JPH07201010A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【構成】 ヘッド半体の基板１、31のガラス層４、34に
夫々窪み10、40が形成され、窪み内に渦巻き状のコイル
パターン11、41が形成される。コイルパターンは内側先
端部11ａ、41ａ以外を絶縁保護膜23、53で覆いコイルパ
ターンの内側先端部位置にはガラス層４、34に傾斜面４
ｂ、34ｂを複数形成して突起４ａ、34ａを複数形成す
る。コイルパターン11、41は銅めっき層19、49からな
り、コイルパターン内側先端部は突起４ａ、34ａ上に在
り表面が高く、絶縁保護膜23、53から露出し、その上に
金の膜16、46を形成し金の膜が互いに接続してコイルパ
ターン11、41が接続して１個のコイルを構成する。 【効果】 ガラス層の突起上にコイルパターンの内側先
端部を設けたので、先端部がコイルパターンの他の部分
よりも高くなり、一対のコイルパターン同士の電気的接
続が確実で信頼性が高い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッド及びその製
造方法に関し、例えば、ビデオテープレコーダや磁気デ
ィスク装置に好適な磁気ヘッド及びその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】例えばビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）
等の磁気記録再生装置においては、画質等を向上させる
ために信号をデジタル化して記録するデジタル記録が進
められており、これに対応して記録の高密度化、記録周
波数の高周波化がなされている。

【０００３】ところで、磁気記録の高密度化、高周波化
が進むにつれ、記録再生に使用する磁気ヘッドには、高
周波で出力が高く、ノイズの少ないことが要求される。
例えば、従来ＶＴＲ用磁気ヘッドとして多用されるフェ
ライト材に金属磁性膜を成膜し、巻き線を施した所謂複
合型メタル・イン・ギャップヘッドでは、インダクタン
スが大きく、インダクタンス当たりの出力低下のため、
高周波領域で出力が低く、高周波、高密度が必要とされ
るデジタル画像記録に充分対処することが難しい。

【０００４】このような状況から、磁気ヘッドを薄膜形
成工程で作製する所謂薄膜磁気ヘッドが、高周波対応の
磁気ヘッドとして検討されている。

【０００５】薄膜磁気ヘッドは、一対のセラミック基板
の夫々にフォトリソグラフィ等の薄膜形成手法によって
渦巻き状にコイルを形成しておいて、一対の基体を接合
して磁気ヘッドとする。この接合時に、渦巻き状薄膜コ
イルの先端部を電気的に互いに接続させて１個のコイル
とする。各薄膜コイルの上記接続部（以下、接点電極と
呼ぶ。）以外の領域は、接合面から或る距離を離して互
いに離間させ、絶縁する必要がある。

【０００６】このため、各薄膜コイルの接点電極以外の
領域の上面を、イオンミリングやエッチングによって低
くする、或いは予め所定寸法だけ低く形成した薄膜コイ
ルの接点電極部分を盛り上げるという、いずれにしても
面倒な加工工程が必要になる。また、上記接続が不確実
になり易い。

【０００７】また、一方の基板にのみ薄膜コイルを形成
し、他方の基板には端子に導通する配線を形成し、薄膜
コイルと配線とを電気的に接続させることも考えられる
が、この場合でも上記と同様の問題が存在する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みてなされたものであって、薄膜コイルが容易に形
成され、かつ、電気的接続が確実で信頼性の高い磁気ヘ
ッド及びこの磁気ヘッドの製造方法を提供することを目
的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、互いに対向す
る一対の基体を有し、これら基体の少なくとも一方に薄
膜コイルが形成され、この薄膜コイルのうち前記一対の
基体間に存在する電気的接続部に対応する基体位置に、
前記基体の薄膜コイル形成面と交差する方向の複数の凸
状傾斜面が形成されている磁気ヘッドに係る。

【００１０】本発明において、薄膜コイル形成面と交差
する方向の複数の凸状傾斜面により、１〜10μｍ幅の複
数の突起が１〜10μｍ間隔で形成されていることが好ま
しい。

【００１１】また、本発明において、各薄膜コイルの接
続部以外の領域が絶縁膜で被覆されていることが好まし
い。

【００１２】また、本発明において、各薄膜コイルの接
続部以外の領域が、各基体に設けられた窪み内に形成さ
れていることが好ましい。

【００１３】更に、本発明において、一対の基体の双方
に薄膜コイルが形成され、これら薄膜コイル同士が電気
的に接続して１個のコイルが構成されることが好まし
い。

【００１４】本発明はまた、上記磁気ヘッドを製造する
に際し、薄膜コイルのうち一対の基体間に存在する電気
的接続部に対応する基体位置に、複数の開口を有するマ
スクを用いて薄膜コイル形成面と交差する方向の複数の
凸状傾斜面を形成する、磁気ヘッドの製造方法に係る。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。

