JPH0227508A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPH0227508A JPH0227508A JP17605988A JP17605988A JPH0227508A JP H0227508 A JPH0227508 A JP H0227508A JP 17605988 A JP17605988 A JP 17605988A JP 17605988 A JP17605988 A JP 17605988A JP H0227508 A JPH0227508 A JP H0227508A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- resist layer
- insulating layer
- insulating
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 31
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract description 8
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録媒体として磁気テープ、磁気ディスク
等を使用した磁気記録再生装置において高記録密度化に
対応した薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特にその導
体コイルの形成方法に関する。
等を使用した磁気記録再生装置において高記録密度化に
対応した薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特にその導
体コイルの形成方法に関する。
I膜磁気ヘッドは、一般に磁気回路を構成する上部磁性
膜や導体コイル等が真空薄膜形成技術により形成される
ため、機械加工では不可能な狭トラツク化や狭ギャップ
化が容易で、かつ分解能や記録密度の向上が可能である
という特徴を有しており、次世代の磁気ヘッドとして注
目されている。
膜や導体コイル等が真空薄膜形成技術により形成される
ため、機械加工では不可能な狭トラツク化や狭ギャップ
化が容易で、かつ分解能や記録密度の向上が可能である
という特徴を有しており、次世代の磁気ヘッドとして注
目されている。
このような薄膜磁気ヘッドにおける導体コイルの形成方
法には、大別して電着に代表される湿式法とイオンエツ
チングに代表される乾式法とがある。
法には、大別して電着に代表される湿式法とイオンエツ
チングに代表される乾式法とがある。
湿式法では乾式法に比べてコイルピッチを小さくし、実
装密度を増大させることができるが、電着時に導体コイ
ル中へ不純物が混入し易く、得られるgI膜磁気ヘッド
の熱安定性に問題を有している。このため、アニールや
ガラス融着等の高温プロセスを経るたびに磁気特性の劣
化を招く虞れがある。
装密度を増大させることができるが、電着時に導体コイ
ル中へ不純物が混入し易く、得られるgI膜磁気ヘッド
の熱安定性に問題を有している。このため、アニールや
ガラス融着等の高温プロセスを経るたびに磁気特性の劣
化を招く虞れがある。
一方の乾式法の応用としては、たとえば特開昭63−1
02010号に以下のような薄am気ヘッドの製造方法
が開示されている。これを第2図(A)ないし第2図(
E)を参照しながら説明する。
02010号に以下のような薄am気ヘッドの製造方法
が開示されている。これを第2図(A)ないし第2図(
E)を参照しながら説明する。
まず、第2図(A)に示すように、鏡面研磨された強磁
性基板(11)の全面にA j! t Os等の絶縁膜
を形成し、バックギャップ部(13)に相当する部分を
選択的に除去して第1の絶縁N(12)を形成する。
性基板(11)の全面にA j! t Os等の絶縁膜
を形成し、バックギャップ部(13)に相当する部分を
選択的に除去して第1の絶縁N(12)を形成する。
この第1の絶縁層(12)は磁気ギャップを形成するた
めのものであり、その膜厚はギャップ長に相当する。
めのものであり、その膜厚はギャップ長に相当する。
次に、第2図([3)に示すように、Stow等の絶縁
材料を被着し、後に形成される導体コイルのピッチに応
じたパターニングを行って第2の絶縁層(14)を形成
する。
材料を被着し、後に形成される導体コイルのピッチに応
じたパターニングを行って第2の絶縁層(14)を形成
する。
次に、第2図(C)に示すように、導体コイルを形成す
るために導電性の高いCu、Au等の金属を使用して導
体層(15)を上記第2の絶縁JW (14)の上に被
着形成し、さらに環化ゴム−ビスアシド系等のフォトレ
ジスト層(16)を形成して基体の表面を平坦化する。
るために導電性の高いCu、Au等の金属を使用して導
体層(15)を上記第2の絶縁JW (14)の上に被
着形成し、さらに環化ゴム−ビスアシド系等のフォトレ
ジスト層(16)を形成して基体の表面を平坦化する。
次に、第2図(D)に示すように、上記フォトレジスト
Jl(16)と導体1(15)のエッチレートが等しく
なる条件にて上記第2の絶縁層(14)の凸部が露出す
るまでエッチバックを行う、ここで、上記導体層(15
)に由来し、各第2の絶縁N(14)の間に残存した部
分が導体コイル(17)となる。
