて重ね切り加工したトリム（Trim）構造となってお
り、実効書き込みトラック幅の広がり、すなわち磁気デ
ータの書き込み時において下部磁極先端部１９ａにおけ
る磁束の広がりが抑制されている。
極先端部２３ａ、記録ギャップ層２２、下部磁極先端部
１９ａの表面の一部のそれぞれを所定のトラック幅に合
わせて重ね切り加工したトリム（Trim）構造となってお
り、実効書き込みトラック幅の広がり、すなわち磁気デ
ータの書き込み時において下部磁極先端部１９ａにおけ
る磁束の広がりが抑制されている。
【００４６】薄膜コイル２１は、下部磁極層１８上にお
いて下部磁極先端部１９ａと磁気接続部１９ｂとの間
と、この磁気接続部１９ｂよりも図１（Ａ）中および図
２中右側とに配設されている。すなわち、薄膜コイル２
１は、磁気接続部１９ｂをほぼ中心として、この磁気接
続部１９ｂの周囲に、螺旋状に複数回周回するように配
列されている。薄膜コイル２１は、下部磁極層１８上の
絶縁層２０ａ上に形成され、下部磁極先端部１９ａおよ
び磁気接続部１９ｂの上面と一致するように表面が平坦
化された絶縁層２０ｂに埋設されるようになっている。
このように下部磁極先端部１９ａと磁気接続部１９ｂと
の間に形成された凹部内に薄膜コイル２１を埋設するこ
とにより、エイペックス部の段差を減少させることがで
きる。薄膜コイル２１は接続孔２２ａを通してコイル接
続配線２３ｃに電気的に接続されている。コイル接続配
線２３ｃは上部磁極２３と同一層で形成されている。な
お、下部磁極先端部１９ａは絶縁層２０ａに隣接してお
り、すなわち下部磁極先端部１９ａの後端縁（エアベア
リング面から遠い側の端縁）位置と絶縁層２０ａの前端
縁（エアベアリング面に近い側の端縁）位置とは互いに
一致している。
いて下部磁極先端部１９ａと磁気接続部１９ｂとの間
と、この磁気接続部１９ｂよりも図１（Ａ）中および図
２中右側とに配設されている。すなわち、薄膜コイル２
１は、磁気接続部１９ｂをほぼ中心として、この磁気接
続部１９ｂの周囲に、螺旋状に複数回周回するように配
列されている。薄膜コイル２１は、下部磁極層１８上の
絶縁層２０ａ上に形成され、下部磁極先端部１９ａおよ
び磁気接続部１９ｂの上面と一致するように表面が平坦
化された絶縁層２０ｂに埋設されるようになっている。
このように下部磁極先端部１９ａと磁気接続部１９ｂと
の間に形成された凹部内に薄膜コイル２１を埋設するこ
とにより、エイペックス部の段差を減少させることがで
きる。薄膜コイル２１は接続孔２２ａを通してコイル接
続配線２３ｃに電気的に接続されている。コイル接続配
線２３ｃは上部磁極２３と同一層で形成されている。な
お、下部磁極先端部１９ａは絶縁層２０ａに隣接してお
り、すなわち下部磁極先端部１９ａの後端縁（エアベア
リング面から遠い側の端縁）位置と絶縁層２０ａの前端
縁（エアベアリング面に近い側の端縁）位置とは互いに
一致している。
【００４７】下部磁極先端部１９ａ上および平坦化され
た絶縁層２０ｂ上には記録ギャップ層２２が形成されて
いる。記録ギャップ層２２の下部磁極先端部１９ａと上
部磁極先端部２３ａとで挟まれた領域は本来の記録ギャ
ップ層として使用され、それ以外の領域に形成された記
録ギャップ層２２は下部磁極１８と上部磁極２３との間
の磁気的な分離層等として使用されている。下部磁極先
端部１９ａと上部磁極先端部２３ａとの間は、磁気接続
部１９ｂ上において記録ギャップ層２２に形成された開
口２２ａを通して、磁気接続部１９ｂを介在させて磁気
的に連結されている。
た絶縁層２０ｂ上には記録ギャップ層２２が形成されて
いる。記録ギャップ層２２の下部磁極先端部１９ａと上
部磁極先端部２３ａとで挟まれた領域は本来の記録ギャ
ップ層として使用され、それ以外の領域に形成された記
録ギャップ層２２は下部磁極１８と上部磁極２３との間
の磁気的な分離層等として使用されている。下部磁極先
端部１９ａと上部磁極先端部２３ａとの間は、磁気接続
部１９ｂ上において記録ギャップ層２２に形成された開
口２２ａを通して、磁気接続部１９ｂを介在させて磁気
的に連結されている。
【００４８】非磁性体領域２００は、上部磁性層のう
ち、上部磁極先端部２３ａよりも反対側の領域、すなわ
ち上部磁極２３に形成された貫通穴２３Ｈと、この貫通
穴２３Ｈに埋設された非磁性体２６Ｎとを備えて構成さ
れている。非磁性体領域２００は、具体的には、貫通穴
２３Ｈの前端縁が、上部磁極先端部２３ａの後端縁から
後方に例えば０．５μｍ〜２μｍの範囲に位置するよう
に、形成されている。但し、これ以外の範囲に位置する
ように形成されてもよい。
ち、上部磁極先端部２３ａよりも反対側の領域、すなわ
ち上部磁極２３に形成された貫通穴２３Ｈと、この貫通
穴２３Ｈに埋設された非磁性体２６Ｎとを備えて構成さ
れている。非磁性体領域２００は、具体的には、貫通穴
２３Ｈの前端縁が、上部磁極先端部２３ａの後端縁から
後方に例えば０．５μｍ〜２μｍの範囲に位置するよう
に、形成されている。但し、これ以外の範囲に位置する
ように形成されてもよい。
【００４９】図２中、左側（磁気記録媒体側）の一端か
ら右側の他端（磁気接続部１９ｂ側）に向かって、上部
磁極２３には、オーバーライト改善部２３Ａ、磁束収束
部２３Ｂのそれぞれが配設されている。オーバーライト
改善部２３Ａは、上部磁極先端部２３ａのトラック幅Ｐ
２Ｗよりも大きく、上部磁極２３の最大幅Ｗ２よりも小
さい幅Ｗ１を有しており、上部磁極２３から上部磁極先
端部２３ａにかけて十分な磁気ボリュームを確保できる
ようになっている。上部磁極先端部２３ａのトラック面
からの長さ（高さ）はスロートハイトＴＨと等しく、上
部磁極先端部２３ａと上部磁極２３との連結部はスロー
トハイトＴＨが零の位置に等しくなる。磁束収束部２３
Ｂは、上部磁極２３の最大幅Ｗ２からオーバーライト改
善部２３Ａの幅Ｗ１まで徐々に幅が小さくなるような平
面形状で形成されており、上部磁極２３からオーバーラ
イト改善部２３Ａを通して上部磁極先端部２３ａに磁束
（マグネティクフラックス）を収束して流すようになっ
ている。
ら右側の他端（磁気接続部１９ｂ側）に向かって、上部
磁極２３には、オーバーライト改善部２３Ａ、磁束収束
部２３Ｂのそれぞれが配設されている。オーバーライト
改善部２３Ａは、上部磁極先端部２３ａのトラック幅Ｐ
２Ｗよりも大きく、上部磁極２３の最大幅Ｗ２よりも小
さい幅Ｗ１を有しており、上部磁極２３から上部磁極先
端部２３ａにかけて十分な磁気ボリュームを確保できる
ようになっている。上部磁極先端部２３ａのトラック面
からの長さ（高さ）はスロートハイトＴＨと等しく、上
部磁極先端部２３ａと上部磁極２３との連結部はスロー
トハイトＴＨが零の位置に等しくなる。磁束収束部２３
Ｂは、上部磁極２３の最大幅Ｗ２からオーバーライト改
善部２３Ａの幅Ｗ１まで徐々に幅が小さくなるような平
面形状で形成されており、上部磁極２３からオーバーラ
イト改善部２３Ａを通して上部磁極先端部２３ａに磁束
（マグネティクフラックス）を収束して流すようになっ
ている。
【００５０】非磁性体領域２００の貫通穴２３Ｈはこの
ように構成される上部磁極２３のオーバーライト改善部
２３Ａのほぼ幅方向中央部に配設されており、貫通穴２
３Ｈの幅Ｗ３は、同一方向のトラック幅Ｐ２Ｗよりも大
きく、オーバーライト改善部２３Ａの幅Ｗ１よりも小さ
く設定されている。すなわち、非磁性体領域２００は、
磁束収束部２３Ｂで収束されてきた磁束を、直接、上部
磁極先端部２３ａに流すのではなく、オーバーライト改
善部２３Ａにおいて非磁性体領域２００を迂回するよう
に分流させてから再び合流させるようにして上部磁極先
端部２３ａに流すようになっている。
ように構成される上部磁極２３のオーバーライト改善部
２３Ａのほぼ幅方向中央部に配設されており、貫通穴２
３Ｈの幅Ｗ３は、同一方向のトラック幅Ｐ２Ｗよりも大
きく、オーバーライト改善部２３Ａの幅Ｗ１よりも小さ
く設定されている。すなわち、非磁性体領域２００は、
磁束収束部２３Ｂで収束されてきた磁束を、直接、上部
磁極先端部２３ａに流すのではなく、オーバーライト改
善部２３Ａにおいて非磁性体領域２００を迂回するよう
に分流させてから再び合流させるようにして上部磁極先
端部２３ａに流すようになっている。
【００５１】本実施の形態においては、貫通穴２３Ｈは
上部磁極２３（および上部磁極先端部２３ａ）のパター
ン形成と同時に形成することができ、貫通穴２３Ｈに埋
設される非磁性体２６Ｎには絶縁体が使用されている。
非磁性体２６Ｎは上部磁極２３上を覆い薄膜磁気ヘッド
を保護するためのオーバーコート層２６の一部を利用し
て（兼用して）形成されている。
上部磁極２３（および上部磁極先端部２３ａ）のパター
ン形成と同時に形成することができ、貫通穴２３Ｈに埋
設される非磁性体２６Ｎには絶縁体が使用されている。
非磁性体２６Ｎは上部磁極２３上を覆い薄膜磁気ヘッド
を保護するためのオーバーコート層２６の一部を利用し
て（兼用して）形成されている。
【００５２】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
再生ヘッド部１Ａにおいて、ＭＲ膜１５の磁気抵抗効果
を利用して磁気記録媒体から情報の読み出しを行い、記
録ヘッド部１Ｂにおいて、上部磁極先端部２３ａと下部
磁極先端部１９ａとの間の信号磁界を薄膜コイル２１に
流す電流により変化させることで磁気記録媒体に情報を
書き込むことができる。
再生ヘッド部１Ａにおいて、ＭＲ膜１５の磁気抵抗効果
を利用して磁気記録媒体から情報の読み出しを行い、記
録ヘッド部１Ｂにおいて、上部磁極先端部２３ａと下部
磁極先端部１９ａとの間の信号磁界を薄膜コイル２１に
流す電流により変化させることで磁気記録媒体に情報を
書き込むことができる。
【００５３】次に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法について説明する。図３ないし図７は製造方
法を説明するための薄膜磁気ヘッドの工程断面図であ
る。図３ないし図７において、（Ａ）は図２に示すＩＡ
−ＩＡ切断線における工程断面図、（Ｂ）は同図２に示
すＩＢ−ＩＢ切断線における工程断面図である。
の製造方法について説明する。図３ないし図７は製造方
法を説明するための薄膜磁気ヘッドの工程断面図であ
る。図３ないし図７において、（Ａ）は図２に示すＩＡ
−ＩＡ切断線における工程断面図、（Ｂ）は同図２に示
すＩＢ−ＩＢ切断線における工程断面図である。
【００５４】（１）まず、例えばアルティックからなる
基板１１を準備し（図３参照）、この基板１１上に例え
ばスパッタリング法によりアルミナからなる絶縁層１２
を約３μｍ〜５μｍ程度の厚みで形成する。次に、絶縁
層１２上にフォトレジストマスクを形成し、このフォト
レジストマスクを使用してめっき法によりＮｉＦｅを約
3 μｍの厚みで選択的に形成する。この後に、フォトレ
ジストマスクを除去し、図３に示したようにＮｉＦｅか
ら再生ヘッド用の下部シールド層１３を形成する。図３
には示されていないが、引き続き、例えばスパッタリン
グ法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法に
より約４〜６μｍの厚さのアルミナ膜を形成し、このア
ルミナ膜の表面を下部シールド層１３の表面と一致する
程度にＣＭＰ法によって平坦化する。この結果、下部シ
ールド層１３の周囲にはアルミナ膜が埋め込まれた状態
になる。
基板１１を準備し（図３参照）、この基板１１上に例え
ばスパッタリング法によりアルミナからなる絶縁層１２
を約３μｍ〜５μｍ程度の厚みで形成する。次に、絶縁
層１２上にフォトレジストマスクを形成し、このフォト
レジストマスクを使用してめっき法によりＮｉＦｅを約
3 μｍの厚みで選択的に形成する。この後に、フォトレ
ジストマスクを除去し、図３に示したようにＮｉＦｅか
ら再生ヘッド用の下部シールド層１３を形成する。図３
には示されていないが、引き続き、例えばスパッタリン
グ法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法に
より約４〜６μｍの厚さのアルミナ膜を形成し、このア
ルミナ膜の表面を下部シールド層１３の表面と一致する
程度にＣＭＰ法によって平坦化する。この結果、下部シ
ールド層１３の周囲にはアルミナ膜が埋め込まれた状態
になる。
【００５５】（２）下部シールド層１３上に、例えばア
ルミナ膜を１００ｎｍ〜２００ｎｍの厚みでスパッタリ
ング法により堆積し、シールドギャップ層１４を形成す
る（図４参照）。続いて、シールドギャップ層１４上に
再生用のＭＲ素子等を構成するＭＲ膜１５を数十ｎｍの
厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィでＭＲ膜１
５を所望の形状にパターンニングする。続いて、このＭ
Ｒ膜１５に対するリード端子層１５ａおよび１５ｂを例
えばリフトオフ法により形成する。続いて、シールドギ
ャップ層１４上、ＭＲ膜１５上、リード端子層１５ａ上
および１５ｂ上を含む基板全面にシールドギャップ層１
７を形成し、ＭＲ膜１５、リード端子層１５ａ，１５ｂ
をシールドギャップ層１４とシールドギャップ層１７と
の間に埋設させる。そして、図４に示したように、シー
ルドギャップ層１７上に例えばＮｉＦｅよりなる下部磁
極１８を約１．０μｍ〜１．５μｍの厚みで選択的に形
成する。下部磁極１８の後方領域には、下部磁極１８と
同じ厚さとなるように絶縁層８を埋め込む。下部磁極１
８は再生ヘッド部１Ａの上部シールド層としても兼用さ
れており、この下部磁極１８を形成することにより再生
ヘッド部１Ａが実質的に完成する。
ルミナ膜を１００ｎｍ〜２００ｎｍの厚みでスパッタリ
ング法により堆積し、シールドギャップ層１４を形成す
る（図４参照）。続いて、シールドギャップ層１４上に
再生用のＭＲ素子等を構成するＭＲ膜１５を数十ｎｍの
厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィでＭＲ膜１
５を所望の形状にパターンニングする。続いて、このＭ
Ｒ膜１５に対するリード端子層１５ａおよび１５ｂを例
えばリフトオフ法により形成する。続いて、シールドギ
ャップ層１４上、ＭＲ膜１５上、リード端子層１５ａ上
および１５ｂ上を含む基板全面にシールドギャップ層１
７を形成し、ＭＲ膜１５、リード端子層１５ａ，１５ｂ
をシールドギャップ層１４とシールドギャップ層１７と
の間に埋設させる。そして、図４に示したように、シー
ルドギャップ層１７上に例えばＮｉＦｅよりなる下部磁
極１８を約１．０μｍ〜１．５μｍの厚みで選択的に形
成する。下部磁極１８の後方領域には、下部磁極１８と
同じ厚さとなるように絶縁層８を埋め込む。下部磁極１
８は再生ヘッド部１Ａの上部シールド層としても兼用さ
れており、この下部磁極１８を形成することにより再生
ヘッド部１Ａが実質的に完成する。
【００５６】（３）下部磁極層１８上に下部磁極先端部
１９ａおよび磁気接続部１９ｂを約２．０μｍ〜２．５
μｍの厚みで形成する（図５参照）。下部磁極先端部１
９ａおよび下部接続部１９ｂは、前述のようにＮｉＦｅ
等のめっき膜により形成してもよく、又ＦｅＮ、ＦｅＺ
ｒＮＰ、ＣｏＦｅＮ等をスパッタリング法で成膜した後
にイオンミリング法等で所定のパターンニングを行うこ
とにより形成してもよい。
１９ａおよび磁気接続部１９ｂを約２．０μｍ〜２．５
μｍの厚みで形成する（図５参照）。下部磁極先端部１
９ａおよび下部接続部１９ｂは、前述のようにＮｉＦｅ
等のめっき膜により形成してもよく、又ＦｅＮ、ＦｅＺ
ｒＮＰ、ＣｏＦｅＮ等をスパッタリング法で成膜した後
にイオンミリング法等で所定のパターンニングを行うこ
とにより形成してもよい。
【００５７】続いて、全体にスパッタリング法またはＣ
ＶＤ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚
０．３μｍ〜０．６μｍの絶縁層２０ａを形成する。続
いて、フォトレジストマスク１６を形成し、図５に示し
たように、このフォトレジストマスク１６を使用して下
部磁極先端部１９ａと磁気接続部１９ｂとの間の絶縁層
２０ａ上および磁気接続部１９ｂの図２中右側の外周囲
の絶縁層２０ａ上に、例えば電解めっき法により例えば
銅（Ｃｕ）よりなる磁束発生用の薄膜コイル２１を形成
する。薄膜コイル２１は例えば１．０μｍ〜２．０μｍ
の厚みで形成され、コイルピッチは１．２μｍ〜２．０
μｍで形成される。
ＶＤ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚
０．３μｍ〜０．６μｍの絶縁層２０ａを形成する。続
いて、フォトレジストマスク１６を形成し、図５に示し
たように、このフォトレジストマスク１６を使用して下
部磁極先端部１９ａと磁気接続部１９ｂとの間の絶縁層
２０ａ上および磁気接続部１９ｂの図２中右側の外周囲
の絶縁層２０ａ上に、例えば電解めっき法により例えば
銅（Ｃｕ）よりなる磁束発生用の薄膜コイル２１を形成
する。薄膜コイル２１は例えば１．０μｍ〜２．０μｍ
の厚みで形成され、コイルピッチは１．２μｍ〜２．０
μｍで形成される。
【００５８】（５）フォトレジストマスク１６を除去し
た後、薄膜コイル２１上を含む基板全面にスパッタリン
グ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚３．
０μｍ〜４．０μｍの絶縁層２０ｂを形成する。続い
て、図６に示したように、下部磁極先端部１９ａの表
面、磁気接続部１９ｂの表面のそれぞれが露出する程度
