JP2891221B2 - 薄膜磁気ヘッドのモニター素子及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドのモニター素子及びその製造方法Info
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- JP2891221B2 JP2891221B2 JP779697A JP779697A JP2891221B2 JP 2891221 B2 JP2891221 B2 JP 2891221B2 JP 779697 A JP779697 A JP 779697A JP 779697 A JP779697 A JP 779697A JP 2891221 B2 JP2891221 B2 JP 2891221B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドを
構成する磁気低抗効果素子の特性を測定するために、磁
気低抗効果素子と同時に同一基板上に形成される、薄膜
磁気ヘッドのモニター素子、及びその製造方法に関す
る。
構成する磁気低抗効果素子の特性を測定するために、磁
気低抗効果素子と同時に同一基板上に形成される、薄膜
磁気ヘッドのモニター素子、及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のモニター素子を示す概略
断面図である。以下、この図面に基づき説明する。
断面図である。以下、この図面に基づき説明する。
【０００３】従来のモニター素子５０は、下部磁気シー
ルド層５２、下部絶縁層５４、磁気抵抗効果層５６１及
び上部絶縁層５８がこの順に基板６０上に積層されてな
る磁気抵抗効果素子６２と同時に形成されるとともに、
下部絶縁層５４、磁気抵抗効果層５６２及び上部絶縁層
５８がこの順に基板６０上に積層されてなるものであ
る。また、磁気抵抗効果素子６２の上部絶縁層５８上に
は、上部磁気シールド層を兼ねる下部ヨーク層６６、ギ
ャップ層６８及び上部ヨーク層７０がこの順に積層され
てなるインダクティブ素子７２が形成されている。下部
ヨーク層６６及び上部ヨーク層７０には、図示しない薄
膜コイルが併設されている。
ルド層５２、下部絶縁層５４、磁気抵抗効果層５６１及
び上部絶縁層５８がこの順に基板６０上に積層されてな
る磁気抵抗効果素子６２と同時に形成されるとともに、
下部絶縁層５４、磁気抵抗効果層５６２及び上部絶縁層
５８がこの順に基板６０上に積層されてなるものであ
る。また、磁気抵抗効果素子６２の上部絶縁層５８上に
は、上部磁気シールド層を兼ねる下部ヨーク層６６、ギ
ャップ層６８及び上部ヨーク層７０がこの順に積層され
てなるインダクティブ素子７２が形成されている。下部
ヨーク層６６及び上部ヨーク層７０には、図示しない薄
膜コイルが併設されている。
【０００４】次に、従来のモニター素子５０の製造方法
について説明する。
について説明する。
【０００５】まず、基板６０上の一部に下部磁気シール
ド層５２を形成し、下部磁気シールド層５２及び基板６
０全面に下部絶縁層５４を形成する。続いて、磁気抵抗
効果素子６２用の磁気抵抗効果層５６１及びモニター素
子５０用の磁気抵抗効果層５６２を、下部絶縁層５４上
に分離して形成する。続いて、磁気抵抗効果層５６１，
５６２上に上部絶縁層５８を形成することにより、モニ
ター素子５０が完成する。更に、磁気抵抗効果素子６２
の上部絶縁層５８上に、下部ヨーク層６６、ギャップ層
６８、上部ヨーク層７０等を形成する。
ド層５２を形成し、下部磁気シールド層５２及び基板６
０全面に下部絶縁層５４を形成する。続いて、磁気抵抗
効果素子６２用の磁気抵抗効果層５６１及びモニター素
子５０用の磁気抵抗効果層５６２を、下部絶縁層５４上
に分離して形成する。続いて、磁気抵抗効果層５６１，
５６２上に上部絶縁層５８を形成することにより、モニ
ター素子５０が完成する。更に、磁気抵抗効果素子６２
の上部絶縁層５８上に、下部ヨーク層６６、ギャップ層
６８、上部ヨーク層７０等を形成する。
【０００６】この製造方法においては、スパッタリング
工程、フォトリソグラフィ工程、ドライエッチング工程
等が繰り返し使用される。磁気抵抗効果層５６１，５６
２を形成するには、まずスパッタリングにより下部絶縁
層５４全面に磁気抵抗効果層を被着させ、この磁気抵抗
