JPH04281205A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
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- JPH04281205A JPH04281205A JP4335091A JP4335091A JPH04281205A JP H04281205 A JPH04281205 A JP H04281205A JP 4335091 A JP4335091 A JP 4335091A JP 4335091 A JP4335091 A JP 4335091A JP H04281205 A JPH04281205 A JP H04281205A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は周縁にテーパを有する凹
所を被エッチング材に形成するためのエッチング方法に
関する。
所を被エッチング材に形成するためのエッチング方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は磁気ディスク装置の薄膜ヘッドの
縦断面図である。記録の細密化を目的として磁気ヘッド
のギャップの微細化が進められているが、薄膜ヘッドは
磁気回路を薄膜によって形成し、この目的を達せんとす
るものである。
縦断面図である。記録の細密化を目的として磁気ヘッド
のギャップの微細化が進められているが、薄膜ヘッドは
磁気回路を薄膜によって形成し、この目的を達せんとす
るものである。
【０００３】図３において１はＡｌ２ Ｏ３ ・ＴｉＣ
からなる基板であり、この上にＡｌ２ Ｏ３ からな
る絶縁膜２が形成され、更にその上に薄膜製の第１磁極
３が形成されている。第１磁極３上には平面視で環状を
なすコイル４（図３にはその一部の断面が示されている
）が絶縁材を介在させて設けられており、その上を薄膜
の第２磁極５で覆っている。
からなる基板であり、この上にＡｌ２ Ｏ３ からな
る絶縁膜２が形成され、更にその上に薄膜製の第１磁極
３が形成されている。第１磁極３上には平面視で環状を
なすコイル４（図３にはその一部の断面が示されている
）が絶縁材を介在させて設けられており、その上を薄膜
の第２磁極５で覆っている。
【０００４】第１磁極３，第２磁極５は環状のコイル４
の外周縁部の一部で微小なギャップ６を有するようにし
て隔てられているが内周縁側は接触している。このよう
な薄膜ヘッドではコイル４の通電量に応じた磁束がギャ
ップ６から漏洩し、またギャップ６が臨んだ磁極ディス
ク部（図示せず）の記録に応じた磁束をギャップ６で検
出することになる。
の外周縁部の一部で微小なギャップ６を有するようにし
て隔てられているが内周縁側は接触している。このよう
な薄膜ヘッドではコイル４の通電量に応じた磁束がギャ
ップ６から漏洩し、またギャップ６が臨んだ磁極ディス
ク部（図示せず）の記録に応じた磁束をギャップ６で検
出することになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】磁極３，５は蒸着等の
方法により形成されるが、第２磁極５は環状コイルの内
外周縁部に勾配を有しているために勾配部分で膜切れを
生じ、或いは磁極に薄い部分が生成されることがあり、
歩留低下要因となっていた。このようなステップカバレ
ッジ不良を解消するための一案として図４に示す構成が
考えられる。これは絶縁膜２上に、コイル４の略１／２
の深さを有し、その厚み形状に倣う凹所７を形成し、
ここを含む絶縁膜２上に薄膜製の第１磁極３を形成し、
コイル４をこの凹所７に配した上に第２磁極５を形成し
たものである。コイル４の厚みを同一とすれば第２磁極
５の勾配は図４のものの略１／２ となる。これらによ
り膜切れ、極薄膜部の発生は抑制されることになる。
方法により形成されるが、第２磁極５は環状コイルの内
外周縁部に勾配を有しているために勾配部分で膜切れを
生じ、或いは磁極に薄い部分が生成されることがあり、
歩留低下要因となっていた。このようなステップカバレ
ッジ不良を解消するための一案として図４に示す構成が
考えられる。これは絶縁膜２上に、コイル４の略１／２
の深さを有し、その厚み形状に倣う凹所７を形成し、
ここを含む絶縁膜２上に薄膜製の第１磁極３を形成し、
コイル４をこの凹所７に配した上に第２磁極５を形成し
たものである。コイル４の厚みを同一とすれば第２磁極
５の勾配は図４のものの略１／２ となる。これらによ
り膜切れ、極薄膜部の発生は抑制されることになる。
【０００６】一方、第１磁極３について見るとコイル４
の内外周縁部で膜切れ等を生じさせないためには図４の
如く凹所７の内外周縁の勾配、つまり凹所７の周縁のテ
ーパ７０の勾配は第２磁極５と同程度とする必要がある
。 このような勾配のテーパを周縁に有する凹所は、イオン
エッチングを用い、マスクパターン形状を工夫すること
で形成可能であるが、エッチング速度が極めて遅く、実