【００１６】この例による磁気ヘッドは、一対の基板の
夫々に、薄膜形成手法によって渦巻き状にコイルパター
ンを形成してなる一対のヘッド半体を貼り合わせて構成
される。図７はこれらヘッド半体の拡大平面図、図８
（ａ）は図７のVIII_a −VIII_a線断面図、図８（ｂ）は
図７のVIII_b −VIII_b 線断面図である。矢印で示すよう
に、一方のヘッド半体９に、略同様の形状を呈する他方
のヘッド半体39が貼り合わされ、磁気ヘッドが構成され
る。

【００１７】ヘッド半体９は、次のように構成されてい
る。セラミックスの基体１上のガラス４の表面に窪み10
が設けられ、窪み10の底面10ａに薄膜形成手法によって
コイルパターン11が形成されている。コイルパターン11
の内側先端部11ａの近傍には窪みを設けていない部分が
在り、この部分に金属磁性膜３のバックギャップ３ｂと
なる部分がガラス４上に露呈している。金属磁性膜３
は、バックギャップ３ｂとなる部分から基板の一方の端
面側に亘ってガラス４に埋設され、基体のこの端面側が
フロントギャップ３ａとなる部分になる。

【００１８】コイルパターン11の外側先端部には基板１
の他方の端面側に至る一方の端子部12が延設され、コイ
ルパターン11とは離間した他方の端子部13が端子部12と
平行に設けられている。金属磁性膜３は、後述する基板
に設けられた溝の傾斜面上に形成される。

【００１９】窪み10の外側ガラス上には金の膜14が、金
属磁性膜３のバックギャップ部分３ｂ上には金の膜15
が、コイルパターン11の内側先端部11ａ上には金の膜16
が、コイルパターン11の端子部12との接続部分上には金
の膜17が、端子部13の内側先端部上には金の膜18が夫々
被着している。そして、コイルパターン11は、窪み10内
に充填された絶縁保護膜23に埋められている。なお、コ
イルパターンの内側先端部11ａは絶縁保護膜23の表面に
露呈していて、内側先端部11ａ上に金の膜16が被着して
いる。

【００２０】ヘッド半体39は、ヘッド半体９の端子部1
2、13に替えて、端子部12、13に接続させるための接続
部42、43（端子部12、13より短い）が設けられており、
ヘッド半体９よりも短くなっている。ヘッド半体39のそ
の他は、ヘッド半体９と同じ構造としてある。なお、ヘ
ッド半体39を構成する各部分には、ヘッド半体９のこれ
らと対応する部分の符号に「30」をプラスした符号を付
して表してある。

【００２１】図７、図８から解るように、ヘッド半体
９、39を貼り合わせると、金属磁性膜３、31が閉磁路を
形成し、金の膜14、44によってフロントギャップが、金
の膜15、45によってバックギャップが夫々形成される。
そして、金の膜16、46を介してコイルパターン11、41が
接続し、１個のコイルを構成する。

【００２２】かくして、端子部12から入力された電流
は、コイルパターン11、金の膜16、46、コイルパターン
41、接続部42の金の膜47を順次経由し、端子部13へと流
れる。また、この逆方向に流れる。金の膜17、48は、コ
イルパターンの電気的接続に必要なものではないが、ヘ
ッド半体９、39の貼り合わせの際にがたつきを防止する
のに役立つ。

【００２３】この例において注目すべきことは、コイル
パターン11、41の内側先端接続部11ａ、41ａの位置にて
ガラス４、34上に微小な突起を設けていることである。
これを図１〜図６によって詳細に説明する。

【００２４】図１（ａ）は一対のヘッド半体が貼り合わ
されてなる磁気ヘッドの図８（ｂ）に対応する拡大断面
図、図１（ｂ）は同図（ａ）に仮想線で示すＩ_b 部分の
拡大図である。

【００２５】ヘッド半体９のガラス層４に設けられた窪
み10内にコイルパターン11が形成され、コイルパターン
11は、その内側先端部11ａ以外の領域が絶縁保護膜23で
覆われている。コイルパターン11の内側先端部11ａの部
分のガラス層４には、断面三角形を呈し幅ｗ₁ の突起４
ａが間隔ｄを隔てて複数形成されている。

【００２６】コイルパターン11は、後述するように、ア
ルミナ、クロム、銅の薄膜がこの順に積層してなる下地
膜20上に電気めっきによって銅めっき層19が形成されて
なっている。コイルパターン11の内側先端部11ａの銅め
っき層19ａは、ガラス層４に形成された複数の突起４ａ
によって形成される凹凸に倣った凹凸状になる。そして
その凹部には絶縁保護膜23が充填される。

