JPS6358610A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は基板上に磁性層、導体層および絶縁層がＦｌり
膜により形成されてなる薄膜磁気ヘッドに関し、特に詳
細にはギャップ層の一部であるギャップ部を所定の形状
および長さに製造することが容易な構造を備えたＦ７Ｉ
Ｊ摸磁気ヘッドに閏するものである。

（従来の技術） 近年、高密度記録を行なう磁気ヘッドとして、バルク型
の磁性材料を用いたバルクヘッドに代り、薄膜型の磁気
ヘッドが多く用いられようとしている。

これらの薄膜磁気ヘッドは、基板上に形成された下部磁
性層、この下部磁性層上に薄膜により形成され、後端が
下部磁性層に接するとともに前端が磁気ギ１１ツブ層を
介して下部磁性層に対向する上部磁性層、一部が下部磁
性層と上部磁性層の間を通る、薄膜により形成された導
体層、および両磁性層の間を通る導体層の周囲に薄膜に
より形成された絶縁層からなり、前記磁気ギャップ層の
一端が前面に露出して磁気記録媒体に対して）と接し、
記録、再生、消去を行なうことが可能なものとなってい
る。このような構造を備えた薄膜磁気ヘッドは一例とし
て第３図に示す工程により製造される。

すなわち、基板１１上にはまず下部磁性層１２が薄膜に
より形成され、下部磁性層１２上には第１絶縁層１３が
同じく薄膜により形成される（第３図（ａ　））。次に
第１絶縁層１３上に導体材料が簿膜により層成された後
エツチング等により蝕刻されて所定の形状の導体層１４
が形成される（同図（ｂ））。

導体層１４上には次いで第２絶縁層１５が薄膜により形
成され（同図（Ｃ））、この第２絶縁層１５の表面が平
坦化されて同図（ｄ　）に示す状態となる。

このように第２絶縁層１５を最上層として積層された積
層体は、同図（ｅ）に示すように、第１および第２絶縁
層１３．１５がテーバ形状にエツチングされて突出部１
８が形成される。このテーバエツチング終了後、絶縁材
料によりギャップ層１Ｇが形成され、このギＸ・ツブ層
１Ｇ上にはさらに上部磁性層が薄膜により形成される（
同図（ｆ））。

上記のように形成された簿膜磁気ヘッドにおいて、上下
磁性層１２．１７に挾持されたギャップ層１６の一部が
ギャップ部１６ａとなり、このギャップ部１６ａの長さ
応がギャップ深さとなる。またこのギャップ部１６ａは
一定の厚さを保ち、かつ後端が導体層１４に近接するよ
うに正しく形成される必要がある。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記のような構成の薄膜磁気ヘッドは、
第３図（ｅ）に示したテーバエツチングを行なうことに
よりギャップ部の後端の位置を決め、それによりギャッ
プ深さを規定するようになっているため、テーバエツチ
ングの状１ｒ５により、ギャップ部の後端の形状が変化
してしまい、所望の状態にギャップ部を形成することが
できないという問題がある。

すなわち、テーバエツチングはエツチング方向の先端部
分（本例においては下端部）の形状を厳密に調整するこ
とが難しく、この部分にはエツチングの過不足が生じ易
い。このため、例えば第４図（ａ　）に示すようにテー
バエツチングを行なう際にオーバーエツチングして下部
磁性層１２までエツチングしてしまった場合には、下部
磁性層１２の段差部分ではその上方に形成されるギャッ
プ層が第４図（ｂ）の円内に示すように細くなる。その
細った部分から磁束が漏れて磁気効率を大きく低下させ
てしまうという不都合が生じる。反対に第５図に示すよ
うにエツチングが不十分であると第１絶縁層１３の前端
の下部が長く延びてしまうため、ギャップ部を正しく規
定することができず、実質的なギャップ部と導体層の前
端とが離れてしまい、極めて磁気効率の悪い磁気ヘッド
になってしまうという問題がある。このように平坦な下
部磁性層のテーバエツチングされた突出部が形成されて
なる薄膜磁気ヘッドはギャップ部の長さがテーバエツチ
ングされた突出部の下端により決められることになるた
め性能上上記の問題が生じることがあり、製造時の歩留
りも悪くなるという不都合がある。

そこで本発明は、ギャップ部の後端を常に所定の形状と
しギャップ深さおよびギャップ部の形状を正しく作成す
ることの極めて容易な構造を備えた薄膜磁気ヘッドを提
供することを目的とするものである。