用的でない。一方、ケミカルエッチングによる場合は図
５に示すようにフォトレジストのマスク８の下にまで被
エッチング材２０のサイドエッチングが行われて湾曲形
状が得られるが、周縁端部は直角に切り立った形状にな
り、膜切れが生じる。本発明は周縁から底までなだらか
なテーパを有する凹所を形成することを可能とするエッ
チング方法を提供することを目的とする。
の内外周縁部で膜切れ等を生じさせないためには図４の
如く凹所７の内外周縁の勾配、つまり凹所７の周縁のテ
ーパ７０の勾配は第２磁極５と同程度とする必要がある
。 このような勾配のテーパを周縁に有する凹所は、イオン
エッチングを用い、マスクパターン形状を工夫すること
で形成可能であるが、エッチング速度が極めて遅く、実
用的でない。一方、ケミカルエッチングによる場合は図
５に示すようにフォトレジストのマスク８の下にまで被
エッチング材２０のサイドエッチングが行われて湾曲形
状が得られるが、周縁端部は直角に切り立った形状にな
り、膜切れが生じる。本発明は周縁から底までなだらか
なテーパを有する凹所を形成することを可能とするエッ
チング方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のエッチング方法
は、周縁にテーパを有する凹所を被エッチング材上に形
成するエッチング方法において、前記被エッチング材上
に、該被エッチング材よりもエッチングレートが高い材
料からなる膜を積層形成する第１工程と、形成すべき凹
所に対応するパターンのマスクを前記膜上に形成する第
２工程と、前記マスクを用いて前記膜及び被エッチング
材をエッチングする第３工程と、前記マスク及び膜を除
去する第４工程とを含むことを特徴とする。
は、周縁にテーパを有する凹所を被エッチング材上に形
成するエッチング方法において、前記被エッチング材上
に、該被エッチング材よりもエッチングレートが高い材
料からなる膜を積層形成する第１工程と、形成すべき凹
所に対応するパターンのマスクを前記膜上に形成する第
２工程と、前記マスクを用いて前記膜及び被エッチング
材をエッチングする第３工程と、前記マスク及び膜を除
去する第４工程とを含むことを特徴とする。
【０００８】
【作用】前記膜は被エッチング材よりエッチングレート
が高いので速くエッチングが進んでいく。このために被
エッチング材はマスク下の膜がエッチング除去された部
分もエッチャントに曝され、そのために被エッチング材
のサイドエッチングが促進され、その結果周縁にテーパ
を有する凹所が形成される。
が高いので速くエッチングが進んでいく。このために被
エッチング材はマスク下の膜がエッチング除去された部
分もエッチャントに曝され、そのために被エッチング材
のサイドエッチングが促進され、その結果周縁にテーパ
を有する凹所が形成される。
【０００９】
【実施例】以下本発明をその実施例を示す図面に基いて
詳述する。図１は本発明方法の薄膜ヘッドでの実施例を
示す要部の断面構造図である。Ａｌ２ Ｏ３ ・ＴｉＣ
製の基板（図示せず）上のＡｌ２ Ｏ３ 製の絶縁膜
２上に、Ａｌの膜９が蒸着，スパッタリング等の方法に
よって形成される（ａ） 。形成層については後述する
。
詳述する。図１は本発明方法の薄膜ヘッドでの実施例を
示す要部の断面構造図である。Ａｌ２ Ｏ３ ・ＴｉＣ
製の基板（図示せず）上のＡｌ２ Ｏ３ 製の絶縁膜
２上に、Ａｌの膜９が蒸着，スパッタリング等の方法に
よって形成される（ａ） 。形成層については後述する
。
【００１０】次にＡｌの膜９上にフォトレジスト（例え
ばヘキスト社製ＡＺ１３５０Ｊ）を塗布し、公知の方法
で露光，現像を行い、コイル４（図４参照）の配置位置
に倣う開口を有するパターンのマスク８を形成する（ｂ
） 。次にＨ３ ＰＯ４ をエッチャントとしてケミカ
ルエッチングを行う （エッチャントは液体に限らずガ
スでも良い） 。このエッチャントはＡｌに対するエッ
チャントレートがＡｌ２ Ｏ３のそれに対するよりも高
いのでＡｌの膜９が優先的にエッチングされ、そのため
にマスク８と絶縁膜２との間にエッチャントが侵入し、
この部分からのエッチングとサイドエッチングとにより
、絶縁膜２は上部が速く下部が緩やかにエッチングされ
、その結果図１（ｃ） に示すように角度θのテーパ７
０を有する凹所７が形成されることになる。その後マス
ク８及びＡｌの膜９を除去する（ｄ） 。
ばヘキスト社製ＡＺ１３５０Ｊ）を塗布し、公知の方法
で露光，現像を行い、コイル４（図４参照）の配置位置
に倣う開口を有するパターンのマスク８を形成する（ｂ
） 。次にＨ３ ＰＯ４ をエッチャントとしてケミカ
ルエッチングを行う （エッチャントは液体に限らずガ
スでも良い） 。このエッチャントはＡｌに対するエッ
チャントレートがＡｌ２ Ｏ３のそれに対するよりも高
いのでＡｌの膜９が優先的にエッチングされ、そのため
にマスク８と絶縁膜２との間にエッチャントが侵入し、
この部分からのエッチングとサイドエッチングとにより
、絶縁膜２は上部が速く下部が緩やかにエッチングされ
