JPS6037130A - 薄膜のパタ−ニング方法 - Google Patents
薄膜のパタ−ニング方法Info
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- JPS6037130A JPS6037130A JP58144962A JP14496283A JPS6037130A JP S6037130 A JPS6037130 A JP S6037130A JP 58144962 A JP58144962 A JP 58144962A JP 14496283 A JP14496283 A JP 14496283A JP S6037130 A JPS6037130 A JP S6037130A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、薄膜素子の製造方法に係り、特に、段差を持
つ薄膜のパターニングに関する。
つ薄膜のパターニングに関する。
薄膜技術は、ＬＳＩ等の半導体装置の配線に使われる他
、磁気バブルメモリ、感熱素子、薄膜磁気ヘッド、液晶
表示素子等の薄膜素子の製造に広く用いられている。こ
の薄膜技術には、対象となる素子の増加に伴い、（１）
多４道類の薄膜のパターニング方法の開発、（２）多層
構造に伴なって発生する段差上のパターニング方法の開
発、（３）１μｍあるいはそれ以下のバターニング１０
度の向上、等が要求されている。
、磁気バブルメモリ、感熱素子、薄膜磁気ヘッド、液晶
表示素子等の薄膜素子の製造に広く用いられている。こ
の薄膜技術には、対象となる素子の増加に伴い、（１）
多４道類の薄膜のパターニング方法の開発、（２）多層
構造に伴なって発生する段差上のパターニング方法の開
発、（３）１μｍあるいはそれ以下のバターニング１０
度の向上、等が要求されている。
これらの要求を満足するためには、クエットエッチング
おるいは化学エツチングと言われている薄膜素子基板を
溶液中に浸漬して薄膜を溶解してパターニングする方法
では、素子構造の複雑さ並びにパターン精度の点におい
て限界とな９つつある。
おるいは化学エツチングと言われている薄膜素子基板を
溶液中に浸漬して薄膜を溶解してパターニングする方法
では、素子構造の複雑さ並びにパターン精度の点におい
て限界とな９つつある。
そこで、近年、真空容器内でプラズマによシ発生するイ
オンを用いてエツチングするドライエツチングと言われ
る方法が採用される傾向にある。
オンを用いてエツチングするドライエツチングと言われ
る方法が採用される傾向にある。
ドライエツチングのうちプラズマで発生させたアルゴン
イオンをグリッドで区切られた別室に配置した被加工物
に照射し、エツチングする方法は、アルゴンイオンによ
シ薄膜形成物質をスバタして除去するものであシ、はと
んどすべての物質に対し適用できるものとして近年注目
されている。
イオンをグリッドで区切られた別室に配置した被加工物
に照射し、エツチングする方法は、アルゴンイオンによ
シ薄膜形成物質をスバタして除去するものであシ、はと
んどすべての物質に対し適用できるものとして近年注目
されている。
この種ドライエツチング装置の一例を第１図に示す。第
１図において、真空容器１はプラズマを発生させ、アル
ゴンイオンを作成するイオンガン室１１と試料室１２に
分かれておシ、これら間はグリッド１３．１４によシ仕
切られている。真空容器１は真空ポンプによシ排気口１
５を通し、１０−ｓ〜１０−７Ｔｏｒｒの真空度に保た
れている。
１図において、真空容器１はプラズマを発生させ、アル
ゴンイオンを作成するイオンガン室１１と試料室１２に
分かれておシ、これら間はグリッド１３．１４によシ仕
切られている。真空容器１は真空ポンプによシ排気口１
５を通し、１０−ｓ〜１０−７Ｔｏｒｒの真空度に保た
れている。
この装置で使用されるアルゴンガスはボート１６を通し
て所定量導入される。２はイオン左ン室１１内に配置さ
れたフィラメントで、これから放出された熱電子は、プ
レート３に向かって移動する、この途中、アルゴン原子
に衡突し、アルゴン原子をイオン化させる。４はイオン
ガン室１１の外周に配置したコイルで、これによシイオ
ンガン室１１に直交磁場を印加することによ）、電子を
イオンガン室１１の中に滞留させ、アルゴンのイオン化
確率を高め、プラズマ５を作る。プラズマ５内で発生し
たアルゴンイオンはイオンガン室１１と試料室１２との
電位差により、グリッド１３．１４を通して試料室１２
内に引き出され、試料台６に載置された被加工物として
の薄膜素子を形成しようとする基板７に衡突する。基板
７上に形成しである薄膜は、アルゴンイオンによシスバ
ッタされる。この時薄膜の少なくとも一部をレジストで
覆うことによシ選択的にスパッタされるので、薄膜を所
望形状にパターニングすることが可能となる。試料台６
は、スパッタ効率やパターン形状を調節するため、アル
ゴンイオンの入射に対し、任意の角度に調整でき、また
回転も可能になっている。また、基板７の表面がアルゴ
ンイオンでチャージアップされることを防ぐため、フィ
ラメント１から熱電子を放出し、基板７上の電荷を中和
している。
て所定量導入される。２はイオン左ン室１１内に配置さ
れたフィラメントで、これから放出された熱電子は、プ
レート３に向かって移動する、この途中、アルゴン原子
に衡突し、アルゴン原子をイオン化させる。４はイオン
ガン室１１の外周に配置したコイルで、これによシイオ
ンガン室１１に直交磁場を印加することによ）、電子を
イオンガン室１１の中に滞留させ、アルゴンのイオン化
確率を高め、プラズマ５を作る。プラズマ５内で発生し
たアルゴンイオンはイオンガン室１１と試料室１２との
電位差により、グリッド１３．１４を通して試料室１２
内に引き出され、試料台６に載置された被加工物として
の薄膜素子を形成しようとする基板７に衡突する。基板
７上に形成しである薄膜は、アルゴンイオンによシスバ
ッタされる。この時薄膜の少なくとも一部をレジストで
覆うことによシ選択的にスパッタされるので、薄膜を所
望形状にパターニングすることが可能となる。試料台６
は、スパッタ効率やパターン形状を調節するため、アル
ゴンイオンの入射に対し、任意の角度に調整でき、また
回転も可能になっている。また、基板７の表面がアルゴ
ンイオンでチャージアップされることを防ぐため、フィ
ラメント１から熱電子を放出し、基板７上の電荷を中和
している。
この第１図に示す装置は通常イオンミリング装置、イオ
ンビームエツチング装置等の名で呼ばれているが、装置
の特徴はプラズマの発生部分であるイオンガン室１１と
試料台７が配置される試料室などが分離され、その間に
