JP3503874B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- Y10T29/49046—Depositing magnetic layer or coating with etching or machining of magnetic material
Landscapes
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- Magnetic Heads (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等の磁気記録再生装置に使用される薄膜磁気ヘッドの製
造方法に関する。
等の磁気記録再生装置に使用される薄膜磁気ヘッドの製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータの記憶装置を構成する磁気
ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッドとして、誘導
型書き込み素子と、ＭＲ読み取り素子とを有する複合型
のものが主に用いられるようになっている。
ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッドとして、誘導
型書き込み素子と、ＭＲ読み取り素子とを有する複合型
のものが主に用いられるようになっている。
【０００３】この種の薄膜磁気ヘッドを用いて、高記録
密度に対応するためには、磁気ディスクの単位面積当た
りに記憶されるデータ量（面密度）を高めなければなら
ない。面密度は、書き込み素子の能力によって左右され
る。面密度は、書き込み素子において、書き込みポール
間のギャップ長を小さくすることによって高めることが
できる。但し、ギャップ長の短縮は、書き込みポール間
の磁束強度の減少を招くので、おのずと限界がある。
密度に対応するためには、磁気ディスクの単位面積当た
りに記憶されるデータ量（面密度）を高めなければなら
ない。面密度は、書き込み素子の能力によって左右され
る。面密度は、書き込み素子において、書き込みポール
間のギャップ長を小さくすることによって高めることが
できる。但し、ギャップ長の短縮は、書き込みポール間
の磁束強度の減少を招くので、おのずと限界がある。
【０００４】記録の面密度を高めるもう一つの手段は、
磁気ディスクに記録できるデータトラック数を増やすこ
とである。磁気ディスクに記録できるトラック数は、通
常、TPI(track per inch)として表現される。書き込み
素子のＴＰＩ能力は、データ．トラックの幅を決めるヘ
ッド寸法を小さくすることによって高めることができ
る。このヘッド寸法は、通常、ヘッドのトラック幅と称
されている。
磁気ディスクに記録できるデータトラック数を増やすこ
とである。磁気ディスクに記録できるトラック数は、通
常、TPI(track per inch)として表現される。書き込み
素子のＴＰＩ能力は、データ．トラックの幅を決めるヘ
ッド寸法を小さくすることによって高めることができ
る。このヘッド寸法は、通常、ヘッドのトラック幅と称
されている。
【０００５】トラック幅を狭小化する試みは、公知文献
に種々見られる。例えば、特開平７ー２６２５１９号公
報及び特開平７ー２２５９１７号公報は、フォトリソグ
ラフィ工程の適用によって得られた第２のポール部をマ
スクとして用い、イオン．ビーム．ミリングにより、第
１のポール部のトラック幅を、第２のポール部のトラッ
ク幅に合わせる手段を開示している。
に種々見られる。例えば、特開平７ー２６２５１９号公
報及び特開平７ー２２５９１７号公報は、フォトリソグ
ラフィ工程の適用によって得られた第２のポール部をマ
スクとして用い、イオン．ビーム．ミリングにより、第
１のポール部のトラック幅を、第２のポール部のトラッ
ク幅に合わせる手段を開示している。
【０００６】特開平６ー２８６２６号公報は、第１の磁
気ヨーク層（第１のヨーク部）を形成した後、フォトレ
ジスト層を付着させ、フォトレジスト層に、第１のポー
ル部、ギャップ膜及び第２のポール部でなる磁極端アセ
ンブリをパターン形成するための開口部を設け、次に、
開口部に磁極端アセンブリを形成した後、磁極端アセン
ブリの前部に位置するフォトレジスト層を除去し、この
後、従来方法によりコイル構造や絶縁膜等を構成し、更
に第２の磁気ヨーク層（第２のヨーク部）を形成する方
法を開示している。
気ヨーク層（第１のヨーク部）を形成した後、フォトレ
ジスト層を付着させ、フォトレジスト層に、第１のポー
ル部、ギャップ膜及び第２のポール部でなる磁極端アセ
ンブリをパターン形成するための開口部を設け、次に、
開口部に磁極端アセンブリを形成した後、磁極端アセン
ブリの前部に位置するフォトレジスト層を除去し、この
後、従来方法によりコイル構造や絶縁膜等を構成し、更
に第２の磁気ヨーク層（第２のヨーク部）を形成する方
法を開示している。
【０００７】上述した先行技術は、基本的には、フォト
リソグラフィ工程によってパターンニングされたマスク
を用いて、トラック幅を画定するものである。ところ
が、書き込みポール部のトラック幅を狭小化すればする
程、書き込みポール部を構成する磁性膜のアスペクト比
（膜厚ｔと幅ｗとの比ｔ／ｗ）が高くなる。フォトリソ
グラフィ工程によってパターンニングされたマスクを用
いて、トラック幅を画定する場合、磁性膜のアスペクト
比が高くなると、必然的に、レジストフレームの高さ
と、トラック幅を決めるフレーム間隔との比が大きくな
るため、磁性膜のメッキ形成が円滑に行われにくくな
り、書き込みポール部の磁気特性が不安定になり、記録
能力が低下する。
リソグラフィ工程によってパターンニングされたマスク
を用いて、トラック幅を画定するものである。ところ
が、書き込みポール部のトラック幅を狭小化すればする
程、書き込みポール部を構成する磁性膜のアスペクト比
（膜厚ｔと幅ｗとの比ｔ／ｗ）が高くなる。フォトリソ
グラフィ工程によってパターンニングされたマスクを用
いて、トラック幅を画定する場合、磁性膜のアスペクト
比が高くなると、必然的に、レジストフレームの高さ
と、トラック幅を決めるフレーム間隔との比が大きくな
るため、磁性膜のメッキ形成が円滑に行われにくくな
り、書き込みポール部の磁気特性が不安定になり、記録
能力が低下する。
【０００８】また、薄膜磁気ヘッドにおいて、コイル膜
を支持する絶縁膜は高く盛り上がっている。このため、
第２のヨーク部を形成するためのフォトリソグラフィ工
程において、フォトレジストを付着させた場合、フォト
レジストが段差部に厚く付着する。従って、段差部の下
側に形成される第２のポール部のパターンを、膜厚の厚
いフォトレジストを通してパターンニングしなければな
らず、アスペクト比（レジストの高さと幅の比）が著し
く高くなるため、トラック幅の狭小化が困難である。上
述したような理由から、従来は、約０．８μｍのトラッ
ク幅を得るのが限界であった。
を支持する絶縁膜は高く盛り上がっている。このため、
第２のヨーク部を形成するためのフォトリソグラフィ工
程において、フォトレジストを付着させた場合、フォト
レジストが段差部に厚く付着する。従って、段差部の下
側に形成される第２のポール部のパターンを、膜厚の厚
いフォトレジストを通してパターンニングしなければな
らず、アスペクト比（レジストの高さと幅の比）が著し
く高くなるため、トラック幅の狭小化が困難である。上
述したような理由から、従来は、約０．８μｍのトラッ
ク幅を得るのが限界であった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、書き
込みポールのトラック幅を、フォトリソグラフィの限界
を越えた高精度の微小値に設定し得る薄膜磁気ヘッドの
製造方法を提供することである。
込みポールのトラック幅を、フォトリソグラフィの限界
を越えた高精度の微小値に設定し得る薄膜磁気ヘッドの
製造方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、書き込
みポール部のうち、少なくとも第２のポール部を、フォ
トリソグラフィによるパターンニング工程を含む工程に
よって形成する。次に、第２のポール部に対し、ドライ
エッチングを施して、縮小されたトラック幅を得る工程
を含む。
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、書き込
みポール部のうち、少なくとも第２のポール部を、フォ
トリソグラフィによるパターンニング工程を含む工程に
よって形成する。次に、第２のポール部に対し、ドライ
エッチングを施して、縮小されたトラック幅を得る工程
を含む。
【００１１】上記製造方法によれば、フォトリソグラフ
ィによって画定された書き込みトラック幅を、ドライエ
ッチングによる削減により、更に狭小化することができ
る。具体的には、フォトリソグラフィによっては極めて
困難な１μｍ以下のトラック幅、例えば０．５μｍであ
っても、容易に実現できる。
ィによって画定された書き込みトラック幅を、ドライエ
ッチングによる削減により、更に狭小化することができ
る。具体的には、フォトリソグラフィによっては極めて
困難な１μｍ以下のトラック幅、例えば０．５μｍであ
っても、容易に実現できる。
【００１２】しかも、フォトリソグラフィ工程によって
パターンニングされたマスクを用いて、トラック幅を画
定するプロセスでは、最終的に得られるトラック幅より
も広いトラック幅を得るだけでよい。従って、フォトリ
ソグラフィ工程では、レジストフレームの高さと、トラ
ック幅を決めるフレーム間隔との比（アスペクト比）を
小さくできる。このため、磁性膜のメッキ形成が円滑に
行われるようになり、書き込みポール部の磁気特性を安
定化させ、記録能力の低下を阻止することができる。
パターンニングされたマスクを用いて、トラック幅を画
定するプロセスでは、最終的に得られるトラック幅より
も広いトラック幅を得るだけでよい。従って、フォトリ
ソグラフィ工程では、レジストフレームの高さと、トラ
ック幅を決めるフレーム間隔との比（アスペクト比）を
小さくできる。このため、磁性膜のメッキ形成が円滑に
行われるようになり、書き込みポール部の磁気特性を安
定化させ、記録能力の低下を阻止することができる。
【００１３】ドライエッチング工程は、好ましくは、イ
オン．ビーム．ミリング工程である。イオン．ビーム．
ミリング工程において、好ましくは、少なくとも２種の
異なるイオン入射角度が、それぞれ、時間的に異なるタ
イミングで選定される。例えば、ある一つのイオン入射
角度（第１のイオン入射角度）は、ギャップ膜及び第１
のポール部の削減を考慮し、それに適した値に選定し、
他のイオン入射角度（第２のイオン入射角度）は、第２
のポール部の側壁面を削減してトラック幅を縮小するの
に適した値に選定する。そして、第１のイオン入射角度
でイオン．ビーム．ミリングを行った後、第２のイオン
入射角度でイオン．ビーム．ミリングを行う。従って、
第２のポール部のトラック幅の画定と、このトラック幅
に合わせたギャップ膜及び第１のポール部の削減とを、
効率良く進めることができる。
オン．ビーム．ミリング工程である。イオン．ビーム．
ミリング工程において、好ましくは、少なくとも２種の
異なるイオン入射角度が、それぞれ、時間的に異なるタ
イミングで選定される。例えば、ある一つのイオン入射
角度（第１のイオン入射角度）は、ギャップ膜及び第１
のポール部の削減を考慮し、それに適した値に選定し、
他のイオン入射角度（第２のイオン入射角度）は、第２
のポール部の側壁面を削減してトラック幅を縮小するの
に適した値に選定する。そして、第１のイオン入射角度
でイオン．ビーム．ミリングを行った後、第２のイオン
入射角度でイオン．ビーム．ミリングを行う。従って、
第２のポール部のトラック幅の画定と、このトラック幅
に合わせたギャップ膜及び第１のポール部の削減とを、
効率良く進めることができる。
【００１４】イオン入射角度及びその入射時間は、エッ
チングされる材料、及び、膜厚に応じた最適値に選定さ
れる。本発明はそのようなイオン入射角度及び入射時間
についても開示する。
チングされる材料、及び、膜厚に応じた最適値に選定さ
れる。本発明はそのようなイオン入射角度及び入射時間
についても開示する。
【００１５】本発明の他の目的、構成及び利点は、実施
例である添付図面を参照して、更に詳しく説明する。
例である添付図面を参照して、更に詳しく説明する。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る製造方法によ
って得られる薄膜磁気ヘッドの斜視図、図２は図１に図
示された薄膜磁気ヘッドの断面図である。これらの図に
おいて、寸法は誇張されている。まず、図１を参照する
と、図示された薄膜磁気ヘッドは、スライダ１と、少な
くとも１つの誘導型薄膜磁気変換素子２とを含む。スラ
イダ１は媒体対向面側にレール部１１、１２を有し、レ
ール部１１、１２の基体表面がＡＢＳ１３、１４として
用いられる。レール部１１、１２は２本に限らない。例
えば、１〜３本のレール部を有することがあり、レール
部を持たない平面となることもある。また、浮上特性改
善等のために、媒体対向面に種々の幾何学的形状が付さ
れることもある。何れのタイプであっても、本発明の適
用が可能である。スライダ１は、AlTiC等のセラミック
材料によって構成される。
って得られる薄膜磁気ヘッドの斜視図、図２は図１に図
示された薄膜磁気ヘッドの断面図である。これらの図に
おいて、寸法は誇張されている。まず、図１を参照する
と、図示された薄膜磁気ヘッドは、スライダ１と、少な
くとも１つの誘導型薄膜磁気変換素子２とを含む。スラ
イダ１は媒体対向面側にレール部１１、１２を有し、レ
ール部１１、１２の基体表面がＡＢＳ１３、１４として
用いられる。レール部１１、１２は２本に限らない。例
えば、１〜３本のレール部を有することがあり、レール
部を持たない平面となることもある。また、浮上特性改
善等のために、媒体対向面に種々の幾何学的形状が付さ
れることもある。何れのタイプであっても、本発明の適
用が可能である。スライダ１は、AlTiC等のセラミック
材料によって構成される。
【００１７】図２を参照すると、薄膜磁気変換素子２
は、第１の磁性膜２１と、ギャップ膜２４と、第２の磁
性膜２２と、コイル膜２３と、コイル絶縁膜２５と、保
護膜２６とを含み、スライダ１上に設けられている。第
１の磁性膜２１は、第１のポール部２１０を有する。コ
イル膜２３はコイル絶縁膜２５によって支持されてい
る。第１の磁性膜２１、ギャップ膜２４、第２の磁性膜
２２、コイル膜２３、コイル絶縁膜２５及び保護膜２６
は、当業者に周知の組成材料、厚み及びパターンを有
し、通常の手段に従って製造することができる。その好
ましい具体例を挙げると次の通りである。
は、第１の磁性膜２１と、ギャップ膜２４と、第２の磁
性膜２２と、コイル膜２３と、コイル絶縁膜２５と、保
護膜２６とを含み、スライダ１上に設けられている。第
１の磁性膜２１は、第１のポール部２１０を有する。コ
イル膜２３はコイル絶縁膜２５によって支持されてい
る。第１の磁性膜２１、ギャップ膜２４、第２の磁性膜
２２、コイル膜２３、コイル絶縁膜２５及び保護膜２６
は、当業者に周知の組成材料、厚み及びパターンを有
し、通常の手段に従って製造することができる。その好
ましい具体例を挙げると次の通りである。
【００１８】まず、第１の磁性膜２１はNiFe、CoFe、Co
FeNi等の軟磁性材料を用いて、０．５〜４μｍ程度の膜
厚となるように形成する。形成手段として、メッキ法や
スパッタ法等を用いることができる。
FeNi等の軟磁性材料を用いて、０．５〜４μｍ程度の膜
厚となるように形成する。形成手段として、メッキ法や
スパッタ法等を用いることができる。
【００１９】第２の磁性膜２２はNiFe、CoFe、CoFeNi等
の軟磁性材料を用いて、３〜５μｍ程度の膜厚となるよ
うに形成する。形成手段としては、フレームメッキ法が
用いられる外、トラック幅狭小化のためのドライエッチ
ング法が用いられる。その詳細については、本発明に係
る製造方法において更に具体的に説明する。
の軟磁性材料を用いて、３〜５μｍ程度の膜厚となるよ
うに形成する。形成手段としては、フレームメッキ法が
用いられる外、トラック幅狭小化のためのドライエッチ
ング法が用いられる。その詳細については、本発明に係
る製造方法において更に具体的に説明する。
【００２０】コイル膜２３はＣｕ等の導電性材料から構
成される。コイル膜２３の膜厚は２〜５μｍ程度が好ま
しい。コイル膜２３の形成には、フレームメッキ法等を
用いることが好ましい。
成される。コイル膜２３の膜厚は２〜５μｍ程度が好ま
しい。コイル膜２３の形成には、フレームメッキ法等を
用いることが好ましい。
【００２１】ギャップ膜２４はAl2O3、SiO2等の非磁性
絶縁材料、または、非磁性金属材料によって構成するこ
とができる。Al2O3、SiO2等の非磁性絶縁材料で構成す
る場合は、スパッタ法等を用いることができる。非磁性
金属材料によって構成する場合は、メッキ法またはスパ
ッタ法を用いることができる。膜厚は０．０１〜０．５
μｍ程度が好ましい。
絶縁材料、または、非磁性金属材料によって構成するこ
とができる。Al2O3、SiO2等の非磁性絶縁材料で構成す
る場合は、スパッタ法等を用いることができる。非磁性
金属材料によって構成する場合は、メッキ法またはスパ
ッタ法を用いることができる。膜厚は０．０１〜０．５
μｍ程度が好ましい。
【００２２】コイル絶縁膜２５はフォトレジスト材料を
硬化させて形成することが好ましい。コイル絶縁膜２５
は、コイル膜２３の層数、及び、コイル支持構造に応じ
て、その層数が変化し、膜厚もそれに伴って変化する。
一般には、３〜２０μｍ程度の膜厚を有する。
硬化させて形成することが好ましい。コイル絶縁膜２５
は、コイル膜２３の層数、及び、コイル支持構造に応じ
て、その層数が変化し、膜厚もそれに伴って変化する。
一般には、３〜２０μｍ程度の膜厚を有する。
【００２３】保護膜２６はAl2O3、SiO2等の絶縁材料に
よって構成することができる。膜厚は５〜５０μｍ程度
が好ましい。保護膜２６はスパッタ法等によって形成す
ることが好ましい。
よって構成することができる。膜厚は５〜５０μｍ程度
が好ましい。保護膜２６はスパッタ法等によって形成す
ることが好ましい。
【００２４】コイル膜２３は、第１の磁性膜２１、第２
の磁性膜２２及びギャップ膜２４とともに薄膜磁気回路
を構成する。コイル膜２３は、コイル絶縁膜２５によっ
て支持され、ヨーク部の結合部のまわりを渦巻状にまわ
るように形成されている。コイル膜２３の両端は、取り
出し電極２７、２８（図１参照）に導通されている。コ
イル膜２３の巻数および層数は任意である。この実施例
では、２層構造を持つコイル膜２３を示してある。
の磁性膜２２及びギャップ膜２４とともに薄膜磁気回路
を構成する。コイル膜２３は、コイル絶縁膜２５によっ
て支持され、ヨーク部の結合部のまわりを渦巻状にまわ
るように形成されている。コイル膜２３の両端は、取り
出し電極２７、２８（図１参照）に導通されている。コ
イル膜２３の巻数および層数は任意である。この実施例
では、２層構造を持つコイル膜２３を示してある。
【００２５】図示された薄膜磁気ヘッドにおいて、スラ
イダ１は、媒体対向面側にＡＢＳ１３、１４を有し、薄
膜磁気変換素子２はスライダ１上に設けられているか
ら、磁気ディスク等の磁気記録媒体と組み合わせて用い
られる浮上型の薄膜磁気ヘッドとして用いることができ
る。
イダ１は、媒体対向面側にＡＢＳ１３、１４を有し、薄
膜磁気変換素子２はスライダ１上に設けられているか
ら、磁気ディスク等の磁気記録媒体と組み合わせて用い
られる浮上型の薄膜磁気ヘッドとして用いることができ
る。
【００２６】第２の磁性膜２２のヨーク部２２１は、後
方側が第１の磁性膜２１と磁気的に結合されているか
ら、コイル膜２３に書き込み電流を流すことによって発
生した磁界を、ヨーク部２２１によって、第１のポール
部２１０及び第２のポール部２２０に効率良く伝送する
ことができる。
方側が第１の磁性膜２１と磁気的に結合されているか
ら、コイル膜２３に書き込み電流を流すことによって発
生した磁界を、ヨーク部２２１によって、第１のポール
部２１０及び第２のポール部２２０に効率良く伝送する
ことができる。
【００２７】図１及び図２に示した薄膜磁気ヘッドは、
誘導型磁気変換素子２を書き込み専用とし、読み出し用
としてＭＲ素子３を有する複合型である。薄膜磁気変換
素子２、３は、レール部１１、１２の一方または両者の
媒体移動方向ａ１の端部に設けられている。媒体移動方
向ａ１は、媒体が高速移動した時の空気の流出方向と一
致する。
誘導型磁気変換素子２を書き込み専用とし、読み出し用
としてＭＲ素子３を有する複合型である。薄膜磁気変換
素子２、３は、レール部１１、１２の一方または両者の
媒体移動方向ａ１の端部に設けられている。媒体移動方
向ａ１は、媒体が高速移動した時の空気の流出方向と一
致する。
【００２８】ＭＲ素子３は、これまで、種々の膜構造の
ものが提案され、実用に供されている。例えばパーマロ
イ等による異方性磁気抵抗効果素子を用いたもの、巨大
磁気抵抗（ＧＭＲ）効果膜を用いたもの等がある。本発
明において、何れのタイプであってもよい。ＭＲ素子３
は、第１のシールド膜３１と、第２のシールド膜を兼ね
ている第１の磁性膜２１との間において、絶縁膜３２の
内部に配置されている。絶縁膜３２はアルミナ等によっ
て構成されている。ＭＲ素子３は、リード導体３５（図
２参照）により、取り出し電極３３、３４に接続されて
いる（図１参照）。
ものが提案され、実用に供されている。例えばパーマロ
イ等による異方性磁気抵抗効果素子を用いたもの、巨大
磁気抵抗（ＧＭＲ）効果膜を用いたもの等がある。本発
明において、何れのタイプであってもよい。ＭＲ素子３
は、第１のシールド膜３１と、第２のシールド膜を兼ね
ている第１の磁性膜２１との間において、絶縁膜３２の
内部に配置されている。絶縁膜３２はアルミナ等によっ
て構成されている。ＭＲ素子３は、リード導体３５（図
２参照）により、取り出し電極３３、３４に接続されて
いる（図１参照）。
【００２９】次に、図１、２に示した薄膜磁気ヘッド
に、本発明に係る製造方法を適用した例を説明する。図
３〜図１１は本発明に係る製造方法に含まれる工程を示
す図である。図３〜図１１において、図１、２に示され
た構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符
号を付してある。本発明に係る製造方法はウエハー上で
実行されるが、図はウエハー上の一素子のみを示してあ
る。
に、本発明に係る製造方法を適用した例を説明する。図
３〜図１１は本発明に係る製造方法に含まれる工程を示
す図である。図３〜図１１において、図１、２に示され
た構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符
号を付してある。本発明に係る製造方法はウエハー上で
実行されるが、図はウエハー上の一素子のみを示してあ
る。
【００３０】まず、図３〜５を参照して説明する。図３
は、ある工程における薄膜磁気ヘッドの磁気変換素子部
分の正面断面図、図４は図３の４ー４線に沿った断面
図、図５は図３、図４に示した磁気変換素子部分の平面
図である。図３〜図５は、図示の都合から、寸法は必ず
しも一致していない。また、寸法は誇張されている。
は、ある工程における薄膜磁気ヘッドの磁気変換素子部
分の正面断面図、図４は図３の４ー４線に沿った断面
図、図５は図３、図４に示した磁気変換素子部分の平面
図である。図３〜図５は、図示の都合から、寸法は必ず
しも一致していない。また、寸法は誇張されている。
【００３１】図３〜図５に示した状態では、スライダと
なる基体１上に第１の磁性膜２１、ギャップ膜２４、及
び、コイル膜２３を支持するコイル絶縁膜２５がすでに
形成されている。コイル絶縁膜２５を含む全面には、第
２の磁性膜をメッキによって形成するためのメッキ下地
膜（シード膜）が形成されている。これらの構成部分は
当業者に周知のプロセスに従って形成する。
なる基体１上に第１の磁性膜２１、ギャップ膜２４、及
び、コイル膜２３を支持するコイル絶縁膜２５がすでに
形成されている。コイル絶縁膜２５を含む全面には、第
２の磁性膜をメッキによって形成するためのメッキ下地
膜（シード膜）が形成されている。これらの構成部分は
当業者に周知のプロセスに従って形成する。
【００３２】コイル絶縁膜２５の上には既にフォトレジ
スト６が塗布されている。フォトレジスト６はスピンコ
ート法によって塗布することができる。このフォトレジ
スト６に対してフォトマスクＰＨＭを当て、第２の磁性
膜のためのフォトリソグラフィ工程を実行する。
スト６が塗布されている。フォトレジスト６はスピンコ
ート法によって塗布することができる。このフォトレジ
スト６に対してフォトマスクＰＨＭを当て、第２の磁性
膜のためのフォトリソグラフィ工程を実行する。
【００３３】図６〜図８はフォトリソグラフィ工程によ
って形成されたレジストフレーム６０を示している。レ
ジストフレーム６０の内側には第２の磁性膜を形成する
ためのパターン６１が画定されている。
って形成されたレジストフレーム６０を示している。レ
ジストフレーム６０の内側には第２の磁性膜を形成する
ためのパターン６１が画定されている。
【００３４】次に、図９〜１１に示すように、レジスト
フレーム６０によって囲まれたパターン６１の内部に、
第２の磁性膜２２を、電気メッキ等の手段によって形成
する。第２の磁性膜２２はレジストフレーム６０の外部
領域にも付着するが、外部領域に付着したメッキ膜は、
ミリング等のドライエッチングによって除去する。図は
このドライエッチング後の状態を示している。第２の磁
性膜２２は、スロートハイト零点ＴＨ０まではギャップ
膜２４及び第１の磁性膜２１と平行な第２のポール部２
２０を構成し、スロートハイト零点ＴＨ０からコイル絶
縁膜２５の上面に向かって、エイペックス角θで傾斜す
るように形成される。
フレーム６０によって囲まれたパターン６１の内部に、
第２の磁性膜２２を、電気メッキ等の手段によって形成
する。第２の磁性膜２２はレジストフレーム６０の外部
領域にも付着するが、外部領域に付着したメッキ膜は、
ミリング等のドライエッチングによって除去する。図は
このドライエッチング後の状態を示している。第２の磁
性膜２２は、スロートハイト零点ＴＨ０まではギャップ
膜２４及び第１の磁性膜２１と平行な第２のポール部２
２０を構成し、スロートハイト零点ＴＨ０からコイル絶
縁膜２５の上面に向かって、エイペックス角θで傾斜す
るように形成される。
【００３５】第２のポール部２２０のトラック幅Ｗ２０
は、フォトレジスト６１のパターンによってほぼ定まる
高精度の寸法、形状に設定されている。従来は、このよ
うにして画定されたトラック幅Ｗ２０を、最終製品にお
けるトラック幅として利用していた。このため、１μｍ
以下、特に、０．８μｍ以下のトラック幅Ｗ２０を得る
ことが、極めて困難であった。本発明では、トラック幅
を、更に狭小化するための工程が続く。
は、フォトレジスト６１のパターンによってほぼ定まる
高精度の寸法、形状に設定されている。従来は、このよ
うにして画定されたトラック幅Ｗ２０を、最終製品にお
けるトラック幅として利用していた。このため、１μｍ
以下、特に、０．８μｍ以下のトラック幅Ｗ２０を得る
ことが、極めて困難であった。本発明では、トラック幅
を、更に狭小化するための工程が続く。
【００３６】まず、図１２〜図１４に示すように、レジ
ストフレームを除去した後、図１５に示すように、第２
のポール部２２０に対し、ドライエッチングを施す。こ
れにより、図１６、図１７に示すように、縮小されたト
ラック幅Ｗ２１を得ることができる。図１６、１７にお
いて、第２のポール部２２０は、ギャップ膜２４を介し
て、第１のポール部２１０と対向している。
ストフレームを除去した後、図１５に示すように、第２
のポール部２２０に対し、ドライエッチングを施す。こ
れにより、図１６、図１７に示すように、縮小されたト
ラック幅Ｗ２１を得ることができる。図１６、１７にお
いて、第２のポール部２２０は、ギャップ膜２４を介し
て、第１のポール部２１０と対向している。
【００３７】上記方法によれば、書き込みポールのトラ
ック幅を、フォトリソグラフィによって定まるトラック
幅Ｗ２０から、ドライエッチングによる削減により、更
に狭小化された幅Ｗ２１まで、狭小化することができ
る。フォトリソグラフィによっては極めて困難な１μｍ
以下のトラック幅Ｗ２１であっても、容易に実現でき
る。具体的には、従来は不可能視されていた０．５μｍ
以下のトラック幅Ｗ２１をも実現することができる。
ック幅を、フォトリソグラフィによって定まるトラック
幅Ｗ２０から、ドライエッチングによる削減により、更
に狭小化された幅Ｗ２１まで、狭小化することができ
る。フォトリソグラフィによっては極めて困難な１μｍ
以下のトラック幅Ｗ２１であっても、容易に実現でき
る。具体的には、従来は不可能視されていた０．５μｍ
以下のトラック幅Ｗ２１をも実現することができる。
【００３８】しかも、フォトリソグラフィ工程によって
パターンニングされたマスクを用いて、トラック幅Ｗ２
０を画定する場合（図３〜図１４参照）、最終的に得ら
れるトラック幅Ｗ２１よりも、広いトラック幅でよい。
従って、フォトリソグラフィ工程では、レジストフレー
ム６０の高さと、トラック幅Ｗ２０を決めるフレーム間
隔との比（アスペクト比）を小さくできる。このため、
第２の磁性膜２２のメッキ形成が円滑に行われるように
なり、第２のポール部２２０の磁気特性を安定化させ、
記録能力の低下を阻止することができる。
パターンニングされたマスクを用いて、トラック幅Ｗ２
０を画定する場合（図３〜図１４参照）、最終的に得ら
れるトラック幅Ｗ２１よりも、広いトラック幅でよい。
従って、フォトリソグラフィ工程では、レジストフレー
ム６０の高さと、トラック幅Ｗ２０を決めるフレーム間
隔との比（アスペクト比）を小さくできる。このため、
第２の磁性膜２２のメッキ形成が円滑に行われるように
なり、第２のポール部２２０の磁気特性を安定化させ、
記録能力の低下を阻止することができる。
【００３９】ドライエッチングは、例えば、フォトリソ
グラフィによって得られるトラック幅Ｗ２０＝１．５〜
２．５μｍから開始され、最終的に１μｍ以下のトラッ
ク幅Ｗ２１が得られるように行う。このようなプロセス
によると、前述した本発明によるを確実に得ることがで
きる。
グラフィによって得られるトラック幅Ｗ２０＝１．５〜
２．５μｍから開始され、最終的に１μｍ以下のトラッ
ク幅Ｗ２１が得られるように行う。このようなプロセス
によると、前述した本発明によるを確実に得ることがで
きる。
【００４０】ドライエッチング工程は、好ましくは、Ａ
ｒイオンによるイオン．ビーム．ミリング工程である。
イオン．ビーム．ミリングによると、図１６、１７に示
すように、ギャップ膜２４、及び、第１の磁性膜２１に
よって構成される第１のポール部２１０も、エッチング
される。第１のポール部２１０は、第２のポール部２２
０のトラック幅Ｗ２１と、ほぼ同じトラック幅Ｗ１１と
なるように削減されるので、サイドフリンジングを抑制
し得るた好ましいポール構造が得られる。
ｒイオンによるイオン．ビーム．ミリング工程である。
イオン．ビーム．ミリングによると、図１６、１７に示
すように、ギャップ膜２４、及び、第１の磁性膜２１に
よって構成される第１のポール部２１０も、エッチング
される。第１のポール部２１０は、第２のポール部２２
０のトラック幅Ｗ２１と、ほぼ同じトラック幅Ｗ１１と
なるように削減されるので、サイドフリンジングを抑制
し得るた好ましいポール構造が得られる。
【００４１】イオン．ビーム．ミリング工程において、
好ましくは、少なくとも２種の異なるイオン入射角度θ
１、θ２が、それぞれ、時間的に異なるタイミングで選
定される。イオン入射角度θ１、θ２は、第１のポール
部２１０の膜面に対する法線ｎを基準値（０度）にした
ときの値である。この構成によれば、ある一つのイオン
入射角度（第１のイオン入射角度）θ１は、ギャップ膜
２４及び第１のポール部２１０の削減を考慮し、それに
適した値に選定し、他のイオン入射角度（第２のイオン
入射角度）θ２は、第２のポール部２２０の両側壁面を
削減してトラック幅を縮小するのに適した値に選定す
る。従って、第２のポール部２２０のトラック幅Ｗ２１
の画定と、このトラック幅Ｗ２１に合わせたギャップ膜
２４及び第１のポール部２１０の削減とを、効率良く進
めることができる。
好ましくは、少なくとも２種の異なるイオン入射角度θ
１、θ２が、それぞれ、時間的に異なるタイミングで選
定される。イオン入射角度θ１、θ２は、第１のポール
部２１０の膜面に対する法線ｎを基準値（０度）にした
ときの値である。この構成によれば、ある一つのイオン
入射角度（第１のイオン入射角度）θ１は、ギャップ膜
２４及び第１のポール部２１０の削減を考慮し、それに
適した値に選定し、他のイオン入射角度（第２のイオン
入射角度）θ２は、第２のポール部２２０の両側壁面を
削減してトラック幅を縮小するのに適した値に選定す
る。従って、第２のポール部２２０のトラック幅Ｗ２１
の画定と、このトラック幅Ｗ２１に合わせたギャップ膜
２４及び第１のポール部２１０の削減とを、効率良く進
めることができる。
【００４２】上述した第１のイオン入射角度θ１による
イオン．ビーム．ミリング工程と、第２のイオン入射角
度θ２によるイオン．ビーム．ミリング工程との組み合
わせは、例えば、２回以上繰り返すのが好ましい。これ
により、第２のポール部２２０の両側面における削減
と、ギャップ膜２４及び第１のポール部２１０の削減と
を、段階的に、微小量づつ進めることができる。これ
は、トラック幅Ｗ２１、Ｗ１１の高精度化に極めて有効
である。
イオン．ビーム．ミリング工程と、第２のイオン入射角
度θ２によるイオン．ビーム．ミリング工程との組み合
わせは、例えば、２回以上繰り返すのが好ましい。これ
により、第２のポール部２２０の両側面における削減
と、ギャップ膜２４及び第１のポール部２１０の削減と
を、段階的に、微小量づつ進めることができる。これ
は、トラック幅Ｗ２１、Ｗ１１の高精度化に極めて有効
である。
【００４３】イオン．ビーム．ミリング工程において、
イオン入射角度θ１、θ２及びその入射時間は、エッチ
ングされる材料、及び、膜厚に応じた最適値に選定され
る。通常の薄膜磁気ヘッドでは、第１のイオン入射角度
θ１は、第１のポール部２１０の膜面に対する法線ｎを
基準値０度にして、２５〜５５度の範囲で選定し、第２
のイオン入射角度θ２は、６０〜８０度の範囲で選定す
るのが好ましい。
イオン入射角度θ１、θ２及びその入射時間は、エッチ
ングされる材料、及び、膜厚に応じた最適値に選定され
る。通常の薄膜磁気ヘッドでは、第１のイオン入射角度
θ１は、第１のポール部２１０の膜面に対する法線ｎを
基準値０度にして、２５〜５５度の範囲で選定し、第２
のイオン入射角度θ２は、６０〜８０度の範囲で選定す
るのが好ましい。
【００４４】第１のイオン入射角度θ１を、２５〜５５
度の範囲に選定すると、第２のポール部２２０の表面の
削減量を押えながら、第１のポール部２１０を重点的に
削減することができる。
度の範囲に選定すると、第２のポール部２２０の表面の
削減量を押えながら、第１のポール部２１０を重点的に
削減することができる。
【００４５】第１のイオン入射角度θ１が２５度よりも
小さくなると、第２のポール部２２０の表面の削減が顕
著になり、第２のポール部２２０の膜減りを招くと共
に、ギャップ膜２４及び第１のポール部２１０の削減が
進み、それに伴って発生した粒子が第２のポール部２２
０の側面に再付着する等の問題を生じる。第１のイオン
入射角度θ１が５５度よりも大きくなると、第１のポー
ル部２１０の削減速度が低くなる。
小さくなると、第２のポール部２２０の表面の削減が顕
著になり、第２のポール部２２０の膜減りを招くと共
に、ギャップ膜２４及び第１のポール部２１０の削減が
進み、それに伴って発生した粒子が第２のポール部２２
０の側面に再付着する等の問題を生じる。第１のイオン
入射角度θ１が５５度よりも大きくなると、第１のポー
ル部２１０の削減速度が低くなる。
【００４６】第２のイオン入射角度θ２を６０〜８０度
の範囲に選定すると、第１のポール部２１０の側面及び
第２のポール部２２０の側面を効率よく削減することが
できる。第２のイオン入射角度θ２が６０度よりも小さ
くなると、第１のポール部２１０及び第２のポール部２
２０の横削り（膜面と垂直となる方向）の速度が低下す
る。第２のイオン入射角度θ２が８０度よりも大きくな
ると、第１のポール部２１０及び第２のポール部２２０
の横削りの速度が顕著になる。
の範囲に選定すると、第１のポール部２１０の側面及び
第２のポール部２２０の側面を効率よく削減することが
できる。第２のイオン入射角度θ２が６０度よりも小さ
くなると、第１のポール部２１０及び第２のポール部２
２０の横削り（膜面と垂直となる方向）の速度が低下す
る。第２のイオン入射角度θ２が８０度よりも大きくな
ると、第１のポール部２１０及び第２のポール部２２０
の横削りの速度が顕著になる。
【００４７】最適な一例としては、第１のイオン入射角
度θ１を４５度に選定し、入射時間を１８分（総和）に
選定し、第２のイオン入射角度θ２を７０度に選定し、
入射時間を５分（総和）に選定する。
度θ１を４５度に選定し、入射時間を１８分（総和）に
選定し、第２のイオン入射角度θ２を７０度に選定し、
入射時間を５分（総和）に選定する。
【００４８】上述した工程はウエハーの状態で実行され
る。前記ウエハーを、面に垂直な軸の周りに回転させ
る。これにより、ウエハー上に形成された薄膜磁気ヘッ
ド要素の全部に対して、第２のポール部２２０の両側面
にドライエッチングを施すことができる。
る。前記ウエハーを、面に垂直な軸の周りに回転させ
る。これにより、ウエハー上に形成された薄膜磁気ヘッ
ド要素の全部に対して、第２のポール部２２０の両側面
にドライエッチングを施すことができる。
【００４９】図１８は本発明に係る製造方法を適用し得
る薄膜磁気ヘッドの他の例を示す断面図、図１９は図１
８の１９ー１９線に沿った断面図、図２０は図１８及び
図１９に示した薄膜磁気ヘッドの書き込みポール部の拡
大斜視図である。図に示された構成部分のうち、図１、
２に図示された構成部分と同一の構成部分については、
同一の参照符号を付してある。
る薄膜磁気ヘッドの他の例を示す断面図、図１９は図１
８の１９ー１９線に沿った断面図、図２０は図１８及び
図１９に示した薄膜磁気ヘッドの書き込みポール部の拡
大斜視図である。図に示された構成部分のうち、図１、
２に図示された構成部分と同一の構成部分については、
同一の参照符号を付してある。
【００５０】書き込み素子２は、誘導型薄膜磁気変換素
子であり、ＭＲ読み取り素子３の上に積層されている。
書き込み素子２の第１の磁性膜２１は、第１のヨーク部
２１１と、第１のポール部２１０とを含み、第１のポー
ル部２１０が第１のヨーク部２１１の上に突出して付着
されている。
子であり、ＭＲ読み取り素子３の上に積層されている。
書き込み素子２の第１の磁性膜２１は、第１のヨーク部
２１１と、第１のポール部２１０とを含み、第１のポー
ル部２１０が第１のヨーク部２１１の上に突出して付着
されている。
【００５１】第２の磁性膜２２は、第２のポール部２２
０と、第２のヨーク部２２１とを含んでいる。第２のポ
ール部２２０は、第１のポール部２１０の上に付着され
たギャップ膜２４の上に付着され、トラック幅Ｗ２１が
第１のポール部２１０のトラック幅Ｗ１１と実質的に等
しくなっている。
０と、第２のヨーク部２２１とを含んでいる。第２のポ
ール部２２０は、第１のポール部２１０の上に付着され
たギャップ膜２４の上に付着され、トラック幅Ｗ２１が
第１のポール部２１０のトラック幅Ｗ１１と実質的に等
しくなっている。
【００５２】第１のポール部２１０、第２のポール部２
２０及びギャップ膜２４は、周りが非磁性絶縁膜２７に
よって埋められている。非磁性絶縁膜２７は、上面が平
坦化され、平坦化された上面が第２のポール部２２０の
表面と実質的に同一平面を形成している。非磁性絶縁膜
２７としては、Al2O3、SiO2等が用いられる。参照符号
２６は全体を覆う保護膜であり、Al2O3、SiO2等で構成
されている。
２０及びギャップ膜２４は、周りが非磁性絶縁膜２７に
よって埋められている。非磁性絶縁膜２７は、上面が平
坦化され、平坦化された上面が第２のポール部２２０の
表面と実質的に同一平面を形成している。非磁性絶縁膜
２７としては、Al2O3、SiO2等が用いられる。参照符号
２６は全体を覆う保護膜であり、Al2O3、SiO2等で構成
されている。
【００５３】第２のヨーク部２２１は、先端部が第２の
ポール部２２０のトラック幅Ｗ２１よりも広いトラック
幅Ｗ２２を有して第２のポール部２２０の上に積層さ
れ、トラック幅方向の両端が非磁性絶縁膜２７の上面に
付着されている。コイル膜２３を支持した絶縁膜２５
は、非磁性絶縁膜２７の上面上に形成されている。
ポール部２２０のトラック幅Ｗ２１よりも広いトラック
幅Ｗ２２を有して第２のポール部２２０の上に積層さ
れ、トラック幅方向の両端が非磁性絶縁膜２７の上面に
付着されている。コイル膜２３を支持した絶縁膜２５
は、非磁性絶縁膜２７の上面上に形成されている。
【００５４】第１の磁性膜２１及び第２の磁性膜２２
は、そのヨーク部２１１、２２１が第１のポール部２１
０及び第２のポール部２２０とは反対側にある後方の結
合部２２３において、磁気回路を完成するように互いに
結合されている。絶縁膜２５の上に、結合部２２３のま
わりを渦巻状にまわるように、コイル膜２３を形成して
ある。コイル膜２３の巻数および層数は任意である。
は、そのヨーク部２１１、２２１が第１のポール部２１
０及び第２のポール部２２０とは反対側にある後方の結
合部２２３において、磁気回路を完成するように互いに
結合されている。絶縁膜２５の上に、結合部２２３のま
わりを渦巻状にまわるように、コイル膜２３を形成して
ある。コイル膜２３の巻数および層数は任意である。
【００５５】上述したように、書き込み素子２の第２の
ポール部２２０は、第１のポール部２１０と対向し、か
つ、ギャップ膜２４によって分離され、トラック幅Ｗ２
１が第１のポール部２１０のトラック幅Ｗ１１と実質的
に等しくなっている。このため、サイドフリンジング磁
界の発生を抑え、トラック密度を高め、高密度記録を達
成することができる。
ポール部２２０は、第１のポール部２１０と対向し、か
つ、ギャップ膜２４によって分離され、トラック幅Ｗ２
１が第１のポール部２１０のトラック幅Ｗ１１と実質的
に等しくなっている。このため、サイドフリンジング磁
界の発生を抑え、トラック密度を高め、高密度記録を達
成することができる。
【００５６】第２のヨーク部２２１は、先端部が第２の
ポール部２２０のトラック幅Ｗ２１よりも広いトラック
幅Ｗ２２を有して第２のポール部２２０の上に積層され
ているから、第２のポール部２２０のトラック幅Ｗ２１
を狭小化しても、書き込み能力を損なうことがない。
ポール部２２０のトラック幅Ｗ２１よりも広いトラック
幅Ｗ２２を有して第２のポール部２２０の上に積層され
ているから、第２のポール部２２０のトラック幅Ｗ２１
を狭小化しても、書き込み能力を損なうことがない。
【００５７】更に、第２のヨーク部２２１を、第２のポ
ール部２２０と同時に形成するのではなく、第２のポー
ル部２２０の上に積層する構造であるから、第２のポー
ル部２２０を、第１のポール部２１０及びギャップ膜２
４と同一のトラック幅（Ｗ２１＝Ｗ１１）を有するよう
に形成した後、第２のヨーク部２２１を形成することが
できる。この構造は、後で説明するように、製造工程
上、多くの利点をもたらす。
ール部２２０と同時に形成するのではなく、第２のポー
ル部２２０の上に積層する構造であるから、第２のポー
ル部２２０を、第１のポール部２１０及びギャップ膜２
４と同一のトラック幅（Ｗ２１＝Ｗ１１）を有するよう
に形成した後、第２のヨーク部２２１を形成することが
できる。この構造は、後で説明するように、製造工程
上、多くの利点をもたらす。
【００５８】第１のポール部２１０、第２のポール部２
２０及びギャップ膜２４は、周りが非磁性絶縁膜２７に
よって埋められている。非磁性絶縁膜２７は、上面が平
坦化され、平坦化された上面が第２のポール部２２０の
表面と実質的に同一平面を形成している。この構造の利
点の一つは、第２のヨーク部２２１を、非磁性絶縁膜２
７の上面に凹部等を設けることなく、第２のポール部２
２０の表面に、第２のヨーク部２２１を直接に結合でき
ることである。このため、第２のポール部２２０のトラ
ック幅が狭小化された場合でも、第２のポール部に対し
て、第２のヨーク部２２１を確実、かつ、容易に付着さ
せることができる。しかも、第２のヨーク部２２１は、
先端部が第２のポール部２２０のトラック幅Ｗ２１より
も広いトラック幅Ｗ２２を有しているから、第２のポー
ル部２２０のトラック幅Ｗ２１を狭小化しても、書き込
み能力を損なうことがない。また、第２のヨーク部２２
１はトラック幅方向の両端が非磁性絶縁膜２７の上面に
付着されているから、第２のポール部２２０のトラック
幅Ｗ２１を狭小化しても、充分な付着面積及び付着強度
を確保できる。
２０及びギャップ膜２４は、周りが非磁性絶縁膜２７に
よって埋められている。非磁性絶縁膜２７は、上面が平
坦化され、平坦化された上面が第２のポール部２２０の
表面と実質的に同一平面を形成している。この構造の利
点の一つは、第２のヨーク部２２１を、非磁性絶縁膜２
７の上面に凹部等を設けることなく、第２のポール部２
２０の表面に、第２のヨーク部２２１を直接に結合でき
ることである。このため、第２のポール部２２０のトラ
ック幅が狭小化された場合でも、第２のポール部に対し
て、第２のヨーク部２２１を確実、かつ、容易に付着さ
せることができる。しかも、第２のヨーク部２２１は、
先端部が第２のポール部２２０のトラック幅Ｗ２１より
も広いトラック幅Ｗ２２を有しているから、第２のポー
ル部２２０のトラック幅Ｗ２１を狭小化しても、書き込
み能力を損なうことがない。また、第２のヨーク部２２
１はトラック幅方向の両端が非磁性絶縁膜２７の上面に
付着されているから、第２のポール部２２０のトラック
幅Ｗ２１を狭小化しても、充分な付着面積及び付着強度
を確保できる。
【００５９】もう一つの利点は、非磁性絶縁膜２７の平
坦化により、コイル膜２３を形成するための平坦なベー
スが得られることである。即ち、平坦化された非磁性絶
縁膜２７の上にコイル膜２３及びその支持絶縁膜２５を
形成することができる。従って、コイル膜形成工程を、
平坦化された非磁性絶縁膜２７の上で実行できるから、
段差のある領域にコイル膜２３を形成する場合に発生し
易いコイル膜２３の断線、短絡等を回避することができ
る。
坦化により、コイル膜２３を形成するための平坦なベー
スが得られることである。即ち、平坦化された非磁性絶
縁膜２７の上にコイル膜２３及びその支持絶縁膜２５を
形成することができる。従って、コイル膜形成工程を、
平坦化された非磁性絶縁膜２７の上で実行できるから、
段差のある領域にコイル膜２３を形成する場合に発生し
易いコイル膜２３の断線、短絡等を回避することができ
る。
【００６０】書き込み素子２は、ＭＲ読み取り素子３の
上に積層される。この場合、書き込み素子２の第１のヨ
ーク部２１１が、第２シールド膜として兼用される。第
１のポール部２１０は第１のヨーク部２１１の上に突出
して設けられているから、第１のヨーク部２１１によっ
て構成される第２シールド膜の幅を、ＭＲ読み取り素子
３を保護するのに必要な寸法に保ったままで、第１のポ
ール部２１０のトラック幅Ｗ１１を狭小化することがで
きる。
上に積層される。この場合、書き込み素子２の第１のヨ
ーク部２１１が、第２シールド膜として兼用される。第
１のポール部２１０は第１のヨーク部２１１の上に突出
して設けられているから、第１のヨーク部２１１によっ
て構成される第２シールド膜の幅を、ＭＲ読み取り素子
３を保護するのに必要な寸法に保ったままで、第１のポ
ール部２１０のトラック幅Ｗ１１を狭小化することがで
きる。
【００６１】次に図２１〜図３８を参照して、本発明に
係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。製造
工程はウエハ上で実行されるが、図示では、ウエハ上に
形成された多数の磁気ヘッド要素の一つのみを取り出し
て示してある。
係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。製造
工程はウエハ上で実行されるが、図示では、ウエハ上に
形成された多数の磁気ヘッド要素の一つのみを取り出し
て示してある。
【００６２】図２１は本発明に係る製造方法の一つのス
テップを示す断面図、図２２は図２１の２２−２２線に
沿った拡大断面図である。図２１及び図２２に示す工程
では、基体１の上に、既に、ＭＲ読み取り素子３が形成
されている。ＭＲ読み取り素子３の第２シールド膜２１
は無機絶縁膜３４の表面に形成されている。
テップを示す断面図、図２２は図２１の２２−２２線に
沿った拡大断面図である。図２１及び図２２に示す工程
では、基体１の上に、既に、ＭＲ読み取り素子３が形成
されている。ＭＲ読み取り素子３の第２シールド膜２１
は無機絶縁膜３４の表面に形成されている。
【００６３】次に、図２３及び図２４に示すように、第
２シールド膜２１の上に、レジストフレーム６０を形成
する。レジストフレーム６０はフォトリソグラフィ工程
によって形成されたもので、書き込みポール部のパター
ンを画定する内側パターン６１を有する。内側パターン
６１の幅Ｗ３１は書き込みポール部のトラック幅Ｗ１
０、Ｗ２０を画定する。
２シールド膜２１の上に、レジストフレーム６０を形成
する。レジストフレーム６０はフォトリソグラフィ工程
によって形成されたもので、書き込みポール部のパター
ンを画定する内側パターン６１を有する。内側パターン
６１の幅Ｗ３１は書き込みポール部のトラック幅Ｗ１
０、Ｗ２０を画定する。
【００６４】次に、図２５及び図２６に示すように、レ
ジストフレーム６０によって画定された内側パターン６
１及び外側パターンに、第１の磁性膜５１、非磁性膜５
２及び第２の磁性膜５３の積層膜７１、７２を付着させ
る。これらは、フレームメッキ法によって形成できる。
ジストフレーム６０によって画定された内側パターン６
１及び外側パターンに、第１の磁性膜５１、非磁性膜５
２及び第２の磁性膜５３の積層膜７１、７２を付着させ
る。これらは、フレームメッキ法によって形成できる。
【００６５】次に、図２７及び図２８に示すように、内
側パターン６１に付着した積層膜７１を残して、外側パ
ターンに付着した積層膜７２を除去する。内側パターン
６１に付着した積層膜７１のうち、第２シールド膜２１
の上に付着された第１の磁性膜５１が第１のポール部２
１０となり、その上に積層された非磁性膜５２がギャッ
プ膜２４となり、その上に積層された第２の磁性膜５３
が第２のポール部２２０となる。この製造工程によれ
ば、レジストフレーム６０を、積層過程の低段差の段階
で形成できるため、第１のポール部２１０及び第２のポ
ール部２２０のトラック幅Ｗ１０、Ｗ２０を、フォトリ
ソグラフィ工程によって定まる微小値に設定することが
できる。
側パターン６１に付着した積層膜７１を残して、外側パ
ターンに付着した積層膜７２を除去する。内側パターン
６１に付着した積層膜７１のうち、第２シールド膜２１
の上に付着された第１の磁性膜５１が第１のポール部２
１０となり、その上に積層された非磁性膜５２がギャッ
プ膜２４となり、その上に積層された第２の磁性膜５３
が第２のポール部２２０となる。この製造工程によれ
ば、レジストフレーム６０を、積層過程の低段差の段階
で形成できるため、第１のポール部２１０及び第２のポ
ール部２２０のトラック幅Ｗ１０、Ｗ２０を、フォトリ
ソグラフィ工程によって定まる微小値に設定することが
できる。
【００６６】しかも、第１のポール部２１０、ギャップ
膜２４及び第２のポール部２２０は、形成されたレジス
トフレーム６０により、同時に画定されるため、高精度
で容易に位置合わせすることができる。
膜２４及び第２のポール部２２０は、形成されたレジス
トフレーム６０により、同時に画定されるため、高精度
で容易に位置合わせすることができる。
【００６７】次に、図２９及び図３０に示すように、レ
ジストフレーム６０を除去する。レジストフレーム６０
は有機溶剤またはレジストリムーバー液によって除去で
きる。
ジストフレーム６０を除去する。レジストフレーム６０
は有機溶剤またはレジストリムーバー液によって除去で
きる。
【００６８】ここで、第１のポール部２１０、第２のポ
ール部２２０のトラック幅Ｗ１０、Ｗ２０は、フォトレ
ジスト６１のパターンによってほぼ定まる寸法、形状に
設定されている。従来は、このようにして画定されたト
ラック幅Ｗ１０、Ｗ２０を最終製品におけるトラック幅
として利用していた。本発明では、トラック幅を、更に
狭小化するための工程が続く。
ール部２２０のトラック幅Ｗ１０、Ｗ２０は、フォトレ
ジスト６１のパターンによってほぼ定まる寸法、形状に
設定されている。従来は、このようにして画定されたト
ラック幅Ｗ１０、Ｗ２０を最終製品におけるトラック幅
として利用していた。本発明では、トラック幅を、更に
狭小化するための工程が続く。
【００６９】まず、図３１に示すように、積層膜７１に
対し、ドライエッチングを施す。これにより、図３２に
示すように、縮小されたトラック幅Ｗ２１を得る。
対し、ドライエッチングを施す。これにより、図３２に
示すように、縮小されたトラック幅Ｗ２１を得る。
【００７０】上記方法によれば、書き込みポールのトラ
ック幅を、フォトリソグラフィによって定まるトラック
幅Ｗ１０、Ｗ２０から、ドライエッチングによる削減に
より、更に狭小化された幅Ｗ１１、Ｗ２１まで、狭小化
することができる。具体的には、フォトリソグラフィに
よっては極めて困難な１μｍ以下のトラック幅Ｗ１１、
Ｗ２１であっても、容易に実現できる。
ック幅を、フォトリソグラフィによって定まるトラック
幅Ｗ１０、Ｗ２０から、ドライエッチングによる削減に
より、更に狭小化された幅Ｗ１１、Ｗ２１まで、狭小化
することができる。具体的には、フォトリソグラフィに
よっては極めて困難な１μｍ以下のトラック幅Ｗ１１、
Ｗ２１であっても、容易に実現できる。
【００７１】しかも、フォトリソグラフィ工程によって
パターンニングされたマスクを用いて、トラック幅Ｗ１
０、Ｗ２０を画定する場合、最終的に得られるトラック
幅Ｗ１１、Ｗ２１よりも、広いトラック幅でよい。従っ
て、図２３〜図３０のフォトリソグラフィ工程では、レ
ジストフレーム６０の高さと、トラック幅Ｗ１０、Ｗ２
０を決めるフレーム間隔との比（アスペクト比）を小さ
くできる。このため、積層膜７１のメッキ形成が円滑に
行われるようになり、第１のポール部２１０、第２のポ
ール部２２０の磁気特性を安定化させ、記録能力の低下
を阻止することができる。
パターンニングされたマスクを用いて、トラック幅Ｗ１
０、Ｗ２０を画定する場合、最終的に得られるトラック
幅Ｗ１１、Ｗ２１よりも、広いトラック幅でよい。従っ
て、図２３〜図３０のフォトリソグラフィ工程では、レ
ジストフレーム６０の高さと、トラック幅Ｗ１０、Ｗ２
０を決めるフレーム間隔との比（アスペクト比）を小さ
くできる。このため、積層膜７１のメッキ形成が円滑に
行われるようになり、第１のポール部２１０、第２のポ
ール部２２０の磁気特性を安定化させ、記録能力の低下
を阻止することができる。
【００７２】ドライエッチングは、例えばフォトリソグ
ラフィによって得られるトラック幅Ｗ１０、Ｗ２０＝
１．５〜２．５μｍから開始され、最終的に１μｍ以下
のトラック幅Ｗ１１、Ｗ２１が得られるように行う。こ
のようなプロセスによると、前述した本発明によるを確
実に得ることができる。
ラフィによって得られるトラック幅Ｗ１０、Ｗ２０＝
１．５〜２．５μｍから開始され、最終的に１μｍ以下
のトラック幅Ｗ１１、Ｗ２１が得られるように行う。こ
のようなプロセスによると、前述した本発明によるを確
実に得ることができる。
【００７３】図３１に示すドライエッチング工程は、好
ましくは、Ａｒイオンを用いたイオン．ビーム．ミリン
グ工程である。イオン．ビーム．ミリング工程におい
て、好ましくは、少なくとも２種の異なるイオン入射角
度θ１、θ２が、それぞれ、時間的に異なるタイミング
で選定される。例えば、第１のイオン入射角度θ１でイ
オン．ビーム．ミリングを行った後、第２のイオン入射
角度θ２でイオン．ビーム．ミリングを行う。第１のイ
オン入射角度θ１は、ヨーク部を構成する第１のヨーク
部２１１の削減に適した値に選定し、第２のイオン入射
角度θ２は、第１のポール部２１０、ギャップ膜２４及
び第２のポール部２２０で構成される積層膜７１の両側
壁面を削減して、トラック幅を縮小するのに適した値に
選定する。従って、積層膜７１のトラック幅の画定と、
このトラック幅に合わせた第１のヨーク部２１１の削減
とを、効率良く進めることができる。
ましくは、Ａｒイオンを用いたイオン．ビーム．ミリン
グ工程である。イオン．ビーム．ミリング工程におい
て、好ましくは、少なくとも２種の異なるイオン入射角
度θ１、θ２が、それぞれ、時間的に異なるタイミング
で選定される。例えば、第１のイオン入射角度θ１でイ
オン．ビーム．ミリングを行った後、第２のイオン入射
角度θ２でイオン．ビーム．ミリングを行う。第１のイ
オン入射角度θ１は、ヨーク部を構成する第１のヨーク
部２１１の削減に適した値に選定し、第２のイオン入射
角度θ２は、第１のポール部２１０、ギャップ膜２４及
び第２のポール部２２０で構成される積層膜７１の両側
壁面を削減して、トラック幅を縮小するのに適した値に
選定する。従って、積層膜７１のトラック幅の画定と、
このトラック幅に合わせた第１のヨーク部２１１の削減
とを、効率良く進めることができる。
【００７４】上述した第１のイオン入射角度θ１による
イオン．ビーム．ミリング工程と、第２のイオン入射角
度θ２によるイオン．ビーム．ミリング工程との組み合
わせを、複数回、例えば２回程度繰り返すのが好まし
い。これにより、積層膜７１の両側面における削減と、
第１のヨーク部２１１の削減とを、段階的に、微小量づ
つ進めることができる。これは、トラック幅の高精度化
に極めて有効である。
イオン．ビーム．ミリング工程と、第２のイオン入射角
度θ２によるイオン．ビーム．ミリング工程との組み合
わせを、複数回、例えば２回程度繰り返すのが好まし
い。これにより、積層膜７１の両側面における削減と、
第１のヨーク部２１１の削減とを、段階的に、微小量づ
つ進めることができる。これは、トラック幅の高精度化
に極めて有効である。
【００７５】イオン．ビーム．ミリング工程において、
イオン入射角度及びその入射時間は、エッチングされる
材料、及び、膜厚に応じた最適値に選定される。通常の
薄膜磁気ヘッドでは、第１のイオン入射角度θ１は、第
１のヨーク部２１１の膜面に対する法線を基準値（０
度）にして、２５〜５５度の範囲で選定し、第２のイオ
ン入射角度θ２は、６０〜８０度の範囲で選定するのが
好ましい。
イオン入射角度及びその入射時間は、エッチングされる
材料、及び、膜厚に応じた最適値に選定される。通常の
薄膜磁気ヘッドでは、第１のイオン入射角度θ１は、第
１のヨーク部２１１の膜面に対する法線を基準値（０
度）にして、２５〜５５度の範囲で選定し、第２のイオ
ン入射角度θ２は、６０〜８０度の範囲で選定するのが
好ましい。
【００７６】第１のイオン入射角度θ１を、２５〜５５
度の範囲に選定すると、積層膜７１において、表面層を
構成する第２のポール部２２０の表面の削減量を押えな
がら、第１のヨーク部２１１を重点的に削減することが
できる。
度の範囲に選定すると、積層膜７１において、表面層を
構成する第２のポール部２２０の表面の削減量を押えな
がら、第１のヨーク部２１１を重点的に削減することが
できる。
【００７７】第１のイオン入射角度θ１が２５度よりも
小さくなると、積層膜７１に含まれる第２のポール部２
２０の表面の削減が顕著になり、第２のポール部２２０
の膜減りを招くと共に、第１のヨーク部２１１の削減が
進み、それに伴って発生した粒子が積層膜７１の側面に
再付着する等の問題を生じる。第１のイオン入射角度θ
１が５５度よりも大きくなると、第１のヨーク部２１１
の削減速度が低くなる。
小さくなると、積層膜７１に含まれる第２のポール部２
２０の表面の削減が顕著になり、第２のポール部２２０
の膜減りを招くと共に、第１のヨーク部２１１の削減が
進み、それに伴って発生した粒子が積層膜７１の側面に
再付着する等の問題を生じる。第１のイオン入射角度θ
１が５５度よりも大きくなると、第１のヨーク部２１１
の削減速度が低くなる。
【００７８】第２のイオン入射角度θ２を６０〜８０度
の範囲に選定すると、第１のヨーク部２１１及び積層膜
７１の側面を効率よく削減することができる。第２のイ
オン入射角度θ２が６０度よりも小さくなると、横削り
（膜面と垂直となる方向）の速度が低下する。第２のイ
オン入射角度θ２が８０度よりも大きくなると、横削り
の速度が顕著となる。
の範囲に選定すると、第１のヨーク部２１１及び積層膜
７１の側面を効率よく削減することができる。第２のイ
オン入射角度θ２が６０度よりも小さくなると、横削り
（膜面と垂直となる方向）の速度が低下する。第２のイ
オン入射角度θ２が８０度よりも大きくなると、横削り
の速度が顕著となる。
【００７９】最適な一例としては、第１のイオン入射角
度θ１を４５度に選定し、入射時間を１８分（総和）に
選定し、第２のイオン入射角度θ２を７０度に選定し、
入射時間を５分（総和）に選定する。
度θ１を４５度に選定し、入射時間を１８分（総和）に
選定し、第２のイオン入射角度θ２を７０度に選定し、
入射時間を５分（総和）に選定する。
【００８０】実施例の場合、既に、積層膜７１に第１の
ポール部２１０が含まれているので、専ら、積層膜７１
の両側面を削減するのに適したイオン入射角θ２だけが
選択されてもよい。
ポール部２１０が含まれているので、専ら、積層膜７１
の両側面を削減するのに適したイオン入射角θ２だけが
選択されてもよい。
【００８１】上述した工程がウエハーの状態で実行され
る。前記ウエハーを、面に垂直な軸の周りに回転させ
る。これにより、ウエハー上に形成された薄膜磁気ヘッ
ド要素の全部に対して、積層膜７１の両側面にドライエ
ッチングを施すことができる。
る。前記ウエハーを、面に垂直な軸の周りに回転させ
る。これにより、ウエハー上に形成された薄膜磁気ヘッ
ド要素の全部に対して、積層膜７１の両側面にドライエ
ッチングを施すことができる。
【００８２】次に、図３３、３４に示すように、第１の
ヨーク部２１１及び積層膜７１を覆う非磁性絶縁膜２７
を成膜する。非磁性絶縁膜２７は、スパッタリング等に
よって形成できる。
ヨーク部２１１及び積層膜７１を覆う非磁性絶縁膜２７
を成膜する。非磁性絶縁膜２７は、スパッタリング等に
よって形成できる。
【００８３】次に、図３５及び図３６に示すように、非
磁性絶縁膜２７の表面を平坦化して、積層膜７１に含ま
れる第２のポール部２２０の表面を露出させる。この平
坦化工程は、研磨法またはイオンビームミリング等によ
って実行できる。
磁性絶縁膜２７の表面を平坦化して、積層膜７１に含ま
れる第２のポール部２２０の表面を露出させる。この平
坦化工程は、研磨法またはイオンビームミリング等によ
って実行できる。
【００８４】次に、図３７及び図３８に示すように、平
坦化された非磁性絶縁膜２７の上にコイル膜２３及びそ
の支持絶縁膜２５を形成した後、第２のヨーク部２２１
を形成する。このとき、非磁性絶縁膜２７は、上面が平
坦化され、平坦化された上面が第２のポール部２２０の
表面と実質的に同一平面を形成しているから、非磁性絶
縁膜２７の上面に凹部等を設けることなく、第２のポー
ル部２２０の表面に、第２のヨーク部２２１を直接に結
合できる。このため、第２のポール部２２０のトラック
幅が狭小化された場合でも、第２のポール部２２０に対
して、第２のヨーク部２２１を確実、かつ、容易に付着
させることができる。
坦化された非磁性絶縁膜２７の上にコイル膜２３及びそ
の支持絶縁膜２５を形成した後、第２のヨーク部２２１
を形成する。このとき、非磁性絶縁膜２７は、上面が平
坦化され、平坦化された上面が第２のポール部２２０の
表面と実質的に同一平面を形成しているから、非磁性絶
縁膜２７の上面に凹部等を設けることなく、第２のポー
ル部２２０の表面に、第２のヨーク部２２１を直接に結
合できる。このため、第２のポール部２２０のトラック
幅が狭小化された場合でも、第２のポール部２２０に対
して、第２のヨーク部２２１を確実、かつ、容易に付着
させることができる。
【００８５】第２のヨーク部２２１は、先端部が第２の
ポール部２２０のトラック幅Ｗ２１よりも広いトラック
幅Ｗ２２を有するように付着される。この構造によれ
ば、第２のポール部２２０のトラック幅を狭小化して
も、書き込み能力を損なうことがない。また、第２のヨ
ーク部２２１はトラック幅方向の両端が非磁性絶縁膜２
７の上面に付着されているから、第２のポール部２２０
のトラック幅Ｗ２１を狭小化しても、充分な付着面積及
び付着強度を確保できる。しかも、第２のヨーク部２２
１を形成する段階では、書き込み特性を決定する書き込
みポール部（２１０、２４、２２０）は、既に形成され
ているから、第２のヨーク部２２１の形成工程により、
トラック幅が変動することがない。
ポール部２２０のトラック幅Ｗ２１よりも広いトラック
幅Ｗ２２を有するように付着される。この構造によれ
ば、第２のポール部２２０のトラック幅を狭小化して
も、書き込み能力を損なうことがない。また、第２のヨ
ーク部２２１はトラック幅方向の両端が非磁性絶縁膜２
７の上面に付着されているから、第２のポール部２２０
のトラック幅Ｗ２１を狭小化しても、充分な付着面積及
び付着強度を確保できる。しかも、第２のヨーク部２２
１を形成する段階では、書き込み特性を決定する書き込
みポール部（２１０、２４、２２０）は、既に形成され
ているから、第２のヨーク部２２１の形成工程により、
トラック幅が変動することがない。
【００８６】更に、非磁性絶縁膜２７の平坦化により、
コイル膜２３を形成するための平坦なベースが得られ
る。即ち、平坦化された非磁性絶縁膜２７の上にコイル
膜２３及びその支持絶縁膜２５を形成することができ
る。従って、コイル膜形成工程を、平坦化された非磁性
絶縁膜２７の上で実行できるから、段差のある領域にコ
イル膜２３を形成する場合に発生し易いコイル膜２３の
断線、短絡等を回避することができる。
コイル膜２３を形成するための平坦なベースが得られ
る。即ち、平坦化された非磁性絶縁膜２７の上にコイル
膜２３及びその支持絶縁膜２５を形成することができ
