JP3475890B2 - パターニング方法、薄膜デバイスの製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

パターニング方法、薄膜デバイスの製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、収束イオンビーム
（ＦＩＢ）を用いた膜のパターニング方法、薄膜デバイ
スの製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は、ＦＩＢを用いて最終的にパター
ニングすべき薄膜（被パターニング薄膜）を直接パター
ニングする従来の方法を示す工程図である。
【０００３】まず、同図（Ａ）に示す基板１０を用意
し、その上に、同図（Ｂ）に示すように被パターニング
薄膜１１をスパッタリング等によって成膜する。次い
で、同図（Ｃ）に示すように、ＦＩＢにより不要部分を
エッチング除去することによってパターニングされた薄
膜１１´が得られる。
【０００４】このようにＦＩＢを用いてパターニングす
ることにより、マスクレス加工が可能となり、また、微
細なパターニング加工の可能性がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＦＩＢ
を用いた従来のパターニング方法は、被パターニング薄
膜に直接照射されるＦＩＢが、その中心に完全に収束し
たビームではなくガウス分布状の拡がりを有するビーム
であることから、エッチングすべきではない上端縁部分
等が多少エッチングされてしまい、パターニング加工精
度をさほど向上できないという問題を有している。
【０００６】さらに、ＦＩＢを用いた従来のパターニン
グ方法は、そもそもＦＩＢが荷電されたＧａ等のイオン
を被パターニング薄膜に照射するものであることから、
この荷電イオンによる帯電で被パターニング薄膜が静電
破壊される可能性があるという問題をも有している。
【０００７】従って本発明の目的は、加工解像度をより
高めることができるパターニング方法、薄膜デバイスの
製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること
にある。
【０００８】本発明の他の目的は、被パターニング薄膜
が静電破壊によるダメージを受けることを防止できるパ
ターニング方法、薄膜デバイスの製造方法及び薄膜磁気
ヘッドの製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、パター
ニングすべき薄膜（被パターニング薄膜）の表面に少な
くとも１つの剥離可能な膜を形成し、ＦＩＢを用いて少
なくとも１つの剥離可能な膜及び被パターニング薄膜を
パターニングした後、少なくとも１つの剥離可能な膜を
除去するパターニング方法、このパターニング方法を用
いて少なくとも一部の薄膜パターンを形成する薄膜デバ
イス又は薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００１０】被パターニング薄膜上に剥離可能な膜を形
成したその上からＦＩＢを行うことにより、ＦＩＢにビ
ーム拡がりがあっても、パターン縁部において余分にエ
ッチングされるのは、パターニング後に除去される剥離
可能な膜の上端部分のみであり、被パターニング薄膜は
余分にエッチングされるようなことがなくなる。従っ
て、パターニング加工の解像度を大幅に高めることがで
き、加工精度が大きく向上する。
【００１１】本発明によれば、さらに、少なくとも１つ
の剥離可能な膜を形成し、ＦＩＢを用いて少なくとも１
つの剥離可能な膜をパターニングし、パターニングした
少なくとも１つの剥離可能な膜をマスクに用いて被パタ
ーニング薄膜を成膜した後、パターニングした少なくと
も１つの剥離可能な膜を除去するパターニング方法、こ
のパターニング方法を用いて少なくとも一部の薄膜パタ
ーンを形成する薄膜デバイス又は薄膜磁気ヘッドの製造
方法が提供される。
【００１２】リフトオフ法で用いられるマスクパターン
をＦＩＢを用いてパターニングすれば、光学的にパター
ニングする場合にそのパターニング寸法の限界が幅０．
２μｍ程度であったものをさらに高めることができる。
しかも、剥離可能な膜を介してＦＩＢすることにより、
ＦＩＢにビーム拡がりがあっても、パターン縁部におい
て余分にエッチングされるのは、パターニング後に除去
される剥離可能な膜の上端部分のみであり、マスクパタ
ーンとして重要なその下端部分は余分にエッチングされ
るようなことがなくなる。従って、パターニング加工の
解像度を大幅に高めることができ、加工精度が大きく向
上する。
【００１３】本発明によれば、さらにまた、パターニン
グすべき第１の薄膜の表面に少なくとも１つの剥離可能
な膜を形成し、ＦＩＢを用いて少なくとも１つの剥離可
能な膜及びパターニングすべき第１の薄膜をパターニン
グし、パターニングした少なくとも１つの剥離可能な膜
及びパターニングした第１の薄膜をマスクに用いてパタ
ーニングすべき第２の薄膜を成膜した後、パターニング
した少なくとも１つの剥離可能な膜を除去するパターニ
ング方法、このパターニング方法を用いて少なくとも一
部の薄膜パターンを形成する薄膜デバイス又は薄膜磁気
ヘッドの製造方法が提供される。
【００１４】ＦＩＢを用いてパターニングした第１の薄
膜をリフトオフ法で用いられるマスクパターンとしてい
るので、光学的にパターニングする場合にそのパターニ
ング寸法の限界が幅０．２μｍ程度であったものをさら
に高めることができる。しかも、パターニングすべき第
１の薄膜上に剥離可能な膜を形成したその上からＦＩＢ
を行うことにより、ＦＩＢにビーム拡がりがあっても、
パターン縁部において余分にエッチングされるのは、パ
ターニング後に除去される剥離可能な膜の上端部分のみ
であり、パターニングすべき第１の薄膜は余分にエッチ
ングされるようなことがなくなる。従って、この第１の
薄膜のパターニング精度が向上することはもちろんのこ
と、次の第２の薄膜のパターニングにおけるマスクパタ
ーンとして重要な余分もエッチングされるようなことが
なくなるから、マスクパターニング加工の解像度を大幅
に高めることができ、第１及び第２の両薄膜の加工精度
が大きく向上する。
【００１５】少なくとも１つの剥離可能な膜が、絶縁性
有機膜であるか、又は導電性有機膜であることが好まし
い。
【００１６】少なくとも１つの剥離可能な膜が、絶縁性
有機膜と、この絶縁性有機膜上に形成された例えば金属
膜又は導電性有機膜のごとき導電性膜との２層構造を含
むものであることが好ましい。
【００１７】このような２層構造の膜を含むことによ
り、荷電イオンによる電荷が導電性膜へ逃げるため、被
パターニング薄膜が帯電しないので静電破壊発生を効果
的に防止することができる。
【００１８】上述した導電性膜が接地された膜であれ
ば、電荷が接地側へ逃げるため、より確実な静電破壊防
止効果を期待することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】図２は本発明の一実施形態におけ
るパターニング方法を示す工程図である。この実施形態
は、ＦＩＢによって被パターニング薄膜を直接的にパタ
ーニングする方法である。被パターニング薄膜として
は、薄膜デバイスのいかなる膜であっても良い。薄膜磁
気ヘッドにおいては、例えば、磁極を形成する薄膜、磁
気抵抗効果素子を構成する薄膜又は多層膜等がある。
【００２０】同図（Ａ）に示すように、まず、基板又は
パターニングすべき薄膜の下層となる層２０を用意し、
その上に、同図（Ｂ）に示すように被パターニング薄膜
２１をスパッタリング等によって成膜する。
【００２１】次いで、同図（Ｃ）に示すように、剥離可
能な膜として例えば絶縁性有機膜２２をその上に塗布
し、さらに、同図（Ｄ）に示すように、その上に導電性
膜２３をスパッタリング又は塗布等により成膜する。
【００２２】その後、同図（Ｅ）に示すように、ＦＩＢ
により不要部分をエッチング除去することによってパタ
ーニングされた導電性膜２３´、パターニングされた絶
縁性有機膜２２´及びパターニングされた薄膜２１´が
得られる。次いで、有機溶剤等によって、パターニング
された絶縁性有機膜２２´を溶融し、これをその上の導
電性膜２３´と共に除去することによって、同図（Ｆ）
に示すようなパターニングされた薄膜２１´が得られ
る。
【００２３】なお、剥離可能な膜としては、塗布等によ
り薄膜化できかつ有機溶剤に溶けるものであれば絶縁性
有機膜に限定されないことは明らかである。例えば、後
述するように、導電性有機膜であっても良い。
【００２４】絶縁性有機膜２２としては、例えばレジス
ト等の有機樹脂膜があげられる。具体的なレジスト材料
としては、ポリグリシジルメタクリレート、グリシジル
メタクリレート及びエチルアクリレート重合体、クロロ
メチル化ポリスチレン、ポリビニルフェノール＋アジド
化合物、及びノボラック系樹脂＋架橋剤＋酸発生剤等の
ネガ型レジスト材料や、ポリメチルメタクリレート、ポ
リ（ブテン−１−スルホン）、ノボラック系樹脂＋溶解
阻害剤、例えばＰＭＰＳ（ポリ（２−メチルペンテン−
１−スルホン）、ポリ（２，２，２−トリフルオロエチ
ル−２−クロロアクリレート）、アルファメチルスチレ
ン及びアルファクロロアクリル酸の共重合体、及びノボ
ラック系樹脂＋キノンジアジド等のポジ型レジスト材料
等がある。
【００２５】導電性膜２３としては、金属膜又は導電性
有機膜があげられる。金属膜としては、あらゆる種類の
金属材料が適用可能である。具体的な導電性有機膜材料
としては、ポリ（イソチアナフテンジイルスルホネー
ト）、ＴＣＮＱ鎖体＋ポリマー、ポリ（３−チエニルア
ルカンスルホン酸化合物）、及びスルホン化ポリアニリ
ンのアンモニア塩等がある。また、導電性膜２３として
カーボンを用いても良い。
【００２６】上述したように、本実施形態によれば、剥
離可能な膜である絶縁性有機膜２２と導電性膜２３との
２層を被パターニング薄膜２１上に成膜してからＦＩＢ
を行っているため、ＦＩＢにビーム拡がりがあっても、
パターン縁部において余分にエッチングされるのは、パ
ターニング後に除去される絶縁性有機膜２２の上端部分
のみであり、被パターニング薄膜２１は余分にエッチン
グされるようなことがなくなるから、パターニング加工
の解像度を大幅に高めることができ、加工精度が大きく
向上する。さらに、絶縁性有機膜２２の上に導電性膜２
３が設けられているため、ＦＩＢの荷電イオンによる電
荷が面積の大きいこの導電性膜２３側へ逃げるので被パ
ターニング薄膜２１が帯電することはなくなり、この被
パターニング薄膜２１の静電破壊を効果的に防止するこ
とができる。
【００２７】また、導電性膜２３が接地された膜であれ
ば、電荷が接地側へ逃げるため、より確実な静電破壊防
止効果を期待することができる。
【００２８】なお、図２の実施形態においては、被パタ
ーニング薄膜２１上に絶縁性有機膜２２及び導電性膜２
３の２層を積層してＦＩＢを行っているが、これら２層
に加えてさらなる膜を設けてＦＩＢを行っても良い。ま
た、絶縁性有機膜又は例えば導電性有機膜のごとき剥離
可能な導電性膜の単層を積層してＦＩＢを行っても良
い。ただし、後者の場合は、静電破壊防止効果は期待で
きない。
【００２９】図３は本発明の他の実施形態におけるパタ
ーニング方法を示す工程図である。この実施形態は、リ
フトオフ法におけるマスクをＦＩＢによってパターニン
グする方法である。被パターニング薄膜としては、薄膜
デバイスのいかなる膜であっても良い。薄膜磁気ヘッド
においては、例えば、磁気抵抗効果素子の縦バイアス
膜、リード導体膜等がある。
【００３０】同図（Ａ）に示すように、まず、基板又は
パターニングすべき薄膜の下層となる層３０を用意し、
その上に、同図（Ｂ）に示すように、剥離可能な膜とし
て例えば絶縁性有機膜３２をその上に塗布し、さらに、
同図（Ｃ）に示すように、その上に導電性膜３３をスパ
ッタリング又は塗布等により成膜する。
【００３１】その後、同図（Ｄ）に示すように、ＦＩＢ
により不要部分をエッチング除去することによってパタ
ーニングされた導電性膜３３´及びパターニングされた
絶縁性有機膜３２´が得られる。
【００３２】次いで、同図（Ｅ）に示すように、これら
パターニングされた導電性膜３３´及びパターニングさ
れた絶縁性有機膜３２´をマスクとして、パターニング
すべき薄膜３４をスパッタリング等によって成膜する。
【００３３】次いで、通常のリフトオフ法と同様に、有
機溶剤等によってマスクパターンを除去する、即ちパタ
ーニングされた絶縁性有機膜３２´を溶融し、これをそ
の上の導電性膜３３´と共に除去することによって、同
図（Ｆ）に示すようなパターニングされた薄膜３４´が
得られる。
【００３４】なお、剥離可能な膜としては、塗布等によ
り薄膜化できかつ有機溶剤に溶けるものであれば絶縁性
有機膜に限定されないことは明らかである。例えば、後
述するように、導電性有機膜であっても良い。
【００３５】絶縁性有機膜３２としては、例えばレジス
ト等の有機樹脂膜があげられる。具体的なレジスト材料
としては、ポリグリシジルメタクリレート、グリシジル
メタクリレート及びエチルアクリレート重合体、クロロ
メチル化ポリスチレン、ポリビニルフェノール＋アジド
化合物、及びノボラック系樹脂＋架橋剤＋酸発生剤等の
ネガ型レジスト材料や、ポリメチルメタクリレート、ポ
リ（ブテン−１−スルホン）、ノボラック系樹脂＋溶解
阻害剤、例えばＰＭＰＳ（ポリ（２−メチルペンテン−
１−スルホン）、ポリ（２，２，２−トリフルオロエチ
ル−２−クロロアクリレート）、アルファメチルスチレ
ン及びアルファクロロアクリル酸の共重合体、及びノボ
ラック系樹脂＋キノンジアジド等のポジ型レジスト材料
等がある。
【００３６】導電性膜３３としては、金属膜又は導電性
有機膜があげられる。金属膜としては、あらゆる種類の
金属材料が適用可能である。具体的な導電性有機膜材料
としては、ポリ（イソチアナフテンジイルスルホネー
ト）、ＴＣＮＱ鎖体＋ポリマー、ポリ（３−チエニルア
ルカンスルホン酸化合物）、及びスルホン化ポリアニリ
ンのアンモニア塩等がある。また、導電性膜３３として
カーボンを用いても良い。
【００３７】上述したように、本実施形態によれば、剥
離可能な膜である絶縁性有機膜３２と導電性膜３３との
２層を成膜してからＦＩＢを行っているため、ＦＩＢに
ビーム拡がりがあっても、パターン縁部において余分に
エッチングされるのは、パターニング後に除去される絶
縁性有機膜３２の上端部分のみであり、マスクパターン
として重要なその下端部分は余分にエッチングされるよ
うなことがなくなるから、マスクパターニング加工の解
像度を大幅に高めることができ、加工精度が大きく向上
する。さらに、絶縁性有機膜３２の上に導電性膜３３が
設けられているため、ＦＩＢの荷電イオンによる電荷が
面積の大きいこの導電性膜３３側へ逃げるので基板３０
が帯電することはなくなり、この基板３０上に存在する
他の薄膜の静電破壊を効果的に防止することができる。
【００３８】また、導電性膜３３が接地された膜であれ
ば、電荷が接地側へ逃げるため、より確実な静電破壊防
止効果を期待することができる。
【００３９】なお、図３の実施形態においては、基板３
０上に絶縁性有機膜３２及び導電性膜３３の２層を積層
してＦＩＢを行っているが、これら２層に加えてさらな
る膜を設けてＦＩＢを行っても良い。また、絶縁性有機
膜又は例えば導電性有機膜のごとき剥離可能な導電性膜
の単層を積層してＦＩＢを行っても良い。ただし、後者
の場合は、静電破壊防止効果は期待できない。
【００４０】図４は本発明のさらに他の実施形態におけ
るパターニング方法を示す工程図である。この実施形態
は、リフトオフ法におけるマスクをＦＩＢによってパタ
ーニングする方法である。被パターニング薄膜として
は、薄膜デバイスのいかなる膜であっても良い。薄膜磁
気ヘッドにおいては、例えば、磁気抵抗効果素子の縦バ
イアス膜、リード導体膜等がある。
【００４１】同図（Ａ）に示すように、まず、基板又は
パターニングすべき薄膜の下層となる層４０を用意し、
その上に、同図（Ｂ）に示すように、剥離可能な膜とし
て例えば絶縁性有機膜４２をその上に塗布し、さらに、
同図（Ｃ）に示すように、その上に導電性膜４３をスパ
ッタリング又は塗布等により成膜する。
【００４２】その後、同図（Ｄ）及び（Ｅ）に示すよう
に、ＦＩＢにより不要部分をエッチング除去する。特に
本実施形態では、ＦＩＢの際に、ビームに対して基板４
０を傾けてエッチングすることによって、パターニング
された導電性膜４３´及びパターニングされた絶縁性有
機膜４２´の側面形状が逆テーパ状（逆台形状）となっ
ている。
【００４３】次いで、同図（Ｆ）に示すように、これら
パターニングされた導電性膜４３´及びパターニングさ
れた絶縁性有機膜４２´をマスクとして、パターニング
すべき薄膜４４をスパッタリング等によって成膜する。
【００４４】次いで、通常のリフトオフ法と同様に、有
機溶剤等によってマスクパターンを除去する、即ちパタ
ーニングされた絶縁性有機膜４２´を溶融し、これをそ
の上の導電性膜４３´と共に除去することによって、同
図（Ｇ）に示すようなパターニングされた薄膜４４´が
得られる。
【００４５】本実施形態における、適用可能な材料、作
用効果、及び変更態様等は、図３の実施形態の場合と同
様である。
【００４６】図５は本発明のまたさらに他の実施形態に
おけるパターニング方法を示す工程図である。この実施
形態は、ＦＩＢによって被パターニング薄膜を直接的に
パターニングする方法とリフトオフ法との併用方法であ
る。パターニングすべき薄膜としては、薄膜デバイスの
いかなる膜であっても良い。薄膜磁気ヘッドにおいて
は、例えば、磁気抵抗効果素子を構成する薄膜又は多層
膜、磁気抵抗効果素子の縦バイアス膜、リード導体膜等
がある。
【００４７】同図（Ａ）に示すように、まず、基板又は
パターニングすべき薄膜の下層となる層５０を用意し、
その上に、同図（Ｂ）に示すように、パターニングすべ
き第１の薄膜５１をスパッタリング等によって成膜す
る。
【００４８】次いで、同図（Ｃ）に示すように、剥離可
能な膜として例えば絶縁性有機膜５２をその上に塗布
し、さらに、同図（Ｄ）に示すように、その上に導電性
膜５３をスパッタリング又は塗布等により成膜する。
【００４９】その後、同図（Ｅ）に示すように、ＦＩＢ
により不要部分をエッチング除去することによってパタ
ーニングされた導電性膜５３´、パターニングされた絶
縁性有機膜５２´及びパターニングされた第１の薄膜５
１´が得られる。
【００５０】次いで、同図（Ｆ）に示すように、これら
パターニングされた導電性膜５３´、パターニングされ
た絶縁性有機膜５２´及びパターニングされた第１の薄
膜５１´をマスクとして、パターニングすべき第２の薄
膜５４をスパッタリング等によって成膜する。
【００５１】次いで、通常のリフトオフ法と同様に、有
機溶剤等によってマスクパターンを除去する、即ちパタ
ーニングされた絶縁性有機膜５２´を溶融し、これをそ
の上の導電性膜５３´と共に除去することによって、同
図（Ｇ）に示すようなパターニングされた第１の薄膜５
１´及びパターニングされた第２の薄膜５４´が得られ
る。
【００５２】なお、剥離可能な膜としては、塗布等によ
り薄膜化できかつ有機溶剤に溶けるものであれば絶縁性
有機膜に限定されないことは明らかである。例えば、後
述するように、導電性有機膜であっても良い。
【００５３】絶縁性有機膜５２としては、例えばレジス
ト等の有機樹脂膜があげられる。具体的なレジスト材料
としては、ポリグリシジルメタクリレート、グリシジル
メタクリレート及びエチルアクリレート重合体、クロロ
メチル化ポリスチレン、ポリビニルフェノール＋アジド
化合物、及びノボラック系樹脂＋架橋剤＋酸発生剤等の
ネガ型レジスト材料や、ポリメチルメタクリレート、ポ
リ（ブテン−１−スルホン）、ノボラック系樹脂＋溶解
阻害剤、例えばＰＭＰＳ（ポリ（２−メチルペンテン−
１−スルホン）、ポリ（２，２，２−トリフルオロエチ
ル−２−クロロアクリレート）、アルファメチルスチレ
ン及びアルファクロロアクリル酸の共重合体、及びノボ
ラック系樹脂＋キノンジアジド等のポジ型レジスト材料
等がある。
【００５４】導電性膜５３としては、金属膜又は導電性
有機膜があげられる。金属膜としては、あらゆる種類の
金属材料が適用可能である。具体的な導電性有機膜材料
としては、ポリ（イソチアナフテンジイルスルホネー
ト）、ＴＣＮＱ鎖体＋ポリマー、ポリ（３−チエニルア
ルカンスルホン酸化合物）、及びスルホン化ポリアニリ
ンのアンモニア塩等がある。また、導電性膜５３として
カーボンを用いても良い。
【００５５】上述したように、本実施形態によれば、パ
ターニングすべき第１の薄膜５１上に剥離可能な膜であ
る絶縁性有機膜５２と導電性膜５３との２層を成膜して
からＦＩＢを行っているため、ＦＩＢにビーム拡がりが
あっても、パターン縁部において余分にエッチングされ
るのは、パターニング後に除去される絶縁性有機膜５２
の上端部分のみであり、パターニングすべき第１の薄膜
５１は余分にエッチングされるようなことがなくなる。
従って、この第１の薄膜５１のパターニング精度が向上
することはもちろんのこと、次の第２の薄膜５４のパタ
ーニングにおけるマスクパターンとして重要な余分もエ
ッチングされるようなことがなくなるから、マスクパタ
ーニング加工の解像度を大幅に高めることができ、第１
及び第２の両薄膜の加工精度が大きく向上する。さら
に、絶縁性有機膜５２の上に導電性膜５３が設けられて
いるため、ＦＩＢの荷電イオンによる電荷が面積の大き
いこの導電性膜５３側へ逃げるのでパターニングすべき
第１の薄膜５１が帯電することはなくなり、その静電破
壊を効果的に防止することができる。
【００５６】また、導電性膜５３が接地された膜であれ
ば、電荷が接地側へ逃げるため、より確実な静電破壊防
止効果を期待することができる。
【００５７】なお、図５の実施形態においては、パター
ニングすべき第１の薄膜５１上に絶縁性有機膜５２及び
導電性膜５３の２層を積層してＦＩＢを行っているが、
これら２層に加えてさらなる膜を設けてＦＩＢを行って
も良い。また、絶縁性有機膜又は例えば導電性有機膜の
ごとき剥離可能な導電性膜の単層を積層してＦＩＢを行
っても良い。ただし、後者の場合は、静電破壊防止効果
は期待できない。
【００５８】図６は本発明のさらに他の実施形態におけ
るパターニング方法を示す工程図である。この実施形態
は、ＦＩＢによって被パターニング薄膜を直接的にパタ
ーニングする方法とリフトオフ法との併用方法である。
パターニングすべき薄膜としては、薄膜デバイスのいか
なる膜であっても良い。薄膜磁気ヘッドにおいては、例
えば、磁気抵抗効果素子を構成する薄膜又は多層膜、磁
気抵抗効果素子の縦バイアス膜、リード導体膜等があ
る。
【００５９】同図（Ａ）に示すように、まず、基板又は
パターニングすべき薄膜の下層となる層６０を用意し、
その上に、同図（Ｂ）に示すように、パターニングすべ
き第１の薄膜６１をスパッタリング等によって成膜す
る。
【００６０】次いで、同図（Ｃ）に示すように、剥離可
能な膜として例えば絶縁性有機膜６２をその上に塗布
し、さらに、同図（Ｄ）に示すように、その上に導電性
膜６３をスパッタリング又は塗布等により成膜する。
【００６１】その後、同図（Ｅ）及び（Ｆ）に示すよう
に、ＦＩＢにより不要部分をエッチング除去する。特に
本実施形態では、ＦＩＢの際に、ビームに対して基板６
０を傾けてエッチングすることによって、パターニング
された導電性膜６３´、パターニングされた絶縁性有機
膜６２´及びパターニングされた第１の薄膜６１´の側
面形状が逆テーパ状（逆台形状）となっている。
【００６２】次いで、同図（Ｇ）に示すように、これら
パターニングされた導電性膜６３´、パターニングされ
た絶縁性有機膜６２´及びパターニングされた第１の薄
膜６１´をマスクとして、パターニングすべき第２の薄
膜６４をスパッタリング等によって成膜する。
【００６３】次いで、通常のリフトオフ法と同様に、有
機溶剤等によってマスクパターンを除去する、即ちパタ
ーニングされた絶縁性有機膜６２´を溶融し、これをそ
の上の導電性膜６３´と共に除去することによって、同
図（Ｈ）に示すようなパターニングされた第１の薄膜６
１´及びパターニングされた第２の薄膜６４´が得られ
る。
【００６４】本実施形態における、適用可能な材料、作
用効果、及び変更態様等は、図５の実施形態の場合と同
様である。
【００６５】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
【００６６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、被パターニング薄膜上に剥離可能な膜を形成したそ
の上からＦＩＢを行うことにより、ＦＩＢにビーム拡が
りがあっても、パターン縁部において余分にエッチング
されるのは、パターニング後に除去される剥離可能な膜
の上端部分のみであり、被パターニング薄膜は余分にエ
ッチングされるようなことがなくなる。従って、パター
ニング加工の解像度を大幅に高めることができ、加工精
度が大きく向上する。
【００６７】少なくとも１つの剥離可能な膜が、絶縁性
有機膜と、この絶縁性有機膜上に形成された例えば金属
膜又は導電性有機膜のごとき導電性膜との２層構造を含
むものであれば、荷電イオンによる電荷が導電性膜へ逃
げるため、被パターニング薄膜が帯電しないので静電破
壊発生を効果的に防止することができる。
【００６８】また、導電性膜が接地された膜であれば、
電荷が接地側へ逃げるため、より確実な静電破壊防止効
果を期待することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＦＩＢを用いて被パターニング薄膜を直接パタ
ーニングする従来の方法を示す工程図である。
【図２】本発明の一実施形態におけるパターニング方法
を示す工程図である。
【図３】本発明の他の実施形態におけるパターニング方
法を示す工程図である。
【図４】本発明のさらに他の実施形態におけるパターニ
ング方法を示す工程図である。
【図５】本発明のまたさらに他の実施形態におけるパタ
ーニング方法を示す工程図である。
【図６】本発明のさらに他の実施形態におけるパターニ
ング方法を示す工程図である。
【符号の説明】
２０、３０、４０、５０、６０ 基板又はパターニング
すべき薄膜の下層となる層 ２１、３４、４４ パターニングすべき薄膜 ２１´、３４´、４４´ パターニングされた薄膜 ２２、３２、４２、５２、６２ 絶縁性有機膜 ２２´、３２´、４２´、５２´、６２´ パターニン
グされた絶縁性有機膜 ２３、３３、４３、５３、６３ 導電性膜 ２３´、３３´、４３´、５３´、６３´ パターニン
グされた導電性膜 ５１、６１ パターニングすべき第１の薄膜 ５１´、６１´ パターニングされた第１の薄膜 ５４、６４ パターニングすべき第２の薄膜 ５４´、６４´ パターニングされた第２の薄膜
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−52211（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−36655（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−347344（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−339223（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−7608（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−5677（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−180277（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−297567（ＪＰ，Ａ) 特開2000−276708（ＪＰ，Ａ) 特開2000−39700（ＪＰ，Ａ) 特開2001−209908（ＪＰ，Ａ)

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 パターニングすべき薄膜の表面に少なく
    とも１つの剥離可能な膜を形成し、収束イオンビームを
    用いて該少なくとも１つの剥離可能な膜及び該パターニ
    ングすべき薄膜をパターニングした後、該少なくとも１
    つの剥離可能な膜を除去することを特徴とするパターニ
    ング方法。
  2. 【請求項２】 パターニングすべき第１の薄膜の表面に
    少なくとも１つの剥離可能な膜を形成し、収束イオンビ
    ームを用いて該少なくとも１つの剥離可能な膜及び該パ
    ターニングすべき第１の薄膜をパターニングし、該パタ
    ーニングした少なくとも１つの剥離可能な膜及び該パタ
    ーニングした第１の薄膜をマスクに用いてパターニング
    すべき第２の薄膜を成膜した後、該パターニングした少
    なくとも１つの剥離可能な膜を除去することを特徴とす
    るパターニング方法。
  3. 【請求項３】 前記少なくとも１つの剥離可能な膜が、
    絶縁性有機膜であることを特徴とする請求項１又は２に
    記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記少なくとも１つの剥離可能な膜が、
    導電性有機膜であることを特徴とする請求項１又は２に
    記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記少なくとも１つの剥離可能な膜が、
    絶縁性有機膜と、該絶縁性有機膜上に形成された導電性
    膜とを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の方
    法。
  6. 【請求項６】 前記導電性膜が、接地されている膜であ
    ることを特徴とする請求項５に記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記導電性膜が、金属膜であることを特
    徴とする請求項５又は６に記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記導電性膜が、導電性有機膜であるこ
    とを特徴とする請求項５又は６に記載の方法。
  9. 【請求項９】 請求項１から８のいずれか１項に記載の
    パターニング方法を用いて少なくとも一部の薄膜パター
    ンを形成することを特徴とする薄膜デバイスの製造方
    法。
  10. 【請求項１０】 請求項１から８のいずれか１項に記載
    のパターニング方法を用いて少なくとも一部の薄膜パタ
    ーンを形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
    方法。
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