JPH10124826A - 導電体の形成方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 導電体の形成過程において、導電体に変形部
が発生することを抑制し、導電体の形状不良や製品の外
観不良等を生じない導電体の形成方法及びこの導電体を
有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること。 【解決手段】 下地導電膜１８上に低粘度の第１の感光
材料層１７を塗布後に、高粘度の第２の感光材料層１６
ｂを塗布して２層構造のレジスト層を形成する。これに
より、第１の感光材料層１７の低粘度の材料が下地導電
膜１８の全面に亘って塗布され、例えば下地導電膜１８
の凹部等に空気の残留による気泡の発生を防ぐため、正
常な導電体の形成が可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導電体（例えば、
再生ヘッド部と記録ヘッド部とが一体化した複合磁気ヘ
ッドの電極端子と外部回路との接続部としての導電体）
の形成方法及びこれを用いた磁気ヘッドの製造方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、薄膜磁気ヘッドは、磁性膜、絶
縁膜等の薄膜層が多層に積層され、さらに導体コイルや
リード線が形成されてなる磁気ヘッドである。

【０００３】この薄膜磁気ヘッドは、真空薄膜形成技術
により形成されるため、狭トラック化や狭ギャップ化等
の微細寸法化が容易であり、また高分解能記録が可能で
あるという特徴を有しており、高密度記録化に対応した
磁気ヘッドとして注目されている。

【０００４】例えば、磁気記録媒体に情報信号の記録、
再生を行うタイプの薄膜磁気ヘッドとしては、フェライ
ト等の酸化物磁性材料からなる基板上に、真空薄膜形成
技術によって導体コイル及び磁性体膜が形成されて構成
されたものがある。

【０００５】例えば、記録用の薄膜磁気ヘッドとして好
適なものとしては、いわゆるインダクティブ型の磁気ヘ
ッドがある。この磁気ヘッドは、フェライト等の酸化物
磁性材料からなる基板上に軟磁性体層よりなる下層コア
が形成され、この上に下層コアと導体コイルとの絶縁を
図るための絶縁層又は平坦化層が成膜され、さらにこの
表面上には磁気ヘッドに電磁変換作用によって信号を供
給するための導体コイルがスパイラル状に形成されてい
る。

【０００６】そして、表面の平坦化を図るために上記の
平坦化層がレジスト等の高分子材料によって成膜され、
平坦化された前記平坦化層の上に軟磁性体層よりなる上
層コアが形成されて、上記インダクティブヘッドが構成
されている。

【０００７】このようなインダクティブ型磁気ヘッドは
記録用として、例えば再生用の磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッド（薄膜ＭＲヘッド又は薄膜磁気抵抗効果ヘッド）
と共に図１５の如く複合型の薄膜磁気ヘッドを構成し、
ハードディスクドライブに搭載され、利用されている。

【０００８】しかし、このような磁気ヘッドにもまだ改
善の余地が多く、各種の改善案が提案されているところ
であるが、製造過程においても以下に述べるような問題
が存在していることが分かった。

【０００９】上記した磁気ヘッドは、これらの基板であ
るところの例えばアルチック材からなるウエハー上に多
数が同時に形成された上で、単一のヘッドチップとして
切り出されるものであるが、複合型の磁気ヘッドは図１
５に示すような積層構造（詳細の説明は後述する）にな
っている。

【００１０】図１６は、上記したヘッドチップ３５の概
略の平面図である。図示の如く、磁気ヘッド３０はは基
板１上の概ね半分の領域に形成され、磁気ヘッド３０の
一端の非磁性層３の上には、導体コイル７の外側電極７
ａ、ＭＲ素子の電極１５、接地電極２２が導出されてそ
れぞれの端子を形成している。一方、導体コイル７の芯
側の電極７ｂからは導電体（図示省略）を介してリード
線９が形成され、また、上記の各端子からはリード線１
０、３１、３２が上記した導体コイル芯側のリード線９
と共に磁気ヘッド３０の反対側の基板１上へ導出して形
成される。

