JPH01176089A - めっきパターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １東上例Ｍ月金１ 本発明は、磁気記録装置の信号読み取りおよび書込みに
用いる薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に磁極めっ
きパターンの高精度形成方法に関するものである。

疋米例孜薫 、近年、磁気記録装置に用いられる磁気ヘッドは、磁気
記録媒体に対する高密度な書き込みおよび読み出し性能
を要求されており、そのような性能を有する薄膜磁気ヘ
ッドの使用が広がりつつある。

第２図はコンピューターの外部記憶装置として用いられ
る大型固定型磁気ディスクに用いる薄膜磁気ヘッドの構
造を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）はその断面図である
。この図において、１は非磁性のセラミック基板、２は
下部磁極、３はギャップ、４は上部磁極、５は眉間絶縁
体、６は導体コイルである。

上記薄膜磁気ヘッドのうち磁極の製造方法を以下に説明
する。

第３図は従来法によりパーマロイもしくは類似した合金
の磁性膜のパターンを電気めっきして形成する順序を示
したものであり、磁気異方性を与えるためとパターン側
面部のアンダーカットの形成を無くするため、あらかじ
めセラミック基板１上に導電層として形成した下地膜７
，８の上に所定の巾をもつフレーム９をレジストなどの
有機物によって形成し、その後静磁場を印加しながら上
記合金の電気めっきにより選択的にＦｅ−Ｎｉ膜（１０
ａ及び１０ｂ）を成膜する。ここで下地膜としては通常
２種類の金属膜を積層する。第１下地膜７はセラミック
基板とめっき膜との密着力を持たせるために用い通常チ
タンまたはクロムをスパッタリング法や蒸着法を用いて
形成する。また第２下地膜８はめっき膜と同一または同
一に近い組成の金属であり、成膜初期のめっき成長異常
の発生を防ぐために用いる。

次に、必要となる磁極部１０ｂをレジストなどの有機物
よりなるカバー１１で覆ってからウェットエツチングに
より不必要な部分を取除いて下部磁極部２が形成され、
さらにイオンミリングにより下地膜の残った部分が取除
かれる。

が　゛しようと　る口 上記ウェットエツチングの際、めっき膜に類似または同
一の組成を持つ第２下地膜８もエツチングされるため、
フレーム９の下を通じて磁極部１０ｂにおいてもエツチ
ングが進行する。以下第４図に基いて説明する。

めっき膜の膜厚が一定でない実際の製造工程では次のよ
うな問題が生じる。

（１）ＦｅＣｆｚの如きエツチング液中においては、フ
レーム９、カバー１１をつけていない部分１０ａでまず
エツチングが進行し、（２）めっき膜１０ａは部分的に
残っているが、第２下地膜８もエツチングされてチタン
またはクロムの第１下地１７が露呈するようになり、 （３）異なる金属間にガルバノセルが形成されて局部的
に急速にエツチングが進行し、フレーム９の下を通じて
フレーム内側の磁極部１０ｂにも及ぶようになる。

一般にセラミック基板上においては、−様な厚みのめっ
き膜を形成するのは難しいため、エツチングにおいても
部分的にめっき層のエツチングが終了してチタンまたは
クロムの層が露呈しているところが生じ、又部分的にめ
っき膜厚が大きいため、めっき膜のエツチングが終了し
ていない状態も生ずる。このような場合、めっき膜厚の
大きい部分のエツチング終了をもってセラミック基板を
エツチング液から取出すと、すでにチタンまたはクロム
層が露呈している部分においては、ガルバノセルの働き
により急速にフレーム下の下地膜およびフレームの内側
の磁極部がエツチングされてしまう（以下、オーバーエ
ツチングと呼ぶ）。

磁極部のエツチングを防止するのにフレームの巾を大き
くすることは、磁気異方性を付与する点から反磁界が大
きくなるため好ましくなく、また導電性膜として直接チ
タンまたはクロムを用いると、鉄・ニッケル合金膜に異
常層が生じるため好ましくない。

口頭　　　　するための　　　び この発明の目的は、薄膜磁気ヘッドの磁極製造方法につ
いて、磁極のオーバーエッチによるパターン不良を防止
できるめっきパターンの形成方法を提供することにある
。

本発明者らは上記の目的を達成すべく研究の結果、前記
フレーム９の下側に位置する導電性めっき下地膜として
、めっき膜より貴なる単一の金属を用いてめっきを行い
、然る後に不要となるダミーパターン部をエツチングに
より除去することにより上記目的が達成できることを見
出した。

したがって、本発明は、導電性めっき下地を有するセラ
ミック基板上に所定のパターンを電気めっきにより形成
する方法において、フレームの下部に位置する導電性め
っき下地膜としての下地を該電気めっき膜金属よりも貴
なる単一の金属を用いてめっきし、しかる後に不要とな
るダミーパターン部をエツチング除去することを特徴と
する、薄膜めっきパターンの形成方法である。

フレーム９の下においては、めっき膜が形成されないた
め第２下地膜は不要で、この部分では下地膜を２層にす
る必要はない、この部分に導電性下地膜が全くなければ
、フレーム９で囲まれた領域ではめっきされないため、
単一層の下地膜が必要である。

この単一層の下地膜はめっき膜に対して責であるので、
エツチング過程でガルバノ電池の形成により、めっき膜
または他の部分の第２下地膜を優先約にエツチングさせ
る作用を有している。

以下、本発明の実施例を第１図（ａ＞、（ｂ）によって
説明する。同図（ａ＞はセラミック基板１の上に下地膜
を形成する工程を示す、同図（ｂ）は（ａ）で示した下
地膜形成法を用いて磁極パターンめっき膜を形成する工
程を示すものである。

Ｘ１且−ユ 第１図（ａ）に示す手順（１）〜（５）に従って説明す
る。

（１）、（２）：セラミック基板１の上に第１下地膜７
として厚さ３００人のチタン膜をスパッタリング法で形
成する。

（３）：その上にフォトリソグラフィ技術を用いて、レ
ジストパターン１２をフレーム９の位置に対応させて形
成する。

（４）：第２下地膜８として厚さ１０００人のパーマロ
イ膜をスパッタリング法により形成する。

（５）ニレジストを溶解する。

以上により、フレーム９の下になる位置に単一の下地膜
７を形成することができる。

次に、従来例と同様に、第１図（ｂ）の手順（１）〜（
７）に示すように、下記の順序で磁極パターンめっき膜
が形成される。

（１）、（２）：前記第１図（ａ）の工程で得られた単
層下地膜の箇所にレジストフレーム９としてポジ型レジ
スト（Ａ　Ｚ　１３７５）が形成され、（３）：その後
パーマＯイめっき膜１０ａ、１０ｂが形成され、 （４）：さらに、カバー１１がフォトリソグラフィ技術
によりポジ型レジストを用いて形成される。

（５）二次に４％のＦ　ｅ　ＣＩ　ｉ溶液を用いてウェ
ットエツチングすることにより不要となるめっき膜１０
ｂを除去する。このとき、フレームの下には第２下地膜
がないため、オーバーエツチングは生じない。

（６）二次いで、レジストからなるフレーム９及びカバ
ー１１を溶解する。

（７）：さらに、イオンミリングにより不要な第１下地
膜７を除去する。

凡■塁ガ１ 以上述べたように、本発明のめっきパターンの形成方法
を用うれば、薄膜磁気ヘッドの磁極パターン形成工程に
おいて、下地膜をフレームに対応する部分だけ単一でか
つ、めっき膜金属よりも責な金属にすることにより、オ
ーバーエツチングを防止することができ、磁極パターン
を高精度に形成しうるので、薄膜磁気ヘッドの品質を高
めることができる。

【図面の簡単な説明】 第１図（ａ）、（ｂ）は本発明による実施例を示す工程
図、第２図は磁気ディスクに用いる薄膜磁気ヘッドの構
造を示す上面図及び断面図、第３図（１）〜（７）は薄
膜磁気ヘッドの磁極を電気めっきにより形成する従来方
法を示す工程図、第４図（１）〜（３）はオーバーエツ
チングのメカニズムを示す図である。 各図における数字は下記を示す。 １・・・セラミック基板　９・・・フレーム２・・・下
部磁極　　１０ａ・・・不要部めっき膜３・・・ギャッ
プ　　１０ｂ・・・パターンめっき膜４・・・上部磁極
　　　１１・・・カバー５・・・層間絶縁体　　１２・
・・レジストパターン６・・・導体コイル ７・・・第１下地膜 ８・・・第２下地膜 特許出願人　住友金属工業株式会社 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 導電性めっき下地を有するセラミック基板上に所定のパ
   ターンを電気めっきにより形成する方法において、フレ
   ームの下部に位置する導電性めっき下地膜としての下地
   を該電気めっき膜金属よりも貴なる単一の金属を用いて
   めっきし、しかる後に不要となるダミーパターン部をエ
   ッチング除去することを特徴とする、薄膜めっきパター
   ンの形成方法。