に、例えばＣＭＰ法により絶縁層２０ｂの表面を平坦化
する。なお、本実施の形態では、薄膜コイル２１の表面
は露出させていないが、必要に応じて適宜露出させるよ
うにしてもよい。
た後、薄膜コイル２１上を含む基板全面にスパッタリン
グ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚３．
０μｍ〜４．０μｍの絶縁層２０ｂを形成する。続い
て、図６に示したように、下部磁極先端部１９ａの表
面、磁気接続部１９ｂの表面のそれぞれが露出する程度
に、例えばＣＭＰ法により絶縁層２０ｂの表面を平坦化
する。なお、本実施の形態では、薄膜コイル２１の表面
は露出させていないが、必要に応じて適宜露出させるよ
うにしてもよい。
【００５９】（６）下部磁極先端部１９ａ上を含む基板
全面にスパッタリング法により絶縁材料、例えばアルミ
ナよりなる膜厚０．２μｍ〜０．３μｍの記録ギャップ
層２２を形成する（図７参照）。記録ギャップ層２２に
は、アルミナの他、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリ
コン酸化物（ＳｉＯ2 ）系、シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ
4 ）系のいずれかの非磁性材料を実用的に使用すること
ができる。続いて、磁気接続部１９ｂ上、所定の薄膜コ
イル２１上のそれぞれにおいて、記録ギャップ層２２に
パターンニングを行い、磁気接続部１９ｂと上部磁極２
３との間を磁気的に接続するための開口２２ａ、薄膜コ
イル２１とコイル接続配線２３ｃとの間を電気的に接続
するための接続孔２２ｃのそれぞれを形成する。
全面にスパッタリング法により絶縁材料、例えばアルミ
ナよりなる膜厚０．２μｍ〜０．３μｍの記録ギャップ
層２２を形成する（図７参照）。記録ギャップ層２２に
は、アルミナの他、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリ
コン酸化物（ＳｉＯ2 ）系、シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ
4 ）系のいずれかの非磁性材料を実用的に使用すること
ができる。続いて、磁気接続部１９ｂ上、所定の薄膜コ
イル２１上のそれぞれにおいて、記録ギャップ層２２に
パターンニングを行い、磁気接続部１９ｂと上部磁極２
３との間を磁気的に接続するための開口２２ａ、薄膜コ
イル２１とコイル接続配線２３ｃとの間を電気的に接続
するための接続孔２２ｃのそれぞれを形成する。
【００６０】続いて、図７に示したように、下部磁極先
端部１９ａ上の記録ギャップ層２２上に上部磁極先端部
２３ａを形成するとともに、上部磁極２３、コイル接続
配線２３ｃのそれぞれを形成する。具体的には、例えば
スパッタリング法により高飽和磁束密度材料からなる膜
厚２．０μｍ〜３．０μｍの厚さの磁極層を形成し、フ
ォトレジストマスクを使用して磁極層をアルゴン（Ａ
ｒ）イオンミリングによってパターンニングすることに
より、上部磁極先端部２３ａ、上部磁極２３、コイル接
続配線２３ｃのそれぞれを形成することができる。そし
て、さらにこの上部磁極先端部２３ａ、上部磁極２３、
コイル接続配線２３ｃのそれぞれの形成工程と同一形成
工程において、上部磁極先端部２３ａの近傍（スロート
ハイトＴＨが零の近傍）の上部磁極２３に非磁性体領域
２００の貫通穴２３Ｈが形成される。つまり、貫通穴２
３Ｈは上部磁極先端部２３ａ等のパターンニングと同時
に形成することができる。上部磁極２３は開口２２ａを
通してかつ磁気接続部１９ｂを介在させて下部磁極１８
と磁気的に連結され、コイル接続配線２３ｃは接続孔２
２ｃを通して薄膜コイル２１に電気的に接続される。な
お、フォトレジストマスクの代わりにアルミナ等の無機
系絶縁膜で形成されたエッチングマスクを使用してもよ
い。また、磁極層の成膜はめっき法で行ってもよい。
端部１９ａ上の記録ギャップ層２２上に上部磁極先端部
２３ａを形成するとともに、上部磁極２３、コイル接続
配線２３ｃのそれぞれを形成する。具体的には、例えば
スパッタリング法により高飽和磁束密度材料からなる膜
厚２．０μｍ〜３．０μｍの厚さの磁極層を形成し、フ
ォトレジストマスクを使用して磁極層をアルゴン（Ａ
ｒ）イオンミリングによってパターンニングすることに
より、上部磁極先端部２３ａ、上部磁極２３、コイル接
続配線２３ｃのそれぞれを形成することができる。そし
て、さらにこの上部磁極先端部２３ａ、上部磁極２３、
コイル接続配線２３ｃのそれぞれの形成工程と同一形成
工程において、上部磁極先端部２３ａの近傍（スロート
ハイトＴＨが零の近傍）の上部磁極２３に非磁性体領域
２００の貫通穴２３Ｈが形成される。つまり、貫通穴２
３Ｈは上部磁極先端部２３ａ等のパターンニングと同時
に形成することができる。上部磁極２３は開口２２ａを
通してかつ磁気接続部１９ｂを介在させて下部磁極１８
と磁気的に連結され、コイル接続配線２３ｃは接続孔２
２ｃを通して薄膜コイル２１に電気的に接続される。な
お、フォトレジストマスクの代わりにアルミナ等の無機
系絶縁膜で形成されたエッチングマスクを使用してもよ
い。また、磁極層の成膜はめっき法で行ってもよい。
【００６１】引き続き、上部磁極先端部２３ａをエッチ
ングマスクとして使用し、その周辺の記録ギャップ層２
２および下部磁極先端部１９ａの表面の一部分を自己整
合的にエッチングする。記録ギャップ層２２は塩素系ガ
ス（Ｃｌ2 、ＣＦ4 、ＢＣｌ2 、ＳＦ6 等）によるＲＩ
Ｅ（Reactive Ion Etching) によりパターンニングされ
る。下部磁極先端部１９ａは例えばアルゴンイオンミリ
ングによってパターンニングされ、下部磁極先端部１９
ａの表面の約０．３μｍ〜０．６μｍ程度の一部がエッ
チングにより取り除かれる。この工程が終了した時点
で、トリム構造の記録ヘッド部１Ｂが完成する。
ングマスクとして使用し、その周辺の記録ギャップ層２
２および下部磁極先端部１９ａの表面の一部分を自己整
合的にエッチングする。記録ギャップ層２２は塩素系ガ
ス（Ｃｌ2 、ＣＦ4 、ＢＣｌ2 、ＳＦ6 等）によるＲＩ
Ｅ（Reactive Ion Etching) によりパターンニングされ
る。下部磁極先端部１９ａは例えばアルゴンイオンミリ
ングによってパターンニングされ、下部磁極先端部１９
ａの表面の約０．３μｍ〜０．６μｍ程度の一部がエッ
チングにより取り除かれる。この工程が終了した時点
で、トリム構造の記録ヘッド部１Ｂが完成する。
【００６２】（７）最後に、前述の図１および図２に示
したように、全体に、例えばスパッタリング法によりア
ルミナよりなる膜厚約３０μｍのオーバーコート層２６
を形成する。このオーバーコート層２６の形成により、
オーバーコート層２６の一部が貫通穴２３Ｈ内部に非磁
性体２６Ｎとして埋設され、貫通穴２３Ｈおよび非磁性
体２６Ｎを備えた非磁性体領域２００が形成される。こ
の後、スライダ機械加工を行い、記録ヘッド部１Ａおよ
び再生ヘッド部１Ｂのトラック面（エアベアリング面）
を形成することにより、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドを完成させることができる。
したように、全体に、例えばスパッタリング法によりア
ルミナよりなる膜厚約３０μｍのオーバーコート層２６
を形成する。このオーバーコート層２６の形成により、
オーバーコート層２６の一部が貫通穴２３Ｈ内部に非磁
性体２６Ｎとして埋設され、貫通穴２３Ｈおよび非磁性
体２６Ｎを備えた非磁性体領域２００が形成される。こ
の後、スライダ機械加工を行い、記録ヘッド部１Ａおよ
び再生ヘッド部１Ｂのトラック面（エアベアリング面）
を形成することにより、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドを完成させることができる。
【００６３】以上説明した本実施の形態では、上部磁極
先端部２３ａの近傍、つまりスロートハイトＴＨが零の
近傍の上部磁極２３に非磁性体領域２００を備えるよう
にしたので、上部磁極先端部２３ａや上部磁極２３に流
れる磁束を最適に制御することができる。
先端部２３ａの近傍、つまりスロートハイトＴＨが零の
近傍の上部磁極２３に非磁性体領域２００を備えるよう
にしたので、上部磁極先端部２３ａや上部磁極２３に流
れる磁束を最適に制御することができる。
【００６４】さらに、本実施の形態においては、非磁性
体領域２００が、上部磁極２３における最も多くの磁束
が流れる幅方向の中央部に配設されているので、図２に
矢印で磁束の流れを示したように、上部磁極２３から上
部磁極先端部２３ａに流れる磁束を一旦受け止めて、非
磁性体領域２００を迂回するように分流させることがで
きる。このため、上部磁極先端部２３ａへの急激な磁束
の流入を防止することができる。したがって、上部磁極
先端部２３ａや上部磁極２３に流れる磁束が途中で飽和
することのないように非磁性体領域２００のサイズを適
切に設定すれば、オーバーライト特性を向上させること
ができると同時に、上部磁極先端部２３ａからの過剰な
磁束の流れを抑制し、サイドライト、記録データの書き
滲み、およびサイドトラックイレーズ等を防止すること
ができる。
体領域２００が、上部磁極２３における最も多くの磁束
が流れる幅方向の中央部に配設されているので、図２に
矢印で磁束の流れを示したように、上部磁極２３から上
部磁極先端部２３ａに流れる磁束を一旦受け止めて、非
磁性体領域２００を迂回するように分流させることがで
きる。このため、上部磁極先端部２３ａへの急激な磁束
の流入を防止することができる。したがって、上部磁極
先端部２３ａや上部磁極２３に流れる磁束が途中で飽和
することのないように非磁性体領域２００のサイズを適
切に設定すれば、オーバーライト特性を向上させること
ができると同時に、上部磁極先端部２３ａからの過剰な
磁束の流れを抑制し、サイドライト、記録データの書き
滲み、およびサイドトラックイレーズ等を防止すること
ができる。
【００６５】さらに、本実施の形態では、特に、上部磁
極先端部２３ａに流れる磁束を最適に制御することがで
きるので、周波数特性の違いによる磁気的な実効書き込
みトラック幅の変化量を減少することも可能である。
極先端部２３ａに流れる磁束を最適に制御することがで
きるので、周波数特性の違いによる磁気的な実効書き込
みトラック幅の変化量を減少することも可能である。
【００６６】さらに、本実施の形態においては、非磁性
体領域２００が、貫通穴２３Ｈと、貫通穴２３Ｈに埋設
された非磁性体２６Ｎとで構成されているので、簡易な
構造で、上部磁極先端部２３ａや上部磁極２３に流れる
磁束の流れを最適に制御することができる。
体領域２００が、貫通穴２３Ｈと、貫通穴２３Ｈに埋設
された非磁性体２６Ｎとで構成されているので、簡易な
構造で、上部磁極先端部２３ａや上部磁極２３に流れる
磁束の流れを最適に制御することができる。
【００６７】さらに、上部磁極先端部２３ａや上部磁極
２３の形成と同時に貫通穴２３Ｈを形成し、上部磁極先
端部２３ａや上部磁極２３を覆うオーバーコート層２６
の形成と同時に貫通穴２３Ｈに同一の材料の非磁性体２
６Ｎを埋設して非磁性体領域２００を形成したので、上
部磁極先端部２３ａや上部磁極２３を形成する工程とオ
ーバーコート層２６を形成する工程とを利用して非磁性
体領域２００を形成することができる。したがって、薄
膜磁気ヘッドの製造方法において、非磁性体領域２００
を形成する工程を新たに追加する必要がなく、製造工程
の複雑化を回避できる。
２３の形成と同時に貫通穴２３Ｈを形成し、上部磁極先
端部２３ａや上部磁極２３を覆うオーバーコート層２６
の形成と同時に貫通穴２３Ｈに同一の材料の非磁性体２
６Ｎを埋設して非磁性体領域２００を形成したので、上
部磁極先端部２３ａや上部磁極２３を形成する工程とオ
ーバーコート層２６を形成する工程とを利用して非磁性
体領域２００を形成することができる。したがって、薄
膜磁気ヘッドの製造方法において、非磁性体領域２００
を形成する工程を新たに追加する必要がなく、製造工程
の複雑化を回避できる。
【００６８】なお、本実施の形態において、非磁性体領
域２００は、貫通穴２３Ｈに代えて止め穴（非貫通穴）
と、この止め穴に埋設された非磁性体２６Ｎとで構成し
てもよい。さらに、非磁性体２６Ｎは、必ずしも絶縁体
に限定されるものではなく、磁束を通過させない導電体
（例えば、銅）を用いて形成してもよい。
域２００は、貫通穴２３Ｈに代えて止め穴（非貫通穴）
と、この止め穴に埋設された非磁性体２６Ｎとで構成し
てもよい。さらに、非磁性体２６Ｎは、必ずしも絶縁体
に限定されるものではなく、磁束を通過させない導電体
（例えば、銅）を用いて形成してもよい。
【００６９】（第２の実施の形態）本発明の第２の実施
の形態は、第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにお
ける、記録ヘッド部１Ｂの下部磁極先端部１９ａ、上部
磁極２３および非磁性体領域２００の平面形状を変形さ
せたものである。図８は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの記録ヘッド部分の平面図を表すものである。
の形態は、第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにお
ける、記録ヘッド部１Ｂの下部磁極先端部１９ａ、上部
磁極２３および非磁性体領域２００の平面形状を変形さ
せたものである。図８は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの記録ヘッド部分の平面図を表すものである。
【００７０】本実施の形態では、記録ヘッド部１Ｂの下
部磁極先端部１９ａを薄膜コイル２１の周辺の全域まで
配設している。このように構成される薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法においては、薄膜コイル２１の形成後
に絶縁層２０ｂを形成し、この絶縁層２０ｂの表面をＣ
ＭＰ法により平坦化しているが、下部磁極先端部１９ａ
が比較的広い面積で形成されているので、絶縁層２０ｂ
の表面の広い範囲を均一に平坦化することができる。
部磁極先端部１９ａを薄膜コイル２１の周辺の全域まで
配設している。このように構成される薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法においては、薄膜コイル２１の形成後
に絶縁層２０ｂを形成し、この絶縁層２０ｂの表面をＣ
ＭＰ法により平坦化しているが、下部磁極先端部１９ａ
が比較的広い面積で形成されているので、絶縁層２０ｂ
の表面の広い範囲を均一に平坦化することができる。
【００７１】さらに、本実施の形態では、上部磁極先端
部２３ａに向かって徐々に幅が狭くなるように、オーバ
ーライト改善部２３Ａｂ，２３Ａａのそれぞれが上部磁
極２３に配設されている。オーバーライト改善部２３Ａ
ｂは上部磁極２３の幅Ｗ２よりも小さい幅Ｗ４に設定さ
れており、オーバーライト改善部２３Ａａはオーバーラ
イト改善部２３Ａｂの幅Ｗ４よりも小さい幅Ｗ５に設定
されている。幅Ｗ４、幅Ｗ５はいずれも上部磁極先端部
２３ａに向かって徐々に狭くなっている。すなわち、オ
ーバーライト改善部２３Ａａ、２３Ａｂのそれぞれの平
面形状はテーパ形状で形成されている。
部２３ａに向かって徐々に幅が狭くなるように、オーバ
ーライト改善部２３Ａｂ，２３Ａａのそれぞれが上部磁
極２３に配設されている。オーバーライト改善部２３Ａ
ｂは上部磁極２３の幅Ｗ２よりも小さい幅Ｗ４に設定さ
れており、オーバーライト改善部２３Ａａはオーバーラ
イト改善部２３Ａｂの幅Ｗ４よりも小さい幅Ｗ５に設定
されている。幅Ｗ４、幅Ｗ５はいずれも上部磁極先端部
２３ａに向かって徐々に狭くなっている。すなわち、オ
ーバーライト改善部２３Ａａ、２３Ａｂのそれぞれの平
面形状はテーパ形状で形成されている。
【００７２】そして、本実施の形態においては、上部磁
極先端部２３ａの近傍の上部磁極２３、詳細にはオーバ
ーライト改善部２３Ａａからオーバーライト改善部２３
Ａｂに跨って非磁性体領域２００が配設されている。非
磁性体領域２００の平面形状、つまり貫通穴２３Ｈの開
口形状は、オーバーライト改善部２３Ａａまたは２３Ａ
ｂの平面形状のほぼ相似形状で形成され、上部磁極先端
部２３ａに向かって徐々に開口寸法が小さくなる台形の
ような平面形状で形成されている。
極先端部２３ａの近傍の上部磁極２３、詳細にはオーバ
ーライト改善部２３Ａａからオーバーライト改善部２３
Ａｂに跨って非磁性体領域２００が配設されている。非
磁性体領域２００の平面形状、つまり貫通穴２３Ｈの開
口形状は、オーバーライト改善部２３Ａａまたは２３Ａ
ｂの平面形状のほぼ相似形状で形成され、上部磁極先端
部２３ａに向かって徐々に開口寸法が小さくなる台形の
ような平面形状で形成されている。
【００７３】本実施の形態では、第１の実施の形態と同
様に、上部磁極先端部２３ａの近傍の上部磁極２３に非
磁性体領域２００を備えているので、上部磁極先端部２
３ａや上部磁極２３に流れる磁束を最適に制御すること
ができる。さらに、本実施の形態では、上部磁極２３に
二段階に幅が狭くなるオーバーライト改善部２３Ａｂ、
２３Ａａを設けるようにしたので、上部磁極２３から上
部磁極先端部２３ａに流れる磁束を効率よく（スムース
に）収束させることができる。