【００１１】そして、リード線９、１０、３１、３２の
先端にはパッドの台座となる電極９Ａ、１０Ａ、３１
Ａ、３２Ａがそれぞれに形成されるが、これらは上層コ
ア１３と共にフレームめっきによっと同時に形成され
る。そして更に、先端の各電極９Ａ、１０Ａ、３１Ａ、
３２Ａの上には後述する導電体としてのパッド２３ａ、
２３ｂ、２３ｃ、２３ｄが形成され、これらのパッドか
らボンディングによって外部回路に接続される。

【００１２】上記のように形成されたヘッドチップ３５
は、ボンディングの前にプローバー（測定器）を用いて
配線間の短落等の検査が行われるが、図１６の場合は、
各電極９Ａ、１０Ａ、３１Ａ、３２Ａの配置が方形に配
置されたプローバーの触針と同様の配置になっている。
しかし、プローバーの触針は一列に配置されているもの
もあり、図１７は、触針が一列配置のプローバーに合わ
せて各電極９Ａ、１０Ａ、３１Ａ、３２Ａを配設したヘ
ッドチップ３５Ａを示している。

【００１３】上記したこれらの各電極９Ａ、１０Ａ、３
１Ａ、３２Ａは、後述する製造工程を経て外部回路と接
続させるための導電体が形成されるが、導電体に変形部
が生じるなどの不具合を発生させることがある。図１８
〜２６はこの形成過程を示す概略的な従来の製造工程図
である。

【００１４】以下の各図は、図１６又は図１７における
電極９Ａ、１０Ａ、３１Ａ、３２Ａ上に導電体が形成さ
れる過程を示している。従って、例えば、図１６におけ
る電極９ＡのＡ−Ａ線断面に例えて説明するが、他の電
極についても共通する。

【００１５】まず、図示省略した図１８以前の形成過程
においては、リード線９、１０、３１、３２及びその先
端の電極９Ａ、１０Ａ、３１Ａ、３２Ａを含む基板１の
上に、膜厚を保持するために１層目の高粘度レジスト膜
（以下、単にレジスト膜と称することがある。）１６ａ
が１５〜２０μｍの膜厚に塗布される。この高粘度レジ
スト膜１６ａは、スピンナー塗布によって４０００ｒｐ
ｍで約９μｍ塗布することの出来るレジストであり、条
件設定により所要の膜厚を形成することができる。

【００１６】上記のようにして１層目のレジスト１６ａ
を塗布した後、フォトリソグラフィ技術により電極９Ａ
上に図１８（ａ）の如く接続端子孔２０を形成し、電極
９Ａの一部を露出させる。

【００１７】そして、この露出した電極９Ａ及び接続端
子孔２０を含む高粘度レジスト膜１６ａの全面に、図１
８（ｂ）の如くスパッタリングによりＴｉ／Ｃｕからな
る下地導電膜１８を成膜する。

【００１８】次に、図１８（ｃ）の如く、下地導電膜１
８上に、上記した１層目との合計膜厚が約４０μｍとな
るように２層目の高粘度レジスト膜１６ｂ’を塗布す
る。この２層目の材料も１層目と同じ高粘度レジストで
あり、レジスト膜厚は１層目の膜厚を上回るような条件
設定により形成することができる。

【００１９】しかし、図１８（ｃ）に示すように、この
２層目のレジスト塗布工程においては、接続端子孔２０
の底面の角に空気が閉じ込められる現象が起こり、図示
の如く気泡２１が発生することがある。これはレジスト
の材料が高粘度であるため、接続端子孔２０の凹部にレ
ジスト材料が流れ込む際、下地導電膜１８の濡れ性が悪
いことに起因するものであり、前述した不具合の原因と
なっている。

【００２０】レジスト膜形成後は、図１９のように、レ
ジスト膜１６ｂ’の上にクロームマスク１９Ｂを掛けて
選択露光する。従って、マスク１９Ｂのマスク部１９ａ
以外の透明な非マスク部１９ｂ下部の高粘度レジスト１
６ｂ’が露光光Ｌにより露光される。図において、破線
は露光部と非露光部との境界を示している。

【００２１】露光後は、図２０のように、マスク１９Ｂ
を外し、レジスト膜１６ｂ’を現像処理することにより
スルーホール２０Ｂが形成されるが、上記のように閉じ
込められた気泡２１の跡が変形部２１Ａとなって形成さ
れてしまう。

【００２２】そして、上記のように形成されたスルーホ
ール２０Ｂの中へ図２１のように、Ｃｕめっきにより導
電体２３ａを形成するが、当然の如くに上記変形部２１
Ａの中にもＣｕめっき膜が成長し突出部２５が形成され
る。

【００２３】導電体２３ａ形成後はレジスト膜１６ｂを
溶解除去することにより、図２２のように、導電体２３
ａが露出する。図２２（ａ）はその断面図（（ｂ）のａ
−ａ線断面図）、（ｂ）は導電体の平面図、（ｃ）は導
電体の斜視図を示している。この図においては（ｂ）の
平面図の如く、導電体２３ａの両側に各１ケ所に発生し
ている状況を示しているが、このような変形した突出部
２５は不規則に発生する。

【００２４】レジスト膜１６ｂ’除去後は、図２３の如
く、更に下地導電膜１８をドライエッチングにより除去
し、１層目の高粘度レジスト膜１６ａをＲＩＥ（リアク
ティブ・イオン・エッチング）により除去する。しか
し、図示の如く、突起部２５側面部の下地導電膜１８も
除去されずに残ってしまうことがある。

【００２５】上記のようにして形成された導電体２３ａ
には、図２４の如く、これを保護するためのアルミナか
らなる保護膜２６で磁気ヘッド３０を含むヘッドチップ
３５全体を被覆した後、導電体２３ａの上面を所定の厚
さｔだけ研磨して図２５のように導電体２３ａの上面を
露出させる。

【００２６】このようにして形成された導電体２３ａに
は、図２６の如く、ボンディングワイヤ２７が接続され
て外部回路と接続されるが、図示の如く、導電体２３ａ
は突起部２５を有したまま製品化される結果となる。

【００２７】しかし、上記のように、導電体２３ａに突
起部２５が形成されたまま製品化されれば、性能上支障
があると共に、外部から観察できる場所に上記の如き突
起部２５が存在するために製品の外観性（商品価値）を
損ねることになる。

【００２８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる事情
に鑑みてなされたものであって、製造過程において導電
体に突起部の発生を効果的に抑制し、形状不良や外観不
良等を生じない導電体の形成方法を提供することを目的
とするものである。

【００２９】また、本発明の他の目的は、このような製
造方法を磁気ヘッドに応用し、外観性の向上により、歩
留りの低下を低減させると共に、品質及び特性面でも価
値を高めることのできる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供することにある。

【００３０】本発明における薄膜磁気ヘッドとは、複合
型の薄膜磁気ヘッドのみならず、記録用又は再生用の薄
膜磁気ヘッド等をも包含する意味である。

【００３１】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の突起
部の如き外観不良を発生させないために種々の方法を試
み、上記の目的を達成するために鋭意検討を重ねた結
果、これまで未解決であった上述の突起部の如き外観不
良を発生させない効果的な方法を見出し、本発明に到達
したものである。

【００３２】即ち、本発明は、下層導電膜上に導電体を
所定パターンに形成するに際し、前記下層導電膜に接す
る第１の感光材料層を形成する工程と、前記第１の感光
材料層上に、この感光材料層よりも粘度の高い第２の感
光材料層を積層する工程と、前記第２及び第１の感光材
料層を選択的に除去して前記下層導電膜を所定パターン
に露出させる工程と、この露出した下層導電膜上に導電
体を被着する工程とを実施する、導電体の形成方法に係
るものである。

【００３３】また、本発明は、下層コアと導体コイルと
上層コアとからなる記録ヘッド部と、磁気抵抗効果素子
を有する再生ヘッド部とが一体化された薄膜磁気ヘッド
とからなる複合ヘッドの製造方法に係るものである。

【００３４】ここで「第１の」又は「第２の」感光材料
層とは、積層数に拘らず、感光材料層が下層導電膜に接
する部分、又はこの部分及び中間層が第１部分であり、
この第１部分以外の中間層、又はこの中間層及び最上層
が第２部分である。従って、例えば感光材料層が３層以
上であっても下層導電膜に接する最下層は第１部分、２
層目以上は第２部分となることを意味する。

【００３５】上記の如く、低粘度レジスト材を塗布した
上に高粘度レジスト材を塗布することにより、接続端子
孔凹部の濡れ性が高められる。従って、低粘度レジスト
材を塗布する際、凹部に空気が閉じ込められることがあ
るが、低粘度のレジスト材は濡れ性が良いため空気が排
出されて残らない。このため、めっきにより正常な導電
体が形成され、外観不良がなくなり歩留りが向上する。

【００３６】

【発明の実施の形態】本発明による導電体の形成方法に
おいては、具体的には、第１の感光材料層に低粘度の感
光材料を用い、第２の感光材料層に前記第１の感光材料
層よりも高粘度の感光材料を用いることが望ましい。

【００３７】この場合、低粘度の感光材料の粘度が６．
５０ｃＰ〜８．６０ｃＰであり、高粘度の感光材料の粘
度が１４００ｃＰ〜２０００ｃＰのフォトレジストを用
いることが望ましい。

【００３８】また、電極上に導電体を形成するに際し、
前記電極上に感光材料層を塗布する工程と、前記感光材
料層を所定パターンに選択露光及び現像処理して、前記
電極を露出させスルーホールを形成する工程と、前記ス
ルーホールを含めて前記電極上に下地導電膜を形成する
工程と、前記下地導電膜上に、それに接して低粘度の第
１の感光材料層を形成する工程と、前記第１の感光材料
層に、この感光材料層よりも高粘度の第２の感光材料層
を積層する工程と、前記第１の感光材料層と前記第２の
感光材料層との積層体を所定パターンのマスクで覆う工
程と、このマスクを用いて前記積層体をパターニング
し、前記電極上の非マスク部分に前記下地導電膜を選択
的に露出させる工程と、前記非マスク部分に露出した前
記下地導電膜上にめっきにより導電体を所定パターンに
形成する工程とを実施することが望ましい。

【００３９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
においては、基板上に下層導電膜としての電極を設け、
この電極上に、上記した方法によって導電体を形成する
ことが望ましい。

【００４０】この場合、電極上に感光材料層を絶縁層と
して形成し、この絶縁層に前記電極を露出させるスルー
ホールを形成し、このスルーホールを含む前記電極上に
下地導電膜を形成し、この下地導電膜上に導電体を形成
することが望ましい。

【００４１】これにより、複合型の薄膜磁気ヘッドにお
ける記録ヘッド部の導体コイルの電極端子と、再生ヘッ
ド部の磁気抵抗効果素子のリード電極端子との少なくと
も一方に相当する下層コア上の電極上に導電体を外部回
路との接続部として形成することが可能となる。

【００４２】ここで、外部回路としては、ヘッドへの信
号の供給、及び磁界の検出のための回路を意味する。

【００４３】

【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
るが、本発明が以下の実施例に限定されるものでないこ
とは勿論である。

【００４４】図１〜図１４は、本実施例による導電体の
形成方法を示す製造工程図であり、前記した如く、図１
６における電極９Ａ、１０Ａ、３１Ａ、３２Ａ上に導電
体を形成するものである。従って、本実施例において前
述した従来例と共通の部材については同一の符号を用い
る。

【００４５】本実施例においても、図１６における電極
９ＡのＡ−Ａ線断面に例えて説明する。従って、図１
は、まず、リード線９、１０、３１、３２及びその先端
の電極９Ａ、１０Ａ、３１Ａ、３２Ａを含む基板１の上
に高粘度のレジスト材料を１５〜２０μｍの膜厚に塗布
し、膜厚を保持するための１層目の高粘度レジスト膜１
６ａを形成した状態の電極９Ａを示している。そして、
この高粘度レジスト膜１６ａは、スピンナー塗布するこ
とにより４０００ｒｐｍで約９μｍ塗布することのでき
るレジスト材であり、塗布条件を設定することにより所
要の膜厚を形成している。

【００４６】次いで、図２に示すように、クロームマス
ク１９Ａのマスク部１９ａが電極９Ａの上部に当たるよ
うに掛けて露光する。これにより、クロームマスク１９
Ａの透明な非マスク部１９ｂ下部の高粘度レジスト１６
ａが露光光Ｌによって露光される。

【００４７】次いで、クロームマスク１９Ａを取外し、
露光した高粘度レジスト１６ａを現像処理し、図３のよ
うに、電極９Ａ上に接続端子孔２０を形成して電極９Ａ
の一部を露出させる。

【００４８】次いで、図４のように、露出した電極９Ａ
及び接続端子孔２０を含む高粘度レジスト膜１６ａの全
面に、スパッタリングによりＴｉ／Ｃｕからなる下地導
電膜１８を成膜する。

【００４９】次いで、図５のように、下地導電膜１８の
凹凸を覆う程度の薄い膜厚に２層目として低粘度のレジ
スト膜１７を形成する。この低粘度レジスト材の粘度は
６．５０ｃＰ〜８．６０ｃＰのものであり、好ましくは
７．５０ｃＰである方が良い。また、この膜厚ｔ₁ （図
６参照）は０．６〜１μｍが良く、好ましくは０．８μ
ｍである方が良い。これにより、下地導電膜１８の凹部
角にも、低粘度レジスト材が浸透し空気を排出すると共
に、この凹部の平坦性を高めるため後述する高粘度レジ
ストの塗布性が良くなる。

【００５０】次いで、図６のように、上記した２層目の
低粘度レジスト膜１７の上に３層目の高粘度レジスト膜
１６ｂを形成する。この高粘度レジスト材の粘度は１４
００ｃＰ〜２０００ｃＰのものであり、好ましくは１７
００ｃＰである方が良い。また、膜厚ｔ₂ は、例えば２
０μｍ−ｔ₁ の厚さとし、１層目のレジスト膜１６ａか
ら３層目のレジスト膜１６ｂまでの合計膜厚ｔ₃ は例え
ば４０μｍになる方が良い。

【００５１】このように、本実施例による導電体の形成
方法は、下地導電膜１８上に接する部分に第１のレジス
ト膜１７として低粘度のレジスト材料により薄いレジス
ト膜を形成し、その低粘度のレジスト膜１７を介して高
粘度のレジスト膜１６ｂを形成していることが特筆すべ
き特徴である。

【００５２】従って、これらのレジスト膜１７、１６ｂ
を露光現像の際に、露光不足等により低粘度のレジスト
膜１７が垂れることのないよう、低粘度のレジスト膜１
７は薄く形成されている。このように低粘度のレジスト
膜１７は薄く形成しても下地導電膜１８の凹部の空気を
排出する十分な効果を発揮する。

【００５３】また、本実施例においては、下地導電膜１
８上のレジスト膜として低粘度のレジスト膜１７を成膜
後に高粘度のレジスト膜１６ｂを形成しているが、上記
した低粘度と高粘度の間に中粘度のレジスト膜を設けて
もよい。図６において一点鎖線は中粘度のレジスト膜を
設けた場合を示している。

【００５４】次いで、図７に示すように、最上部のレジ
スト膜１６ｂ上にクロームマスク１９Ｂのマスク部１９
ａが電極９Ａの上部になるように掛けて露光する。これ
により、クロームマスク１９Ｂの透明な非マスク部１９
ｂ下部のレジスト膜１６ｂ、１７が露光光Ｌによって露
光される。図７において、破線は露光部と非露光部との
境界を示している。

