JPS634276B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS634276B2 JPS634276B2 JP8652681A JP8652681A JPS634276B2 JP S634276 B2 JPS634276 B2 JP S634276B2 JP 8652681 A JP8652681 A JP 8652681A JP 8652681 A JP8652681 A JP 8652681A JP S634276 B2 JPS634276 B2 JP S634276B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- etched
- etching
- insulating layer
- plasma etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N gallium;gadolinium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Gd+3] ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電極端子部窓あけを効率的に行う磁気
バブルメモリチツプの製造方法に関する。
バブルメモリチツプの製造方法に関する。
磁気バブルメモリチツプは非磁性ガーネツトで
あるがガドリニウム・ガリウム・ガーネツト
（Gd3Ga5O12）の上に必要とする磁性を備えたガ
ーネツト結晶薄膜をエピタキシヤル成長せしめ、
この上に厚さ約1000ÅのSiO2（酸化硅素）絶縁層
を設けたものを基板とし、この上にポリイミドな
どの樹脂或はSiO2などからなる絶縁層をスペー
サとして導体パターンと駆動パターンなどの層形
成を行い、この上にSiO2層を保護層として設け
た後に導体パターン、検出器パターンなどの回路
を外部回路に接続するための端子電極部窓あけを
行い、その後個別に切り離すことによりメモリチ
ツプが製造されている。
あるがガドリニウム・ガリウム・ガーネツト
（Gd3Ga5O12）の上に必要とする磁性を備えたガ
ーネツト結晶薄膜をエピタキシヤル成長せしめ、
この上に厚さ約1000ÅのSiO2（酸化硅素）絶縁層
を設けたものを基板とし、この上にポリイミドな
どの樹脂或はSiO2などからなる絶縁層をスペー
サとして導体パターンと駆動パターンなどの層形
成を行い、この上にSiO2層を保護層として設け
た後に導体パターン、検出器パターンなどの回路
を外部回路に接続するための端子電極部窓あけを
行い、その後個別に切り離すことによりメモリチ
ツプが製造されている。
本発明はメモリチツプの製造に際して行なう端
子電極部窓あけ処理を従来と異なり平行平板形プ
ラズマエツチング装置のみを用い雰囲気を変えて
プラズマエツチング現象とスパタリング現象の両
者を用いて行うもので以後図面により本発明を説
明する。
子電極部窓あけ処理を従来と異なり平行平板形プ
ラズマエツチング装置のみを用い雰囲気を変えて
プラズマエツチング現象とスパタリング現象の両
者を用いて行うもので以後図面により本発明を説
明する。
第１図Ａ，Ｂ，Ｃはこの窓あけ工程の順序を示
している。すなわち、磁性ガーネツト結晶膜１の
上には絶縁層として厚さ約1000ÅのSiO2（酸化硅
素）層２があり、この上に本実施例の場合は厚さ
約4000ÅのAl・Cu（アルミ・銅）合金よりなる導
体層３がこの上に厚さ100〜200ÅのCr2O3（酸化
クローム）層４を伴つて形成されている。
している。すなわち、磁性ガーネツト結晶膜１の
上には絶縁層として厚さ約1000ÅのSiO2（酸化硅
素）層２があり、この上に本実施例の場合は厚さ
約4000ÅのAl・Cu（アルミ・銅）合金よりなる導
体層３がこの上に厚さ100〜200ÅのCr2O3（酸化
クローム）層４を伴つて形成されている。
このCr2O3層４は駆動パターンなどの上にも形
成されているが、これは写真蝕刻技術（ホトソリ
グラフイ）を用いてパターン形成を行う際に
Al・Cu或はパーマロイなどの金属膜の反射率を
下げて投射光の反射に基づくコントラストの減少
の抑制と接着力の補強の役割りをしている。
成されているが、これは写真蝕刻技術（ホトソリ
グラフイ）を用いてパターン形成を行う際に
Al・Cu或はパーマロイなどの金属膜の反射率を
下げて投射光の反射に基づくコントラストの減少
の抑制と接着力の補強の役割りをしている。
さて導体パターン層３，４の上には厚さ約4000
Åの樹脂よりなる絶縁層５がありこの上には先に
記したCr2O3層６を備え厚さ約4000Åのパーマロ
イ金属よりなる駆動パターン層７があり、これに
はハーフデイスク形などの磁気バブル転送パター
ン以外に検出パターンなども含まれている。
Åの樹脂よりなる絶縁層５がありこの上には先に
記したCr2O3層６を備え厚さ約4000Åのパーマロ
イ金属よりなる駆動パターン層７があり、これに
はハーフデイスク形などの磁気バブル転送パター
ン以外に検出パターンなども含まれている。
次にこの上にSiO2などよりなる保護層８が形
成されて磁気バブルメモリの層構成が終り、その
後電極部の窓あけが行われる。
成されて磁気バブルメモリの層構成が終り、その
後電極部の窓あけが行われる。
ここでメモリチツプ上に設けられる外部接続用
の電極部としては導体パターン層上には磁気バブ
ルの発生回路用、複製回路用、ゲート回路用の端
子電極があり、また駆動パターン層上に設けられ
るものとしては検出回路用の端子電極などがあ
り、これらの端子電極部形成のための窓あけには
プラズマエツチングが一般に用いられている。
の電極部としては導体パターン層上には磁気バブ
ルの発生回路用、複製回路用、ゲート回路用の端
子電極があり、また駆動パターン層上に設けられ
るものとしては検出回路用の端子電極などがあ
り、これらの端子電極部形成のための窓あけには
プラズマエツチングが一般に用いられている。
第１図は導体パターン層と駆動パターン層の両
者にプラズマエツチングによつて窓あけする工程
を示すもので第２図はこれに用いるプラズマエツ
チング装置の構成図である。
者にプラズマエツチングによつて窓あけする工程
を示すもので第２図はこれに用いるプラズマエツ
チング装置の構成図である。
この装置は反応室９の中に平行平板形電極１０
があつて高周波電源１１例えば13.56MHzに接続
されており、この電極上にエツチングすべきウエ
ハー基板１２がセツトされ、一方エツチングガス
は送気弁１３を通じて加えられ一方排気口１４よ
り真空ポンプを用いて排気されることにより反応
室９内は一定の真空度に保たれるようになつてい
る。
があつて高周波電源１１例えば13.56MHzに接続
されており、この電極上にエツチングすべきウエ
ハー基板１２がセツトされ、一方エツチングガス
は送気弁１３を通じて加えられ一方排気口１４よ
り真空ポンプを用いて排気されることにより反応
室９内は一定の真空度に保たれるようになつてい
る。
プラズマエツチングの場合はガスは５％のO2
（酸素）を含むCF4（四弗化炭素）が用いられ0.05
〜0.2torrの真空度においてパワー密度0.15〜
0.2W／cm2の条件で両極間にグロー放電を起し、
これによる低温プラズマにより生成されたF*、
CF3 *、O*などのラジカル（遊離基、＊はラジカ
ルを示す）が表面物質と反応して揮発性生成物を
生じこれが排気されることによりエツチングが進
行するものである。
（酸素）を含むCF4（四弗化炭素）が用いられ0.05
〜0.2torrの真空度においてパワー密度0.15〜
0.2W／cm2の条件で両極間にグロー放電を起し、
これによる低温プラズマにより生成されたF*、
CF3 *、O*などのラジカル（遊離基、＊はラジカ
ルを示す）が表面物質と反応して揮発性生成物を
生じこれが排気されることによりエツチングが進
行するものである。
またこの装置は反応室９の雰囲気を不活性ガス
Ar（アルゴン）に換えて真空度を0.15torr以下に
保ち、一方パワー密度を0.5W／cm2程度に上げて
放電を行わせる場合は高周波スパツタリング現象
が生じイオン化したAr原子の衝突によるエツチ
ングを行うこともできる。
Ar（アルゴン）に換えて真空度を0.15torr以下に
保ち、一方パワー密度を0.5W／cm2程度に上げて
放電を行わせる場合は高周波スパツタリング現象
が生じイオン化したAr原子の衝突によるエツチ
ングを行うこともできる。
さて第１図において導体パターン層３および駆
動パターン層７への窓あけは保護層８の上にスピ
ンコート法により厚さ数μｍのレジスト膜１５を
塗布し、公知の写真蝕刻技術（ホトリソグラフ
イ）により感光とエツチングを行い、レジスト膜
１５を窓あけする。
動パターン層７への窓あけは保護層８の上にスピ
ンコート法により厚さ数μｍのレジスト膜１５を
塗布し、公知の写真蝕刻技術（ホトリソグラフ
イ）により感光とエツチングを行い、レジスト膜
１５を窓あけする。
第１図Ａはこの状態を示すものである。
第１図Ｂはこの状態のウエハーを第２図の平行
平板形プラズマエツチング装置にセツトしてエツ
チングを行つた状態を示すものでCF3 *、F*等の
活性ラジカルは絶縁層８およびレジスト膜１５と
反応するが、絶縁層８のエツチング速度がレジス
ト膜１５のエツチング速度に較べて遥かに速いた
めに優先的にエツチングされて駆動パターン層７
の上に形成されているCr2O3層６までエツチング
される。
平板形プラズマエツチング装置にセツトしてエツ
チングを行つた状態を示すものでCF3 *、F*等の
活性ラジカルは絶縁層８およびレジスト膜１５と
反応するが、絶縁層８のエツチング速度がレジス
ト膜１５のエツチング速度に較べて遥かに速いた
めに優先的にエツチングされて駆動パターン層７
の上に形成されているCr2O3層６までエツチング
される。
一方導体パターン層３はこれよりも低い位置に
あるためにエツチングはこの上に設けられている
Cr2O3層４にまで達していない。
あるためにエツチングはこの上に設けられている
Cr2O3層４にまで達していない。
ここでプラズマエツチング速度は例えば樹脂か
らなる絶縁層が約2000Å／分であるののに対し
Cr2O3の場合は40Å／分と50分の１程度であるた
め、エツチングが導体パターン層３の上のCr2O3
層４に達した状態でも駆動パターン層７の上の
Cr2O3層６は完全にエツチングされている状態で
はない。
らなる絶縁層が約2000Å／分であるののに対し
Cr2O3の場合は40Å／分と50分の１程度であるた
め、エツチングが導体パターン層３の上のCr2O3
層４に達した状態でも駆動パターン層７の上の
Cr2O3層６は完全にエツチングされている状態で
はない。
さてCr2O3は絶縁物であるため窓あけ部の
Cr2O3層は完全に除去する必要があり、従来はプ
ラズマエツチング操作を続けて完全にこれを除去
していた。
Cr2O3層は完全に除去する必要があり、従来はプ
ラズマエツチング操作を続けて完全にこれを除去
していた。
そこでエツチングが進行してF*或はCF3 *など
が駆動パターン７を形成するパーマロイ層７にま
で達するとこれと反応して弗化物からなる高抵抗
層が生ずる欠点があつた。
が駆動パターン７を形成するパーマロイ層７にま
で達するとこれと反応して弗化物からなる高抵抗
層が生ずる欠点があつた。
そこで従来の窓あけ工程はプラズマエツチング
によつて駆動パターン層を形成しているパーマロ
イ層までエツチング後装置を変えてイオンエツチ
ングを行ない、弗化物層も含めて数十Åの深さに
互つて導体パターン層３と駆動パターン層７のエ
ツチングを行い、清浄な金属面を出す操作を行つ
ていた。
によつて駆動パターン層を形成しているパーマロ
イ層までエツチング後装置を変えてイオンエツチ
ングを行ない、弗化物層も含めて数十Åの深さに
互つて導体パターン層３と駆動パターン層７のエ
ツチングを行い、清浄な金属面を出す操作を行つ
ていた。
本発明は処理工程の短縮を目的とし、そのため
の弗化物層除去のイオンエツチングを止め、その
代りにプラズマエツチングの雰囲気をArに替え
同一装置を用いスパタリング効果によりCr2O3層
を除去することを特徴としたものである。
の弗化物層除去のイオンエツチングを止め、その
代りにプラズマエツチングの雰囲気をArに替え
同一装置を用いスパタリング効果によりCr2O3層
を除去することを特徴としたものである。
第１図Ｃは本発明を使用したチツプの断面構造
でプラズマエツチングは第１図Ｂの状態で中止
し、第２図の反応室９の雰囲気をArに入れ替え
る。
でプラズマエツチングは第１図Ｂの状態で中止
し、第２図の反応室９の雰囲気をArに入れ替え
る。
ここで第１図Ｂで導体パターン層３および駆動
パターン層７の上のCr2O3層４，６がエツチング
されない状態でエツチング形態を変えることが必
要であり、エツチング速度が絶縁層８とCr2O3層
４，６では大きく違うことから、この操作は容易
であり、以後Arイオンの衝突を利用するスパタ
リング現象を用いてCr2O3層の除去を行うことに
より清浄な電極面を得ることができる。
パターン層７の上のCr2O3層４，６がエツチング
されない状態でエツチング形態を変えることが必
要であり、エツチング速度が絶縁層８とCr2O3層
４，６では大きく違うことから、この操作は容易
であり、以後Arイオンの衝突を利用するスパタ
リング現象を用いてCr2O3層の除去を行うことに
より清浄な電極面を得ることができる。
第１図Ｃは高周波スパツタリングにより、
Cr2O3４，６が除去され導体パターン層３および
駆動パターン層７上に端子電極部１５が形成され
た状態を示している。
Cr2O3４，６が除去され導体パターン層３および
駆動パターン層７上に端子電極部１５が形成され
た状態を示している。
本発明は従来２つの装置を用いて電極端子部の
窓あけが行れていたのに対し単一の装置を用いて
行うものであり試料交換の工程が短縮でき生産効
率を高めることができた。
窓あけが行れていたのに対し単一の装置を用いて
行うものであり試料交換の工程が短縮でき生産効
率を高めることができた。
第１図はバブルメモリウエハの端子電極部窓あ
け工程の進行状態を示すものでＡはレジストパタ
ーン形成後、Ｂは絶縁層のエツチング後Ｃは本発
明を実施して窓あけをした後の状態を示す断面図
また第２図はプラズマエツチング装置の構成図で
ある。 図において、３は導体パターン層、７は駆動パ
ターン層、４，６はCr2O3層、５は絶縁層、８は
保護層、１５は端子電極部を示す。
け工程の進行状態を示すものでＡはレジストパタ
ーン形成後、Ｂは絶縁層のエツチング後Ｃは本発
明を実施して窓あけをした後の状態を示す断面図
また第２図はプラズマエツチング装置の構成図で
ある。 図において、３は導体パターン層、７は駆動パ
ターン層、４，６はCr2O3層、５は絶縁層、８は
保護層、１５は端子電極部を示す。
Claims (1)
- １ 磁性ガーネツト結晶膜上に絶縁層を介して層
形成されている導体パターンおよび駆動パターン
が共にこの表面に酸化クローム薄膜を伴つて形成
されており、この両パターンの端子電極部窓あけ
を平行平板型プラズマエツチング装置を用いて行
う製造工程において、絶縁層のエツチングをフレ
オン系ガスを用いて行い一方酸化クローム薄膜の
エツチングはアルゴンを使用するスパツタリング
効果を用いて行うことを特徴とする磁気バブルメ
モリチツプの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8652681A JPS57203283A (en) | 1981-06-05 | 1981-06-05 | Production of magnetic bubble memory chip |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8652681A JPS57203283A (en) | 1981-06-05 | 1981-06-05 | Production of magnetic bubble memory chip |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57203283A JPS57203283A (en) | 1982-12-13 |
| JPS634276B2 true JPS634276B2 (ja) | 1988-01-28 |
Family
ID=13889429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8652681A Granted JPS57203283A (en) | 1981-06-05 | 1981-06-05 | Production of magnetic bubble memory chip |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57203283A (ja) |
-
1981
- 1981-06-05 JP JP8652681A patent/JPS57203283A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57203283A (en) | 1982-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6037130A (ja) | 薄膜のパタ−ニング方法 | |
| JP3275043B2 (ja) | エッチングの後処理方法 | |
| US4403241A (en) | Method for etching III-V semiconductors and devices made by this method | |
| KR20010050907A (ko) | 시료의 처리방법과 처리장치 및 자기헤드의 제작방법 | |
| JPH11260921A (ja) | 半導体素子の多層配線用ビアホ―ルの形成方法 | |
| JPH07201820A (ja) | 水銀カドミウムテルル基板のエッチング方法 | |
| JP2950110B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JPS634276B2 (ja) | ||
| JP2002299705A (ja) | 微小面積トンネル接合の作製方法 | |
| JP3717073B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3160389B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH05275325A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2006286775A (ja) | エッチング方法 | |
| JPS6265331A (ja) | 銅もしくは銅合金のエツチング方法 | |
| US4569718A (en) | Method for plasma etching III-V semiconductors with a BCl3 -Cl2 gas | |
| JPS5935451A (ja) | 層間絶縁膜の形成方法 | |
| JP4301628B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH0661195A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59167021A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2757618B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3038984B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| KR20240093127A (ko) | 이차원 반도체 물질의 등방성 식각 방법 | |
| JP3104388B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH01274430A (ja) | 薄膜のパターニング方法 | |
| JPH04278535A (ja) | 配線形成方法 |