【００２７】銅めっき層19ａ上には金の膜16が被着して
おり、銅めっき層19ａはその上端面の複数箇所で各幅ｗ
₂ の範囲で金の膜16に接触している。コイルパターンの
内側先端部11ａでは、ガラス層４の突起４ａによって形
成される凹凸面上に銅めっき層19ａが設けられるので、
この領域での銅めっき層19ａの上端面19ｂは、銅めっき
層19の他の渦巻き状部分よりも高い位置にある。

【００２８】前述したように、ヘッド半体９は他方のヘ
ッド半体39と貼り合わされて磁気ヘッドとなり、ヘッド
半体39を構成する各部分には、ヘッド半体９のこれらに
対応する部分に「30」をプラスした符号で表してある。
ヘッド半体９、39の貼り合わせは、両者を合わせて加圧
しながら 200〜400 ℃に加熱し、圧着することによって
なされる。

【００２９】このようにして、コイルパターン11、41の
内側先端部11ａ、41ａをコイルパターンの他の部分より
高くすることが簡単にでき、ヘッド半体９、39のコイル
パターン内側先端部11ａ、41ａの金の膜16、46を介して
の電気的接続が確実であり、信頼性が高い。

【００３０】ガラス層の突起４ａ、34ａの幅ｗ₁ 及び間
隔ｄは、夫々１μｍ未満では突起が微細になり過ぎてコ
イルパターン内側先端部11ａ、41ａを充分に高くするこ
とが困難であり、これらが夫々10μｍを越えると突起の
数が少なくなって金の膜16、46との接触領域（幅ｗ₂ の
整数倍）が不足し、いずれも電気的接続が不充分にな
る。また、突起の傾斜面４ｂと窪みの底面10ａとのなす
角度θは、30度以上、90度未満とするのが上記の効果を
もたらす上で好適である。

【００３１】次に、ガラス層に断面三角形の突起を設け
る方法について説明する。

【００３２】ガラス層上に、スリットを形成するように
フォトレジストをパターニングしておいて、イオンミリ
ングによって凹凸を形成する場合、フォトレジストのス
リットの下に、図５に示すようにガラス層４、34の主面
に対して略垂直の壁面が形成されるのが理想である。然
し、現実にはこのようにはならず、図６（ａ）に示すよ
うに傾斜した壁面が形成され、台形の突起が形成され
る。そして、フォトレジストのスリット間の幅を小さく
していくと、突起の形状は図６（ｂ）の幅狭の台形を経
て同図（ｃ）のように断面三角形となる。

【００３３】かくして、図２に示すように、下地膜20、
50上に銅めっき層を形成すると、銅めっき層19、49は、
突起４ａ、34ａによって形成される凹凸面に倣った形状
となる。次いで、銅めっき層19、49上の凹部に絶縁保護
膜23、53を充填し、表面を平坦に加工して図３に示す状
態とする。次に、銅めっき層19、49上に金の膜16、46を
被着、パターニングして図４に示す状態とする。上記表
面平坦化の加工で、削り代の大小に関係なく、表面に必
ず銅めっき層が存在する。何故なら、めっき工程で、銅
めっき層は凹凸形状に倣って傾斜面上にも形成されるか
らである。

【００３４】以上のようにして、コイルパターンの内側
先端部では、銅めっき層が恰も盛り上がったように形成
される。而もこの加工は、上記のような簡単な操作によ
ってなされる。

【００３５】次に、この例による磁気ヘッドの製造工程
について説明する。

【００３６】先ず、図９に示すように、平板状の基板１
を用意する。基板１は、フェライト等の磁性材料よりな
るものであっても良いが、例えばマルチチャンネル化し
たときのクロストークの防止を図るという点や、磁気ヘ
ッドのインピーダンスを下げるという点から、チタン酸
カリウム等の非磁性材料であることが好ましい。

【００３７】勿論、前記チタン酸カリウムに限らず、各
種非磁性材料が使用可能であり、例示するならば、チタ
ン酸カルシウム、チタン酸バリウム、酸化ジルコニウム
（ジルコニア）、アルミナ、アルミナチタンカーバイ
ド、ＳｉＯ₂ 、ＭｎＯ−ＮｉＯ混合焼結材、Ｚｎフェラ
イト、結晶化ガラス、高硬度ガラス等が挙げられる。

【００３８】次に、図10に示すように、基板１の主面１
ａ上に対して第一の溝加工を施す。この溝加工は、後の
工程で成膜される金属磁性膜が基板１の磁気ギャップ形
成面である主面１ａに対して斜めに成膜されるように設
けられるものである。従って、各第一の溝２は、所定の
傾斜面２ａを以てデプス方向に平行に形成される。

