JPS6222220A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS6222220A JPS6222220A JP16168485A JP16168485A JPS6222220A JP S6222220 A JPS6222220 A JP S6222220A JP 16168485 A JP16168485 A JP 16168485A JP 16168485 A JP16168485 A JP 16168485A JP S6222220 A JPS6222220 A JP S6222220A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
- G11B5/3166—Testing or indicating in relation thereto, e.g. before the fabrication is completed
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ｐ ＣＭ （Ｐｕｌｓｅ Ｃｏｄｅ Ｍｏｄ
ｕｌａｔｉｏｎ）記録再生装置等に用いられる薄膜磁気
ヘッドに関し、特に磁気ギャップのデプス長を検出する
ためのデプスマーカー膜の改良に関する。
ｕｌａｔｉｏｎ）記録再生装置等に用いられる薄膜磁気
ヘッドに関し、特に磁気ギャップのデプス長を検出する
ためのデプスマーカー膜の改良に関する。
本発明は、薄膜磁気ヘッドのデプス長を検出するに際し
、 上記下部磁性体上に磁気ギャップのデプス長を検出する
ための主マーカー膜と、磁気記録導体対接面において上
記主マーカー膜の一辺と常に等間隔となるような辺を有
する副マーカー膜とを形成することにより、 上記各マーカー膜のパターニング誤差に影響されること
なく、デプス長が精度良く検出され、かつデプス長の制
御が容易に行えるようにしたものである。
、 上記下部磁性体上に磁気ギャップのデプス長を検出する
ための主マーカー膜と、磁気記録導体対接面において上
記主マーカー膜の一辺と常に等間隔となるような辺を有
する副マーカー膜とを形成することにより、 上記各マーカー膜のパターニング誤差に影響されること
なく、デプス長が精度良く検出され、かつデプス長の制
御が容易に行えるようにしたものである。
一般に、薄膜磁気ヘッドは、ヘッドを構成する下部磁性
体、コイル導体及び上部磁性体等がスパックリング等の
真空薄膜形成技術で形成されるため、量産性に優れ、か
つ特性の均一なヘッドが得られるとともに、フォトリソ
グラフィ技術でパターンニングを行っているため、狭ト
ラツク、狭ギャップ等の微小寸法化が容易である。
体、コイル導体及び上部磁性体等がスパックリング等の
真空薄膜形成技術で形成されるため、量産性に優れ、か
つ特性の均一なヘッドが得られるとともに、フォトリソ
グラフィ技術でパターンニングを行っているため、狭ト
ラツク、狭ギャップ等の微小寸法化が容易である。
このため、上記薄膜磁気ヘッドは、記録に関与するヘッ
ド磁界が急峻となり、高記録密度の記録が可能となると
ともに、高分解能の記録ができ、さらに小型化が可能で
ある。
ド磁界が急峻となり、高記録密度の記録が可能となると
ともに、高分解能の記録ができ、さらに小型化が可能で
ある。
ところが、上記薄膜磁気ヘッドは、その構造上コイル導
体の巻回数を増やすことが困難であり、したがってヘッ
ドの記録効率等を上げるためにデプス長を１０Ｉ！ｍ程
度の極めて小さな値にせざるを得なくなっている。
体の巻回数を増やすことが困難であり、したがってヘッ
ドの記録効率等を上げるためにデプス長を１０Ｉ！ｍ程
度の極めて小さな値にせざるを得なくなっている。
したがって、この種の薄膜磁気ヘッドにおいては、デプ
ス長を的確に判断することが重要な課題となっている。
ス長を的確に判断することが重要な課題となっている。
そこで従来は、薄膜磁気ヘッドにデプス長を検出するマ
ーカー膜を形成しておき、磁気記録導体対接面でこのマ
ーカー膜の長さを測定しデプス長に換算することにより
、デプス長を検出するという方法が採られている。
ーカー膜を形成しておき、磁気記録導体対接面でこのマ
