JPH10149520A - 導電体の形成方法及び磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 除去すべき不要めっき膜の除去残りが生じな
い導電体の形成方法及び磁気ヘッドの製造方法を提供す
ること。 【解決手段】 基板１上に形成するリード線２４、２
５、２６、２７及びこれらの先端に形成するパッド台座
３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄを被覆するレジストカ
バー３８以外のめっき膜３４が連続するように形成す
る。これにより、ウエットエッチングによって不要部の
めっき膜３４を除去する際にエッチング液が除去部の全
般に供給され、除去残りが防止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導電体（例えば、
磁気ヘッドの電極端子と外部回路とを接続させるための
導電体）の形成方法及びこれを用いた磁気ヘッドの製造
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、薄膜磁気ヘッドは、磁性膜、絶
縁膜等の薄膜層が多層に積層され、さらに導体コイルや
リード線が形成されてなる磁気ヘッドである。

【０００３】この薄膜磁気ヘッドは、真空薄膜形成技術
により形成されるため、狭トラック化や狭ギャップ化等
の微細寸法化が容易であり、また高分解能記録が可能で
あるという特徴を有しており、高密度記録化に対応した
磁気ヘッドとして注目されている。

【０００４】例えば、磁気記録媒体に情報信号の記録、
再生を行うタイプの薄膜磁気ヘッドとしては、フェライ
ト等の酸化物磁性材料からなる基板上に、真空薄膜形成
技術によって導体コイル及び磁性体膜が形成されて構成
されたものがある。

【０００５】具体的には、例えば、記録用の薄膜磁気ヘ
ッドとして好適なものとしては、いわゆるインダクティ
ブ型の磁気ヘッドがある。このインダクティブヘッドに
おいては、フェライト等の酸化物磁性材料からなる基板
上に軟磁性体層よりなる下層コアが形成され、この上に
下層コアと導体コイルとの絶縁を図るための絶縁層又は
平坦化層が成膜され、さらにこの表面上に導体コイルが
スパイラル状に形成されている。

【０００６】そして、表面の平坦化を図るために上記の
平坦化層がレジスト等の高分子材料によって成膜され、
平坦化された前記平坦化層の上に軟磁性体層よりなる上
層コアが形成されて、上記インダクティブヘッドが構成
されている。

【０００７】このようなインダクティブ型磁気ヘッドは
記録用として、例えば再生用の磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッド（薄膜ＭＲヘッド又は薄膜磁気抵抗効果ヘッド）
と共に複合型の薄膜磁気ヘッドを構成し、ハードディス
クドライブに搭載され、利用されている。

【０００８】しかし、このような磁気ヘッドには、以下
に述べる問題点があることが分かった。

【０００９】図２０は、ウエハ上に多数形成されたヘッ
ドチップ４０の一つを示す平面図である。上記した薄膜
磁気ヘッドにおいては、図２０に示すように、磁気ヘッ
ド１０を形成した横長の同じ基板１上に、フレームめっ
きにより磁気ヘッド１０のコイル外側端子２１、ＭＲ膜
端子２２、接地（ＧＮＤ）端子２３及びコイル内側端子
９から、リード線２４、２５、２６、２７がそれぞれ延
設され、その先端にはパッドの台座３２ａ、３２ｂ、３
２ｃ’、３２ｄ’が形成されるが、図示の如く、除去残
りのめっき膜３４’が残ることがある。

【００１０】ヘッドチップ４０が図２２のような状態に
形成されるまでには、詳しくは後述する所要の製造工程
を経るが、その直前の製造工程段階を平面図で示すのが
図２１である。

【００１１】即ち、図２１は、図２０における上層コア
１３、コイル内側端子９、コイル外側端子リード線２
４、ＭＲ膜リード線２５、ＧＮＤリード線２６、コイル
内側端子リード線２７及び各パッド台座３２ａ、３２
ｂ、３２ｃ’、３２ｄ’をレジストカバー３８により選
択的に被覆し、この被覆部以外がＮｉ−Ｆｅ合金めっき
膜３４で覆われた状態を示している。しかし、図２１及
び図２６に示す如く、レジストカバー３８に囲まれて島
状に孤立した領域４２に不要なめっき膜３４’が露出す
ることがある。

【００１２】図２２は、図２１のXXII−XXII線断面図で
あり、図２１及び図２２の如くレジストカバー３８で被
覆された後は、次の工程においては図２３のように、め
っき膜３４及び下地導電膜（以下、単に下地膜と称す
る）１８Ａに対応する液を用いてウエットエッチングす
ることにより、レジストカバー３８で被覆されていない
不要部分のめっき膜３４及び下地膜１８Ａが除去され
る。そして、図２４（図２０のXXIV−XXIV線断面図）に
示す如く、レジストカバー３８を有機溶剤で溶解除去す
ることにより、リード線及びパッド台座が形成される。

【００１３】しかし、ウエットエッチングにより不要部
分のめっき膜３４及び下地膜１８Ａを除去後も、上記し
た図２１における孤立領域４２に存在する不要めっき膜
３４及び下地膜１８Ａは、図２５（図２１における要部
の拡大図）に示す如く、完全には除去されずに除去残り
のめっき膜３４’及び下地膜１８Ａ’として残存するこ
とがある。

【００１４】図２６は、図２５におけるXXVI−XXVI線の
概略断面図であるが、例えば、レジストカバー３８、３
８間の凹部の底部にめっき膜３４’及び下地膜１８Ａ’
が残存している状態を示している。しかし、この除去残
りのめっき膜３４’及び下地膜１８Ａ’は、最後に有機
溶剤を用いてレジストカバー３８を除去後においても、
図２７に示すように残存する。

【００１５】図２８は、上記のようにして形成されたパ
ッド台座３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄをプローバー
４３による各種の性能試験の状況を示す概略斜視図であ
る。図示の如く、プローバーの触針４４の一列の配置に
対応してパッド台座３２ａ〜３２ｄも一列に配設され
る。そして、上記の如き不要めっき膜等の除去残りによ
る短絡等の有無が測定される。

【００１６】しかし、このような除去残りは、リード線
間のショート及び外観不良となって商品価値や信頼性を
損ねるため、歩留りの低下になることがある。これは、
再生用の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの複合ヘッドについ
ても共通する問題である。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる事情
に鑑みてなされたものであって、不要物の除去残りを防
止し、商品価値が高く品質に信頼性のある導電体の形成
方法を提供することを目的とするものである。

【００１８】また、本発明の他の目的は、この形成方法
を磁気ヘッドに応用して不良品の発生を抑制し、歩留り
の低下を低減させると共に、品質及び特性面でも信頼性
の高い磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。

【００１９】本発明における磁気ヘッドとは、複合型の
薄膜磁気ヘッドのみならず、記録用又は再生用の薄膜磁
気ヘッド等をも包含する意味である。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成するために鋭意検討を重ねた結果、上述した如
き、不要物の除去残りを発生させない効果的な方法を見
出し、本発明に到達したものである。

【００２１】即ち、本発明は、支持体上に設けた導電層
の不要部分を除去して所定パターンの導電体を形成する
に際し、前記導電層のうち残されるべき第１部分と除去
されるべき第２部分との間を間隙を介して区分し、この
間隙を含めて前記第１部分の導電層をマスク層で被覆
し、この被覆状態で前記第２部分を前記マスク層の形成
領域の内側から外側へ連通させ、前記マスク層を用いて
前記第２部分を選択的に除去する、導電体の形成方法に
係るものである。

【００２２】また、本発明は、支持体上に設けた導電層
の不要部分を除去して所定パターンの導電体を形成する
に際し、前記導電層のうち残されるべき第１部分と除去
されるべき第２部分との間を間隙を介して区分し、この
間隙を含めて前記第１部分の導電層をマスク層で被覆
し、この被覆状態で前記マスク層の形成領域の内側に存
在する前記第２部分の占有面積を５００μｍ² 以上と
し、前記マスク層を用いて前記第２部分を選択的に除去
する、導電体の形成方法に係るものである。

【００２３】また、本発明は、下層コアと導体コイルと
上層コアとからなる記録ヘッド部と、磁気抵抗効果素子
を有する再生ヘッド部とが一体化された薄膜磁気ヘッド
とからなる複合ヘッドの製造方法に係るものである。