【００３９】前述の溝加工を施した後、図11に示すよう
に、金属磁性膜３を溝２内（特に前記傾斜面２ａ上）を
含めて基板１の主面１ａ上全面に成膜する。金属磁性膜
３の成膜方法としては、真空蒸着やスパッタリング等、
各種薄膜形成プロセスが採用可能である。

【００４０】また、金属磁性膜３の材質としては、高飽
和磁束密度を有し、良好な軟磁気特性を有するものであ
れば如何なるものであっても良く、例えば、Ｆｅ−Ａｌ
−Ｓｉ系合金（特にセンダスト）、Ｆｅ−Ａｌ系合金、
Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金、Ｆ
ｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｇａ系合
金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇｅ系合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金
等の結晶質合金等が挙げられる。

【００４１】或いは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの１以上
の元素とＰ、Ｃ、Ｂ、Ｓｉのうちの１以上の元素とから
なる合金、またはこれを主成分としＡｌ、Ｇｅ、Ｂｅ、
Ｓｎ、Ｉｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｎｂ等を含んだ合金等に代表されるメタル−メタロ
イド系アモルファス合金や、Ｃｏ、Ｈｆ、Ｚｒ等の遷移
金属と希土類元素を主成分とするメタル−メタル系アモ
ルファス合金等の非晶質合金も使用可能である。

【００４２】次いで、図12に示すように、基板１に形成
された第一の溝２内にガラス４を充填し、表面を平坦化
した後、図13に示すように、第一の溝２とは直交する方
向に第二の溝５及び第三の溝６を切削加工によって設け
る。

【００４３】第二の溝５は、いわば通常のバルク型の磁
気ヘッドの巻線溝に相当するものであって、先に成膜し
た金属磁性膜３のフロントデプス及びバックデプスを規
定し、金属磁性膜３によって構成される磁路を閉ループ
とするために形成されるものである。他方、第三の溝６
は、最終的に磁気ヘッドを組み立てたときに不要となる
金属磁性膜３を除去するために設けられるものである。

【００４４】次に、図14に示すように、第二の溝５及び
第三の溝６に再びガラス４を充填して、主面１ａに対し
て平坦化加工を施す。

【００４５】次に、図15に示すように、第一の溝２と平
行に第四の溝７及び第五の溝８を切削加工によって設け
る。ここで、第四の溝７は、溝傾斜面２ａ上に成膜され
た金属磁性膜３の一端縁と接するように形成され、金属
磁性膜３の突き合わせ幅、即ちトラック幅を規制する。
また、第五の溝８は、第一の溝２内の金属磁性薄膜３の
うち、溝２の底面に存在する不要な金属磁性膜３を除去
するために設けられる。

【００４６】次に、図16に示すように、再びガラス４を
第四の溝７及び第五の溝８内に充填し、表面を平坦化す
る。

【００４７】以上の工程により、金属磁性膜３による磁
路部分が形成される。図17は、図16の個々の磁気ヘッド
に対応する部分（仮想線で示すXVIIの部分）を取り出し
て拡大図示する（方向を変えてある）ものである。以
下、図17に示す領域内でのコイルの形成方法について説
明する。

【００４８】図18は、図17と同様、個々の磁気ヘッドに
対応して基板１を部分的に拡大して示すものであり、図
18（ａ）は図17中の仮想線で示すXVIII の矩形領域をさ
らに拡大して示す平面図、図18（ｂ）は同図（ａ）の仮
想線位置での断面図である（以下の図面でも同様）。

【００４９】図18（ａ）に示すように、磁気ギャップ形
成面には、金属磁性膜３が分断された形で臨んでおり、
中央に位置する部分がバックギャップ部３ｂであり、溝
５によりこのバックギャップ部から分断された部分がフ
ロントギャップ部３ａである。いずれの部分も、図18
（ｂ）に示すように、基板１上に斜めに成膜されてい
る。また、バックギャップ部３ｂの周囲には、各溝に充
填したガラス４が露呈している。

【００５０】そこで、先ず、図19に示すように、概ねコ
イルの外形形状に対応して、レジスト層61をフォトリソ
グラフ技術により形成する。このとき、レジスト層61の
うちのコイルパターン内側先端部に対応する部分に複数
のスリット61ａを設ける。

【００５１】然る後、図20に示すように、イオンミリン
グの手法により選択的にエッチングを行い、コイルの外
形形状に対応する窪み10を形成した後、フォトレジスト
60を洗浄除去する。