ーカー膜の長さを測定しデプス長に換算することにより
、デプス長を検出するという方法が採られている。
ところが、上記マーカー膜は、コイル導体をパターンエ
ツチングする際に、磁気ギャップ近傍部に残存する如く
形成してなるので、レジストのパターニング精度、ある
いは上記マーカー膜のエツチング精度等に大きく左右さ
れる。したがって、磁気記録導体対接面に表れるマーカ
ー膜の長さに誤差を生じ易く、精度良くデプス長を検出
することが困難であるという問題があった。
ツチングする際に、磁気ギャップ近傍部に残存する如く
形成してなるので、レジストのパターニング精度、ある
いは上記マーカー膜のエツチング精度等に大きく左右さ
れる。したがって、磁気記録導体対接面に表れるマーカ
ー膜の長さに誤差を生じ易く、精度良くデプス長を検出
することが困難であるという問題があった。
そこで、本発明は上記問題点を解決するために提案され
たものであって、レジストのバターニング誤差や上記マ
ーカー膜のエツチング誤差に関係なく、精度良くデプス
長を検出でき、かつデプス長の制御が容易な薄膜磁気ヘ
ッドを提供することを目的とする。
たものであって、レジストのバターニング誤差や上記マ
ーカー膜のエツチング誤差に関係なく、精度良くデプス
長を検出でき、かつデプス長の制御が容易な薄膜磁気ヘ
ッドを提供することを目的とする。
この目的を達成するために、本発明の薄膜磁気ヘッドは
、下部磁性体上に形成されるコイル導体と、上記下部磁
性体との共働によって磁気回路を構成する上部磁性体よ
りなるＦｉｉｌｌ！磁気ヘッドにおいて、上記下部磁性
体上に磁気ギャップのデプス長を検出するための主マー
カー膜と、磁気記録導体対接面方向において上記主マー
カー膜の一辺と常に等間隔となるような辺を有する副マ
ーカー膜とが形成されていることを特徴とするものであ
る。
、下部磁性体上に形成されるコイル導体と、上記下部磁
性体との共働によって磁気回路を構成する上部磁性体よ
りなるＦｉｉｌｌ！磁気ヘッドにおいて、上記下部磁性
体上に磁気ギャップのデプス長を検出するための主マー
カー膜と、磁気記録導体対接面方向において上記主マー
カー膜の一辺と常に等間隔となるような辺を有する副マ
ーカー膜とが形成されていることを特徴とするものであ
る。
このように、下部磁性体上に磁気ギャップのデプス長を
検出するための主マーカー膜と、磁気記録導体対接面方
向において上記主マーカー膜の一辺と常に等間隔となる
ような辺を有する副マーカー膜とを形成することにより
、上記主マーカー膜によるデプス長の検出誤差が上記副
マーカー膜で補正される。
検出するための主マーカー膜と、磁気記録導体対接面方
向において上記主マーカー膜の一辺と常に等間隔となる
ような辺を有する副マーカー膜とを形成することにより
、上記主マーカー膜によるデプス長の検出誤差が上記副
マーカー膜で補正される。
以下、本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの一実施例につ
いて図面を参照しながら説明する。
いて図面を参照しながら説明する。
本発明の薄膜磁気ヘッドにおいては、第１図（Ａ）及び
第１図（Ｂ）に示すように、下部磁性体（１）の一平面
上にフロントギャップ部Ｇやバンクギャップ部Ｇ′を除
いて５ｉ０２等よりなる第１絶縁層（２）が形成されて
いる。
第１図（Ｂ）に示すように、下部磁性体（１）の一平面
上にフロントギャップ部Ｇやバンクギャップ部Ｇ′を除
いて５ｉ０２等よりなる第１絶縁層（２）が形成されて
いる。
上記下部磁性体（１）としては、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライ
トやＮｉ−Ｚｎ系フェライト等の強磁性酸化物基板、ま
たは、セラミック等の非磁性基板上にＦｅ−Ｎｉ系合金
（パーマロイ）やＦｅ−Ａｎ−３ｉ系合金（センダスト
）等の強磁性金属材料を積層した複合基板、あるいは上
記強磁性酸化物基板上にパーマロイやセンダスト等の強
磁性金属材料を積層した複合基板、等が使用される。
トやＮｉ−Ｚｎ系フェライト等の強磁性酸化物基板、ま
たは、セラミック等の非磁性基板上にＦｅ−Ｎｉ系合金
（パーマロイ）やＦｅ−Ａｎ−３ｉ系合金（センダスト