様に、上部磁極先端部２３ａの近傍の上部磁極２３に非
磁性体領域２００を備えているので、上部磁極先端部２
３ａや上部磁極２３に流れる磁束を最適に制御すること
ができる。さらに、本実施の形態では、上部磁極２３に
二段階に幅が狭くなるオーバーライト改善部２３Ａｂ、
２３Ａａを設けるようにしたので、上部磁極２３から上
部磁極先端部２３ａに流れる磁束を効率よく（スムース
に）収束させることができる。
【００７４】（第３の実施の形態）本発明の第３の実施
の形態は、第１の実施の形態において、上部磁極先端部
と上部磁極とを別々の磁性層で形成し、さらに磁束発生
用の薄膜コイルを２層備える構成としたものである。図
９は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部断面図で
あり、図９中、（Ａ）はトラック面に垂直な切断線で切
った要部断面図、（Ｂ）はトラック面に平行な切断線で
切った要部断面図をそれぞれ表すものである。
の形態は、第１の実施の形態において、上部磁極先端部
と上部磁極とを別々の磁性層で形成し、さらに磁束発生
用の薄膜コイルを２層備える構成としたものである。図
９は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部断面図で
あり、図９中、（Ａ）はトラック面に垂直な切断線で切
った要部断面図、（Ｂ）はトラック面に平行な切断線で
切った要部断面図をそれぞれ表すものである。
【００７５】本実施の形態において、記録ヘッド部１Ｂ
は、互いに磁気的に連結された下部磁極１８および下部
磁極先端部１９ａを含む下部磁性層と、互いに磁気的に
連結された上部磁極２５および上部磁極先端部２３ａを
含む上部磁性層と、磁束発生用の２層の薄膜コイル２
１，２４とを備えている。下部磁極先端部１９ａと上部
磁極先端部２３ａとは、記録ギャップ層２２を介して対
向している。上部磁極先端部２３ａの一部領域には、磁
束の流れを制御する非磁性体領域２００が形成されてい
る。
は、互いに磁気的に連結された下部磁極１８および下部
磁極先端部１９ａを含む下部磁性層と、互いに磁気的に
連結された上部磁極２５および上部磁極先端部２３ａを
含む上部磁性層と、磁束発生用の２層の薄膜コイル２
１，２４とを備えている。下部磁極先端部１９ａと上部
磁極先端部２３ａとは、記録ギャップ層２２を介して対
向している。上部磁極先端部２３ａの一部領域には、磁
束の流れを制御する非磁性体領域２００が形成されてい
る。
【００７６】下部磁極先端部１９ａは、下部磁極１８の
上に、これとは別層として形成されている。上部磁極２
５は、その一部が上部磁極先端部２３ａの一部とオーバ
ーラップするようにして、上部磁極先端部２３ａとは別
層として形成されている。下部磁極１８と上部磁極２５
との間は、磁気接続部１９ｂおよび磁気接続部２３ｂを
介して磁気的に連結されている。
上に、これとは別層として形成されている。上部磁極２
５は、その一部が上部磁極先端部２３ａの一部とオーバ
ーラップするようにして、上部磁極先端部２３ａとは別
層として形成されている。下部磁極１８と上部磁極２５
との間は、磁気接続部１９ｂおよび磁気接続部２３ｂを
介して磁気的に連結されている。
【００７７】１層目の薄膜コイル２１は、下部磁極層１
８上において下部磁極先端部１９ａと磁気接続部１９ｂ
との間と、この磁気接続部１９ｂよりも図９（Ａ）中右
側とに配設されている。すなわち、薄膜コイル２１は、
磁気接続部１９ｂをほぼ中心として、この磁気接続部１
９ｂの周囲に、螺旋状に複数回周回するように配列され
ている。薄膜コイル２１は、下部磁極層１８上の絶縁層
２０ａ上に形成され、下部磁極先端部１９ａおよび磁気
接続部１９ｂの上面と一致するように表面が平坦化され
た絶縁層２０ｂに埋設されるようになっている。
８上において下部磁極先端部１９ａと磁気接続部１９ｂ
との間と、この磁気接続部１９ｂよりも図９（Ａ）中右
側とに配設されている。すなわち、薄膜コイル２１は、
磁気接続部１９ｂをほぼ中心として、この磁気接続部１
９ｂの周囲に、螺旋状に複数回周回するように配列され
ている。薄膜コイル２１は、下部磁極層１８上の絶縁層
２０ａ上に形成され、下部磁極先端部１９ａおよび磁気
接続部１９ｂの上面と一致するように表面が平坦化され
た絶縁層２０ｂに埋設されるようになっている。
【００７８】２層目の薄膜コイル２４は、１層目の薄膜
コイル２１上において上部磁極先端部２３ａと磁気接続
部２３ｂとの間と、この磁気接続部２３ｂよりも図９
（Ａ）中右側とに配設されている。すなわち、薄膜コイ
ル２４は、磁気接続部２３ｂをほぼ中心として、この磁
気接続部２３ｂの周囲に、螺旋状に複数回周回するよう
に配列されている。薄膜コイル２４は、記録ギャップ層
２２上の絶縁層２０ｅ上に形成され、上部磁極先端部２
３ａおよび磁気接続部２３ｂの上面と一致するように表
面が平坦化された絶縁層２０ｄに埋設されるようになっ
ている。
コイル２１上において上部磁極先端部２３ａと磁気接続
部２３ｂとの間と、この磁気接続部２３ｂよりも図９
（Ａ）中右側とに配設されている。すなわち、薄膜コイ
ル２４は、磁気接続部２３ｂをほぼ中心として、この磁
気接続部２３ｂの周囲に、螺旋状に複数回周回するよう
に配列されている。薄膜コイル２４は、記録ギャップ層
２２上の絶縁層２０ｅ上に形成され、上部磁極先端部２
３ａおよび磁気接続部２３ｂの上面と一致するように表
面が平坦化された絶縁層２０ｄに埋設されるようになっ
ている。
【００７９】１層目の薄膜コイル２１と２層目の薄膜コ
イル２４との間は記録ギャップ層２２、絶縁層２０ｄの
それぞれに形成された接続孔２２ａを通して電気的に接
続されている。
イル２４との間は記録ギャップ層２２、絶縁層２０ｄの
それぞれに形成された接続孔２２ａを通して電気的に接
続されている。
【００８０】本実施の形態において、非磁性体領域２０
０は、上部磁極先端部２３ａのスロートハイトＴＨが零
の近傍位置に形成された貫通穴２３Ｈと、この貫通穴２
３Ｈの内壁に沿って形成されたまたは完全に埋設された
非磁性体２０Ｎとを備えて構成されている。
０は、上部磁極先端部２３ａのスロートハイトＴＨが零
の近傍位置に形成された貫通穴２３Ｈと、この貫通穴２
３Ｈの内壁に沿って形成されたまたは完全に埋設された
非磁性体２０Ｎとを備えて構成されている。
【００８１】本実施の形態では、貫通穴２３Ｈは上部磁
極先端部２３ａのパターン形成と同時に形成することが
できる。貫通穴２３Ｈに埋設される非磁性体２０Ｎには
絶縁体が使用されている。この非磁性体２０Ｎは記録ギ
ャップ層２２上の絶縁層２０ｄ，２０ｅのそれぞれの一
部を利用して形成されている。
極先端部２３ａのパターン形成と同時に形成することが
できる。貫通穴２３Ｈに埋設される非磁性体２０Ｎには
絶縁体が使用されている。この非磁性体２０Ｎは記録ギ
ャップ層２２上の絶縁層２０ｄ，２０ｅのそれぞれの一
部を利用して形成されている。
【００８２】次に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法について説明する。図１０ないし図１４はこ
の製造方法を説明するための薄膜磁気ヘッドの工程断面
図である。図１０ないし図１４において、（Ａ）はトラ
ック面に垂直な切断線における工程断面図、（Ｂ）はト
ラック面に平行な切断線における工程断面図をそれぞれ
表している。
の製造方法について説明する。図１０ないし図１４はこ
の製造方法を説明するための薄膜磁気ヘッドの工程断面
図である。図１０ないし図１４において、（Ａ）はトラ
ック面に垂直な切断線における工程断面図、（Ｂ）はト
ラック面に平行な切断線における工程断面図をそれぞれ
表している。
【００８３】（１）まず、例えばアルティックからなる
基板１１を準備し（図１０参照）、この基板１１上に例
えばスパッタリング法によりアルミナからなる絶縁層１
２を約３μｍ〜５μｍ程度の厚みで形成する。次に、絶
縁層１２上にフォトレジストマスクを形成し、このフォ
トレジストマスクを使用してめっき法によりＮｉＦｅを
約３μｍの厚みで選択的に形成する。この後に、フォト
レジストマスクを除去し、図１０に示したようにＮｉＦ
ｅから再生ヘッド用の下部シールド層１３を形成する。
図１０には示されていないが、引き続き、例えばスパッ
タリング法またはＣＶＤ法により約４〜６μｍの厚さの
アルミナ膜を形成し、このアルミナ膜の表面を下部シー
ルド層１３の表面と一致する程度にＣＭＰ法によって平
坦化する。この結果、下部シールド層１３の周囲にはア
ルミナ膜が埋め込まれた状態になる。
基板１１を準備し（図１０参照）、この基板１１上に例
えばスパッタリング法によりアルミナからなる絶縁層１
２を約３μｍ〜５μｍ程度の厚みで形成する。次に、絶
縁層１２上にフォトレジストマスクを形成し、このフォ
トレジストマスクを使用してめっき法によりＮｉＦｅを
約３μｍの厚みで選択的に形成する。この後に、フォト
レジストマスクを除去し、図１０に示したようにＮｉＦ
ｅから再生ヘッド用の下部シールド層１３を形成する。
図１０には示されていないが、引き続き、例えばスパッ
タリング法またはＣＶＤ法により約４〜６μｍの厚さの
アルミナ膜を形成し、このアルミナ膜の表面を下部シー
ルド層１３の表面と一致する程度にＣＭＰ法によって平
坦化する。この結果、下部シールド層１３の周囲にはア
ルミナ膜が埋め込まれた状態になる。
【００８４】（２）下部シールド層１３上に、例えばア
ルミナ膜を１００ｎｍ〜２００ｎｍの厚みでスパッタリ
ング法により堆積し、シールドギャップ層１４を形成す
る（図１１参照）。続いて、シールドギャップ層１４上
に再生用のＭＲ素子等を構成するＭＲ膜１５を数十ｎｍ
の厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィでＭＲ膜
１５を所望の形状にパターンニングする。続いて、この
ＭＲ膜１５に対するリード端子層１５ａ，１５ｂを例え
ばリフトオフ法により形成する。続いて、シールドギャ
ップ層１４、ＭＲ膜１５およびリード端子層１５ａ，１
５ｂ上を含む基板全面にシールドギャップ層１７を形成
し、ＭＲ膜１５、リード端子層１５ａ，１５ｂをシール
ドギャップ層１４とシールドギャップ層１７との間に埋
設させる。そして、図１１に示したように、シールドギ
ャップ膜１７上に例えばＮｉＦｅよりなる下部磁極１８
を約１．０μｍ〜１．５μｍの厚みで形成する。下部磁
極１８は再生ヘッド部１Ａの上部シールド層としても兼
用されており、この下部磁極１８を形成することにより
再生ヘッド部１Ａが実質的に完成する。
ルミナ膜を１００ｎｍ〜２００ｎｍの厚みでスパッタリ
ング法により堆積し、シールドギャップ層１４を形成す
る（図１１参照）。続いて、シールドギャップ層１４上
に再生用のＭＲ素子等を構成するＭＲ膜１５を数十ｎｍ
の厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィでＭＲ膜
１５を所望の形状にパターンニングする。続いて、この
ＭＲ膜１５に対するリード端子層１５ａ，１５ｂを例え
ばリフトオフ法により形成する。続いて、シールドギャ
ップ層１４、ＭＲ膜１５およびリード端子層１５ａ，１
５ｂ上を含む基板全面にシールドギャップ層１７を形成
し、ＭＲ膜１５、リード端子層１５ａ，１５ｂをシール
ドギャップ層１４とシールドギャップ層１７との間に埋
設させる。そして、図１１に示したように、シールドギ
ャップ膜１７上に例えばＮｉＦｅよりなる下部磁極１８
を約１．０μｍ〜１．５μｍの厚みで形成する。下部磁
極１８は再生ヘッド部１Ａの上部シールド層としても兼
用されており、この下部磁極１８を形成することにより
再生ヘッド部１Ａが実質的に完成する。
【００８５】（３）下部磁極層１８上に下部磁極先端部
１９ａおよび磁気接続部１９ｂを約２．０μｍ〜２．５
μｍの厚みで形成する（図１２参照）。下部磁極先端部
１９ａおよび下部接続部１９ｂは、第１の実施の形態と
同様に、ＮｉＦｅ等のめっき膜により形成してもよく、
又ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮＰ、ＣｏＦｅＮ等をスパッタリン
グ法で成膜した後にイオンミリング法等で所定のパター
ンニングを行うことにより形成してもよい。
１９ａおよび磁気接続部１９ｂを約２．０μｍ〜２．５
μｍの厚みで形成する（図１２参照）。下部磁極先端部
１９ａおよび下部接続部１９ｂは、第１の実施の形態と
同様に、ＮｉＦｅ等のめっき膜により形成してもよく、
又ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮＰ、ＣｏＦｅＮ等をスパッタリン
グ法で成膜した後にイオンミリング法等で所定のパター
ンニングを行うことにより形成してもよい。
【００８６】続いて、下部磁極先端部１９ａ上および下
部接続部１９上ｂを含む基板全面にスパッタリング法ま
たはＣＶＤ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる
膜厚０．３μｍ〜０．６μｍの絶縁層２０ａを形成す
る。続いて、フォトレジストマスク１６を形成し、図１
２に示したように、このフォトレジストマスク１６を使
用して下部磁極先端部１９ａと磁気接続部１９ｂとの間
の絶縁層２０ａ上および磁気接続部１９ｂの外周囲の絶
縁層２０ａ上に、例えば電解めっき法により例えばCuよ
りなる磁束発生用の１層目の薄膜コイル２１を形成す
る。薄膜コイル２１は例えば１．０μｍ〜２．０μｍの
厚みで形成され、コイルピッチは１．２μｍ〜２．０μ
ｍで形成される。
部接続部１９上ｂを含む基板全面にスパッタリング法ま
たはＣＶＤ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる
膜厚０．３μｍ〜０．６μｍの絶縁層２０ａを形成す
る。続いて、フォトレジストマスク１６を形成し、図１
２に示したように、このフォトレジストマスク１６を使
用して下部磁極先端部１９ａと磁気接続部１９ｂとの間
の絶縁層２０ａ上および磁気接続部１９ｂの外周囲の絶
縁層２０ａ上に、例えば電解めっき法により例えばCuよ
りなる磁束発生用の１層目の薄膜コイル２１を形成す
る。薄膜コイル２１は例えば１．０μｍ〜２．０μｍの
厚みで形成され、コイルピッチは１．２μｍ〜２．０μ
ｍで形成される。
【００８７】（５）フォトレジストマスク１６を除去し
た後、薄膜コイル２１上を含む基板全面にスパッタリン
グ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚３．
０μｍ〜４．０μｍの絶縁層２０ｂを形成する。続い
て、図１３に示したように、下部磁極先端部１９ａの表
面、磁気接続部１９ｂの表面のそれぞれが露出する程度
に、例えばＣＭＰ法により絶縁層２０ｂの表面を平坦化
する。
た後、薄膜コイル２１上を含む基板全面にスパッタリン
グ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚３．
０μｍ〜４．０μｍの絶縁層２０ｂを形成する。続い
て、図１３に示したように、下部磁極先端部１９ａの表
面、磁気接続部１９ｂの表面のそれぞれが露出する程度
に、例えばＣＭＰ法により絶縁層２０ｂの表面を平坦化
する。
【００８８】（６）下部磁極先端部１９ａ上を含む基板
全面にスパッタリング法により絶縁材料、例えばアルミ
ナよりなる膜厚０．２μｍ〜０．３μｍの記録ギャップ
層２２を形成する（図１４参照）。記録ギャップ層２２
には、第１の実施の形態で説明したように、アルミナの
他の非磁性材料を実用的に使用することができる。続い
て、磁気接続部１９ｂ上において、記録ギャップ層２２
にパターンニングを行い、磁気接続部１９ｂとその上に
形成される磁気接続部２３ｂとの間を磁気的に接続する
ための開口２２ａを形成する。
全面にスパッタリング法により絶縁材料、例えばアルミ
ナよりなる膜厚０．２μｍ〜０．３μｍの記録ギャップ
層２２を形成する（図１４参照）。記録ギャップ層２２
には、第１の実施の形態で説明したように、アルミナの
他の非磁性材料を実用的に使用することができる。続い
て、磁気接続部１９ｂ上において、記録ギャップ層２２
にパターンニングを行い、磁気接続部１９ｂとその上に
形成される磁気接続部２３ｂとの間を磁気的に接続する
ための開口２２ａを形成する。
【００８９】続いて、下部磁極先端部１９ａ上の記録ギ
ャップ層２２上に上部磁極先端部２３ａを形成するとと
もに、磁気接続部２３ｂを形成する。具体的には、例え
ばスパッタリング法により高飽和磁束密度材料からなる
膜厚２．０μｍ〜３．０μｍの厚さの磁極層を形成し、
フォトレジストマスクを使用して磁極層をアルゴンイオ
ンミリングによってパターンニングすることにより、上
部磁極先端部２３ａ、磁気接続部２３ｂのそれぞれを形
成することができる。また、上部磁極先端部２３ａ、磁
気接続部２３ｂのそれぞれはめっき法で形成してもよ
い。そして、さらにこの上部磁極先端部２３ａ、磁気接
続部２３ｂのそれぞれの形成工程と同一形成工程におい
て、上部磁極先端部２３ａ（スロートハイトＴＨが零の
近傍）に非磁性体領域２００の貫通穴２３Ｈが形成され
る（図１４参照）。つまり、貫通穴２３Ｈは上部磁極先
端部２３ａ等のパターンニングと同時に形成することが
できる。磁気接続部２３ｂは開口２２ａを通してかつ磁
気接続部１９ｂを介在させて下部磁極１８と磁気的に連
結される。なお、フォトレジストマスクの代わりにアル
ミナ等の無機系絶縁膜で形成されたエッチングマスクを
使用してもよい。
