JPS60201516A - 薄膜磁気ヘツドの磁極の製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの磁極の製造方法Info
- Publication number
- JPS60201516A JPS60201516A JP5549684A JP5549684A JPS60201516A JP S60201516 A JPS60201516 A JP S60201516A JP 5549684 A JP5549684 A JP 5549684A JP 5549684 A JP5549684 A JP 5549684A JP S60201516 A JPS60201516 A JP S60201516A
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- Japan
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- magnetic
- film
- magnetic pole
- etching
- mask pattern
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(al 発明の技術分野
本発明は薄膜磁気ヘッドの磁極の製造方法に係り、特に
薄膜磁気ヘッドの磁極を高精度で、かつ高歩留りに形成
することを可能とした製造方法に関するものである。
薄膜磁気ヘッドの磁極を高精度で、かつ高歩留りに形成
することを可能とした製造方法に関するものである。
(b) 技術の背景
磁気ディスクに対して情報を記録・再生する磁気ヘッド
は近来、高密度記録化、高効率化のために、その形状は
益々小型化、高精度化の傾向にあり、これに加えて量産
性、低価格化が要望されている。このような諸条件を満
たす磁気ヘッドどして、記録に寄与する磁極先端の磁気
ギャップ構成部分でのヘッド磁界分布が急峻で、高密度
な記録ができ、かつ一括生産によって低価格化と特性の
均一が図れる小型な薄膜磁気ヘッドが実用化されつつあ
り、種々のタイプのものが提案されている。
は近来、高密度記録化、高効率化のために、その形状は
益々小型化、高精度化の傾向にあり、これに加えて量産
性、低価格化が要望されている。このような諸条件を満
たす磁気ヘッドどして、記録に寄与する磁極先端の磁気
ギャップ構成部分でのヘッド磁界分布が急峻で、高密度
な記録ができ、かつ一括生産によって低価格化と特性の
均一が図れる小型な薄膜磁気ヘッドが実用化されつつあ
り、種々のタイプのものが提案されている。
ここでこのような薄膜磁気ヘッドの一例を第1図の斜視
図により概念的に示す。同図において、1は非磁性基板
、2は下部磁極、3は一部で磁気ギャップを兼ねた絶縁
層、4はコイル導体、5は上部磁極であり、下部磁極2
と上部磁極5とでコイル導体4を鋏み、磁気回路的にギ
ャップ絶縁層3を介してU字形状に構成されている。か
かる薄膜磁気ヘッドは既に周知であるので構造を詳細に
説明することは省略するが、これを製造する上で最も重
要なことは、下部磁極2及び上部磁極5の先端を所定の
トラック幅tに精度良く形成することである。
図により概念的に示す。同図において、1は非磁性基板
、2は下部磁極、3は一部で磁気ギャップを兼ねた絶縁
層、4はコイル導体、5は上部磁極であり、下部磁極2
と上部磁極5とでコイル導体4を鋏み、磁気回路的にギ
ャップ絶縁層3を介してU字形状に構成されている。か
かる薄膜磁気ヘッドは既に周知であるので構造を詳細に
説明することは省略するが、これを製造する上で最も重
要なことは、下部磁極2及び上部磁極5の先端を所定の
トラック幅tに精度良く形成することである。
(C) 従来技術と問題点
例えば従来、薄膜磁気ヘッドを製造する過程における下
部磁極の形成方法としては、まず第2図に示すようにセ
ラミック等からなる非磁性基板11上に電気メツキ用の
導電性下地膜12を蒸着などによって形成し、その導電
性下地膜12上にレジスト膜を塗着した後、該レジスト
膜をパターニングして形成すべき磁極のトラック幅tを
規定する微小幅のレジストマスクパターン13を形成す
る。次に第3図に示すように該レジストマスクパターン
13が形成された導電性下地膜12上に電気メツキ法に
より例えばパーマロイ(Ni−Fe合金)からなる磁性
層14を形成する0次に第4図に示すように該磁性層1
4上にレジスト膜を塗着し、該レジスト膜を前記微小幅
のレジストマスクパターン13間の磁性層14aのみを
被覆するようパターニングしてレジストマスクパターン
15を形成する。しかる後、レジストマスクパターン1
5で被覆されていない前記磁性層14をエツチング除去
する。次に前記レジストマスクパターン13.15を一
旦除去し、新たに前記磁性層14a上にレジストマスク
パターンを形成し、露出している前記導電性下地膜12
をエツチング除去し、更にレジストマスクパターンを除
去して第5図に示すように前記磁性Fif14aからな
る下部磁極16を形成している。
部磁極の形成方法としては、まず第2図に示すようにセ
ラミック等からなる非磁性基板11上に電気メツキ用の
導電性下地膜12を蒸着などによって形成し、その導電
性下地膜12上にレジスト膜を塗着した後、該レジスト
膜をパターニングして形成すべき磁極のトラック幅tを
規定する微小幅のレジストマスクパターン13を形成す
る。次に第3図に示すように該レジストマスクパターン
13が形成された導電性下地膜12上に電気メツキ法に
より例えばパーマロイ(Ni−Fe合金)からなる磁性
層14を形成する0次に第4図に示すように該磁性層1
4上にレジスト膜を塗着し、該レジスト膜を前記微小幅
のレジストマスクパターン13間の磁性層14aのみを
被覆するようパターニングしてレジストマスクパターン
15を形成する。しかる後、レジストマスクパターン1
5で被覆されていない前記磁性層14をエツチング除去
する。次に前記レジストマスクパターン13.15を一
旦除去し、新たに前記磁性層14a上にレジストマスク
パターンを形成し、露出している前記導電性下地膜12
をエツチング除去し、更にレジストマスクパターンを除
去して第5図に示すように前記磁性Fif14aからな
る下部磁極16を形成している。
しかし上記形成工程では、第4図によって明らかなよう
に、レジストマスクパターン15テ被覆されていない前
記磁性層14をエツチング除去する過程において、実際
には導電性下地膜12も同時にエツチングされ、更に前
記微小幅のレジストマスクパターン13の下から形成す
べき磁性層148部分にまでエツチングが進行され易く
、これが為に製造歩留りが著しく低下するといった欠点
があった。
に、レジストマスクパターン15テ被覆されていない前
記磁性層14をエツチング除去する過程において、実際
には導電性下地膜12も同時にエツチングされ、更に前
記微小幅のレジストマスクパターン13の下から形成す
べき磁性層148部分にまでエツチングが進行され易く
、これが為に製造歩留りが著しく低下するといった欠点
があった。
(d) 発明の目的
本発明は上記従来の実情に鑑み、磁極形成時に磁極側へ
のサイドエツチングやアンダーカットを完全に防止し、
磁極を精度良く、かつ高歩留りで形成することを可能に
した薄膜磁気ヘッドの磁極の製造方法を提供することを
目的とするものである。
のサイドエツチングやアンダーカットを完全に防止し、
磁極を精度良く、かつ高歩留りで形成することを可能に
した薄膜磁気ヘッドの磁極の製造方法を提供することを
目的とするものである。
(e) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、導電性下地膜が施さ
れた基板上に、形成すべき磁極の形状を規定する微小幅
のレジストマスクパターンを形成する工程と、該レジス
トマスクパターンが形成された基板上の全面に磁性膜を
被着してから前記レジストマスクパターンを除去する工
程と、前記レジストマスクパターンを除去した領域に露
出した導電性下地膜を、ドライエツチング法により除去
する工程と、該導電性下地膜を含む磁性膜の磁極形成部
分をレジスト膜で被覆し、その他の磁性膜及びその直下
の導電性下地膜を順に除去する工程とを行い、その後、
前記磁極形成部分を被覆したレジスト膜を除去して磁極
を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの磁極の製
造方法を提供することによって達成される。
れた基板上に、形成すべき磁極の形状を規定する微小幅
のレジストマスクパターンを形成する工程と、該レジス
トマスクパターンが形成された基板上の全面に磁性膜を
被着してから前記レジストマスクパターンを除去する工
程と、前記レジストマスクパターンを除去した領域に露
出した導電性下地膜を、ドライエツチング法により除去
する工程と、該導電性下地膜を含む磁性膜の磁極形成部
分をレジスト膜で被覆し、その他の磁性膜及びその直下
の導電性下地膜を順に除去する工程とを行い、その後、
前記磁極形成部分を被覆したレジスト膜を除去して磁極
を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの磁極の製
造方法を提供することによって達成される。
tr) 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第6図乃至第11図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの磁
極の製造方法の一実施例を、工程順に示す要部断面図で
ある。先ず第6図に示すように、例えばセラミック、或
いはガラス等からなる非磁性基板21上に電気メツキ用
のパーマロイ (Ni−Fe合金)からなる導電性下地
膜22を蒸着、又はスパッタリング法などによって50
0〜1000人の厚さに形成し、その導電性下地膜22
上にレジスト膜を塗着した後、該レジスト膜をパターニ
ングして形成すべき磁極のトラック幅tを規定する微小
幅のレジストマスクパターン23を形成する。次に第7
図に示すように該レジストマスクパターン23が形成さ
れた導電性下地111122上に、電気メツキ法によっ
てパーマロイ(Ni−Fe合金)からなる磁性層24を
3μm程度の厚さに形成する。次に第8図に示すように
前記微小幅のレジストマスクパターン23のみを選択的
に除去し、露出した導電性下地膜22を、磁性層24を
マスクにしてドライエツチング法、特に異方性エツチン
グがなされるイオンエンチング、法、又は反応性スパッ
タエツチング法等によりエツチング除去する。この時、
上記エツチング法による特有の異方性エツチングによっ
てサイドエツチング、或いはアンダーカットされること
はなく、露出した導電性下地膜22が除去され、磁極と
なる磁性層24a部分が高精度に形成される。尚、この
場合前記磁性層24も導電性下地111i22の厚さ分
だけエツチングされるが、磁性層24を形成する際に、
そのエツチングされる厚さ分を見込んで厚く形成してお
けばよい。次に第9図に示すように上記磁極となる磁性
層24a部分をレジスト膜25によりその上面及び側面
を被覆する。かかる状態で磁極となる磁性層24a部分
の両側にある不要な磁性層24をウェットエツチング法
、或いはドライエンチング法等により除去する。更に引
き続いて第10図に示す導電性下地膜22を除去した後
、前記レジスト膜25を除去して磁性1i24a部分を
露出させることにより、第11図に示すようにサイドエ
ッチやアンダーカットがなく、所定トラック幅tを有す
る薄膜ヘッドの磁極26 (24a )を容易に、かつ
精度よく形成することが可能になる。
極の製造方法の一実施例を、工程順に示す要部断面図で
ある。先ず第6図に示すように、例えばセラミック、或
いはガラス等からなる非磁性基板21上に電気メツキ用
のパーマロイ (Ni−Fe合金)からなる導電性下地
膜22を蒸着、又はスパッタリング法などによって50
0〜1000人の厚さに形成し、その導電性下地膜22
上にレジスト膜を塗着した後、該レジスト膜をパターニ
ングして形成すべき磁極のトラック幅tを規定する微小
幅のレジストマスクパターン23を形成する。次に第7
図に示すように該レジストマスクパターン23が形成さ
れた導電性下地111122上に、電気メツキ法によっ
てパーマロイ(Ni−Fe合金)からなる磁性層24を
3μm程度の厚さに形成する。次に第8図に示すように
前記微小幅のレジストマスクパターン23のみを選択的
に除去し、露出した導電性下地膜22を、磁性層24を
マスクにしてドライエツチング法、特に異方性エツチン
グがなされるイオンエンチング、法、又は反応性スパッ
タエツチング法等によりエツチング除去する。この時、
上記エツチング法による特有の異方性エツチングによっ
てサイドエツチング、或いはアンダーカットされること
はなく、露出した導電性下地膜22が除去され、磁極と
なる磁性層24a部分が高精度に形成される。尚、この
場合前記磁性層24も導電性下地111i22の厚さ分
だけエツチングされるが、磁性層24を形成する際に、
そのエツチングされる厚さ分を見込んで厚く形成してお
けばよい。次に第9図に示すように上記磁極となる磁性
層24a部分をレジスト膜25によりその上面及び側面
を被覆する。かかる状態で磁極となる磁性層24a部分
の両側にある不要な磁性層24をウェットエツチング法
、或いはドライエンチング法等により除去する。更に引
き続いて第10図に示す導電性下地膜22を除去した後
、前記レジスト膜25を除去して磁性1i24a部分を
露出させることにより、第11図に示すようにサイドエ
ッチやアンダーカットがなく、所定トラック幅tを有す
る薄膜ヘッドの磁極26 (24a )を容易に、かつ
精度よく形成することが可能になる。
尚、第10図により説明した導電性下地膜22の除去は
、該導電性下地膜22の材質が前記磁性層24の材質と
同じか、同材質系であれば、第9図により説明した不要
な磁性層24のエツチング除去工程において同時に実施
することができ、第10図による工程は不要となる。し
かし導電性下地膜22として、非磁性基板と密着性の良
いチタン(Ti)等の異種材質を用いた場合には、エツ
チング条件が異なるなるため、前記工程が必要となる。
、該導電性下地膜22の材質が前記磁性層24の材質と
同じか、同材質系であれば、第9図により説明した不要
な磁性層24のエツチング除去工程において同時に実施
することができ、第10図による工程は不要となる。し
かし導電性下地膜22として、非磁性基板と密着性の良
いチタン(Ti)等の異種材質を用いた場合には、エツ
チング条件が異なるなるため、前記工程が必要となる。
(酌 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係る薄膜磁気
ヘッドの磁極の製造方法によれば、磁極をエツチング工
程により形成する際に、サイドエッチやアンダーカット
を完全に防止することが出来るので、所定トラック幅t
を有する薄膜ヘッドの磁極を精度よく、容易に形成する
ことが可能になる。従って高精度な薄膜磁気ヘッドを高
歩留りで製造することが容易となり、薄膜磁気ヘッドの
特性の向上、コストが低減される等、優れた効果を有す
る。
ヘッドの磁極の製造方法によれば、磁極をエツチング工
程により形成する際に、サイドエッチやアンダーカット
を完全に防止することが出来るので、所定トラック幅t
を有する薄膜ヘッドの磁極を精度よく、容易に形成する
ことが可能になる。従って高精度な薄膜磁気ヘッドを高
歩留りで製造することが容易となり、薄膜磁気ヘッドの
特性の向上、コストが低減される等、優れた効果を有す
る。
第1図は本発明の背景となる薄膜磁気ヘッドの構成図、
第2図乃至第5図は従来の薄膜磁気ヘッドの磁極の製造
工程を示す要部断面図、第6図乃至第11図は本発明に
係る薄膜磁気へラドの磁極の製造方法の一実施例を工程
順に示す要部断面図である。 図面において、21は非磁性基板、22は導電性下地膜
、23はレジストマスクパターン、24は磁性層、24
aは磁極となる磁性層部分、25はレジスト膜、第1図 第2!3 第5図
第2図乃至第5図は従来の薄膜磁気ヘッドの磁極の製造
工程を示す要部断面図、第6図乃至第11図は本発明に
係る薄膜磁気へラドの磁極の製造方法の一実施例を工程
順に示す要部断面図である。 図面において、21は非磁性基板、22は導電性下地膜
、23はレジストマスクパターン、24は磁性層、24
aは磁極となる磁性層部分、25はレジスト膜、第1図 第2!3 第5図
Claims (1)
- 導電性下地膜が施された基板上に、形成すべき磁極の形
状を規定する微小幅のレジストマスクパターンを形成す
る工程と、該レジストマスクパターンが形成された基板
上の全面に磁性膜を被着してから前記レジストマスクパ
ターンを除去する工程と、前記レジストマスクパターン
を除去した領域に露出した導電性下地膜を、ドライエツ
チング法により除去する工程と、該導電性下地膜を含む
磁性膜の磁極形成部分をレジスト膜で被覆し、その他の
磁性膜及びその直下の導電性下地膜を順に除去する工程
とを行い、その後、前記磁極形成部分を被覆したレジス
ト膜を除去して磁極を形成することを特徴とする薄膜磁
気ヘッドの磁極の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5549684A JPS60201516A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 薄膜磁気ヘツドの磁極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5549684A JPS60201516A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 薄膜磁気ヘツドの磁極の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60201516A true JPS60201516A (ja) | 1985-10-12 |
Family
ID=13000245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5549684A Pending JPS60201516A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 薄膜磁気ヘツドの磁極の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60201516A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5954023A (ja) * | 1982-09-15 | 1984-03-28 | マグネテイツク・プリフエラルズ・インコ−ポレ−テツド | 薄膜磁気記録ヘツドの製造方法 |
-
1984
- 1984-03-22 JP JP5549684A patent/JPS60201516A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5954023A (ja) * | 1982-09-15 | 1984-03-28 | マグネテイツク・プリフエラルズ・インコ−ポレ−テツド | 薄膜磁気記録ヘツドの製造方法 |
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