Jl(16)と導体1(15)のエッチレートが等しく
なる条件にて上記第2の絶縁層(14)の凸部が露出す
るまでエッチバックを行う、ここで、上記導体層(15
)に由来し、各第2の絶縁N(14)の間に残存した部
分が導体コイル(17)となる。
次に、第2図(E)に示すように、StO,等の絶縁材
料を被着した後、そのフロントギャップ部(18)およ
びバックギャップ部(13)に相当する部分を除去して
第3の絶縁層(19)を形成し、さらにその上に磁性コ
ア(20)を積層してからテープ摺動面(21)等を研
磨加工により形成して薄膜磁気ヘッドが完成される。
料を被着した後、そのフロントギャップ部(18)およ
びバックギャップ部(13)に相当する部分を除去して
第3の絶縁層(19)を形成し、さらにその上に磁性コ
ア(20)を積層してからテープ摺動面(21)等を研
磨加工により形成して薄膜磁気ヘッドが完成される。
〔発明が解決しようとするi1題〕
上述のような乾式法によれば、湿式法において問題とな
ったような磁気特性の劣化は回避できる。
ったような磁気特性の劣化は回避できる。
しかし、上述の技術からも明らかなように、−船釣な薄
膜磁気ヘッドにおいては導体コイルがスパイラル状に形
成されており、該導体コイルを1周ごとに電気的に分離
するために隣接する導体コイルの中間に絶縁層が形成さ
れている。このコイルピッチはコイル導体自身の幅と絶
縁層の幅により決定されており、さらにこれらの幅はエ
ツチングの精度におのずと限定されている。したがって
、導体コイルのパターニングがエツチングにより行われ
ている限り、実装密度の大幅な増大はもはや期待できな
いのが実情である。
膜磁気ヘッドにおいては導体コイルがスパイラル状に形
成されており、該導体コイルを1周ごとに電気的に分離
するために隣接する導体コイルの中間に絶縁層が形成さ
れている。このコイルピッチはコイル導体自身の幅と絶
縁層の幅により決定されており、さらにこれらの幅はエ
ツチングの精度におのずと限定されている。したがって
、導体コイルのパターニングがエツチングにより行われ
ている限り、実装密度の大幅な増大はもはや期待できな
いのが実情である。
そこで本発明は、乾式法によっても実装密度の増大を可
能とする薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目
的とする。
能とする薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目
的とする。
(!!11!を解決するための手段〕
本発明者らは、上述の実情に鑑みて検討を行った結果、
これまで絶縁層が形成されていた部分をも積極的に導体
コイルの形成に利用することにより、実装密度の大幅な
増大が可能となることを見出し、本発明に至ったもので
ある。
これまで絶縁層が形成されていた部分をも積極的に導体
コイルの形成に利用することにより、実装密度の大幅な
増大が可能となることを見出し、本発明に至ったもので
ある。
すなわち、本発明にかかるfi Il!iff気ヘッド
の製造方法は、基板上にエッチレートの異なる第1のレ
ジスト層と第2のレジスト層を順次積層する工程と、上
記第2のレジスト層を選択的に除去する工程と、上記第
2のレジスト層をマスクとしてアンダカットを生ぜしめ
る条件にて該第1のレジスト層のパターニングを行う工
程と、上記第2のレジスト層の表面および上記パターニ
ングにより形成された開口部の内壁に沿って不連続な絶
縁層を設ける工程と、上記第2のレジスト層とその表面
に存在する絶縁層と第1のレジスト層とを除去する工程
と、基板上に残った絶縁層を少なくとも被覆できる厚さ
に導電性材料を被着する工程と、基体の表面に絶縁層が
現れるまで平坦化を行う工程とを有することを特徴とす
るものである。
の製造方法は、基板上にエッチレートの異なる第1のレ
ジスト層と第2のレジスト層を順次積層する工程と、上
記第2のレジスト層を選択的に除去する工程と、上記第
2のレジスト層をマスクとしてアンダカットを生ぜしめ
る条件にて該第1のレジスト層のパターニングを行う工
程と、上記第2のレジスト層の表面および上記パターニ
ングにより形成された開口部の内壁に沿って不連続な絶
縁層を設ける工程と、上記第2のレジスト層とその表面
に存在する絶縁層と第1のレジスト層とを除去する工程
と、基板上に残った絶縁層を少なくとも被覆できる厚さ
に導電性材料を被着する工程と、基体の表面に絶縁層が
現れるまで平坦化を行う工程とを有することを特徴とす
るものである。
本発明のNWA磁気ヘッドの製造方法においては、まず
第2のレジスト層をマスクとして第1のレジストMをエ
ツチングする際に意図的にアンダカットを生ぜしめる条
件を適用することにより、後に該第2のレジスト層およ
びその上に形成される絶縁層をリフトオフにより容易に
除去することを可能としている。さらに、第1のレジス
ト層のパターニングにより形成された開口部の内壁に沿
う絶縁層は、該第1のレジスト層が除去された段階では
スパイラル型のU字溝部となる。しかも、この絶縁層は
エツチングではなく真空薄膜形成技術により形成された
ものであるため、膜厚が極めて小さい、この絶縁層を少
な(とも被覆できる厚さに導電性材料を被着すると、U
字溝の内側に充填された部分と外側に充填された部分と
はそれぞれ独立のコイルとなる。この状態の基体につい