【００５２】ここで、前記イオンミリングによるエッチ
ングが施されるのは、ガラス４であるため、窪み10は精
度良く形成される。また、レジスト層のスリット61ａ間
の位置に、前述したように断面三角形の突起４ａが形成
される。各種基板を２時間イオンミリングした後の窪み
の深さと底面の表面粗さを下記表に示す。なお、レジス
ト層にはスリットに替えて小径の貫通孔を多数設けても
良い。この場合は、断面三角形の突起が島状に多数形成
される。

【００５３】

【００５４】上記表から、コイル部分の窪み10を深く精
度良く形成するには、ガラスを使用するのが良いことが
解る。

【００５５】なお、窪み10を形成する手法としては、前
記イオンミリングの他、化学エッチング法、反応性イオ
ンエッチング、パウダビームエッチング等が挙げられ
る。これらの手法は、被エッチング部の原子を物理的、
化学的に剥離するもので、被エッチング部が多結晶であ
る場合には、結晶粒の違いによって剥離速度が異なり、
平坦に窪み10を形成するのは難しいが、ガラス等の非晶
質であれば、平坦な窪み10を形成することができる。機
械的な加工では、必要な部分だけに空間（窪み）を形成
するのは難しい。

【００５６】次に、図21に示すように、コイルパターン
を構成する銅めっき層の下地となる下地膜をスパッタリ
ングによって全面に成膜する。下地膜20は、下からアル
ミナ膜(0.2μｍ厚）、クロム膜（0.01μｍ厚）、銅膜
(0.2μｍ厚）の順に積層されたものであるが、これら層
構成は図示省略してある。

【００５７】次に、フォトレジストを塗布し、形成しよ
うとするコイルパターンに応じてこれを図22に示すよう
にパターニングする。図中、62はパターニングされたフ
ォトレジストである。

【００５８】次に、フォトレジスト62をマスクにして銅
めっきを施し、厚さ約 3.5μｍの銅めっき層19を形成
し、図23に示すようにフォトレジスト62を洗浄除去す
る。

【００５９】次に、図24に示すように、銅めっき層19が
存在しない部分の下地膜20をイオンミリングによって除
去し、コイルパターン11を形成する。このとき、銅めっ
き層19がマスクになる。

【００６０】次に、図25に示すように、フォトレジスト
63を塗布し、エッチングしない領域を残すようにこれを
パターニングする。

【００６１】次に、塩化第二鉄溶液に浸漬し、図26に示
すように不要な銅を化学エッチングにより除去し、銅め
っき層19からなるコイルパターン11を残す。銅めっきの
不要部分の除去は、化学的エッチングのほか、イオンミ
リング、反応性イオンエッチング、パウダビームエッチ
ング等によることもできる。

【００６２】次に、絶縁保護材を塗布し、図27に示すよ
うに、これを窪み10内に残すようにパターニングして絶
縁保護膜23によってコイルパターン11を保護する。絶縁
保護材としては、この例にあっては、フォトレジストを
使用し、 200〜400 ℃に加熱して硬化させ、これを絶縁
保護膜23としている。

【００６３】次に、表面平坦化の研磨仕上げを施し、図
28に示すように、コイルパターン11の内側先端部11ａ上
の銅めっき層を露呈させる。

【００６４】次に、図29に示すように、磁気ギャップ形
成用の非磁性膜74をギャップ長の半分の厚さになるよう
にスパッタリングによって成膜する。非磁性膜74は、チ
タン、金の順に合計 0.1μｍの厚さに成膜する。

【００６５】次に、非磁性膜74上にフォトレジストを塗
布し、図30に示すように、コイルパターンの内側先端部
11ａ上、磁性膜３のバックギャップ部３ａ上及び窪み10
の外側領域（フロントギャップ形成用の領域）にフォト
レジスト64を残すようにパターニングする。

【００６６】次に、フォトレジスト64をマスクにしてイ
オンミリングを行い、金の膜（非磁性膜）の不要部分を
除去する。かくして、図31に示すように、窪み10の外側
の領域（フロントギャップ形成領域を含む）に金の膜14
が、バックギャップ形成部分に金の膜15が、コイルパタ
ーン11の内側先端部11ａに金の膜16が、端子部12上の一
部に金の膜17が、端子部13上の一部に金の膜18が夫々残
存する。

【００６７】次に、図32に示すように、以上のようにし
て作製されたヘッド半体９及び同様のプロセスを経て作
製されたヘッド半体39を、夫々Ａ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線及び
Ｃ−Ｃ線、Ｄ−Ｄ線で示す位置で切断する。この切断に
当たっては、先に図７で説明したように、ヘッド半体39
の接続部42、43がヘッド半体９の端子部12、13よりも短
くなるように切断する。