【００５５】次いで、クロームマスク１９Ｂを取外し、
露光したレジスト膜１６ｂ、１７を現象処理することに
より、図８のように、下地導電膜１８の一部が露出した
正常なスルーホール２０Ａが形成される。

【００５６】次いで、図９のように、形成したスルーホ
ール２０Ａにめっきにより導電体２４ａを形成した後、
レジスト膜１６ｂ、１７を溶解して除去することによ
り、図１０の如く、正常な導電体２４ａが露出する。図
１０（ａ）は断面図（（ｂ）のａ−ａ線断面図）、
（ｂ）は導電体の平面図、（ｃ）は導電体の斜視図を示
している。

【００５７】次いで、図１１に示すように、レジスト膜
除去後の下地導電膜１８をドライエッチングにより除去
し、１層目の高粘度レジスト膜１６ａをＲＩＥ（リアク
ティブ・イオン・エッチング）により除去する。

【００５８】次いで、図１２のように、上記のようにし
て形成された導電体２４ａを保護するためのアルミナか
らなる保護膜２６で磁気ヘッド３０を含むヘッドチップ
３５全体を被覆した後、導電体２４ａの上面を所定の厚
さｔだけ研磨して図１３のように導電体２４ａの上面を
露出させる。

【００５９】そして、図１４のように、上記の方法によ
り形成した導電体２４ａに、ボンディングワイヤ２７を
接続して、外部回路と接続する。従って、従来例におけ
るような突起部のない導電体２４ａが形成される。

【００６０】図１５は、上記したような導電体の形成方
法により完成した複合型の薄膜磁気ヘッド３０の断面図
（図１６のＢ−Ｂ線断面に対応する図）である。

【００６１】即ち、図１５に示すように、例えばアルチ
ック材からなる基板１上に例えばＦｅ−Ｎｉの混合物か
らなる下層シールドコア２及び例えばアルミナからなる
非磁性再生ギャップ材３が積層され、メディア対向面３
９に臨むように設けた再生ヘッド部２８を構成するＮｉ
−Ｆｅ系等のＭＲ膜１４が形成され、このＭＲ膜１４上
には、例えばＳｉＯ₂ からなる絶縁層、Ｃｕからなるリ
ード電極やバイアス媒体及びＳｉＯ₂ からなる絶縁層の
積層体からなる層３１が形成され、更に中間コア１１、
Ｔｉからなる記録ギャップ材１２、第２平坦化膜５、導
体コイル７、第３平坦化膜６、第４平坦化膜８、Ｆｅ−
Ｎｉ合金からなる共通コアとなる上層コア１３及び保護
膜２６をこの順に、積層したものである。

【００６２】本実施例によれば、上記したように、下地
導電膜１８上に更に積層するレジスト膜１６ｂを形成す
るに際し、まず、下地導電膜１８に接する部分に第１の
レジスト膜１７として低粘度のレジスト材を予め塗布し
ているので、下地導電膜１８に形成されたスルーホール
の凹部の角にも低粘度のレジスト材が浸透する。

【００６３】従って、レジスト材の塗布により空気が閉
じ込められて残留することもなく、この上に積層される
高粘度のレジスト膜１６ｂの平坦性が高められた凹部に
容易に塗布される。しかも、低粘度のレジスト膜１７が
薄いため露光不足することもなく、スルーホール形成の
際に垂れず、正常なスルーホールの下で正常な導電体２
４ａを形成することができる。

【００６４】以上、本発明の実施例を説明したが、上述
した実施例は本発明の技術的思想に基づいて各種の変形
が可能である。

【００６５】例えば、上述の実施例における使用材料、
粘度及び構成は種々であってよく、製造工程としてスル
ーホールの形成方法及び成膜方法も上述の実施例で述べ
たものに限定されず、種々採用することができる。

【００６６】従って、例えば、上述した実施例の如き下
地導電膜上に低粘度、高粘度の順に形成した２層のレジ
スト膜を、低粘度、中粘度、高粘度の３層構造にしても
良く、またはそれ以上の粘度別に区分した多層構造にす
ることもできる。

【００６７】なお、本発明は、上述した実施例の複合型
薄膜磁気ヘッド以外の複合型薄膜磁気ヘッド、例えばＧ
ＭＲヘッド（巨大磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッ
ド）又はスピンバルブ膜を有するスピンバルブ型ヘッド
を組み込んだヘッドや、種類の異なるインダクティブヘ
ッドの複合体にも適用することが可能である。

【００６８】また、上述の実施例の如きフレームめっき
による薄膜磁気ヘッド以外に、上述した実施例と同様の
工程を適用すれば、例えば半導体デバイスの配線等の導
電体の作製にも適用可能である。

【００６９】

【発明の作用効果】本発明は、上述した如く、下層導電
膜上に第１の感光材料層を形成し、この第１の感光材料
層上にこの感光材料層よりも粘度の高い第２の感光材料
層を積層し、これらの第２及び第１の感光材料層を選択
的に除去して前記下層導電膜を所定パターンに露出さ
せ、この露出した下層導電膜上に導電体を被着して導電
体を形成するので、濡れ性の良い低粘度の前記第１の感
光材料層が前記下層導電膜に接することになり、この下
層導電膜面の全般に亘って前記第１の感光材料層の材料
を配することができる。

【００７０】従って、例えば、前記下層導電膜上にスル
ーホールの如き凹部が存在する場合でも、この第１の感
光材料層を形成する低粘度の材料が前記凹部の全てに浸
透するため、この凹部に空気の残留による気泡を生じさ
せることがなく、かつこの凹部の平坦性が高められる。

【００７１】これにより、前記第１の感光材料層上に前
記高粘度の第２の感光材料層を積層し易くなり、これを
選択露光して露出させた下層導電膜上に被着形成する導
電体を正常に形成することができる。

【００７２】従って、これを例えば薄膜磁気ヘッドのリ
ード電極の導電体形成に応用すれば、形状不良がなく好
適な形状の導電体が形成され、歩留りの向上と共に薄膜
磁気ヘッドの性能を向上させ、商品価値を高めることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例による導電体の形成方法を示す
製造工程の概略断面図である。

【図２】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図３】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図４】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図５】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図６】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図７】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図８】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図９】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図１０】同、他の一工程を示す概略図であり、（ａ）
は断面図、（ｂ）は要部の平面図、（ｃ）は要部の斜視
図である。

【図１１】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図１２】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図１３】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図１４】同、更に他の一工程を示す概略断面図であ
る。

【図１５】同、薄膜磁気ヘッドの断面図（図１６のＢ−
Ｂ線断面に対応する図）である。

【図１６】導電体の形成方法を示す一製造工程における
ヘッドチップの概略平面図である。

【図１７】同、他のヘッドチップの概略平面図である。

【図１８】従来例による導電体の形成方法を示す製造工
程の概略断面図であり、（ａ）はその一工程を示し、
（ｂ）は次の工程を示し、（ｃ）は更に次の工程を示す
図である。

【図１９】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図２０】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図２１】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図２２】同、他の一工程を示す概略図であり、（ａ）
は断面図、（ｂ）は要部の平面図、（ｃ）は要部の斜視
図である。

【図２３】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図２４】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図２５】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図２６】同、更に他の一工程を示す概略断面図であ
る。

【符号の説明】

１…ガラス基板、２…下層シールドコア、３…非磁性
層、４…第１平坦化膜、５…第２平坦化膜、６…第３平
坦化膜、７…導体コイル、７ａ…コイル外側電極、７ｂ
…コイル芯側電極、８…第４平坦化膜、９、１０、３
１、３２…リード線、９Ａ、１０Ａ、３１Ａ、３２Ａ…
電極、１１…中間コア、１２…磁気ギャップ、１３…上
層コア、１４…ＭＲ膜、１５…ＭＲ電極、１６ａ…１層
目高粘度レジスト、１６ｂ…２層目高粘度レジスト、１
７…低粘度レジスト、１８…下地導電膜、１９Ａ、１９
Ｂ…マスク、１９ａ…マスク部、１９ｂ…非マスク部、
２０、２０Ａ、２０Ｂ…スルーホール、２１…気泡、２
１Ａ…変形部、２２…接地電極、２３ａ〜２３ｄ、２４
ａ…導電体（パッド）、２５…突起、２６…保護膜、２
７…ボンディングワイヤ、２８…再生ヘッド、２９…記
録ヘッド、３０…複合型磁気ヘッド、３５、３５Ａ…ヘ
ッドチップ

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下層導電膜上に導電体を所定パターンに
   形成するに際し、 前記下層導電膜に接する第１の感光材料層を形成する工
   程と、 前記第１の感光材料層上に、この感光材料層よりも粘度
   の高い第２の感光材料層を積層する工程と、 前記第２及び第１の感光材料層を選択的に除去して前記
   下層導電膜を所定パターンに露出させる工程と、 この露出した下層導電膜上に導電体を被着する工程とを
   行う、導電体の形成方法。
2. 【請求項２】 第１の感光材料層に低粘度の感光材料を
   用い、第２の感光材料層に前記第１の感光材料層よりも
   高粘度の感光材料を用いる、請求項１に記載した形成方
   法。
3. 【請求項３】 低粘度の感光材料の粘度が６．５０ｃＰ
   〜８．６０ｃＰであり、高粘度の感光材料の粘度が１４
   ００ｃＰ〜２０００ｃＰである、請求項２に記載した形
   成方法。
4. 【請求項４】 感光材料がフォトレジストである、請求
   項１に記載した形成方法。
5. 【請求項５】 電極上に導電体を形成するに際し、 前記電極上に感光材料層を塗布する工程と、 前記感光材料層を所定パターンに選択露光及び現像処理
   して、前記電極を露出させスルーホールを形成する工程
   と、 前記スルーホールを含めて前記電極上に下地導電膜を形
   成する工程と、 前記下地導電膜上に、それに接して低粘度の第１の感光
   材料層を形成する工程と、 前記第１の感光材料層に、この感光材料層よりも高粘度
   の第２の感光材料層を積層する工程と、 前記第１の感光材料層と前記第２の感光材料層との積層
   体を所定パターンのマスクで覆う工程と、 このマスクを用いて前記積層体をパターニングし、前記
   電極上の非マスク部分に前記下地導電膜を選択的に露出
   させる工程と、 前記非マスク部分に露出した前記下地導電膜上にめっき
   により導電体を所定パターンに形成する工程とを実施す
   る、請求項１に記載した形成方法。
6. 【請求項６】 基板上に下層導電膜としての電極を設
   け、この電極上に、請求項１〜５のいずれか１項に記載
   した方法によって導電体を形成する、薄膜磁気ヘッドの
   製造方法。
7. 【請求項７】 電極上に感光材料層を絶縁層として形成
   し、この絶縁層に前記電極を露出させるスルーホールを
   形成し、このスルーホールを含む前記電極上に下地導電
   膜を形成し、この下地導電膜上に導電体を形成する、請
   求項６に記載した製造方法。
8. 【請求項８】 下層コアと導体コイルと上層コアとから
   なる記録ヘッド部と、磁気抵抗効果素子を有する再生ヘ
   ッド部とが一体化された薄膜磁気ヘッドとからなる複合
   ヘッドを製造する、請求項６に記載した製造方法。
9. 【請求項９】 基板上の電極が、記録ヘッド部の導体コ
   イルの電極端子と、再生ヘッド部の磁気抵抗効果素子の
   リード電極端子との少なくとも一方に相当する、請求項
   ７に記載した製造方法。
10. 【請求項１０】 電極上の導電体を外部回路との接続部
    として形成する、請求項９に記載した製造方法。