て絶縁層が現れるまでエッチバックを行えば、これらの
コイルは完全に絶縁される。これらのコイルを適当な方
法にて接続すれば、コイルの巻数はほぼ2倍にできるこ
とになる。すなわち、本発明は従来の技術において絶縁
層のみが充填されていた部分をくり抜いて導体コイルを
形成したことに相当し、実装面積をほとんど増加させる
ことな(導体コイルの実装密度および巻数を大幅に向上
させることが可能である。
第2のレジスト層をマスクとして第1のレジストMをエ
ツチングする際に意図的にアンダカットを生ぜしめる条
件を適用することにより、後に該第2のレジスト層およ
びその上に形成される絶縁層をリフトオフにより容易に
除去することを可能としている。さらに、第1のレジス
ト層のパターニングにより形成された開口部の内壁に沿
う絶縁層は、該第1のレジスト層が除去された段階では
スパイラル型のU字溝部となる。しかも、この絶縁層は
エツチングではなく真空薄膜形成技術により形成された
ものであるため、膜厚が極めて小さい、この絶縁層を少
な(とも被覆できる厚さに導電性材料を被着すると、U
字溝の内側に充填された部分と外側に充填された部分と
はそれぞれ独立のコイルとなる。この状態の基体につい
て絶縁層が現れるまでエッチバックを行えば、これらの
コイルは完全に絶縁される。これらのコイルを適当な方
法にて接続すれば、コイルの巻数はほぼ2倍にできるこ
とになる。すなわち、本発明は従来の技術において絶縁
層のみが充填されていた部分をくり抜いて導体コイルを
形成したことに相当し、実装面積をほとんど増加させる
ことな(導体コイルの実装密度および巻数を大幅に向上
させることが可能である。
(実施例〕
以下、本発明を適用した好適な実施例を第1図(A)な
いし第1図(H)を参照しながら説明する。
いし第1図(H)を参照しながら説明する。
まず、第1図(A)に示すように、鏡面研磨された強磁
性基板(1)の全面にAl!O,等の絶縁材料を被着形
成し、そのうちバックギャップ部(図示せず、)に相当
する部分を選択的に除去して第1の絶縁層(2)を形成
する。なお、この第1の絶縁層(2)は、基板の材料に
よっては設け2必要のない場合もある。
性基板(1)の全面にAl!O,等の絶縁材料を被着形
成し、そのうちバックギャップ部(図示せず、)に相当
する部分を選択的に除去して第1の絶縁層(2)を形成
する。なお、この第1の絶縁層(2)は、基板の材料に
よっては設け2必要のない場合もある。
次に、第1図(B)に示すように、上記第1の絶縁層(
2)の上に第1のレジストN(3)続いて第2のレジス
ト層(4)を塗布形成する。
2)の上に第1のレジストN(3)続いて第2のレジス
ト層(4)を塗布形成する。
次に、第1図(C)に示すように、形成しようとする導
体コイルのピッチに応じて第2のレジスト層(4)のパ
ターニングを行う。
体コイルのピッチに応じて第2のレジスト層(4)のパ
ターニングを行う。
次に、第1図(D)に示すように、パターニングされた
上記第2のレジストN(4)をマスクとして第1のレジ
ストN(3)のエツチングを行い、開口部(5)を形成
する。このとき、エツチング剤としてクロロベンゼン等
を使用することによりアンダカット(6)を生じさせる
ことが可能である。このアンダカット(6)は、後にリ
フトオフにより第2のレジスト層(4)およびその上に
形成される第2の絶縁層のうちの冠状部(第1図(E)
の(7a)参照、)を除去し易くするために意図的に選
ばれた形状である。なお、このときの第1のレジスト層
(3)の幅wlは2〜3μm、開口部(5)の幅w8は
5〜7μmである。
上記第2のレジストN(4)をマスクとして第1のレジ
ストN(3)のエツチングを行い、開口部(5)を形成
する。このとき、エツチング剤としてクロロベンゼン等
を使用することによりアンダカット(6)を生じさせる
ことが可能である。このアンダカット(6)は、後にリ
フトオフにより第2のレジスト層(4)およびその上に
形成される第2の絶縁層のうちの冠状部(第1図(E)
の(7a)参照、)を除去し易くするために意図的に選
ばれた形状である。なお、このときの第1のレジスト層
(3)の幅wlは2〜3μm、開口部(5)の幅w8は
5〜7μmである。
次に、第1図(H)に示すように、上述のような基体の
全面にAffi、O,やTiN等の絶縁材料を薄く被着
して第2の絶縁Ji (7)を形成する。この第2の絶
縁層(7)は、上記第2のレジスト層(4)の上に形成
される冠状部(7a)と上記開口部(5)の内壁に沿っ
て形成されるU字溝部(7b)とに分けられ、これら両
者は不連続である。なお上記第2の絶縁層(7) は真
空薄膜形成技術により形成され、具体的には真空蒲潰や
スパッタリング等が適用されるが、本発明においては上
記開口部(5)の側壁にも絶縁材料が良く付着するよう
適切に選ばれた条件にてスパッタリングを行うことが特
に好ましい、上記U字溝部(7b)は将来ふたつのコイ
ルの間の絶縁壁として機能する部分であるが、このよう
にスパッタリングにより形成されることにより厚さをl
lIm程度に小さくすることが可能となり、本発明の特
徴をなす部分である。なおこのU字溝部(7b)は後の
工程にて単独で基体上に残るため、その機械的強度を補
う意味で第2の絶縁層(7)を形成した後にCu等の導
電性材料を必要に応じて基体の全面に被着しても良い。
全面にAffi、O,やTiN等の絶縁材料を薄く被着
して第2の絶縁Ji (7)を形成する。この第2の絶
縁層(7)は、上記第2のレジスト層(4)の上に形成
される冠状部(7a)と上記開口部(5)の内壁に沿っ
て形成されるU字溝部(7b)とに分けられ、これら両
者は不連続である。なお上記第2の絶縁層(7) は真
空薄膜形成技術により形成され、具体的には真空蒲潰や
スパッタリング等が適用されるが、本発明においては上
記開口部(5)の側壁にも絶縁材料が良く付着するよう
適切に選ばれた条件にてスパッタリングを行うことが特
に好ましい、上記U字溝部(7b)は将来ふたつのコイ
ルの間の絶縁壁として機能する部分であるが、このよう
にスパッタリングにより形成されることにより厚さをl
lIm程度に小さくすることが可能となり、本発明の特
徴をなす部分である。なおこのU字溝部(7b)は後の
工程にて単独で基体上に残るため、その機械的強度を補
う意味で第2の絶縁層(7)を形成した後にCu等の導
電性材料を必要に応じて基体の全面に被着しても良い。
次に、第1図(F)に示すように、上記第2の絶縁N(
7)のうちの冠状部(7a)と第2のレジスト層(4)
とをリフトオフにより除去し、さらに第1のレジスト
! (3)をレジスト剥離剤を使用するかアッシングを
行う等の方法により除去する。この結果、゛上記U字溝
(7b)が基体上に残り、第1のレジストJi!(3)
の除去された跡は間隙部(9) となる。
7)のうちの冠状部(7a)と第2のレジスト層(4)
とをリフトオフにより除去し、さらに第1のレジスト
! (3)をレジスト剥離剤を使用するかアッシングを
行う等の方法により除去する。この結果、゛上記U字溝
(7b)が基体上に残り、第1のレジストJi!(3)
の除去された跡は間隙部(9) となる。
次に、第1図(G)に示すように、基体上に残ったU字
溝(7b)を少なくとも被覆できる厚さにたとえばCu
等の導電性材料を被着し、導体1M (8)を形成する
。このときの被着方法としては、開口部(5)やU字溝
部(7b)の隅までムラなく導電性材料が充填されるよ
う、バイアススパッタリング等を適用することが特に好
ましい、このときの導体層(8)の平均的な厚さd、は
およそ5〜7μmである。
溝(7b)を少なくとも被覆できる厚さにたとえばCu
等の導電性材料を被着し、導体1M (8)を形成する
。このときの被着方法としては、開口部(5)やU字溝
部(7b)の隅までムラなく導電性材料が充填されるよ
う、バイアススパッタリング等を適用することが特に好
ましい、このときの導体層(8)の平均的な厚さd、は
およそ5〜7μmである。
次に、第1図(H)に示すように、基体の表面に第2の
絶縁層(7)が現れるまでエッチバック等により平坦化
を行うと、上記間隙部(9)に充填された形の導体M(
8)は第1のコイル(8a)に、また上記U字溝部(7
b)に充填された形の導体N(8) は第2のコイル(
8b)にと、互いに絶縁分離された独立のコイルとなる
。このときの第1のコイル(8a)の厚さd、は約3μ
mである。
絶縁層(7)が現れるまでエッチバック等により平坦化
を行うと、上記間隙部(9)に充填された形の導体M(
8)は第1のコイル(8a)に、また上記U字溝部(7
b)に充填された形の導体N(8) は第2のコイル(
8b)にと、互いに絶縁分離された独立のコイルとなる
。このときの第1のコイル(8a)の厚さd、は約3μ
mである。
最後に、図示はしないが、この基体の上に絶縁層を介し
て磁性コアを積層し、必要に応じて保護膜等を設けてか
らテープ摺動面を研磨加工し、薄膜磁気ヘッドを完成す
る。
て磁性コアを積層し、必要に応じて保護膜等を設けてか
らテープ摺動面を研磨加工し、薄膜磁気ヘッドを完成す
る。
以上の説明からも明らかなように、本発明にかかる薄膜
磁気ヘッドの製造方法においては、ふたつのコイルを主
としてスパッタリングにより形成される極めて薄い絶縁
性材料からなる壁を介して形成することができる。した
がって、従来のエツチング法では不可能だったコイルピ
ッチの大幅な微小化が可能となり、実装密度を大幅に向
上させることができる。
磁気ヘッドの製造方法においては、ふたつのコイルを主
としてスパッタリングにより形成される極めて薄い絶縁
性材料からなる壁を介して形成することができる。した
がって、従来のエツチング法では不可能だったコイルピ
ッチの大幅な微小化が可能となり、実装密度を大幅に向
上させることができる。
第1図(A)ないし第1図(H)は本発明を適用した薄
膜磁気ヘッドの製造方法をその工程順にしたがって示す
要部概略断面図であり、第1図(A)は第1の絶縁層の
形成工程、第1図(B)は第1のレジスト層および第2
のレジスト層の形成工程、第1図(C)は第2のレジス
ト層のパターニング工程、第1図(D)は第1のレジス
ト層のエツチング工程、第1図(E)は第2の絶縁層の
形成工程、第1図(F)は第2の絶縁層のうちの冠状部
と第2のレジスト層と第1のレジスト層の除去工程、第
1図(G)は導電性材料の被着工程、第1図(H)は平
坦化工程をそれぞれ説明するものである。第2図(A)
ないし第2図(E)は従来の代表的な薄膜磁気ヘッドの
製造方法をその工程順にしたがって示す概略断面図であ
り、第2図(A)は第1の絶縁層の形成工程、第2図(
B)はパターニングによる第2の絶縁層の形成工程、第
2図(C)は導体層およびフォトレジスト層の形成工程