）等の強磁性金属材料を積層した複合基板、あるいは上
記強磁性酸化物基板上にパーマロイやセンダスト等の強
磁性金属材料を積層した複合基板、等が使用される。
また、上記第１絶縁層（２）上にはＣｕあるいはＡ７ｉ
等の金属導体よりなる第１コイル導体（３）が所定の間
隔をもって渦巻状（本実施例では３ターン）にパターン
エツチングされている。
等の金属導体よりなる第１コイル導体（３）が所定の間
隔をもって渦巻状（本実施例では３ターン）にパターン
エツチングされている。
ここで、本発明においては、上記第１コイル導体（３）
のパターンエツチング時に、デプスの近傍にデプス長を
検出するための主マーカー膜（４）及び副マーカー膜（
５）が残存する如くフォトリソグラフィ技術によりエツ
チングが施されている。
のパターンエツチング時に、デプスの近傍にデプス長を
検出するための主マーカー膜（４）及び副マーカー膜（
５）が残存する如くフォトリソグラフィ技術によりエツ
チングが施されている。
さらに、上記第１コイル導体（３）を被覆するように第
２絶縁層（７）が被着形成され、上記第１コイル導体（
３）と同一の巻回方向を有し、上記第２絶縁層（７）に
形成されたコンタクト窓部（８）を介して、上記第１コ
イル導体（３）と電気的に接続される渦巻状（本実施例
では３ターン）の第２コイル導体（９）が形成されてい
る。すなわち、本実施例のコイル導体はスパイラル２層
重ね６ターンの巻線構造となる。また、この第２コイル
導体（９）上には、後述の上部磁性体（１２）’との絶
縁を図るために第３絶縁層（１０）が形成されている。
２絶縁層（７）が被着形成され、上記第１コイル導体（
３）と同一の巻回方向を有し、上記第２絶縁層（７）に
形成されたコンタクト窓部（８）を介して、上記第１コ
イル導体（３）と電気的に接続される渦巻状（本実施例
では３ターン）の第２コイル導体（９）が形成されてい
る。すなわち、本実施例のコイル導体はスパイラル２層
重ね６ターンの巻線構造となる。また、この第２コイル
導体（９）上には、後述の上部磁性体（１２）’との絶
縁を図るために第３絶縁層（１０）が形成されている。
上記コイル導体（３） 、 （９）としては、スパイラ
ル多層型に限られず、ヘリカル型あるいはジグザグ型環
如何なる巻線構造であっても良い。
ル多層型に限られず、ヘリカル型あるいはジグザグ型環
如何なる巻線構造であっても良い。
さらにまた、フロントギャップ部の’ｒａ＊ｏｓ等より
なるギャップスペーサ（１１）や上記第３絶縁ｊｉ （
１０）を被覆する如くセンダストやパーマロイ等強磁性
金属材料よりなる上部磁性体（１２）が所定のトランク
幅となるように形成されている。したがっ′ζ、上記コ
イル導体（３） 、 （９）に駆動電流を供給すること
により、下部磁性体と上部磁性体（１２）との共働によ
り磁気回路を構成し、記録・再生が行われるように構成
されている。
なるギャップスペーサ（１１）や上記第３絶縁ｊｉ （
１０）を被覆する如くセンダストやパーマロイ等強磁性
金属材料よりなる上部磁性体（１２）が所定のトランク
幅となるように形成されている。したがっ′ζ、上記コ
イル導体（３） 、 （９）に駆動電流を供給すること
により、下部磁性体と上部磁性体（１２）との共働によ
り磁気回路を構成し、記録・再生が行われるように構成
されている。
さらにまた、図示してないが、上記上部磁性体（１２）
等を覆うように、５ｉ０２等よりなる保護膜が形成され
、アニール処理を施した後、上記保護膜上にガラス等の
接着材を溶融充填することにより平坦化され、さらに、
デプスの摩耗対策としてセラミンクの非磁性材よりなる
保護板が上記接着材上に融着接合されている。
等を覆うように、５ｉ０２等よりなる保護膜が形成され
、アニール処理を施した後、上記保護膜上にガラス等の
接着材を溶融充填することにより平坦化され、さらに、
デプスの摩耗対策としてセラミンクの非磁性材よりなる
保護板が上記接着材上に融着接合されている。
このように構成される薄ＩＩ！磁気ヘッドにおいては、
上記主マーカー膜（４）及び副マーカー膜（５）を設け
ることより、デプス長を設定するための研磨加工の加工
精度が大幅に向上する。