、その結果図１（ｃ） に示すように角度θのテーパ７
０を有する凹所７が形成されることになる。その後マス
ク８及びＡｌの膜９を除去する（ｄ） 。
【００１１】以上のようにして形成された凹所７及びそ
の隣接部に第１磁極３を形成し、コイル４を凹所７に配
設し、その上に第２磁極５を形成すると、図４に示す如
き薄膜ヘッドが得られる。図２はＡｌの膜９の厚さとテ
ーパ角度θとの関係を示すグラフである。但し、絶縁膜
２のエッチング深さは６μｍ ，エッチャント温度は８
０℃，エッチング時間は２０分である。このようにＡｌ
の膜厚とテーパ角度との間には一定の関係が見られるの
で、所望テーパ角度に応じてＡｌの膜厚を定めればよい
。図４の如き薄膜ヘッドの場合θを３０〜４０°とする
のが望ましく、その場合はＡｌの膜厚を２〜３ｎｍとす
ればよいことが解る。
の隣接部に第１磁極３を形成し、コイル４を凹所７に配
設し、その上に第２磁極５を形成すると、図４に示す如
き薄膜ヘッドが得られる。図２はＡｌの膜９の厚さとテ
ーパ角度θとの関係を示すグラフである。但し、絶縁膜
２のエッチング深さは６μｍ ，エッチャント温度は８
０℃，エッチング時間は２０分である。このようにＡｌ
の膜厚とテーパ角度との間には一定の関係が見られるの
で、所望テーパ角度に応じてＡｌの膜厚を定めればよい
。図４の如き薄膜ヘッドの場合θを３０〜４０°とする
のが望ましく、その場合はＡｌの膜厚を２〜３ｎｍとす
ればよいことが解る。
【００１２】なお本発明はＡｌ２ Ｏ３ を被エッチン
グ材とし、その上に形成される膜をＡｌとする場合に限
らず、他の材料の組合せでもよい。重要なことは被エッ
チング材より高いエッチングレートの材料の膜をマスク
下に形成することである。
グ材とし、その上に形成される膜をＡｌとする場合に限
らず、他の材料の組合せでもよい。重要なことは被エッ
チング材より高いエッチングレートの材料の膜をマスク
下に形成することである。
【００１３】
【発明の効果】以上の如き本発明による場合は周縁にテ
ーパを有する凹所を形成することが可能となり、従って
例えば図４に示す如き構造の薄膜ヘッドを製作すること
が可能になり、従ってその製造歩留を向上することがで
きる。更にまた本発明によれば従来実用的には不可能で
あったテーパ付の凹所の形成が可能となるので、上記薄
膜ヘッド同様、埋込型構造，半埋込型構造をとることが
可能となり、それによって種々の新規な構成のデバイス
の実現が可能となる。
ーパを有する凹所を形成することが可能となり、従って
例えば図４に示す如き構造の薄膜ヘッドを製作すること
が可能になり、従ってその製造歩留を向上することがで
きる。更にまた本発明によれば従来実用的には不可能で
あったテーパ付の凹所の形成が可能となるので、上記薄
膜ヘッド同様、埋込型構造，半埋込型構造をとることが
可能となり、それによって種々の新規な構成のデバイス
の実現が可能となる。
【図１】本発明の工程を示す断面構造図である。
【図２】膜厚とテーパ角度との関係を示すグラフである
。
。
【図３】薄膜ヘッドの縦断面図である。
【図４】薄膜ヘッドの縦断面図である。
【図５】ケミカルエッチングの説明図である。
１ 基板
２ 絶縁膜
３ 第１磁極
４ コイル
５ 第２磁極
７ 凹所
８ マスク
９ 膜
Claims (3)
- 【請求項１】 周縁にテーパ（７０）を有する凹所（
７） を被エッチング材（２０）上に形成するエッチン
グ方法において、前記被エッチング材（２０）上に、該
被エッチング材（２０）よりもエッチングレートが高い
材料からなる膜（９） を積層形成する第１工程と、形
成すべき凹所（７） に対応するパターンのマスク（８
） を前記膜（９） 上に形成する第２工程と、前記マ
スク（８） を用いて前記膜（９） 及び被エッチング
材（２０）をエッチングする第３工程と、前記マスク（
８） 及び膜（９） を除去する第４工程とを含むこと
を特徴とするエッチング方法。 - 【請求項２】 前記第３工程はサイドエッチングを含
む請求項１記載のエッチング方法。 - 【請求項３】 前記被エッチング材（２０）はＡｌ２
Ｏ３であり、前記膜（９） はＡｌである請求項１の
エッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4335091A JPH04281205A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4335091A JPH04281205A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04281205A true JPH04281205A (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=12661403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4335091A Withdrawn JPH04281205A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04281205A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0580368A2 (en) * | 1992-07-21 | 1994-01-26 | Seagate Technology International | Studless thin film magnetic head and process for making the same |