効果層上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジス
トを露光・現像により所定のパターンに形成した後、ド
ライエッチングにより磁気抵抗効果層５６１，５６２を
分離する。
工程、フォトリソグラフィ工程、ドライエッチング工程
等が繰り返し使用される。磁気抵抗効果層５６１，５６
２を形成するには、まずスパッタリングにより下部絶縁
層５４全面に磁気抵抗効果層を被着させ、この磁気抵抗
効果層上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジス
トを露光・現像により所定のパターンに形成した後、ド
ライエッチングにより磁気抵抗効果層５６１，５６２を
分離する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
モニター素子及びその製造方法には、次のような問題が
あった。
モニター素子及びその製造方法には、次のような問題が
あった。
【０００８】磁気抵抗効果素子６２用の磁気抵抗効果層
５６１は、モニター素子５０用の磁気抵抗効果層５６２
よりも、その構造上、下部磁気シールド層５２の分だけ
高くなっている。そのため、下部絶縁層５４全面に被着
させた磁気抵抗効果層から、磁気抵抗効果層５６１，５
６２を分離する際に、磁気抵抗効果層５６１，５６２上
のフォトレジストの膜厚が異なってしまう。これは、一
般にフォトレジストは、高い方から低い方へ流れるの
で、高い方が薄く、低い方が厚くなるためである。
５６１は、モニター素子５０用の磁気抵抗効果層５６２
よりも、その構造上、下部磁気シールド層５２の分だけ
高くなっている。そのため、下部絶縁層５４全面に被着
させた磁気抵抗効果層から、磁気抵抗効果層５６１，５
６２を分離する際に、磁気抵抗効果層５６１，５６２上
のフォトレジストの膜厚が異なってしまう。これは、一
般にフォトレジストは、高い方から低い方へ流れるの
で、高い方が薄く、低い方が厚くなるためである。
【０００９】その結果、形成される磁気抵抗効果層５６
１，５６２は、フォトレジストの膜厚の差の影響を受け
て、異なった形状になりがちである。したがって、磁気
抵抗効果素子６２とモニター素子５０との特性が一致し
なくなるので、モニター素子５０の測定精度が低下して
いた。
１，５６２は、フォトレジストの膜厚の差の影響を受け
て、異なった形状になりがちである。したがって、磁気
抵抗効果素子６２とモニター素子５０との特性が一致し
なくなるので、モニター素子５０の測定精度が低下して
いた。
【００１０】
【発明の目的】そこで、本発明の目的は、磁気抵抗効果
素子用の磁気抵抗効果層とモニター素子用の磁気抵抗効
果層とを精度良く同一形状に形成することができ、これ
によりモニター素子の測定精度を向上できる、モニター
素子及びその製造方法を提供することにある。
素子用の磁気抵抗効果層とモニター素子用の磁気抵抗効
果層とを精度良く同一形状に形成することができ、これ
によりモニター素子の測定精度を向上できる、モニター
素子及びその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係るモニター素
子は、下部磁気シールド層、下部絶縁層、磁気抵抗効果
層及び上部絶縁層がこの順に基板上に積層されてなる磁
気抵抗効果素子と同時に形成されるとともに、前記下部
絶縁層、前記磁気抵抗効果層及び前記上部絶縁層がこの
順に前記基板上に積層されてなり、当該モニター素子を
構成する前記磁気抵抗効果層と前記基板との間に、前記
下部磁気シールド層と同じ膜厚の高さ調整層が介挿され
ているものである。
子は、下部磁気シールド層、下部絶縁層、磁気抵抗効果
層及び上部絶縁層がこの順に基板上に積層されてなる磁
気抵抗効果素子と同時に形成されるとともに、前記下部
絶縁層、前記磁気抵抗効果層及び前記上部絶縁層がこの
順に前記基板上に積層されてなり、当該モニター素子を
構成する前記磁気抵抗効果層と前記基板との間に、前記
下部磁気シールド層と同じ膜厚の高さ調整層が介挿され
ているものである。
【００１２】本発明に係るモニター素子の製造方法は、
同じ膜厚の下部磁気シールド層及び高さ調整層を基板上
に分離して形成し、この下部磁気シールド層及び高さ調
整層上に下部絶縁層を形成し、磁気抵抗効果素子用の磁
気抵抗効果層及びモニター素子用の磁気抵抗効果層をそ
