JPH05501781A - 磁気記録用書き込みおよび／または読み取りヘツドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 磁気記録用書き込みおよび／または読み取りヘットの製造方法 技術分野 本発明は、磁気読み取りおよび／または書き込みヘッドを製造する方法に関する 。本発明は主として一般大衆用ビデオ記録のヘッドの製造に向けられる。しかし なから、本発明は、もちろんコンピュータメモリの製造のごとき他の分野におい て使用されることができる。

従来の技術 ビデオ設備またはコンピュータメモリ用の磁気記録支持体はそれに情報が磁区の 形で書き込まれる多数のトラックを有する。

記録される情報量を増大するために、長さ単位当たりの情報の数だけでなく、ま たトラックの数が増加される。

このため、トラックの幅が減少され、かつトラック間の間隔が隣接するまで減少 される。２つの隣接するトラックに関する情報の混信を回避するために、情報は 好ましくは各トラック上に傾斜方法において書き込まれ、傾斜（またはアジマス ）は連続するトラック間で反対になっている。読み取りおよび書き込みヘッドは この場合にその傾斜が書き込まれるべきトラックまたはヘッドの関数である傾斜 ギャップを有する。かくして、「アジマス」は前記ギャップに関して該ギャップ の平面と記録支持体の一般的な方向に対して垂直な平面であるヘットの横方向面 との間の角度であるとして定義される。

ビデオ記録用の直線または傾斜ギャップヘッドは磁極片の直線または斜めの機械 加工により機械的に得られる。

かかる方法は、化オランダのワイ・サクライにより発行された、１９８３年のジ ャレフト（ＪＡＲＥＣＴ）、第１０巻、第１１章、１２１ないし１３３ページの 「最近のエレクトロニクス用磁性物質」に詳細に説明されている。

しかしなから、この製造方法は１０ミクロン以下の幅を有するギャップの獲得を 可能としない欠点かあり、この欠点は読み取りまたは書き込まれることかできる 情報密度を著しく減少する。

しかしながら、狭いギャップの獲得を可能にする磁気ヘッドの製造方法か知られ ている。これらの方法は薄膜蒸着およびエツチング方法を使用する。かかる方法 は例えばヨーロッパ特許第２６２０２８号に記載されている。

これらの方法において、ギャップがそれに形成される上方磁気片は、それか製造 されるフィルムの１っであるため、必然的に限定された幅を有する。一般に、こ の厚さは５ミクロン以下である。記録支持体か前記磁気片で擦れるならば、結果 として生じる回避不能な磨耗か前記磁気片を急速に破壊する。

それゆえ、かかるヘッドは該ヘッドと記録支持体か互いに接触しない装置にのみ 使用されることができる。したかつて、それらはビデオ記録用には使用できない 。

しかしなから、この欠点を回避する薄膜ヘッドの製造方法が知られている。これ らの方法はまたフィルム蒸着を使用するが、得られたヘッドは縁部に作用し、そ の結果磨耗は、フィルムの厚さにてなく最大の寸法に影響を及ぼす。この場合に 、記録支持体はフィルムの平面に対してもはや平行ではないかそれに代えて垂直 である。特願平１−８８９０９号に対応する１９８９年７月２０日の日本国特許 抄録、第１３巻、第３２２号（Ｐ−９０２−３６７０）はかかる方法を記載して いる。この書類によれば、出発製品はガラス基板であり、該基板上に例えばタン グステンからなる導電性被覆が堆積され、これに例えばＦｅ−Ｎｉからなる磁気 被覆の電着による形成か続き、前記磁気被覆の１部分は次いで基板の垂線に対し て平行または傾斜される上昇部分を形成するようにエツチングされ、次いで堆積 が５ｉＯｚのごとき非磁性材料被覆のスパッタリングにより行われ、非磁性材料 被覆はそれを上昇部分に単に残すようにエツチングされ、これに電極として導電 性被覆を使用する第２磁性被覆の形成か続きかつ次いで完全な統一体が平面化さ れる。これはＳ　ｉ　Ｏｔに対応するギャップにより分離された磁気片を付与す る。例えば、Ａｌ２Ｏ，からなる保護フィルムがそれに堆積される。統一体内に は孔が作られかつコイルかそれを通ってかつ磁気片のまわりに形成される。

幾つかの態様において満足するけれとも、この方法はまた欠点かある。かくして 、その形状、その厚さおよび適切ならば、その傾斜に関してのギャップの定義は 精確を欠いている。これはギャップか該ギャップの方向に関してかつほぼ０．　 ２ミクロンでなければならないその厚さに関して必要な精度の獲得を可能にしな い磁気被覆のエツチング作業およびスパッタリング作業から生しるということに よる。

発明の開示 本発明の目的はこれらの欠点を回避することである。

このために、本発明は、ビデオ記録に関連付けられる磨耗の問題を回避しながら 、その方向（直線または傾斜いずれても）およびその厚さの両方において、ギャ ップの定義の最大の精度を導く方法を提供する。

本発明によれば、これらの結果はその使用がギャップの縁部を画成するために種 々の結晶面についてなされる単結晶基板の使用により達成される。このために、 異方性エツチングか、その直線または傾斜方向が完全に定義される表面を得るた めに基板に行われる。前記表面上には、その厚さが酸化過程を通して厳密に制御 されることができる非磁性被覆を形成するために基板の熱酸化が実施される。こ れは完全に定義されたギャップを付与する。

その場合に、前記ギャップの両側には、単に、ギャップを取り囲みかつ磁気回路 を構成する２つの磁気被覆を形成することを要する。

本発明は、より詳細には、基板により出発して、該基板上に磁気被覆を含む薄い 被覆か堆積され、磁気回路かギャップにより形成され、磁気回路の中心に被覆の 平面に対して垂直に向けられた開口か形成され、導電性ワイヤか前記開口を有す る磁気回路のまわりに巻回され、得られたヘッドが被覆の平面に対して垂直な平 面内のギャップの前方に置かれた磁気記録支持体と協働するのに役立つ、磁気記 録用の読み取りおよび／または書き込みヘッドの製造方法において、該方法が、 そのギャップにより磁気回路を得るために、 結晶面を有する単結晶基板が使用され、該基板が第１結晶面にしたがって方向付 けられた前面および後面を有し、 単結晶基板の前面が下方段部、上昇部分、上方段部を得るために異方性エツチン グを受け、上昇部分が基板の前面に対応する第１結晶面と一定の角度を形成する 第２結晶面にしたがってエツチングされ、 基板の少なくとも上昇部分が、該上昇部分を被覆する酸化物壁を生じさせる熱酸 化を受け、 上方段部がエツチングされ、 磁気被覆か前記酸化物壁の両側に堆積され、前記磁気被覆はそれに前記酸化物壁 により構成されるギャップを有する磁気回路の形状を付与するためにエツチング されることを特徴とする磁気記録用読み取りおよび／または書き込みヘッドの製 造方法に関する。

上述した日本国特許抄録に記載された従来技術に比べて、それはギャップを画成 するためにエツチングされる磁気被覆ではなく、非常に精確である単結晶基板で ある。

本発明による方法は、ギャップか傾斜されるかまたは真っ直ぐである（すなわち 、アジマスが有るかまた無いか）かの結果として、種々の変形により実施される ことかできる。ギャップか傾斜されるとき、多数の変形かめられる傾斜が単結晶 基板の異方性エツチングの間にすぐに付与されるか、または一定の傾斜によるヘ ッドへの嵌合を可能にする基板の後面の異方性エツチングにより工程の終わりに 得られるかの結果として可能である。好ましくは、単結晶基板の使用はシリコン からなる。