（問題点を解決するための手段） 本発明の薄膜磁気ヘッドは前述のような上部磁性層、下
部磁性層、導体層、絶縁層、およびギャップ層を備えて
なり、前記下部磁性層が前面から所定距離離れた位置に
表面加工により形成された凹部を備え、前記絶縁層およ
び導体層により形成され下部磁性層より上方に突出した
突出部を有し、この突出部の前端が前記凹部の前端より
後方にあって前記ギャップ層が前記前面から四部の一部
と重なる位置まで平坦な状態で形成されていることを特
徴とするものである。

（作　　用） 上記のような構造の薄膜磁気ヘッドにおいてはギャップ
層の一部であるギャップ部の後端は、下部磁性層に形成
された凹部の前端により規定される。この四部はエツチ
ング等の表面加工により形成されてなるものであり、こ
のような凹部を形成する表面加工においてはその上端は
通常所定の位置に所定の形状に形成することが容易であ
る。

また前記突出部はその前端が上記凹部の前端より後方に
あることがらギ１？ツブ部の長さは前面から上記四部の
前端までとなり、常に所望のギャップ長を正しく決める
ことができる。また突出部の前面がオーバーエツヂング
されたり、エツチングが不足である状態となっていても
ギャップ部の形状に悪影響が及ぶことはない。従って本
薄膜磁気ヘッドは常に磁気効率の良好な信頼性の高いも
のとなり、製造時にお【プる歩留りも高いものとなる。

（実　施　例） 以下、図面を参照して本発明の薄膜磁気ヘッドの実施例
について説明する。

第１図は本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドを示す
概略図である。

図示の薄膜磁気ヘッドは、フェライト等の磁性体あるい
は５ｆＯｚ等の非磁性体からなる基板１上に、パーマロ
イ、センダスト、アモルファス合金等の…性材料からな
る下部磁性層２および上部磁性１７、Ｓ　ｉ　０２　、
　Ａ　免ｚ　０３　’８カラ’ｊルｍ　１絶縁層３．第
２絶縁層５．およびギＶツブ層６゜Ａ９Ｊ、Ｃｕ等から
なる導体層４が適宜積層されて構成されている。前記下
部磁性層２はエツチング等の表面加工を施されることに
より、摺動面である前面から所定距離応だけ離れて凹部
２ａが形成されている。また前記第１絶縁層３および第
２絶縁層５をエツチングすることにより前記下部磁性層
２よりも上方に突出した突出部８が形成されており、こ
の突出部８の前端は前記凹部２ａの前端よりも後方に形
成されている。このような下部磁性層２に形成された凹
部２ａと前記突出部８との位置関係により、前記ギャッ
プ層６は、前面から凹部２ａの一部と重なる突出部８の
前端までが平坦な状態で形成されており、またギャップ
層６のうち、上下磁性層２．７により挾持されてなるギ
ャップ部６ａは前面から凹部２ａの前端までの部分とな
る。従つてギャップ部６ａの長さは前記距離ルと等しく
なり、凹部２ａの前端の位置によってギャップ長が決め
られることになる。凹部２ａは前述のようにエツチング
等の表面加工により形成されたものであり、凹部２ａの
前端のうらその上端部（第１図中円Ａで示市部分）は所
望の形状にシャープに形成されたものとなっている。ま
た凹部２ａを形成する際にエツチングに過不足が生じて
前端のうちの下端部（第１図中円Ｂで示す部分）が所定
の形状にならなくてもギャップ部６ａには支障がなく、
また前記突出部８を形成する際のエツチングの過不足も
ギャップ部６ａには影響がない。従ってギャップ部６ａ
は常に所定の長さおよび形状に形成されるようになり、
薄膜磁気ヘッドは常に良好な磁気特性を有するものとな
る。