れぞれ下部磁気シールド層及び高さ調整層上に位置する
ように前記下部絶縁層上に分離して形成し、これらの磁
気抵抗効果層上に上部絶縁層を形成するものである。
同じ膜厚の下部磁気シールド層及び高さ調整層を基板上
に分離して形成し、この下部磁気シールド層及び高さ調
整層上に下部絶縁層を形成し、磁気抵抗効果素子用の磁
気抵抗効果層及びモニター素子用の磁気抵抗効果層をそ
れぞれ下部磁気シールド層及び高さ調整層上に位置する
ように前記下部絶縁層上に分離して形成し、これらの磁
気抵抗効果層上に上部絶縁層を形成するものである。
【００１３】本発明によれば、モニター素子用の磁気抵
抗効果層の高さが、高さ調整層によって磁気抵抗効果素
子用の磁気抵抗効果層の高さに等しくなっている。その
ため、これらの磁気抵抗効果層を形成する際に用いるこ
れらの磁気抵抗効果層上のフォトレジストの膜厚も等し
くなる。これは、一般にフォトレジストは、高い方から
低い方へ流れるので、同じ高さであれば同じ厚さになる
ためである。
抗効果層の高さが、高さ調整層によって磁気抵抗効果素
子用の磁気抵抗効果層の高さに等しくなっている。その
ため、これらの磁気抵抗効果層を形成する際に用いるこ
れらの磁気抵抗効果層上のフォトレジストの膜厚も等し
くなる。これは、一般にフォトレジストは、高い方から
低い方へ流れるので、同じ高さであれば同じ厚さになる
ためである。
【００１４】その結果、モニター素子用及び磁気抵抗効
果素子用の磁気抵抗効果層は、フォトレジストの膜厚の
差の影響を受けないため、精度良く同一形状に形成され
る。したがって、モニター素子の測定精度が向上する。
果素子用の磁気抵抗効果層は、フォトレジストの膜厚の
差の影響を受けないため、精度良く同一形状に形成され
る。したがって、モニター素子の測定精度が向上する。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係るモニター素
子の一実施形態を示す概略断面図である。以下、この図
面に基づき説明する。ただし、図４と同一部分は同一符
号を付すことにより重複説明を省略する。
子の一実施形態を示す概略断面図である。以下、この図
面に基づき説明する。ただし、図４と同一部分は同一符
号を付すことにより重複説明を省略する。
【００１６】本実施形態のモニター素子１０は、下部磁
気シールド層５２、下部絶縁層５４、磁気抵抗効果層５
６１及び上部絶縁層５８がこの順に基板６０上に積層さ
れてなる磁気抵抗効果素子６２と同時に形成され、下部
絶縁層５４、磁気抵抗効果層５６２及び上部絶縁層５８
がこの順に基板６０上に積層されてなるものである。そ
して、モニター素子１０を構成する下部絶縁層５４と基
板６０との間に、下部磁気シールド層５２と同じ膜厚の
高さ調整層１２が介挿されている。高さ調整層１２の材
質は、例えば絶縁物であり、具体的にはＡｌ2 Ｏ3 等の
金属酸化物である。
気シールド層５２、下部絶縁層５４、磁気抵抗効果層５
６１及び上部絶縁層５８がこの順に基板６０上に積層さ
れてなる磁気抵抗効果素子６２と同時に形成され、下部
絶縁層５４、磁気抵抗効果層５６２及び上部絶縁層５８
がこの順に基板６０上に積層されてなるものである。そ
して、モニター素子１０を構成する下部絶縁層５４と基
板６０との間に、下部磁気シールド層５２と同じ膜厚の
高さ調整層１２が介挿されている。高さ調整層１２の材
質は、例えば絶縁物であり、具体的にはＡｌ2 Ｏ3 等の
金属酸化物である。
【００１７】また、磁気抵抗効果素子６２の上部絶縁層
５８上には、上部磁気シールド層を兼ねる下部ヨーク層
６６、ギャップ層６８及び上部ヨーク層７０がこの順に
積層されてなるインダクティブ素子７２が形成されてい
る。下部ヨーク層６６及び上部ヨーク層７０には、図示
しない薄膜コイルが併設されている。
５８上には、上部磁気シールド層を兼ねる下部ヨーク層
６６、ギャップ層６８及び上部ヨーク層７０がこの順に
積層されてなるインダクティブ素子７２が形成されてい
る。下部ヨーク層６６及び上部ヨーク層７０には、図示
しない薄膜コイルが併設されている。
【００１８】次に、モニター素子１０の製造方法につい
て説明する。
て説明する。
【００１９】まず、基板６０上に、同じ膜厚の下部磁気
シールド層５２及び高さ調整層１２を分離して形成す
る。続いて、下部磁気シールド層５２及び高さ調整層１
２上に下部絶縁層５４を形成する。続いて、下部絶縁層
５４上に、磁気抵抗効果素子６２用の磁気抵抗効果層５
６１及びモニター素子１０用の磁気抵抗効果層５６２
を、それぞれ下部磁気シールド層５２及び高さ調整層１
２上に位置するように分離して形成する。続いて、磁気
抵抗効果層５６１，５６２上に上部絶縁層５８を形成す
ることにより、モニター素子１０が完成する。更に、磁
気抵抗効果素子６２の上部絶縁層５８上に、下部ヨーク
層６６、ギャップ層６８、上部ヨーク層７０等を形成す
る。
シールド層５２及び高さ調整層１２を分離して形成す
る。続いて、下部磁気シールド層５２及び高さ調整層１
２上に下部絶縁層５４を形成する。続いて、下部絶縁層
５４上に、磁気抵抗効果素子６２用の磁気抵抗効果層５
６１及びモニター素子１０用の磁気抵抗効果層５６２
を、それぞれ下部磁気シールド層５２及び高さ調整層１
２上に位置するように分離して形成する。続いて、磁気
抵抗効果層５６１，５６２上に上部絶縁層５８を形成す
ることにより、モニター素子１０が完成する。更に、磁
気抵抗効果素子６２の上部絶縁層５８上に、下部ヨーク
層６６、ギャップ層６８、上部ヨーク層７０等を形成す
る。
【００２０】磁気抵抗効果層５６１，５６２を形成する
には、まずスパッタリングにより下部絶縁層５４全面に
磁気抵抗効果層を被着させ、この磁気抵抗効果層上にフ
ォトレジストを塗布し、このフォトレジストを露光・現
像により所定のパターンに形成した後、ドライエッチン
グにより磁気抵抗効果層５６１，５６２を分離する。
には、まずスパッタリングにより下部絶縁層５４全面に
磁気抵抗効果層を被着させ、この磁気抵抗効果層上にフ
ォトレジストを塗布し、このフォトレジストを露光・現
像により所定のパターンに形成した後、ドライエッチン
グにより磁気抵抗効果層５６１，５６２を分離する。
【００２１】磁気抵抗効果層５６１，５６２は、それぞ
れ同じ膜厚の下部磁気シールド層５２及び高さ調整層１
２上に位置しているので、同じ高さとなっている。その
ため、下部絶縁層５４全面に被着させた磁気抵抗効果層
から、磁気抵抗効果層５６１，５６２を分離する際に、
磁気抵抗効果層５６１，５６２上でのフォトレジストの
膜厚も等しくなる。これは、一般にフォトレジストは、
高い方から低い方へ流れるので、同じ高さであれば同じ
厚さになるためである。
れ同じ膜厚の下部磁気シールド層５２及び高さ調整層１
２上に位置しているので、同じ高さとなっている。その
ため、下部絶縁層５４全面に被着させた磁気抵抗効果層
から、磁気抵抗効果層５６１，５６２を分離する際に、
磁気抵抗効果層５６１，５６２上でのフォトレジストの
膜厚も等しくなる。これは、一般にフォトレジストは、
高い方から低い方へ流れるので、同じ高さであれば同じ
厚さになるためである。
【００２２】その結果、磁気抵抗効果層５６１，５６２
は、フォトレジストの膜厚の差の影響を受けないため、
精度良く同一形状に形成される。したがって、磁気抵抗
効果素子６２の特性をモニター素子５０によって測定す
るときの精度が向上する。
は、フォトレジストの膜厚の差の影響を受けないため、
精度良く同一形状に形成される。したがって、磁気抵抗
効果素子６２の特性をモニター素子５０によって測定す
るときの精度が向上する。
【００２３】図３及び図４は、モニター素子１０の製造
方法の一実施形態を示す概略断面図である。以下、この
図面に基づき、モニター素子１０の製造方法を更に詳し
く説明する。
方法の一実施形態を示す概略断面図である。以下、この
図面に基づき、モニター素子１０の製造方法を更に詳し
く説明する。
【００２４】まず、非磁性体からなる基板６０を用意し
〔図２（ａ）〕、スパッタリングによりＮｉＦｅ膜５２
０を所定の膜厚に成膜する〔図２（ｂ）〕。続いて、Ｎ
ｉＦｅ膜５２０上にフォトリソグラフィにより所定形状
のフォトレジスト膜５２’を形成し〔図２（ｃ）〕、フ
ォトレジスト膜５２’をマスクにしてドライエッチング
により下部磁気シールド５２を形成する〔図２
（ｄ）〕。続いて、下部磁気シールド層５２と同じ膜厚
のＡｌ2 Ｏ3 膜１２０をスパッタリングで成膜し〔図２
（ｅ）〕、Ａｌ2 Ｏ3 膜１２０上にフォトリソグラフィ
により所定形状のフォトレジスト膜１２’を形成し〔図
２（ｆ）〕、フォトレジスト膜１２’をマスクにしてド
ライエッチングにより高さ調整層１２を形成する〔図３
（ｇ）〕。
〔図２（ａ）〕、スパッタリングによりＮｉＦｅ膜５２
０を所定の膜厚に成膜する〔図２（ｂ）〕。続いて、Ｎ
ｉＦｅ膜５２０上にフォトリソグラフィにより所定形状
のフォトレジスト膜５２’を形成し〔図２（ｃ）〕、フ
ォトレジスト膜５２’をマスクにしてドライエッチング
により下部磁気シールド５２を形成する〔図２
（ｄ）〕。続いて、下部磁気シールド層５２と同じ膜厚
のＡｌ2 Ｏ3 膜１２０をスパッタリングで成膜し〔図２
（ｅ）〕、Ａｌ2 Ｏ3 膜１２０上にフォトリソグラフィ
により所定形状のフォトレジスト膜１２’を形成し〔図
２（ｆ）〕、フォトレジスト膜１２’をマスクにしてド
ライエッチングにより高さ調整層１２を形成する〔図３
（ｇ）〕。
【００２５】続いて、下部磁気シールド層５２及び高さ
調整層１２上に下部絶縁層５４をスパッタリングにより
形成し〔図３（ｈ）〕、下部絶縁層５４上に強磁性膜５
６０をスパッタリングにより形成する〔図３（ｉ）〕。
続いて、下部磁気シールド層５２及び高さ調整層１２上
に位置する強磁性膜５６０上にフォトリソグラフィによ
り所定形状のフォトレジスト膜５６１’，５６２’を形
成し〔図３（ｊ）〕、フォトレジスト膜５６１’，５６
２’をマスクにしてドライエッチングにより磁気抵抗効
果層５６１，５６２を形成する〔図３（ｋ）〕。このと
き、下部磁気シールド層５２上と高さ調整層１２上との
強磁性膜５６０の高さは等しいので〔図３（ｉ）〕、フ
ォトレジスト膜５６１’，５６２’の膜厚も等しくなる
〔図３（ｊ）〕。したがって、磁気抵抗効果層５６１，
５６２は精度良く同一形状に形成される〔図３
（ｋ）〕。最後に、磁気抵抗効果層５６１，５６２上に
上部絶縁層５８を形成することにより、モニター素子１
０が完成する（図１）。
調整層１２上に下部絶縁層５４をスパッタリングにより
形成し〔図３（ｈ）〕、下部絶縁層５４上に強磁性膜５
６０をスパッタリングにより形成する〔図３（ｉ）〕。
続いて、下部磁気シールド層５２及び高さ調整層１２上
に位置する強磁性膜５６０上にフォトリソグラフィによ
り所定形状のフォトレジスト膜５６１’，５６２’を形
成し〔図３（ｊ）〕、フォトレジスト膜５６１’，５６
２’をマスクにしてドライエッチングにより磁気抵抗効
果層５６１，５６２を形成する〔図３（ｋ）〕。このと
き、下部磁気シールド層５２上と高さ調整層１２上との
強磁性膜５６０の高さは等しいので〔図３（ｉ）〕、フ
ォトレジスト膜５６１’，５６２’の膜厚も等しくなる
〔図３（ｊ）〕。したがって、磁気抵抗効果層５６１，
５６２は精度良く同一形状に形成される〔図３
（ｋ）〕。最後に、磁気抵抗効果層５６１，５６２上に
上部絶縁層５８を形成することにより、モニター素子１
０が完成する（図１）。
【００２６】
【発明の効果】本発明に係るモニター素子及びその製造
方法によれば、モニター素子を構成する磁気抵抗効果層
と基板との間に、下部磁気シールド層と同じ膜厚の高さ
調整層を介挿したことにより、モニター素子用及び磁気
抵抗効果素子用の磁気抵抗効果層の高さを等しくでき
る。したがって、フォトレジストの膜厚の影響を排除で
きるので、モニター素子用及び磁気抵抗効果素子用の磁
気抵抗効果層を精度良く同一形状に形成でき、これによ
りモニター素子の測定精度を向上できる。
方法によれば、モニター素子を構成する磁気抵抗効果層
と基板との間に、下部磁気シールド層と同じ膜厚の高さ
調整層を介挿したことにより、モニター素子用及び磁気
抵抗効果素子用の磁気抵抗効果層の高さを等しくでき
る。したがって、フォトレジストの膜厚の影響を排除で
きるので、モニター素子用及び磁気抵抗効果素子用の磁
気抵抗効果層を精度良く同一形状に形成でき、これによ
りモニター素子の測定精度を向上できる。
【図１】本発明に係るモニター素子の一実施形態を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２】本発明に係るモニター素子の製造方法の一実施
形態を示す概略断面図であり、図２（ａ）〜（ｆ）の順
に工程が進行する。
形態を示す概略断面図であり、図２（ａ）〜（ｆ）の順
に工程が進行する。
【図３】本発明に係るモニター素子の製造方法の一実施
形態を示す概略断面図であり、図３（ｇ）〜（ｋ）の順
に工程が進行する。
形態を示す概略断面図であり、図３（ｇ）〜（ｋ）の順
に工程が進行する。
【図４】従来のモニター素子を示す概略断面図である。
【符号の説明】 １０ モニター素子 １２ 高さ調整層 ５２ 下部磁気シールド層 ５４ 下部絶縁層 ５８ 上部絶縁層 ６０ 基板 ６２ 磁気抵抗効果素子 ５６１ 磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果層 ５６２ モニター素子の磁気抵抗効果層
Claims (5)
- 【請求項１】 下部磁気シールド層、下部絶縁層、磁気
抵抗効果層及び上部絶縁層がこの順に基板上に積層され
てなる磁気抵抗効果素子と同時に形成されるとともに、
前記下部絶縁層、前記磁気抵抗効果層及び前記上部絶縁
層がこの順に前記基板上に積層されてなる、薄膜磁気ヘ
ッドのモニター素子において、 このモニター素子を構成する前記磁気抵抗効果層と前記
基板との間に、前記下部磁気シールド層と同じ膜厚の高
さ調整層が介挿されていることを特徴とする、薄膜磁気
ヘッドのモニター素子。 - 【請求項２】 前記高さ調整層が前記下部絶縁層と前記
基板との間に介挿されている、請求項１記載の薄膜磁気
ヘッドのモニター素子。 - 【請求項３】 前記高さ調整層の材質が絶縁物である、
請求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッドのモニター素子。 - 【請求項４】 前記高さ調整層の材質がＡｌ2 Ｏ3 であ
る、請求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッドのモニター素
子。 - 【請求項５】 同じ膜厚の下部磁気シールド層及び高さ
調整層を基板上に分離して形成し、この下部磁気シール
ド層及び高さ調整層上に下部絶縁層を形成し、磁気抵抗
効果素子用の磁気抵抗効果層及びモニター素子用の磁気
抵抗効果層をそれぞれ下部磁気シールド層及び高さ調整
層上に位置するように前記下部絶縁層上に分離して形成
し、これらの磁気抵抗効果層上に上部絶縁層を形成す
る、薄膜磁気ヘッドのモニター素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP779697A JP2891221B2 (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 薄膜磁気ヘッドのモニター素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP779697A JP2891221B2 (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 薄膜磁気ヘッドのモニター素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10208214A JPH10208214A (ja) | 1998-08-07 |
| JP2891221B2 true JP2891221B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=11675616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP779697A Expired - Lifetime JP2891221B2 (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 薄膜磁気ヘッドのモニター素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2891221B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7149061B2 (en) | 2001-07-31 | 2006-12-12 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head with electro-lapping guide |
-
1997
- 1997-01-20 JP JP779697A patent/JP2891221B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10208214A (ja) | 1998-08-07 |
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