本発明はまたヘッドの集合的な処理およびとくに例えば、レーザ孔明は工程を許 容する種々の配置を提供する。

図面の簡単な説明 本発明を非限定的な実施例に関連してかつ添付図面を参照して以下により詳細に 説明する。

第１ａ図ないし第１ｃ図はシリコンの種々の結晶面を示す。

第２ａ図ないし第２１図は本発明による方法の第１変形例による作業シーケンス を略示する。

第３図は本発明により得られたヘッドを示す斜視図である。

第４ａ図ないし第４ｄ図は傾斜されたギャップを有しかつ基板の後面の異方性エ ツチングにょるるヘッドの製造の種々の工程を示す。

第５ａ図ないし第５ｅ図は基板の傾斜エツチングによる他の変形例による作業シ ーケンスを略示する。

第６ａ図ないし第６ｇ図は他の変形例による作業シーケンスを略示する。

第７図は基板および上層を有するヘッドの集合的な処理装置を示す平面図である 。

第８図は基板−磁気回路一上層横体のレーザによる孔明けを示す断面図である。

発明を実施するための好適な形態 第１ａ図は１１１結晶面にしたかって２つの異方性エツチングを有する１００方 向シリコン基板を示す。基板の平面との前記平面の角度ａは５４．７°　（すな わち基板に対する垂線と３５．３°）である。第１ｂ図は基板平面に対して垂直 な１ｆ１平面にしたがって２つの異方性エツチングを有する！１０方向シリコン 基板を示す。

最後に、第１ｃ図は２１１方向シリコン基板および一方か１ｆ１平面にしたかい かつ他方が１ｆ１平面にしたがう２つの異方性エツチングを示す。

結晶面の他の種々の方向付けおよび前記面の組み合わせか可能でありかつ本発明 は図示平面の使用に限定されない。１５ないし２５°の間の角度だけ傾斜された ギャップを存するヘッドを得たいならば、例えば第１Ｃ図の２１１方向基板を使 用することができる。直線のギャップを有するｌ＼ラッド関して、１１０方向基 板および１ｆ１平面にしたかう異方性エツチングを有する第１ｂ図の配置を使用 することができる。

第２ａ図ないし第２１図は本発明による磁気ヘッドを製造する方法の種々の工程 を説明する。

まず、第２ａ図において、複数のヘッドかそれに形成される前面１２および第４ ａ図ないし第４ｄ図に関連して説明されるように、記録トラックに対してギャッ プを傾斜するのに使用されることができる後面１４を育するシリコンウェハｌＯ を見ることができる。

第２ａ図ないし第２１図の変形例において、基板として使用されるようなシリコ ンは１１２方向を有すると仮定される。この基板は図面の残りの部分を通して符 号１６で示される。前記基板上にはまず、例えば５ｉｓＮａからなるマスク１８ が形成される（第２ｂ図）。

これに、下方段部１９、垂直上昇部分２０および上方段部２１を得るように、基 板１６のマスクされない部分の異方性エツチングが続く。このエツチングはＫＯ Ｈによる化学エツチングにより実施されることができる。熱酸化は非磁性である シリカ被覆２２（第２Ｃ図）の獲得を可能にする。マスク１８はウェットまたは ドライエツチングにより除去される。

次の作業（第２ｄ）はヘッド用ギャップとして役立つ一酸化シリコンの垂直壁２ ４を得るように、下方段部のレベルまでの上方段部２１の等方性エツチングから なる。

壁２４の厚さｅは、例えばマイクロメータの何分の１（例えば０．２ミクロン） かであるギャップの厚さを画成する。

均一の組成を有する表面を有するために、基板はさらに他の熱酸化を受けること かできる（第２ｅ図）。これに磁気材料２６、例えば、Ｆｅ−Ａｌ−３ｉ（セン ダスト）からなる合金の堆積（第２ｆ図）が続く。この堆積はイオンビームを使 用するカソードスパッタリングによりまたは電気化学堆積により行われることか できる。

磁気被覆２６は垂直壁２４が磁気材料２６の表面と面一である（第２ｇ図）よう な方法においてかつ磁気被覆が例えば４ミクロンにすることができる所望の厚さ １を有するような方法において滑らかにされる。次の作業は磁気材料２６をエツ チングすることにより磁気回路２８のジオメトリを画成することである（第２ｈ 図）。

多数の構成要素がシリコンウェーハ上に同時に製造されることができる。第２ｉ 図はほぼ１ｍｍ幅の帯片に沿うウェーハを平面図で略示する。

種々の磁気回路２８およびそれらを支持する基板が次いで開口３４により孔明け される。さらに、帯片の両側にはミリメートルの数十分の−を有するノツチ３６ が形成される。開口３４およびノツチ３６は導電性ワイヤコイル（例えば、銅か らなる）の製造を可能にする。このコイルは手で製造されることができる。

かくして形成された構成要素は次いで切断により互いに分離される。第２１図に おいて、線３９は切断線を示す。線４１は最終的な摩擦面の輪郭を示す。この輪 郭は、後述されるように、レーザ切断により得られることかできる。

第３図はそのギャップ２４およびそのコイル３８を有する磁気回路２８を斜視図 で示す（基板は示してない）。

ギャップは厚さ０．２μｍ、高さ５μｍ（５μｍ幅のトラックに対応する）およ び深さ２５μｍを存することかできる。磁気回路の前面上の磁気テープの摩擦面 は符号４１で示される。

傾斜されたかつ直線でないギャップを得たいならば、前述された作業に、第２ｈ 図の工程後、第４ａ図ないし第４ｄ図に示される作業が追随することができる。

第４ａ図は第２ａ図の位置に比して裏返されるシリコンウェーハ１０を示す、す なわち、その後面１４を示す。

シリカマスクはテープ３０に沿って前記後面に堆積される。マスクされない領域 においてシリコンの異方性エツチングがウェーハの平面に比して角度ｉだけ傾斜 された面３２（第４ｂ図）を得るように行われる（例えば、ＫＯＨを使用する化 学エツチングにより）。これらの面はＩＩＩ結晶面に対応する。

最終的に切断される帯片は傾斜された後面３２および磁気回路２８およびそのギ ャップ２４を組み込んでいる前面を有する。各ヘッドは次いで、それ自体読み取 り／書き込み装置と一体である平らな支持体４０に固着される（第４ｄ図）。磁 気ヘッドはその場合に第４ｄ図に符号Ｐて略本される記録トラックの横方向に対 して角度ｉたけ傾斜されたギャップ２４を有する。

これらのすへての変形例において、上層と呼ばれる表面層が均一な上面を得るよ うに全体を被覆することかできる。基板と同様に、前記上層はシリコンからなる ことができかつ結合により接続されることができる。

第５ａ図ないし第５ｅ図を参照して、本発明による方法の他の変形例について説 明する。ギャップの傾斜は、先行の変形例におけるように、基板の後面の傾斜に したかう磁気ヘッドの傾斜によってでなく、傾斜された平面の異方性エツチング により直接得られる。

第５ａ図において、今まで通りシリコンからなることかてきる基板１６か１１５ 結晶面にしたがって方向付けられる。基板は下方段部４３、基板１６の表面に対 して垂直な平面と例えば１９，５°の角度ｉを形成する上昇部分４４および上方 段部４５を有するように異方性エツチングされる。前記異方性エツチングは上方 段部の保持を可能にする、例えば、Ｓｉ、Ｎ４からなるマスク１８を介して行わ れる。

これに、マスク１８により保護されないすべての表面上に、すなわち、下方段部 ４３および上昇部分４４上にＳｉ○２被覆４６を得るためにシリコンの熱酸化か 続く（第５ｂ図）。

マスク１８は次いで除去されかつ上方段部４５は下方段部４３のレベルに持ち来 されるように異方性エツチングされる。かくして、壁４８が形成され、該壁は基 板１６の表面に対して垂線に対して角度ｉを形成する（第５Ｃ図）。

ソリコンはエツチングされた部分上にＳｉＯ２被覆４６°を得るためにさらに他 の熱酸化を受けることかでき、その結果シリカが基板表面全体を被覆する。

次の作業は、カソードスパッタリング、イオンビームまたは電気化学堆積により 、例えばセンダストからなる磁気材料被覆５０を堆積することからなる。この磁 気被覆は次いで壁４０か、前記被覆５０の所望の厚さ、例えば４μｍを得ながら 、磁気被覆５０の表面と面一であるような方法において滑らかにされる（第５ｄ 図）。

磁気回路５１か次いでエツチングにり画成される（第５ｅ図）。ＳｉＯ２壁４８ は、ギャップとして役立つ。

図示してないトラックは前記ギャップの前面に通過する（矢印りにしたがって） 。ギャップは、値ｉの傾斜またはアジマスを育する。

前述されたと同一方法において、多数の磁気ヘッドか同一シリコンウェーハ上に 同時に製造されることかてきる。幾つかの整列されたヘッドを有する帯片が孔明 けされかつコイルを備える。ヘッドは次いで切断により互いに分離される。

第６ａ図ないし第６ｆ図を参照して、再びアジマスがギャップ上に直接得られる 場合において、他の変形例を説明する。シリコンの出発基板１６は１１５面にし たがって方向付けた。樹脂マスク５２か堆積され（第６ａ図）かつ異方性エツチ ングか下方段部５３、上昇部分５４および上方段部５５を得るために実施される 。上昇部分５４は垂線に対して傾斜されかつ結晶面に対応する。マスク５２は除 去されかつ熱酸化かシリカ被覆５６を得るために実施される（第６ｂ図）。これ に、表面全体上に磁気材料被覆５７を得るように、磁気材料、例えば、センダス トの第１堆積か続く（第６Ｃ図）。この被覆５７は磁気被覆５６ａを残すシリカ 壁５８を解放するように滑らかにされる。上方シリコン段部は次いで下方部分の レベルまで異方性エツチングされる（第６ｅ図）。

これに、被覆６０を形成するために、第１堆積の磁気材料と同一の磁気材料の第 ２堆積が続く（第６ｆ図）。

被覆６０は次いでそれをシリカ被覆５８と面一にしかつ所望の磁気材料厚さを得 るように滑らかにされる。非磁性壁５８は次いて第１堆積から生じる極片５６ａ および第２堆積から生じる第２極片６０ａを分離する。

磁気材料の厚さは「角形（スクエア）抵抗」方法により制御されることができ、 この方法は、堆積の表面全体にわたって４つの点の間の抵抗測定により、その抵 抗率の知見により薄い被覆の厚さの獲得を可能にする。

エツチングが次いで磁気回路６２のジオメトリを画成するように使用される。作 業（切断、コイル製造、取り付け）のシーケンスは最初の２つの変形例に関して 前述されたシーケンスと同一である。　前述された方法において、その上に上層 を係合することにより得られた積層を保護するのが好ましい。この方法は幾つか のビデオ記録装置に遭遇される幾つかの型のヘッドにすてに使用される。この用 途において、上層はヘッド上のタップの摩擦により発生される磨耗から極片を保 護する。

前述された方法はヘット支持体がシリコン基板であるならば利点を有し、シリコ ンのレーザ孔明けか可能である。かくして、本発明の実行において、同様にシリ コンから作られる上層を接続するのか有利であり、その結果それは同一方法にお いて処理されることかできる。開口かコイルの通路のために作られるとき、完全 な基板上層構体を孔明けするのが有利である。

この作業は単位ヘッド上に、または幾つかのヘッドを有する帯片上にまたは完全 なシリコンウェーハ上に行われることができる。この後者の可能性はヘッドの集 合的な処理のさらに他の拡張を許容する。加えて、前記集合的な処理は、とくに それに丸みを付けた形状（摩擦表面が符号４１で示されるである第２１図および 第３図参照）を付与しかつ例えばビデオヘッドの場合のノツチ（第２１図のノツ チ３６）を生じるようにヘッドの最終形状を許容することかできる。

開口（第２１図の３４のような）か基板／上層構体を通ってレーザにより行われ る方法は知られてない。加えて、最終形状か縁部での切断により直接得られる方 法は知られていない。理由は上層の存在か困難、すなわち、上層かその位置を隠 すため、孔明けを実施したい位置にレーザビームを位置決めする困難を導くとい うことである。

本発明は上層か完全なシリコンウェーハ上に係合される場合におけるマーキング 方法を提案し、第７図は使用される方法を説明している。

シリコン基板７０はシリコンウェーハ１０にガラス溶接または結合により接合さ れる。基板は例えば正方形でありかつウェーハの周辺に刻まれる。ウェーハと比 へて上層のより小さい大きさはウェーハの周辺領域上のマーク７２の目視を可能 にする。少なくとも２つのそのようなマークが水平または垂直方向にある。それ らは好ましくは上層により隠される機械加工されるべきパターンと同一の間隔を 有しかつ符号７４を有する。

マーク７２はパターン７４か配置される場所の認識およびその結果としてレーザ ビームの位置決めを可能にする。レーザの下のウェーハの移動はパターンの繰り 返しの間隔にプログラムされる。作動シーケンスはマーク上にレーザビームを位 置決めすることにより開始される。

作動はその場合にウェーハ全体上に自動的に継続しかつ孔明けは構成要素７４の すへてにわたって行われる。

このマスキングおよび位置決め方法はコイルの開口の作成およびヘッドの最終成 形の両方に使用されることかできる。後者の作業はコンピュータで支援されるこ とかてきる。

使用されるレーザは、シリコンに適する、１．０６μｍの波長で放射線を放出す るネオジウムレーザにすることができる。

第８図は基板８２／上層８４構体の開口８０の孔明けを示す。開口８０は、磁気 回路８６に接触することなしに、該磁気回路内に自動的に作られる。開口かいっ たん作られかつ最終切断が完了されると、コイルは導電性ワイヤを開口およびノ ツチに通すことにより手で製造される。

付は加えられるべきことは、そのビームの大きさが２０μｍと同じくらい小さく することができるレーザの使用の結果として、非常に綺麗な切断が得られる。し かしながら、極片およびギャップの存在を引き起こすために摩擦支持体上のヘッ ドの丸みを付けた部分の最終研磨を実施することが必要である。これらのすべて の作業後、得られた磁気ヘッドは使用装置に取り付けられる容易が出来ている。

国際調査報告 要約書 磁気ヘッドを製造するために、単結晶基板かヘッドギャップ（４８）を正確に方 向付ける（直線または傾斜した方向に）ために結晶面に沿って異方性エツチング される。基板はさらにギャップに予め定めた厚さを付与するためにさらに熱酸化 される。本方法はとくにビデオ記録ヘッドに関する。

国際調査報告 ｌａ＋ｔ＋ｌｌｅ＋ｉｗ＊ｌ＾ｐｐｌｉｃｊａｍＮ０ＰＣｒ／ＦＲ９１１００５ ５フＳＡ　４９３６９

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．基板により出発して、該基板上に磁気被覆を含む薄い後面が堆積され、磁気 回路がギヤツプにより形成され、前記磁気回路の中心に被覆の平面に対して垂直 に向けられた開口が形成され、導電性ワイヤが前記開口を有する前記磁気回路の まわりに巻回され、得られたヘッドが被覆の平面に対して垂直な平面内の前記ギ ヤツプの前方に置かれた磁気記録支持体と協働するのに役立つ、磁気記録用の読 み取りおよび／または書き込みヘッドの製造方法において、該方法が、そのギヤ ツプにより前記磁気回路を得るために、 結晶面を有する単結晶基板（１６）が使用され、該基板（１６）が第１結晶面に したがって方向付けられた前面（１２）および後面（１４）を有し、前記単結晶 基板（１６）の前記前面（１２）が下方段部（１９，４３，５３）、上昇部分（ ２０，４４，５４）上方段部（２１，４５，５５）を得るために異方性エッチン グを受け、前記上昇部分（２０，４４，５４）が基板の前面に対応する第１結晶 面と一定の角度を形成する第２結晶面にしたがってエッチングされ、前記基板の 少なくとも上昇部分（２０，４４，５４）が、該上昇部分（２０，４４，５４） を被覆する酸化物壁（２４，４８，５８）を生じさせる熱酸化を受け、前記上方 段部（２１，４５，５５）がエッチングされ、磁気被覆が前記酸化物壁（２４， ４８，５８）の両側に堆積され、前記磁気被覆（２６，５０）はそれに前記酸化 物壁（２４，４８，５８）により構成されるギヤツプを有する磁気回路（２８， ５１，６２）の形状を付与するためにエッチングされることを特徴とする磁気記 録用読み取りおよび／または書き込みヘッドの製造方法。 ２．前記単結晶基板（１６）の異方性エッチングは第１結晶面に対して垂直な第 ２結晶面にしたがって実施され、前記ヘッド（２４）の前記ギヤツプはその場合 に前記基板（１６）の平面に対して華直であることを特徴とする請求の範囲第１ 項に記載の磁気記録用読み取り／書き込みヘッドの製造方法。 ３．前記単結晶基板（１６）の前記異方性エッチングが前記第１結晶面に対して 垂直な第２結晶面にしたがって実施され、 前記基板（１６）の前記後面（１４）の異方性エッチングが前記後面に関連して 一定の角度（ｉ）を形成する結晶面にしたがって行われ、 前記ヘッドの製造に続いて、支持体（４１）上のエッチングされた基板面（３２ ）に係合することにより支持体（４０）に固着され、そのギヤツプを有する前記 完全なヘッドはその場合に前記角度（ｉ）だけ傾斜されていることを特徴とする 請求の範囲第１項に記載の磁気記録用読み取り／書き込みヘッドの製造方法。 ４．前記単結晶基板（１６）の前記異方性エツチングは前記第１結晶面に関連し て一定の角度（ｉ）を有する第２面にしたがって行われることを特徴とする請求 の範囲第１項に記載の磁気記録用読み取り／書き込みヘッドの製造方法。 ５．以下の作業、すなわち、 前記基板（１６）の前記前面上にマスク（１８）が堆積され、前記基板（１６） の前記異方性エッチングが前記マスク（１８）を介して行われ、 熱酸化が前記上昇部分（２０，４４）および前記下方段部（１９，４３）上で酸 化物被覆（２２，４６）に至る前記マスクの存在において実施され、前記マスク （１８）が除去され、 前記上方基板段部（２１，４５）の異方性エッチングは前記下方段部（１９，４ ３）のレベルまで行われ、酸化物壁（２４，４８）を残し、 全体に前記酸化物壁の両側に磁気被覆（２６，５０）が堆積され、 前記全体（２６，５０）が前記酸化物壁（２４，４８）が同一平面になるまで滑 らかにされることからなることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の磁気記録 用読み取り／書き込みヘッドの製造方法。 ６．以下の作業、すなわち、 マスク（５２）が前記基板（１６）の前記前面上に堆積され、前記基板（１６） の異方性エッチングは下方段部（５３）、前記上昇部分（５４）および前記上方 段部（５５）を得るために前記マスク（５２）を介して行われ、 前記基板は酸化物被覆（５４）を前記下方段部（５３）、前記上昇部分（５４） および前記上方段部（５５）上に出現させるために熱酸化を受け、 第１磁気被覆（５６）が全体に堆積され、前記全体は前記上昇部分に堆積された 酸化物被覆（５８）の解放まで滑らかにされ、 上方基板段部（５５）の異方性エッチングが前記下方段部（５３）のレベルが達 成されるまで行われ、全体に第２磁気被覆（６０）が堆積され、前記全体は前記 上昇部分（５４）上に堆積される酸化物被覆（５８）が解放されるまで滑らかに されることからなることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の磁気記録用読み 取り／書き込みヘッドの製造方法。 ７．前記ヘッドの前記磁気回路上に、前記基板と同一の組成を有する保護上層（ ７０）が堆積されることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の磁気記録用読み 取り／書き込みヘッドの製造方法。 ８．前記孔明け作業は、前記上層（７０）、前記磁気回路（２６，５０，５６ａ ，６０ａ）、前記基板（１６）に影響を及ぼし、そして前記孔明け作業はレーザ ビームにより実施されることを特徴とする請求の範囲第７項に記載の磁気記録用 読み取り／書き込みヘッドの製造方法。 ９．複数のヘッド（７４）は、前記基板として役立つ同一のウェーハ（１０）上 に形成され、前記ヘッドを含んでいるウェーハの領域が単一の上層（７０）によ り被覆され、前記単一の上層（７０）が前記ウェーハの自由な周辺領域を残し、 前記領域には前記単一の上層（７０）の下に位置決めされる種々のヘッド（７４ ）の配置を可能にするマーク（７２）が形成されそして前記マークはレーザビー ムを位置決めするのに使用され、前記上層（７０）−ヘッド（７４）−基板（１ ６）構体が位置決めされかつ１つのヘッドから次のヘッドに移動されるレーザビ ームにより孔明けされることを特徴とする請求の範囲第８項に記載の磁気記録用 読み取り／書き込みヘッドの製造方法。 １０．前記基板が単結晶シリコンからなることを特徴とする請求の範囲第１項な いし第９項のいずれか１項に記載の磁気記録用読み取り／書き込みヘッドの製造 方法。