JP2000163713A - 薄膜磁気ヘッドの上部磁極層の形成方法、段差を有する表面の段差底部上に高アスペクト比微細ブロックパターンを形成する方法、並びに、薄膜磁気ヘッド - Google Patents

薄膜磁気ヘッドの上部磁極層の形成方法、段差を有する表面の段差底部上に高アスペクト比微細ブロックパターンを形成する方法、並びに、薄膜磁気ヘッド

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JP2000163713A JP10338034A JP33803498A JP2000163713A JP 2000163713 A JP2000163713 A JP 2000163713A JP 10338034 A JP10338034 A JP 10338034A JP 33803498 A JP33803498 A JP 33803498A JP 2000163713 A JP2000163713 A JP 2000163713A
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Daisuke Iizuka
大助 飯塚
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 段差を有する表面上に形成することを余儀な
くされている上部磁極層を形成するためのレジスト層
を、サブミクロンオーダーを下回る精度でパターニング
することができるようにして、更なる面記録密度の向上
に資することができる薄膜磁気ヘッドの上部磁極層の形
成方法を提供する。 【解決手段】 上部磁極層を形成するためのフレームを
多層レジスト層により形成し、比較的厚い下層レジスト
を、真空薄膜形成法により形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、段差を有する表面
の段差底部上に高アスペクト比微細ブロックパターンを
形成する方法に関し、特に、高アスペクト比微細ブロッ
クパターンである上部ポールを有する高記録密度対応薄
膜磁気ヘッドの上部磁極層の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータ用のハードディスクに内蔵
される薄膜磁気ヘッドとしては、再生用の磁気抵抗効果
ヘッドと記録用のインダクティブヘッドとを一体形成し
た複合ヘッドが一般的となっている。この複合ヘッド
は、図６に例示するように、非磁性のアンダーコート３
で覆われた基板（スライダ）２の表面に、上下シールド
層４，８の間に再生ギャップ層５，７を介して磁気抵抗
効果素子膜６を設けた磁気抵抗効果ヘッド９を形成した
後、上部シールド層８を共通ポール（下部磁極層）とし
てインダクティブヘッド１７を形成してなるものであ
る。
【０００３】このインダクティブヘッド１７は、共通ポ
ール８上に、記録ギャップ層１０と、コイルベースとな
る絶縁層１１と、薄膜コイル層１２，１４と、該コイル
層１２，１４を覆う絶縁層１３，１５と、ポール部１６
ａ及びヨーク部１６ｂを有する上部磁極層などを含む複
数の構成層を順次積層形成することによって得られる。
【０００４】ハードディスクへの線記録密度の狭小化に
対応するために、記録ギャップにおいて大きな磁界を発
生させるために図６に示すようにコイル層を複数段構成
とすることも行われており、かかる薄膜インダクティブ
ヘッドに特有の構成により、図６にも示すように、上部
磁極層１６が積層される表面は、ポール部１６ａが積層
されるギャップ層露呈面Ｓｐと、ヨーク部１６ｂが積層
されるコイル絶縁層１５の上面Ｓｙとに、比較的大きな
段差が生じる。
【０００５】この段差を有する表面上に所要膜厚の上部
磁極層１６を形成するために、従来は、まず鍍金下地膜
を成膜し、その上にスピンコート法によりフォトレジス
トを塗布し、該レジストを露光、現像して上部磁極層１
６の平面形状にパターニングし、パターニングされたレ
ジストをフレームとして、露呈された鍍金下地膜上に磁
性材料を電気鍍金法によって所望の膜厚まで成長させる
ことが一般的に行われていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】スピンバルブに代表さ
れる巨大磁気抵抗効果膜の開発による再生ヘッドの狭ト
ラック化に追随すべく、記録ヘッドの上部磁極層のポー
ル部は、１μｍを下回るコア幅のものを高い精度で形成
することが要求されている。
【０００７】しかしながら、上部磁極層は、飽和磁束密
度を確保するためにある程度の膜厚が必要であるが、上
記した単層フォトレジストによるフレーム形成では、露
光・現像の際のにじみ等によって、サブミクロンオーダ
ーの精度を出すことが困難である。
【０００８】そこで、本発明は、段差を有する表面上に
形成することを余儀なくされている上部磁極層を形成す
るための層を、サブミクロンオーダーを下回る精度でパ
ターニングすることができるようにして、更なる面記録
密度の向上に資することができる薄膜磁気ヘッドの上部
磁極層の形成方法、段差を有する表面の段差底部上に高
アスペクト比微細ブロックを形成する方法、並びに、高
記録密度対応の薄膜磁気ヘッドを提供することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願発明者は、ＶＬＳＩ
製造技術として知られている３層レジスト法、若しく
は、２層レジスト法などの多層レジスト法を改良し、高
記録密度対応の薄膜磁気ヘッドの上部磁極層の形成に有
利な、段差を有する表面の段差底部上に高アスペクト比
微細ブロックパターンを形成する方法を開発した。
【００１０】従来知られている３層レジスト法は、高ア
スペクト比でかつ高解像度のパターンを得るために、ま
ず、比較的厚い有機質レジスト層をスピンコート法によ
って形成していた。この上に二酸化ケイ素に代表される
無機質からなる薄い中間層を積層し、その上に薄いフォ
トレジスト層を形成する。この上層レジストをフォトリ
ソグラフィーによってパターニングし、これをマスクと
して中間層をＣＨＦ３（トリフルオロメタン）などの反
応性ガスを用いたリアクティブイオンエッチングにより
選択的に除去し、その後有機レジスト層をＯ２（酸素）
などのリアクティブイオンエッチングによりパターニン
グする。なお、２層レジスト法においては、有機レジス
ト層上に、薄いＳｉ含有フォトレジストを形成してパタ
ーニングし、これをマスクとしてＯ２などのリアクティ
ブイオンエッチングにより有機レジスト層をパターニン
グする。
【００１１】この従来の３層レジスト法を薄膜磁気ヘッ
ドの上部磁極層の形成に適用した実施例を図８及び図９
に示す。図において、符号４０は鍍金下地膜、４１は厚
い有機レジスト層（下層レジスト）、４２はＳｉＯ２の
薄い中間層、４３は薄いフォトポジ層（上層レジスト）
である。図９（ａ）に示すように積層した上層レジスト
４３を、フォトリソグラフィー技術により露光、現像し
てパターニングする（図９（ｂ）参照）。次に、パター
ニングされた上層レジスト４３をマスクとして中間層４
２を反応性イオンエッチングによりパターン転写する
（図９（ｃ）参照）。次に、パターニングされた中間層
４２をマスクとして下層レジスト４１を反応性イオンエ
ッチングによりエッチングする（図９（ｄ）参照）。こ
のようにしてパターニングされた下層レジスト４１をフ
レームとして、鍍金下地膜４０上に電気鍍金法により軟
磁性材料を成長させ、上部磁極層１６を形成する（図９
（ｅ）参照）。その後、中間層４２、下層レジスト４１
を溶解除去するとともに、鍍金下地膜４０の不要部分を
除去する（図９（ｆ）参照）。
【００１２】ここで、図８並びに図９（ｅ）に示すよう
に、従来公知の３層レジスト法をそのまま上部磁極層１
６の形成に適用すると、下層レジスト４１は、段差底
部、即ちポール部１６ａを形成する部分において必要以
上に厚くなり、段差上部、即ちヨーク部１６ｂを形成す
る部分において薄くなってしまう。
【００１３】これにより、上部磁極層においてサブミク
ロン精度が要求されるのは専らポール部１６ａである
が、このポール部１６ａを形成するフレームとなる部分
において下層レジスト４１を必要以上に大きくエッチン
グしなければならないこととなる。反応性イオンエッチ
ングが異方性に優れたエッチング法であるとしても、微
小なアンダーカットはやはり生じるため、上記のように
下層レジスト４１を深くエッチングすると、ポール部１
６ａのコア幅方向の精度を確保できず、製品の品質の均
一化が図れない。
【００１４】そもそも、薄膜磁気ヘッドの上部磁極を形
成するためのフレーム高さは必要最小限の厚さの方が製
造上有利である。
【００１５】かかる知見に基づいてなされた本発明は、
略平坦な下部磁極層と、磁気ギャップ層と、少なくとも
一段の薄膜コイル層と、該コイル層を覆う絶縁層と、ポ
ール部及びヨーク部を有する上部磁極層とを有する薄膜
磁気ヘッドにおける上部磁極層の形成方法であって、前
記下部磁極層、磁気ギャップ層、コイル層および絶縁層
を積層形成した基板表面に、鍍金下地膜を形成し、該下
地膜上に、真空薄膜形成法により全体にわたって略均一
な膜厚の比較的厚い第一のレジスト層を形成し、該層上
に比較的薄い第二のレジスト層を形成し、該第二レジス
ト層を上部磁極層の平面形状にパターニングし、パター
ニングされた第二レジスト層をマスクとする異方性ドラ
イエッチングにより第一レジスト層をパターニングし、
パターニングされた第一レジスト層をフレームとして、
鍍金下地膜の露呈された領域上に湿式鍍金法により上部
磁極層を形成することを特徴とするものである。
【００１６】このように、上部磁極層を鍍金形成するた
めのフレームとなる第一のレジスト層を、真空蒸着法や
スパッタリング法などの物理蒸着法（ＰＶＤ）や、化学
気相析出法（ＣＶＤ）等の真空薄膜形成法（真空めっき
法）により形成することで、スピンコートにより形成す
る場合に比して略均一な膜厚となり、第一のレジスト層
を反応性イオンエッチングなどの異方性ドライエッチン
グによりパターニングする際のアンダーカット量が低減
され、サブミクロン精度のコア幅の高アスペクト比のポ
ール部を、高い精度で形成できる。
【００１７】なお、第二レジスト層のパターニングは、
２層レジスト法による場合は、第二レジスト層をＳｉ含
有フォトレジストにより形成し、この第二レジスト層を
フォトリソグラフィ技術により露光、現像することによ
り行える。また、３層レジスト法による場合は、ＳｉＯ
２などの無機質層により第二レジスト層を形成し、該第
二レジスト層上に薄いフォトレジスト層を形成し、この
フォトレジスト層を露光、現像して所定形状にパターニ
ングし、パターニングされたフォトレジスト層をマスク
として第二レジスト層をエッチングすることにより行え
る。なお、この第二レジスト層のエッチングは、ＣＨＦ
３−リアクティブイオンエッチングなどの異方性ドライ
エッチングにより行うことが好ましい。
【００１８】上記第一レジスト層は、炭素などにより形
成することができる。成膜条件によって、形成される第
一レジスト層の材質を、アモルファスカーボンや、ダイ
ヤモンド状カーボンとすることができる。そして、第一
レジスト層をパターニングするための異方性ドライエッ
チングとして、酸素反応性イオンエッチングを用いれ
ば、反応性が良好でエッチングレートが比較的大きいの
で、比較的厚い第一レジスト層のエッチング手段として
有利である。
【００１９】また、第一レジスト層を形成する前に、鍍
金下地膜及び第一のレジスト層の両方に対して、第一の
レジスト層と鍍金下地膜との結合性よりも高い結合性を
示す無機絶縁薄膜を鍍金下地膜上に形成することによ
り、比較的厚い第一レジスト層の材質としてエッチング
レートに優れるとともに、高い精度の加工を行えるもの
を選択しながらも、かかる材質が磁性材料である鍍金下
地膜との密着性が悪い場合でも、密着層としての無機絶
縁薄膜を設けることで、第一の層の剥離を防止し、プロ
セス不良の発生を低減し得る。この場合、第一レジスト
層をパターニングした後、上部磁極層の鍍金工程の前
に、該第一レジスト層をマスクとして無機絶縁薄膜の露
呈領域を第一レジスト層に対して選択的に除去すること
により、鍍金下地膜の所要部位を露呈させることができ
る。
【００２０】以上の通り、本発明は、薄膜磁気ヘッドの
上部磁極層、特に、複合型薄膜磁気ヘッドにおけるイン
ダクティブヘッドの上部磁極層のポール部の形成に有利
であるが、上部磁極に限らず、段差を有する表面の段差
底部上に高アスペクト比微細ブロックパターンを形成す
る際に広く用いることができる。
【００２１】即ち、本発明は、段差を有する表面上に鍍
金下地膜を形成する工程と、該膜上に、全体にわたって
略均一な膜厚の比較的厚い第一のレジスト層を真空薄膜
形成法により形成する工程と、該第一レジスト層上に比
較的薄い第二のレジスト層を形成する工程と、少なくと
も段差底部の上方位置に、第一レジスト層の厚さに比し
て小さい幅のエッチングパターンを第二レジスト層に形
成する工程と、パターニングされた第二レジスト層をマ
スクとする異方性ドライエッチングにより第一レジスト
層をパターニングする工程と、パターニングされた第一
レジスト層をフレームとして、段差底部上の鍍金下地膜
の露呈された領域に湿式鍍金法により高アスペクト比微
細ブロックパターンを形成する工程とを含む段差を有す
る表面の段差底部上に高アスペクト比微細ブロックパタ
ーンを形成する方法として実現できる。
【００２２】そして、下部磁極層と、磁気ギャップ層
と、少なくとも一段の薄膜コイル層と、該コイル層を覆
う絶縁層と、ポール部及びヨーク部を有する上部磁極層
とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、高アスペクト比微
細ブロックパターンである上部磁極層のポール部を上記
方法により形成すれば、高記録密度対応の薄膜磁気ヘッ
ドの記録特性の均一化が図られる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
【００２４】図１及び図２は、本発明の第１の実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッド１の上部磁極層１６の形成工程
を示している。製造しようとする薄膜磁気ヘッド１の概
略構造は、従来技術として説明したものと同様であるの
で、同符号を付して詳細説明を省略し、本発明の特徴で
ある上部磁極層１６の形成方法について詳細に説明す
る。
【００２５】段差を有する表面の段差底部上に形成され
る高アスペクト比微細ブロックパターンであるポール部
１６ａ（例えば、コア幅０．８μｍ、膜厚４μｍ程度の
もの）を有する上部磁極層１６を形成するために、本実
施形態では、まず、記録ギャップ層１０、コイル層１
２，１４、該コイル層を覆う絶縁層１３，１５まで成形
しエアベークにより焼き固めた後に、この基板表面上
に、ＮｉＦｅなどの強磁性材料からなる鍍金下地膜２１
を成膜する。該膜２１の成膜は、物理気相析出法（ＰＶ
Ｄ）や化学気相析出法（ＣＶＤ）などの真空めっき法に
より行うことができる。
【００２６】次に、鍍金下地膜２１上に、無機絶縁薄膜
２２を成膜する。この無機絶縁薄膜２２は、第一のレジ
スト層２３と鍍金下地膜２１との密着層となるものであ
り、実施例においては、真空めっき法により１００Åの
膜厚のＳｉＯ２膜を形成した。なお、この無機絶縁薄膜
２２は、鍍金下地膜２１及び第一のレジスト層２３の両
方に対して、第一のレジスト層２３と鍍金下地膜２１と
の結合性よりも高い結合性を示すものであり、電気的絶
縁材料であり、かつ、鍍金下地膜２１及び第一のレジス
ト層２３に対し選択的に除去可能なものであればよく、
ＳｉＯ２に限定されるものではない。
【００２７】次に、無機絶縁薄膜２２上に、全体にわた
って略均一な膜厚の比較的厚い第一のレジスト層２３を
真空薄膜形成法により成膜する。かかる真空薄膜形成法
としては、真空蒸着やスパッタリングなどのＰＶＤ法の
他、ＣＶＤ法によっても形成できる。また、第一のレジ
スト層２３の材質は、アモルファスカーボンやダイヤモ
ンド状カーボンが好ましい。また、第一のレジスト層２
３の膜厚は、実施例では５μｍとした。
【００２８】次に、第一レジスト層２３上に、比較的薄
いＳｉＯ２などの無機質材料からなる第二のレジスト層
２４を成膜する。かかる第二レジスト層２４の形成も、
真空めっき法により行うことができる。実施例において
は、膜厚は２０００Åとした。
【００２９】次に、第二のレジスト層２４の上に、該層
２４をパターニングするための比較的薄いフォトレジス
ト層２５を成膜し、熱硬化処理を行う。このフォトレジ
スト層２５はスピンコート法等によって行うことができ
る。実施例では、ポジ型有機フォトレジストを１μｍ程
度の膜厚となるように塗布した。このフォトレジスト層
２５の塗布が行われた状態を図１に示している。
【００３０】なお、第一及び第二のレジスト層２２，２
３の材料は、第一レジスト層２２を、第二レジスト層２
３及び鍍金下地膜２１に対して選択的に除去可能である
とともに、第二レジスト層２３を、フォトレジスト層２
５に対して選択的に除去可能となるように選定すればよ
く、上記した実施例に限定されるものではない。
【００３１】次に、フォトレジスト層２５を、フォトリ
ソグラフィー技術により所望の形状にパターニングする
（図２（ａ）参照）。すなわち、上部磁極層の平面形状
に沿ってフォトレジスト層２５を露光し、現像すること
により上部磁極層を形成する領域をエッチングする。
【００３２】次に、パターニングされたフォトレジスト
層２５をマスクとして第二レジスト層２４をエッチング
することにより、第二レジスト層２４にパターン転写す
る（図２（ｂ）参照）。かかる第二レジスト層のエッチ
ングには、ＣＨＦ３ガスなどを用いたリアクティブイオ
ンエッチング法を用いることにより、精度の良いパター
ン転写を行うことができるが、その他の手法を用いるこ
ともできる。かかる第二レジスト層２４のパターニング
により、ポール部に対応する部分、即ち、上部磁極層が
形成される表面の段差底部の上方位置には、ポール部の
コア幅（これは第一レジスト層２３の厚さに比して十分
に小さい）で第二レジスト層２４にエッチングパターン
が形成されることとなる。
【００３３】次に、パターニングされた第二レジスト層
２４をマスクとする異方性ドライエッチングにより第一
レジスト層２３をパターニングする。かかる異方性ドラ
イエッチングとしては、酸素反応性イオンエッチングが
挙げられるが、その他の適宜のエッチング法を用いるこ
とができる。
【００３４】次に、パターニングされた第一レジスト層
２３をマスクとして、密着層である無機絶縁膜２２を反
応性ドライエッチング等によってエッチングし、該膜２
２にもパターン転写する。このときの状態を図２（ｃ）
に示す。
【００３５】以上の工程によって、上部磁極層１６を形
成するためのフレーム形成が完了する。そして、パター
ニングされた第一レジスト層２３をフレームとして、め
っき浴中で電気めっきを行うことにより、所望の膜厚の
上部磁極層１６を形成する（図２（ｄ）参照）。
【００３６】高アスペクト比微細ブロックパターンであ
る上部磁極層１６のポール部１６ａは、段差底部上の鍍
金下地膜２１の露呈された領域に形成されることとなる
が、本実施形態によれば、ポール部１６ａを形成する部
分のフレーム高さ、即ち、第一レジスト層２３の厚さが
必要以上に高くなりすぎることなく、高い寸法精度でポ
ール部１６ａの形成を行うことができる。
【００３７】その後、上記層２３，２４を溶解除去する
とともに、密着層である無機絶縁薄膜２２を適宜の手段
により除去し、さらに、鍍金下地膜２１の不要部分を除
去することにより、上部磁極層１６の形成が完了する
（図２（ｅ）参照）。
【００３８】なお、上部磁極層１６を形成した後、図３
に示すように、上部磁極層１６をマスクとして、反応性
イオンエッチングを行うことにより記録ギャップ層１０
及び下部磁極層８の上部をトリミングすることによっ
て、上下磁極間に生じる磁界のにじみを防ぎ、高トラッ
ク密度に対応し得るようにしている。
【００３９】図４及び図５は本発明の第２の実施の形態
に係る上部磁極層の形成工程を示し、上記第１実施形態
と異なるところは、第二レジスト層２４のパターニング
方法と、密着層を設けていない点であり、その他の点は
同様であるので同符号を付して詳細説明を省略する。
【００４０】本実施形態では、第二レジスト層２４は、
Ｓｉ含有ポジフォトレジストによって形成している。該
第二レジスト層２４をスピンコート法の適宜の手段によ
って成膜した後（図５（ａ）参照）、フォトリソグラフ
ィー技術によって第二レジスト層２４を露光、現像し、
所望の形状にパターニングする（図５（ｂ）参照）。
【００４１】その後、図５（ｃ）に示すように、パター
ニングされた第二レジスト層２４をマスクとして、Ｏ２
−リアクティブイオンエッチングにより第一レジスト層
２３をパターニングするが、このとき、第二レジスト層
２４に含有するＳｉがＯ２と反応して、第二レジスト層
２４の表層部にＳｉＯ２膜が形成され、マスクとして機
能するようになる。その後の工程は上記第一実施形態と
同様であるので詳細説明を省略する。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、上部磁極層を形成する
ためのフレームを、ポール部からヨーク部にわたって略
均一に形成することができるので、高アスペクト比微細
ブロックであるポール部を形成する部分のフレーム形成
を高精度で行うことができ、高記録密度対応の薄膜磁気
ヘッドを均一な品質で製造することができる。
【００４３】また、上部磁極層に限らず、サブミクロン
オーダーの幅寸法の高アスペクト比微細ブロックを、段
差を有する表面の段差底部上に高寸法精度で形成するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの上部磁極層の形成工程を示す縦断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面に相当する工程図であっ
て、（ａ）はフォトレジスト層をパターニングした状
態、（ｂ）は第二レジスト層をパターニングした状態、
（ｃ）は第一レジスト層及び密着層をパターニングした
状態、（ｄ）は上部磁極層を形成した状態、（ｅ）は層
を除去した状態、（ｆ）は下部磁極層をトリミングした
状態を示す。
【図３】下部磁極層のトリミング工程を示す断面図であ
って、（ａ）はトリミング開始前の状態、（ｂ）は記録
ギャップ層をエッチングした状態、（ｃ）は下部磁極層
の上部をエッチングした状態を示す。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの上部磁極層の形成工程を示す縦断面図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ線断面に相当する工程図であっ
て、（ａ）は第二レジスト層まで積層した状態、（ｂ）
は第二レジスト層をパターニングした状態、（ｃ）は第
一レジスト層をパターニングした状態、（ｄ）は上部磁
極層を形成した状態、（ｅ）は層を除去した状態、
（ｆ）は下部磁極層をトリミングした状態を示す。
【図６】複合型薄膜磁気ヘッドの縦断面図である。
【図７】図６に示す薄膜磁気ヘッドの製造工程途中の縦
断面図である。
【図８】従来公知の３層レジストを図６及び図７に示す
薄膜磁気ヘッドの上部磁極層の形成に適用した状態の縦
断面図である。
【図９】同上部磁極層の形成工程を示す図８のＣ−Ｃ線
断面相当の断面図であり、（ａ）は３層レジストを積層
形成した状態、（ｂ）は上層レジストをパターニングし
た状態、（ｃ）は中間層をパターニングした状態、
（ｄ）は下層レジストをパターニングした状態、（ｅ）
は上部磁極層を形成した状態、（ｆ）はレジストを除去
した状態を示す。
【符号の説明】
１ 薄膜磁気ヘッド ２ 基板（スライダ） １０ 記録ギャップ層 １２ コイル層 １３ 絶縁層 １４ コイル層 １５ 絶縁層 １６ 上部磁極層 １６ａ ポール部（高アスペクト比微細ブロック） １６ｂ ヨーク部 ２１ 鍍金下地膜 ２２ 密着層 ２３ 第一のレジスト層 ２４ 第二のレジスト層 ２５ フォトレジスト層（上層レジスト）

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 略平坦な下部磁極層と、磁気ギャップ層
    と、少なくとも一段の薄膜コイル層と、該コイル層を覆
    う絶縁層と、ポール部及びヨーク部を有する上部磁極層
    とを有する薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極層の形成方
    法であって、前記下部磁極層、磁気ギャップ層、コイル
    層および絶縁層を積層形成した基板表面に、鍍金下地膜
    を形成し、該下地膜上に真空薄膜形成法により全体にわ
    たって略均一な膜厚の比較的厚い第一のレジスト層を形
    成し、該層上に比較的薄い第二のレジスト層を形成し、
    該第二レジスト層を上部磁極層の平面形状にパターニン
    グし、パターニングされた第二レジスト層をマスクとす
    る異方性ドライエッチングにより第一レジスト層をパタ
    ーニングし、パターニングされた第一レジスト層をフレ
    ームとして、鍍金下地膜の露呈された領域上に湿式鍍金
    法により上部磁極層を形成することを特徴とする薄膜磁
    気ヘッドの上部磁極層の形成方法。
  2. 【請求項２】 第一レジスト層は炭素により形成するこ
    とを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドの上部
    磁極層の形成方法。
  3. 【請求項３】 第一レジスト層をパターニングするため
    の異方性ドライエッチングが、酸素反応性イオンエッチ
    ングであることを特徴とする請求項２に記載の薄膜磁気
    ヘッドの上部磁極層の形成方法。
  4. 【請求項４】 第一レジスト層を形成する前に、鍍金下
    地膜及び第一のレジスト層の両方に対して、第一のレジ
    スト層と鍍金下地膜との結合性よりも高い結合性を示す
    無機絶縁薄膜を鍍金下地膜上に形成する工程を有すると
    ともに、第一レジスト層をパターニングした後、上部磁
    極層の鍍金工程の前に、該第一レジスト層をマスクとし
    て無機絶縁薄膜の露呈領域を第一レジスト層に対して選
    択的に除去する工程を有することを特徴とする請求項
    １，２又は３に記載の薄膜磁気ヘッドの上部磁極層の形
    成方法。
  5. 【請求項５】 段差を有する表面上に鍍金下地膜を形成
    する工程と、該膜上に、全体にわたって略均一な膜厚の
    比較的厚い第一のレジスト層を真空薄膜形成法により形
    成する工程と、該第一レジスト層上に比較的薄い第二の
    レジスト層を形成する工程と、少なくとも段差底部の上
    方位置に、第一レジスト層の厚さに比して小さい幅のエ
    ッチングパターンを第二レジスト層に形成する工程と、
    パターニングされた第二レジスト層をマスクとする異方
    性ドライエッチングにより第一レジスト層をパターニン
    グする工程と、パターニングされた第一レジスト層をフ
    レームとして、段差底部上の鍍金下地膜の露呈された領
    域に湿式鍍金法により高アスペクト比微細ブロックパタ
    ーンを形成する工程とを含む段差を有する表面の段差底
    部上に高アスペクト比微細ブロックパターンを形成する
    方法。
  6. 【請求項６】 第一のレジスト層は炭素により形成する
    ことを特徴とする請求項５に記載の段差を有する表面の
    段差底部上に高アスペクト比微細ブロックパターンを形
    成する方法。
  7. 【請求項７】 第一のレジスト層をパターニングするた
    めの異方性ドライエッチングが、酸素反応性イオンエッ
    チングであることを特徴とする請求項６に記載の段差を
    有する表面の段差底部上に高アスペクト比微細ブロック
    パターンを形成する方法。
  8. 【請求項８】 第一のレジスト層を形成する前に、鍍金
    下地膜及び第一のレジスト層の両方に対して、第一のレ
    ジスト層と鍍金下地膜との結合性よりも高い結合性を示
    す無機絶縁薄膜を形成する工程を有するとともに、第一
    のレジスト層をパターニングした後、微細ブロックパタ
    ーンの鍍金工程前に、パターニングされた第一のレジス
    ト層をマスクとして無機絶縁薄膜の露呈領域を第一レジ
    スト層に対して選択的に除去する工程を有することを特
    徴とする請求項５，６又は７に記載の段差を有する表面
    の段差底部上に高アスペクト比微細ブロックパターンを
    形成する方法。
  9. 【請求項９】 下部磁極層と、磁気ギャップ層と、少な
    くとも一段の薄膜コイル層と、該コイル層を覆う絶縁層
    と、ポール部及びヨーク部を有する上部磁極層とを有す
    る薄膜磁気ヘッドにおいて、 高アスペクト比微細ブロックパターンである上部磁極層
    のポール部を、請求項５乃至８のいずれか１項に記載の
    方法により形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
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