、第2図(D)はエッチバックによるコイルの形成、第
2図(E)は第3の絶縁層。 磁性コアおよびテープ摺動面の形成工程を説明するもの
である。′ l・・・強磁性基板 2・・・第1の絶縁層 3・・・第1のレジスト層 4・・・第2のレジスト層 7・・・第2の絶縁層 7b・・・U字溝訊 8・・・導体層 8a・・・第1のコイル 8b・・・第2のコイル
膜磁気ヘッドの製造方法をその工程順にしたがって示す
要部概略断面図であり、第1図(A)は第1の絶縁層の
形成工程、第1図(B)は第1のレジスト層および第2
のレジスト層の形成工程、第1図(C)は第2のレジス
ト層のパターニング工程、第1図(D)は第1のレジス
ト層のエツチング工程、第1図(E)は第2の絶縁層の
形成工程、第1図(F)は第2の絶縁層のうちの冠状部
と第2のレジスト層と第1のレジスト層の除去工程、第
1図(G)は導電性材料の被着工程、第1図(H)は平
坦化工程をそれぞれ説明するものである。第2図(A)
ないし第2図(E)は従来の代表的な薄膜磁気ヘッドの
製造方法をその工程順にしたがって示す概略断面図であ
り、第2図(A)は第1の絶縁層の形成工程、第2図(
B)はパターニングによる第2の絶縁層の形成工程、第
2図(C)は導体層およびフォトレジスト層の形成工程
、第2図(D)はエッチバックによるコイルの形成、第
2図(E)は第3の絶縁層。 磁性コアおよびテープ摺動面の形成工程を説明するもの
である。′ l・・・強磁性基板 2・・・第1の絶縁層 3・・・第1のレジスト層 4・・・第2のレジスト層 7・・・第2の絶縁層 7b・・・U字溝訊 8・・・導体層 8a・・・第1のコイル 8b・・・第2のコイル
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上にエッチレートの異なる第1のレジスト層と第2
のレジスト層を順次積層する工程と、上記第2のレジス
ト層を選択的に除去する工程と、 上記第2のレジスト層をマスクとしてアンダカットを生
ぜしめる条件にて該第1のレジスト層のパターニングを
行う工程と、 上記第2のレジスト層の表面および上記パターニングに
より形成された開口部の内壁に沿って不連続な絶縁層を
設ける工程と、 上記第2のレジスト層とその表面に存在する絶縁層と第
1のレジスト層とを除去する工程と、基板上に残った絶
縁層を少なくとも被覆できる厚さに導電性材料を被着す
る工程と、基体の表面に絶縁層が現れるまで平坦化を行
う工程とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17605988A JPH0227508A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17605988A JPH0227508A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0227508A true JPH0227508A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16006997
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17605988A Pending JPH0227508A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0227508A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5407530A (en) * | 1992-11-18 | 1995-04-18 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | Method of preparing fine conductive pattern |
EP0661691A2 (en) * | 1993-12-29 | 1995-07-05 | Sony Corporation | Magnetic head |
US6152118A (en) * | 1998-06-22 | 2000-11-28 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Internal combustion engine |
US6204997B1 (en) | 1998-05-19 | 2001-03-20 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head with a plurality of engaged thin-film coils and method of manufacturing the same |
-
1988
- 1988-07-14 JP JP17605988A patent/JPH0227508A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5407530A (en) * | 1992-11-18 | 1995-04-18 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | Method of preparing fine conductive pattern |
EP0661691A2 (en) * | 1993-12-29 | 1995-07-05 | Sony Corporation | Magnetic head |
EP0661691A3 (en) * | 1993-12-29 | 1996-09-04 | Sony Corp | Magnetic head. |
US5734534A (en) * | 1993-12-29 | 1998-03-31 | Sony Corporation | Magnetic head |
US6204997B1 (en) | 1998-05-19 | 2001-03-20 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head with a plurality of engaged thin-film coils and method of manufacturing the same |
US6152118A (en) * | 1998-06-22 | 2000-11-28 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Internal combustion engine |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2000105906A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
US4860139A (en) | Planarized read/write head and method | |
US5707538A (en) | Variable gap magnetoresistive transducer and method of making the same | |
JPH073685B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
JPH0227508A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
US6775098B2 (en) | Magnetic recording head with dielectric layer separating magnetic pole tips extensions from the zero throat coil insulator | |
JP2613876B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JPS5877016A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
JP2740698B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
JPH07210821A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
JP2551749B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JPS62170011A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
JPS62204419A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
JP2635670B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
JP2513124B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
JPS5838851B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの作製方法 | |
JP2630380B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JPS594767B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JPH05314426A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
JPH07182620A (ja) | 水平型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
JPH07296330A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
JPH06338030A (ja) | 水平型薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JPS6124007A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
JPH06103524A (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
JPS61289516A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |