JPS5877016A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS5877016A JPS5877016A JP17324581A JP17324581A JPS5877016A JP S5877016 A JPS5877016 A JP S5877016A JP 17324581 A JP17324581 A JP 17324581A JP 17324581 A JP17324581 A JP 17324581A JP S5877016 A JPS5877016 A JP S5877016A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thin film
- insulating layer
- etched
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は蒸着、スパッタ等の薄膜作成技術及び化学エツ
チング、プラズマエッチン゛グ等の微細加 。
チング、プラズマエッチン゛グ等の微細加 。
工技術にて作成する薄膜磁気ヘッドの製造方法吟関する
。
。
近年、強磁性体バルク°材料を加工して作成する磁気ヘ
ッドと比較して、狭トラツク化、狭ギャップ化、多素子
化が容富な事から高密度記録用ヘッドとして薄膜磁気ヘ
ッドが重要視されている。
ッドと比較して、狭トラツク化、狭ギャップ化、多素子
化が容富な事から高密度記録用ヘッドとして薄膜磁気ヘ
ッドが重要視されている。
この薄膜磁気ヘッドにおいて高記録密度を達成するため
には、狭トラツク化、狭ギャップ化、マルチターンによ
る低電流化が必要とされる。しかしマルチターン型薄膜
ヘッドにおいては微細パターンが積層される構造となる
ため凹凸が激しく、絶縁層を介して導電層を重ね合わせ
難く、又凹部においては上下の磁性層同距離が短かくな
るため磁束の漏れによる記録効率の低下が問題になる。
には、狭トラツク化、狭ギャップ化、マルチターンによ
る低電流化が必要とされる。しかしマルチターン型薄膜
ヘッドにおいては微細パターンが積層される構造となる
ため凹凸が激しく、絶縁層を介して導電層を重ね合わせ
難く、又凹部においては上下の磁性層同距離が短かくな
るため磁束の漏れによる記録効率の低下が問題になる。
以上の問題点の従来の解決手段として、リフト、オフ法
による平坦化技術がある。このリフト。
による平坦化技術がある。このリフト。
オフ法による平坦化技術とは、導電層上をレジストでマ
スクし、エツチング加工にてこの導電層を巻線パターン
形状にし、次に前記マスクしたレジスト上及び基板上に
絶縁層を被覆し、次にレジスト剥離剤を塗布する。前記
絶縁層は導電層上とそれ以外の部芥とで不連続である為
に前記レジスト剥離剤は前記不連続部分に侵入し、前記
レジストとともに前記レジスト上の絶縁層を除去する。
スクし、エツチング加工にてこの導電層を巻線パターン
形状にし、次に前記マスクしたレジスト上及び基板上に
絶縁層を被覆し、次にレジスト剥離剤を塗布する。前記
絶縁層は導電層上とそれ以外の部芥とで不連続である為
に前記レジスト剥離剤は前記不連続部分に侵入し、前記
レジストとともに前記レジスト上の絶縁層を除去する。
よって平坦化されるものである。 −このリフト、
オフ法による平坦化技術の問題点は、前記レジスト上の
絶縁層の形成を密着性が良好なスパッタによって行なう
とまわり込みが良好なために前記レジスト全面を被覆し
てしまい、前記レジストの剥離が困難となる事である。
オフ法による平坦化技術の問題点は、前記レジスト上の
絶縁層の形成を密着性が良好なスパッタによって行なう
とまわり込みが良好なために前記レジスト全面を被覆し
てしまい、前記レジストの剥離が困難となる事である。
この点に鑑み前記絶縁層をオーバーエッチしてアンダー
カット部を生起せしめる方法をとれば暎端に凹部が生じ
これも又問題である。又、前記絶縁層の形成をスパッタ
によって行なうと基板の温度が上昇するためにその熱の
影響で前記レジストか硬化しレジスト剥離が困難となる
。特に面積の大きなパ痴−ン部におけるレジスト剥離が
困難となる。この点を解決すべく、前記レジスト形成前
に前記導電層上に金属薄膜を形成し、該金属薄膜上及び
基板上にレジストを塗布し、前記金属薄膜を選択的噛今 にエツチングするエツチング液を用いて前記レジの方法
では前記導電層の麺類によっては、金属薄膜を選択的に
エツチングするエツチング液を見因出す事が困難であり
、かつ平坦化後の膜上に導電層を積層する場合、新たに
絶縁層を被覆しなければならないという手間が生ずる。
カット部を生起せしめる方法をとれば暎端に凹部が生じ
これも又問題である。又、前記絶縁層の形成をスパッタ
によって行なうと基板の温度が上昇するためにその熱の
影響で前記レジストか硬化しレジスト剥離が困難となる
。特に面積の大きなパ痴−ン部におけるレジスト剥離が
困難となる。この点を解決すべく、前記レジスト形成前
に前記導電層上に金属薄膜を形成し、該金属薄膜上及び
基板上にレジストを塗布し、前記金属薄膜を選択的噛今 にエツチングするエツチング液を用いて前記レジの方法
では前記導電層の麺類によっては、金属薄膜を選択的に
エツチングするエツチング液を見因出す事が困難であり
、かつ平坦化後の膜上に導電層を積層する場合、新たに
絶縁層を被覆しなければならないという手間が生ずる。
本発明は上記従来の問題点を解決するも９であり、プレ
ーナー構造の薄膜ヘッドを容易な手段で製造することを
目的とする。
ーナー構造の薄膜ヘッドを容易な手段で製造することを
目的とする。
以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施
例を図面を用すて詳細に説明する。
例を図面を用すて詳細に説明する。
第１図乃至第４図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一実施例の工程を示すもので、第１図（ａ）は平
面図、第１図（ｂ）、第２図、第３図及び第４図は側面
断面図である。
方法の一実施例の工程を示すもので、第１図（ａ）は平
面図、第１図（ｂ）、第２図、第３図及び第４図は側面
断面図である。
第１図は基板上にマルチターンパターンの導電層を形成
した構造を示す。この構造を作成するまでの工程につい
て説明する。第１図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’線で
切断した側面断面図である。１は下側の磁気コアとなる
Ｎｉ−Ｚｒフェライト等の強磁性体基板であり、該基板
ｌ上に５ｉ０２等の第１の絶縁層２をスパッタ等を用い
て形成する。更に前記第１Ω絶縁層２上にＣｕ等の第１
の導電層３をスパッタ等を用いて一様に形成し、更にこ
の第１の導電層１をマルチターンの微細パターン形状に
化学エツチング液グ用いて加工する。以上の手順で第１
図の構造を得る。
した構造を示す。この構造を作成するまでの工程につい
て説明する。第１図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’線で
切断した側面断面図である。１は下側の磁気コアとなる
Ｎｉ−Ｚｒフェライト等の強磁性体基板であり、該基板
ｌ上に５ｉ０２等の第１の絶縁層２をスパッタ等を用い
て形成する。更に前記第１Ω絶縁層２上にＣｕ等の第１
の導電層３をスパッタ等を用いて一様に形成し、更にこ
の第１の導電層１をマルチターンの微細パターン形状に
化学エツチング液グ用いて加工する。以上の手順で第１
図の構造を得る。
次に第２図に示す構造を作成するまでの工程につ込て説
明する。第１図に示すマルチターンの微細パターン形状
の第１の導電＠３上に！ｙｉ ０．２等の第２の絶縁層
４を前記第１の導電層３の膜厚と同等以上の厚さにスパ
ッタ等により形成する。更に前記第２の絶縁層４上に、
ＯＺ系あるいはＯＭ Ｒ系のレジスト、あるいはポリイ
ミド（ＰＩＱ）等の有機系材料５を塗布しスピンナ等に
よりスピンコードすることによって表面を平坦化する。
明する。第１図に示すマルチターンの微細パターン形状
の第１の導電＠３上に！ｙｉ ０．２等の第２の絶縁層
４を前記第１の導電層３の膜厚と同等以上の厚さにスパ
ッタ等により形成する。更に前記第２の絶縁層４上に、
ＯＺ系あるいはＯＭ Ｒ系のレジスト、あるいはポリイ
ミド（ＰＩＱ）等の有機系材料５を塗布しスピンナ等に
よりスピンコードすることによって表面を平坦化する。
場合によっては熱処理により平坦化処理する。
次に第３図に示す構造を作成するまでの工程について説
明する。第２図に示す有機系材料５及び、第２の絶縁層
４の一部を選択性を持たないエツチング手法、例えばス
パッタエッチによりエツチングし、段差を緩和あるいぼ
平坦化する。スパッタエッチは物理的なエツチングがな
されるので、選択性が余り存在せず、前記有機系材料５
及び第２の絶縁層４は同様なエツチング速度でエツチン
グされ、平坦化される。
明する。第２図に示す有機系材料５及び、第２の絶縁層
４の一部を選択性を持たないエツチング手法、例えばス
パッタエッチによりエツチングし、段差を緩和あるいぼ
平坦化する。スパッタエッチは物理的なエツチングがな
されるので、選択性が余り存在せず、前記有機系材料５
及び第２の絶縁層４は同様なエツチング速度でエツチン
グされ、平坦化される。
次に第４図に示す構造を作成するまでの工程について説
明する。第３図に示す第２の絶縁層４上に２層目の導電
層としてＣｕ等の第２の導電層５をスパッタ等により形
成する。勿論この第２の導電層５の形成前に前記第１の
導電層３と前記第２の導電層５との接続部及びフロント
ギャップ部の絶縁層をプラズマエツチング等を用いて除
去加工しておく。前記第２の導電層５はマルチターンの
微細パターン形状に化学エツチング等を用いて加工する
。
明する。第３図に示す第２の絶縁層４上に２層目の導電
層としてＣｕ等の第２の導電層５をスパッタ等により形
成する。勿論この第２の導電層５の形成前に前記第１の
導電層３と前記第２の導電層５との接続部及びフロント
ギャップ部の絶縁層をプラズマエツチング等を用いて除
去加工しておく。前記第２の導電層５はマルチターンの
微細パターン形状に化学エツチング等を用いて加工する
。
次に５ｉ０２等の第３の絶縁層６を前記第２の導電層５
の膜厚以上にスパッタ等により形成する。
の膜厚以上にスパッタ等により形成する。
次にＯＺ系あるいはＯＭＲ系のレジスト、あるいはポリ
イミド（ＰＩＱ）等の有機系材料Ｃ図示せず）全塗布し
、スピンコードにより平、らに被覆する。次にスパッタ
エッチ等の選択性を持たない物理的手法を用いて、前記
有機系材料を除去し段差を緩和しあるいは平坦化する。
イミド（ＰＩＱ）等の有機系材料Ｃ図示せず）全塗布し
、スピンコードにより平、らに被覆する。次にスパッタ
エッチ等の選択性を持たない物理的手法を用いて、前記
有機系材料を除去し段差を緩和しあるいは平坦化する。
次に前記第３の絶縁層６の一部をエツチング除去後、Ｎ
ｉ−Ｆｅ等の強磁性層７を被覆する。最後に第２の絶縁
層４、第３の絶縁層６の窓あけをすることにより薄膜磁
気ヘッドが完成する。
ｉ−Ｆｅ等の強磁性層７を被覆する。最後に第２の絶縁
層４、第３の絶縁層６の窓あけをすることにより薄膜磁
気ヘッドが完成する。
以上の工程で作成された薄膜磁気ヘッドは極めて精度の
よいプレーナー構造のヘッドとなる。そしてプレーナー
構造を具備することから、多層構造のヘッドであっても
作成は容易であり、かつ四部にかける磁束の漏れが少な
めので記録効率が良好である。
よいプレーナー構造のヘッドとなる。そしてプレーナー
構造を具備することから、多層構造のヘッドであっても
作成は容易であり、かつ四部にかける磁束の漏れが少な
めので記録効率が良好である。
第１図、第２図、第３図及び第４図は本発明に係る薄膜
磁気ヘッドの製造方法の一実施例の製造工程を示し、第
１図（ａ）は平面図１．第１図（ｂ）、第２図、第３図
、第４図は側面断面図である。 図中、ｌ：強磁性体基板、 ２：第１の絶縁層、３′：
第１の導電層、 ４：第２の絶縁層、５：有機系材料、
６：第３の絶縁層、７：強磁性層、 （ａ）
（ｂ）第 ３ ％ 第４１１Ｉ
磁気ヘッドの製造方法の一実施例の製造工程を示し、第
１図（ａ）は平面図１．第１図（ｂ）、第２図、第３図
、第４図は側面断面図である。 図中、ｌ：強磁性体基板、 ２：第１の絶縁層、３′：
第１の導電層、 ４：第２の絶縁層、５：有機系材料、
６：第３の絶縁層、７：強磁性層、 （ａ）
（ｂ）第 ３ ％ 第４１１Ｉ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、強磁性体基板上に平面状の第１の絶縁層を介して導
電層による巻線を形成する工程と、前記導電層による巻
線上及び前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を前記導電
層の膜厚以上の厚さに形成する工程と、 前記第２−の絶縁層上にレジスト、ポリイミド簿の有機
系材料膜をその上面を平らにする如く塗布する工程と、 前記有機系材料膜とともに前記第２の絶縁層をエツチン
グする工程と、 を具備したことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17324581A JPS5877016A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17324581A JPS5877016A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877016A true JPS5877016A (ja) | 1983-05-10 |
Family
ID=15956845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17324581A Pending JPS5877016A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5877016A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60111312A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS61175919A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-07 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS61255517A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-13 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツド |
| US4651248A (en) * | 1982-06-04 | 1987-03-17 | Hitachi, Ltd. | Thin-film magnetic head |
| US4789914A (en) * | 1986-10-28 | 1988-12-06 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic read-write head/arm assemblies |
-
1981
- 1981-10-28 JP JP17324581A patent/JPS5877016A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4651248A (en) * | 1982-06-04 | 1987-03-17 | Hitachi, Ltd. | Thin-film magnetic head |
| JPS60111312A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS61175919A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-07 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS61255517A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-13 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツド |
| US4789914A (en) * | 1986-10-28 | 1988-12-06 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic read-write head/arm assemblies |
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