JP2006286775A - エッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のエッチング方法は、所定のパターンで形成されたレジスト膜105を介してプラズマを照射してLow−k膜102をエッチングする際に、下地層101が露出する直前までLow−k膜102をエッチングする第1の工程と、Low−k膜102の残膜102Aに上記エッチング処理とは別の酸素ガスプラズマを照射して残膜102Aの膜質を変化させる第2の工程と、膜質が変化したLow−k膜102を希フッ酸により除去する第3の工程と、を備えている。
【選択図】図3
Description
本発明のエッチング方法では、図1に示すプラズマ処理装置を用いて被処理体(例えば、ウエハ)に形成された絶縁膜を下地層の直前まで、即ち絶縁膜の一部を残すエッチングを行って開口部を形成した後、同一のプラズマ処理装置を用いて絶縁膜の残膜部分の膜質を改質し、更に、図2に示す薬液処理装置を用いて改質後の絶縁膜の残膜部分を薬液処理することで絶縁膜の残膜部分のみを正確に除去し、下地層を傷つけることなく露呈させることができる。そこで、まずプラズマ処理装置及び薬液処理装置について説明した後、本発明のエッチング方法の一実施形態について説明する。
〔COR処理〕
SiO2+4HF→SiF4+2H2O↑
SiF4+2NH3+2HF→(NH4)2SiF6
〔PHT処理〕
(NH4)2SiF6→SiF4↑+2NH3↑+2NF↑
102 Low−k膜(絶縁膜)
102A 残膜
106A 欠陥層
105 レジスト膜(マスク)
Claims (11)
- 所定のパターンで形成されたマスクを介してプラズマを照射して絶縁膜をエッチングする方法において、下地層が露出する直前まで上記絶縁膜をエッチングする第1の工程と、上記絶縁膜の残膜に上記エッチング処理とは別のプラズマを照射して上記残膜の膜質を変化させる第2の工程と、膜質が変化した上記絶縁膜を薬液により除去する第3の工程と、を備えたことを特徴とするエッチング方法。
- 所定のパターンで形成されたマスクを介してプラズマを照射して絶縁膜をエッチングする方法において、下地層が露出する直前まで上記絶縁膜をエッチングする第1の工程と、上記絶縁膜の残膜に上記エッチング処理とは別のプラズマを照射して上記残膜の膜質を変化させる第2の工程と、膜質が変化した上記絶縁膜を、プラズマを使わないドライエッチングにより除去する第3の工程と、を備えたことを特徴とするエッチング方法。
- 上記絶縁膜は、SiCOH系低誘電性絶縁膜であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のエッチング方法。
- 上記マスクは、ハードマスクを含むことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のエッチング方法。
- 上記第1の工程では、フルオロカーボンガスを用いることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載のエッチング方法。
- 上記第2の工程では、SiCOH系低誘電性絶縁膜から主としてメチル基を除去することを特徴とする請求項3〜請求項5のいずれか1項に記載のエッチング方法。
- 上記第2の工程で用いられるエッチングガスは、少なくともH2ガスまたはO2ガスを含むことを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載のエッチング方法。
- 上記薬液は、フッ酸、フッ化アンモニウム及び水酸化テトラメチルアンモニウムのうちの少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項1及び請求項3〜請求項7のいずれか1項に記載のエッチング方法。
- 上記プラズマを使わないドライエッチングは、ケミカルオキサイドリムーバル法であることを特徴とする請求項2〜請求項7のいずれか1項に記載のエッチング方法。
- 上記下地層は、SiCまたはSiCNであることを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれか1項に記載のエッチング方法。
- SiCOH系低誘電性絶縁膜をエッチングする方法において、フルオロカーボンガスプラズマにより、下地層が露出せず且つ上記SiCOH系低誘電性絶縁膜の残膜の厚みが100nm以下となるようにエッチングを行う第1の工程と、H2ガスまたはO2ガスを含むプラズマを残余のSiCOH系低誘電性絶縁膜に照射し、その膜中からメチル基を除去する第2の工程と、メチル基が除去された残膜を、フッ酸、フッ化アンモニウム及び水酸化テトラメチルアンモニウムのうちの少なくとも一種を含む溶液により除去する第3の工程と、を備えたことを特徴とするエッチング方法。
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