JPH10340425A

JPH10340425A - 導電体の形成方法及び磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number: JPH10340425A
Application number: JP14917797A
Authority: JP
Inventors: Motoharu Tanno; 元春丹野
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-06-06
Filing date: 1997-06-06
Publication date: 1998-12-22

Abstract

(57)【要約】【課題】薄膜磁気ヘッドのトラック幅が所定通りに形
成できるような導電体の形成方法及び磁気ヘッドの製造
方法を提供すること。【解決手段】上層コア形成用のレジストフレーム１８
Ａのトラック幅となる狭小幅部の先端を、トラック幅Ｗ
₁よりも拡幅された幅Ｗ₂の形状に拡幅して形成する。
これにより、レジストフレーム１８Ａの露光時に狭小幅
の先端部の解像度が向上してレジストフレーム１８Ａが
所定の形状に形成できる。従って、このレジストフレー
ム１８Ａをマスクにして、上層コア用のめっき材料を狭
小幅Ｗ₁のトラック部にも十分に供給することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導電体（例えば薄
膜磁気ヘッドの上層コア）の形成方法及び磁気ヘッドの
製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、薄膜磁気ヘッドは、磁性膜、絶
縁膜等の薄膜層が多層に積層され、さらに導体コイルや
リード線が形成されてなる磁気ヘッドである。

【０００３】この薄膜磁気ヘッドは、真空薄膜形成技術
により形成されるため、狭トラック化や狭ギャップ化等
の微細寸法化が容易であり、また高分解能記録が可能で
あるという特徴を有しており、高密度記録化に対応した
磁気ヘッドとして注目されている。

【０００４】上記した薄膜磁気ヘッドの中でも、インダ
クティブ型薄膜ヘッドは、薄膜磁気ヘッドとして好適な
ものである。具体的には、このインダクティブヘッド
は、フェライト等の酸化物磁性材料からなる基板上に軟
磁性体層よりなる下層コアが形成され、この上に下層コ
アと導体コイルとの絶縁を図るための絶縁層又は平坦化
層が成膜され、さらにこの表面上に導体コイルがスパイ
ラル状に形成されている。

【０００５】そして、表面の平坦化を図るために上記の
平坦化層がレジスト等の高分子材料によって成膜され、
平坦化された前記平坦化層の上に軟磁性体層よりなる上
層コアが形成されて、上記インダクティブヘッドが構成
されている。

【０００６】このようなインダクティブ型磁気ヘッドは
記録用として、例えば再生用の磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッド（薄膜ＭＲヘッド又は薄膜磁気抵抗効果ヘッド）
と共に複合型の薄膜磁気ヘッドを構成し、ハードディス
クドライブに搭載され、利用されているが、この製造方
法においては改善の余地が多い。

【０００７】図１８は、上記の如き薄膜磁気ヘッドの一
部を省略した平面図であるが、上層コア１３のメディア
対向面となる先端部（図１８のＢ部）は狭小幅に形成さ
れている。そして、このような上層コア１３の形成に
は、一般的にフレームめっき法が用いられ、製造過程に
おいてウエハの全面にめっきすることにより、磁気異方
性を正確に形成することができる。

【０００８】図１９は、上記の如き上層コア１３をフレ
ームめっきにより形成するためのレジストフレーム１８
Ａを示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）におけ
るＢ部の拡大図、（ｃ）は（ｂ）におけるｃ−ｃ線断面
図である。

【０００９】即ち、まずレジストフレーム１８Ａが図１
９（ａ）の如き形状に形成され、このレジストフレーム
１８Ａを含む全面にめっきが施された後、レジストフレ
ーム１８Ａに囲まれた領域のめっき膜が選択的に残され
て上層コア１３の原形が形成される。そして、その後
（ｂ）図に仮想線で示すデプス線Ｄ（図１８のＡ−Ａ線
の位置）まで研磨により削除され、Ｂ部の狭小幅部が上
層コア１３のトラック幅Ｗ₁として形成される。