| US5820770A (en) * | 1992-07-21 | 1998-10-13 | Seagate Technology, Inc. | Thin film magnetic head including vias formed in alumina layer and process for making the same |
| US6391212B1 (en) | 1992-10-20 | 2002-05-21 | Uri Cohen | Method for etching gap-vias in a magnetic thin film head and product |
-
1991
- 1991-03-08 JP JP4335091A patent/JPH04281205A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0580368A2 (en) * | 1992-07-21 | 1994-01-26 | Seagate Technology International | Studless thin film magnetic head and process for making the same |
| JPH06207280A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-07-26 | Seagate Technol Internatl | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| EP0580368A3 (en) * | 1992-07-21 | 1996-03-20 | Seagate Technology | Studless thin film magnetic head and process for making the same |
| US5659451A (en) * | 1992-07-21 | 1997-08-19 | Seagate Technology, Inc. | Studless thin film magnetic head and process for making the same |
| US5820770A (en) * | 1992-07-21 | 1998-10-13 | Seagate Technology, Inc. | Thin film magnetic head including vias formed in alumina layer and process for making the same |
| EP0938079A2 (en) * | 1992-07-21 | 1999-08-25 | Seagate Technology International | Studless thin film magnetic head and process for making the same |
| EP0938079A3 (en) * | 1992-07-21 | 1999-09-15 | Seagate Technology International | Studless thin film magnetic head and process for making the same |
| US6059984A (en) * | 1992-07-21 | 2000-05-09 | Seagate Technology, Inc. | Process for fabricating thin film magnetic head including crater for recessed structure |
| US6635184B1 (en) * | 1992-07-21 | 2003-10-21 | Uri Cohen | Method for pattern-etching alumina layers and products |
| US6391212B1 (en) | 1992-10-20 | 2002-05-21 | Uri Cohen | Method for etching gap-vias in a magnetic thin film head and product |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |