JP2001076320A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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JP2001076320A JP24922099A JP24922099A JP2001076320A JP 2001076320 A JP2001076320 A JP 2001076320A JP 24922099 A JP24922099 A JP 24922099A JP 24922099 A JP24922099 A JP 24922099A JP 2001076320 A JP2001076320 A JP 2001076320A
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芳高 佐々木
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Abstract

(57)【要約】 【解決すべき課題】 磁極部分の微細化構造を精度良く
形成できるようにエイペックスアングルθを小さくして
も、スロートハイト零の基準位置ＴＨ0から薄膜コイル
の外周縁までの距離Ｌ0を短くして記録効率を向上する
ことができ、磁路長Ｌ1を短縮してＮＬＴＳ特性や高周
波数特性を良好とすることができる薄膜磁気ヘッドを提
供する。 【解決手段】 下部ポールチップおよび下部ポールを構
成する第１の磁性層２４の凹部２４ａに少なくとも部分
的に埋設するように薄膜コイル３０を形成し、そのコイ
ル巻回体を絶縁分離した状態で支持する絶縁層３１、３
２を凹部の外周縁を越えてスロートハイト零の基準位置
ＴＨ0まで延在させているので、エイペックスアングル
θを小さくしてもスロートハイト零の基準位置から薄膜
コイルの外周縁までの距離Ｌ0を短くでき、したがって
磁路長Ｌ1を短くできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法に関するもので、特に書き込み用の誘
導型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴い、薄膜磁気ヘッドについてもその性能向上
が求められている。このような薄膜磁気ヘッドとして、
書き込みを目的とする誘導型の薄膜磁気ヘッドと、読み
出しを目的とする磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドと
を、基体上に積層した構造を有する複合型薄膜磁気ヘッ
ドが提案され、実用化されている。読み取り用の磁気抵
抗素子としては、通常の異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）効果
を用いたものが従来一般に使用されており、約１ギガビ
ット／インチ2 の面記録密度を実現することができる。
さらに面記録密度を向上するために、ＡＭＲ素子よりも
抵抗変化率が数倍も大きな巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果
を用いたものも開発されており、約３ギガビット／イン
チ2 の面記録密度を実現することができる。このように
面記録密度を高くすることによって、10Ｇバイト以上の
大容量のハードディスク装置の実現が可能となってきて
いる。
【０００３】上述したＧＭＲ素子を用いた再生用薄膜磁
気ヘッドの構造は、ＡＭＲ素子を用いた再生用薄膜磁気
ヘッドの構造と同じであり、ＡＭＲ膜をＧＭＲ膜に変更
しただけのものである。ただし、ＧＭＲ素子では、ＡＭ
Ｒ素子に比べて、同じ外部磁界を加えたときに、再生出
力が３〜５倍程度高くなる。ＧＭＲ膜は複数の膜を組み
合わせた多層構造となっている。ＧＭＲは発生するメカ
ニズムには幾つかの種類があり、それによってＧＭＲ膜
の層構造が変わる。超格子ＧＭＲ膜、グランユラ膜など
があるが、比較的構造が簡単で、弱い磁界で大きな抵抗
変化を示し、量産を前提とするＧＭＲ膜としてスピンバ
ルブ膜が有力である。
【０００４】このように、再生用薄膜磁気ヘッドは、磁
気抵抗膜をＡＭＲ膜からＧＭＲ膜へ変更することによっ
て、面記録密度を容易に高くすることができるが、この
ような磁気抵抗再生素子よりなる再生ヘッドの性能を決
定する要因の一つとして、磁気抵抗再生素子の高さであ
るＭＲハイト（ＭＲＨ）がある。このＭＲハイトは、端
面がエアベアリング面に露出する磁気抵抗再生素子の、
エアベアリング面から測った距離であり、薄膜磁気ヘッ
ドの製造過程においては、エアベアリング面を研磨して
形成する際の研磨量を制御することによって所望のMRハ
イトを得るようにしている。
【０００５】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記
録ヘッドの性能向上も求められている。面記録密度を上
げるには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる
必要がある。このためには、エアベアリング面における
ライトギャップの幅を数ミクロンからサブミクロンオー
ダーまで狭くする必要があり、これを達成するために半
導体加工技術が利用されている。書き込み用薄膜磁気ヘ
ッドの性能を決定する要因の一つとして、スロートハイ
ト（ＴＨ）がある。このスロートハイトＴＨは、エアベ
アリング面から薄膜コイルを電気的に分離する絶縁層の
エッジまでの磁極部分の距離であり、この距離をできる
だけ短くすることが望まれている。このスロートハイト
の値もまた、エアベアリング面からの研磨量で決定され
る。
【０００６】このように、書き込み用の誘導型薄膜磁気
ヘッドと、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
とを積層した複合型薄膜磁気ヘッドの性能を向上させる
ためには、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドと、読み
取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドをバランス良く
形成することが重要である。
【０００７】図１〜７に、従来の標準的な薄膜磁気ヘッ
ドの製造要領を工程順に示し、各図においてＡはエアベ
アリング面に垂直に切った断面図、Ｂは磁極部分をエア
ベアリング面に平行に切った断面図である。なお、この
例の薄膜磁気ヘッドは、誘導型の書込用薄膜磁気ヘッド
および読取用のＭＲ再生素子を積層した複合型のもので
ある。このような複合型薄膜磁気ヘッドは、例えば特開
平８−８７７１７号公報に記載されている。
【０００８】まず、図１に示すように、例えばAlTiC か
らなる基体１の上に例えばアルミナ(Al2O3) からなる絶
縁層２を約５μmの厚みに堆積する。次いで、再生ヘッ
ドのMR再生素子を外部磁界の影響から保護するための一
方の磁気シールドを構成する第１の磁性層３をほぼ３μ
m の厚みで形成する。
【０００９】その後、図２に示すように、下部シールド
ギャップ層を構成する絶縁層４として、アルミナを 100
〜150 nmの厚みでスパッタ堆積させた後、ＭＲ再生素子
を構成する磁気抵抗効果を有する材料よりなるＧＭＲ層
５を数十nmの厚みに形成し、高精度のマスクアライメン
トで所望の形状とし、引き出し電極６ａ、６ｂを形成す
る。続いて、上部シールドギャップ層を構成する絶縁層
７として、アルミナを100〜150 nmの厚みでスパッタ堆
積させて、ＧＭＲ層５を絶縁層４、７内に埋設する。さ
らに、パーマロイよりなる第２の磁性層８をほぼ３μm
の膜厚に形成する。この第２の磁性層８は、上述した第
１の磁性層３と共にＧＭＲ再生素子を磁気遮蔽する他方
のシールドとしての機能を有するだけでなく、書き込み
用薄膜磁気ヘッドの一方のポールとしての機能をも有す
るものである。
【００１０】次いで、図３に示すように、第２の磁性層
８の上に、非磁性材料、例えばアルミナよりなるライト
ギャップ層９を約200 nmの膜厚に形成した後、その上に
フォトレジスト絶縁層１０を１．０〜１．５μｍの膜厚
に形成し、さらにその上に薄膜コイル１１を、１．５〜
２．０μm の膜厚で電解メッキ法によって形成する。そ
の後、図５に示すように、薄膜コイル１１を絶縁分離し
た状態で保持するフォトレジスト絶縁膜１２を形成す
る。このとき、この絶縁層１２のパターンエッジでスロ
ートハイト零の基準位置ＴＨ0が決まる。また、薄膜コ
イル１１の高さと、絶縁層１０、１２の側面の形状とに
よって、エイペックスアングルθが決まる。ここで、ス
ロートハイト零の基準位置ＴＨ0から薄膜コイル１２の
最外周までの距離を長くとることで、エイペックスアン
グルθを、２５〜３５°と小さくすることができる。こ
のようにエイペックスアングルθを小さくすることによ
って、書き込み用薄膜磁気ヘッドの磁極部分を形成する
際に、フォトリソグラフーによって精度良くパターニン
グすることができるので、磁極部分の幅によって決まる
ライトトラックの幅を小さくすることができる。
【００１１】次に、図６に示すように、高い飽和磁束密
度を有する、例えばパーマロイ（Ni：50wt％、Fe：50wt
％）や窒化鉄（FeN)のような材料を、約３μｍの膜厚に
形成してトップポールを構成する第３の磁性層１３を形
成する。この際、第２の磁性層８と第３の磁性層１３と
を、磁極部分とは離れた位置において連結して、バック
ギャップを形成する。
【００１２】さらに、図７に示すように、実効書込トラ
ック幅の広がりを防止するため、すなわちデータの書込
時に、一方のポールにおいて磁束が広がるのを防止する
ために、第３の磁性層１３の磁極部分１３ａの周囲のギ
ャップ層９と、第２の磁性層８をイオンミリング等のイ
オンビームエッチングにてエッチングしてトリム構造を
形成する。その後、例えばアルミナよりなるオーバーコ
ート層１４を堆積する。最後に、ＧＭＲ層５やライトギ
ャップ層９を形成した側面を、上述したスロートハイト
零の基準位置ＴＨ0を規準として研磨して、磁気記録媒
体と対向するエアベアリング面（ＡＢＳ）１５を形成す
る。このエアベアリング面１５の形成過程においてＧＭ
Ｒ層５も研磨され、ＭＲ再生素子１６が得られる。この
ようにして所望のスロートハイトＴＨおよびＭＲハイト
ＭＲＨを得るようにしている。
【００１３】図８Ａは、上述したようにして形成した複
合型薄膜磁気ヘッドの構造をオーバーコート層１４を取
り除いて示し、第３の磁性層１３および薄膜コイル１１
の最内周のコイル巻回体を外部回路へ接続するためのリ
ード部材ＬＤを仮想線で示すと共に絶縁層１０、１２の
輪郭を実線で示す線図的な平面図であり、図８Ｂはその
一部分を示す断面図であり、図８Ｃは、さらにバックギ
ャップ部分を拡大して示す断面図である。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の薄膜
磁気ヘッドの形成において、特に問題となっていたの
は、薄膜コイル１１の形成後、フォトレジスト絶縁層１
２でカバーされたコイル凸部、特にその傾斜部（Apex）
に沿って形成されるトップポールの微細形成の難しさで
ある。すなわち、従来は、第３の磁性層１３を形成する
際、約４〜６μm の高さのコイル凸部の上にパーマロイ
等の磁性材料をメッキした後、フォトレジストを４〜５
μm の厚みで塗布し、その後フォトリソグラフィ技術を
利用して所定のパターン形成を行っていた。ここで、山
状コイル凸部の上のレジストでパターニングされるレジ
スト膜厚として、最低３μm が必要であるとすると、傾
斜部の下方では７〜８μm 程度の厚みのフォトレジスト
が塗布されることになる。
【００１５】このように７〜８μm 程度の高低差がある
コイル凸部の表面および平坦上に形成されたライトギャ
ップ層の上に形成される第３の磁性層１３の、フォトレ
ジスト絶縁層７、１２のエッジ近傍に形成される磁極部
分の幅は、これによってライトトラック幅が決定される
ので微細化する必要がある。ライトトラック幅をサブミ
クロンオーダである、例えば０．５μm とする場合に
は、７〜８μm の厚みのフォトレジスト膜を使用して
０．５μm 幅のパターンを形成する必要が生じる。
【００１６】しかしながら、７〜８μm のように厚いフ
ォトレジスト膜で、０．５μm 幅程度の幅の狭いパター
ンを形成しようとしても、フォトリソグラフィの露光時
に光の反射光によるパターンのくずれ等が発生したり、
レジスト膜厚が厚いことに起因して解像度の低下が起こ
るため、幅の狭いトラックを形成するための幅の狭いト
ップポールを正確にパターニングすることはきわめて難
しいものである。特に、第３の磁性層１３を電解鍍金で
形成する場合には、パーマロイのシード層がスパッタに
より形成されているので、このシード層からの反射によ
ってパターンのくずれが発生し易くなる。
【００１７】このようなフォトリソグラフィにおける反
射の影響は、上述したエイペックスアングルθによって
も大きく左右される。すなわち、エイペックスアングル
θが大きいほど、露光時の反射光量は増大し、パターン
のくずれが大きくなる。従来では、このエイペックスア
ングルθを小さくするために、上述した特開平８−８７
７１７号公報に記載されているように、第３の磁性層１
３の磁極部分１３ａの長さ、すなわちスロートハイト零
の基準位置ＴＨ0から薄膜コイル１１の外周縁までの距
離Ｌ0を、例えば１０μｍと長くしている。しかしなが
ら、このようにスロートハイト零の基準位置ＴＨ0と薄
膜コイル１１の外周縁までの距離Ｌ0を長くすると、ス
ロートハイト零の基準位置ＴＨ0と薄膜コイル１１を支
持する絶縁層１０、１２の内周縁との間の距離として規
定される磁路長Ｌ1が長くなり、その結果として誘導型
薄膜磁気ヘッドのＮＬＴＳ（Non-linear Transition Sh
ift)特性や高周波数特性の劣化を招くことになる。さら
に、スロートハイト零の基準位置ＴＨ0から薄膜コイル
１１の外周縁までの距離Ｌ0を長くすると、薄膜コイル
によって発生された磁束が磁極部分１３ａへ伝達される
効率が低下し、記録特性が劣化するという問題もある。
【００１８】上述した磁路長Ｌ1を短くするために、薄
膜コイル１１の順次のコイル巻回体のピッチは限界値近
くまで短くされているが、上述したように、エイペック
スアングルθを小さくするために、スロートハイト零の
基準位置ＴＨ0から薄膜コイル１１の外周縁までの距離
Ｌ0を長くする必要があることが、磁路長Ｌ0を短くする
ことの妨げとなっていた。
【００１９】さらに、薄膜コイル１１を電解鍍金で形成
する場合、シード層をイオンビームエッチングで除去し
て順次のコイル巻回体間を分離する工程が必要となる
が、磁路長Ｌ1を短くするために、薄膜コイル１１の一
部を絶縁層７の外周縁の傾斜部分にも形成すると、イオ
ンビームエッチングの際にコイル巻回体による影がで
き、シード層を十分に除去できないという問題がある。
したがって、薄膜コイル１１は、絶縁層７の平坦部分の
上に形成する必要があり、このことによっても磁路長Ｌ
1を短くすることには限界がある。
【００２０】また、図８Ｃに示すように、薄膜コイル１
１の最内側のコイル巻回体の寸法精度を確保するために
は、薄膜コイルの内周縁とバックギャップまでの距離Ｌ
2も５μｍ程度必要であり、上述したスロートハイト零
の基準位置ＴＨ0から薄膜コイル１１の外周縁までの距
離Ｌ0を長く取らなければならないことと相俟って磁路
長Ｌ1を短くする上での障害となっている。
【００２１】さらに、薄膜コイル１１を２層構造とする
ことによって磁路長Ｌ1を短縮した構造の薄膜磁気ヘッ
ドも提案されている。しかしながら、この場合には、第
１層目および第２層目の薄膜コイルを絶縁分離するフォ
トレジスト絶縁層の高さがさらに高くなり、したがって
この絶縁層の外周面をなだらかとしてエイペックスアン
グルθを小さくするためには、スロートハイト零の基準
位置ＴＨ0から薄膜コイル１１の外周縁までの距離Ｌ0が
非常に長くなり、やはり磁路長Ｌ1を短くするには限界
がある。
【００２２】本発明の目的は、上述した従来の薄膜磁気
ヘッドの種々の問題点を解決もしくは軽減し、磁極部分
の微細構造を精度良く形成できるようにエイペックスア
ングルθを小さくしても、スロートハイト零の基準位置
ＴＨ0から薄膜コイルの外周縁までの距離Ｌ0を短くして
記録効率を向上することができ、さらに磁路長Ｌ1を短
縮してＮＬＴＳ特性や高周波数特性を改善することがで
きる薄膜磁気ヘッドを提供しようとするものである。
【００２３】本発明の他の目的は、上述したような優れ
た特性を有する薄膜磁気ヘッドを正確にかつ効率よく、
高い歩留りで製造することができる薄膜磁気ヘッドの製
造方法を提供しようとするものである。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、基体と、この基体によって支持され、基体によって
支持された面とは反対側の面に、スロートハイト零の基
準位置よりも内側に形成された凹部を有する第１の磁性
部材と、この第１の磁性部材の、前記基体によって支持
された面とは反対側の面に形成された凹部内に、一部分
が埋設されるように形成された薄膜コイルと、この薄膜
コイルのコイル巻回体を絶縁分離するように支持し、前
記凹部を越えて外方に延在し、外周縁がスロートハイト
零の基準位置を規定するように形成された絶縁部材と、
この絶縁部材の、前記基体とは反対側の面に形成され、
この絶縁部材を越えてエアベアリング面まで延在し、ラ
イトトラック幅を規定する幅を有する磁極部分を含む第
２の磁性部材と、少なくとも前記第１の磁性部材と第２
の磁性部材の磁極部分との間に設けられたライトギャッ
プ層と、を具えることを特徴とするものである。
【００２５】本発明による薄膜磁気ヘッドにおいては、
前記第１の磁性部材の凹部に薄膜コイルの少なくとも一
部分を埋め込み、さらに薄膜コイルのコイル巻回体を絶
縁分離した状態で支持する絶縁層を凹部の外周縁を越え
てスロートハイト零の基準位置まで延在させているの
で、このスロートハイト零の規準位置から薄膜コイルの
外周縁までの距離を従来よりも短くしてもエイペックス
アングルθを小さくすることができ、したがって第２の
磁性部材の磁極部分の微細構造を正確に形成することが
でき、サブミクロンオーダーのライトトラック幅を実現
することができるとともに薄膜コイルの外周縁をエアベ
アリング面に接近させることができ、記録効率を向上す
ることができる。しかも、スロートハイト零の規準位置
から薄膜コイルのコイル巻回体を支持する絶縁部材の内
周縁までの距離である磁路長も短くすることができ、Ｎ
ＬＴＳ特性や高周波数特性を改善することができる。
【００２６】本発明による薄膜磁気ヘッドを実施するに
当たっては、前記第１の磁性部材は、一様な膜厚の磁性
層の表面にエッチングにより凹部を形成するか、または
一様な磁性層のエアベアリング面側に下部ポールチップ
を設けて形成することができる。また、第２の磁性部材
も、磁極部分を構成する上部ポールチップと、この上部
ポールチップと連結された上部ポールとを以て構成する
こともできる。この場合、上部ポールの先端面をエアベ
アリング面から後退させるのが好適である。その理由
は、このように構成すると上部ポールから漏れた磁束に
よるサイドフリンジを防止することができ、ライトトラ
ック幅を増大したり、隣接するライトトラックへの影響
を阻止することができる。このような効果は、特にライ
トトラックをサブミクロンオーダーとした微細構造にお
いて有効である。
【００２７】また、薄膜コイルは１層構造としても良い
し、２層構造としても良い。２層構造とする場合には、
１層目の薄膜コイルのコイル巻回体を支持する絶縁層を
上述したように、その外周縁がスロートハイト零の基準
位置まで延在するように形成し、２層目の薄膜コイルを
支持する絶縁層は凹部の外周縁を越えてエアベアリング
面側に延在しないように形成するのが好適である。
【００２８】さらに、ライトギャップ層は、第１磁性部
材および第２磁性部材の磁極部分との間だけでなく、第
１磁性部材と絶縁層との間にも形成したり、絶縁層と第
２の磁性部材との間にも形成することもできる。
【００２９】また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、少なくとも誘導型薄膜磁気ヘッドを基体により
支持した薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、この
基体によって支持され、基体によって支持された面とは
反対側の面に、スロートハイト零の基準位置よりも内側
に形成された凹部を有する第１の磁性部材を形成する工
程と、この第１の磁性部材の、前記基体によって支持さ
れた面とは反対側の面に形成された凹部内に、一部分が
埋設されるように薄膜コイルを形成する工程と、この薄
膜コイルのコイル巻回体を絶縁分離するように支持し、
前記凹部を越えて外方に延在し、外周縁がスロートハイ
ト零の基準位置を規定するように絶縁部材を形成する工
程と、前記薄膜コイルを形成する以前にまたは前記絶縁
部材を形成した後に、少なくとも前記第１の磁性部材の
磁極部分を覆うようにライトギャップ層を形成する工程
と、前記絶縁部材の、前記基体とは反対側の面に形成さ
れ、この絶縁部材を越えてエアベアリング面まで延在
し、ライトトラック幅を規定する幅を有し、前記ライト
ギャップ層を介して前記第１の磁性部材と対向する磁極
部分を含む第２の磁性部材を形成する工程と、を具える
ことを特徴とするものである。
【００３０】このような本発明による薄膜磁気ヘッドの
製造方法においては、前記薄膜コイルを形成した後、そ
のコイル巻回体を支持する第１の絶縁層を、薄膜コイル
を覆うようにまたは一部分が露出するように形成し、さ
らにその上に第２の絶縁層を、その外周縁がスロートハ
イト零の基準位置となるように形成するのが好適であ
る。このように絶縁部材を、主として薄膜コイルを支持
する第１の絶縁層と、主としてスロートハイト零の規準
位置を規定する第２の絶縁層との２層で形成することに
よって、これら第１および第２の絶縁層の形成を、それ
ぞれの機能に応じて最適の状態で形成することができ、
一層正確な微細構造を有する薄膜磁気ヘッドを一層容易
に形成することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、図９〜１５を参照して本発
明による薄膜磁気ヘッドの第１の実施例の順次の製造工
程を説明する。なお、これらの図面においては、エアベ
アリング面に垂直に切った断面図をＡで示し、磁極部分
をエアベアリング面に平行に切った断面図をＢで示し
た。また、本例では、基体の上に読み取り用の磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドを形成し、その上に書き込み用の
誘導型薄膜磁気ヘッドを積層した複合型薄膜磁気ヘッド
としたものである。
【００３２】先ず、図９に示すように、AlTiCより成る
基体本体２１の一方の表面に、約３〜５m の膜厚でアル
ミナより成る絶縁層２２を形成する。これら、基体本体
２１および絶縁層２２を、本明細書においては、基体ま
たはウエファと称する。また、本明細書において、絶縁
層とは、少なくとも電気的な絶縁特性を有する膜を意味
しており、非磁性特性はあってもなくても良い。しか
し、一般には、アルミナのように、電気絶縁特性を有し
ているとともに非磁性特性を有する材料が使用されてい
るので、絶縁層と、非磁性層とを同じ意味に使用する場
合もある。さらに、基体の絶縁層２２の上に、磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドに対するボトムシールド層２３を
パーマロイにより約３μm の膜厚に形成する。このボト
ムシールド層２３は、フォトレジストをマスクとするメ
ッキ法によって所定のパターンにしたがって形成する。
【００３３】続いて、図１０に示すように、ボトムシー
ルド層２３の上に、アルミナより成るシールドギャップ
層２４、２７に埋設されたＧＭＲ層２５および引き出し
電極２６ａおよび２６ｂを形成する。このシールドギャ
ップ層２５、２７の膜厚は０．２μm とすることができ
る。このようにＧＭＲ層２５および引き出し電極２６
ａ、２６ｂを埋設したシールドギャップ層２４、２７の
上に、ＧＭＲ層に対するトップシールドを構成するとと
もに誘導型薄膜磁気ヘッドのボトムポールを構成する第
１の磁性層２８をパーマロイにより２〜３．５μm の膜
厚に形成する。
【００３４】さらに、この第１の磁性層２８の上にフォ
トレジストパターンを形成した後、これをマスクとして
アルゴンガスによるイオンビームミリングやリアクティ
ブイオンエッチングを施して、第１の磁性層の表面に深
さ約０．８〜１．５μm の凹部２８ａを形成し、さらに
第１の磁性層の全面にアルミナより成るライトギャップ
層２９を、０．２〜０．２５μｍの膜厚に形成した様子
を図１１に示す。この凹部２８ａの中央には島状の凸部
２８ｂを形成する。後述するようにこの凸部２８ｂにお
いて、下部ポールおよび上部ポールの後端を磁気的に結
合してバックギャップを形成する。
【００３５】次に、図１２に示すように、第２の磁性層
２８の凹部２８ａの中に、ライトギャップ層２９を介し
て薄膜コイル３０を形成する。この薄膜コイル３０の形
成方法は従来と同様であり、銅のシード層を一様に形成
し、その上にフォトレジストパターンを形成した後、膜
厚が１〜２μｍで、コイルピッチが１．２〜２．０μｍ
となるように銅の電解鍍金により形成する。このように
して、第２の磁性層２８の凹部２８ａ内に、全体の膜厚
のほぼ５０〜８０％が埋め込まれた状態で薄膜コイル３
０を形成する。また、薄膜コイル３０の最内側には薄膜
コイルを外部回路へ接続するための接続部３０ａを形成
する。
【００３６】続いて、フォトレジストパターンを除去し
て、その下側に残存しているシード層をエッチングによ
り除去した後、図１３に示すように、薄膜コイル３０の
コイル巻回体を相互に絶縁分離した状態で支持するよう
に第１のフォトレジスト絶縁層３１を形成する。本例で
は、この第１のフォトレジスト絶縁層３１は、薄膜コイ
ル３０の一部分が露出するように形成するが、薄膜コイ
ルを完全に覆うように厚く形成することもできる。ただ
し、その場合でも、第１のフォトレジスト絶縁層３１の
外周縁によってはスロートハイト零の基準位置が規定さ
れないようにすると共に、この外周部の側面によってエ
イペックスアングルが規定されないように形成する。
【００３７】次に、上述した第１のフォトレジスト絶縁
層３１を覆うと共に、その外周縁によってスロートハイ
ト零の基準位置ＴＨ0が規定されると共に外周部の側面
によってエイペックスアングルθが規定されるように第
２のフォトレジスト絶縁層３２を形成する。本発明にお
いては、薄膜コイル３０は第２の磁性層２８の凹部２８
ａ内に埋設するように形成したので、エイペックスアン
グルθをほぼ２０〜３０°以下と小さくすることがで
き、したがって後に形成する上部ポールチップの微細構
造を形成する際のフォトリソグフィを正確に行うことが
できる。しかも、スロートハイト零の基準位置ＴＨ0か
ら薄膜コイル３０の外周縁までの距離Ｌ0を短くできる
ので、記録効率を向上することができる。さらに、この
距離Ｌ0を短くすることによって、磁路長Ｌ1も短くする
ことができるので、ＮＬＴＳ特性や高周波数特性を向上
することもできる。。
【００３８】続いて、図１４に示すように、薄膜コイル
３０の最内側に形成した接続部３０ａの上方の第２のフ
ォトレジスト絶縁層３２を選択的に除去した後、高磁束
密度を有する磁性材料であるNiFe (８0％, ２0％) やFe
N(４５％, ５５％) より成る第３の磁性層３３を、２〜
３μm の膜厚に形成する。先端の磁極部分３３ａで上部
ポールチップを構成するこの第３の磁性層３３は、メッ
キ法で所定のパターンに形成するか、スパッタ後、ドラ
イエッチングで所定のパターンとすることができる。そ
の際、第３の磁性層３３の磁極部分３３ａの幅によって
ライトトラックの幅が決まるので、その幅は例えば０．
５μm と狭くするが、上述したように、本発明において
は、エイペックスアングルθを小さくすることができる
ので、フォトリソグラフィの際の不所望な反射による影
響を受けず、正確な微細化が可能である。この第３の磁
性層３３の形成と同時に、上述した薄膜コイル３０の接
続部３０ａの上に接続部３３ｂを形成する。
【００３９】次に、図１５に示すように、第３の磁性層
３３の磁極部分３３ａをマスクとしてＣＦ4、ＳＦ6など
のフレオン系ガスまたはＢＣｌ2、Ｃｌ2まどの塩素系ガ
スを用いるリアクティブイオンエッチングよってライト
ギャップ層２９を選択的に除去し、さらに露出した第２
の磁性層２８の表面をアルゴンイオンビームエッチング
により部分的に除去してトリム構造を形成する。続い
て、全面にアルミナより成るオーバーコート層３４を約
２０〜４０μｍの膜厚に形成する。
【００４０】実際の製造では、多数の複合型薄膜磁気ヘ
ッドをウエファ上にマトリックス状に配列して形成した
後、ウエファを複数のバーに切断し、各バーの端面を研
磨してエアベアリング面３５を形成し、最後にバーを切
断して個々の複合型薄膜磁気ヘッドを得るようにしてい
る。このエアベアリング面を形成する際の研磨によっ
て、第３の磁性層３３の磁極部分３３ａの先端も研磨さ
れて、スロートハイト零の規準位置ＴＨ0からエアベア
リング面３５までの距離であるスロートハイトＴＨが決
定されると共にＧＭＲ層２５も研磨されてＧＭＲ素子３
６が形成され、そのＭＲハイトＭＲＨが決定される。
【００４１】図１６Ａは、上述した本発明による薄膜磁
気ヘッドの第１の実施例の構成を、オーバーコート層３
４を除去し、第３の磁性層３３と、接続部３０ａおよび
３３ｂを介して薄膜コイル３０の最内側のコイル巻回体
を外部回路へ接続するためのリード部材ＬＤとを仮想線
で示すと共に第１および第２の絶縁層３１および３２の
輪郭を実線で示す平面図であり、図１６Ｂは同じくその
断面図である。本発明においては、上述したように、下
部ポールを構成する第２の磁性層２８の表面に形成した
凹部２８ａ内に一部分が埋め込まれるように薄膜コイル
３０を形成し、この薄膜コイルを絶縁分離した状態で支
持する絶縁部材を構成する第１および第２の絶縁層３１
および３２の内、上側の第２の絶縁層３２を、その外周
部が凹部２８ａを越えて外方に延在するように形成し、
その外周縁でスロートハイト零の基準位置ＴＨ0を規定
するように構成している。なお、図１６Ａにおいて、ハ
ッチングを付けて示す部分は、第１の磁性層２８の凹部
２８ａ以外のレベルの高い部分を示すものである。
【００４２】本発明においては、薄膜コイル３０を第２
の磁性層２８の凹部２８ａ内に埋設するように形成した
結果、第２の絶縁層３２を薄く形成できるので、その外
周面の傾斜角度によって規定されるエイペックスアング
ルθを約２０〜３０°以下と小さくすることができ、し
かもスロートハイト零の基準位置ＴＨ0から薄膜コイル
３０の外周縁までの距離Ｌ0をほぼ２μｍ程度と短くす
ることができる。したがって、第３の磁性層３３の磁極
部分３３ａを形成するためのフォトリソグラフィを高精
度で行うことができ、磁極部分３３ａの幅をサブミクロ
ンオーダーと狭くすることができ、その結果としてライ
トトラック幅を狭くすることができ、記録媒体の面記録
密度を向上することができる。また、スロートハイト零
の基準位置ＴＨ0から薄膜コイル３０の外周縁までの距
離Ｌ0をほぼ２μｍ程度と短くすることができるので、
スロートハイト零の基準位置ＴＨ0から薄膜コイル３０
を支持する絶縁層３１、３２の内周縁までの距離で定義
される磁路長Ｌ1をほぼ１９μｍと短くすることがで
き、ＮＬＴＳ特性や高周波数特性を改善することができ
る。上述したようにスロートハイト零の基準位置ＴＨ0
から薄膜コイル３０の外周縁までの距離Ｌ0を短くでき
るので、記録効率を向上することもできる。
【００４３】図１７〜２０は、本発明による薄膜磁気ヘ
ッドの第２の実施例を製造する工程を示す断面図であ
り、前例と同様の部分には同じ符号を付けて示し、その
詳細な説明は省略する。本例において、図１７に示すよ
うに、第２の磁性層２８の凹部２８ａ内に薄膜コイル３
０を形成した後、第１のフォトレジスト絶縁層３１によ
ってコイル巻回体を絶縁分離した状態で形成するまでの
工程は前例と同じである。本例では、この第１のフォト
レジスト絶縁層３１を形成した後、図１８に示すよう
に、アルミナ、酸化シリコン、窒化シリコンなどのよう
な無機絶縁材料よりなる第２の無機絶縁層４１を、例え
ば０．８〜１．５μm の膜厚に形成し、フロン系または
塩素系ガスを用いるリアクティブイオンエッチングを施
して、外周面の傾斜角度、すなわちエイペックスアング
ルθがほぼ３０°以下となると共に、その外周縁が所望
のスロートハイト零の基準位置と一致するようにパター
ニングする。
【００４４】続いて、図１９に示すように、第２の磁性
層２８の露出した先端および第２の無機絶縁層４１を覆
うようにライトギャップ層４２を、アルミナ、酸化シリ
コン、窒化シリコンなどで形成する。その後の工程は、
上述した第１の実施例と同様であり、図２０に示すよう
に第３の磁性層３３およびオーバーコート層３４を形成
した後、エアベアリング面３５を研磨により形成し、同
時にＧＭＲ素子３６を形成する。本例では、スロートハ
イト零の基準位置ＴＨ0を規定する第２の絶縁層４１を
無機絶縁層で形成したため、製造プロセス中にこの位置
が変動することがなく、薄膜磁気ヘッドの特性に大きな
影響を与えるスロートハイト零の基準位置を設計値通り
に正確に形成することができる。
【００４５】図２１は、本発明による薄膜磁気ヘッドの
第３の実施例の構成を示す断面図である。上述した第１
および第２の実施例においては、薄膜コイル３０を形成
した後、そのコイル巻回体を絶縁分離した状態で支持す
る第１の絶縁層３１をフォトレジストで構成したが、本
例ではこの第１の絶縁層を、半導体装置の多層配線の製
造プロセスで広く用いられているスピンオンガラス（Ｓ
ＯＧ）層５１で形成する。このスピンオンガラスは熱膨
張係数が小さいので、薄膜磁気ヘッドをハードディスク
ドライブに装着したときに、その動作中に上部ポールを
構成する第３の磁性層３３が突出するのを防止すること
ができる。
【００４６】図２２〜２６は、本発明による薄膜磁気ヘ
ッドの第４の実施例の順次の製造工程を示す断面図であ
る。図２２に示すように、基板を構成する絶縁層２２の
上に下部シールドを構成する第１の磁性層２３を形成
し、その上にシールドギャップ層２４、２７によって埋
設されたＧＭＲ層２５を形成した後、第２の磁性層２８
を形成し、これをパターニングした後、表面全体にアル
ミナ、酸化シリコン、窒化シリコンなどの無機絶縁層６
１を形成した後、ＣＭＰ（化学機械研磨）により第２の
磁性層２８の表面が露出するまで平坦に研磨する。
【００４７】次に、図２３に示すように、第２の磁性層
２８の前端部分に、ほぼ１〜２μmの膜厚の下部ポール
チップ６２を形成すると共に、後端部分に連結部６２ａ
を形成する。この下部ポールチップ６２は、NiFe(80%:
20%)や飽和磁束密度の高いNiFe(45%: 55%)などの電解鍍
金膜で形成するが、NFe, FeZrNなどのスパッタ膜をイオ
ンミリングによって選択的にパターニングして形成する
こともできる。本例では、平坦な第２の磁性層２８と、
下部ポールチップ６２とで、凹部を有する第１の磁性部
材を構成している。
【００４８】続いて、図２４に示すように、表面全体に
アルミナより成る絶縁層６３を約０．３〜０．６μm の
膜厚で形成し、第２の磁性層２８の上に、１〜２μm の
膜厚の薄膜コイル３０を形成し、そのコイル巻回体を絶
縁分離した状態で支持するアルミナより成る無機絶縁層
６４を形成し、さらにＣＭＰを施して平坦化を行い、下
部ポールチップ６２の表面を露出させ、この平坦化され
た表面にアルミナよりなるライトギャップ層６５を、
０．２〜０．３μm の膜厚で形成する。上述したアルミ
ナより成る無機絶縁層６４は、ステップカバーレージの
良好なアルミナＣＶＤで形成することができる。
【００４９】続いて、図２５に示すように、ライトギャ
ップ層６５の平坦な表面に、外周部分がライトギャップ
層６５を介して下部ポールチップ６２の上方まで延在す
るようにフォトレジスト絶縁層６６を所定のパターンに
形成する。このフォトレジスト絶縁層６６の外周縁によ
ってスロートハイト零の基準位置ＴＨ0が規定される。
さらに、その上に第３の磁性層３３を、その前端部の磁
極部分３３ａがライトギャップ層６５を介して下部ポー
ルチップ６２と対向してライトギャップを構成すると共
に、その後方部分がライトギャップ層６５に形成した開
口および連結部６２ａを介して第２の磁性層２８と磁気
的に結合してバックギャップを構成するように形成す
る。
【００５０】さらに、図２６に示すように、オーバーコ
ート層３４を形成した後、エアベアリング面３５を研磨
により形成し、同時にＧＭＲ素子３６を形成する。本例
においても、フォトレジスト絶縁層６５の外周縁によっ
てスロートハイト零の基準位置ＴＨ0が規定されると共
に外周面の傾斜角によってエイペックスアングルθが規
定されるので、エイペックスアングルθを小さくするこ
とができると共にスロートハイト零の基準位置ＴＨ0か
ら薄膜コイル３０の外周縁までの距離Ｌ0を短くするこ
とができ、その結果として磁路長Ｌ1も短くすることが
でき、したがって上述した第１〜第３の実施例と同様の
効果が得られる。
【００５１】図２７〜３０は、本発明による薄膜磁気ヘ
ッドの第５の実施例の順次の製造工程を示す断面図であ
る。先ず、図２７に示すように、基体を構成する絶縁層
２２の上に下部シールドを構成する第１の磁性層２３を
形成し、その上にシールドギャップ層２４、２７によっ
て埋設されたＧＭＲ層２５を形成した後、第２の磁性層
２８を形成し、さらに第２の磁性層２８の前端部分に、
ほぼ１〜２μm の膜厚の下部ポールチップ６２を形成す
ると共に、後端部分に連結部６２ａを形成し、表面全体
にアルミナより成る無機絶縁層６３を約０．３〜０．６
μm の膜厚で形成した後、第２の磁性層２８の上に、所
定のパターンのフォトレジスト絶縁層７１を２〜３μm
の膜厚に形成し、電解鍍金によって１〜２μm の膜厚の
薄膜コイル３０を形成する。
【００５２】次に、図２８に示すように、フォトレジス
ト絶縁層７１を除去した後、薄膜コイル３０のコイル巻
回体を絶縁分離した状態で支持するアルミナより成る無
機絶縁層７２を３〜４μm の膜厚に形成し、さらにＣＭ
Ｐを施して平坦化を行い、下部ポールチップ６２の表面
が露出して平坦な表面を形成する。このアルミナより成
る無機絶縁層７２は、ステップカバーレージの良好なア
ルミナＣＶＤで形成することができる。
【００５３】続いて、図２９に示すように、この平坦化
された表面上に、外周部分が下部ポールチップ６２の上
方まで延在するようにフォトレジスト絶縁層７３を所定
のパターンにしたがって形成した後、表面全体の上にア
ルミナよりなるライトギャップ層７４を、０．２〜０．
３μm の膜厚で形成し、さらにその上に第３の磁性層３
３を形成する。この第３の磁性層３３の磁極部分３３ａ
は、ライトギャップ層７４を介して下部ポールチップ６
２と対向してライトギャップを構成すると共に、ライト
ギャップ層７４に形成した開口を経て第２の磁性層２８
と連結されてバックギャップを構成している。
【００５４】さらに、図３０に示すように、第３の磁性
層３３の磁極部分３３ａをマスクとしてエッチングを行
なってトリム構造を形成し、さらにオーバーコート層３
４を形成した後、エアベアリング面３５を研磨により形
成し、同時にＧＭＲ素子３６を形成する。本例において
も、平坦な表面に形成されたフォトレジスト絶縁層７３
の外周縁によってスロートハイト零の基準位置ＴＨ0が
正確に規定されると共にその外周面の傾斜角によってエ
イペックスアングルθが規定されるので、エイペックス
アングルθを小さくすることができると共にスロートハ
イト零の基準位置ＴＨ0から薄膜コイル３０の外周縁ま
での距離Ｌ0を短くすることができ、その結果として磁
路長Ｌ1も短くすることができ、したがって上述した第
１〜第４の実施例と同様の効果が得られる。
【００５５】図３１〜３４は、本発明による薄膜磁気ヘ
ッドの第６の実施例の順次の製造工程を示す断面図であ
る。第１の実施例と同様に、図３１に示すように、第２
の磁性層２４の表面に形成した凹部２８ａに埋設される
ように第１層目の薄膜コイル８１および接続部８１ａを
ライトギャップ層２９の上に形成した後、そのコイル巻
回体を絶縁分離した状態で支持する第１のフォトレジス
ト絶縁層３１を形成し、さらにスロートハイト零の基準
位置ＴＨ0を規定すると共にエイペックスアングルθを
規定するように第２のフォトレジスト絶縁層３２を形成
する。
【００５６】次に、図３２に示すように、上部ポールチ
ップ８２をほぼ２〜３μm の膜厚に形成する。この際、
第２の磁性層２４の連結部２４ａの上方には連結部８２
ａを同時に形成する。次に、この上部ポールチップ８２
をマスクとしてエッチングを行なってトリム構造を形成
する。さらに、凹部２８ａの上方の第２のフォトレジス
ト絶縁層３２の上に第２層目の薄膜コイル８３を形成す
ると共に接続部８３ａを接続部８１ａの上に形成する。
図３２では、その際に用いたフォトレジストパターンは
除去してある。
【００５７】続いて、図３３に示すように、アルミナ、
酸化シリコン、窒化シリコンなどの無機絶縁層８４を形
成し、ＣＭＰを施して平坦化を行い、上部ポールチップ
８２の表面を露出させる。このとき、第２層目の薄膜コ
イル８３は露出されずに、無機絶縁層８４内に埋設され
ている。
【００５８】さらに、図３４に示すように、上部ポール
チップ８２および無機絶縁層８４の平坦な表面に、上部
ポールを構成する第３の磁性層８５を平坦に形成し、さ
らにオーバーコート層３４を形成した後、エアベアリン
グ面３５を研磨により形成し、同時にＧＭＲ素子３６を
形成する。本例においても、第１の実施例と同様に、第
２のフォトレジスト絶縁層３２の外周縁によってスロー
トハイト零の基準位置Ｌ0が規定されると共にその外周
面の傾斜角によってエイペックスアングルθが規定され
るので、エイペックスアングルθを小さくすることがで
きると共にスロートハイト零の基準位置ＴＨ0から第１
層目の薄膜コイル８１の外周縁までの距離Ｌ0を短くす
ることができ、その結果として磁路長Ｌ1も短くするこ
とができ、したがって上述した第１の実施例と同様の効
果が得られる。さらに、本例では、上部ヨークを構成す
る第３の磁性層８５の先端は、エアベアリング面３５か
ら内方に後退しているので、漏洩磁束によるサイドフリ
ンジを軽減することができ、このことも狭トラック幅の
実現に貢献している。
【００５９】図３５〜３９は、本発明による薄膜磁気ヘ
ッドの第７の実施例の順次の製造工程を示す断面図であ
る。第１の実施例と同様に、図３５に示すように、第２
の磁性層２８の表面に形成した凹部２８ａに埋設される
ように薄膜コイル３０および接続部３０ａを絶縁層２９
の上に形成する。
【００６０】次に、薄膜コイル３０のコイル巻回体を絶
縁分離した状態で支持するフォトレジスト絶縁層９１を
薄膜コイルを完全に覆うように形成する。続いて、図３
７に示すように、ライトギャップ層９２を形成した後、
図３８に示すように、スロートハイト零の基準位置ＴＨ
0を規定すると共にエイペックスアングルθを規定する
ように第２のフォトレジスト絶縁層９３を形成し、さら
にその上に第３の磁性層３３を形成する。
【００６１】次に、図３９に示すように、オーバーコー
ト層３４を形成した後、エアベアリング面３５を研磨に
より形成し、同時にＧＭＲ素子３６を形成する。本例に
おいても、第１の実施例と同様に、第２のフォトレジス
ト絶縁層９３の外周縁によってスロートハイト零の基準
位置ＴＨ0が規定されると共にその外周面の傾斜角によ
ってエイペックスアングルθが規定されるので、エイペ
ックスアングルθを小さくすることができると共にスロ
ートハイト零の基準位置ＴＨ0から薄膜コイル３０の外
周縁までの距離Ｌ0を短くすることができ、その結果と
して磁路長Ｌ1も短くすることができ、したがって上述
した実施例と同様の効果が得られる。
【００６２】本発明は上述した実施例にのみ限定される
ものではなく、幾多の変更や変形が可能である。例え
ば、上述した第１の実施例においては、図１６Ａにおい
て、第２の磁性層２８のハッチングを付して示した部分
が、下部ポールチップを含む膜厚の厚い部分であり、凹
部２８ａはこれ以外の部分に広く形成されているが、図
４０に示すように、凹部２８ａを薄膜コイル３０を囲む
ように形成し、それ以外の部分を厚い膜厚に形成しても
良い。さらに、図４１に示すように、第２の磁性層２８
の、下部ポールチップを構成する部分だけを厚い膜厚に
形成し、それ以外の部分全体に広い凹部２８ａを形成す
ることもできる。
【００６３】また、上述した実施例では、基体上に読み
取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを設け、その上
に書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドを積層した構成と
したが、これらの薄膜磁気ヘッドの積層順序を逆とする
こともできる。さらに、上述した実施例では、磁気抵抗
素子をＧＭＲ素子としたが、ＡＭＲ素子やＴＭＲ素子
（トンネル磁気抵抗効果素子）とすることもできる。本
発明では、読み取り用の薄膜磁気ヘッドを必ずしも磁気
抵抗効果型のものとする必要はなく、それ以外の読み取
り用薄膜磁気ヘッドを用いることもできる。また、読み
取り用の薄膜磁気ヘッドは必ずしも設ける必要はなく、
誘導型薄膜磁気ヘッドだけを設けることもできる。
【００６４】上述した本発明による薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法によれば、誘導型薄膜磁気ヘッドの下部
ポールチップおよび下部ポールを構成する第１の磁性部
材の凹部に薄膜コイルの少なくとも一部分を埋め込み、
さらに薄膜コイルのコイル巻回体を絶縁分離した状態で
支持する絶縁部材を凹部の外周縁を越えてスロートハイ
ト零の基準位置まで延在させているので、このスロート
ハイト零の基準位置から薄膜コイルの外周縁までの距離
を従来よりも短くしてもエイペックスアングルθをほぼ
２０〜３０°以下と小さくすることができる。このよう
にエイペックスアングルθが小さくなると、フォトリソ
グラフィによって、上部ポールチップおよび上部ポール
を構成する第２の磁性部材の磁極部分の微細構造を形成
する際に、反射の影響によってパターンがくずれる恐れ
が軽減され、したがってサブミクロンオーダーのライト
トラック幅を実現することができ、面記録密度を向上す
ることができる。さらに、その製造においても再現性が
高くなり、高い歩留りが期待できる。また、スロートハ
イト零の基準位置から薄膜コイルのコイル巻回体を支持
する絶縁部材の内周縁までの距離である磁路長も短くす
ることができ、ＮＬＴＳ特性や高周波数特性を改善する
ことができる。しかも、薄膜コイルの外周縁をエアベア
リング面に接近させることができるので、記録効率を向
上することができる。
【００６５】さらに、薄膜コイルのコイル巻回体を支持
する絶縁部材を、薄膜コイルのコイル巻回体を支持する
第１の絶縁層と、その上に形成され、外周縁によってス
ロートハイト零の基準位置を規定すると共に外周面の傾
斜角によってエイペックスアングルθを規定する第２の
絶縁層とで構成する場合には、スロートハイト零の基準
位置およびエイペックスアングルθを一層正確に規定す
ることができるので、十分な精度で微細化構造を形成す
ることができる。
【００６６】また、上述したように、エイペックスアン
グルθを小さくすると共に、薄膜コイルの外周縁からス
ロートハイト零の基準位置までの距離を短くすることが
できるとともに薄膜コイルを小型とすることができるの
で、薄膜磁気ヘッド全体を小型、軽量とすることがで
き、ハードディスクドライブの小型、軽量化に適合して
いる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１ＡおよびＢは、従来の複合型薄膜磁気ヘッ
ドを製造する方法の最初の工程を示す断面図である。
【図２】図２ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図であ
る。
【図３】図３ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図であ
る。
【図４】図４ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図であ
る。
【図５】図５ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図であ
る。
【図６】図６ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図であ
る。
【図７】図７ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図であ
る。
【図８】図８Ａ、ＢおよびＣは、薄膜磁気ヘッドの構造
を示す平面図および断面図である。
【図９】図９ＡおよびＢは、本発明による薄膜磁気ヘッ
ドの第１の実施例の工程を示す断面図である。
【図１０】図１０ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図１１】図１１ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図１２】図１２ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図１３】図１３ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図１４】図１４ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図１５】図１５ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図１６】図１６ＡおよびＢは、本例の薄膜磁気ヘッド
の構成を示す平面図および断面図である。
【図１７】図１７ＡおよびＢは、本発明による薄膜磁気
ヘッドの第２の実施例の製造工程を示す断面図である。
【図１８】図１８ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図１９】図１９ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図２０】図２０ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図２１】図２１ＡおよびＢは、本発明による薄膜磁気
ヘッドの第３の実施例の構成を示す断面図である。
【図２２】図２２ＡおよびＢは、本発明による薄膜磁気
ヘッドの第４の実施例の製造工程を示す断面図である。
【図２３】図２３ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図２４】図２４ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図２５】図２５ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図２６】図２６ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図２７】図２７ＡおよびＢは、本発明による薄膜磁気
ヘッドの第５の実施例の製造工程を示す断面図である。
【図２８】図２８ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図２９】図２９ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図３０】図３０ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図３１】図３１ＡおよびＢは、本発明による薄膜磁気
ヘッドの第６の実施例の製造工程を示す断面図である。
【図３２】図３２ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図３３】図３３ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図３４】図３４ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図３５】図３５ＡおよびＢは、本発明による薄膜磁気
ヘッドの第７の実施例の製造工程を示す断面図である。
【図３６】図３６ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図３７】図３７ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図３８】図３８ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図３９】図３９ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。
【図４０】図４０ＡおよびＢは、本発明による薄膜磁気
ヘッドの変形例の構成を示す平面図および断面図であ
る。
【図４１】図４１ＡおよびＢは、本発明による薄膜磁気
ヘッドの他の変形例の構成を示す平面図および断面図で
ある。
【符号の説明】
２１ 基体本体、 ２２ 絶縁層、 ２３ 第１磁性
層、 ２４、２７ シールドギャップ層、 ２５ ＧＭ
Ｒ層、 ２６ａ、２６ｂ 引き出し電極、 ２８第２磁
性層、 ２８ａ 凹部、 ２９ ライトギャップ層、
３０ 薄膜コイル、 ３１ 第１フォトレジスト絶縁
層、 ３２ 第２フォトレジスト絶縁層、３３ 第３磁
性層、 ３３ａ 磁極部分、 ３４ オーバーコート
層、 ３５エアベアリング面、 ３６ ＧＭＲ素子、
４１ 無機絶縁層、 ４２ ライトギャップ層、 ５１
ＳＯＧ層、 ６１ 絶縁層、 ６２ 下部ポールチッ
プ、６３ 無機絶縁層、 ６４ 無機絶縁層、 ６５
ライトギャップ層、 ６６フォトレジスト絶縁層、 ７
１ フォトレジスト絶縁層、 ７２ 無機絶縁層、 ７
３ フォトレジスト絶縁層、 ７４ ライトギャップ
層、 ８１ 第１層目の薄膜コイル、 ８２ 上部ポー
ルチップ、 ８３ 第２層目の薄膜コイル、８４ 無機
絶縁層、 ８５ 第３の磁性層、 ９１ フォトレジス
ト絶縁層、９２ ライトギャップ層、 ９３ フォトレ
ジスト絶縁層

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基体と、 この基体によって支持され、基体によって支持された面
    とは反対側の面に、スロートハイト零の基準位置よりも
    内側に形成された凹部を有する第１の磁性部材と、 この第１の磁性部材の、前記基体によって支持された面
    とは反対側の面に形成された凹部内に、一部分が埋設さ
    れるように形成された薄膜コイルと、 この薄膜コイルのコイル巻回体を絶縁分離するように支
    持し、前記凹部を越えて外方に延在し、外周縁がスロー
    トハイト零の基準位置を規定するように形成された絶縁
    部材と、 この絶縁部材の、前記基体とは反対側の面に形成され、
    この絶縁部材を越えてエアベアリング面まで延在し、ラ
    イトトラック幅を規定する幅を有する磁極部分を含む第
    ２の磁性部材と、 少なくとも前記第１の磁性部材と第２の磁性部材の磁極
    部分との間に設けられたライトギャップ層と、を具える
    薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】前記第１の磁性部材を、前記凹部の内部に
    おいて前記薄膜コイルのコイル巻回体を支持するように
    形成された第１の絶縁層と、前記凹部を越えて外方に延
    在し、外周縁がスロートハイト零の基準位置を規定する
    第２の絶縁層とを以て構成した請求項１に記載の薄膜磁
    気ヘッド。
  3. 【請求項３】前記第１および第２の絶縁層を、フォトレ
    ジスト絶縁層で構成した請求項２に記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  4. 【請求項４】前記第１の絶縁層をフォトレジスト絶縁層
    で構成し、前記第２の絶縁層を無機絶縁層で構成した請
    求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】前記第１の絶縁層を無機絶縁層で構成し、
    前記第２の絶縁層をフォトレジスト絶縁層で構成した請
    求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】前記第１の絶縁層を、スピンオンガラス絶
    縁層で構成した請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】前記第２の絶縁層を無機絶縁層で構成した
    請求項６に記載の薄膜磁気ヘッド。
  8. 【請求項８】前記第１の絶縁層を、薄膜コイルの一部分
    が露出するように形成した請求項２〜７の何れかに記載
    の薄膜磁気ヘッド。
  9. 【請求項９】前記第１の絶縁層を、薄膜コイルの全部を
    覆うように形成した請求項２〜７の何れかに記載の薄膜
    磁気ヘッド。
  10. 【請求項１０】前記前記ライトギャップ層を、前記第１
    の磁性層と薄膜コイルとの間にも形成した請求項２〜９
    の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  11. 【請求項１１】前記前記ライトギャップ層を、前記第１
    の磁性層と第２の磁性層との間にも形成した請求項２〜
    ９の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  12. 【請求項１２】前記前記ライトギャップ層を、前記第２
    の絶縁層と第２の磁性層との間にも形成した請求項２〜
    ９の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  13. 【請求項１３】前記第１の磁性部材を、１層の磁性層で
    構成した請求項１〜１２の何れかに記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  14. 【請求項１４】前記第１の磁性部材を、磁性層と、ポー
    ルチップとで構成し、これら磁性層とポールチップとの
    段差によって前記凹部を構成した請求項１〜１２の何れ
    かに記載の薄膜磁気ヘッド。
  15. 【請求項１５】前記基体と第１の磁性部材との間、また
    は前記第２の磁性部材の基体とは反対側に磁気抵抗効果
    型薄膜磁気ヘッドを設けた請求項１〜１４の何れかに記
    載の薄膜磁気ヘッド。
  16. 【請求項１６】少なくとも誘導型薄膜磁気ヘッドを基体
    により支持した薄膜磁気ヘッドを製造する方法であっ
    て、 この基体によって支持され、基体によって支持された面
    とは反対側の面に、スロートハイト零の基準位置よりも
    内側に形成された凹部を有する第１の磁性部材を形成す
    る工程と、 この第１の磁性部材の、前記基体によって支持された面
    とは反対側の面に形成された凹部内に、一部分が埋設さ
    れるように薄膜コイルを形成する工程と、 この薄膜コイルのコイル巻回体を絶縁分離するように支
    持すると共に前記凹部を越えて外方に延在し、外周縁が
    スロートハイト零の基準位置を規定するように絶縁部材
    を形成する工程と、 前記薄膜コイルを形成する以前にまたは前記絶縁部材を
    形成した後に、少なくとも前記第１の磁性部材の磁極部
    分を覆うようにライトギャップ層を形成する工程と、 前記絶縁部材の、前記基体とは反対側の面に形成され、
    この絶縁部材を越えてエアベアリング面まで延在し、ラ
    イトトラック幅を規定する幅を有し、前記ライトギャッ
    プ層を介して前記第１の磁性部材と対向する磁極部分を
    含む第２の磁性部材を形成する工程と、を具える薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
  17. 【請求項１７】前記第１の磁性部材の凹部内に薄膜コイ
    ルを形成した後、そのコイル巻回体を支持する第１の絶
    縁層を前記凹部内に形成し、この第１の磁性層の上にラ
    イトギャップ層を介してまたは直接に、前記凹部を越え
    て外方に延在し、外周縁がスロートハイト零の基準位置
    を規定するように第２の絶縁層を形成する請求項１６に
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  18. 【請求項１８】前記第１の絶縁層を、前記第１の磁性部
    材の凹部を越えて延在する部分の表面と整列される平坦
    面となるように形成し、この平坦な表面に前記ライトギ
    ャップ層を平坦に形成し、このライトギャップ層の平坦
    な表面に前記第２の絶縁層を形成する請求項１７に記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  19. 【請求項１９】前記第１の磁性部材を、平坦な磁性層を
    形成した後、この磁性層の上に下部ポールチップを形成
    することによって形成し、前記薄膜コイルおよび第１の
    絶縁層を、これら絶縁層と下部ポールチップとの段差に
    よって構成される凹部内に形成する請求項１８に記載の
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  20. 【請求項２０】前記薄膜コイルを電解鍍金により形成す
    る請求項１６〜１９の何れかに記載の薄膜磁気ヘッドの
    製造方法。
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