上記主マーカー膜（４）及び副マーカー膜（５）を設け
ることより、デプス長を設定するための研磨加工の加工
精度が大幅に向上する。
以下、本発明のＴ！ｇ膜磁気ヘッドに形成される主マー
カー膜（４）及び副マーカー膜（５）について詳述する
。
カー膜（４）及び副マーカー膜（５）について詳述する
。
第２図に、上記主マーカー膜（４）及び上記副マーカー
膜（５）の拡大平面図を示す、この第２図において、破
線は理想状態（各マーカー膜にレジストのパターニング
誤差や第１コイル導体（３）のエツチング誤差等の誤差
がない状Ｌｉ）の各マーカー膜（４ａ） 、 （５ａ）
を示し、実線は上記誤差により実際に得られた各マーカ
ー膜（４） 、 （５）を示す。
膜（５）の拡大平面図を示す、この第２図において、破
線は理想状態（各マーカー膜にレジストのパターニング
誤差や第１コイル導体（３）のエツチング誤差等の誤差
がない状Ｌｉ）の各マーカー膜（４ａ） 、 （５ａ）
を示し、実線は上記誤差により実際に得られた各マーカ
ー膜（４） 、 （５）を示す。
上記主マーカー膜（４）は、例えば直角２等辺三角形形
状をしており、この頂点Ｓが磁気ギャップ後端縁（ｌａ
） （デプス長Ｄｐ−０）と一致するよう形成されてい
る。したがって、上記主マーカー膜（４）の−辺（４ｃ
）の長さＡを測定することにより、デプス長ＤｐをＥと
して求めることができるようになっている。この主マー
カー膜（４）の形状は、上記直角２等辺三角形に限られ
ず、磁気記録導体対接面方向Ｘの長さＥと磁気記録導体
対接面（６）に表れる長さＡとの関係が１対１で対応す
る形状であれば如何なる形状であっても良い。
状をしており、この頂点Ｓが磁気ギャップ後端縁（ｌａ
） （デプス長Ｄｐ−０）と一致するよう形成されてい
る。したがって、上記主マーカー膜（４）の−辺（４ｃ
）の長さＡを測定することにより、デプス長ＤｐをＥと
して求めることができるようになっている。この主マー
カー膜（４）の形状は、上記直角２等辺三角形に限られ
ず、磁気記録導体対接面方向Ｘの長さＥと磁気記録導体
対接面（６）に表れる長さＡとの関係が１対１で対応す
る形状であれば如何なる形状であっても良い。
一方、上記副マーカー膜（５）は、例えば台形形状をな
し、磁気記録導体対接面方向Ｘにおいて、その−辺（５
ｂ）が主マーカー膜（４）と常に等間隔となるように形
成されている。すなわち、磁気記録導体対接面（６）に
露呈する各マーカー膜（４） 、 （５）開路＃Ｄは常
に一定となるように形成されている。
し、磁気記録導体対接面方向Ｘにおいて、その−辺（５
ｂ）が主マーカー膜（４）と常に等間隔となるように形
成されている。すなわち、磁気記録導体対接面（６）に
露呈する各マーカー膜（４） 、 （５）開路＃Ｄは常
に一定となるように形成されている。
さらに、この副マーカー膜（４）の形状は台形に限らず
、磁気記録導体対接面方向Ｘにおいて、主マーカー膜（
４）の−辺（４ｂ）と常に等間隔となるような一辺を有
するものであれば、三角形、平行四辺形等如何なる形状
であっても良い。
、磁気記録導体対接面方向Ｘにおいて、主マーカー膜（
４）の−辺（４ｂ）と常に等間隔となるような一辺を有
するものであれば、三角形、平行四辺形等如何なる形状
であっても良い。
したがって、磁気記録導体対接面（６）を切削研磨する
と、この磁気記録導体対接面（６）に露出する上記主マ
ーカー膜（４）の長さＡはデプス長Ｄｐの減少とともに
小さくなるが、各マーカー膜（４）。
と、この磁気記録導体対接面（６）に露出する上記主マ
ーカー膜（４）の長さＡはデプス長Ｄｐの減少とともに
小さくなるが、各マーカー膜（４）。
（５）間距離りはデプス長Ｄｐの減少に対して一定とな
る。
る。
このような主マーカー膜（４）及び副マーカー膜（５）
を設けることにより、例えこれらマーカー膜（４） 、
（５）がエツチング誤差やパターニング誤差等を生じ
て形成されたとしても、デプス長［）ｐを正確に検出す
ることができる。
を設けることにより、例えこれらマーカー膜（４） 、
（５）がエツチング誤差やパターニング誤差等を生じ
て形成されたとしても、デプス長［）ｐを正確に検出す
ることができる。
先ず、デプス長Ｄｐを検出するには、先ず、磁気記録導
体対接面（６）に露出する主マーカー膜（４）の長さＡ
及び各マーカー膜（４） 、 （５）間距離りを測定す
る。次いで、以下の手法によりデプス長Ｄｐを算出する
。
体対接面（６）に露出する主マーカー膜（４）の長さＡ
及び各マーカー膜（４） 、 （５）間距離りを測定す
る。次いで、以下の手法によりデプス長Ｄｐを算出する
。
すなわち、これら主マーカー膜（４）及び副マーカー膜
（５）は、フォトリソグラフィ技術で同時に形成される
ため、これらマーカー膜（４） 、 （５）のバターニ
ング誤差が磁気記録導体対接面（６）で等しくなり、 Ｆ−Ｇ−Ｈ−１ となる、同様に、デプス長Ｄｐの誤差Ｂも上記誤差と等
しくなり、 Ｂ雪Ｆ−Ｇ−Ｈ−Ｉ となる、ここで、各マーカー膜（４） 、 （５）開路
ＭＤは、デプス長［）ｐが減少しても一定であるので、
誤差Ｇ及び誤差Ｈは、 Ｇ−Ｈ−（Ｄ−Ｄ′）／２ で表すことができる。ここで、Ｄ′は設計時に設定され
る各マーカー膜（４ａ） 、 （５ａ）間距離、すなわ
ちエツチング誤差等がない状態で作成される各マーカー
ＩＩＩ （４ａ） 、 （５ａ）間距離であり、既知の
値である。ゆえに、デプス長Ｄｐの検出誤差Ｂは、Ｂ＝
（Ｄ−Ｄ’）／２ で示される。
（５）は、フォトリソグラフィ技術で同時に形成される
ため、これらマーカー膜（４） 、 （５）のバターニ
ング誤差が磁気記録導体対接面（６）で等しくなり、 Ｆ−Ｇ−Ｈ−１ となる、同様に、デプス長Ｄｐの誤差Ｂも上記誤差と等
しくなり、 Ｂ雪Ｆ−Ｇ−Ｈ−Ｉ となる、ここで、各マーカー膜（４） 、 （５）開路
ＭＤは、デプス長［）ｐが減少しても一定であるので、
誤差Ｇ及び誤差Ｈは、 Ｇ−Ｈ−（Ｄ−Ｄ′）／２ で表すことができる。ここで、Ｄ′は設計時に設定され
る各マーカー膜（４ａ） 、 （５ａ）間距離、すなわ
ちエツチング誤差等がない状態で作成される各マーカー
ＩＩＩ （４ａ） 、 （５ａ）間距離であり、既知の
値である。ゆえに、デプス長Ｄｐの検出誤差Ｂは、Ｂ＝
（Ｄ−Ｄ’）／２ で示される。
一方、主マーカー膜（４）で検出されるデプス長Ｅは、
Ｅ＝Ａ／２
で表される。
したがって、デプス長Ｄｐは、
Ｄｐ−Ｅ＋Ｂ
＝ （Ａ／２）＋ （Ｄ−Ｄ’）／２
で算出することができる。
すなわち、デプス長Ｄｐは、主マーカー膜（４）で検出
されるＡ／２と、主マーカー膜（４）と副マーカー膜（
５）とで得られる補正値（Ｄ−Ｄ’）／２との和で検出
することができる。
されるＡ／２と、主マーカー膜（４）と副マーカー膜（
５）とで得られる補正値（Ｄ−Ｄ’）／２との和で検出
することができる。
したがって、レジストのバターニング誤差や主マーカー
膜（４）のエツチング誤差によるデプス長Ｄｐの検出誤
差は同一条件で作成された副マーカー膜（５）により補
正されるで、正確にデプス長Ｄｐを検出することができ
る。
膜（４）のエツチング誤差によるデプス長Ｄｐの検出誤
差は同一条件で作成された副マーカー膜（５）により補
正されるで、正確にデプス長Ｄｐを検出することができ
る。
このように、高加工精度を要する上記切削研磨において
、本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁気記録導体対接面（６
）に露出する主マーカー膜（４）の長さＡ及び各マーカ
ー膜（４） 、 （５）間距離りを測定することより、
デプスＤｐを正確に検出することができるとともに、デ
プス長の制御が容易に行える。
、本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁気記録導体対接面（６
）に露出する主マーカー膜（４）の長さＡ及び各マーカ
ー膜（４） 、 （５）間距離りを測定することより、
デプスＤｐを正確に検出することができるとともに、デ
プス長の制御が容易に行える。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
例えば第３図に示すように、磁気ギャップのデプス長Ｄ
ｐを検出するための主マーカー膜（４）の近傍部に、上
記主マーカー膜（４）で検出されるデプス長［）ｐの検
出誤差を補正するための副マーカー膜（２２）として、
磁気記録導体対接面方向接面（６）に露呈する長さＣが
常に一定であるような構成としても良い。
例えば第３図に示すように、磁気ギャップのデプス長Ｄ
ｐを検出するための主マーカー膜（４）の近傍部に、上
記主マーカー膜（４）で検出されるデプス長［）ｐの検
出誤差を補正するための副マーカー膜（２２）として、
磁気記録導体対接面方向接面（６）に露呈する長さＣが
常に一定であるような構成としても良い。
上記マーカー膜（４） 、 （２２）でデプス長Ｄｐを
検出するには、先の実施例の如く、 ［）ｐ＝ （Ａ／２）＋ （Ｄ−Ｄ’）／２で算出して
求めることができる。
検出するには、先の実施例の如く、 ［）ｐ＝ （Ａ／２）＋ （Ｄ−Ｄ’）／２で算出して
求めることができる。
さらに、磁気記録導体対接面（６）に露呈する副マーカ
ー膜（２２）の長さＣは、デプス長Ｄｐが減少しても常
に一定であるので、 Ｂ＝ （Ｃ’−Ｃ）／２ で示される。ここでＤ′は、各マーカー膜（４） 、
（２２）がエツチング誤差のない状態で作成されたとき
に磁気記録導体対接面（６）に露呈する副マーカーＭ（
２２ａ）の長さであるので、既知である。したがって、
デプス長Ｄｐは、 Ｄｐ工Ｅ＋Ｂ ＝ （Ａ／２）＋ （Ｃ’−Ｃ）／２ でも算出することができる。
ー膜（２２）の長さＣは、デプス長Ｄｐが減少しても常
に一定であるので、 Ｂ＝ （Ｃ’−Ｃ）／２ で示される。ここでＤ′は、各マーカー膜（４） 、
（２２）がエツチング誤差のない状態で作成されたとき
に磁気記録導体対接面（６）に露呈する副マーカーＭ（
２２ａ）の長さであるので、既知である。したがって、
デプス長Ｄｐは、 Ｄｐ工Ｅ＋Ｂ ＝ （Ａ／２）＋ （Ｃ’−Ｃ）／２ でも算出することができる。
すなわち、上記副マーカー膜（２２）を用いれば、磁気
記録導体対接面（６）に露呈する主マーカー膜（４）の
長さＡ、副マーカー膜（２２）の長さＣ及び各マーカー
膜（４） 、 （２２）間距離りを測定することにより
、デプス長Ｄｐを正確に検出することができる。
記録導体対接面（６）に露呈する主マーカー膜（４）の
長さＡ、副マーカー膜（２２）の長さＣ及び各マーカー
膜（４） 、 （２２）間距離りを測定することにより
、デプス長Ｄｐを正確に検出することができる。
また、本実施例では主マーカー膜（４）及び副マーカー
膜（５） 、 （２２）を第１コイル導体（３）の形成
と同時に形成したが、第２コイル導体（９）と同時に形
成しても良いことはいうまでもない。
膜（５） 、 （２２）を第１コイル導体（３）の形成
と同時に形成したが、第２コイル導体（９）と同時に形
成しても良いことはいうまでもない。
以上の説明から明らかなように、本発明の薄膜磁気ヘッ
ドにおいては、デプス長を検出する際に、主マーカー膜
のパターニング誤差を磁気記録導体対接面で幅が一定な
副マーカー膜で補正しているので、デプス長の検出精度
が向上するとともに、デプス長の制御が容易となる。
ドにおいては、デプス長を検出する際に、主マーカー膜
のパターニング誤差を磁気記録導体対接面で幅が一定な
副マーカー膜で補正しているので、デプス長の検出精度
が向上するとともに、デプス長の制御が容易となる。
第１図＜Ａ）は本発明に係るＦｉｌ Ｍ ｉｆｆ気ヘッ
ドの一例を示す概略的な平面図、第１図（Ｂ）は第１図
（Ａ）のａ−ａ線における断面図である。 第２図は主マーカー膜及び副マーカー膜を拡大して示す
平面図であり、第３図は副マーカー膜の他の例を示す平
面図である。 １・・・・下部磁性体 ３・・・・第１コイル導体 ４・・・・主マーカー膜 ５・・・・副マーカー膜 ６・・・・磁気記録導体対接面 ９・・・・第２コイル導体 １２・・・上部磁性体
ドの一例を示す概略的な平面図、第１図（Ｂ）は第１図
（Ａ）のａ−ａ線における断面図である。 第２図は主マーカー膜及び副マーカー膜を拡大して示す
平面図であり、第３図は副マーカー膜の他の例を示す平
面図である。 １・・・・下部磁性体 ３・・・・第１コイル導体 ４・・・・主マーカー膜 ５・・・・副マーカー膜 ６・・・・磁気記録導体対接面 ９・・・・第２コイル導体 １２・・・上部磁性体
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下部磁性体上に形成されるコイル導体と、上記下部磁性