かかる電位差によシイオ／が加速されるようにしたこと
にある。この種の装置には、アルゴンイオンの作成にマ
イクロ波を使うもの、平行平板部のマグネトロンスパッ
タを使うもの等があるが、基本的な動作原理は同じでち
る。
ンビームエツチング装置等の名で呼ばれているが、装置
の特徴はプラズマの発生部分であるイオンガン室１１と
試料台７が配置される試料室などが分離され、その間に
かかる電位差によシイオ／が加速されるようにしたこと
にある。この種の装置には、アルゴンイオンの作成にマ
イクロ波を使うもの、平行平板部のマグネトロンスパッ
タを使うもの等があるが、基本的な動作原理は同じでち
る。
この種装置の特徴のひとつは、物理的なスノ（ツタ現象
を利用しているため、はとんどすべての種類の薄膜をエ
ツチングすることができることにある。このため、磁気
バブルメモリや薄膜磁気ヘッドの主要構成材料であるパ
ーマロイのように四ふつ化炭素、四塩化炭素、酸素、水
素等の通常良く使われているガスを用いたプラズマによ
るエツチングができない薄膜のパターニングに有効であ
る。
を利用しているため、はとんどすべての種類の薄膜をエ
ツチングすることができることにある。このため、磁気
バブルメモリや薄膜磁気ヘッドの主要構成材料であるパ
ーマロイのように四ふつ化炭素、四塩化炭素、酸素、水
素等の通常良く使われているガスを用いたプラズマによ
るエツチングができない薄膜のパターニングに有効であ
る。
ところで第２図は、薄膜磁気ヘッドの主要部の断面を示
したものである。基板２１の上には下部磁性膜となるパ
ーマロイ膜２２が形成されておシ、後から形成する上部
磁性膜となるもう一層のパーマロイ膜２３と共に磁気回
路、を構成している。両パーマロイ膜の一方端部におい
そはアルミナ膜２５を介在したギャップ２４が設けられ
、このギャップ２４を用いて記録媒体に蕾き込み、また
それから読み出しをする。両パーマロイ膜の間には導体
コイル２６が貫通するように設けられている。
したものである。基板２１の上には下部磁性膜となるパ
ーマロイ膜２２が形成されておシ、後から形成する上部
磁性膜となるもう一層のパーマロイ膜２３と共に磁気回
路、を構成している。両パーマロイ膜の一方端部におい
そはアルミナ膜２５を介在したギャップ２４が設けられ
、このギャップ２４を用いて記録媒体に蕾き込み、また
それから読み出しをする。両パーマロイ膜の間には導体
コイル２６が貫通するように設けられている。
パーマロイ膜２２．２３及び導体コイル２６は有機樹脂
２７によシ絶縁されている。この有機樹脂２７は、パー
マロイ膜２２．２３間の漏れ磁束を防ぐため、約１０μ
ｍ以上の厚さを必要とする。
２７によシ絶縁されている。この有機樹脂２７は、パー
マロイ膜２２．２３間の漏れ磁束を防ぐため、約１０μ
ｍ以上の厚さを必要とする。
また、ギャップ２４側は有機樹脂２７を基板２１に対し
である角度で傾斜させであるが、その斜面２８の基板２
１となす角度が小さいと有機樹脂２７が薄い状態と等価
になり、薄膜磁気ヘッドの性能が低下する。一方、上記
角度が太きいと、斜面２８に堆積するパーマロイ膜の膜
厚が十分に確保できない、あるいは磁気特性が悪い等の
問題が発生する。これらの理由によシ、斜面２８の基板
２１となす角度は一定の条件下に限定される。この条件
は、パーマロイ膜２３の堆積方法及びノくターニング方
法によって異なるが、例えば後述するスパッタリング法
により堆積する場合では３０〜４５°の範囲内に最適な
角度が存在することが多い。
である角度で傾斜させであるが、その斜面２８の基板２
１となす角度が小さいと有機樹脂２７が薄い状態と等価
になり、薄膜磁気ヘッドの性能が低下する。一方、上記
角度が太きいと、斜面２８に堆積するパーマロイ膜の膜
厚が十分に確保できない、あるいは磁気特性が悪い等の
問題が発生する。これらの理由によシ、斜面２８の基板
２１となす角度は一定の条件下に限定される。この条件
は、パーマロイ膜２３の堆積方法及びノくターニング方
法によって異なるが、例えば後述するスパッタリング法
により堆積する場合では３０〜４５°の範囲内に最適な
角度が存在することが多い。
上記の有機樹脂の段差上に形成するノく−マロイ膜２３
のパターニング方法としては、次の２通シの方法が知ら
れている。
のパターニング方法としては、次の２通シの方法が知ら
れている。
第１はフレームめっき法と呼ばれる方法である。
めっき下地膜の上にホトレジストで所望のノくターンを
囲む形にフレームを形成し、レジストの存在しない部分
に選択的にめっきし、レジストで区切られた不要部分及
びレジストを除去する方法である。この方法は、形成し
たホトレジストの寸法精度によシパーマロイ膜のパター
ン精度が決定されるので、比較的容易に高い寸法精度の
膜が得られるという特徴を持っている。しかしながら、
レジストフレームのある状態では容易に磁気特性の良好
な膜を得ることはできないという短所を持っている。
囲む形にフレームを形成し、レジストの存在しない部分
に選択的にめっきし、レジストで区切られた不要部分及
びレジストを除去する方法である。この方法は、形成し
たホトレジストの寸法精度によシパーマロイ膜のパター
ン精度が決定されるので、比較的容易に高い寸法精度の
膜が得られるという特徴を持っている。しかしながら、
レジストフレームのある状態では容易に磁気特性の良好
な膜を得ることはできないという短所を持っている。
第２の方法は全体にパーマロイ膜を堆積した後、エツチ
ングによりパターニングする方法である。
ングによりパターニングする方法である。
パーマロイの堆積方法としてはめつき、蒸着、スパッタ
リング等がある。エツチング方法には前述の化学エツチ
ング並びにドライエツチングがあるが、高精度が期待で
きること、並びにコントロールが容易なことからドライ
エツチングが選択されて来ている。
リング等がある。エツチング方法には前述の化学エツチ
ング並びにドライエツチングがあるが、高精度が期待で
きること、並びにコントロールが容易なことからドライ
エツチングが選択されて来ている。
反応性のドライエツチングでは通常、ＣＦ４などのぶつ
化物、ＣＣｔ、などの塩化物、酸素、水素等のガ１スを
用いる。しかしパーマロイ膜は上記物質のプラズマによ
シエッチングをしても大きなエツチング速度は得られず
、実用的には使用できない。そこで、加速したアルゴン
イオンによシ物理的にスパッタリングする方法が良く用
いられる。
化物、ＣＣｔ、などの塩化物、酸素、水素等のガ１スを
用いる。しかしパーマロイ膜は上記物質のプラズマによ
シエッチングをしても大きなエツチング速度は得られず