【００６８】次に、図32で所定寸法に切断されたヘッド
半体９、39を図33に示すように貼り合わせて図34に示す
磁気ヘッド素材とする。図34（ａ）は磁気ヘッド素材の
斜視図、同図（ｂ）は同コイルパターン内側先端部を通
る断面図である。上記貼り合わせは、先に説明したよう
に、 250〜300 ℃での加熱圧着による。

【００６９】次に、磁気ヘッド素材の不要な両側縁部を
切断、除去し、図35に示す磁気ヘッドとする。

【００７０】なお、図18〜図34による説明では、１個の
ヘッド半体について説明したが、実際には、図16に示し
たような多数のヘッド半体の集合体としての板状素材に
ついて前述の加工を施し、最後に個々のヘッド半体素材
を切断によって採取する。

【００７１】以上説明したように、この例による磁気ヘ
ッドは、前述したようにガラス層の突起によって形成さ
れる凹凸面上にコイルパターンの内側先端部が形成され
るので、この先端部がコイルパターンの他の部分よりも
高くなる。その結果、一対のコイルパターンの内側先端
部同士の接続が容易かつ確実であって、高い生産性と共
に高い信頼性が保証される。

【００７２】また、この磁気ヘッドにおいては、コイル
パターンの形状に応じた形状の窪みがバックギャップの
周囲に形成され、この窪み内にコイルパターンが形成さ
れているので、磁気記録媒体摺動面に不要な開口部
（孔）が形成されることがなく、ガラスを充填する必要
がない。従って、ガラスの充填による薄膜コイルパター
ンの断線や短絡等が解消される。

【００７３】また、この磁気ヘッドの製造プロセスにお
いては、予めイオンミリングによって形成した窪み内に
コイルパターンを形成した後、突き合わせ面（即ち磁気
ギャップ形成面）を平坦化しているので、ギャップ精度
が充分に確保される。

【００７４】絶縁保護膜の材料としては、フォトレジス
トのほか、ガラス、アルミナやシリカ等の酸化物又は窒
化珪素等の窒化物のような安定な絶縁材料が使用でき
る。これらの場合、スパッタリングによって厚さ６〜８
μｍに成膜し、次いで表面を平坦化する。

【００７５】＜比較例＞前記実施例における図19、図20
で説明した窪みを形成する工程で、レジスト層にスリッ
トを設けずしてイオンミリングによって深さ約 4.5μｍ
の窪みを形成した。そして、前記実施例における図23で
説明した銅めっき層形成の工程で、銅めっき層を約５μ
ｍの厚さに形成した。また、前記実施例における図31で
説明した金の膜のパターニングの工程で、不要部分（絶
縁保護膜及び内側先端部を含むコイルパターンの上部の
0.5〜１μｍ厚の部分）を除去した。

【００７６】この例では、コイルパターンの上の絶縁保
護膜が除去されて存在しなくなってしまう。そのため、
コイルパターン上を再び絶縁保護膜で覆いかつ相手コイ
ルパターンとの導通部分の内側先端部を盛り上げるため
に、更に数工程を必要とすることになる。

【００７７】前記の実施例は、一対の基体の双方に、薄
膜によるコイルパターンを形成しているが、一方の基体
にのみコイルパターンを設け、他方の基体に配線を設け
ることができる。即ち、コイルパターンの内側先端部と
この基体に設けられた端子部（基体上ではコイルパター
ンと接続していない方の端子部）とを他方の基体に設け
られた配線によって電気的に接続する。

【００７８】図36はこのようにしたヘッド半体を示す図
７と同様の平面図、図37、図38、図39は両ヘッド半体を
貼り合わせた後の図36のＥ−Ｅ線に沿う断面図である。

【００７９】図37の例では、一方のヘッド半体には前記
実施例に使用したヘッド半体９を使用し、他方のヘッド
半体には符号「101 」で示すヘッド半体を使用してい
る。

【００８０】ヘッド半体101 にはガラス層102 の窪み10
3 内に電気めっきによりＬ字形の銅配線104 を設け、金
の膜105 、106 によってヘッド半体９の金の膜16、18に
接続させ、銅配線104 を介してコイルパターン11の内側
先端部11ａを端子部13に接続させている。銅配線104 は
絶縁保護膜108 で覆われている。図中、107 は金の膜14
と共に磁気ギャップを形成する金の膜である。

【００８１】図38の例では、一方のヘッド半体には前記
実施例で使用したヘッド半体９を使用し、他方のヘッド
半体には図37の例におけるヘッド半体101 に替えて符号
「111 」で示すヘッド半体を使用している。