体との共働によって磁気回路を構成する上部磁性体より
なる薄膜磁気ヘッドにおいて、上記下部磁性体上に磁気
ギャップのデプス長を検出するための主マーカー膜と、 磁気記録導体対接面方向において上記主マーカー膜の一
辺と常に等間隔となるような辺を有する副マーカー膜と
が形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16168485A JPS6222220A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16168485A JPS6222220A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6222220A true JPS6222220A (ja) | 1987-01-30 |
Family
ID=15739879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16168485A Pending JPS6222220A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6222220A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0336395A2 (en) * | 1988-04-06 | 1989-10-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Marker for detecting amount of working and process for producing thin film magnetic head |
| JPH0614496U (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-25 | 足立機工株式会社 | 送風機 |
| US5331495A (en) * | 1990-06-11 | 1994-07-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Thin film magnetic head and methods for producing same |
-
1985
- 1985-07-22 JP JP16168485A patent/JPS6222220A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0336395A2 (en) * | 1988-04-06 | 1989-10-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Marker for detecting amount of working and process for producing thin film magnetic head |
| US5056353A (en) * | 1988-04-06 | 1991-10-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Marker for detecting amount of working and process for producing thin film magnetic head |
| US5331495A (en) * | 1990-06-11 | 1994-07-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Thin film magnetic head and methods for producing same |
| JPH0614496U (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-25 | 足立機工株式会社 | 送風機 |
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