る。従って、コイル膜形成工程を、平坦化された非磁性
絶縁膜２７の上で実行できるから、段差のある領域にコ
イル膜２３を形成する場合に発生し易いコイル膜２３の
断線、短絡等を回避することができる。
【００８７】以上、好適な具体的実施例を参照して本発
明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れること
なく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得
ることは、当業者にとって明らかである。
明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れること
なく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得
ることは、当業者にとって明らかである。
【００８８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、書
き込みポールのトラック幅を、フォトリソグラフィの限
界を越えた高精度の微小値に設定し得る薄膜磁気ヘッド
の製造方法を提供することができる。
き込みポールのトラック幅を、フォトリソグラフィの限
界を越えた高精度の微小値に設定し得る薄膜磁気ヘッド
の製造方法を提供することができる。
【図１】本発明に係る製造方法によって得られる薄膜磁
気ヘッドの斜視図である。
気ヘッドの斜視図である。
【図２】図１に図示された薄膜磁気ヘッドの断面図であ
る
る
【図３】図１及び図２に示した薄膜磁気ヘッドの製造工
程の一つを示す断面図である。
程の一つを示す断面図である。
【図４】図３の４ー４線に沿って切断したときの端面図
である。
である。
【図５】図３、４に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図
である。
である。
【図６】図３〜５に示した工程の後の工程を示す断面で
ある。
ある。
【図７】図６の７ー７線に沿って切断したときの端面図
である。
である。
【図８】図６、７に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図
である。
である。
【図９】図６〜８に示した工程の後の工程を示す断面で
ある。
ある。
【図１０】図９の１０ー１０線に沿って切断したときの
端面図である。
端面図である。
【図１１】図９、１０に示した薄膜磁気ヘッド部分の平
面図である。
面図である。
【図１２】図９〜１１に示した工程の後の工程を示す断
面である。
面である。
【図１３】図１２の１３ー１３線に沿って切断したとき
の端面図である。
の端面図である。
【図１４】図１２、１３に示した薄膜磁気ヘッド部分の
平面図である。
平面図である。
【図１５】図１２〜１４に示した工程の後の工程を示す
断面である。
断面である。
【図１６】図１５の工程によって得られたポール構造を
示す端面図である。
示す端面図である。
【図１７】図３〜図１５の工程によって得られた薄膜磁
気ヘッドのポール部分を拡大して示す斜視図である。
気ヘッドのポール部分を拡大して示す斜視図である。
【図１８】本発明に係る製造方法によって得られる薄膜
磁気ヘッドの別の例を示す断面図である。
磁気ヘッドの別の例を示す断面図である。
【図１９】図１８の１９ー１９線に沿った断面図であ
る。
る。
【図２０】図１８、１９に示した薄膜磁気ヘッドのポー
ル部を拡大して示す斜視図である。
ル部を拡大して示す斜視図である。
【図２１】図１８〜２０に示した薄膜磁気ヘッドの製造
法に含まれる一 工程を示す断面である。
法に含まれる一 工程を示す断面である。
【図２２】図２１の２２ー２２線に沿って切断したとき
の端面図である。
の端面図である。
【図２３】図２１、２２に示した工程の後の工程を示す
断面である。
断面である。
【図２４】図２３の２４ー２４線に沿って切断したとき
の端面図である。
の端面図である。
【図２５】図２３、２４に示した工程の後の工程を示す
断面である。
断面である。
【図２６】図２５の２６ー２６線に沿って切断したとき
の端面図である。
の端面図である。
【図２７】図２５、２６に示した工程の後の工程を示す
断面である。
断面である。
【図２８】図２７の２８ー２８線に沿って切断したとき
の端面図である。
の端面図である。
【図２９】図２７、２８に示した工程の後の工程を示す
断面である。
断面である。
【図３０】図２９の３０ー３０線に沿って切断したとき
の端面図である。
の端面図である。
【図３１】図２９、３０に示した工程の後の工程を示す
断面である。
断面である。
【図３２】図３１の工程を経て得られたポール構造を示
す端面図である。
す端面図である。
【図３３】図３１に示した工程の後の工程を示す断面で
ある。
ある。
【図３４】図３３の３４ー３４線に沿って切断したとき
の端面図である。
の端面図である。
【図３５】図３３、３４に示した工程の後の工程を示す
断面である。
断面である。
【図３６】図３５の３６ー３６線に沿って切断したとき
の端面図である。
の端面図である。
【図３７】図３５、３６に示した工程の後の工程を示す
断面である。
断面である。
【図３８】図３７の３８ー３８線に沿って切断したとき
の端面図である。
の端面図である。
１ スライダ
２ 誘導型薄膜磁気変換素子
２１０ 第１のポール部
２２０ 第２のポール部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 松田 治
東京都中央区日本橋１丁目13番１号 テ
ィーディーケイ株式会社内
(56)参考文献 特開 平７−262519（ＪＰ，Ａ)
特開2000−20915（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 5/31
Claims (7)
- 【請求項１】 書き込みポール部と、第１のヨーク部
と、第２のヨーク部と、コイル膜とを含む薄膜磁気ヘッ
ドを製造する方法であって、 前記書き込みポール部は、第１のポール部と、ギャップ
膜と、第２のポール部とを、この順序で積層した積層膜
であり、 前記第１のヨーク部は、一面上に前記積層膜が突出して
設けられ、前記積層膜の前記第１のポール部が隣接して
おり、 前記第２のヨーク部は、先端部が前記第２のポール部の
トラック幅よりも広い幅を有して前記第２のポール部の
上に積層され、媒体対向面とは反対側の後方において前
記第１のヨーク部に接続されており、 前記コイル膜は、前記第１のヨーク部と前記第２のヨー
ク部との接続部分を渦巻き状に周回しており、 第１のポール部、第２のポール部及びギャップ膜は、周
りが非磁性絶縁膜によって埋められており、前記非磁性
絶縁膜は、上面が平坦化され、平坦化された上面が前記
第２のポール部の表面と実質的に同一平面を形成してお
り、 前記薄膜磁気ヘッドの製造にあたり、 前記第１のポール部、前記ギャップ膜及び前記第２のポ
ール部の積層膜を、フォトリソグラフィによるパターン
ニング工程によって形成し、 次に、前記積層膜の両側面に対し、ドライエッチングを
施して、前記積層膜について縮小されたトラック幅を得
る工程を含み、 前記ドライエッチングは、フォトリソグラフィによって
得られた幅から開始され、最終的に１μｍ以下のトラッ
ク幅が得られるように行い、 次に、前記第１のヨーク部及び前記積層膜を覆う非磁性
絶縁膜を成膜した後、前記非磁性絶縁膜の表面を平坦化
して、前記積層膜に含まれる前記第２のポール部の表面
を露出させ、 次に、平坦化された前記非磁性絶縁膜の上に、前記コイ
ル膜及びその支持絶縁膜を形成した後、前記支持絶縁膜
の上に前記第２のヨーク部を形成し、前記第２のヨーク
部は、先端部が、前記第２のポール部のトラック幅より
も広い幅を有して、前記第２のポール部に付着される工
程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載された製造方法であっ
て、前記ドライエッチング工程は、イオン．ビーム．ミ
リング工程である製造方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載された製造方法であっ
て、前記イオン．ビーム．ミリング工程において、少な
くとも２種の異なるイオン入射角度が、それぞれ、時間
的に異なるタイミングで選定される製造方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載された製造方法であっ
て、第１のイオン入射角度によるイオン．ビーム．ミリ
ング工程と、第２のイオン入射角度によるイオン．ビー
ム．ミリング工程との組み合わせを、複数回繰り返す製
造方法。 - 【請求項５】 請求項３または４に記載された製造方法
であって、前記第１のイオン入射角度は、膜面に対する
法線を基準値０度にして、第２５〜５５度の範囲で選定
され、 前記第２のイオン入射角度は、前記法線を基準値０度に
して、６０〜８０度の範囲で選定される製造方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至５の何れかに記載された製
造方法であって、工程がウエハーの状態で実行され、前
記ウエハーを面に垂直な軸の周りに回転させる製造方
法。 - 【請求項７】 請求項１乃至６の何れかに記載された製
造方法であって、前記薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果
素子を含む製造方法。
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