【００１０】図２０は、薄膜磁気ヘッドの製造段階にお
ける、上記した如きレジストフレームの形成工程を示す
概略断面図である。

【００１１】このように、レジストフレームを用いて形
成するめっきの核となる下地材としては、通常はそのめ
っき物と同様の材料を支持体上にスパッタ法により全面
に成膜するが、支持体との密着性を考慮して多層とする
ことが多い。

【００１２】従って、めっき物をＮｉ−Ｆｅ合金とすれ
ば、下地を３層とする場合は、基板との密着を考慮して
下から上へＣｒ／Ｔｉ／Ｎｉ−Ｆｅの順に積層して下地
導電膜１５、１６、１７（以下、単に下地膜と称するこ
とがある。）を形成する。

【００１３】即ち、図２０は、製造段階において、第３
平坦化膜６上の第４平坦化膜８の上に形成した下地膜１
５、１６、１７上にフォトレジスト層１８を形成し、こ
のフォトレジスト層１８上にマスク１９を掛けた選択露
光の状況を示している。

【００１４】この場合、ポジ型によるレジストフレーム
の形成を示しているが、ネガ型でもよい。ポジ型の場
合、露光光Ｌにより非マスク部１９ａのレジスト層１８
が露光され、露光後の現像処理により、図２１に示すよ
うに非マスク部１９ａ直下のレジスト層１８が除去され
てレジストフレーム１８Ｂが形成される。

【００１５】そして、図２０に示す如く、露光による下
地膜１７面での乱反射光Ｌ₁によりマスク１９直下のフ
ォトレジスト層１８もマスク部と非マスク部との境界部
分が実際にはこの反射光Ｌ₁により露光される場合があ
る。その結果、図２１に示す如く、レジストフレーム１
８Ｂによるトラック幅Ｗ₁が所定設計値以上に形成され
易い。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図１９に示し
た如く、先端まで同一寸法の狭小幅な微細パターン部を
有する場合は、ウエハ上で多数の磁気ヘッドが同時に形
成されるため、狭小幅の先端部はレジスト露光時のパタ
ーンの解像度が低下し易くなり、光の干渉によって露光
が不均一となり易い。

【００１７】この結果、形成されるトラック幅Ｗ₁が不
均一となり、形状にばらつきが多く、また、ウエハ上の
形成位置によってはトラック幅が設計値より狭小となっ
たり拡大することがある。これでは、レジストフレーム
１８Ｂを用いたフレームめっき後に、設計幅Ｗ₁で得ら
れるべき上層コア１３の先端部が所定幅となり難い。

【００１８】このように従来のレジストフレームの形成
方法は、トラックを形成する狭小の先端部分まで直線状
にフレームが形成されているため、１〜３μｍ程度の狭
小幅な先端のわん曲部Ｅでは、レジストの解像度の問題
から、この部分の断面形状が不安定であり、寸法ばらつ
きや直線性劣化の原因となっていた。

【００１９】また、フレームパターンが１〜３μｍ程度
のわん曲部Ｅでは、正確に寸法通りレジストが抜けにく
くなる傾向がある。この原因により、形成されるめっき
の断面形状にも影響を及ぼすことから早急に改善を要す
る問題である。

【００２０】本発明は、上記の如き事情に鑑みてなされ
たものであり、フレームめっきで微細パターンを成膜す
る場合でも、レジストフレームの形状が安定し、寸法の
ばらつきも生じないような導電体の形成方法及び磁気ヘ
ッドの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を解決するために鋭意検討を重ねた結果、レジストフレ
ーム形成時の微細パターン部分の露光性の向上に着目
し、その効果的な方法を見出し、本発明に到達したもの
である。

【００２２】即ち、本発明は、支持体上に、先端部が狭
小幅となった所定パターンの導電体を形成するに際し、
前記支持体上に、前記導電体と逆パターンを有し、かつ
前記先端部に連設されて前記狭小幅よりも拡幅されたパ
ターンを有するレジスト層を露光処理を経て形成する工
程と、前記レジスト層をマスクにして前記導電体用の導
電体材料を前記支持体上に被着する工程と、前記レジス
ト層を除去して、前記レジスト層の非存在領域に前記導
電体材料を選択的に残す工程と、を行う、導電体の形成
方法に係るものである。