【００８２】ヘッド半体111 にはガラス層112 に窪みを
設けておらず、ガラス層112 上の銅配線114 は、金の膜
を設けることなく、ヘッド半体９の金の膜16、18に直接
接続する。図中、 114ａは、金の膜14と共に磁気ギャッ
プを形成するための銅めっき層部分である。その他は、
図37の例におけると同様である。

【００８３】図39の例では、図37のヘッド半体９、101
に替えて夫々符号「131 」、「121」で示すヘッド半体
を使用している。

【００８４】ヘッド半体131 のガラス層132 には窪み及
び突起を設けておらず、コイルパターン141 の表面を平
坦にし、コイルパターン141 は絶縁保護膜153 で覆って
はいない。

【００８５】ヘッド半体121 のガラス層122 には窪み12
3 が設けられていて、ヘッド半体131 のコイルパターン
141 の内側先端部 141ａ及び端子部148 の接続部に対抗
する位置のガラス層122 に夫々突起 122ａ、 122ｂを形
成してある。従って、ガラス層122 上の銅配線124 のこ
の位置は、他の銅配線部分よりも突出していて、此処に
設けられた金の膜125 、126 が夫々コイルパターン内側
先端部 141ａ、端子部148 に接続する。

【００８６】図36〜図39の例では、薄膜コイルのターン
数が少なくて良い場合に、一方のヘッド半体の構造が簡
単になるという利点がある。

【００８７】以上、本発明の実施例を説明したが、本発
明の技術的思想に基いて種々の変形を前記実施例に加え
ることができる。

【００８８】例えば、磁気ヘッドを構成する各部分の材
料、形状は、前記以外の適宜の材料、形状とすることが
できる。また、本発明は、ＶＴＲ用磁気ヘッド以外に
も、オーディオ用その他の磁気ヘッドに適用可能であ
る。

【００８９】

【発明の作用効果】本発明は、薄膜コイルのうち一対の
基体間に存在する電気的接続部に対応する基体位置に、
薄膜コイル形成面と交差する方向の凸状傾斜面が複数形
成されているので、これら傾斜面によって形成される凹
凸面上に薄膜コイルの又は薄膜コイルに対する電気的接
続部が形成される。

【００９０】従って、電気的接続部の面は他の導電性部
分の面よりも高くなり、而も加工後の表面に必ず導電層
が存在するので、電気的接続が確実になり、また接続部
以外で短絡を起こすことがなく、信頼性が高い。

【００９１】更に、電気的接続部の面を高くするための
工程を別に設ける必要がなく、製造が簡単である。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例による磁気ヘッドの断面構造を示し、同
図（ａ）はコイルパターン部分の断面図、同図（ｂ）は
同図（ａ）のＩ_b 部分の拡大図である。

【図２】同コイルパターンの内側先端部の仕上げ前の銅
めっき層を示す拡大断面図である。

【図３】同コイルパターンの内側先端部の仕上げ後の銅
めっき層を示す拡大断面図である。

【図４】同コイルパターンの先端部の銅めっき層とその
上の金の膜を示す拡大断面図である。

【図５】同ガラス層に突起を設ける工程を説明するため
の説明図である。

【図６】同レジスト層のスリット間隔とガラス層の突起
の形状との関係を示す概略図で、同図（ａ）はスリット
間隔が大きい場合を、同図（ｂ）はスリット間隔が小さ
い場合を、同図（ｃ）はスリット間隔が更に小さい場合
を示す。

【図７】同一対のヘッド半体の平面図である。

【図８】同一対のヘッド半体の断面構造を示し、図８
（ａ）は図７のVIII_a −VIII_a 線断面図、図８（ｂ）は
図７のVIII_b −VIII_b 線断面図である。

【図９】同ヘッド半体製造工程における基板の斜視図で
ある。

【図10】同基板への第一の溝加工工程を示す概略斜視図
である。

【図11】同金属磁性膜の成膜工程を示す概略斜視図であ
る。

【図12】同ガラス充填工程を示す概略斜視図である。

【図13】同基板への第二、第三の溝加工工程を示す概略
斜視図である。

【図14】同ガラス充填工程を示す概略斜視図である。

【図15】同基板への第四、第五の溝加工工程を示す概略
斜視図である。

【図16】同ガラス充填及び平坦化工程を示す概略斜視図
である。

【図17】同図16のXVII部分（ヘッド半体素材）の拡大図
である。

【図18】同図17のヘッド半体素材の平面図（同図
（ａ））及び断面図（同図（ｂ））である。

【図19】同ガラス層上にフォトレジストを設けたヘッド
半体素材の平面図（同図（ａ））及び断面図（同図
（ｂ））である。

【図20】同ガラス層に窪みを設けたヘッド半体素材の平
面図（同図（ａ））及び断面図（同図（ｂ））である。

【図21】同銅めっき下地膜を設けたヘッド半体素材の平
面図（同図（ａ））及び断面図（同図（ｂ））である。

【図22】同下地膜上にフォトレジストを設けたヘッド半
体素材の平面図（同図（ａ））及び断面図（同図
（ｂ））である。

【図23】同銅めっき層を設けたヘッド半体素材の平面図
（同図（ａ））及び断面図（同図（ｂ））である。

【図24】同銅めっき層の無い箇所の下地膜を除去してコ
イルパターンを形成したヘッド半体素材の平面図（同図
（ａ））及び断面図（同図（ｂ））である。

【図25】同銅めっき層の上にフォトレジストを設けたヘ
ッド半体素材の平面図（同図（ａ））及び断面図（同図
（ｂ））である。

【図26】同銅めっき層の不要部分を除去したヘッド半体
素材の平面図（同図（ａ））及び断面図（同図（ｂ））
である。

【図27】同窪み内に絶縁保護膜を設けたヘッド半体素材
の平面図（同図（ａ））及び断面図（同図（ｂ））であ
る。

【図28】同表面を平坦化したヘッド半体素材の平面図
（同図（ａ））及び断面図（同図（ｂ））である。

【図29】同表面に金の膜を形成したヘッド半体素材の平
面図（同図（ａ））及び断面図（同図（ｂ））である。

【図30】同金の膜上にフォトレジストを設けたヘッド半
体素材の平面図（同図（ａ））及び断面図（同図
（ｂ））である。

【図31】同金の膜をパターニングしたヘッド半体素材の
平面図（同図（ａ））及び断面図（同図（ｂ））であ
る。

【図32】同一対のヘッド半体素材の切断位置を示す斜視
図である。

【図33】同一対のヘッド半体を貼り合わせる要領を示す
斜視図である。

【図34】同互いに貼り合わされた一対のヘッド半体を示
し、同図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）は断面図である。

【図35】同不要部分を切断除去してなる磁気ヘッドの斜
視図である。

【図36】他の実施例による一対のヘッド半体の平面図で
ある。

【図37】同互いに貼り合わされた一対のヘッド半体の図
36のＥ−Ｅ線に沿う断面図である。

【図38】更に他の例による互いに貼り合わされた一対の
ヘッド半体の図37と同様の断面図である。

【図39】更に他の例による互いに貼り合わされた一対の
ヘッド半体の図37と同様の断面図である。

【符号の説明】

１、31・・・基板 ３、33・・・金属磁性膜 ４、34・・・ガラス層 ４ａ、34ａ・・・突起 ４ｂ、34ｂ・・・傾斜面 ９、39・・・ヘッド半体 10、40・・・窪み 10ａ、40ａ・・・窪みの底面 11、41・・・コイルパターン 11ａ、41ａ・・・コイルパターンの内側先端部 12、13・・・端子部 14、15、16、17、18、44、45、46、47、48・・・金の膜 19、49・・・銅めっき層 20、50・・・銅めっきの下地膜 23、53・・・絶縁保護膜 42、43・・・端子部との接続部

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成６年１２月６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 庄子 光治 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに対向する一対の基体を有し、これ
   ら基体の少なくとも一方に薄膜コイルが形成され、この
   薄膜コイルのうち前記一対の基体間に存在する電気的接
   続部に対応する基体位置に、前記基体の薄膜コイル形成
   面と交差する方向の複数の凸状傾斜面が形成されている
   磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 薄膜コイル形成面と交差する方向の複数
   の凸状傾斜面により、１〜10μｍ幅の複数の突起が１〜
   10μｍ間隔で形成されている、請求項１に記載された磁
   気ヘッド。
3. 【請求項３】 各薄膜コイルの接続部以外の領域が絶縁
   膜で被覆されている、請求項１又は２に記載された磁気
   ヘッド。
4. 【請求項４】 各薄膜コイルの接続部以外の領域が、基
   体に設けられた窪み内に形成されている、請求項１、２
   又は３に記載された磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 一対の基体の双方に薄膜コイルが形成さ
   れ、これら薄膜コイル同士が電気的に接続して１個のコ
   イルが構成される、請求項１〜４のいずれか１項に記載
   された磁気ヘッド。
6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載され
   た磁気ヘッドを製造するに際し、薄膜コイルのうち一対
   の基体間に存在する電気的接続部に対応する基体位置
   に、複数の開口を有するマスクを用いて薄膜コイル形成
   面と交差する方向の複数の凸状傾斜面を形成する、磁気
   ヘッドの製造方法。