JPH0279207A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0279207A JPH0279207A JP22988388A JP22988388A JPH0279207A JP H0279207 A JPH0279207 A JP H0279207A JP 22988388 A JP22988388 A JP 22988388A JP 22988388 A JP22988388 A JP 22988388A JP H0279207 A JPH0279207 A JP H0279207A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- -1 argon ion Chemical class 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000009331 sowing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、高信顛性・
高製造歩留りを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関す
るものである。
高製造歩留りを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関す
るものである。
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、特開昭６
０−１３６９０６号公報に記載の様に、導体コイルとな
るメッキ膜を形成するため、有機絶縁膜上に通電用下地
膜を形成し、この通電用下地膜を用いて該通電用下地膜
上に電気メッキにより導体コイ′ルを形成している。こ
の通電用下地膜は、電気メッキ後スパッタエツチング又
はイオンミリング処理により除去される。しかし、下地
膜除去時のイオンダメージによる変質層については従来
技術では、配慮されていない。
０−１３６９０６号公報に記載の様に、導体コイルとな
るメッキ膜を形成するため、有機絶縁膜上に通電用下地
膜を形成し、この通電用下地膜を用いて該通電用下地膜
上に電気メッキにより導体コイ′ルを形成している。こ
の通電用下地膜は、電気メッキ後スパッタエツチング又
はイオンミリング処理により除去される。しかし、下地
膜除去時のイオンダメージによる変質層については従来
技術では、配慮されていない。
上記したように、従来技術では、電気メッキ終了後通電
用下地膜をスパッタエツチング又は、イオンミリング処
理により除去している。このとき、通電用下地膜の下に
形成されている有機絶縁膜の表面が、イオンダメージを
受けて変質層を形成する。しかし、従来技術では、上記
変質層の除去については、考慮されていないのが実情で
ある。この変質層が除去されないと、導体コイル間の有
機絶縁膜中に気泡が発生してしまうという問題があった
。
用下地膜をスパッタエツチング又は、イオンミリング処
理により除去している。このとき、通電用下地膜の下に
形成されている有機絶縁膜の表面が、イオンダメージを
受けて変質層を形成する。しかし、従来技術では、上記
変質層の除去については、考慮されていないのが実情で
ある。この変質層が除去されないと、導体コイル間の有
機絶縁膜中に気泡が発生してしまうという問題があった
。
本発明はコイル間の有機絶縁膜中に発生する気泡を防止
することを目的としており、信顛性の高い薄膜磁気ヘッ
ドを安定して製造することが出来る薄膜磁気ヘッドの製
造方法を提供することを目的とする。
することを目的としており、信顛性の高い薄膜磁気ヘッ
ドを安定して製造することが出来る薄膜磁気ヘッドの製
造方法を提供することを目的とする。
本発明は、有機絶縁膜上に通電用下地膜を形成し、通電
用下地膜を用いてコイルとなるメッキ膜を電気メッキに
より形成し、その後スパッタエツチング又はイオンミリ
ング処理により上記通電用下地膜を除去する工程を有す
る薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用されるものであり、
上記スパッタエツチング又はイオンリミング処理により
上記有機絶縁膜の表面に形成される変質層を酸素イオン
ミリング・プラズマアッシング処理により除去すること
を特徴とする。
用下地膜を用いてコイルとなるメッキ膜を電気メッキに
より形成し、その後スパッタエツチング又はイオンミリ
ング処理により上記通電用下地膜を除去する工程を有す
る薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用されるものであり、
上記スパッタエツチング又はイオンリミング処理により
上記有機絶縁膜の表面に形成される変質層を酸素イオン
ミリング・プラズマアッシング処理により除去すること
を特徴とする。
〔作用〕
本発明による酸素イオンミリング・プラズマをソシング
処理は、下地膜除去時のアルゴンイオンダメージによる
有機絶縁膜変質層を完全に除去することが出来る。従っ
て、コイル間の有機絶縁膜中に発生する気泡を防止する
ことが出来る。
処理は、下地膜除去時のアルゴンイオンダメージによる
有機絶縁膜変質層を完全に除去することが出来る。従っ
て、コイル間の有機絶縁膜中に発生する気泡を防止する
ことが出来る。
以下、本発明の一実施例を第１図（ａ）〜（ｇ）により
説明する。
説明する。
まず、第１図（ａ）に示す様に基板１上に下地膜２下部
磁性体３、ギャップ材４を順次形成する。
磁性体３、ギャップ材４を順次形成する。
次に、第１図（ｂ）に示す様に、有機絶縁膜５を形成す
る。この有機絶縁膜５は、下部磁性体段差を緩和し、有
機絶縁膜５上に形成するコイルの断切れを防止する働き
と、下部磁性体３上のギャップ材４を保護する働きをも
つ。また、この有機絶縁膜５は、ポリイミド系有機樹脂
を用い、通常スピンコード・ベーク処理・ホトエツチン
グにより１〜３μｍ程度の膜厚形成する。更に、有機絶
縁膜５上に、電気メッキ用通電膜としてメッキ下地膜６
を形成する。このメッキ下地膜６は、通常スパッタリン
グ又は蒸着により形成され、クロム（膜厚約０．１μｌ
）と銅（膜厚約０．２μｍ）の２層膜やチタン（膜厚約
０．１μｍ）と銅（膜厚約０．２μｍ）の２層膜等が用
いられる。
る。この有機絶縁膜５は、下部磁性体段差を緩和し、有
機絶縁膜５上に形成するコイルの断切れを防止する働き
と、下部磁性体３上のギャップ材４を保護する働きをも
つ。また、この有機絶縁膜５は、ポリイミド系有機樹脂
を用い、通常スピンコード・ベーク処理・ホトエツチン
グにより１〜３μｍ程度の膜厚形成する。更に、有機絶
縁膜５上に、電気メッキ用通電膜としてメッキ下地膜６
を形成する。このメッキ下地膜６は、通常スパッタリン
グ又は蒸着により形成され、クロム（膜厚約０．１μｌ
）と銅（膜厚約０．２μｍ）の２層膜やチタン（膜厚約
０．１μｍ）と銅（膜厚約０．２μｍ）の２層膜等が用
いられる。
次に、第１図（Ｃ１に示す様に、ホトレジスト膜７とメ
ッキ膜８を形成する。ホトレジスト膜７はメッキ膜８の
膜厚より厚く形成し、通常スピンコード・プリベーク・
露光・現像・ポストベークの一連処理によりパターニン
グする。また、メッキ膜８は硫酸銅系水溶液をメッキ液
に用い、電気メッキ法（メッキ槽内で通電用下地膜をカ
ソード、銅板をアノードとして、定電流を印加し、通電
用下地膜上に銅を析出・付着させる）により膜厚約２〜
４μｍに形成する。
ッキ膜８を形成する。ホトレジスト膜７はメッキ膜８の
膜厚より厚く形成し、通常スピンコード・プリベーク・
露光・現像・ポストベークの一連処理によりパターニン
グする。また、メッキ膜８は硫酸銅系水溶液をメッキ液
に用い、電気メッキ法（メッキ槽内で通電用下地膜をカ
ソード、銅板をアノードとして、定電流を印加し、通電
用下地膜上に銅を析出・付着させる）により膜厚約２〜
４μｍに形成する。
次に第１図（ｄ）に示す様に、ホトレジスト膜７の除去
とメッキ下地膜６の除去を行なう。ホトレジスト膜７は
、アセトン系の有機溶剤により除去し、メッキ下地膜６
はスパッタエッチ又はイオンミリングにより除去する。
とメッキ下地膜６の除去を行なう。ホトレジスト膜７は
、アセトン系の有機溶剤により除去し、メッキ下地膜６
はスパッタエッチ又はイオンミリングにより除去する。
これらの除去方法は、アルゴンイオンを加速して基板に
照射し、基板表面の材料をスパッタリングして除去する
ものである。
照射し、基板表面の材料をスパッタリングして除去する
ものである。
従って、メッキ下地膜６の下に形成しである有機絶縁膜
５の表面もアルゴンイオンの照射を受け、変質層が形成
される。
５の表面もアルゴンイオンの照射を受け、変質層が形成
される。
次に、第１図（ｅ）に示す様に、この有機絶縁膜５の表
面の変質層を酸素イオンミリング・プラズマアッシング
により除去する。この除去は、酸素イオンミリングの酸
素ガス圧２．Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ、加速電圧４０
０ｖ、イオン入射角９０度の条件で４分間処理し、更に
プラズマアッシングは酸素ガス圧０．６Ｔｏｒｒ、高周
波電力２００賀の条件で２分間処理する。
面の変質層を酸素イオンミリング・プラズマアッシング
により除去する。この除去は、酸素イオンミリングの酸
素ガス圧２．Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ、加速電圧４０
０ｖ、イオン入射角９０度の条件で４分間処理し、更に
プラズマアッシングは酸素ガス圧０．６Ｔｏｒｒ、高周
波電力２００賀の条件で２分間処理する。
この処理は、コイル間隔が微細な場合でも確実に有機絶
縁膜表面の変質層を除去することが出来、また他の構造
材とエツチングすることはない。この処理により、有機
絶縁膜は約０．２〜０．５μｍ除去される。
縁膜表面の変質層を除去することが出来、また他の構造
材とエツチングすることはない。この処理により、有機
絶縁膜は約０．２〜０．５μｍ除去される。
次に第１図（ｆ）に示す様に有機絶縁膜９を形成する。
この方法は、前記有機絶縁膜５と同様であり、スピンコ
ード・ベータ・ホトエツチングにより形成される。この
時、有機絶縁膜５表面の変質層は完全に除去されている
ため、ベータ工程で有機絶縁膜９に気泡が生じることは
ない。
ード・ベータ・ホトエツチングにより形成される。この