【００２４】これにより、導電層が連続して形成される
ため、例えば磁気ヘッドにおいて導電層の不要部分を湿
式エッチングにより除去する場合、エッチング液が除去
されるべき各部に供給されるのでエッチング不良を発生
させることがなくなり、リード線間のショートが防止さ
れ、製品の外観を良くし、信頼性、製品の歩留りの大幅
な向上を図ることが可能となる。

【００２５】

【発明の実施の形態】本発明の導電体の形成方法におい
ては、前記マスク層を用いて前記第２部分を湿式エッチ
ングして選択的に除去することが望ましい。

【００２６】そして、上記の方法は、支持体上に下地導
電膜を介して所定パターンの導電体を形成するに際し、
前記下地導電膜上に第１のマスク材料層を形成する工程
と、この第１のマスク材料層を選択的に加工して第１の
マスク層を形成する工程と、この第１のマスク層のない
非マスク領域において前記下地導電膜上に導電体材料層
を被着する工程と、前記第１のマスク層を除去し、更に
除去部直下の前記下地導電膜を除去して、前記導電体材
料層と前記下地導電膜とを通して所定パターンの溝を前
記第１のマスク層のパターンに対応して形成する工程
と、前記溝に第２のマスク層を充填すると共に、除去さ
れるべき前記導電体材料層及び前記下地導電膜を島状に
孤立させずに、残されるべき前記導電体材料層上も前記
第２のマスク層で被覆する工程と、前記第２のマスク層
を用いて、この第２のマスク層のない非マスク領域に存
在する前記導電体材料層及び前記下地導電膜を除去する
工程とを行うことが望ましい。

【００２７】この場合、前記第１のマスク層を用いて前
記導電体材料層を被着する際、この導電体材料層のうち
除去されるべき部分を前記第２のマスク層の充填後に島
状に孤立させないようにすることが望ましい。

【００２８】そして、前記導電体材料層をフレームめっ
きで形成することが望ましい。

【００２９】また、前記マスク層を用いて前記第２部分
を湿式エッチングして選択的に除去後にこのマスク層を
除去する工程を更に行うことが望ましい。

【００３０】また、上記の方法は、支持体上に下地導電
膜を介して所定パターンの導電体を形成するに際し、前
記下地導電膜上に第１のマスク材料層を形成する工程
と、この第１のマスク材料層を選択的に加工して第１の
マスク層を形成する工程と、この第１のマスク層のない
非マスク領域において前記下地導電膜上に導電体材料層
を被着する工程と、前記第１のマスク層を除去し、更に
除去部直下の前記下地導電膜を除去して、前記導電体材
料層と前記下地導電膜とを通して所定パターンの溝を前
記第１のマスク層のパターンに対応して形成する工程
と、前記溝に第２のマスク層を充填すると共に、残され
るべき前記導電体材料層上も前記第２のマスク層で被覆
する工程と、前記第２のマスク層を用いて、この第２の
マスク層のない非マスク領域に存在する前記導電体材料
層及び前記下地導電膜を除去する工程とを行うようにし
てもよい。

【００３１】これにより、下層コア及び基板上に下層導
電膜を介して、上層コアを含む導電体を好適に形成する
ことができる。

【００３２】また、上記の方法により導電体を外部回路
との好適な接続部として形成することができる。

【００３３】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明するが、本発明
は以下の実施例に限定されるものでないことは勿論であ
る。

【００３４】図１〜図９は、本実施例による導電体の形
成方法を示す図であるが、磁気ヘッド作製過程における
リード線及びパッド台座の形成に例えて説明する。な
お、前述した従来例と共通する部分については共通の符
号を用いる。

【００３５】図１は、第１の実施例を示し、前述した従
来例と同様に、ウエハ上に多数形成されたヘッドチップ
４０Ａの一つを示す平面図であり、横長の基板１上に磁
気ヘッド１０の各端子、即ち、コイル外側端子２１、Ｍ
Ｒ膜端子２２、接地（ＧＮＤ）端子２３及びコイル内側
端子９からそれぞれ延設されたリード線２４、２５、２
６、２７とその先端に形成されたパッド台座３２ａ、３
２ｂ、３２ｃ、３２ｄの状態を示している。

【００３６】そして、図２は、図１の状態が形成される
後述の製造段階における一工程を示す平面図であり、前
述した従来例の図２１に対応する図である。図示の如
く、本実施例の特徴は、前述の従来例において示すよう
なレジストカバー３８に囲まれて島状に孤立しためっき
膜３４が存在しないことである。即ち、従来例（図２１
参照）に示すような孤立領域がなく、レジストカバー３
８間が開放されてレジストカバーの形成領域の内側から
外側へ通じる連通部４１が形成され、チップ４０Ａの基
板１上の除去されるべきめっき膜３４が全て連続してい
る。

【００３７】このためには、図３及び図４（図３のIV−
IV線断面図）に示すように、レジストフレーム３３が予
め上記した開放部４１を形成するように配置されてい
る。このレジストフレーム３３の形成に際しては、磁気
ヘッド１０の第４平坦化膜（詳細は後述する）までが形
成された状態の磁気ヘッド１０を含むチップ１上の全面
に下地膜１８Ａを形成する。そして、フォトレジストを
この下地膜１８Ａ上に塗布してレジスト層を形成し、こ
の上にマスクを施して所定パターンのレジストフレーム
３３を形成した状態が図３及び図４である。

【００３８】次いで、図５に示すように、このレジスト
フレーム３３をマスクとして磁気ヘッド１０を含む基板
１上の全面に例えばＮｉ−Ｆｅ合金のめっき膜３４を例
えば３μｍの厚さに形成する。

【００３９】次いで、図６に示すように、有機溶剤を用
いてレジストフレーム３３を溶解して除去し、これによ
り形成されたレジストフレーム３３除去跡の溝３５直下
の下地膜１８Ａをイオンミリングによって除去する。そ
して、この段階からリード線２４、２７及びパッド台座
３２ｃとなる残されるべきめっき膜として、溝３５によ
ってその他のめっき膜３４と区分される。

【００４０】次いで、図７に示すように、上記の溝３５
を含め、残されるべきめっき膜及びその他のめっき膜３
４上の全面にフォトレジスト３６を塗布して被覆する。

【００４１】次いで、図８に示すように、このフォトレ
ジスト膜３６上に所定パターンのマスク３７を掛けて露
光する。これにより非マスク部３７ａ直下のフォトレジ
スト膜３６が露光される。

【００４２】次いで、図９（図２のIX−IX線断面図）の
ように現像処理することにより、レジストカバー３８が
形成され、リード線２４、２７及びパッド台座３２ｃと
して残されるべきめっき膜が被覆される。そしてこの時
の状態を示すのが図２であり、このようにして前述した
従来例とは異なる形状の除去されるべきめっき膜３４を
形成している。

【００４３】そして、上記した各リード線２４、２５、
２６、２７及びパッド台座３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３
２ｄは、磁気ヘッド１０の上層コア１３及びコイル内側
リード線９と同時に形成する。次に、この上層コア１３
及びコイル内側リード線９が形成されるまでの本実施例
による磁気ヘッド１０の製造工程を図１０〜図１９によ
り説明する。

【００４４】本実施例の磁気ヘッドは、まず図１０（中
間コア１１の下部は図示省略）に示すように、メディア
対向面（図の左端）に面して設けたＭＲ素子１４及び、
例えばＳｉＯ₂ からなる絶縁層、Ｃｕからなるリード電
極やバイアス導体及びＳｉＯ₂ からなる絶縁層の積層体
を一括して示した層１５からなる再生ヘッド部の上部に
軟磁性材よりなる中間コア１１を成膜している。

【００４５】そして、中間コア１１上には、磁気ギャッ
プ１２を介してこの中間コア１１上に、中間コア１１と
後述する導体コイルとの絶縁を図りかつ表面の平坦化に
より後述する導体コイルを正確に形成するための有機高
分子材料よりなる第２平坦化膜５を形成し、更にこの上
に、導体コイルのめっき下地膜１８として例えばＣｒ／
Ｃｕをスパッタ成膜する。図中、中央の凹部は導体コイ
ルの端子形成位置付近に存在する。

【００４６】次いで、図１１に示すように、上記の下地
膜１８上に例えばネガ型のフォトレジスト膜１９を全面
に塗布する。

【００４７】次いで、図１２に示すように、フォトレジ
スト膜１９上にマスク２０をかけて導体コイルに対応し
たパターンに露光する。これにより、マスク２０の非マ
スク部２０ａの下部にあるフォトレジスト膜１９が照射
光Ｌで選択的に露光されて硬化する。

【００４８】次いで、図１３に示すように、上記のマス
ク２０を外し、フォトレジスト１９を現像処理すれば、
所定形状のレジストパターンが全域において設計通りに
残される。

【００４９】次いで、図１４に示すように、上記のレジ
ストパターンをマスクとして、例えばＣｕを電気めっき
する。これにより、フォトレジスト膜１９の遮蔽部１９
ｂ以外の孔部１９ａにおいて下地膜１８の表面上に導体
コイル７が例えば幅２μｍ、２μｍのピッチでスパイラ
ル状に形成される。

【００５０】次いで、図１５に示すように、有機溶剤を
用いてレジストパターンを除去する。これにより溝１７
を形成し、更に、この溝１７直下の下地膜１８をイオン
ミリング装置によりエッチングして、図１６に示すよう
に不要部分の下地膜１８を除去する。この作業により下
地膜１８下部の平坦化層の表面が導電性に変質するため
酸素アッシャーを行い平坦化膜変質層の除去を行う。

【００５１】そして、更に、導体コイル７を形成するた
めにめっきしためっき膜のうち不要なめっき膜をウエッ
トエッチングにて除去するためにカバーレジスト（図示
省略）を形成する。そして、硝酸を主成分とするエッチ
ャントにより不要なめっき膜を溶解し除去した後、カバ
ーレジストを有機溶剤を用いて除去する。

【００５２】次いで、図１７に示すように、上記の如く
形成した導体コイル７上にフォトレジストを塗布し、導
体コイル７の表面の平坦化を図るために、レジストをハ
ードキュアすることにより第３平坦化膜６を形成する。

【００５３】次いで、図１８に示すように、第３平坦化
膜６上に更にフォトレジストを塗布し、これをハードキ
ュアして第４平坦化膜８を形成する。

【００５４】上記した製造工程を経た磁気ヘッドに対し
て、前述した各リード線及び各パッドの台座の形成工程
に併せて前述したように磁気ヘッド１０の上層コア１３
及びコイル内側リード線９を同時に形成する。

【００５５】上述のようにして形成したパッド台座３２
ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ部には、上述した工程の
後、更にフォトレジストを塗布して各パッド台座上にス
ルーホールが形成され、Ｃｕ等により接続部となるパッ
ドが形成されてボンディングにより外部回路と接続され
る。

【００５６】図１９は上記の方法により形成された磁気
ヘッド１０の断面図である。そして、図示の如く、磁気
記録媒体の記録トラックに対向する対向面３１におい
て、共通コアとなる中間コア１１を境に下方がＭＲ再生
ヘッド部２８、上方がインダクティブ型記録ヘッド部２
９をなし、複合磁気ヘッド３０を構成している。

【００５７】そして、再生ヘッド２８においては、セン
ス電流がトラック幅方向と直交する方向に流れる、いわ
ゆる縦型のＭＲヘッドとして、その長手方向が磁気記録
媒体との対向面（磁気記録媒体摺動面）に対して垂直に
なり、かつその一方の端面が対向面に露出する状態にな
っている。

【００５８】上記コアの材質としては、軟磁性を示すも
のであれば、従来公知の材料が使用可能であるが、特
に、Ｎｉ−Ｆｅ系合金から構成されるのがよい。

【００５９】また、上記したような各膜の成膜方法とし
ては、従来公知のものがいずれも使用可能である。例え
ば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法等が挙げられるが、合金膜を成膜する場合には、
この合金の組成比に等しいターゲットを使用したスパッ
タリング法によって成膜することが好ましい。このスパ
ッタリング法としては、ＲＦマグネトロン方式、ＤＣマ
グネトロン方式、対向ターゲット方式等が有効である。

【００６０】本実施例によれば、めっきにより形成した
リード線２４、２５、２６、２７及びパッド台座３２
ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄを被覆しているレジストカ
バー３８により、除去されるべきめっき膜３４が囲まれ
て島状に孤立する領域がなく、めっき膜３４が連続して
形成される。従って、除去されるべきめっき膜３４をウ
エットエッチングによって除去する際に、除去されるべ
きめっき膜３４に対し、レジストカバーの内外への連通
部領域から全般に亘ってウエットエッチング液が浸透し
て供給されるので、除去されるべきめっき膜３４及びそ
の下部に存在する除去されるべき下地膜１８Ａも除去残
りすることなく除去することができる。

【００６１】図２１において前述した如く、従来の方法
では、ウエットエッチングの際に除去残りの原因となる
孤立領域４２が形成されることがある。これに対する対
策として、上記した第１の実施例はこのような孤立領域
を作らないようにしたものであるが、本発明者が検討を
加えた結果、仮に孤立領域４２が形成されることがあっ
ても、この領域が５００μｍ² 以上の面積を占めていれ
ば、エッチング液の作用が十分となり、孤立領域４２の
不要めっき部分３４及びその下地導電膜は完全に除去で
きることが判明した。

【００６２】即ち、本発明の第２の実施例によれば、孤
立領域４２が存在していてもこの面積を５００μｍ² 以
上と特定の大きさに限定していることが特徴的である。

【００６３】磁気ヘッドが真空薄膜形成技術の進歩に伴
い、狭トラック化や狭ギャップ化しますます小型化する
傾向の中で、例えば、限られたエリアにおいて、パッド
はボンディング性のために寧ろ現在より大きくしたい等
の制約はあるが、上記の如く孤立領域５００μｍ² 以上
に保つことはレイアウトやパターニング精度の向上によ
って実現可能である。

【００６４】本実施例によれば、レジストカバー３８に
囲まれ、島状に孤立した除去されるべきめっき膜３４が
形成されても、この孤立領域４２にもエッチング液が十
分に浸透し、ウエットエッチングの際に除去残りが生じ
ない。

【００６５】以上、本発明の実施例を説明したが、上述
した実施例は本発明の技術的思想に基づいて種々に変形
が可能である。

【００６６】例えば、現在、一列に配設されているプロ
ーバーの触針の配置に合わせてパッドを配設している
が、このプローバーの触針の配置を例えばジグザグ等一
列以外の配置にすることにより、パッドの配置もこれに
合わせれば前述した如き島状の孤立領域の形成を裂ける
ことができる。また孤立領域が形成されても５００μｍ
² 以上に保てる可能性が高くなる。

【００６７】また、上述の実施例における使用材料や構
成は種々であってよく、また、製造工程やエッチング方
法及び成膜方法も上述した実施例で述べたものに限定さ
れず、種々採用することができる。

【００６８】また、レジストフレーム形成の際のレジス
トは、ポジ型、ネガ型のいずれでもよい。下地導電膜や
めっき層の材質や層構成についても変更してよい。

【００６９】なお、本発明は、上述した実施例の複合型
薄膜磁気ヘッド以外の複合型薄膜磁気ヘッド、例えばＧ
ＭＲヘッド（巨大磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッ
ド）又はスピンバルブ膜を有するスピンバルブ型ヘッド
を組み込んだヘッドや、種類の異なるインダクティブヘ
ッドの複合体にも適用することが可能である。

【００７０】また、上述の実施例の如きフレームメめっ
きよる薄膜次磁気ッド以外に、上述した実施例と同様の
方法を適用すれば、例えば半導体デバイスの配線等の導
電体の作製にも適用が可能である。

【００７１】

【発明の作用効果】本発明は上述した如く、導電層のう
ち残されるべき第１部分と除去されるべき第２部分との
間を間隙を介して区分し、この間隙を含めて前記第１部
分の導電層をマスク層で被覆し、この被覆状態で前記第
２部分を前記マスク層の形成領域の内側から外側へ連通
させ、前記マスク層を用いて前記第２部分を選択的に除
去するので、例えば、ウエットエッチングによりこの第
２部分を除去する場合に、エッチング液が第２部分の全
てに供給され、除去残りさせることなく第２部分を除去
することができる。

【００７２】従って、例えば、これを磁気ヘッドの上層
コアと同時に形成するリード線及びパッド台座の形成に
応用すれば、島状に孤立した除去されるべきめっき膜の
領域が形成されず、ウエットエッチング液が除去される
べきめっき膜全般に十分に供給され除去されるべきめっ
き膜が残らず除去され、歩留りの向上と共に磁気ヘッド
の品質を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例による導電体の形成方法を示す
一製造工程におけるヘッドチップの平面図である。

【図２】同、他の一工程におけるヘッドチップの平面図
である。

【図３】同、他の一工程におけるヘッドチップの平面図
である。

【図４】同、他の一工程におけるヘッドチップの要部の
概略断面図（図３のIV−IV線断面図）である。

【図５】同、他の一工程におけるヘッドチップの要部の
概略断面図である。

【図６】同、他の一工程におけるヘッドチップの要部の
概略断面図である。

【図７】同、他の一工程におけるヘッドチップの要部の
概略断面図である。

【図８】同、他の一工程におけるヘッドチップの要部の
概略断面図である。

【図９】同、更に他の一工程におけるヘッドチップの要
部の概略断面図（図２のIX−IX線断面図）である。

【図１０】同、実施例による磁気ヘッドの一製造工程を
示す概略図断面図である。

【図１１】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図１２】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図１３】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図１４】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図１５】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図１６】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図１７】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図１８】同、更に他の一工程を示す概略断面図であ
る。

【図１９】同、磁気ヘッドの断面図である。

【図２０】従来例による導電体の形成方法を示す製造工
程におけるヘッドチップの平面図である。

【図２１】同、他の一工程におけるヘッドチップの平面
図である。

【図２２】同、他の一工程におけるヘッドチップの要部
の概略断面図（図２１のXXII−XXII線断面図）である。

【図２３】同、他の一工程におけるヘッドチップの要部
の概略断面図である。

【図２４】同、他の一工程におけるヘッドチップの要部
の概略断面図である。

【図２５】同、他の一工程におけるヘッドチップの要部
を拡大した概略平面図である。

【図２６】同、他の一工程におけるヘッドチップの要部
の概略断面図（図２５のXXVI−XXVI線断面図）である。

【図２７】同、更に他の一工程におけるヘッドチップの
概略断面図である。

【図２８】プローバーによる検査状態を示す斜視図であ
る。

【符号の説明】

１…基板、２…下層シールドコア、３…非磁性層、４…
第１平坦化膜、５…第２平坦化膜、６…第３平坦化膜、
７…導体コイル、８…第４平坦化膜、９…コイル内側端
子、１０…磁気ヘッド、１１…中間コア、１２…磁気ギ
ャップ、１３…上層コア、１４…ＭＲ膜、１５…その他
の層、１６…凹部、１７…溝、１８、１８Ａ…下地膜、
１９、３６…フォトレジスト、１９ａ…孔部、１９ｂ…
遮蔽部、２０、３７…マスク、２０ａ…非マスク部、２
１…コイル外側端子、２２…ＭＲ膜端子、２３…ＧＮＤ
端子、２４…コイル外側端子リード線、２５…ＭＲリー
ド線、２６…ＧＮＤリード線、２７…コイル内側端子リ
ード線、２８…再生ヘッド、２９…記録ヘッド、３０…
複合ヘッド、３１…メディア対向面、３２ａ〜３２ｄ…
パッド台座、３３…レジストフレーム、３４…めっき
膜、３５…溝、３８…レジストカバー、４０…チップ、
４１…連通部、４２…孤立部、４３…プローバー、４４
…触針

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持体上に設けた導電層の不要部分を除
   去して所定パターンの導電体を形成するに際し、前記導
   電層のうち残されるべき第１部分と除去されるべき第２
   部分との間を間隙を介して区分し、この間隙を含めて前
   記第１部分の導電層をマスク層で被覆し、この被覆状態
   で前記第２部分を前記マスク層の形成領域の内側から外
   側へ連通させ、前記マスク層を用いて前記第２部分を選
   択的に除去する、導電体の形成方法。
2. 【請求項２】 前記マスク層を用いて前記第２部分を湿
   式エッチングして選択的に除去する、請求項１に記載し
   た形成方法。
3. 【請求項３】 支持体上に下地導電膜を介して所定パタ
   ーンの導電体を形成するに際し、 前記下地導電膜上に第１のマスク材料層を形成する工程
   と、 この第１のマスク材料層を選択的に加工して第１のマス
   ク層を形成する工程と、 この第１のマスク層のない非マスク領域において前記下
   地導電膜上に導電体材料層を被着する工程と、 前記第１のマスク層を除去し、更に除去部直下の前記下
   地導電膜を除去して、前記導電体材料層と前記下地導電
   膜とを通して所定パターンの溝を前記第１のマスク層の
   パターンに対応して形成する工程と、 前記溝に第２のマスク層を充填すると共に、除去される
   べき前記導電体材料層及び前記下地導電膜を島状に孤立
   させずに、残されるべき前記導電体材料層上も前記第２
   のマスク層で被覆する工程と、 前記第２のマスク層を用いて、この第２のマスク層のな
   い非マスク領域に存在する前記導電体材料層及び前記下
   地導電膜を除去する工程とを行う、請求項１に記載した
   形成方法。
4. 【請求項４】 前記第１のマスク層を用いて前記導電体
   材料層を被着する際、この導電体材料層のうち除去され
   るべき部分を前記第２のマスク層の充填後に島状に孤立
   させないようにした、請求項３に記載した形成方法。
5. 【請求項５】 前記導電体材料層をフレームめっきで形
   成する、請求項１に記載した形成方法。
6. 【請求項６】 前記マスク層を除去する工程を更に行
   う、請求項１に記載した形成方法。
7. 【請求項７】 支持体上に設けた導電層の不要部分を除
   去して所定パターンの導電体を形成するに際し、前記導
   電層のうち残されるべき第１部分と除去されるべき第２
   部分との間を間隙を介して区分し、この間隙を含めて前
   記第１部分の導電層をマスク層で被覆し、この被覆状態
   で前記マスク層の形成領域の内側に存在する前記第２部
   分の占有面積を５００μｍ² 以上とし、前記マスク層を
   用いて前記第２部分を選択的に除去する、導電体の形成
   方法。
8. 【請求項８】 前記マスク層を用いて前記第２部分を湿
   式エッチングして選択的に除去する、請求項７に記載し
   た形成方法。
9. 【請求項９】 支持体上に下地導電膜を介して所定パタ
   ーンの導電体を形成するに際し、 前記下地導電膜上に第１のマスク材料層を形成する工程
   と、 この第１のマスク材料層を選択的に加工して第１のマス
   ク層を形成する工程と、 この第１のマスク層のない非マスク領域において前記下
   地導電膜上に導電体材料層を被着する工程と、 前記第１のマスク層を除去し、更に除去部直下の前記下
   地導電膜を除去して、前記導電体材料層と前記下地導電
   膜とを通して所定パターンの溝を前記第１のマスク層の
   パターンに対応して形成する工程と、 前記溝に第２のマスク層を充填すると共に、残されるべ
   き前記導電体材料層上も前記第２のマスク層で被覆する
   工程と、 前記第２のマスク層を用いて、この第２のマスク層のな
   い非マスク領域に存在する前記導電体材料層及び前記下
   地導電膜を除去する工程とを行う、請求項７に記載した
   形成方法。
10. 【請求項１０】 前記導電体材料層をフレームめっきで
    形成する、請求項７に記載した形成方法。
11. 【請求項１１】 前記マスク層を除去する工程を更に行
    う、請求項７に記載した形成方法。
12. 【請求項１２】 基板上に下層導電膜を介して、請求項
    １〜１１のいずれか１項に記載した方法によって上層コ
    アを含む導電体を形成する、磁気ヘッドの製造方法。
13. 【請求項１３】 下層コアと導体コイルと上層コアとか
    らなる記録ヘッド部と、磁気抵抗効果素子を有する再生
    ヘッド部とが一体化された薄膜磁気ヘッドとからなる複
    合ヘッドを製造する、請求項１２に記載した製造方法。
14. 【請求項１４】 導電体を外部回路との接続部として形
    成する、請求項１２に記載した製造方法。