JPS6355711A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS6355711A JPS6355711A JP10890986A JP10890986A JPS6355711A JP S6355711 A JPS6355711 A JP S6355711A JP 10890986 A JP10890986 A JP 10890986A JP 10890986 A JP10890986 A JP 10890986A JP S6355711 A JPS6355711 A JP S6355711A
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- magnetic layer
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
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- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、上部磁極用磁性層
をマスクとして用い、下部磁極用の磁性層をイオンミリ
ングして上下の磁極を一括形成することで、上下の位置
ずれがなく、かつ互いに幅の等しい高精度の磁極パター
ンを得、所望のコア幅を得るようにした。
をマスクとして用い、下部磁極用の磁性層をイオンミリ
ングして上下の磁極を一括形成することで、上下の位置
ずれがなく、かつ互いに幅の等しい高精度の磁極パター
ンを得、所望のコア幅を得るようにした。
本発明は、磁気ディスク装置に搭載される薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法に関する。
ドの製造方法に関する。
磁気ディスク装置のトランク密度向上に伴い、薄膜磁気
ヘッドのコア幅は小さくなる傾向にある。
ヘッドのコア幅は小さくなる傾向にある。
このため薄膜磁気ヘッドの磁極は高精度に形成し、正確
なコア幅を決定できる磁極形成技術が必要とされている
。
なコア幅を決定できる磁極形成技術が必要とされている
。
第３図は従来の薄膜磁気ヘッドの概略を示し、（ａ）は
断面図、（ｂ）は先端部正面図である。
断面図、（ｂ）は先端部正面図である。
第３図己こおいて、薄膜磁気ヘッド１は、基板２上に薄
膜プロセスによって下部磁極３、ギャップ層４、コイル
層５、絶縁層６、そして上部磁極７を順次積層して形成
する。そして磁気ギャップ深さＤを出すために、ヘッド
先端Ｃを回層し、記録媒体に情報のり−ド／ライトが行
えるようにしている。
膜プロセスによって下部磁極３、ギャップ層４、コイル
層５、絶縁層６、そして上部磁極７を順次積層して形成
する。そして磁気ギャップ深さＤを出すために、ヘッド
先端Ｃを回層し、記録媒体に情報のり−ド／ライトが行
えるようにしている。
従来の薄膜磁気ヘッド１では、上下の磁極７．３を別工
程で形成していたため、フォトマスクの位置合わせ誤差
等により、上下の磁極７．３に位置ずれが生じていた。
程で形成していたため、フォトマスクの位置合わせ誤差
等により、上下の磁極７．３に位置ずれが生じていた。
そしてこの位置ずれによりヘッド先端部で、第４図のよ
うに上部磁極７０片端が、下部磁極３の上面より蕗ち込
む状態になることもある。これを回避するため、第３図
（ｂ）のように上部磁極幅ＷＵを、下部磁極幅ＷＤより
狭く形成していた。このため上下の磁極幅ＭＵ、 ＷＤ
は不一致なものとなり、薄膜磁気ヘッド１のコア幅が、
あいまいなものとなっていた。これは磁気ディスク装置
のトラック音度向上に対し、大きな障害となっている。
うに上部磁極７０片端が、下部磁極３の上面より蕗ち込
む状態になることもある。これを回避するため、第３図
（ｂ）のように上部磁極幅ＷＵを、下部磁極幅ＷＤより
狭く形成していた。このため上下の磁極幅ＭＵ、 ＷＤ
は不一致なものとなり、薄膜磁気ヘッド１のコア幅が、
あいまいなものとなっていた。これは磁気ディスク装置
のトラック音度向上に対し、大きな障害となっている。
この問題を解決するために、第５図に示すように先端部
の上部磁極７上に、レジストマスク８を形成し、イオン
ミリングにより上部磁極７と対向しない下部磁極の余計
な部分（第５図中黒部分）を除去することも考えられる
。しかし、レジストマスク８を上部磁極７の幅に一致さ
せ、位置ずれもなく形成することは、前述したフォトマ
スクの位置合わせ誤差があるため、現状では難しい。
の上部磁極７上に、レジストマスク８を形成し、イオン
ミリングにより上部磁極７と対向しない下部磁極の余計
な部分（第５図中黒部分）を除去することも考えられる
。しかし、レジストマスク８を上部磁極７の幅に一致さ
せ、位置ずれもなく形成することは、前述したフォトマ
スクの位置合わせ誤差があるため、現状では難しい。
第１図（ａ）（ｂ）は本発明の磁極形成の原理図である
。
。
木問題点は、ヘッド先端部で所望コア幅ＣＷより十分大
きな幅をもつ下部磁極用の磁性Ｆａａ上に、所望コア幅
ＣＷに一致する幅をもつ上部磁極用の磁性層７ａを形成
して、これ自身をマスクにして下の磁性Ｎ３ａをイオン
ミリングする。これにより上下の磁極７ａ、３ａを一括
形成する。
きな幅をもつ下部磁極用の磁性Ｆａａ上に、所望コア幅
ＣＷに一致する幅をもつ上部磁極用の磁性層７ａを形成
して、これ自身をマスクにして下の磁性Ｎ３ａをイオン
ミリングする。これにより上下の磁極７ａ、３ａを一括
形成する。
即ち、本発明の薄膜磁気ヘッドの磁極形成法では、所望
コア幅ＣＷＯ幅をもつ上部磁極用の磁性層７ａ自身を、
第１図（ａ）のようにイオンミリングマスクに用い、下
部磁極用の磁性１ｉ３ａをエツチングするため、第１図
（ｂ）のように上下の位置ずれがなく、所望のコア幅と
なる磁極７．３が形成できる。
コア幅ＣＷＯ幅をもつ上部磁極用の磁性層７ａ自身を、
第１図（ａ）のようにイオンミリングマスクに用い、下
部磁極用の磁性１ｉ３ａをエツチングするため、第１図
（ｂ）のように上下の位置ずれがなく、所望のコア幅と
なる磁極７．３が形成できる。
第２図は本発明の実施例である。右側の図（ａ′）〜（
Ｃ″）はヘッドの上面図、左側の図（ａ）〜（ｃ）！、
よＧ（極先端の断面である。
Ｃ″）はヘッドの上面図、左側の図（ａ）〜（ｃ）！、
よＧ（極先端の断面である。
図（ａ）に示すように、まず基１反２上に下部磁極用の
磁性層（ＮｉＦｅ） ３ａを所定の下部磁極厚ｔＤだけ
形成する。形成方法はメ・ツキ法、スパッタ法、蒸着法
のいずれでもよい。ただし先端の幅ＷＤは、所望コア幅
いに比べて十分に大きいものとする。
磁性層（ＮｉＦｅ） ３ａを所定の下部磁極厚ｔＤだけ
形成する。形成方法はメ・ツキ法、スパッタ法、蒸着法
のいずれでもよい。ただし先端の幅ＷＤは、所望コア幅
いに比べて十分に大きいものとする。
その後ギャップ層（ハＬｏ、あるいはＳｉｎｇ） ４
をスパッタ法にて形成し、さらにコイル層５、絶縁層６
゛を形成する。図ではコイル５の端子部への引き出し部
分のみ示す。そしてその上に上部磁極用の磁性層（Ｎｉ
Ｆｅ） ７ａを、その先端の幅が所望コア幅ＣＷになる
ようマスクメッキ法にて形成する。、マスクメッキ法で
は、フォトリソグラフィー技術を用いるため、コア幅部
の精度は高い。なあ、膜厚ｔｕ’は所定の上部磁極厚ｔ
ｕと下部磁極厚ｔＤとの和以上に、（すなわちｔｕ”≧
ｔｕ＋ｔＤの関係を満足するように）形成する。以上の
製造プロセスは、磁性層３ａ、７ａの各膜厚、先端の幅
は異なるものの基本的には従来プロセスとほぼ同じであ
る。
をスパッタ法にて形成し、さらにコイル層５、絶縁層６
゛を形成する。図ではコイル５の端子部への引き出し部
分のみ示す。そしてその上に上部磁極用の磁性層（Ｎｉ
Ｆｅ） ７ａを、その先端の幅が所望コア幅ＣＷになる
ようマスクメッキ法にて形成する。、マスクメッキ法で
は、フォトリソグラフィー技術を用いるため、コア幅部
の精度は高い。なあ、膜厚ｔｕ’は所定の上部磁極厚ｔ
ｕと下部磁極厚ｔＤとの和以上に、（すなわちｔｕ”≧
ｔｕ＋ｔＤの関係を満足するように）形成する。以上の
製造プロセスは、磁性層３ａ、７ａの各膜厚、先端の幅
は異なるものの基本的には従来プロセスとほぼ同じであ
る。
本発明では、さらに以下のプロセス工程を追加する。
まず図（ｂ）に示すように、絶縁層６のヘッド先端側の
縁より内側（Ａ−Ａ′線より絶縁層６側）に、イオンミ
リングのマスクとなるレジストパターン９を形成する。
縁より内側（Ａ−Ａ′線より絶縁層６側）に、イオンミ
リングのマスクとなるレジストパターン９を形成する。
そして露出している上下の磁極用磁性１７ａ、３ａの先
端部を、イオンミリングで加工する。この際、下部磁極
用の磁性層３ａに対し上部６ｆｌ ｔＮ用の磁性層７ａ
はマスクとして作用する。
端部を、イオンミリングで加工する。この際、下部磁極
用の磁性層３ａに対し上部６ｆｌ ｔＮ用の磁性層７ａ
はマスクとして作用する。
イオンミリングは、下部磁極用の磁性層３ａの露出して
いる端部が完全に除去され、上部磁極用の磁性層７ａの
膜ｔｕ’が、所定の上部磁極厚ｔｕとなるまでおこない
、その後レジストマスク（レジストパターン９）は除去
される。得られた磁極先端のパターン形状は、図（Ｃ）
のようになり、上部磁極７ （膜厚ｔｕ）下部磁極３（
膜厚ｔＤ）が位置的に揃い、所望のコア幅ＣＷとなる高
精度な磁極パターンを得ることができる。なお、磁極ま
わりの基板２も、図（Ｃ）のようにイオンミリングされ
段差が付くが、後工程で加工保護膜が形成さるため問題
はない。なお、１０は上下磁極の接合部である。
いる端部が完全に除去され、上部磁極用の磁性層７ａの
膜ｔｕ’が、所定の上部磁極厚ｔｕとなるまでおこない
、その後レジストマスク（レジストパターン９）は除去
される。得られた磁極先端のパターン形状は、図（Ｃ）
のようになり、上部磁極７ （膜厚ｔｕ）下部磁極３（
膜厚ｔＤ）が位置的に揃い、所望のコア幅ＣＷとなる高
精度な磁極パターンを得ることができる。なお、磁極ま
わりの基板２も、図（Ｃ）のようにイオンミリングされ
段差が付くが、後工程で加工保護膜が形成さるため問題
はない。なお、１０は上下磁極の接合部である。
本発明の実施例では、下部磁極用の磁性層３ａの先端部
での幅ＷＤは、所望コア幅ＣＷより十分大きいものとす
ると言及しているが、下部磁極用磁性層３ａの先端幅−
〇が所望コア幅Ｃ讐より大きければ、下部磁極用磁性層
３ａの形状はどのようなものでもかまわない。しかし、
実際のヘッドとなったとき、サイドクロストークが問題
となれば、下部磁極用磁性層３ａの先端幅讐りは所望コ
ア幅ＣＷｉこできるだけ近い方が望ましい。現状の技術
でも、ＨＤ−〇Ｈ＋２μｍ程度までなら形成できる。
での幅ＷＤは、所望コア幅ＣＷより十分大きいものとす
ると言及しているが、下部磁極用磁性層３ａの先端幅−
〇が所望コア幅Ｃ讐より大きければ、下部磁極用磁性層
３ａの形状はどのようなものでもかまわない。しかし、
実際のヘッドとなったとき、サイドクロストークが問題
となれば、下部磁極用磁性層３ａの先端幅讐りは所望コ
ア幅ＣＷｉこできるだけ近い方が望ましい。現状の技術
でも、ＨＤ−〇Ｈ＋２μｍ程度までなら形成できる。
以上説明したように本発明によれば、所望コア幅の上部
磁極用の磁性層自身をイオンミリングマスクに使い、下
部磁極用の磁性層をエツチングするので、上下磁極の位
置ずれがなく、高精度なコア幅の磁極パターンが形成で
きる。
磁極用の磁性層自身をイオンミリングマスクに使い、下
部磁極用の磁性層をエツチングするので、上下磁極の位
置ずれがなく、高精度なコア幅の磁極パターンが形成で
きる。
第１図（ａ）（ｂ）は本発明の原理図、第２図（ａ）〜
（ｃ）、（ａ′）〜（Ｃ′）は本発明の詳細な説明する
図、 第３図（ａ）（ｂ）は従来の薄膜磁気ヘッドの概念図、 第４図は磁極位置ずれ状態図、 第５図は従来のイオンミリングを説明する図である。 図において、 ２は基板、 ３は下部磁極、 ３ａは下部磁極用磁性層、 ４はギャップ層、 ５はコイル層、 ６は絶縁層、 ７は上部磁極、 ７ａは上部磁極用磁性層、 ９はレジストパターンを示す。
（ｃ）、（ａ′）〜（Ｃ′）は本発明の詳細な説明する
図、 第３図（ａ）（ｂ）は従来の薄膜磁気ヘッドの概念図、 第４図は磁極位置ずれ状態図、 第５図は従来のイオンミリングを説明する図である。 図において、 ２は基板、 ３は下部磁極、 ３ａは下部磁極用磁性層、 ４はギャップ層、 ５はコイル層、 ６は絶縁層、 ７は上部磁極、 ７ａは上部磁極用磁性層、 ９はレジストパターンを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 記録媒体に対向する先端部では、予め所望コア幅より大
きな幅をもつ下部磁極用磁性層（３ａ）を基板（２）上
に形成し、 次いでこの上にギャップ層（４）、コイル層、絶縁層を
積層後、所望コア幅（ＣＷ）に一致し、所定の上部磁極
厚と下部磁極厚との和の膜厚以上に上部磁極用磁性層（
７ａ）を形成し、 そして該上部磁極用磁性層（７ａ）をイオンミリング用
マスクに用い、前記下部磁極用磁性層（３ａ）をイオン
ミリング加工し、上部および下部磁極（７）（３）の先
端部を等しい幅及び上部磁極用磁性層を所要の厚さに形
成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10890986A JPS6355711A (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10890986A JPS6355711A (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355711A true JPS6355711A (ja) | 1988-03-10 |
Family
ID=14496709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10890986A Pending JPS6355711A (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6355711A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63302408A (ja) * | 1987-06-02 | 1988-12-09 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| JPH03100909A (ja) * | 1989-09-12 | 1991-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| EP0536032A2 (en) * | 1991-09-30 | 1993-04-07 | Quantum Corporation | Thin film read/write head for minimizing erase fringing and method of making the same |
| EP0640955A1 (en) * | 1993-08-27 | 1995-03-01 | Read-Rite Corporation | Magnetic head assembly with write pole/shield structure |
| US5863448A (en) * | 1995-11-29 | 1999-01-26 | Read-Rite Corporation | Manufacturing method for a thin film magnetic head |
| US5916423A (en) * | 1997-05-06 | 1999-06-29 | International Business Machines Corporation | P1 notched write head with minimum overmilled p1 and p2 |
| KR20000002261A (ko) * | 1998-06-18 | 2000-01-15 | 이형도 | 자기기록 헤드 |
-
1986
- 1986-05-13 JP JP10890986A patent/JPS6355711A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63302408A (ja) * | 1987-06-02 | 1988-12-09 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| JPH03100909A (ja) * | 1989-09-12 | 1991-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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| EP0536032A3 (ja) * | 1991-09-30 | 1994-03-02 | Digital Equipment Corp | |
| EP0640955A1 (en) * | 1993-08-27 | 1995-03-01 | Read-Rite Corporation | Magnetic head assembly with write pole/shield structure |
| US5863448A (en) * | 1995-11-29 | 1999-01-26 | Read-Rite Corporation | Manufacturing method for a thin film magnetic head |
| US5916423A (en) * | 1997-05-06 | 1999-06-29 | International Business Machines Corporation | P1 notched write head with minimum overmilled p1 and p2 |
| US6072672A (en) * | 1997-05-06 | 2000-06-06 | International Business Machines Corporation | Write head with notched P1 and minimum overmilled P1 and P2 |
| US6106679A (en) * | 1997-05-06 | 2000-08-22 | International Business Machines Corporation | Method of making P1 notched write head with minimum overmilled P1 and P2 |
| KR20000002261A (ko) * | 1998-06-18 | 2000-01-15 | 이형도 | 자기기록 헤드 |
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