【００２３】また、本発明は、下層コア上に導体コイル
を設け、この導体コイル上に絶縁層を介して、先端部が
狭小幅となった上層コアを形成する、磁気ヘッドの製造
方法において、前記絶縁層を含む表面上に、前記上層コ
アと逆パターンを有し、かつ前記先端部に連設されて前
記狭小幅よりも拡幅されたパターンを有するレジスト層
を露光処理を経て形成する工程と、前記レジスト層をマ
スクにして前記上層コア用の導電体材料を前記表面上に
被着する工程と、前記レジスト層を除去して、前記レジ
スト層の非存在領域に前記導電体材料を選択的に残す工
程と、を行う、磁気ヘッドの製造方法に係るものであ
る。

【００２４】本発明の導電体の形成方法及び磁気ヘッド
の製造方法によれば、所定パターンの狭小幅の先端が拡
幅されて導電体と逆パターンのレジストが形成されるの
で、レジストの露光時に狭小幅先端において上述した光
の干渉による解像度の低下がなく、その解像度が向上し
て常に所定パターンのレジスト（即ち、常に所定幅の先
端部を有する導電体）を形成することができる。

【００２５】しかも狭小幅部の先端が拡幅して形成され
るので、このレジストをマスクにして導電体材料の被着
時に、この拡幅部においてレジスト層の非存在領域に導
電体材料が被着され易くなる。これに伴い、この拡幅部
に連設している狭小幅部にも導電体材料が被着し易くな
り、狭小幅部の導電体の断面を含む形状性が向上する。

【００２６】従って、本発明の方法により製造される磁
気ヘッドでは、上層コアにおけるトラック幅の如き狭小
幅部分の形状や直線性が良くなり、寸法のばらつきも低
減して良好な磁気ヘッドを提供することができる。

【００２７】なお、本発明において、上記の「拡幅」と
は、上記導電体の先端部に連設されてその狭小幅よりも
拡がった領域が存在することを意味し、その拡幅方向は
上記導電体の幅の少なくとも一方側で延びる方向であっ
てよい。

【００２８】

【発明の実施の形態】本発明の導電体の形成方法及び磁
気ヘッドの製造方法においては、前記支持体上に下地導
電膜を介して前記導電体を形成するに際し、前記下地導
電膜上にフォトレジスト層を形成する工程と、前記フォ
トレジスト層を選択的に露光、現像処理してレジストマ
スク層を形成する工程と、前記レジストマスク層のない
非マスク領域において前記下地導電膜上に導電体材料層
をフレームめっきする工程と、を行うことが望ましい。

【００２９】更に、第１のマスク層としての前記レジス
トマスク層を除去し、更にこの除去部分直下の前記下地
導電膜を除去して、前記導電体材料層と前記下地導電膜
とを通して所定パターンの溝を前記第１のマスク層に対
応して形成する工程と、前記溝に第２のマスク層を充填
すると共に、残されるべき前記導電体材料層上も前記第
２のマスク層で被覆する工程と、前記第２のマスク層を
用いて、この第２のマスク層のない非マスク領域に存在
する前記導電体材料層及び前記下地導電膜を除去する工
程と、を行うことが望ましい。

【００３０】そして、前記狭小幅より片側又は両側に拡
幅されるように前記拡幅されたパターンを形成すること
が望ましい。

【００３１】この場合、拡幅パターンの形状は種々であ
ってよい。例えば円形、四角形、三角形等であっても効
果的である。

【００３２】また、上記の方法においては、前記下地導
電膜をスパッタリングによって形成し、前記第１及び第
２のマスク層をフォトリソグラフィによって形成し、前
記導電体材料層を電気めっきによって形成し、前記下地
導電膜をイオンミリングによって除去することが望まし
い。

【００３３】また、前記第２のマスク層を除去し、残さ
れた前記導電体材料層を前記先端部側で切削加工して前
記第１のマスク層の前記拡幅部分に対応した拡幅部分が
除去され、かつ前記狭小幅の先端部を有する前記導電体
を選択的に残すことが望ましい。

【００３４】そして、上記の方法により、下層コア上に
導体コイルを設け、この導体コイル上に絶縁層を介して
下地導電膜を形成し、この下地導電膜上に導電体として
前記狭小幅をトラック幅とする上層コアを形成すること
が望ましい。

【００３５】これにより、下層コアと導体コイルと上層
コアとからなる記録ヘッド部と、磁気抵抗効果素子を有
する再生ヘッド部とが一体化された薄膜磁気ヘッドの前
記上層コアを良好に形成することができる。

【００３６】また、上記コアの材質としては、軟磁性
を示すものであれば、従来公知の材料が使用可能である
が、特に、Ｎｉ−Ｆｅ系合金から構成されるのがよい。

【００３７】また、上記の成膜方法としては、従来公知
のものがいずれも使用可能である。例えば、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等が挙
げられるが、合金膜を成膜する場合には、この合金の組
成比に等しいターゲットを使用したスパッタリング法に
よって成膜することが好ましい。このスパッタリング法
としては、ＲＦマグネトロン方式、ＤＣマグネトロン方
式、対向ターゲット方式等が有効である。

【００３８】また、レジストフレーム形成の際のレジス
トは、ポジ型、ネガ型のいずれでもよい。下地導電膜や
めっき層の材質や層構成についても変更してよい。

【００３９】また、上記の方法は、上記した複合型薄膜
磁気ヘッド以外の複合型薄膜磁気ヘッド、例えばＧＭＲ
ヘッド（巨大磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッド）又
はスピンバルブ膜を有するスピンバルブ型ヘッドを組み
込んだヘッドや、種類の異なるインダクティブヘッドの
複合体にも適用することが可能である。

【００４０】また、フレームめっきによる薄膜磁気ヘッ
ド以外にも、例えば半導体デバイスの配線等の導電体の
作製にも適用が可能である。

【００４１】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明するが、本発明
が以下の実施例に限定されるものでないことは勿論であ
る。

【００４２】図１は、薄膜磁気ヘッドの上層コア用のフ
レームめっきのレジストフレームを示し、（ａ）は概略
平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＢ部の拡大図、（ｃ）
は（ｂ）におけるｃ−ｃ線断面図であり、従来例につい
て前述したのと同様に図１８におけるＢ部を表してい
る。従って、共通する部分については共通の符号を用い
る。

【００４３】しかし、本実施例においては、図示の如
く、上層コア形成用のレジストフレーム１８Ａは、トラ
ック幅Ｗ₁となる狭小幅部分の先端が両側でＷ₂に拡幅
されている。図２はこの部分の斜視図であるが、このよ
うに先端が拡幅されるようにレジストフレーム１８Ａを
形成することにより、レジスト形成時にこの先端部の露
光性が向上し、レジストフレーム１８Ａを所定通りの形
状に形成することができる。従って、上層コアのトラッ
ク部部において安定した直線性が得られ、寸法精度も向
上する。

【００４４】更に、このように正常に形成されたレジス
トフレーム１８Ａによって、上層コアを形成すれば、狭
小幅部の先端が拡幅されていることにより、上層コア形
成用のめっき材料が浸入し易い拡幅部に流れ込むため、
これに伴って狭小幅部分にも満遍なくゆきわたる。

【００４５】従って、前記した従来例の如く、狭小幅の
ままの形状で先端部が形成されているために、先端まで
めっき材料が均等にゆきわたらない場合に比べ、トラッ
ク部分の形状や寸法精度を良好に形成することができ
る。

【００４６】そして、拡幅部は仮想線で示すデプス線Ｄ
の位置までデプス研磨時に削り取られるため、最終的な
薄膜磁気ヘッドの構造自体に影響は与えていない。

【００４７】図３は、上層コアを形成するためのレジス
トフレーム形成に係る最初の工程であり、第３平坦化膜
３上の第４平坦化膜８上に、後述するＮｉ−Ｆｅ合金め
っき層の下地膜となるＣｒ膜１５、Ｔｉ膜１６、Ｎｉ−
Ｆｅ合金膜１７を、それぞれスパッタ成膜して下地膜を
形成する。

【００４８】次いで、図４のように、下地膜１７上に均
一にフォトレジストを塗布してフォトレジスト層１８を
形成する。

【００４９】次いで、図５のように、フォトレジスト層
１８の上に露光マスク１９（例えば、ポジ型）を掛けて
露光する。これにより、非マスク部１９ａのフォトレジ
スト層１８が光Ｌによって露光される。図５におけるフ
ォトレジスト層１８中の破線は露光部と非露光部との境
界を示している。