以下、第２図を参照して本実施例の薄膜磁気ヘッドの製
造プロセスの具体例について説明する。

前記基板１上には第２図＜ａ　＞に示すように前記下部
磁性層２がスパッタリング等により形成され、この下部
磁性層２はエツチング等の表面加工を施されることによ
り破線で示す部分が蝕刻され凹部２ａが形成される。次
いで下部磁性層２上には、同図（ｂ　）に示すように絶
縁材料がスパッタリング等により層成され、さらに図中
破線で示す位置まで平坦に加工されることにより前記第
１絶縁層３が形成される。この第１絶縁唐３上には導体
材料がスパッタリング等により成膜された後エツチング
により蝕刻されて導体層４が形成される（同図（Ｃ））
。この導体層４上にはさらに第２絶縁層５が形成され（
同図（ｄ））、この第２絶縁層５の表面が図中破線で示
す位置まで平坦に加工された後、これらの積層体は同図
（ｅ）に破線で示すようにエツチングが施され、前記突
出部８が形成される。この突出部８を形成するためのエ
ツチングは図示のように下部磁性層にかけて行なうよう
にすれば突出部８の前後にある第１絶縁層３を確実に除
去することができるのが好ましい。また溜動面側部分の
エツチングは、前記凹部２ａの前端を過ぎた位置で適宜
終わらせればよく、多少のエツチングの過不足は問題に
ならないため、失敗な（容易に行なうことができる。こ
のように突出部８の形成された積層体上には第２図（ｆ
）に示ずように前記ギャップ層６が所定厚さに層成され
、このギャップ層６のうち、後方の下部磁性層２上に層
成された部分を除去した後、同図（９）に示すように上
部磁性層がスパッタリング等により形成されてＦＩＪＩ
！！磁気ヘッドが得られる。このようにして１！７られ
た薄膜磁気ヘッドは、前述のようにギャップ部６ａが常
に所定の位置まで所定の形状で形成されたものとなり、
磁気効率の高いものとなる。

なお、本発明の薄膜磁気ヘッドの具体的な構造は第１図
に示したものに限られるものではなく、例えば導体層は
２層以上形成されていてもよい。

また基板を強磁性体からなるものとし、この基板に下部
磁性層としての開開を併せ持たせ、かかる層に凹部を形
成するようにしてもよい。さらに、本薄膜磁気ヘッドは
下部磁性層が直接表面加工されることにより形成された
凹部を有し、また突出部およびギャップ層が上述した構
造のものとなっていれば、上述した製造工程以外の工程
によって製造されたものであってもよい。

（発明の効果） 以上説明したように本発明のＦａｌｌＱｔａ気ヘッドに
よれば、下部磁性層に凹部を形成し、この凹部の前端に
よりギャップ部の終点を規定したことにより、エツチン
グの過不足によりギャップ部の長さや形状が変動してし
まうという不都合を回避し、所定の長さおよび形状のギ
ャップ部を有するように容易に製造することが可能なも
のとなる。従って本発明によれば薄膜磁気ヘッドの磁気
効率を上げその信頼性を高めることができるとともに、
製造時における歩留りを向上させることもできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による′ａ膜磁気ヘッドを示
す断面図、 第２図＜ａ　＞〜（ｇ）は上記薄膜磁気ヘッドの製造工
程の一例を示す断面図、 第３図（ａ　）〜（ｆ　）は従来の薄膜磁気ヘッドの製
造工程を示す断面図、 第４図（ａ）、（ｂ）および第５図は従来の薄膜磁気ヘ
ッドの問題点を説明するための断面図である。 ２・・・下部磁性層　　　　２ａ・・・凹　　　部３・
・・第１絶縁層　　　　４・・・導　体　層５・・・第
２絶縁層　　　　６・・・ギャップ層６ａ・・・ギャッ
プ部　　　　７・・・上部磁性層８・・・突　出　部 第２−図 第２図 第３図 ０口 第４図 第５図 （自発）手続ネｍ装置 １．事件の表示 特願昭６１−２０２５６４号 ２、発明の名称 薄ｐＩＡ磁気ヘッド ３、補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 任　所　　　神奈川県南足柄市中沼２１０番地名　称　
　　　富士写真フィルム株式会社４、代理人 〒１６０東京都港区六本木５−２−１ ９、添付書類　　　　図　面　　　　　　　　　　　　
　１通第３図 上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 下部磁性層、該下部磁性層上に薄膜により形成され、後
   端が該下部磁性層に接するとともに前端が磁気ギャップ
   層を介して該下部磁性層に対向する上部磁性層、一部が
   前記下部磁性層と前記上部磁性層の間を通る、薄膜によ
   り形成された導体層、および両磁性層の間を通る導体層
   の周囲に薄膜により形成された絶縁層からなり、前記磁
   気ギャップ層の一端が前面に露出して磁気記録媒体に対
   して摺接することの可能な薄膜磁気ヘッドにおいて、前
   記下部磁性層が前記前面から所定距離離れた位置に表面
   加工により形成された凹部を備え、前記絶縁層および導
   体層により形成された、該下部磁性層より上方に突出し
   た突出部を有し、この突出部の前端が前記凹部の前端よ
   り後方にあって前記磁気ギャップ層が前記前面から前記
   凹部の一部と重なる位置まで平坦な状態で形成されてい
   ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。