、実用的には使用できない。そこで、加速したアルゴン
イオンによシ物理的にスパッタリングする方法が良く用
いられる。
よシ具体的には第１図にて示し前述したイオンミリング
装置あるいは類似構造のものが使用される。
装置あるいは類似構造のものが使用される。
パーマロイ膜のパターニングプロセスの概略ヲ第３図に
示す。第３図（ａ）は基板２１の上に有機樹脂膜２７の
パターンを形成し、その上にパーマロイ膜２３を堆積し
たものの断面図である。この上にホトレジスト２９を塗
布し、それを露光、現像して記３図（ｂ）に示す断面形
状にする。この時、ホトレジスト２９は、塗布時に流動
性があるため、有機樹脂膜２７のパターンに影響され、
凸端３０では平担部に比べ薄くなシ、四端３１では平担
部に比べ薄くなる。この後イオンミリング装置によシ、
アルゴンイオンを上方から照射すると、パーマロイ膜と
ホトレジスト膜は共にエツチングされ、第３図（Ｃ）に
示す断面構造となる。このエツチングの際ホトレジスト
２９は、パーマロイ膜２３の残して置く部分が露出しな
いために十分な厚さが必要である。特に有機樹脂膜２７
の上端３０は最も膜厚が薄くなる部分であシ、このため
、平坦なパーマロイ膜をパターニングする時に比べよシ
厚いホトレジストが要求される。
示す。第３図（ａ）は基板２１の上に有機樹脂膜２７の
パターンを形成し、その上にパーマロイ膜２３を堆積し
たものの断面図である。この上にホトレジスト２９を塗
布し、それを露光、現像して記３図（ｂ）に示す断面形
状にする。この時、ホトレジスト２９は、塗布時に流動
性があるため、有機樹脂膜２７のパターンに影響され、
凸端３０では平担部に比べ薄くなシ、四端３１では平担
部に比べ薄くなる。この後イオンミリング装置によシ、
アルゴンイオンを上方から照射すると、パーマロイ膜と
ホトレジスト膜は共にエツチングされ、第３図（Ｃ）に
示す断面構造となる。このエツチングの際ホトレジスト
２９は、パーマロイ膜２３の残して置く部分が露出しな
いために十分な厚さが必要である。特に有機樹脂膜２７
の上端３０は最も膜厚が薄くなる部分であシ、このため
、平坦なパーマロイ膜をパターニングする時に比べよシ
厚いホトレジストが要求される。
パーマロイのエツチングが終了した基板２１は、ホトレ
ジスト２９を酸素プラズマによる灰化、有機溶剤による
溶解等の方法で除去し、第３図（ｄ）に示す断面形状の
素子を得る。
ジスト２９を酸素プラズマによる灰化、有機溶剤による
溶解等の方法で除去し、第３図（ｄ）に示す断面形状の
素子を得る。
第４図に第３図のプロセスで作成する薄膜磁気ヘッドの
パーマロイ膜２３の平面形状を示す。第４図においてパ
ーマロイ膜２３は有機樹脂［２７の表面に形成されてお
シ、その一部が有機樹脂膜２７のパターンの外に出てい
る。有機樹脂膜２７のパターン端部は前述のように斜面
２８になっている。薄膜磁気ヘッドにおいては、この斜
面２８の下方におけるパーマロイ膜２３の幅ａを±０．
５μｍの許容幅で精密に形成する必要がある。
パーマロイ膜２３の平面形状を示す。第４図においてパ
ーマロイ膜２３は有機樹脂［２７の表面に形成されてお
シ、その一部が有機樹脂膜２７のパターンの外に出てい
る。有機樹脂膜２７のパターン端部は前述のように斜面
２８になっている。薄膜磁気ヘッドにおいては、この斜
面２８の下方におけるパーマロイ膜２３の幅ａを±０．
５μｍの許容幅で精密に形成する必要がある。
第３図の方法を用いて、第４図のａで示す部分を精密に
形成するには次のような問題点がある。
形成するには次のような問題点がある。
第５図はホトレジストをマスクにしてパーマロイをイオ
ンミリングする時の断面形状の例である。
ンミリングする時の断面形状の例である。
第５図（ａ）はイオンミリングする前の断面、第５図（
ｂ）はホトレジスト２９の膜厚が適正の時のイオンミリ
ング後の断面、第５図（Ｃ）はホトレジスト２９の膜厚
が過剰の時のイオンミリング後の断面のそれぞれの模式
図である。イオンミリングにおけるアルゴンイオンは基
板に対し垂直に入射していると仮定している。第５図（
ｂ）においてホトレジストの端部は斜めに削られている
が、これは、テーバ部のイオンミリングの速度が平坦部
に比べ速いためである。第５図（Ｃ）に示すようにホト
レジストの膜厚が厚くなると、ホトレジストの端部にミ
リングされない部分３１ができる。そのため、アルゴン
イオンによってスパッタされたパーマロイ膜の一部はホ
トレジストの端部に付着し、膜３２を形成する。このた
め、ホトレジストをはくシした後のパーマロイ膜の形状
は第５図（ｄ）に示すようになシ、余分な膜３２が残留
することになシ、目的の形状のパーマロイ膜が得られな
い。
ｂ）はホトレジスト２９の膜厚が適正の時のイオンミリ
ング後の断面、第５図（Ｃ）はホトレジスト２９の膜厚
が過剰の時のイオンミリング後の断面のそれぞれの模式
図である。イオンミリングにおけるアルゴンイオンは基
板に対し垂直に入射していると仮定している。第５図（
ｂ）においてホトレジストの端部は斜めに削られている
が、これは、テーバ部のイオンミリングの速度が平坦部
に比べ速いためである。第５図（Ｃ）に示すようにホト
レジストの膜厚が厚くなると、ホトレジストの端部にミ
リングされない部分３１ができる。そのため、アルゴン
イオンによってスパッタされたパーマロイ膜の一部はホ
トレジストの端部に付着し、膜３２を形成する。このた
め、ホトレジストをはくシした後のパーマロイ膜の形状
は第５図（ｄ）に示すようになシ、余分な膜３２が残留
することになシ、目的の形状のパーマロイ膜が得られな
い。
一方、前記した通シ、第３図並びに第４図の有機樹脂膜
の四部３１ではホトレジスト２９は厚くなるため、パー
マロイ膜２３は四部３１において第５図（ｄ）に示す断
面構造を持つことになり、好ましくない。
の四部３１ではホトレジスト２９は厚くなるため、パー
マロイ膜２３は四部３１において第５図（ｄ）に示す断
面構造を持つことになり、好ましくない。
この原因は、ホトレジスト２９の側壁にスパッタされた
パーマロイが付着するのに対し、アルゴンイオンはこの
側壁にほとんど飛来しないため付着したパーマロイが再
びスパッタされず、そのまま残液として残るためと考え
られている。通常のこの現象の解決手段としては、次の
３通シが考えられている。
パーマロイが付着するのに対し、アルゴンイオンはこの
側壁にほとんど飛来しないため付着したパーマロイが再
びスパッタされず、そのまま残液として残るためと考え
られている。通常のこの現象の解決手段としては、次の
３通シが考えられている。
第１はホトレジストを薄くすることであるが、一方では
第４図に示す有機樹脂膜２７の凸部３０においてもホト
レジストがミリングによｐ失わ力いようにしなければな
らないので、この方法には限界がある。
第４図に示す有機樹脂膜２７の凸部３０においてもホト
レジストがミリングによｐ失わ力いようにしなければな
らないので、この方法には限界がある。
第２はアルゴンイオンを斜上方から入射させる方法であ
る。このようにすることによｐホトレジストの側壁もア
ルゴンイオンでスパッタされるため、付着によ多形成さ
れる膜は除去することができる。しかしながら、アルゴ
ンイオンを斜上方から入射させると、アルゴンイオンの
入射方向と反対側はホトレジストの影になシイオンミリ
ングが妨げられる。上記の方法でイオンミリングしたパ
ーマロイの断面構造の例を第５図（ｅ）に示す。パター
ニングしたパーマロイ膜の周囲には残渣３３ができ、第
１の方法と同様、目的とする形状が得られない。
る。このようにすることによｐホトレジストの側壁もア
ルゴンイオンでスパッタされるため、付着によ多形成さ
れる膜は除去することができる。しかしながら、アルゴ
ンイオンを斜上方から入射させると、アルゴンイオンの
入射方向と反対側はホトレジストの影になシイオンミリ
ングが妨げられる。上記の方法でイオンミリングしたパ
ーマロイの断面構造の例を第５図（ｅ）に示す。パター
ニングしたパーマロイ膜の周囲には残渣３３ができ、第
１の方法と同様、目的とする形状が得られない。
第３の方法はホトレジストの端部の基板とのなす角度を
小さくする方法であるが、この方法では、イオンミリン
グによシパーマロイのエツチングが進むにつれてパター
ン幅も変化するため、高精度なパターニングが困難であ
るという欠点を持つ。
小さくする方法であるが、この方法では、イオンミリン
グによシパーマロイのエツチングが進むにつれてパター
ン幅も変化するため、高精度なパターニングが困難であ
るという欠点を持つ。
以上のことから、薄膜磁気ヘッドのパーマロイ膜をイオ
ンミリングでパターニングする際にホトレジストを用い
ると、上記のいずれの方法によっても満足できる形状の
ものを得ることは困難である。
ンミリングでパターニングする際にホトレジストを用い
ると、上記のいずれの方法によっても満足できる形状の
ものを得ることは困難である。
この問題点は、根本としてマスク材の厚さが部分的に厚
くなっていることにある。そこで、この解決策として、
パーマロイ膜の上にスパッタリングあるいは蒸着法によ
シ塗布法よシも均一な膜を形成し、ホトレジストのパタ
ーンを一度上記膜にニングする方法がおる。この方法に
適用できる薄膜材料としては、パーマロイに比ベイオン
ミリングにおけるエツチング速度の遅いものが望まれる
。
くなっていることにある。そこで、この解決策として、
パーマロイ膜の上にスパッタリングあるいは蒸着法によ
シ塗布法よシも均一な膜を形成し、ホトレジストのパタ
ーンを一度上記膜にニングする方法がおる。この方法に
適用できる薄膜材料としては、パーマロイに比ベイオン
ミリングにおけるエツチング速度の遅いものが望まれる
。
アルミナ膜はスパッタされに〈＜、マスク材として良好
であるが、現在まで、このアルミナ膜を高精度かつ選択
的にエツチングする方法が知られてなく、適用できない
ままでいる。他の薄膜では、パーマロイとのミリング速
度の比が大きく取れず、高精度にパーマロイのパターン
を形成することができない。
であるが、現在まで、このアルミナ膜を高精度かつ選択
的にエツチングする方法が知られてなく、適用できない
ままでいる。他の薄膜では、パーマロイとのミリング速
度の比が大きく取れず、高精度にパーマロイのパターン
を形成することができない。
本発明の、目的は、段差を持つ薄膜を高精度にパターニ
ングする方法を提供することにある。
ングする方法を提供することにある。
ｌ〕＼７
本発明は、ＣＦ４などの来マ化炭素系のガスをプラズマ
でイオン化し、加速してアルミナに照射すると、アルミ
ナ膜が選択的にエツチングされることを実験によりｍ認
し、この効果を応用することによシアルミナ膜のパター
ニングを可能にし、段差を持つ薄膜のバターニングのマ
スク材に適用したものである。
でイオン化し、加速してアルミナに照射すると、アルミ
ナ膜が選択的にエツチングされることを実験によりｍ認
し、この効果を応用することによシアルミナ膜のパター
ニングを可能にし、段差を持つ薄膜のバターニングのマ
スク材に適用したものである。
次に本発明を具体的実施例によシ詳細に説明する。
第６図は本発明によるプロセスの一例を示したものであ
る。第６１１（ａ）は基板２１の上に有機樹脂膜２７の
パターンを形成し、その上にパーマロイ膜２３を堆積し
、更にパーマロイ膜２３のマスク材となるアルミナ膜３
４を堆積したものの断面である。第６図（ｂ）はホトレ
ジスト２９を塗布し、それを露光、現象した後の断面で
ある。第６図（ｂ）に示すようにホトレジスト２９を形
成した後、アルミナ膜３４をぶつ化炭素系ガスを用いて
プラズマエツチングする。
る。第６１１（ａ）は基板２１の上に有機樹脂膜２７の
パターンを形成し、その上にパーマロイ膜２３を堆積し
、更にパーマロイ膜２３のマスク材となるアルミナ膜３
４を堆積したものの断面である。第６図（ｂ）はホトレ
ジスト２９を塗布し、それを露光、現象した後の断面で
ある。第６図（ｂ）に示すようにホトレジスト２９を形
成した後、アルミナ膜３４をぶつ化炭素系ガスを用いて
プラズマエツチングする。
第７図は、ＣＦ４をプラズマでイオン化し、加速して試
料に衡突させる一種の反応性イオンビームエツチングを
適用した時のノボラック系ホトレジスト５１とアルミナ
５２のそれぞれのエツチング速度の一例を示したもので
ある。この図から、アルミナのミリング速度はイオン加
速電圧が低い場合にはホトレジストよシ小さいが加速電
圧が高い場合には逆転することがわかる。また、イオン
ミリングに通常用いられるアルゴンガスを使用した場合
、ホトレジストのエツチング速度は第７図に示した値と
同程度でおるが、アルミナはホトレジストの１／２ある
いはそれ以下である。このことはＣＦ４がアルミナのエ
ツチングを化学的に進行させていると考えられる。
料に衡突させる一種の反応性イオンビームエツチングを
適用した時のノボラック系ホトレジスト５１とアルミナ
５２のそれぞれのエツチング速度の一例を示したもので
ある。この図から、アルミナのミリング速度はイオン加
速電圧が低い場合にはホトレジストよシ小さいが加速電
圧が高い場合には逆転することがわかる。また、イオン
ミリングに通常用いられるアルゴンガスを使用した場合
、ホトレジストのエツチング速度は第７図に示した値と
同程度でおるが、アルミナはホトレジストの１／２ある