【００５０】次いで、図６のように、露光マスク１９を
除去して現像処理する。これにより、非露光部のフォト
レジスト層が残り、レジストフレーム１８Ａが形成され
る。

【００５１】この工程において形成したレジストフレー
ム１８Ａについて、詳しくは後述する如く、トラック幅
を測定する。そして、測定結果、所定寸法を満たしてお
れば次のめっき工程に移行する。

【００５２】測定の結果、良品については、図７のよう
に、レジストフレーム１８Ａ形成後の下地膜１７上に、
電解めっき法によりＮｉ−Ｆｅ合金のめっき層２０を成
膜する。

【００５３】次いで、図８のように、有機溶剤を用いて
不要となったレジストフレーム１８Ａを溶解して除去
し、溝２１を形成する。

【００５４】更に、図９のように、レジストフレーム１
８Ａの除去により形成された溝２１直下の下地膜１７、
１６、１５をイオンミリング装置によりエッチングして
除去する。この際、めっき層２０の上面も若干エッチン
グされるが特に問題とはならない。

【００５５】次いで、図１０のように、上記した溝２１
を含めてめっき層２０の上に、コアカバー形成のための
フォトレジスト膜２２を成膜するが、図示の如く、溝２
１全体に充填される。

【００５６】次いで、図１１のように、フォトレジスト
膜２２上に露光マスク２３（例えば、ポジ型）を掛け、
非マスク部２３ａを露光する。図１１において、Ｌは露
光光を示す。

【００５７】次いで、図１２のように、露光マスクを除
去後、現像処理によりコアカバー２４が形成される。

【００５８】次いで、図１３のように、上記のコアカバ
ー２４をマスクとして、非マスク部のめっき層２０及び
下地膜１７、１６、１５をそれぞれ専用のウエットエッ
チング液を用いてウエットエッチングを行い、除去す
る。

【００５９】最後に、コアカバー２４を有機溶剤を用い
て溶解除去して図１４に示すような正常な上層コア１３
が完成する。

【００６０】上記のように形成した上層コア１３を有す
る薄膜磁気ヘッドは、その他の製造工程を経て図１５の
ように複合型の磁気ヘッドとして完成する。図１５は図
１８のXV−XV線断面図である。

【００６１】図１５に示すように、本実施例の薄膜磁気
ヘッドは、例えばガラス基板１上に例えばＦｅ−Ｎｉの
混合物からなる下層シールドコア２及び例えばアルミナ
からなる非磁性再生ギャップ材３が積層され、メディア
対向面Ｆに臨むように設けた再生ヘッド部２８を構成す
るＮｉ−Ｆｅ系等のＭＲ膜１４がスパッタ成膜され、こ
の上に中間コア１１、Ｔｉからなる記録ギャップ材１
２、第２平坦化膜５、導体コイル７、第３平坦化膜６、
第４平坦化膜８、Ｆｅ−Ｎｉ合金からなる共通コアとな
る上層コア１３をこの順に、積層したものである。

【００６２】図１５において、ＭＲ膜１４上の中間コア
１１との間には、例えばＳｉＯ₂からなる絶縁層、Ｃｕ
からなるリード電極やバイアス媒体及びＳｉＯ₂からな
る絶縁層の積層体が形成されているが細部については図
示省略してある。

【００６３】このように構成することにより、磁気記録
媒体の記録トラックに対向する対向面Ｆにおいて、上記
した中間コア１１を境に下側の再生ヘッド２８と上側の
記録ヘッド２９とが一体化された複合型の薄膜磁気ヘッ
ド３０を形成している。

【００６４】そして、再生ヘッド２８においては、セン
ス電流がトラック幅方向と直交する方向に流れる、いわ
ゆる縦型のＭＲヘッドとして、その長手方向が磁気記録
媒体との対向面（磁気記録媒体摺動面）に対して垂直に
なり、かつその一方の端面が対向面に露出する状態にな
っている。

【００６５】上記したように、本実施例による上層コア
１３の形成方法においては、図６に示した如く、レジス
トフレーム１８Ａを形成した段階でＳＥＭ（走査電子顕
微鏡）で上層コア１３のトラック幅Ｗ₁を測定している
が、図１６はこの測定方法を示している。

【００６６】即ち、図１６は、磁気ヘッドの製造過程に
おいて、多数の磁気ヘッドが一部分を図示した如く整列
して同時に形成されている４インチウエハ３１を示して
いる。そして測定は、図示の如く、ウエハ３１のＹ方向
にＰ₁〜Ｐ₁₀で示した１０ケ所の測定位置（この位置に
各列の磁気ヘッドのトラックが存在している。）を定
め、それぞれのトラック幅を測定する。

【００６７】図１７は、この測定結果を示したグラフで
あるが、本実施例の製造方法によるトラック幅Ａと、従
来の製造方法によるトラック幅ａとを、レジストフレー
ムを形成した段階でのプリ実験としての測定結果であ
る。そして、いずれの製造方法においてもトラック幅は
２．８μｍを設計値としたものであり、露光時間等の条
件は全て同じである。

【００６８】このグラフの結果から、従来の方法により
レジストフレームをパターニングした場合、ウエハ下部
（図１６における測定位置９）でトラック幅が２．６μ
ｍまで変化し、全般的にウエハ内でのばらつきが大きい
ことが分かる。これに対し、本実施例による製造方法で
パターニングした場合、トラック幅は全体的に設計値以
上の幅であるが一定の値で安定していることが分かる。

【００６９】本実施例によれば、上層コア１３のトラッ
ク幅Ｗ₁を規定するためのレジストフレーム１８Ａの先
端が拡幅されるようにレジストのパターン露光を行うの
で、レジスト露光時に先端部の解像度が良くなり、レジ
ストフレーム１８Ａが所定通りに形成できる。

【００７０】そして、このレジストフレーム１８Ａを用
いてめっきすれば、このレジストフレーム１８Ａに囲ま
れている領域への上層コア１３の材料としてのＮｉ−Ｆ
ｅからなるめっきが、この拡幅部へ浸入し易くなるた
め、これに連通する１〜３μｍの狭小幅なトラック部に
も十分にめっき材料が流入し、所定通りの形状性の良い
トラック幅Ｗ₁を形成することができる。

【００７１】そして、この拡幅部はデプス研磨によって
切削削除されるので、磁気ヘッドの製品の性能には影響
しない。

【００７２】また、従来の方法では、トラック幅の寸法
測定で規格外となる場合が多かったが、本実施例の方法
によって磁気ヘッドを製造することにより、デプス０近
辺のレジスト形状が安定し、寸法精度が向上する。

【００７３】

【発明の作用効果】上述した如く、本発明は、支持体上
に、先端部が狭小幅となった所定パターンの導電体を形
成するに際し、前記支持体上に、前記導電体と逆パター
ンを有し、かつ前記先端部に連設されて前記狭小幅より
も拡幅されたパターンを有するレジスト層を露光処理を
経て形成する工程と、前記レジスト層をマスクにして前
記導電体用の導電体材料を前記支持体上に被着する工程
と、前記レジスト層を除去して、前記レジスト層の非存
在領域に前記導電体材料を選択的に残す工程とを行うの
で、レジスト露光時に狭小幅の先端部を所定パターンに
露光してレジストを形成することができる。また、この
レジストをマスクにして導電体材料を被着させることに
より、狭小幅部の先端に連設される拡幅されたパターン
部において、レジスト層が存在しない領域に導電体材料
が十分に被着され易くなると共に、狭小幅部へも導電体
材料が被着され易くなり、導電体材料が所定パターンに
形成できる。従って、この方法によって薄膜磁気ヘッド
を製造すれば、上層コアのトラック幅を設計値通りに形
成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例によるレジストフレームの一部
分を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）におけ
るＢ部の拡大図、（ｃ）は（ｂ）におけるｃ−ｃ線断面
図である。

【図２】同、図１のＢ部に対応する部分の概略斜視図で
ある。

【図３】同レジストフレームの形成方法を示す製造工程
における要部の概略断面図である。

【図４】同、他の一工程における要部の概略断面図であ
る。

【図５】同、他の一工程における要部の概略断面図であ
る。

【図６】同、他の一工程における要部の概略断面図であ
る。

【図７】同、他の一工程における要部の概略断面図であ
る。

【図８】同、他の一工程における要部の概略断面図であ
る。

【図９】同、他の一工程における要部の概略断面図であ
る。

【図１０】同、他の一工程における要部の概略断面図で
ある。

【図１１】同、他の一工程における要部の概略断面図で
ある。

【図１２】同、他の一工程における要部の概略断面図で
ある。

【図１３】同、他の一工程における要部の概略断面図で
ある。

【図１４】同、更に他の一工程における要部の概略断面
図である。

【図１５】複合型薄膜磁気ヘッドの断面図（図１８のXV
−XV線断面相当）である。

【図１６】同、磁気ヘッドの製造過程におけるウエハ上
での測定位置を示す平面図である。

【図１７】同、トラック幅測定結果の従来例との比較を
示すグラフである。

【図１８】薄膜磁気ヘッドの一部を省略した平面図であ
る。

【図１９】従来例によるレジストフレームを示し、
（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＢ部の拡
大図、（ｃ）は（ｂ）におけるｃ−ｃ線断面図である。

【図２０】同、導電体の形成方法を示す一製造工程にお
ける要部の概略断面図である。

【図２１】同、他の一工程における要部の概略断面図で
ある。

【符号の説明】

１…ガラス基板、２…下層シールドコア、３…非磁性
層、４…第１平坦化膜、５…第２平坦化膜、６…第３平
坦化膜、７…導体コイル、８…第４平坦化膜、９…端子
リード線、１０…コイルリード線、１１…中間コア、１
２…記録ギャップ材、１３…上層コア、１４…ＭＲ膜、
１５…Ｃｒ下地膜、１６…Ｔｉ下地膜、１７…Ｎｉ−Ｆ
ｅ合金下地膜、１８…フォトレジスト層、１８Ａ…レジ
ストフレーム、１９、２３…マスク、１９ａ、２３ａ…
非マスク部、２０…Ｎｉ−Ｆｅ合金めっき層、２１…
溝、２２…フォトレジスト膜、２４…コアカバー、２８
…再生ヘッド、２９…記録ヘッド、３０…複合型薄膜磁
気ヘッド、３１…ウエハ、Ａ…実施例のトラック幅、ａ
…従来例のトラック幅、Ｄ…デプス線、Ｅ…わん曲部、
Ｗ₁…トラック幅、Ｗ₂…拡幅部の幅

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持体上に、先端部が狭小幅となった所
定パターンの導電体を形成するに際し、前記支持体上に、前記導電体と逆パターンを有し、かつ
前記先端部に連設されて前記狭小幅よりも拡幅されたパ
ターンを有するレジスト層を露光処理を経て形成する工
程と、前記レジスト層をマスクにして前記導電体用の導電体材
料を前記支持体上に被着する工程と、前記レジスト層を除去して、前記レジスト層の非存在領
域に前記導電体材料を選択的に残す工程と、を行う、導
電体の形成方法。
【請求項２】前記支持体上に下地導電膜を介して前記
導電体を形成するに際し、前記下地導電膜上にフォトレジスト層を形成する工程
と、前記フォトレジスト層を選択的に露光、現像処理してレ
ジストマスク層を形成する工程と、前記レジストマスク層のない非マスク領域において前記
下地導電膜上に導電体材料層をフレームめっきする工程
と、を行う、請求項１に記載した導電体の形成方法。
【請求項３】第１のマスク層としての前記レジストマ
スク層を除去し、更にこの除去部分直下の前記下地導電
膜を除去して、前記導電体材料層と前記下地導電膜とを
通して所定パターンの溝を前記第１のマスク層に対応し
て形成する工程と、前記溝に第２のマスク層を充填すると共に、残されるべ
き前記導電体材料層上も前記第２のマスク層で被覆する
工程と、前記第２のマスク層を用いて、この第２のマスク層のな
い非マスク領域に存在する前記導電体材料層及び前記下
地導電膜を除去する工程と、を行う、請求項２に記載し
た導電体の形成方法。
【請求項４】前記狭小幅より片側又は両側に拡幅され
るように前記拡幅されたパターンを形成する、請求項１
に記載した導電体の形成方法。
【請求項５】前記下地導電膜をスパッタリングによっ
て形成し、前記第１及び第２のマスク層をフォトリソグ
ラフィによって形成し、前記導電体材料層を電気めっき
によって形成し、前記下地導電膜をイオンミリングによ
って除去する、請求項３に記載した導電体の形成方法。
【請求項６】前記第２のマスク層を除去し、残された
前記導電体材料層を前記先端部側で切削加工して前記第
１のマスク層の前記拡幅部分に対応した拡幅部分が除去
され、かつ前記狭小幅の先端部を有する前記導電体を選
択的に残す、請求項３に記載した導電体の形成方法。
【請求項７】下層コア上に導体コイルを設け、この導
体コイル上に絶縁層を介して下地導電膜を形成し、この
下地導電膜上に導電体として前記狭小幅をトラック幅と
する上層コアを形成する、請求項１に記載した導電体の
形成方法。
【請求項８】下層コアと導体コイルと上層コアとから
なる記録ヘッド部と、磁気抵抗効果素子を有する再生ヘ
ッド部とが一体化された薄膜磁気ヘッドの前記上層コア
を形成する、請求項７に記載した導電体の形成方法。
【請求項９】下層コア上に導体コイルを設け、この導
体コイル上に絶縁層を介して、先端部が狭小幅となった
上層コアを形成する、磁気ヘッドの製造方法において、
前記絶縁層を含む表面上に、前記上層コアと逆パターン
を有し、かつ前記先端部に連設されて前記狭小幅よりも
拡幅されたパターンを有するレジスト層を露光処理を経
て形成する工程と、前記レジスト層をマスクにして前記上層コア用の導電体
材料を前記表面上に被着する工程と、前記レジスト層を除去して、前記レジスト層の非存在領
域に前記導電体材料を選択的に残す工程と、を行う、磁
気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】前記表面上に下地導電膜を介して前記
上層コアを形成するに際し、前記下地導電膜上にフォトレジスト層を形成する工程
と、前記フォトレジスト層を選択的に露光、現像処理してレ
ジストマスク層を形成する工程と、前記レジストマスク層のない非マスク領域において前記
下地導電膜上に導電体材料層をフレームめっきする工程
と、を行う、請求項９に記載した磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項１１】第１のマスク層としての前記レジスト
マスク層を除去し、更にこの除去部分直下の前記下地導
電膜を除去して、前記導電体材料層と前記下地導電膜と
を通して所定パターンの溝を前記第１のマスク層に対応
して形成する工程と、前記溝に第２のマスク層を充填すると共に、残されるべ
き前記導電体材料層上も前記第２のマスク層で被覆する
工程と、前記第２のマスク層を用いて、この第２のマスク層のな
い非マスク領域に存在する前記導電体材料層及び前記下
地導電膜を除去する工程と、を行う、請求項１０に記載
した磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】前記狭小幅より片側又は両側に拡幅さ
れるように前記拡幅されたパターンを形成する、請求項
９に記載した磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】前記下地導電膜をスパッタリングによ
って形成し、前記第１及び第２のマスク層をフォトリソ
グラフィによって形成し、前記導電体材料層を電気めっ
きによって形成し、前記下地導電膜をイオンミリングに
よって除去する、請求項１１に記載した磁気ヘッドの製
造方法。
【請求項１４】前記第２のマスク層を除去し、残され
た前記導電体材料層を前記先端部側で切削加工して前記
第１のマスク層の前記拡幅部分に対応した拡幅部分が除
去され、かつ前記狭小幅の先端部を有する前記上層コア
を選択的に残す、請求項１１に記載した磁気ヘッドの製
造方法。
【請求項１５】下層コア上と導体コイルと上層コアと
からなる記録ヘッド部と、磁気抵抗効果素子を有する再
生ヘッド部とが一体化された薄膜磁気ヘッドを製造す
る、請求項９に記載した磁気ヘッドの製造方法。