ャップ層２２上に上部磁極先端部２３ａを形成するとと
もに、磁気接続部２３ｂを形成する。具体的には、例え
ばスパッタリング法により高飽和磁束密度材料からなる
膜厚２．０μｍ〜３．０μｍの厚さの磁極層を形成し、
フォトレジストマスクを使用して磁極層をアルゴンイオ
ンミリングによってパターンニングすることにより、上
部磁極先端部２３ａ、磁気接続部２３ｂのそれぞれを形
成することができる。また、上部磁極先端部２３ａ、磁
気接続部２３ｂのそれぞれはめっき法で形成してもよ
い。そして、さらにこの上部磁極先端部２３ａ、磁気接
続部２３ｂのそれぞれの形成工程と同一形成工程におい
て、上部磁極先端部２３ａ（スロートハイトＴＨが零の
近傍）に非磁性体領域２００の貫通穴２３Ｈが形成され
る（図１４参照）。つまり、貫通穴２３Ｈは上部磁極先
端部２３ａ等のパターンニングと同時に形成することが
できる。磁気接続部２３ｂは開口２２ａを通してかつ磁
気接続部１９ｂを介在させて下部磁極１８と磁気的に連
結される。なお、フォトレジストマスクの代わりにアル
ミナ等の無機系絶縁膜で形成されたエッチングマスクを
使用してもよい。
【００９０】引き続き、上部磁極先端部２３ａをエッチ
ングマスクとして使用し、その周辺の記録ギャップ層２
２および下部磁極先端部１９ａの表面の一部分を自己整
合的にエッチングする。記録ギャップ層２２は塩素系ガ
スによるＲＩＥによりパターンニングされる。下部磁極
先端部１９ａは例えばアルゴンイオンミリングによって
パターンニングされ、下部磁極先端部１９ａの表面の約
０．３μｍ〜０．６μｍ程度の一部がエッチングにより
取り除かれる。この工程を行うことにより、トリム構造
の記録ヘッド部１Ｂを形成することができる。
ングマスクとして使用し、その周辺の記録ギャップ層２
２および下部磁極先端部１９ａの表面の一部分を自己整
合的にエッチングする。記録ギャップ層２２は塩素系ガ
スによるＲＩＥによりパターンニングされる。下部磁極
先端部１９ａは例えばアルゴンイオンミリングによって
パターンニングされ、下部磁極先端部１９ａの表面の約
０．３μｍ〜０．６μｍ程度の一部がエッチングにより
取り除かれる。この工程を行うことにより、トリム構造
の記録ヘッド部１Ｂを形成することができる。
【００９１】続いて、上部磁極先端部２３ａ上、磁気接
続部２３ｂ上を含む基板全面に、例えばスパッタリング
法またはＣＶＤ法により、膜厚約０．３μｍ〜０．６μ
ｍの例えばアルミナからなる絶縁層２０ｅを形成する。
この絶縁層２０ｅの形成により、絶縁層２０ｅの一部が
貫通穴２３Ｈ内部に非磁性体２０Ｎとして埋設され、貫
通穴２３Ｈおよび非磁性体２０Ｎを備えた非磁性体領域
２００が形成される（図１４参照）。なお、非磁性体領
域２００の非磁性体２０Ｎには、後に形成される絶縁層
２０ｄと同一工程で形成され、絶縁層２０ｅを介在させ
て貫通穴２３Ｈ内に埋設される絶縁層を含めてもよい。
続部２３ｂ上を含む基板全面に、例えばスパッタリング
法またはＣＶＤ法により、膜厚約０．３μｍ〜０．６μ
ｍの例えばアルミナからなる絶縁層２０ｅを形成する。
この絶縁層２０ｅの形成により、絶縁層２０ｅの一部が
貫通穴２３Ｈ内部に非磁性体２０Ｎとして埋設され、貫
通穴２３Ｈおよび非磁性体２０Ｎを備えた非磁性体領域
２００が形成される（図１４参照）。なお、非磁性体領
域２００の非磁性体２０Ｎには、後に形成される絶縁層
２０ｄと同一工程で形成され、絶縁層２０ｅを介在させ
て貫通穴２３Ｈ内に埋設される絶縁層を含めてもよい。
【００９２】続いて、絶縁層２０ｅ、記録ギャップ層２
２および絶縁層２０ｂを選択的にエッチングし、薄膜コ
イル２１のコイル接続部の表面部分を露出させる。図１
４に示したように、絶縁層２０ｅ上において上部磁極先
端部２３ａと磁気接続部２３ｂとの間の凹部領域に、例
えば電解めっき法により例えばＣｕよりなる２層目の薄
膜コイル２４を例えば１．０μｍ〜２．０μｍの厚み、
コイルピッチ１．２μｍ〜２．０μｍで形成する。２層
目の薄膜コイル２４は表面部分が露出されたコイル接続
部２２ｃを通して１層目の薄膜コイル２１に電気的に接
続される。
２および絶縁層２０ｂを選択的にエッチングし、薄膜コ
イル２１のコイル接続部の表面部分を露出させる。図１
４に示したように、絶縁層２０ｅ上において上部磁極先
端部２３ａと磁気接続部２３ｂとの間の凹部領域に、例
えば電解めっき法により例えばＣｕよりなる２層目の薄
膜コイル２４を例えば１．０μｍ〜２．０μｍの厚み、
コイルピッチ１．２μｍ〜２．０μｍで形成する。２層
目の薄膜コイル２４は表面部分が露出されたコイル接続
部２２ｃを通して１層目の薄膜コイル２１に電気的に接
続される。
【００９３】（７）２層目の薄膜コイル２４上を含む基
板全面に、例えばスパッタリング法またはＣＶＤ法によ
り、膜厚約３μｍ〜４μｍの例えばアルミナからなる絶
縁層２０ｄを形成する。なお、この絶縁層２０ｄや絶縁
層２０ｅは、アルミナに限らず、二酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2 ）や窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）等の他の絶縁材料によ
り形成してもよい。続いて、上部磁極先端部２３ａおよ
び磁気接続部２３ｂの表面が露出するように、例えばＣ
ＭＰ法により絶縁層２０ｄおよび絶縁層２０ｅを取り除
き、絶縁層２０ｅ，２０ｄのそれぞれの表面と上部磁極
先端部２３ａ、磁気接続部２３ｂのそれぞれの表面とが
同一面を構成するように平坦化される。
板全面に、例えばスパッタリング法またはＣＶＤ法によ
り、膜厚約３μｍ〜４μｍの例えばアルミナからなる絶
縁層２０ｄを形成する。なお、この絶縁層２０ｄや絶縁
層２０ｅは、アルミナに限らず、二酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2 ）や窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）等の他の絶縁材料によ
り形成してもよい。続いて、上部磁極先端部２３ａおよ
び磁気接続部２３ｂの表面が露出するように、例えばＣ
ＭＰ法により絶縁層２０ｄおよび絶縁層２０ｅを取り除
き、絶縁層２０ｅ，２０ｄのそれぞれの表面と上部磁極
先端部２３ａ、磁気接続部２３ｂのそれぞれの表面とが
同一面を構成するように平坦化される。
【００９４】続いて、例えば上部磁極先端部２３ａと同
じ材料を用いて、例えば電解めっき法やスパッタリング
法等により、上部磁極層２５を約２μｍ〜３μｍの厚み
に形成する。この上部磁極層２５は磁気接続部２３ｂ、
磁気接続部１９ｂのそれぞれを通して下部磁性層１８に
磁気的に連結される。上部磁極層２５を形成することに
より、記録ヘッド部１Ａが完成する。
じ材料を用いて、例えば電解めっき法やスパッタリング
法等により、上部磁極層２５を約２μｍ〜３μｍの厚み
に形成する。この上部磁極層２５は磁気接続部２３ｂ、
磁気接続部１９ｂのそれぞれを通して下部磁性層１８に
磁気的に連結される。上部磁極層２５を形成することに
より、記録ヘッド部１Ａが完成する。
【００９５】（８）最後に、前述の図９に示したよう
に、上部磁極２５上を含む基板全面に、例えばスパッタ
リング法によりアルミナよりなる膜厚約３０μｍのオー
バーコート層２６を形成する。この後、スライダ機械加
工を行い、記録ヘッド部１Ａおよび再生ヘッド部１Ｂの
トラック面（エアベアリング面）を形成することによ
り、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを完成させるこ
とができる。
に、上部磁極２５上を含む基板全面に、例えばスパッタ
リング法によりアルミナよりなる膜厚約３０μｍのオー
バーコート層２６を形成する。この後、スライダ機械加
工を行い、記録ヘッド部１Ａおよび再生ヘッド部１Ｂの
トラック面（エアベアリング面）を形成することによ
り、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを完成させるこ
とができる。
【００９６】本実施の形態においては、第１の実施の形
態と同様に、上部磁極先端部２３ａに、つまりスロート
ハイトＴＨが零の近傍位置に非磁性体領域２００を備え
ているので、上部磁極先端部２３ａや上部磁極２５に流
れる磁束を最適に制御することができる。
態と同様に、上部磁極先端部２３ａに、つまりスロート
ハイトＴＨが零の近傍位置に非磁性体領域２００を備え
ているので、上部磁極先端部２３ａや上部磁極２５に流
れる磁束を最適に制御することができる。
【００９７】さらに、本実施の形態においては、上部磁
極先端部２３ａの形成と同時に貫通穴２３Ｈを形成し、
絶縁層２０ｅ，２０ｄのそれぞれの形成と同時に貫通穴
２３Ｈに同一の材料の非磁性体２６Ｎを埋設して非磁性
体領域２００を形成するようにしたので、製造工程数を
減少させることができる。
極先端部２３ａの形成と同時に貫通穴２３Ｈを形成し、
絶縁層２０ｅ，２０ｄのそれぞれの形成と同時に貫通穴
２３Ｈに同一の材料の非磁性体２６Ｎを埋設して非磁性
体領域２００を形成するようにしたので、製造工程数を
減少させることができる。
【００９８】なお、本実施の形態においては、従来例の
ようにフォトレジストパターンの傾斜部が存在せず、１
層目の薄膜コイル２１および２層目の薄膜コイル２４が
いずれも平坦部に形成されているので、傾斜部によるコ
イル外周部端とスロートハイトＴＨが零の位置までの距
離が磁路長縮小の妨げとはならない。従って、磁路長を
短くすることができ、記録ヘッドの高周波特性を著しく
向上させることができる。ちなみに、本実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドは、フォトリソグラフィの位置合わせ
誤差０．１μｍ〜０．２μｍの範囲で設計できるので、
従来例の３０〜４０％以下に磁路長を縮小することが可
能になる。また、薄膜コイルの巻数が同じ場合には、そ
の分コイルの厚さを薄くすることができる。図１５、図
１６のそれぞれに、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の磁路長と従来例の薄膜磁気ヘッドの磁路長との違いを
一例のデザイン寸法を付して示す。ここで、図１５は本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部断面図、図１６
は磁路長の比較のための従来例の薄膜磁気ヘッドの要部
断面図である。
ようにフォトレジストパターンの傾斜部が存在せず、１
層目の薄膜コイル２１および２層目の薄膜コイル２４が
いずれも平坦部に形成されているので、傾斜部によるコ
イル外周部端とスロートハイトＴＨが零の位置までの距
離が磁路長縮小の妨げとはならない。従って、磁路長を
短くすることができ、記録ヘッドの高周波特性を著しく
向上させることができる。ちなみに、本実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドは、フォトリソグラフィの位置合わせ
誤差０．１μｍ〜０．２μｍの範囲で設計できるので、
従来例の３０〜４０％以下に磁路長を縮小することが可
能になる。また、薄膜コイルの巻数が同じ場合には、そ
の分コイルの厚さを薄くすることができる。図１５、図
１６のそれぞれに、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の磁路長と従来例の薄膜磁気ヘッドの磁路長との違いを
一例のデザイン寸法を付して示す。ここで、図１５は本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部断面図、図１６
は磁路長の比較のための従来例の薄膜磁気ヘッドの要部
断面図である。
【００９９】なお、本実施の形態では、磁束の流れを制
御する非磁性体領域２００を上部磁極先端部２３ａの一
部領域に形成するようにしたが、これに限られるもので
はない。例えば、非磁性体領域２００を上部磁極２５の
一部領域に形成するようにしてもよい。この場合には、
本実施の形態における非磁性体領域２００の形成領域に
対応する上部磁極２５の一部領域に、非磁性体領域２０
０を設けるようにするのが好ましい。
御する非磁性体領域２００を上部磁極先端部２３ａの一
部領域に形成するようにしたが、これに限られるもので
はない。例えば、非磁性体領域２００を上部磁極２５の
一部領域に形成するようにしてもよい。この場合には、
本実施の形態における非磁性体領域２００の形成領域に
対応する上部磁極２５の一部領域に、非磁性体領域２０
０を設けるようにするのが好ましい。
【０１００】（第４の実施の形態）本発明の第４の実施
の形態は、第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにお
いて、１層目の薄膜コイル２１と２層目の薄膜コイル２
４との間にスロートハイトＴＨを決めるフォトレジスト
絶縁膜を形成したものである。図１７は本発明の第４の
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部断面図であり、
図１７中、（Ａ）はトラック面に垂直な切断線で切った
要部断面図、（Ｂ）はトラック面に平行な切断線で切っ
た要部断面図をそれぞれ表している。
の形態は、第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにお
いて、１層目の薄膜コイル２１と２層目の薄膜コイル２
４との間にスロートハイトＴＨを決めるフォトレジスト
絶縁膜を形成したものである。図１７は本発明の第４の
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部断面図であり、
図１７中、（Ａ）はトラック面に垂直な切断線で切った
要部断面図、（Ｂ）はトラック面に平行な切断線で切っ
た要部断面図をそれぞれ表している。
【０１０１】図１７に示したように、本実施の形態にお
いて、記録ヘッド部１Ｂは、互いに磁気的に連結された
下部磁極１８および下部磁極先端部１９ａを含む下部磁
性層と、互いに磁気的に連結された上部磁極２５および
上部磁極先端部２３ａを含む上部磁性層と、磁束発生用
の２層の薄膜コイル２１，２４とを備えている。下部磁
極先端部１９ａと上部磁極先端部２３ａとは、記録ギャ
ップ層２２を介して対向している。上部磁極先端部２３
ａの一部領域には、磁束の流れを制御する非磁性体領域
２００が形成されている。
いて、記録ヘッド部１Ｂは、互いに磁気的に連結された
下部磁極１８および下部磁極先端部１９ａを含む下部磁
性層と、互いに磁気的に連結された上部磁極２５および
上部磁極先端部２３ａを含む上部磁性層と、磁束発生用
の２層の薄膜コイル２１，２４とを備えている。下部磁
極先端部１９ａと上部磁極先端部２３ａとは、記録ギャ
ップ層２２を介して対向している。上部磁極先端部２３
ａの一部領域には、磁束の流れを制御する非磁性体領域
２００が形成されている。
【０１０２】１層目の薄膜コイル２１上には、記録ギャ
ップ層２２、フォトレジスト絶縁膜３０のそれぞれを介
在させて２層目の薄膜コイル２４が配設されている。フ
ォトレジスト絶縁膜３０は、その塗布後に適度な熱処理
を行うことで表面の平坦化を行うことができ、しかも記
録ギャップ層２２と上部磁極先端部２３ａとの接触位置
を決定してスロートハイトＴＨが零の位置を決定できる
ようになっている。
ップ層２２、フォトレジスト絶縁膜３０のそれぞれを介
在させて２層目の薄膜コイル２４が配設されている。フ
ォトレジスト絶縁膜３０は、その塗布後に適度な熱処理
を行うことで表面の平坦化を行うことができ、しかも記
録ギャップ層２２と上部磁極先端部２３ａとの接触位置
を決定してスロートハイトＴＨが零の位置を決定できる
ようになっている。
【０１０３】次に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法について説明する。図１８ないし図２３は製
造方法を説明するための薄膜磁気ヘッドの工程断面図で
ある。図１８ないし図２３において、（Ａ）はトラック
面に垂直な切断線における工程断面図、（Ｂ）はトラッ
ク面に平行な切断線における工程断面図をそれぞれ表し
ている。
の製造方法について説明する。図１８ないし図２３は製
造方法を説明するための薄膜磁気ヘッドの工程断面図で
ある。図１８ないし図２３において、（Ａ）はトラック
面に垂直な切断線における工程断面図、（Ｂ）はトラッ
ク面に平行な切断線における工程断面図をそれぞれ表し
ている。
【０１０４】（１）まず、例えばアルティックからなる
基板１１を準備し（図１８参照）、この基板１１上に例
えばスパッタリング法によりアルミナからなる絶縁層１
２を約３μｍ〜５μｍ程度の厚みで形成する。次に、絶
縁層１２上にフォトレジストマスクを形成し、このフォ
トレジストマスクを使用してめっき法によりＮｉＦｅを
約３μｍの厚みで選択的に形成する。この後に、フォト
レジストマスクを除去し、図１８に示したようにＮｉＦ
ｅから再生ヘッド用の下部シールド層１３を形成する。
図１８には示されていないが、引き続き、例えばスパッ
タリング法またはＣＶＤ法により約４〜６μｍの厚さの
アルミナ膜を形成し、このアルミナ膜の表面を下部シー
ルド層１３の表面と一致する程度にＣＭＰ法によって平
坦化する。この結果、下部シールド層１３の周囲にはア
ルミナ膜が埋め込まれた状態になる。
基板１１を準備し（図１８参照）、この基板１１上に例
えばスパッタリング法によりアルミナからなる絶縁層１
２を約３μｍ〜５μｍ程度の厚みで形成する。次に、絶
縁層１２上にフォトレジストマスクを形成し、このフォ
トレジストマスクを使用してめっき法によりＮｉＦｅを
約３μｍの厚みで選択的に形成する。この後に、フォト
レジストマスクを除去し、図１８に示したようにＮｉＦ
ｅから再生ヘッド用の下部シールド層１３を形成する。
図１８には示されていないが、引き続き、例えばスパッ
タリング法またはＣＶＤ法により約４〜６μｍの厚さの
アルミナ膜を形成し、このアルミナ膜の表面を下部シー
ルド層１３の表面と一致する程度にＣＭＰ法によって平
坦化する。この結果、下部シールド層１３の周囲にはア
ルミナ膜が埋め込まれた状態になる。
【０１０５】（２）下部シールド層１３上に、例えばア
ルミナ膜を１００ｎｍ〜２００ｎｍの厚みでスパッタリ
ング法により堆積し、シールドギャップ層１４を形成す
る（図１９参照。）。続いて、シールドギャップ層１４
上に再生用のＭＲ素子等を構成するＭＲ膜１５を数十ｎ
ｍの厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィでＭＲ
膜１５を所望の形状にパターンニングする。続いて、こ
のＭＲ膜１５に対するリード端子層１５ａ，１５ｂを例
えばリフトオフ法により形成する。続いて、シールドギ
ャップ層１４、ＭＲ膜１５およびリード端子層１５ａ，
１５ｂ上を含む基板全面にシールドギャップ層１７を形
成し、ＭＲ膜１５、リード端子層１５ａ，１５ｂをシー
ルドギャップ層１４とシールドギャップ層１７との間に
埋設させる。そして、図１９に示したように、シールド
ギャップ膜１７上に例えばＮｉＦｅよりなる下部磁極１
８を約１．０μｍ〜１．５μｍの厚みで形成する。下部
磁極１８は再生ヘッド部１Ａの上部シールド層としても
兼用されており、この下部磁極１８を形成することによ
り再生ヘッド部１Ａが実質的に完成する。
ルミナ膜を１００ｎｍ〜２００ｎｍの厚みでスパッタリ
ング法により堆積し、シールドギャップ層１４を形成す
る（図１９参照。）。続いて、シールドギャップ層１４
上に再生用のＭＲ素子等を構成するＭＲ膜１５を数十ｎ
ｍの厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィでＭＲ
膜１５を所望の形状にパターンニングする。続いて、こ
のＭＲ膜１５に対するリード端子層１５ａ，１５ｂを例
えばリフトオフ法により形成する。続いて、シールドギ
ャップ層１４、ＭＲ膜１５およびリード端子層１５ａ，
１５ｂ上を含む基板全面にシールドギャップ層１７を形
成し、ＭＲ膜１５、リード端子層１５ａ，１５ｂをシー
ルドギャップ層１４とシールドギャップ層１７との間に
埋設させる。そして、図１９に示したように、シールド
ギャップ膜１７上に例えばＮｉＦｅよりなる下部磁極１
８を約１．０μｍ〜１．５μｍの厚みで形成する。下部
磁極１８は再生ヘッド部１Ａの上部シールド層としても
兼用されており、この下部磁極１８を形成することによ
り再生ヘッド部１Ａが実質的に完成する。
【０１０６】（３）下部磁極層１８上に下部磁極先端部
１９ａおよび磁気接続部１９ｂを約２．０μｍ〜２．５
μｍの厚みで形成する（図２０参照）。下部磁極先端部
１９ａおよび下部接続部１９ｂは、第１の実施の形態と
同様に、ＮｉＦｅ等のめっき膜により形成してもよく、
または、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮＰ、ＣｏＦｅＮ等をスパッ
タリング法で成膜した後にイオンミリング法等で所定の
パターンニングを行うことにより形成してもよい。
１９ａおよび磁気接続部１９ｂを約２．０μｍ〜２．５
μｍの厚みで形成する（図２０参照）。下部磁極先端部
１９ａおよび下部接続部１９ｂは、第１の実施の形態と
同様に、ＮｉＦｅ等のめっき膜により形成してもよく、
または、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮＰ、ＣｏＦｅＮ等をスパッ
タリング法で成膜した後にイオンミリング法等で所定の
パターンニングを行うことにより形成してもよい。
【０１０７】（４）続いて、下部磁極先端部１９ａ上お
よび下部接続部１９ｂ上を含む基板全面にスパッタリン
グ法またはＣＶＤ法により絶縁材料、例えばアルミナよ
りなる膜厚０．３μｍ〜０．６μｍの絶縁層２０ａを形
成する。続いて、フォトレジストマスク１６を形成し、
図２０に示したように、このフォトレジストマスク１６
を使用して下部磁極先端部１９ａと磁気接続部１９ｂと
の間の絶縁層２０ａ上および磁気接続部１９ｂの外周囲
の絶縁層２０ａ上に、例えば電解めっき法によりCuより
なる磁束発生用の１層目の薄膜コイル２１を形成する。
薄膜コイル２１は例えば１．０μｍ〜２．０μｍの厚み
で形成され、コイルピッチは１．２μｍ〜２．０μｍで
形成される。
よび下部接続部１９ｂ上を含む基板全面にスパッタリン
グ法またはＣＶＤ法により絶縁材料、例えばアルミナよ
りなる膜厚０．３μｍ〜０．６μｍの絶縁層２０ａを形
成する。続いて、フォトレジストマスク１６を形成し、
図２０に示したように、このフォトレジストマスク１６
を使用して下部磁極先端部１９ａと磁気接続部１９ｂと
の間の絶縁層２０ａ上および磁気接続部１９ｂの外周囲
の絶縁層２０ａ上に、例えば電解めっき法によりCuより
なる磁束発生用の１層目の薄膜コイル２１を形成する。
薄膜コイル２１は例えば１．０μｍ〜２．０μｍの厚み
で形成され、コイルピッチは１．２μｍ〜２．０μｍで
形成される。
【０１０８】（５）フォトレジストマスク１６を除去し
た後、薄膜コイル２１上を含む基板全面にスパッタリン
グ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚３．
０μｍ〜４．０μｍの絶縁層２０ｂを形成する。続い
て、図２１に示したように、下部磁極先端部１９ａの表
面、磁気接続部１９ｂの表面のそれぞれが露出する程度
に、例えばＣＭＰ法により絶縁層２０ｂの表面を平坦化
する。
た後、薄膜コイル２１上を含む基板全面にスパッタリン
グ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚３．
０μｍ〜４．０μｍの絶縁層２０ｂを形成する。続い
て、図２１に示したように、下部磁極先端部１９ａの表
面、磁気接続部１９ｂの表面のそれぞれが露出する程度
に、例えばＣＭＰ法により絶縁層２０ｂの表面を平坦化
する。
【０１０９】（６）下部磁極先端部１９ａ上を含む基板
全面にスパッタリング法により絶縁材料、例えばアルミ
ナよりなる膜厚０．２μｍ〜０．３μｍの記録ギャップ
層２２を形成する（図２２参照）。記録ギャップ層２２
には、第１の実施の形態で説明したように、アルミナの
他の非磁性材料を実用的に使用することができる。続い
て、磁気接続部１９ｂ上において、記録ギャップ層２２
にパターンニングを行い、磁気接続部１９ｂとその上に
形成される磁気接続部２３ｂとの間を磁気的に接続する
ための開口２２ａ、１層目の薄膜コイル２１と２層目の
薄膜コイル２４またはコイル接続配線と電気的に接続す
るための接続孔２２ｃ等を形成する。
全面にスパッタリング法により絶縁材料、例えばアルミ
ナよりなる膜厚０．２μｍ〜０．３μｍの記録ギャップ
層２２を形成する（図２２参照）。記録ギャップ層２２
には、第１の実施の形態で説明したように、アルミナの
他の非磁性材料を実用的に使用することができる。続い
て、磁気接続部１９ｂ上において、記録ギャップ層２２
にパターンニングを行い、磁気接続部１９ｂとその上に
形成される磁気接続部２３ｂとの間を磁気的に接続する
ための開口２２ａ、１層目の薄膜コイル２１と２層目の
薄膜コイル２４またはコイル接続配線と電気的に接続す
るための接続孔２２ｃ等を形成する。
【０１１０】続いて、少なくともトラック面からスロー
トハイトＴＨが零までの領域、開口２２ａの領域、接続
孔２２ｃの領域のそれぞれを除き、記録ギャップ層２２
上にフォトレジスト絶縁膜３０を選択的に形成する。フ
ォトレジスト絶縁膜３０は、例えば１．０μｍ〜１．５
μｍの厚さで塗布された後、所定の形状になるように露
光し、現像を行うことで形成することができる。必要に
応じて熱処理を行う。このフォトレジスト絶縁膜３０は
スロートハイトＴＨが零の位置を高い精度で決めること
ができる。
トハイトＴＨが零までの領域、開口２２ａの領域、接続
孔２２ｃの領域のそれぞれを除き、記録ギャップ層２２
上にフォトレジスト絶縁膜３０を選択的に形成する。フ
ォトレジスト絶縁膜３０は、例えば１．０μｍ〜１．５
μｍの厚さで塗布された後、所定の形状になるように露
光し、現像を行うことで形成することができる。必要に
応じて熱処理を行う。このフォトレジスト絶縁膜３０は
スロートハイトＴＨが零の位置を高い精度で決めること
ができる。
【０１１１】続いて、下部磁極先端部１９ａ上の記録ギ
ャップ層２２上に上部磁極先端部２３ａを形成するとと
もに、磁気接続部１９ｂ上に開口２２ａを通して磁気接
続部２３ｂを形成し、１層目の薄膜コイル２１上に接続
孔２２ｃを通してコイル接続配線２３ｃを形成する。具
体的には、例えばスパッタリング法により高飽和磁束密
度材料からなる膜厚２．０μｍ〜３．０μｍの厚さの磁
極層を形成し、フォトレジストマスクを使用して磁極層
をアルゴンイオンミリングによってパターンニングする
ことにより、上部磁極先端部２３ａ、磁気接続部２３
ｂ、コイル接続配線２３ｃのそれぞれを形成することが
できる。また、上部磁極先端部２３ａ、磁気接続部２３
ｂ、コイル接続配線２３ｃのそれぞれはめっき法で形成
してもよい。そして、さらにこの上部磁極先端部２３ａ
の形成工程と同一形成工程において、上部磁極先端部２
３ａのスロートハイトＴＨが零の近傍位置に非磁性体領
域２００の貫通穴２３Ｈが形成される（図２２参照）。
つまり、貫通穴２３Ｈは上部磁極先端部２３ａ等のパタ
ーンニングと同時に形成することができる。磁気接続部
２３ｂは開口２２ａを通してかつ磁気接続部１９ｂを介
在させて下部磁極１８と磁気的に連結される。なお、フ
ォトレジストマスクの代わりにアルミナ等の無機系絶縁
膜で形成されたエッチングマスクを使用してもよい。
ャップ層２２上に上部磁極先端部２３ａを形成するとと
もに、磁気接続部１９ｂ上に開口２２ａを通して磁気接
続部２３ｂを形成し、１層目の薄膜コイル２１上に接続
孔２２ｃを通してコイル接続配線２３ｃを形成する。具
体的には、例えばスパッタリング法により高飽和磁束密
度材料からなる膜厚２．０μｍ〜３．０μｍの厚さの磁
極層を形成し、フォトレジストマスクを使用して磁極層
をアルゴンイオンミリングによってパターンニングする
ことにより、上部磁極先端部２３ａ、磁気接続部２３
ｂ、コイル接続配線２３ｃのそれぞれを形成することが
できる。また、上部磁極先端部２３ａ、磁気接続部２３
ｂ、コイル接続配線２３ｃのそれぞれはめっき法で形成
してもよい。そして、さらにこの上部磁極先端部２３ａ
の形成工程と同一形成工程において、上部磁極先端部２
３ａのスロートハイトＴＨが零の近傍位置に非磁性体領
域２００の貫通穴２３Ｈが形成される（図２２参照）。
つまり、貫通穴２３Ｈは上部磁極先端部２３ａ等のパタ
ーンニングと同時に形成することができる。磁気接続部
２３ｂは開口２２ａを通してかつ磁気接続部１９ｂを介
在させて下部磁極１８と磁気的に連結される。なお、フ
ォトレジストマスクの代わりにアルミナ等の無機系絶縁
膜で形成されたエッチングマスクを使用してもよい。
【０１１２】引き続き、上部磁極先端部２３ａをエッチ
ングマスクとして使用し、その周辺の記録ギャップ層２
２および下部磁極先端部１９ａの表面の一部分を自己整
合的にエッチングする。記録ギャップ層２２は塩素系ガ
スによるＲＩＥによりパターンニングされる。下部磁極
先端部１９ａは例えばアルゴンイオンミリングによって
パターンニングされ、下部磁極先端部１９ａの表面の約
０．３μｍ〜０．６μｍ程度の一部がエッチングにより
取り除かれる。この工程を行うことでトリム構造の記録
ヘッド部１Ｂを形成することができる。
ングマスクとして使用し、その周辺の記録ギャップ層２
２および下部磁極先端部１９ａの表面の一部分を自己整
合的にエッチングする。記録ギャップ層２２は塩素系ガ
スによるＲＩＥによりパターンニングされる。下部磁極
先端部１９ａは例えばアルゴンイオンミリングによって
パターンニングされ、下部磁極先端部１９ａの表面の約
０．３μｍ〜０．６μｍ程度の一部がエッチングにより
取り除かれる。この工程を行うことでトリム構造の記録
ヘッド部１Ｂを形成することができる。
【０１１３】続いて、上部磁極先端部２３ａ上、磁気接
続部２３ｂ上を含む基板全面に、例えばスパッタリング
法またはＣＶＤ法により、膜厚約０．３μｍ〜０．６μ
ｍの例えばアルミナからなる絶縁層２０ｅを形成する。
この絶縁層２０ｅの形成により、絶縁層２０ｅの一部が
貫通穴２３Ｈ内部に非磁性体２０Ｎとして埋設され、貫
通穴２３Ｈおよび非磁性体２０Ｎを備えた非磁性体領域
２００が形成される（図２２参照。）。なお、非磁性体
領域２００の非磁性体２０Ｎには、後に形成される絶縁
層２０ｄと同一工程で形成され、絶縁層２０ｅを介在さ
せて貫通穴２３Ｈ内に埋設される絶縁層を含めてもよ
い。
続部２３ｂ上を含む基板全面に、例えばスパッタリング
法またはＣＶＤ法により、膜厚約０．３μｍ〜０．６μ
ｍの例えばアルミナからなる絶縁層２０ｅを形成する。
この絶縁層２０ｅの形成により、絶縁層２０ｅの一部が
貫通穴２３Ｈ内部に非磁性体２０Ｎとして埋設され、貫
通穴２３Ｈおよび非磁性体２０Ｎを備えた非磁性体領域
２００が形成される（図２２参照。）。なお、非磁性体
領域２００の非磁性体２０Ｎには、後に形成される絶縁
層２０ｄと同一工程で形成され、絶縁層２０ｅを介在さ
せて貫通穴２３Ｈ内に埋設される絶縁層を含めてもよ
い。
【０１１４】続いて、図２２に示したように、絶縁層２
０ｅ上において上部磁極先端部２３ａと磁気接続部２３
ｂとの間の凹部領域に、例えば電解めっき法により例え
ばＣｕよりなる２層目の薄膜コイル２４を例えば１．０
μｍ〜２．０μｍの厚み、コイルピッチ１．２μｍ〜
２．０μｍで形成する。
０ｅ上において上部磁極先端部２３ａと磁気接続部２３
ｂとの間の凹部領域に、例えば電解めっき法により例え
ばＣｕよりなる２層目の薄膜コイル２４を例えば１．０
μｍ〜２．０μｍの厚み、コイルピッチ１．２μｍ〜
２．０μｍで形成する。
【０１１５】（７）２層目の薄膜コイル２４上を含む基
板全面に、例えばスパッタリング法またはＣＶＤ法によ
り、膜厚約３μｍ〜４μｍの例えばアルミナからなる絶
縁層２０ｄを形成する。なお、この絶縁層２０ｄや絶縁
層２０ｅは、アルミナに限らず、ＳｉＯ2 やＳｉ3 Ｎ4
等の他の絶縁材料により形成してもよい。続いて、上部
磁極先端部２３ａおよび磁気接続部２３ｂの表面が露出
するように、例えばＣＭＰ法により絶縁層２０ｄおよび
絶縁層２０ｅを取り除き、絶縁層２０ｅ、２０ｄのそれ
ぞれの表面と上部磁極先端部２３ａ、磁気接続部２３ｂ
のそれぞれの表面とが同一面を構成するように平坦化さ
れる。
板全面に、例えばスパッタリング法またはＣＶＤ法によ
り、膜厚約３μｍ〜４μｍの例えばアルミナからなる絶
縁層２０ｄを形成する。なお、この絶縁層２０ｄや絶縁
層２０ｅは、アルミナに限らず、ＳｉＯ2 やＳｉ3 Ｎ4
等の他の絶縁材料により形成してもよい。続いて、上部
磁極先端部２３ａおよび磁気接続部２３ｂの表面が露出
するように、例えばＣＭＰ法により絶縁層２０ｄおよび
絶縁層２０ｅを取り除き、絶縁層２０ｅ、２０ｄのそれ
ぞれの表面と上部磁極先端部２３ａ、磁気接続部２３ｂ
のそれぞれの表面とが同一面を構成するように平坦化さ
れる。
【０１１６】続いて、例えば上部磁極先端部２３ａと同
じ材料を用いて、例えば電解めっき法やスパッタリング
法等により、上部磁極層２５を約２μｍ〜３μｍの厚み
に形成する。この上部磁極層２５は磁気接続部２３ｂ、
磁気接続部１９ｂのそれぞれを通して下部磁性層１８に
磁気的に連結される。上部磁極層２５を形成することに
より、記録ヘッド部１Ａが完成する。
じ材料を用いて、例えば電解めっき法やスパッタリング
法等により、上部磁極層２５を約２μｍ〜３μｍの厚み
に形成する。この上部磁極層２５は磁気接続部２３ｂ、
磁気接続部１９ｂのそれぞれを通して下部磁性層１８に
磁気的に連結される。上部磁極層２５を形成することに
より、記録ヘッド部１Ａが完成する。
【０１１７】（８）最後に、前述の図１７に示したよう
に、上部磁極２５上を含む基板全面に、例えばスパッタ
リング法によりアルミナよりなる膜厚約３０μｍのオー
バーコート層２６を形成する。この後、スライダ機械加
工を行い、記録ヘッド部１Ａおよび再生ヘッド部１Ｂの
トラック面（エアベアリング面）を形成することによ
り、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを完成させるこ
とができる。
に、上部磁極２５上を含む基板全面に、例えばスパッタ
リング法によりアルミナよりなる膜厚約３０μｍのオー
バーコート層２６を形成する。この後、スライダ機械加
工を行い、記録ヘッド部１Ａおよび再生ヘッド部１Ｂの
トラック面（エアベアリング面）を形成することによ
り、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを完成させるこ
とができる。
【０１１８】図２４には一例のデザイン寸法を付した本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを示す。図２４中、