いはそれ以下である。このことはＣＦ４がアルミナのエ
ツチングを化学的に進行させていると考えられる。
一方、反応性スパッタエツチングにＣＦ４あるいはぶつ
化炭素系のガスを用いてもアルミナは実用上エツチング
されない。反応性スパッタエツチングあるいはプラズマ
エツチングにおいてエツチングされる物質は、それらの
物質の反応性ガスとの化合物の蒸気圧が高い、言い換え
れば沸点が低いことが必要条件である。例えばＣＦｄ系
ガスを用いたプラズマでエツチングされるシリコンのぶ
つ化物５ｊＦ４は−９５，５ｔｌ：’で昇華し、ＣＣｔ
、系ガスを用いたプラズマでエツチングされるアルミニ
ウムの塩化物ｈｔｃｔ、の沸点は１８２．７ｔ：’ （
７５５ｍｍＨｇ）である。これらに比べ、アルミニウム
のぶつ化物であるＡｔＦ ３は１２６０Ｃという高温で
昇華する物質であシ、実用上ぶつ化炭素系ガスでプラズ
マエツチングできない理由はここにある。
化炭素系のガスを用いてもアルミナは実用上エツチング
されない。反応性スパッタエツチングあるいはプラズマ
エツチングにおいてエツチングされる物質は、それらの
物質の反応性ガスとの化合物の蒸気圧が高い、言い換え
れば沸点が低いことが必要条件である。例えばＣＦｄ系
ガスを用いたプラズマでエツチングされるシリコンのぶ
つ化物５ｊＦ４は−９５，５ｔｌ：’で昇華し、ＣＣｔ
、系ガスを用いたプラズマでエツチングされるアルミニ
ウムの塩化物ｈｔｃｔ、の沸点は１８２．７ｔ：’ （
７５５ｍｍＨｇ）である。これらに比べ、アルミニウム
のぶつ化物であるＡｔＦ ３は１２６０Ｃという高温で
昇華する物質であシ、実用上ぶつ化炭素系ガスでプラズ
マエツチングできない理由はここにある。
そこで、第７図に示した現象は、まだ不明な点もあるが
現在のところ次のように考えられる。まず、アルミナの
表面がＣＦ ４がイオン化されてできた化学種、例えば
ＣＦａ＋等によシふつ化物に変わる。アルミナは高融点
材料として知られている通シ、融点２０１５１１：’、
沸点３５００Ｃの物性を持ち、このような高沸点材料は
イオンミリングされにくい傾向にある。この物質が昇華
温度１２６０Ｃのふり化物に変わることによシエッチン
グ速度が速くなったものと考えられる。急峻な加速電圧
依存性はぶつ化物への反応が表面しか起きないために律
速になっているためではないかと思われる。
現在のところ次のように考えられる。まず、アルミナの
表面がＣＦ ４がイオン化されてできた化学種、例えば
ＣＦａ＋等によシふつ化物に変わる。アルミナは高融点
材料として知られている通シ、融点２０１５１１：’、
沸点３５００Ｃの物性を持ち、このような高沸点材料は
イオンミリングされにくい傾向にある。この物質が昇華
温度１２６０Ｃのふり化物に変わることによシエッチン
グ速度が速くなったものと考えられる。急峻な加速電圧
依存性はぶつ化物への反応が表面しか起きないために律
速になっているためではないかと思われる。
以上の結果によシ、高い加速電圧を用いるとホトレジス
トに対し選択的にアルミナをエツチングすることができ
、これを適用することによシ、パーマロイのエツチング
マスクとなるアルミナをエツチングすることができる。
トに対し選択的にアルミナをエツチングすることができ
、これを適用することによシ、パーマロイのエツチング
マスクとなるアルミナをエツチングすることができる。
なお、第７図ではＣＦ ４を例に用いて説明したが、Ｃ
２Ｆ５ 、 ＣＨＦ５等のぶつ化炭素系化合物でも同様
の結果を得ておシ、これは前述の原理からの当然の帰結
でおる。
２Ｆ５ 、 ＣＨＦ５等のぶつ化炭素系化合物でも同様
の結果を得ておシ、これは前述の原理からの当然の帰結
でおる。
第６図（ｂ）においてアルミナをエツチングした基板は
、ホトレジストが薄く残った第６図（Ｃ）の断面形状と
なる。ＣＦ４′ｆ：使用した時はアルゴン使用時に比ベ
イオンにさらされたホトレジストの変質は少なく、酸素
プラズマ並びにアセトンなどの有機溶媒を用いることに
よシ容易に除去でき、１に■の加速イオンを用いること
もできることを確認した。
、ホトレジストが薄く残った第６図（Ｃ）の断面形状と
なる。ＣＦ４′ｆ：使用した時はアルゴン使用時に比ベ
イオンにさらされたホトレジストの変質は少なく、酸素
プラズマ並びにアセトンなどの有機溶媒を用いることに
よシ容易に除去でき、１に■の加速イオンを用いること
もできることを確認した。
アルミナＭ３４をエツチングした後、アルミナ膜３４を
マスクにしてアルゴンイオンを用いたイオンミリング法
でパーマロイ膜２３をエッチングすると、第６図（ｄ）
に示す形状となシ、パターニングが完了する。マスクに
使用したアルミナ８３４を除去しだい場合は、この後も
う一度ＣＦ４による反応性イオンビームエツチングを行
なうか、あるいは他の方法によシアルミナ膜３４をエツ
チングすれば良い。薄膜磁気ヘッドにおいては、デバイ
スの構造上桟しても問題ないため特に除去する必要は無
い。
マスクにしてアルゴンイオンを用いたイオンミリング法
でパーマロイ膜２３をエッチングすると、第６図（ｄ）
に示す形状となシ、パターニングが完了する。マスクに
使用したアルミナ８３４を除去しだい場合は、この後も
う一度ＣＦ４による反応性イオンビームエツチングを行
なうか、あるいは他の方法によシアルミナ膜３４をエツ
チングすれば良い。薄膜磁気ヘッドにおいては、デバイ
スの構造上桟しても問題ないため特に除去する必要は無
い。
上記のプロセスを採用すると、第６図におけるアルミナ
膜３４のエツチングでホトレジスト２９の端部に付着す
る物質はホトレジストの除去あるいはその後のパーマロ
イ膜２３のイオンミリングにおいて容易に除去され、目
的とする形状のパーマロイ膜２３が得られる。また、エ
ツチングに選択性が得られるためホトレジスト２９を薄
くすることができ、高精度なパターンを形成することが
できるようになる。
膜３４のエツチングでホトレジスト２９の端部に付着す
る物質はホトレジストの除去あるいはその後のパーマロ
イ膜２３のイオンミリングにおいて容易に除去され、目
的とする形状のパーマロイ膜２３が得られる。また、エ
ツチングに選択性が得られるためホトレジスト２９を薄
くすることができ、高精度なパターンを形成することが
できるようになる。
第８図は本発明の他の実施例を示したものである。第８
図（ａ）は基板２１の上に有機樹脂膜２７のパターンを
形成し、その上にパーマロイ膜２３を堆積し、更にパー
マロイ膜２３のマスク材となるアルミナ［３４を堆積し
、このアルミナ膜３４のマスク材となる金属膜３，５を
堆積したものである。
図（ａ）は基板２１の上に有機樹脂膜２７のパターンを
形成し、その上にパーマロイ膜２３を堆積し、更にパー
マロイ膜２３のマスク材となるアルミナ［３４を堆積し
、このアルミナ膜３４のマスク材となる金属膜３，５を
堆積したものである。
有機樹脂膜２７の膜厚は薄膜磁気ヘッドの特性上の要求
から約１０μｍ以上となっているが、他の膜の厚さは有
機樹脂膜端部の形状、パーマロイ膜に要求される磁気特
性、エツチングの選択性、精度等の因子によって決めら
れる。ただし、精度を確保するため、パーマロイ膜２３
の厚さよｐアルミナ膜３４の厚さの方が薄く、金属膜３
５の方がさらに薄いことが要求される。
から約１０μｍ以上となっているが、他の膜の厚さは有
機樹脂膜端部の形状、パーマロイ膜に要求される磁気特
性、エツチングの選択性、精度等の因子によって決めら
れる。ただし、精度を確保するため、パーマロイ膜２３
の厚さよｐアルミナ膜３４の厚さの方が薄く、金属膜３
５の方がさらに薄いことが要求される。
第８図（ａ）により堆積した６膜は、ホトレジスト膜２
９のパターニングを出発点にして順次エツチグして行く
。第８図（ｂ）はホトレジスト膜２９をパターニングし
た後の断面、第８図（Ｃ）はレジスト膜２９をマスクに
して金属膜３５をエツチングした後ホトレジスト膜２９
を除去した段階の断面、第８図（ｄ）はアルミナ膜３４
をＣＦ ４反応性イオンビームエツチングでパターニン
グした段階の断面、第８図（ｅ）はパーマロイ膜２３を
イオンミリングによシバターニングした段階の断面であ
る。パーマロイ膜２３をイオンミリングすると金属膜３
５は薄いため自動的に除去される。
９のパターニングを出発点にして順次エツチグして行く
。第８図（ｂ）はホトレジスト膜２９をパターニングし
た後の断面、第８図（Ｃ）はレジスト膜２９をマスクに
して金属膜３５をエツチングした後ホトレジスト膜２９
を除去した段階の断面、第８図（ｄ）はアルミナ膜３４
をＣＦ ４反応性イオンビームエツチングでパターニン
グした段階の断面、第８図（ｅ）はパーマロイ膜２３を
イオンミリングによシバターニングした段階の断面であ
る。パーマロイ膜２３をイオンミリングすると金属膜３
５は薄いため自動的に除去される。
このプロセスで使用される金属膜３５はぶつ化−炭素系
のガスによる反応性イオンビームエツチングにおけるエ
ツチング速度が遅いことが要求される。そのためにはぶ
つ化物の沸点が高いことと、金属単体の沸点が高いこと
の２つの条件を満足するものが望ましい。例としては、
クロム、鉄、ニッケル等がある。この中で特に、鉄とニ
ッケルの合金であるパーマロイは形成しようとしている
膜と同一であるので実用上特に有益であると共に、イオ
ンミリング時にスパッタされた金属膜３５が基板上の部
分に付着したとしても不純物として悪影響をおよばずこ
とが少ないという長所も合わせ持っている。
のガスによる反応性イオンビームエツチングにおけるエ
ツチング速度が遅いことが要求される。そのためにはぶ
つ化物の沸点が高いことと、金属単体の沸点が高いこと
の２つの条件を満足するものが望ましい。例としては、
クロム、鉄、ニッケル等がある。この中で特に、鉄とニ
ッケルの合金であるパーマロイは形成しようとしている
膜と同一であるので実用上特に有益であると共に、イオ
ンミリング時にスパッタされた金属膜３５が基板上の部
分に付着したとしても不純物として悪影響をおよばずこ
とが少ないという長所も合わせ持っている。
第９図にパーマロイ膜及びアルミナ膜のＣＦ ４イオン
ビームエツチング並びにアルゴンイオンミリングにおけ
るエツチング速度を比較して示す。
ビームエツチング並びにアルゴンイオンミリングにおけ
るエツチング速度を比較して示す。
イオン加速電圧は６００ｖである。アルミナ膜５２では
ＣＦ ４を用いた時の方がエツチング速度が速いのに対
し、パーマロイ膜５３ではアルゴンを用いた方がエツチ
ング速度が速い。そこでこの特性を利用する。つ−Ｕ＋
、まずホトレジスト膜をマスクにしてパーマロイ膜で形
成された薄い金属膜３５をアルゴンのイオンミリングで
パターニングする。この金属膜でニジ厚いアルミナ膜３
４をＣＦ ４反応性イオンビームエツチングでパターニ
ングする。更にこのアルミナ膜３４を用いてパーマロイ
膜２３をアルゴンのイオンミリングでパターニングし、
第８図（ｅ）の断面形状のパーマロイ膜、すなわち薄膜
磁気ヘッドの磁気コア部を形成する。
ＣＦ ４を用いた時の方がエツチング速度が速いのに対
し、パーマロイ膜５３ではアルゴンを用いた方がエツチ
ング速度が速い。そこでこの特性を利用する。つ−Ｕ＋
、まずホトレジスト膜をマスクにしてパーマロイ膜で形
成された薄い金属膜３５をアルゴンのイオンミリングで
パターニングする。この金属膜でニジ厚いアルミナ膜３
４をＣＦ ４反応性イオンビームエツチングでパターニ
ングする。更にこのアルミナ膜３４を用いてパーマロイ
膜２３をアルゴンのイオンミリングでパターニングし、
第８図（ｅ）の断面形状のパーマロイ膜、すなわち薄膜
磁気ヘッドの磁気コア部を形成する。
この方法は、エツチングマスクが薄いためパーマロイ膜
の再付着を防止でき、目的とする形状の薄膜が容易に得
られる。また、ホトレジスト膜は目的とする膜よシも薄
い膜をイオンミリングするマスクとして用いられるため
、膜厚を薄くすることができ、バクー／精度が向上する
。さらにこのホトレジスト膜をマスクにした時のミリン
グ時間も短縮されるため、サイドエッチによるパターン
寸法の変化も抑えられる。これらの結果、パターン寸法
のばらつきは±０．５μｍ以下の範囲に収まることが確
認された。
の再付着を防止でき、目的とする形状の薄膜が容易に得
られる。また、ホトレジスト膜は目的とする膜よシも薄
い膜をイオンミリングするマスクとして用いられるため
、膜厚を薄くすることができ、バクー／精度が向上する
。さらにこのホトレジスト膜をマスクにした時のミリン
グ時間も短縮されるため、サイドエッチによるパターン
寸法の変化も抑えられる。これらの結果、パターン寸法
のばらつきは±０．５μｍ以下の範囲に収まることが確
認された。
一方、２つの実施例に共通した特徴として、パーマロイ
族のミリンダ時に耐熱性の悪いホトレジスト膜を使用し
ないで済むことから、イオンの加速電圧並びにイオン電
流を増加させて所用時間を縮することができる。また、
パーマロイ膜の端部の基板とのなす角を９０°に近づけ
ることもできる。これはアルミナ膜がサイドエツチング
されにくいことによる。
族のミリンダ時に耐熱性の悪いホトレジスト膜を使用し
ないで済むことから、イオンの加速電圧並びにイオン電
流を増加させて所用時間を縮することができる。また、
パーマロイ膜の端部の基板とのなす角を９０°に近づけ
ることもできる。これはアルミナ膜がサイドエツチング
されにくいことによる。
上記実施例ではアルミナ膜をマスクにしたパーマロイ膜
のバターニングについて説明しだが、アルミナ膜はエツ
チング速度が遅い膜であシ、パーマロイ膜以外の金属膜
その他の種々の膜にそのまま適用できる。
のバターニングについて説明しだが、アルミナ膜はエツ
チング速度が遅い膜であシ、パーマロイ膜以外の金属膜
その他の種々の膜にそのまま適用できる。
また、本実施例で述べたアルミナ膜のパターニング法が
、そのままアルミナ膜の形成に使えることは言うまでも
ない。エツチングマスクにはホトレジストと金属膜の２
種がある′が、金属膜を用いるとアルミナ膜は、端部が
ホトレジスト膜をマスクにした時に比べ急峻にすること
ができるという特徴を持つ。さらに、エツチング速度が
アルボ／を用いた時に比べ速くなることから時間短縮す
ることができる。
、そのままアルミナ膜の形成に使えることは言うまでも
ない。エツチングマスクにはホトレジストと金属膜の２
種がある′が、金属膜を用いるとアルミナ膜は、端部が
ホトレジスト膜をマスクにした時に比べ急峻にすること
ができるという特徴を持つ。さらに、エツチング速度が
アルボ／を用いた時に比べ速くなることから時間短縮す
ることができる。
本発明の更に異なる実施例を第１０図及び第１１図に示
す。第１θ図及び第１１図は第２図に示した薄膜磁気ヘ
ッドの形成プロセスの一部を示したものでおる。基板２
１の上にはパーマロイ膜２２が形成されておシ、更にそ
の上にアルミナ膜２５が全面に堆積されている。第２図
に示しているように、パーマロイ膜２２はもう一層のパ
ーマロイ膜２３と一部で接続するためアルミナ膜２５の
一部を除去する必要がある。
す。第１θ図及び第１１図は第２図に示した薄膜磁気ヘ
ッドの形成プロセスの一部を示したものでおる。基板２
１の上にはパーマロイ膜２２が形成されておシ、更にそ
の上にアルミナ膜２５が全面に堆積されている。第２図
に示しているように、パーマロイ膜２２はもう一層のパ
ーマロイ膜２３と一部で接続するためアルミナ膜２５の
一部を除去する必要がある。
アルミナ膜の除去方法には、ぶつ酸などを用いた化学エ
ツチングと真空容器中でラジカル、イオン、加速粒子等
によシ除去するドライエツチングによる方法がある。し
かし、アルミナ膜を前者の化学エツチングで高精度にパ
ターニングすることは困難であシ、後者のドライエツチ
ングが使われる傾向にある。
ツチングと真空容器中でラジカル、イオン、加速粒子等
によシ除去するドライエツチングによる方法がある。し
かし、アルミナ膜を前者の化学エツチングで高精度にパ
ターニングすることは困難であシ、後者のドライエツチ
ングが使われる傾向にある。
一般に、ドライエツチングは、加速した粒子による物理
作用を用いたものと、ラジカル、イオンとの化学反応を
利用したものに大別される。アルミナ膜はふつ素、塩素
、酸素、窒素等の化合物に対し安定であることから、反
応性スパッタエツチングなどの化学反応を利用したもの
では十分なエツチング速度が得られない。そこで、イオ
ンミリング法などの加速粒子により膜を除去するエツチ
ング方法が専ら採用されている。第１０図は、上記のイ
オンミリング法を採用した時の薄膜プロセスを断面図で
示したものである。
作用を用いたものと、ラジカル、イオンとの化学反応を
利用したものに大別される。アルミナ膜はふつ素、塩素
、酸素、窒素等の化合物に対し安定であることから、反
応性スパッタエツチングなどの化学反応を利用したもの
では十分なエツチング速度が得られない。そこで、イオ
ンミリング法などの加速粒子により膜を除去するエツチ
ング方法が専ら採用されている。第１０図は、上記のイ
オンミリング法を採用した時の薄膜プロセスを断面図で
示したものである。
第１０図においてアルミナ膜２５をエツチングするため
、ホトレジスト膜２９を形成する。第１０図（ｂ）はス
ルーホール２９ａを持つホトレジスト膜２９を形成した
時の断面である。次に第１０図（Ｃ）に示すように、イ
オンミリング法によシアルボンイオンで表面層から削シ
、アルミナ膜２５にスルーホール２５ａを形成する。そ
して、第１０図（ｄ）に示すようにホトレジスト膜２９
を酸素プラズマ、又はレジストの剥離液、あるいは両者
の共用によシ除去する。しかしながら、加速したイオン
によシアルミナ［２５を削る場合、アルミナ膜２５のエ
ツチング速度がホトレジスト膜２９やパーマロイ膜２２
に比べ遅いため、次の問題点が発生する。
、ホトレジスト膜２９を形成する。第１０図（ｂ）はス
ルーホール２９ａを持つホトレジスト膜２９を形成した
時の断面である。次に第１０図（Ｃ）に示すように、イ
オンミリング法によシアルボンイオンで表面層から削シ
、アルミナ膜２５にスルーホール２５ａを形成する。そ
して、第１０図（ｄ）に示すようにホトレジスト膜２９
を酸素プラズマ、又はレジストの剥離液、あるいは両者
の共用によシ除去する。しかしながら、加速したイオン
によシアルミナ［２５を削る場合、アルミナ膜２５のエ
ツチング速度がホトレジスト膜２９やパーマロイ膜２２
に比べ遅いため、次の問題点が発生する。
（１）ホトレジスト膜を厚くしなければならず、パター
ン精度が低下する。
ン精度が低下する。
（２）エツチング中にホトレジスト膜のサイドエツチン
グが進行するため、（１）と同様パターン精度が低下す
る。
グが進行するため、（１）と同様パターン精度が低下す
る。
（３）オーバエツチングの際に下層のパーマロイ膜が急
速にエツチングされ、局部的に薄くなる。
速にエツチングされ、局部的に薄くなる。
これらの問題点を解決するだめには、アルミナ膜のエツ
チング速度をパーマロイ膜及びホトレジスト膜に比べ速
くすれば良い。本発明によるプロセスを第１１図に示す
。第１１図（ａ）はパーマロイ膜２２の上にアルミナ膜
２５を堆積した状態、第１１図（ｂ）はアルミナ膜２５
の上にホトレジスト膜２９を形成した状態、第１１図（
Ｃ）はアルミナ膜２５をＣＦ ａを用いた反応性イオン
ビームエツチングでバターニングした状態、第１１図（
ｄ）は用いたホトレジスト膜２９を剥離した状態をそれ
ぞれ示す。本発明による方法ではアルミナ膜２５のエツ
チング速度が速いため、薄いホトレジスト膜２９を用い
ることができる。また、オーバエツチングした時の下層
のパーマロイ膜２２のエツチング量も減らすことができ
る。そのため、従来法に比べ良好なパターニングが可能
となる。
チング速度をパーマロイ膜及びホトレジスト膜に比べ速
くすれば良い。本発明によるプロセスを第１１図に示す
。第１１図（ａ）はパーマロイ膜２２の上にアルミナ膜
２５を堆積した状態、第１１図（ｂ）はアルミナ膜２５
の上にホトレジスト膜２９を形成した状態、第１１図（
Ｃ）はアルミナ膜２５をＣＦ ａを用いた反応性イオン
ビームエツチングでバターニングした状態、第１１図（
ｄ）は用いたホトレジスト膜２９を剥離した状態をそれ
ぞれ示す。本発明による方法ではアルミナ膜２５のエツ
チング速度が速いため、薄いホトレジスト膜２９を用い
ることができる。また、オーバエツチングした時の下層
のパーマロイ膜２２のエツチング量も減らすことができ
る。そのため、従来法に比べ良好なパターニングが可能
となる。
本発明によれば、エツチング速度の遅いアルミナ膜をイ
オンミリングのマスク材に用いることができるので、形
状の良好な薄膜パターンを形成することができる。
オンミリングのマスク材に用いることができるので、形
状の良好な薄膜パターンを形成することができる。
第１図はイオンミリング装置を説明するだめの概略図、
第２図は薄膜磁気ヘッドの構造を説明するための断面図
、第３図は従来プロセスの説明図、第４図は従来プロセ
スの問題点を説明するだめの平面図、第５図は従来プロ
セスの問題点を説明するための断面図、第６図は本発明
め一実施例を説明するための工程図、第７図は本発明を
説明するためのグラフ、第８図は本発明の他の実施例を
説明するための工程図、第９図は本発明を説明するため
のグラフ、第１０図及び第１１図は本発明の他の実施例
を説明するための工程図である。 １・・・真空容器、２・・・イオンガン、３・・・試料
室、２１・・・基板、２２．２３・・・パーマロイ膜、
２５・・・アルミナ膜、２７・・・有機樹脂、２９・・
・ホトレジス茗１図 常２図 ２／ 第３図 Ｙヶ図 ’ＪＪ５１ａ 茗ＩＩ）図 茗７図 イオン７ＸＪ層４１圧 ３５ Ｋ”図 ７、ｑ図 ￥／θ図
第２図は薄膜磁気ヘッドの構造を説明するための断面図
、第３図は従来プロセスの説明図、第４図は従来プロセ
スの問題点を説明するだめの平面図、第５図は従来プロ
セスの問題点を説明するための断面図、第６図は本発明
め一実施例を説明するための工程図、第７図は本発明を
説明するためのグラフ、第８図は本発明の他の実施例を
説明するための工程図、第９図は本発明を説明するため
のグラフ、第１０図及び第１１図は本発明の他の実施例
を説明するための工程図である。 １・・・真空容器、２・・・イオンガン、３・・・試料
室、２１・・・基板、２２．２３・・・パーマロイ膜、
２５・・・アルミナ膜、２７・・・有機樹脂、２９・・
・ホトレジス茗１図 常２図 ２／ 第３図 Ｙヶ図 ’ＪＪ５１ａ 茗ＩＩ）図 茗７図 イオン７ＸＪ層４１圧 ３５ Ｋ”図 ７、ｑ図 ￥／θ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、アルミナ膜上に選択的に第１層目がレジスト層であ
るマスク膜を形成し、アルミナ膜の露出部分をぶつ化炭
素系ガスを用いた反応性イオンビームエツチングによシ
除去することを特徴とする薄膜のパターニング方法。 ２ 、 反応性イオンビームエツチングのイオン加速電
圧が６００（ロ）以上であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の薄膜のパターニング方法。 ３、ぶつ化炭素系ガスとしてＣＦ４ 、Ｃ２Ｆ１ｌ。 ＣＨＦ５を使用することを特徴とする特許請求の範囲第
１項或いは第２項記載の薄膜のパターニング方法。 ４、マスク膜がレジスト層のみからなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項、第２項或いは第３項記載の薄
膜のパターニング方法。 ５、マスク膜がレジスト層と金属層との積層体からなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項。 第２項、第３項或いは第４項記載の４膜のパターニング
方法。 ６、金属層としてクロム、鉄、ニッケル或いはこれらの
元素のうち少なくとも一種を含む合金を用いることを特
徴とする特許請求の範囲第５項記載の薄膜のパターニン
グ方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58144962A JPH061769B2 (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | アルミナ膜のパターニング方法 |
| DE8484109354T DE3483451D1 (de) | 1983-08-10 | 1984-08-07 | Verfahren zum strukturieren einer duennen schicht. |
| EP84109354A EP0137190B1 (en) | 1983-08-10 | 1984-08-07 | Method of patterning thin film |
| US06/639,012 US4592801A (en) | 1983-08-10 | 1984-08-09 | Method of patterning thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58144962A JPH061769B2 (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | アルミナ膜のパターニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037130A true JPS6037130A (ja) | 1985-02-26 |
| JPH061769B2 JPH061769B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=15374243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58144962A Expired - Lifetime JPH061769B2 (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | アルミナ膜のパターニング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4592801A (ja) |
| EP (1) | EP0137190B1 (ja) |
| JP (1) | JPH061769B2 (ja) |
| DE (1) | DE3483451D1 (ja) |
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