時、有機絶縁膜５表面の変質層は完全に除去されている
ため、ベータ工程で有機絶縁膜９に気泡が生じることは
ない。
更に第１図（ｇｌに示す様に上部磁性体１０と保護膜１
１とを形成し、研磨停止線Ａまで加工することにより薄
膜磁気ヘッドスライダ−が完成する。
１とを形成し、研磨停止線Ａまで加工することにより薄
膜磁気ヘッドスライダ−が完成する。
尚、上記の実施例はコイル（メッキ膜８）が−層の場合
を例にして説明したが、言うまでもなく、多層コイルの
薄膜磁気ヘッドにおいても適用することができる。
を例にして説明したが、言うまでもなく、多層コイルの
薄膜磁気ヘッドにおいても適用することができる。
本発明によれば、気泡のない有機絶縁膜を有する薄膜磁
気ヘッドを形成することが出来るので、信転性の高い薄
膜磁気ヘッドを安定して製造することが可能となる。
気ヘッドを形成することが出来るので、信転性の高い薄
膜磁気ヘッドを安定して製造することが可能となる。
第１図（ａ）、 （ｂｌ、 （Ｃ１，（ｄ）、 ｔｅｌ
、 ｉｆ）、 （ｇ）は本発明の薄膜磁気ヘッドの製造
方法一実施例を示す断面図である。 １・・・基板、２・・・下地膜、３・・・下部磁性体、
４・・・ギャップ材、５・・・有機絶縁膜、６・・・メ
ッキ下地膜、７・・・ホトレジスト、８・・・メッキ膜
、９・・・有機絶縁膜、１０・・・上部磁性体、１１・
・・保護膜、Ａ・・・研磨停止線。 代理人 弁理士 秋 本 正 実
、 ｉｆ）、 （ｇ）は本発明の薄膜磁気ヘッドの製造
方法一実施例を示す断面図である。 １・・・基板、２・・・下地膜、３・・・下部磁性体、
４・・・ギャップ材、５・・・有機絶縁膜、６・・・メ
ッキ下地膜、７・・・ホトレジスト、８・・・メッキ膜
、９・・・有機絶縁膜、１０・・・上部磁性体、１１・
・・保護膜、Ａ・・・研磨停止線。 代理人 弁理士 秋 本 正 実
Claims (1)
- １、有機絶縁膜上に通電用下地膜を形成し、通電用下地
膜を用いてコイルとなるメッキ膜を電気メッキにより形
成し、その後スパッタエッチング又はイオンミリング処
理により上記通電用下地膜を除去する工程を有する薄膜
磁気ヘッドの製造方法において、上記スパッタエッチン
グ又はイオンミリング処理により上記有機絶縁膜の表面
に形成される変質層を酸素イオンミリング・プラズマア
ッシング処理により除去することを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22988388A JPH0279207A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22988388A JPH0279207A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0279207A true JPH0279207A (ja) | 1990-03-19 |
Family
ID=16899205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22988388A Pending JPH0279207A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0279207A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05120632A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-05-18 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 |
| US6246541B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-06-12 | Hitachi Metals, Ltd. | Thin film magnetic head with reduced magnetic gap by incorporating coil conductors with convex surfaces |
-
1988
- 1988-09-16 JP JP22988388A patent/JPH0279207A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05120632A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-05-18 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 |
| US6246541B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-06-12 | Hitachi Metals, Ltd. | Thin film magnetic head with reduced magnetic gap by incorporating coil conductors with convex surfaces |
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