（Ａ）は薄膜磁気ヘッドの平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＸ
ＸＩＶＢ−ＸＸＩＶＢ切断線で切った薄膜磁気ヘッドの
要部断面図である。図２４に示す薄膜磁気ヘッドは、前
述のように記録ヘッド部１Ａの上部磁極先端部２３ａで
あってスロートハイトＴＨが零の近傍に非磁性体領域２
００を備えており、２００ＭＨｚ〜３００ＭＨｚの高周
波帯域と２０ＭＨｚ〜３０ＭＨｚの低周波帯域とで磁気
的な実効書き込みトラック幅の違いを極力減少できるよ
うになっている。
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを示す。図２４中、
（Ａ）は薄膜磁気ヘッドの平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＸ
ＸＩＶＢ−ＸＸＩＶＢ切断線で切った薄膜磁気ヘッドの
要部断面図である。図２４に示す薄膜磁気ヘッドは、前
述のように記録ヘッド部１Ａの上部磁極先端部２３ａで
あってスロートハイトＴＨが零の近傍に非磁性体領域２
００を備えており、２００ＭＨｚ〜３００ＭＨｚの高周
波帯域と２０ＭＨｚ〜３０ＭＨｚの低周波帯域とで磁気
的な実効書き込みトラック幅の違いを極力減少できるよ
うになっている。
【０１１９】以上説明したように、本実施の形態の薄膜
磁気ヘッドによれば、第３の実施の形態と同様に、上部
磁極先端部２３ａに、つまりスロートハイトＴＨが零の
近傍に非磁性体領域２００を備えているので、上部磁極
先端部２３ａや上部磁極２５に流れる磁束を最適に制御
することができる。
磁気ヘッドによれば、第３の実施の形態と同様に、上部
磁極先端部２３ａに、つまりスロートハイトＴＨが零の
近傍に非磁性体領域２００を備えているので、上部磁極
先端部２３ａや上部磁極２５に流れる磁束を最適に制御
することができる。
【０１２０】（第５の実施の形態）本発明の第５の実施
の形態は、第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド（上
部磁極先端部と上部磁極とが同一の１層の磁性層で形成
される場合）において、上部磁極２３の平面形状を代え
た構成としたものである。図２５（Ａ）は本発明の第５
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける記録ヘッド
部の上部磁極の平面図、図２５（Ｂ）は図２５（Ａ）に
示す上部磁極の製造マスクの平面図をそれぞれ表してい
る。
の形態は、第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド（上
部磁極先端部と上部磁極とが同一の１層の磁性層で形成
される場合）において、上部磁極２３の平面形状を代え
た構成としたものである。図２５（Ａ）は本発明の第５
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける記録ヘッド
部の上部磁極の平面図、図２５（Ｂ）は図２５（Ａ）に
示す上部磁極の製造マスクの平面図をそれぞれ表してい
る。
【０１２１】図２５（Ａ）に示したように、本実施の形
態においては、上部磁極先端部２３ａに向かって徐々に
幅が狭くなるように、オーバーライト改善部２３Ａｂ，
２３Ａａのそれぞれが上部磁極２３に配設されている。
オーバーライト改善部２３Ａｂは上部磁極２３の幅Ｗ２
よりも小さい幅Ｗ４に設定されている。オーバーライト
改善部２３Ａｂのトラック面側には例えば３０〜６０度
の範囲で面取りが施されており、さらに幅が絞り込まれ
ている（磁束が集束する）。オーバーライト改善部２３
Ａａはオーバーライト改善部２３Ａｂの幅Ｗ４よりも小
さい幅Ｗ５に設定されている。オーバーライト改善部２
３Ａａのトラック面側にはほぼ円弧に近い滑らかな曲率
の面取りが施されており、さらにトラック幅と一致する
まで幅が絞り込まれている。
態においては、上部磁極先端部２３ａに向かって徐々に
幅が狭くなるように、オーバーライト改善部２３Ａｂ，
２３Ａａのそれぞれが上部磁極２３に配設されている。
オーバーライト改善部２３Ａｂは上部磁極２３の幅Ｗ２
よりも小さい幅Ｗ４に設定されている。オーバーライト
改善部２３Ａｂのトラック面側には例えば３０〜６０度
の範囲で面取りが施されており、さらに幅が絞り込まれ
ている（磁束が集束する）。オーバーライト改善部２３
Ａａはオーバーライト改善部２３Ａｂの幅Ｗ４よりも小
さい幅Ｗ５に設定されている。オーバーライト改善部２
３Ａａのトラック面側にはほぼ円弧に近い滑らかな曲率
の面取りが施されており、さらにトラック幅と一致する
まで幅が絞り込まれている。
【０１２２】本実施の形態では、非磁性体領域２００
は、オーバーライト改善部２３Ａｂの幅方向中央部に配
設されている。非磁性体領域２００の平面形状は、オー
バーライト改善部２３Ａｂの平面形状の相似形状に近い
形状で形成されており、トラック面側が面取りされた方
形形状で形成されている。
は、オーバーライト改善部２３Ａｂの幅方向中央部に配
設されている。非磁性体領域２００の平面形状は、オー
バーライト改善部２３Ａｂの平面形状の相似形状に近い
形状で形成されており、トラック面側が面取りされた方
形形状で形成されている。
【０１２３】このような上部磁極２３は、図２５（Ｂ）
に示す製造マスク（レチクルまたはフォトマスク）４０
を使用したフォトリソグラフィにより形成することがで
きる。製造マスク４０は、例えばポジティブタイプのフ
ォトレジスト膜を使用する場合、透明ガラス基板４１
と、この透明ガラス基板４１上の例えばクロム（Ｃｒ）
からなる遮蔽膜４２とを備えて構成されている。遮蔽膜
４２においては、オーバーライト改善部２３Ａａの滑ら
かな曲率の面取りを形成するために、パターンの転写ぼ
けを考慮してくさび形状のような遮光パターン４１Ａが
形成されている。なお、遮光パターン４１Ｈは非磁性体
領域２００、詳細にはその貫通穴２３Ｈのパターンを転
写するための遮光パターンである。
に示す製造マスク（レチクルまたはフォトマスク）４０
を使用したフォトリソグラフィにより形成することがで
きる。製造マスク４０は、例えばポジティブタイプのフ
ォトレジスト膜を使用する場合、透明ガラス基板４１
と、この透明ガラス基板４１上の例えばクロム（Ｃｒ）
からなる遮蔽膜４２とを備えて構成されている。遮蔽膜
４２においては、オーバーライト改善部２３Ａａの滑ら
かな曲率の面取りを形成するために、パターンの転写ぼ
けを考慮してくさび形状のような遮光パターン４１Ａが
形成されている。なお、遮光パターン４１Ｈは非磁性体
領域２００、詳細にはその貫通穴２３Ｈのパターンを転
写するための遮光パターンである。
【０１２４】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよび
その製造方法においては、第２の実施の形態と同様に、
上部磁極先端部２３ａの近傍の上部磁極２３に非磁性体
領域２００を備えるようにしたので、上部磁極先端部２
３ａや上部磁極２３に流れる磁束を最適に制御すること
ができる。さらに、本実施の形態では、上部磁極２３に
二段階に幅が狭くなるオーバーライト改善部２３Ａｂ、
２３Ａａのそれぞれを備えたので、上部磁極２３から上
部磁極先端部２３ａに流れる磁束を徐々に集束させるこ
とができ、磁束の流れをスムースにすることができる。
特に、オーバーライト改善部２３Ａｂ，２３Ａａのそれ
ぞれのトラック面側に面取りが施されているので、上部
磁極２３から上部磁極先端部２３ａに流れる磁束をより
自然に集束させることができ、磁束の流れをより一層ス
ムースにすることができる。
その製造方法においては、第２の実施の形態と同様に、
上部磁極先端部２３ａの近傍の上部磁極２３に非磁性体
領域２００を備えるようにしたので、上部磁極先端部２
３ａや上部磁極２３に流れる磁束を最適に制御すること
ができる。さらに、本実施の形態では、上部磁極２３に
二段階に幅が狭くなるオーバーライト改善部２３Ａｂ、
２３Ａａのそれぞれを備えたので、上部磁極２３から上
部磁極先端部２３ａに流れる磁束を徐々に集束させるこ
とができ、磁束の流れをスムースにすることができる。
特に、オーバーライト改善部２３Ａｂ，２３Ａａのそれ
ぞれのトラック面側に面取りが施されているので、上部
磁極２３から上部磁極先端部２３ａに流れる磁束をより
自然に集束させることができ、磁束の流れをより一層ス
ムースにすることができる。
【０１２５】（第６の実施の形態）本発明の第６の実施
の形態は、第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド（上
部磁極先端部と上部磁極とが別々の２層の磁性層で形成
される場合）において、上部磁極先端部２３ａの平面形
状を代えた構成としたものである。図２６（Ａ）、図２
７（Ａ）、図２８（Ａ）は本発明の第６の実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドにおける記録ヘッド部の上部磁極先
端部の平面図、図２６（Ｂ）、図２７（Ｂ）、図２８
（Ｂ）は上部磁極先端部の製造マスクの平面図、図２６
（Ｃ）、図２７（Ｃ）、図２８（Ｃ）は上部磁極先端部
を形成するためのフォトレジスト膜の平面図をそれぞれ
表すものである。
の形態は、第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド（上
部磁極先端部と上部磁極とが別々の２層の磁性層で形成
される場合）において、上部磁極先端部２３ａの平面形
状を代えた構成としたものである。図２６（Ａ）、図２
７（Ａ）、図２８（Ａ）は本発明の第６の実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドにおける記録ヘッド部の上部磁極先
端部の平面図、図２６（Ｂ）、図２７（Ｂ）、図２８
（Ｂ）は上部磁極先端部の製造マスクの平面図、図２６
（Ｃ）、図２７（Ｃ）、図２８（Ｃ）は上部磁極先端部
を形成するためのフォトレジスト膜の平面図をそれぞれ
表すものである。
【０１２６】まず、図２６（Ａ）に示す上部磁極先端部
２３ａには、トラック面に向かって徐々に幅が狭くなる
ように、オーバーライト改善部２３Ｂが配設されてい
る。オーバーライト改善部２３Ｂは、上部磁極先端部２
３ａの最大幅Ｗ６よりも小さい幅Ｗ７に設定されてい
る。オーバーライト改善部２３ＢはスロートハイトＴＨ
が零の位置からほぼ９０度に広がり、平面形状が方形形
状で形成されている。さらに、オーバーライト改善部２
３Ｂは全体的に角部が取れ丸みを帯びた平面形状で形成
されている。この上部磁極先端部２３ａは図２６（Ｂ）
に示す製造マスク４０で形成することができる。製造マ
スク４０は図２６（Ｃ）に示したようにフォトレジスト
膜５０に上部磁極先端部２３ａのパターンを転写し、こ
のパターンが転写されたフォトレジスト膜５０をマスク
として使用して図２６（Ａ）に示す上部磁極先端部２３
ａを形成することができる。
２３ａには、トラック面に向かって徐々に幅が狭くなる
ように、オーバーライト改善部２３Ｂが配設されてい
る。オーバーライト改善部２３Ｂは、上部磁極先端部２
３ａの最大幅Ｗ６よりも小さい幅Ｗ７に設定されてい
る。オーバーライト改善部２３ＢはスロートハイトＴＨ
が零の位置からほぼ９０度に広がり、平面形状が方形形
状で形成されている。さらに、オーバーライト改善部２
３Ｂは全体的に角部が取れ丸みを帯びた平面形状で形成
されている。この上部磁極先端部２３ａは図２６（Ｂ）
に示す製造マスク４０で形成することができる。製造マ
スク４０は図２６（Ｃ）に示したようにフォトレジスト
膜５０に上部磁極先端部２３ａのパターンを転写し、こ
のパターンが転写されたフォトレジスト膜５０をマスク
として使用して図２６（Ａ）に示す上部磁極先端部２３
ａを形成することができる。
【０１２７】図２７（Ａ）に示す上部磁極先端部２３ａ
には、トラック面に向かって徐々に幅が狭くなるよう
に、オーバーライト改善部２３Ｂが配設されている。オ
ーバーライト改善部２３Ｂのトラック面側には、第５の
実施の形態で説明したような滑らかな曲率の面取りが形
成されている。図２７（Ｂ）に示す製造マスク４０に
は、このような曲率の面取りを形成するために、くさび
形状のような遮光パターン４１Ａが形成されている。製
造マスク４０は図２７（Ｃ）に示したようにフォトレジ
スト膜５０に上部磁極先端部２３ａのパターンを転写
し、このパターンが転写されたフォトレジスト膜５０を
マスクとして使用して図２７（Ａ）に示す上部磁極先端
部２３ａを形成することができる。
には、トラック面に向かって徐々に幅が狭くなるよう
に、オーバーライト改善部２３Ｂが配設されている。オ
ーバーライト改善部２３Ｂのトラック面側には、第５の
実施の形態で説明したような滑らかな曲率の面取りが形
成されている。図２７（Ｂ）に示す製造マスク４０に
は、このような曲率の面取りを形成するために、くさび
形状のような遮光パターン４１Ａが形成されている。製
造マスク４０は図２７（Ｃ）に示したようにフォトレジ
スト膜５０に上部磁極先端部２３ａのパターンを転写
し、このパターンが転写されたフォトレジスト膜５０を
マスクとして使用して図２７（Ａ）に示す上部磁極先端
部２３ａを形成することができる。
【０１２８】図２８（Ａ）に示す上部磁極先端部２３ａ
には、トラック面に向かって徐々に幅が狭くなるよう
に、オーバーライト改善部２３Ｂが配設されている。オ
ーバーライト改善部２３Ｂのトラック面側には、図２７
（Ａ）に示す曲率よりも小さい曲率の面取りが形成され
ている。図２８（Ｂ）に示す製造マスク４０には、この
ような曲率の面取りを形成するために、先端が鋭角なく
さび形状のような遮光パターン４１Ｂが形成されてい
る。製造マスク４０は図２８（Ｃ）に示したようにフォ
トレジスト膜５０に上部磁極先端部２３ａのパターンを
転写し、このパターンが転写されたフォトレジスト膜５
０をマスクとして使用して図２８（Ａ）に示す上部磁極
先端部２３ａを形成することができる。
には、トラック面に向かって徐々に幅が狭くなるよう
に、オーバーライト改善部２３Ｂが配設されている。オ
ーバーライト改善部２３Ｂのトラック面側には、図２７
（Ａ）に示す曲率よりも小さい曲率の面取りが形成され
ている。図２８（Ｂ）に示す製造マスク４０には、この
ような曲率の面取りを形成するために、先端が鋭角なく
さび形状のような遮光パターン４１Ｂが形成されてい
る。製造マスク４０は図２８（Ｃ）に示したようにフォ
トレジスト膜５０に上部磁極先端部２３ａのパターンを
転写し、このパターンが転写されたフォトレジスト膜５
０をマスクとして使用して図２８（Ａ）に示す上部磁極
先端部２３ａを形成することができる。
【０１２９】本実施の形態では、第３の実施の形態と同
様に、上部磁極先端部２３ａの近傍の上部磁極２３に非
磁性体領域２００を備えるようにしたので、上部磁極先
端部２３ａや上部磁極２３に流れる磁束を最適に制御す
ることができる。さらに、本実施の形態では、上部磁極
先端部２３ａにオーバーライト改善部２３Ｂを備えたの
で、そこに十分な磁気ボリュームが確保され、上部磁極
先端部２３ａに流入する部分での磁束飽和を回避するこ
とができる。特に、図２７（Ａ）、図２８（Ａ）のそれ
ぞれに示すオーバーライト改善部２３Ｂは、トラック面
側に面取りが施されているので、上部磁極先端部２３ａ
に流れる磁束をより一層スムースに集束させることがで
きる。
様に、上部磁極先端部２３ａの近傍の上部磁極２３に非
磁性体領域２００を備えるようにしたので、上部磁極先
端部２３ａや上部磁極２３に流れる磁束を最適に制御す
ることができる。さらに、本実施の形態では、上部磁極
先端部２３ａにオーバーライト改善部２３Ｂを備えたの
で、そこに十分な磁気ボリュームが確保され、上部磁極
先端部２３ａに流入する部分での磁束飽和を回避するこ
とができる。特に、図２７（Ａ）、図２８（Ａ）のそれ
ぞれに示すオーバーライト改善部２３Ｂは、トラック面
側に面取りが施されているので、上部磁極先端部２３ａ
に流れる磁束をより一層スムースに集束させることがで
きる。
【０１３０】（第７の実施の形態）本発明の第７の実施
の形態は、第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド（上
部磁極先端部と上部磁極とが同一の１層の磁性層で形成
される場合）において、上部磁極２３の平面形状を代え
た構成としたものである。図２９（Ａ）は本発明の第７
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部断面図、図２
９（Ｂ）は図２９（Ａ）に示す薄膜磁気ヘッドの記録ヘ
ッド部の平面図をそれぞれ表している。
の形態は、第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド（上
部磁極先端部と上部磁極とが同一の１層の磁性層で形成
される場合）において、上部磁極２３の平面形状を代え
た構成としたものである。図２９（Ａ）は本発明の第７
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部断面図、図２
９（Ｂ）は図２９（Ａ）に示す薄膜磁気ヘッドの記録ヘ
ッド部の平面図をそれぞれ表している。
【０１３１】図２９（Ａ），（Ｂ）に示したように、本
実施の形態では、上部磁極先端部２３ａに向かって徐々
に幅が狭くなるように、オーバーライト改善部２３Ａ
ｂ，２３Ａａのそれぞれが上部磁極２３に配設されてい
る。オーバーライト改善部２３Ａｂと２３Ａｂとを合わ
せた平面形状は凸型形状で形成されている。
実施の形態では、上部磁極先端部２３ａに向かって徐々
に幅が狭くなるように、オーバーライト改善部２３Ａ
ｂ，２３Ａａのそれぞれが上部磁極２３に配設されてい
る。オーバーライト改善部２３Ａｂと２３Ａｂとを合わ
せた平面形状は凸型形状で形成されている。
【０１３２】非磁性体領域２００はオーバーライト改善
部２３Ａｂの幅方向中央部に配設されており、非磁性体
領域２００の平面形状はオーバーライト改善部２３Ａ
ｂ，２３Ａｂを合わせた凸型形状の相似形状に近い形状
で形成されている。
部２３Ａｂの幅方向中央部に配設されており、非磁性体
領域２００の平面形状はオーバーライト改善部２３Ａ
ｂ，２３Ａｂを合わせた凸型形状の相似形状に近い形状
で形成されている。
【０１３３】本実施の形態においては、第３の実施の形
態と同様に、上部磁極先端部２３ａの近傍の上部磁極２
３に非磁性体領域２００を備えるようにしたので、上部
磁極先端部２３ａや上部磁極２３に流れる磁束を最適に
制御することができる。
態と同様に、上部磁極先端部２３ａの近傍の上部磁極２
３に非磁性体領域２００を備えるようにしたので、上部
磁極先端部２３ａや上部磁極２３に流れる磁束を最適に
制御することができる。
【０１３４】以上複数の実施の形態を挙げて本発明を説
明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるもので
はなく種々変形可能である。例えば、上記実施の形態に
おいて、上部磁極先端部２３ａ、上部磁極層２５等は、
ＮｉＦｅ、ＦｅＮ、ＦｅＣｏＺｒ等の高飽和磁束密度材
料を用いる例について説明したが、本発明は、必ずしも
単層である必要はなく、２種類以上の高飽和磁束密度材
料を積層した構造としてもよい。
明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるもので
はなく種々変形可能である。例えば、上記実施の形態に
おいて、上部磁極先端部２３ａ、上部磁極層２５等は、
ＮｉＦｅ、ＦｅＮ、ＦｅＣｏＺｒ等の高飽和磁束密度材
料を用いる例について説明したが、本発明は、必ずしも
単層である必要はなく、２種類以上の高飽和磁束密度材
料を積層した構造としてもよい。
【０１３５】また、上記実施の形態では、アルミナ等の
絶縁層をスパッタリング法やＣＶＤ法で成膜する場合を
説明したが、本発明は表面の平坦性に優れたスピンオン
グラス法（Spin On Glass)膜を用いて形成するようにし
てもよい。
絶縁層をスパッタリング法やＣＶＤ法で成膜する場合を
説明したが、本発明は表面の平坦性に優れたスピンオン
グラス法（Spin On Glass)膜を用いて形成するようにし
てもよい。
【０１３６】さらに、上記実施の形態では、上部磁極２
３または上部磁極先端部２３ａの一部に非磁性体領域を
形成する場合について説明したが、下部磁極１８または
下部磁極先端部１９ａの一部に非磁性体領域を形成する
ようにしてもよい。
３または上部磁極先端部２３ａの一部に非磁性体領域を
形成する場合について説明したが、下部磁極１８または
下部磁極先端部１９ａの一部に非磁性体領域を形成する
ようにしてもよい。
【０１３７】さらに、上記実施の形態では、再生ヘッド
部と記録ヘッド部とを備えた複合型薄膜磁気ヘッドにつ
いて説明したが、本発明は、記録ヘッド部のみを備えた
薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。
部と記録ヘッド部とを備えた複合型薄膜磁気ヘッドにつ
いて説明したが、本発明は、記録ヘッド部のみを備えた
薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。
【０１３８】
【発明の効果】以上説明したように本発明の薄膜磁気ヘ
ッドまたはその製造方法によれば、上部磁性層の上部磁
極先端部と上部磁極とが別層として形成されており、上
部磁極先端部の一部に、穴部とこの穴部に埋設された非
磁性体とを含む非磁性体領域を設けるようにしたので、
この非磁性体領域を、磁束の流れに対する一種の障害物
として機能させることができるという効果を奏する。ま
た、磁束の流れを適正に制御するための非磁性体領域
を、穴部とこの穴部に埋設された非磁性体とで形成する
ことにより、高性能の薄膜磁気ヘッドを簡易な構造によ
り実現できるという効果を奏する。
ッドまたはその製造方法によれば、上部磁性層の上部磁
極先端部と上部磁極とが別層として形成されており、上
部磁極先端部の一部に、穴部とこの穴部に埋設された非
磁性体とを含む非磁性体領域を設けるようにしたので、
この非磁性体領域を、磁束の流れに対する一種の障害物
として機能させることができるという効果を奏する。ま
た、磁束の流れを適正に制御するための非磁性体領域
を、穴部とこの穴部に埋設された非磁性体とで形成する
ことにより、高性能の薄膜磁気ヘッドを簡易な構造によ
り実現できるという効果を奏する。
【０１３９】
【０１４０】さらに、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方
法によれば、磁束の流れを適正に制御する非磁性体領域
を、上部磁極先端部を形成する工程等と同一工程で形成
するようにした場合には、製造工程数を削減することが
できるという効果を奏する。
法によれば、磁束の流れを適正に制御する非磁性体領域
を、上部磁極先端部を形成する工程等と同一工程で形成
するようにした場合には、製造工程数を削減することが
できるという効果を奏する。
【図１】（Ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドの要部断面図（図２のＩＡ−ＩＡ切断線で切
った要部断面図）、（Ｂ）は本発明の第１の実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドの要部断面図（同図２に示すＩＢ
−ＩＢ切断線で切った要部断面図）である。
磁気ヘッドの要部断面図（図２のＩＡ−ＩＡ切断線で切
った要部断面図）、（Ｂ）は本発明の第１の実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドの要部断面図（同図２に示すＩＢ
−ＩＢ切断線で切った要部断面図）である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの記録ヘッド部の平面図である。
ドの記録ヘッド部の平面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る製造方法を説
明するための薄膜磁気ヘッドの工程断面図である。
明するための薄膜磁気ヘッドの工程断面図である。
【図４】図３に続く薄膜磁気ヘッドの工程断面図であ
る。
る。
【図５】図４に続く薄膜磁気ヘッドの工程断面図であ
る。
る。
【図６】図５に続く薄膜磁気ヘッドの工程断面図であ
る。
る。
【図７】図６に続く薄膜磁気ヘッドの工程断面図であ
る。
る。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの記録ヘッド部の平面図である。
ドの記録ヘッド部の平面図である。
【図９】（Ａ）は本発明の第３の実施の形態に係るトラ
ック面に垂直な切断線で切った薄膜磁気ヘッドの要部断
面図、（Ｂ）はトラック面に平行な切断線で切った薄膜
磁気ヘッドの要部断面図である。
ック面に垂直な切断線で切った薄膜磁気ヘッドの要部断
面図、（Ｂ）はトラック面に平行な切断線で切った薄膜
磁気ヘッドの要部断面図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係る製造方法を
説明するための薄膜磁気ヘッドの工程断面図である。
説明するための薄膜磁気ヘッドの工程断面図である。
【図１１】図１０に続く薄膜磁気ヘッドの工程断面図で
ある。
ある。
【図１２】図１１に続く薄膜磁気ヘッドの工程断面図で
ある。
ある。
【図１３】図１２に続く薄膜磁気ヘッドの工程断面図で
ある。
ある。
【図１４】図１３に続く薄膜磁気ヘッドの工程断面図で
ある。
ある。
【図１５】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの要部断面図である。
ッドの要部断面図である。
【図１６】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの効果を説明するための比較としての従来例の薄膜
磁気ヘッドの要部断面図である。
ッドの効果を説明するための比較としての従来例の薄膜
磁気ヘッドの要部断面図である。
【図１７】（Ａ）は本発明の第４の実施の形態に係るト
ラック面に垂直な切断線で切った薄膜磁気ヘッドの要部
断面図、（Ｂ）はトラック面に平行な切断線で切った薄
膜磁気ヘッドの要部断面図である。
ラック面に垂直な切断線で切った薄膜磁気ヘッドの要部
断面図、（Ｂ）はトラック面に平行な切断線で切った薄
膜磁気ヘッドの要部断面図である。
【図１８】本発明の第４の実施の形態に係る製造方法を
説明するための薄膜磁気ヘッドの工程断面図である。
説明するための薄膜磁気ヘッドの工程断面図である。
【図１９】図１８に続く薄膜磁気ヘッドの工程断面図で
ある。
ある。
【図２０】図１９に続く薄膜磁気ヘッドの工程断面図で
ある。
ある。
【図２１】図２０に続く薄膜磁気ヘッドの工程断面図で
ある。
ある。
【図２２】図２１に続く薄膜磁気ヘッドの工程断面図で
ある。
ある。
【図２３】図２２に続く薄膜磁気ヘッドの工程断面図で
ある。
ある。
【図２４】（Ａ）は本発明の第４の実施の形態に係る一
例のデザイン寸法を付した薄膜磁気ヘッドの平面図、
（Ｂ）は（Ａ）のＸＸＩＶＡ−ＸＸＩＶＡ切断線で切っ
た薄膜磁気ヘッドの要部断面図である。
例のデザイン寸法を付した薄膜磁気ヘッドの平面図、
（Ｂ）は（Ａ）のＸＸＩＶＡ−ＸＸＩＶＡ切断線で切っ
た薄膜磁気ヘッドの要部断面図である。
【図２５】（Ａ）は本発明の第５の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドにおける記録ヘッド部の上部磁極の平面
図、（Ｂ）は（Ａ）に示す上部磁極の製造マスクの平面
図である。
膜磁気ヘッドにおける記録ヘッド部の上部磁極の平面
図、（Ｂ）は（Ａ）に示す上部磁極の製造マスクの平面
図である。
【図２６】（Ａ）は本発明の第６の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドにおける記録ヘッド部の上部磁極先端部の
平面図、（Ｂ）は上部磁極先端部の製造マスクの平面
図、（Ｃ）は上部磁極先端部を形成するためのフォトレ
ジスト膜の平面図である。
膜磁気ヘッドにおける記録ヘッド部の上部磁極先端部の
平面図、（Ｂ）は上部磁極先端部の製造マスクの平面
図、（Ｃ）は上部磁極先端部を形成するためのフォトレ
ジスト膜の平面図である。
【図２７】（Ａ）は本発明の第６の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドにおける記録ヘッド部の他の例の上部磁極
先端部の平面図、（Ｂ）は上部磁極先端部の製造マスク
の平面図、（Ｃ）は上部磁極先端部を形成するためのフ
ォトレジスト膜の平面図である。
膜磁気ヘッドにおける記録ヘッド部の他の例の上部磁極
先端部の平面図、（Ｂ）は上部磁極先端部の製造マスク
の平面図、（Ｃ）は上部磁極先端部を形成するためのフ
ォトレジスト膜の平面図である。
【図２８】（Ａ）は本発明の第６の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドにおける記録ヘッド部のさらに他の例の上
部磁極先端部の平面図、（Ｂ）は上部磁極先端部の製造
マスクの平面図、（Ｃ）は上部磁極先端部を形成するた
めのフォトレジスト膜の平面図である。
膜磁気ヘッドにおける記録ヘッド部のさらに他の例の上
部磁極先端部の平面図、（Ｂ）は上部磁極先端部の製造
マスクの平面図、（Ｃ）は上部磁極先端部を形成するた
めのフォトレジスト膜の平面図である。
【図２９】（Ａ）は本発明の第７の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドの要部断面図、（Ｂ）は（Ａ）に示す薄膜
磁気ヘッドの記録ヘッド部の平面図である。
膜磁気ヘッドの要部断面図、（Ｂ）は（Ａ）に示す薄膜
磁気ヘッドの記録ヘッド部の平面図である。
【図３０】従来例の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明す
るための工程断面図である。
るための工程断面図である。
【図３１】図３０に続く工程断面図である。
【図３２】図３１に続く工程断面図である。
【図３３】図３２に続く工程断面図である。
【図３４】図３３に続く工程断面図である。
【図３５】図３４に続く工程断面図である。
【図３６】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの平面図であ
る。
る。
【符号の説明】
１１…基板、１８…下部磁極、１９ａ…下部磁極先端
部、２２…記録ギャップ層、２３ａ…上部磁極先端部、
２０ａ，２０ｂ，２０ｅ，２０ｄ…絶縁層、２１、２４
…薄膜コイル、２３，２５…上部磁極、２００…非磁性
体領域、２３Ｈ…貫通穴、２０Ｎ，２６Ｎ…非磁性体。
部、２２…記録ギャップ層、２３ａ…上部磁極先端部、
２０ａ，２０ｂ，２０ｅ，２０ｄ…絶縁層、２１、２４
…薄膜コイル、２３，２５…上部磁極、２００…非磁性
体領域、２３Ｈ…貫通穴、２０Ｎ，２６Ｎ…非磁性体。
Claims (12)
- 【請求項１】 記録媒体に対向する記録媒体対向面の
側の一部に、ギャップ層を介して対向する下部磁極先端
部および上部磁極先端部をそれぞれ含む、磁気的に互い
に連結された下部磁性層および上部磁性層と、前記下部
磁性層および上部磁性層の間に絶縁層を介して配設され
た薄膜コイルとを有し、前記上部磁性層が、さらに、前記上部磁極先端部に磁気
的に連結されると共に前記薄膜コイルの形成領域まで延
在する上部磁極を含み、かつ、前記上部磁極先端部と前
記上部磁極とが別層として形成されている 薄膜磁気ヘッ
ドであって、前記上部磁性層の前記上部磁極先端部 に、穴部とこの穴
部に埋設された非磁性体とを含む非磁性体領域を備えた
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記非磁性体領域は、前記上部磁極先
端部内における磁束の流れを制御するものであることを
特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記非磁性体領域は、絶縁体または導
電体を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に
記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記下部磁極先端部における、前記記
録媒体対向面と反対側の端縁位置は、前記絶縁層の前記
記録媒体対向面側の端縁位置と一致することを特徴とす
る請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記穴部は、前記上部磁極先端部の一
部領域を貫通して設けられていることを特徴とする請求
項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項６】 記録媒体に対向する記録媒体対向面の
側の一部に、ギャップ層を介して対向する下部磁極先端
部および上部磁極先端部をそれぞれ含む、磁気的に互い
に連結された下部磁性層および上部磁性層と、前記下部
磁性層および上部磁性層の間に絶縁層を介して配設され
た薄膜コイルとを有し、前記上部磁性層が、さらに、前記上部磁極先端部に磁気
的に連結されると共に 前記薄膜コイルの形成領域まで延
在する上部磁極を含み、かつ、前記上部磁極先端部と前
記上部磁極とが別層として形成されている 薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法であって、前記上部磁極先端部 を形成する工程と、前記上部磁極先端部 に穴部を形成する工程と、 前記穴部に非磁性体を埋設することにより、前記上部磁
極先端部に、前記穴部と前記非磁性体とを含む非磁性体
領域を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法。 - 【請求項７】 前記非磁性体領域を、それが前記上部
磁極先端部内における磁束の流れを制御可能であるよう
に形成することを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項８】 前記非磁性体領域を、それが絶縁体ま
たは導電体を含むように形成することを特徴とする請求
項６または請求項７に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項９】 前記下部磁極先端部における、前記記
録媒体対向面と反対側の端縁位置が、前記絶縁層の前記
記録媒体対向面側の端縁位置と一致するように、前記下
部磁極先端部を形成する ことを特徴とする請求項６ない
し請求項８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。 - 【請求項１０】 前記上部磁極先端部の一部領域を貫
通するように前記穴部を形成することを特徴とする請求
項６ないし請求項９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項１１】 記録媒体に対向する記録媒体対向面
の側の一部に、ギャップ層を介して対向する下部磁極先
端部および上部磁極先端部をそれぞれ含む、磁気的に互
いに連結された下部磁性層および上部磁性層と、前記下
部磁性層および上部磁性層の間に絶縁層を介して配設さ
れた薄膜コイルとを有し、前記上部磁性層が、さらに、前記上部磁極先端部に磁気
的に連結されると共に 前記薄膜コイルの形成領域まで延
在する上部磁極を含み、かつ、前記上部磁極先端部と前
記上部磁極とが別層として形成されている 薄膜磁気ヘッ
ドであって、前記上部磁性層の前記上部磁極先端部に、前記上部磁極
先端部 内における磁束の流れを制御するための磁束制御
部を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１２】 記録媒体に対向する記録媒体対向面
の側の一部に、ギャップ層を介して対向する下部磁極先
端部および上部磁極先端部をそれぞれ含む、磁気的に互
いに連結された下部磁性層および上部磁性層と、前記下
部磁性層および上部磁性層の間に絶縁層を介して配設さ
れた薄膜コイルとを有し、前記上部磁性層が、さらに、前記上部磁極先端部に磁気
的に連結されると共に前記薄膜コイルの形成領域まで延
在する上部磁極を含み、かつ、前記上部磁極先端部と前
記上部磁極とが別層として形成されている 薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法であって、前記上部磁極先端部 を形成する工程と、前記上部磁極先端部 に、磁束の流れを制御するための磁
束制御部を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26426399A JP3373181B2 (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US09/663,413 US6646828B1 (en) | 1999-09-17 | 2000-09-15 | Thin film magnetic head and method of manufacture the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26426399A JP3373181B2 (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001084513A JP2001084513A (ja) | 2001-03-30 |
| JP3373181B2 true JP3373181B2 (ja) | 2003-02-04 |
Family
ID=17400751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26426399A Expired - Fee Related JP3373181B2 (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6646828B1 (ja) |
| JP (1) | JP3373181B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3593497B2 (ja) * | 2000-11-08 | 2004-11-24 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US6927939B2 (en) * | 2003-01-30 | 2005-08-09 | Headway Technologies, Inc. | Thin-film magnetic head and method of manufacturing same |
| US8144425B2 (en) * | 2003-12-15 | 2012-03-27 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording head with compact yoke |
| JP2006221744A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Shinka Jitsugyo Kk | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ならびに磁気記録装置 |
| JP4316580B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2009-08-19 | 株式会社東芝 | 磁気記録装置およびサーボ情報記録方法 |
| JP2008034075A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-02-14 | Tdk Corp | 内部に非磁性層を含む磁性層を備えた薄膜磁気ヘッド |
| US7736823B1 (en) | 2007-05-11 | 2010-06-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing optical proximity correction for structures such as a PMR nose |
| US8068311B2 (en) * | 2008-02-29 | 2011-11-29 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic write head having a novel trailing return pole for reduced wide-area-track-erasure |
| US8305709B2 (en) * | 2008-08-08 | 2012-11-06 | Tdk Corporation | Perpendicular magnetic head and magnetic recording system having non-magnetic region in shield layer |
| US8559123B2 (en) * | 2010-06-14 | 2013-10-15 | Tdk Corporation | Magnetic recording device, magnetic recording method and magnetic recording medium for shingle write scheme |
| JP6283158B2 (ja) * | 2012-04-12 | 2018-02-21 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、及び、配線基板の製造方法 |
| US9036296B2 (en) | 2013-04-24 | 2015-05-19 | International Business Machines Corporation | Multiple writers with reduced crosstalk |
| JP7177161B6 (ja) * | 2018-02-19 | 2022-12-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 厚膜内の結晶化の開始を停めるためのスパッタエッチングを使用したｐｖｄ二酸化チタン形成 |
| US10818317B1 (en) * | 2019-07-02 | 2020-10-27 | Seagate Technology Llc | Multi-actuator data storage system |
| US11222655B1 (en) | 2020-10-15 | 2022-01-11 | Seagate Technology Llc | Recording head with writer HMS less than reader HMS |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5577024A (en) * | 1978-12-01 | 1980-06-10 | Fujitsu Ltd | Magnetic head |
| JPS61107515A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS61229221A (ja) * | 1985-04-02 | 1986-10-13 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS61237217A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-22 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS6358610A (ja) | 1986-08-28 | 1988-03-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| US4819111A (en) | 1986-08-29 | 1989-04-04 | Magnetic Peripheral Inc. | Thin film head with reduced cross section in the core for causing magnetic saturation in the leading leg's throat area |
| JPH01258211A (ja) | 1988-04-07 | 1989-10-16 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| US5075280A (en) * | 1988-11-01 | 1991-12-24 | Ampex Corporation | Thin film magnetic head with improved flux concentration for high density recording/playback utilizing superconductors |
| JPH02302916A (ja) | 1989-05-17 | 1990-12-14 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH0546965A (ja) * | 1991-08-15 | 1993-02-26 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 薄膜磁気ヘツド |
| JP2730447B2 (ja) * | 1993-04-30 | 1998-03-25 | 日本ビクター株式会社 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| JP3555204B2 (ja) * | 1994-11-25 | 2004-08-18 | 日本ビクター株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH11213329A (ja) | 1998-01-20 | 1999-08-06 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| JPH11353614A (ja) | 1998-06-08 | 1999-12-24 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘッド及びこれを用いた磁気記憶装置 |
| JPH11353616A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JP3474447B2 (ja) * | 1998-07-10 | 2003-12-08 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッド用素材およびその製造方法 |
| JP2000105907A (ja) | 1998-07-30 | 2000-04-11 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
-
1999
- 1999-09-17 JP JP26426399A patent/JP3373181B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-09-15 US US09/663,413 patent/US6646828B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6646828B1 (en) | 2003-11-11 |
| JP2001084513A (ja) | 2001-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000105907A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP3373181B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH11353616A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP3859398B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP3522595B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP3781399B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP3523092B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| US7379268B2 (en) | Thin-film magnetic head including non-magnetic layer for maintaining flatness of the top surface of pole portion layer | |
| US6320726B1 (en) | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same, and method of forming thin film coil | |
| US6578252B2 (en) | Method of manufacturing a thin film magnetic head | |
| JP3588287B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2000357307A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2001034911A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2001110009A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2001167408A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2001155309A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP3640916B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2002092822A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| US6665142B2 (en) | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same | |
| JP2001093113A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2002008207A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2000076617A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP3986292B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2001110006A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP3837084B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021111 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071122 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |