JP3539630B2

JP3539630B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number: JP3539630B2
Application number: JP2000084756A
Authority: JP
Inventors: 芳高佐々木
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2000-03-22
Filing date: 2000-03-22
Publication date: 2004-07-07
Anticipated expiration: 2020-03-22
Also published as: US20010028917A1; US6712984B2; JP2001266312A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。
【０００３】
記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必要がある。このためには、記録ギャップ（write gap)を挟んでその上下に形成された下部磁極（ボトムポール）および上部磁極（トップポール）のエアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、これを達成するために半導体加工技術が利用されている。
【０００４】
ここで、図３７〜図４２を参照して、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。
【０００５】
この製造方法では、まず、図３７に示したように、例えばアルティック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）よりなる基板１０１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃；以下、単に「アルミナ」という。）よりなる絶縁層１０２を約５．０〜１０．０μｍ程度の厚みで堆積する。次に、絶縁層１０２上に、再生ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。次に、下部シールド層１０３上に、例えばアルミナ層を１００〜２００ｎｍの厚みでスパッタ堆積し、シールドギャップ膜１０４を形成する。次に、シールドギャップ膜１０４上に、再生用のＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜１０５を数十ｎｍの厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィ処理によって所望の形状にパターニングする。次に、ＭＲ膜１０５の両側に、このＭＲ膜１０５と電気的に接続する引き出し電極層としてのリード層（図示せず）を形成したのち、このリード層、シールドギャップ膜１０４およびＭＲ膜１０５上に、シールドギャップ膜１０６を形成し、ＭＲ膜１０５をシールドギャップ膜１０４，１０６内に埋設する。次に、シールドギャップ膜１０６上に、再生ヘッドおよび記録ヘッドの双方に用いる磁気材料、例えばニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ；以下、単に「パーマロイ（商標名）」ともいう。）よりなる上部シールド兼下部磁極（以下、下部磁極という。）１０７を形成する。
【０００６】
次に、図３８に示したように、下部磁極１０７上に、絶縁材料、例えばアルミナよりなる記録ギャップ層１０８を形成し、この記録ギャップ層１０８上に、高精度のフォトリソグラフィによりフォトレジスト膜１０９を所定のパターンとなるように形成する。次に、フォトレジスト膜１０９上に、例えばめっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の薄膜コイル１１０を形成する。次に、フォトレジスト膜１０９および薄膜コイル１１０を覆うようにして、高精度のフォトリソグラフィによりフォトレジスト膜１１１を所定のパターンとなるように形成する。次に、薄膜コイル１１０の各巻線間の絶縁化のために、フォトレジスト膜１１１に対して、例えば２５０度の温度で加熱処理を施す。
【０００７】
次に、図３９に示したように、薄膜コイル１１０よりも後方（図３９における右側）の位置において、磁路形成のために、記録ギャップ層１０８の一部を部分的にエッチングして開口部１０８ａを形成し、下部磁極１０７の一部を露出させる。次に、下部磁極１０７の露出面、フォトレジスト膜１１１および記録ギャップ層１０８を覆うようにして、高飽和磁束密度を有する磁気材料、例えばパーマロイを電解めっき法によって成膜する。次に、このパーマロイよりなるめっき膜上にフォトレジスト膜を形成したのち、このフォトレジスト膜に対して選択的な露光処理（フォトリソグラフィ処理）を施して、所定の平面形状を有するフォトレジスト膜パターン（図示せず）を形成する。次に、このフォトレジスト膜パターンをマスクとして用いて、イオンミリングによってめっき膜を選択的にエッチングすることにより上部ヨーク兼上部磁極（以下、上部磁極という。）１１２を形成する。この上部磁極１１２は、例えば、後述する図４２に示したような平面形状を有するものであり、ヨーク部１１２ａおよびポールチップ部１１２ｂを含んでいる。上部磁極１１２は、開口部１０８ａにおいて下部磁極１０７と接触し、磁気的に連結されている。次に、上部磁極１１２の一部（ポールチップ部１１２ｂ）をマスクとして、記録ギャップ層１０８および下部磁極１０７の双方をイオンミリングによって選択的に約０．５μｍ程度エッチングしたのち（図４１参照）、上部磁極１１２上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１１３を形成する。最後に、機械加工や研磨工程によって、記録ヘッドおよび再生ヘッドのトラック面、すなわちエアベアリング面１２０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０００８】
図４０〜図４２は、完成した状態の薄膜磁気ヘッドの構造を表すものである。ここで、図４０はエアベアリング面１２０に垂直な方向における薄膜磁気ヘッドの断面を表し、図４１は磁極部分のエアベアリング面１２０に平行な方向における断面を拡大して表し、図４２は平面構造を表している。ここで、図３９は、図４２におけるＸＸＸＩＸ−ＸＸＸＩＸ線に沿った矢視断面に相当する。なお、図４０〜図４２では、オーバーコート層１１３等の図示を省略している。また、図４２では、薄膜コイル１１０およびフォトレジスト膜１１１については、それらの最外端のみを図示している。
【０００９】
図４０および図４２において、「ＴＨ」はスロートハイト（Throat Height ）を表し、「ＭＲＨ」はＭＲハイトを表している。ここで、「スロートハイト（ＴＨ）」とは、記録ヘッドの性能を決定する要因のうちの一つであり、薄膜コイル１１０を他の導電部分と電気的に分離するための絶縁層（フォトレジスト膜１１１）の最もエアベアリング面１２０に近い側の端縁の位置、すなわちスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）からエアベアリング面１２０の位置までの長さである。記録ヘッドの性能を向上させるためには、スロートハイト（ＴＨ）を最適化する必要がある。このスロートハイト（ＴＨ）は、エアベアリング面１２０の加工の際の研磨量によって制御される。また、「ＭＲハイト（ＭＲＨ）」とは、ＭＲ膜１０５の最もエアベアリング面１２０から遠い側の端縁の位置、すなわちＭＲハイトゼロ位置（ＭＲＨ０位置）からエアベアリング面１２０の位置までの長さである。このＭＲハイト（ＭＲＨ）もまた、エアベアリング面１２０の加工の際の研磨量によって制御される。
【００１０】
薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因としては、スロートハイト（ＴＨ）やＭＲハイト（ＭＲＨ）等の他に、図４０に示したエイペックスアングル（Apex Angle：θ）がある。このエイペックスアングルθは、フォトレジスト膜１１１のエアベアリング面１２０に近い側の斜面の平均斜度である。
【００１１】
図４１に示したように、記録ギャップ層１０８および下部磁極１０７の双方の一部が上部磁極１１２のポールチップ部１１２ｂに対して自己整合的にエッチングされた構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止することができる。図中に示した「Ｐ２Ｗ」は、トリム構造を有する部分（以下、単に「磁極先端部分５００」という。）の幅、すなわち磁極幅（以下、「トラック幅」ともいう。）を表している。この磁極幅Ｐ２Ｗの加工寸法は、トリム構造を形成するためのエッチング処理を行う際に用いられるマスク（上記の場合はフォトレジスト膜パターン）のうちの磁極先端部分５００に対応する部分の幅に依存する。また、図中に示した「Ｐ２Ｌ」は、磁極先端部分５００の一部を構成するポールチップ部１１２ｂの厚み、すなわち磁極長を表している。なお、図４１に示したように、ＭＲ膜１０５の両側には、このＭＲ膜１０５と電気的に接続する引き出し電極層としてのリード層１２１が設けられている。ただし、図３７〜図４０では、リード層１２１の図示を省略している。
【００１２】
図４２に示したように、上部磁極１１２は、その大部分を占めるヨーク部１１２ａと、磁極幅Ｐ２Ｗとしてほぼ一定の幅を有するポールチップ部１１２ｂとを有している。ヨーク部１１２ａとポールチップ部１１２ｂとの連結部分において、ヨーク部１１２ａの外縁はエアベアリング面１２０と平行な面に対して角度αをなし、また、上記の連結部分において、ポールチップ部１１２ｂの外縁は、エアベアリング面１２０と平行な面に対して角度βをなしている。ここで、αは、例えば４５度であり、βは９０度である。上記したように、ポールチップ部１１２ｂは、磁極部分５００のトリム構造を形成する際のマスクとなる部分である。図４０および図４２から判るように、ポールチップ部１１２ｂは平坦な記録ギャップ層１０８の上に延在し、ヨーク部１１２ａはフォトレジスト膜１１１で覆われて丘陵状に盛り上がったコイル部分（以下、「エイペックス部」という。）の上に延在している。
【００１３】
なお、上部磁極の詳細な構造的特徴に関しては、例えば、特開平８−２４９６１４号公報に記載がある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
磁極先端部分５００の磁極幅Ｐ２Ｗは記録媒体上の記録トラック幅を規定するものであるため、記録密度を高めるためには、磁極先端部分５００を高い精度で形成して磁極幅Ｐ２Ｗを狭小化する必要がある。特に、近年、さらなる記録密度の向上の要求にともない、例えば約０．３μｍ以下に至る磁極幅Ｐ２Ｗの極狭小化が望まれている。磁極幅Ｐ２Ｗが大きすぎる場合には、記録媒体上の所定の記録トラック領域以外の隣接領域にも書き込みしてしまう現象、すなわちサイドイレーズ現象が発生してしまい、記録密度を向上させることができないからである。このことから、磁極先端部分５００の磁極幅Ｐ２Ｗを狭小化すると共に全域にわたって一定となるようにすることが重要である。
【００１５】
上部磁極１１２の形成方法としては、フレームめっき法のようなウェットプロセスの他、上記したように、例えば、所定の形状を有するマスクを用いて、パーマロイよりなるめっき膜をイオンミリングによって選択的にエッチングしてパターニングするドライプロセスがある。
【００１６】
しかしながら、このような従来のドライプロセスでは、以下のような不具合が発生することを本出願人等は確認している。
【００１７】
１）例えば、めっき膜をパターニングするために用いるマスクをフォトリソグラフィ処理によって形成する場合、得られるマスクのうちの磁極先端部分５００に対応する部分の形成可能な最小幅は、約０．３μｍ程度が限界である。なぜなら、この部分の幅を０．３μｍより小さくすると、厚み寸法（例えば２〜３μｍ程度）に対して幅寸法が極端に小さくなりすぎて、マスクを設計寸法通りに形成することができないからである。このため、上記のような方法を用いた場合には、最終的に形成される磁極先端部分５００の最小の磁極幅Ｐ２Ｗは約０．３〜０．４μｍ程度が限界となり、磁極幅Ｐ２Ｗの極狭小化（例えば０．３μｍ以下）を達成することができない。
【００１８】
２）また、めっき膜をイオンミリングによってエッチングする場合、例えば、めっき膜の表面に対してほぼ垂直な方向（めっき膜の表面に対する垂線から幅方向に０度〜３０度程度の角度をなす方向）からイオンビームを照射すると、エッチング時に生じたエッチング生成物が非エッチング部分の側壁に再付着してしまい、ポールチップ部１１２ｂの幅が部分的に設計値よりも拡張してしまうこととなる。一方、例えば、めっき膜の表面に対してほぼ平行な方向（めっき膜の表面に対する垂線から幅方向に５０度〜７０度程度の角度をなす方向）からイオンビームを照射すると、上記のようなエッチング生成物の再付着現象は回避されるが、処理が進むにつれてエッチング量が増加してしまい、ポールチップ部１１２ｂの幅が部分的に設計値よりも縮小してしまうこととなる。特に、後者の条件においてエッチング処理を行うことにより磁極先端部分５００を形成すると、図４３に示したように、磁極幅Ｐ２Ｗが厚み方向の位置によって異なってしまい、不均一になる。
【００１９】
３）また、めっき膜のパターニングに用いるマスク（フォトレジスト膜パターン）を形成するためのフォトレジスト膜を凹凸構造を有する下地（パーマロイ層）上に形成すると、露光時において、下地の表面から斜め方向または横方向へ反射する反射光が発生し、この反射光が露光領域を拡張または縮小させることにより、マスクの形成精度が低下してしまう。なお、このマスクの形成精度の低下は、フォトレジスト膜の下地であるめっき膜の形成材料として、比較的反射率が高いパーマロイを用いていることにも起因している。
【００２０】
４）また、磁極先端部分５００の形成をエッチング速度の遅いイオンミリングによって行っているので、エッチング処理に時間がかかり、磁極先端部分５００の加工完了までに相当な時間を要することとなる。このような傾向は、磁極先端部分５００を形成する場合に限られるものではなく、上部磁極１１２や他の磁性層部分（下部シールド層１０３，下部磁極１０７等）等を形成する場合においても同様である。
【００２１】
なお、従来においては、上記したプロセス上の不具合の他、以下のような性能上の不具合もある。すなわち、従来は、薄膜磁気ヘッドを構成する磁性層部分の磁性材料としてパーマロイを用いている。このため、磁極幅Ｐ２Ｗを例えば約０．３μｍ以下まで極狭小化した場合には、特に、上記の磁極先端部分５００を構成する磁性層部分において磁束の飽和現象が生じてしまい、記録媒体への重ね書き込み特性、すなわちオーバーライト特性が低下してしまう。
【００２２】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、特に、磁極部分の形成を高精度かつ短時間で行うことを可能とする薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記録媒体に対向する記録媒体対向面側の一部に、ギャップ層を介して対向する第１の磁極および第２の磁極をそれぞれ含む、互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２の磁性層と、これらの２つの磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイル部とを有し、第１の磁極が記録媒体対向面からこの面と離れる方向に延在すると共に記録媒体の記録トラック幅を画定する第１の幅を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、第１の磁極を形成する工程および第２の磁極を形成する工程のうちの少なくとも一方の工程が、磁性材層を成膜する工程と、磁性材層上に、前記第１の磁極に対応する部分を有すると共にその第１の磁極に対応する部分の幅が前記第１の幅よりも大きな第２の幅となるようにマスク前駆パターンを形成する工程と、イオンミリングによって、マスク前駆パターンを選択的にエッチングして第１の磁極に対応する部分の幅を第２の幅から第１の幅まで狭めることにより第１のマスクを形成すると同時に第１のマスクの形成領域以外の領域における磁性材層を所定の深さまでエッチングする第１のエッチング工程と、反応性イオンエッチングによって、第１のマスクを用いて磁性材層を選択的にエッチングして第１の磁極および第２の磁極のうちの少なくとも一方を形成する第２のエッチング工程とを含むようにしたものである。
【００２４】
本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１のエッチング工程において、イオンミリングによってマスク前駆パターンが選択的にエッチングされて第１の磁極に対応する部分の幅が第２の幅から第１の幅まで狭められることにより第１のマスクが形成されると同時に第１のマスクの形成領域以外の領域における磁性材層が所定の深さまでエッチングされ、第２の工程において、第１のマスクを用いて反応性イオンエッチングによって磁性材層が選択的にエッチングされることにより第１の磁極および第２の磁極のうちの少なくとも一方が形成される。
【００２５】
本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１のエッチング工程において、イオンビームの照射角度を工程の途中において少なくとも１回変更するようにしてもよい。このような場合には、第１のエッチング工程の途中において、磁性材層の延在方向に平行な面に対して直交する方向とイオンビームの照射方向との間の幅方向における角度をより小さい第１の角度からより大きい第２の角度へ変更するようにするのが好適である。具体的には、第１の角度を４５±１５度とし、第２の角度を７５±１５度とするようにするのが好適である。
【００２６】
本発明の第２の観点に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記録媒体に対向する記録媒体対向面側の一部に、ギャップ層を介して対向する第１の磁極および第２の磁極をそれぞれ含む、互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２の磁性層と、これらの２つの磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイル部とを有し、第１の磁極が記録媒体対向面からこの面と離れる方向に延在すると共に記録媒体の記録トラック幅を画定する第１の幅を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、第１の磁極を形成する工程および前記第２の磁極を形成する工程のうちの少なくとも一方の工程が、磁性材層を成膜する工程と、磁性材層上に、第１の磁極に対応する部分を有すると共にその第１の磁極に対応する部分の幅が第１の幅よりも大きな第２の幅となるようにマスク前駆パターンを形成する工程と、イオンミリングによって、マスク前駆パターンを選択的にエッチングして第１の磁極に対応する部分の幅を第２の幅から第１の幅まで狭めることにより第１のマスクを形成する第１のエッチング工程と、反応性イオンエッチングによって、第１のマスクを用いて磁性材層を選択的にエッチングして第１の磁極および第２の磁極のうちの少なくとも一方を形成する第２のエッチング工程とを含むようにしたものである。
【００２７】
本発明の第２の観点に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１のエッチング工程において、イオンミリングによってマスク前駆パターンが選択的にエッチングされて第１の磁極に対応する部分の幅が第２の幅から第１の幅まで狭められることにより第１のマスクが形成され、第２の工程において、第１のマスクを用いて反応性イオンエッチングによって磁性材層が選択的にエッチングされることにより第１の磁極および第２の磁極のうちの少なくとも一方が形成される。
【００２８】
本発明の第２の観点に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１のエッチング工程において、磁性材層の延在方向に平行な面に対して直交する方向から幅方向に７５±１５度の角度をなすような方向からイオンビームを照射するようにするのが好適である。
【００３２】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、さらに、磁性材層を成膜する工程とマスク前駆パターンを形成する工程との間に、磁性材層の表面を研磨して平坦化する工程を含むようにしてもよい。
【００３３】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、マスク前駆パターンを形成する工程が、磁性材層上にマスク前駆層を成膜する工程と、反応性イオンエッチングによってマスク前駆層を選択的にエッチングしてマスク前駆パターンを形成する第３のエッチング工程とを含むようにしてもよい。このとき、第３のエッチング工程において、マスク前駆パターンの平面形状に対応する形状を有する第２のマスクを用いるようにしてもよい。このような場合には、マスク前駆層上に所定の平面形状を有するフォトレジスト膜パターンを形成し、このフォトレジスト膜パターンを第２のマスクとして用いるようにしてもよいし、マスク前駆層上に所定の平面形状を有する金属膜パターンを形成し、この金属膜パターンを第２のマスクとして用いるようにしてもよい。特に、後者の場合には、マスク前駆層上に選択的にめっき膜を成長させることにより金属膜パターンを形成するようにしてもよいし、マスク前駆層上に金属層を形成し、この金属層を選択的にエッチングすることにより金属膜パターンを形成するようにしてもよい。このときの金属膜パターンの形成材料としては、ニッケル鉄、ニッケル銅、窒化鉄、コバルト鉄、ニッケルボロンまたはニッケルリンのいずれかを用いるようにするのが好適である。
【００３４】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第３のエッチング工程において、第２のマスクをもエッチングして除去するようにしてもよい。
【００３５】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、マスク前駆層の成膜を化学蒸着によって行うようにしてもよい。このような場合には、マスク前駆層の成膜を１００Ｐａ以下の圧力下において行うようにするのが好適である。
【００３６】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１のマスクの形成材料として所定の無機材料を用いるようにしてもよい。このような場合には、上記の無機材料として、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムを含む材料を用いるようにするのが好適である。
【００３７】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の磁性層が、第１の磁極を有する第１の磁性層部分と、薄膜コイル部の配設領域を覆うと共に第１の磁性層部分に磁気的に連結された第２の磁性層部分とを含む場合には、第１のマスクの平面形状が、第１の磁性層部分のうちの少なくとも第１の磁極の平面形状に対応する部分を含むようにしてもよい。
【００３８】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の磁性層部分が、さらに、記録媒体対向面から遠い側において第１の磁極と磁気的に連結すると共に第１の磁極の幅よりも大きな幅を有する拡幅部分を含み、第１の磁極と拡幅部分との連結位置に幅方向の段差が形成され、かつ第１の磁極の側縁面と上記の段差における拡幅部分の段差面とが交わる部分にコーナー部が形成されている場合には、第１のマスクの平面形状がさらに拡幅部分の平面形状に対応する部分を含み、第１のマスクのうちの、第１の磁性層部分のコーナー部に対応する部分における角度が９０度ないし１２０度の範囲内となるようにするのが好適である。
【００３９】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第３のエッチング工程において、四フッ化炭素、六フッ化硫黄、三臭化ボロン、塩素および三塩化ボロンのうちの少なくとも１種を含むガス雰囲気中、かつ５０度ないし３００度の範囲内の温度下においてエッチング処理を行うようにするのが好適である。
【００４０】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第２のエッチング工程において、第１の磁性層のうちの少なくとも第１の磁極を形成するようにしてもよいし、第２の磁性層のうちの第２の磁極を形成するようにしてもよい。
【００４１】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、反応性イオンエッチングによって、ギャップ層のうちの第１の磁極の形成領域以外の領域を選択的に除去するようにしてもよい。このような場合には、第１の磁性層のうちの第１の磁極の形成と、上記のギャップ層の選択的除去と、第２の磁性層のうちの第２の磁極の形成とを一連の工程内において連続的に行うようにするのが好適である。また、上記の各部位の加工を行う際には、所定の無機材料よりなる第１のマスクをマスクとして用いて第１の磁性層のうちの第１の磁極の形成を行い、第１のマスクおよび第１の磁極のうちの少なくとも一方をマスクとして用いて、ギャップ層の選択的除去と第２の磁性層のうちの第２の磁極の形成とを行うようにするのが好適である。
【００４２】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の磁性層を形成する工程において、反応性イオンエッチングによって第２の磁性層部分を第１の磁性層部分とは別体として形成するようにしてもよい。このような場合には、第２の磁性層部分が、第１の磁性層部分の一部と部分的にオーバーラップするようにすると共に、その記録媒体対向面に近い側の端縁が、記録媒体対向面の位置から離れて位置するようにするのが好適である。
【００４３】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、薄膜コイル部が第１の薄膜コイル層パターンを有し、絶縁層が第１の薄膜コイル層パターンを埋設する第１の絶縁層部分を有する場合には、少なくとも第１の磁性層部分および第１の薄膜コイル層パターンを覆うように第１の絶縁層部分を形成する工程と、少なくとも第１の磁性層部分が露出するまで第１の絶縁層部分の表面を研磨して第１の平坦面を形成する工程とを含むようにしてもよい。このような場合には、第１の平坦面上に第２の磁性層部分を形成するようにするようにしてもよい。
【００４４】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の磁性層が、さらに、第１の磁性層部分と第２の磁性層部分との間に両者の間を磁気的に連結する第３の磁性層部分を含む場合には、反応性イオンエッチングによって第１の平坦面上に第３の磁性層部分を形成するようにしてもよい。このような場合には、第３の磁性層部分が、第１の磁性層部分の一部および第２の磁性層部分の一部の双方とオーバーラップするようにすると共に、その記録媒体対向面に近い側の端縁が、記録媒体対向面の位置から離れて位置するようにするのが好適である。
【００４５】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、薄膜コイル部が、さらに、第１の薄膜コイル層パターンと異なる階層に配設された第２の薄膜コイル層パターンを有し、絶縁層が、さらに、第２の薄膜コイル層パターンを埋設する第２の絶縁層部分を有する場合には、第２の薄膜コイル層パターンを形成すると同時に第２の薄膜コイル層パターンの端部に薄膜コイル部の一部をなす第１の接続パターンを第２の薄膜コイル層パターンを一体をなすように形成する工程と、第３の磁性層部分を形成する工程と同一の工程により第１の接続パターン上に薄膜コイル部の一部をなす第２の接続パターンを形成する工程と、少なくとも第３の磁性層部分、第２の薄膜コイル層パターンおよび第２の接続パターンを覆うように第２の絶縁層部分を形成する工程と、少なくとも第３の絶縁層部分および第２の接続パターンの双方が露出するまで第２の絶縁層部分の表面を研磨して第２の平坦面を形成する工程と、第２の平坦面上に第２の接続パターンの露出面と電気的に接続するように導電層パターンを形成する工程とを含むようにしてもよい。このような場合には、第２の平坦面上の他の一部分に第２の磁性層部分を形成するようにしてもよい。
【００４６】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、さらに、記録媒体対向面からこの面と離れる方向に延在する磁気変換機能素子膜と、この磁気変換機能素子膜を磁気的に遮蔽する第３の磁性層とを有する場合には、反応性イオンエッチングによるエッチング処理を用いて第３の磁性層を形成するようにしてもよい。
【００４７】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、所定の磁性材料を用いて、スパッタリングによって磁性層の成膜を行うようにしてもよい。このような場合には、上記の磁性材料として、窒化鉄を含む材料、またはジルコニウムコバルト鉄酸化物合金を含む材料などのアモルファス合金を用いるようにするのが好適である。
【００４８】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第２のエッチング工程において、塩素、三塩化ボロンおよび塩化水素のうちの少なくとも１種を含むガス雰囲気中、かつ５０度ないし３００度の範囲内の温度下においてエッチング処理を行うようにするのが好適である。
【００４９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００５０】
〔第１の実施の形態〕
＜薄膜磁気ヘッドの製造方法＞
まず、図１〜図１８を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によって具現化されるので、以下併せて説明する。
【００５１】
図１〜図１１において、（Ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。図１２〜図１８は、主要な製造工程に対応する斜視図である。ここで、図１２〜図１７は、それぞれ図３〜図８に示した状態に対応し、図１８は図１１に示した状態に対応する。ただし、図１７では、図８における絶縁膜１３，１５および薄膜コイル１４等の図示を省略し、図１８では、図１１における絶縁膜１３，１５，１６，１８，１９、薄膜コイル１４，１７およびオーバーコート層２０等の図示を省略している。
【００５２】
以下の説明では、図１〜図１８の各図中におけるＸ軸方向を「幅方向」、Ｙ軸方向を「長さ方向」、Ｚ軸方向を「厚み方向」として表記すると共に、Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面８０側（または後工程においてエアベアリング面８０となる側）を「前側（または前方）」、その反対側を「後側（または後方）」と表記するものとする。
【００５３】
本実施の形態に係る製造方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）よりなる基板１上に、例えばアルミナよりなる絶縁層２を、約３．０〜５．０μｍの厚みで堆積する。次に、絶縁層２上に、例えば、フォトリソグラフィ工程およびめっき法を用いて、例えばパーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）を約３．０μｍの厚みで選択的に形成して、再生ヘッド用の下部シールド層３を形成する。なお、下部シールド層３の形成材料としては、上記の他、パーマロイ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）を用いるようにしてもよい。次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁膜を約４．０〜５．０μｍの厚みで形成したのち、下部シールド層３が露出するまで絶縁膜の表面を例えばＣＭＰ（化学機械研磨）法によって研磨して、全体を平坦化する。
【００５４】
次に、図１に示したように、下部シールド層３上に、例えばアルミナ層を約１００〜２００ｎｍの厚みでスパッタ堆積し、シールドギャップ膜４を形成する。次に、シールドギャップ膜４上に、再生ヘッド部の要部であるＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜５を形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形状とする。次に、ＭＲ膜５の両側に、このＭＲ膜５と電気的に接続する引き出し電極層としてのリード層（図示せず）を形成したのち、このリード層、シールドギャップ膜４およびＭＲ膜５上に、シールドギャップ膜６を形成して、ＭＲ膜５をシールドギャップ膜４，６内に埋設する。ここで、ＭＲ膜５が、本発明における「磁気変換機能素子膜」の一具体例に対応する。
【００５５】
次に、図１に示したように、シールドギャップ膜６上に、上部シールド層７を約１．０〜１．５μｍの厚みで選択的に形成する。上部シールド層７の形成材料および形成方法等は、下部シールド層３の場合と同様である。ここで、下部シールド層３および上部シールド層７が、本発明における「第３の磁性層」の一具体例に対応する。
【００５６】
次に、図１に示したように、上部シールド層７上に、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナよりなる絶縁膜８を約０．１５〜０．２μｍの厚みで形成する。次に、絶縁膜８上に、例えば窒化鉄（ＦｅＮ）よりなる下部磁極９を選択的に形成する。ここで、下部磁極９の形成は、以下のような手順により行う。すなわち、まず、絶縁膜８上に、例えばスパッタリングにより、例えば窒化鉄層を約２．０〜２．５μｍの厚みで成膜する。続いて、成膜した窒化鉄層を、所定の形状および材質を有するマスクを用いてリアクティブイオンエッチング（Reactive Ion Etching；以下、単に「ＲＩＥ」という）によってエッチングしてパターニングすることにより、下部磁極９を選択的に形成する。なお、上記のような、成膜した窒化鉄をＲＩＥによってパターニングする工程の詳細については、後述する。ここで、下部磁極９が、本発明における「第２の磁性層」の一具体例に対応する。
【００５７】
次に、図２に示したように、下部磁極９上に、例えばスパッタリングによって、例えばアルミナ層を約０．５〜１．０μｍの厚みで成膜したのち、このアルミナ層を、例えばフォトレジスト膜よりなるマスク（図示せず）を用いてＲＩＥによりエッチングしてパターニングすることにより、絶縁膜パターン１０を選択的に形成する。このエッチング処理により、アルミナ層のうちの、前側の領域の一部と後工程において磁路接続部１２ｂが形成されることとなる領域の一部とが選択的に除去され、特に、後者の領域には、下部磁極９と後工程において形成される上部磁極１２とを接続させるための開口部１０ｋが形成される。この絶縁膜パターン１０は、スロートハイト（ＴＨ）を決定する際に基準の位置となるスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）を規定するためのものである。絶縁膜パターン１０を形成する際には、例えば、絶縁膜パターン１０の最も前側の端縁（以下、単に「最前端」という）の位置が、ＭＲ膜５の最も後側の端縁（以下、単に「最後端」という）の位置とほぼ一致するようにする。また、例えば、絶縁膜パターン１０の少なくとも前端縁部近傍が、斜面をなすようにするのが好適である。これは、後工程において形成される上部ポールチップ１２ａのうちの、上記の斜面部の上方領域における磁束の流れを円滑化させることができるからである。なお、上記のエッチング処理を行う際には、例えば、ＣＦ₄などを含む塩素系ガスを用いるようにする。
【００５８】
次に、図２に示したように、全体に、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナよりなる記録ギャップ層１１を約０．１５〜０．２μｍの厚みで形成する。記録ギャップ層１１を形成する際には、先工程において形成された開口部１０ｋがアルミナによって覆われないようにする。ここで、記録ギャップ層１１が、本発明における「ギャップ層」の一具体例に対応する。
【００５９】
次に、図２に示したように、全体に、例えばスパッタリングにより、例えば窒化鉄よりなる上部ポールチップ前駆層１１２ａ（以下、単に「窒化鉄層」ともいう）を約２．５〜３．５μｍの厚みで形成する。この上部ポールチップ前駆層１１２ａは、後工程においてエッチング処理によってパターニングされることにより上部ポールチップ１２ａ（および磁路接続部１２ｂ）となる前準備層である。以下の説明では、このように後工程で所定の形状となるようにパターニングされることとなる前準備層を「前駆層」と称呼し、同様に表記するものとする。図２に示したように、上部ポールチップ前駆層１１２ａの表面部は、下地の凹凸構造に対応した凹凸構造をなすこととなる。なお、上部ポールチップ前駆層１１２ａの形成材料としては、窒化鉄の他、例えば、ジルコニウムコバルト鉄酸化物合金（ＦｅＣｏＺｒＯ）、窒化ジルコニア鉄（ＦｅＺｒＮ）または窒化コバルト鉄（ＦｅＣｏＮ）などのような高い飽和磁束密度を有するアモルファス合金を用いるようにしてもよい。ここで、上部ポールチップ前駆層１１２ａが、本発明における「磁性材層」の一具体例に対応する。
【００６０】
次に、図３および図１２に示したように、上部ポールチップ前駆層１１２ａの表面を例えばＣＭＰ法によって約０．５〜１．０μｍ程度研磨して平坦化する。
【００６１】
次に、図３および図１２に示したように、平坦化された上部ポールチップ前駆層１１２ａ上に、例えばＣＶＤ（Chemical vapor deposition ）法により、例えばアルミナなどの無機材料よりなる第１のマスク前駆層１２２ａを約１．０〜２．０μｍの厚みで成膜する。この第１のマスク前駆層１２２ａの成膜は、特に、例えば１００Ｐａ以下の低圧環境中において行うようにする（ＬＰ（Low pressure）―ＣＶＤ法）。ＬＰ−ＣＶＤ法を用いることにより、第１のマスク前駆層１２２ａがより緻密に形成され、後工程で上部ポールチップ前駆層１１２ａをエッチングするときにエッチングされにくくなる。このとき、第１のマスク前駆層１２２ａの表面もまた平坦となるように形成される。なお、第１のマスク前駆層１２２ａを形成するための無機材料としては、アルミナの他、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などを用いるようにしてもよい。ここで、第１のマスク前駆層１２２ａが、本発明における「マスク前駆層」の一具体例に対応する。
【００６２】
次に、図３および図１２に示したように、平坦化な第１のマスク前駆層１２２ａ上に、例えばスパッタリングにより、例えばパーマロイを約５０ｎｍの厚みで形成して、電解めっき法（フレームめっき法）におけるシード層としての電極膜（図示せず）を形成する。次に、この電極膜上にフォトレジスト膜を約１．０μｍ程度の厚みで形成したのち、フォトリソグラフィによってフォトレジスト膜をパターニングすることにより、所定の形状よりなる開口部１３２ｘ，１３２ｙ（図１２では開口部１３２ｙを図示せず。）を有するフォトレジストパターン１３２ａを形成する。この開口部１３２ｘ，１３２ｙの平面形状は、それぞれ後工程において形成される上部ポールチップ１２ａ，磁路接続部１２ｂの平面形状に対応するものである。
【００６３】
このとき、フォトレジストパターン１３２ａを形成するためのフォトレジスト膜は平坦面上に形成されるので、斜面領域を含む下地上にフォトレジスト膜を形成する場合とは異なり、露光時において電極膜（シード層）の表面から斜め方向または横方向へ反射する反射光がほとんど生じない。このため、露光領域の拡張または縮小等に起因するパターンくずれを抑制して、特に、開口部１３２ｘのうちの微小幅領域１３２ｘ(1) を高精度に形成することができる。また、第１のマスク前駆層１２２ａの形成材料として、アルミナなどの比較的反射率の低い無機材料を用いているので、パーマロイなどの比較的反射率の高い材料を用いた場合よりも、露光時において第１のマスク前駆層１２２ａの表面から反射する反射光の発生自体を抑制することができる。この点でも開口部１３２ｘの形成の高精度化に寄与することとなる。このような場合における形成可能な微小幅領域１３２ｘ(1) の最小幅（以下、単に「形成限界幅」ともいう。）は、上記したように、約０．３μｍ程度が限界である。微小幅領域１３２ｘ(1) の幅を０．３μｍより小さくしようとすると、この領域の幅がフォトレジスト膜の厚み（例えば１μｍ）に対して極端に小さくなりすぎて、微小幅領域１３２ｘ(1) を設計寸法通りに形成することができないからである。なお、フォトレジストパターン１３２ａを形成する際には、必ずしも上記のようにフォトリソグラフィ処理を用いなければならないものではなく、例えばＲＩＥまたはイオンミリング等によってフォトレジスト膜を選択的にエッチングしてパターニングするようにしてもよい。
【００６４】
次に、上記の電極膜をシード層とし、フォトレジストパターン１３２ａをフレーム（枠）として用いたフレームめっき法により、開口部１３２ｘ，１３２ｙの領域に、例えばパーマロイよりなるめっき膜を約０．５〜０．８μｍの厚みで成長させたのち、フォトレジストパターン１３２ａを除去する。これにより、図４および図１３に示したように、第１のマスク前駆層１２２ａ上に、めっき膜よりなる第２のマスク３２ａおよび他のマスク３２ｂ（図１３では他のマスク３２ｂを図示せず。）が形成される。このとき、フォトレジストパターン１３２ａは上記のように高精度に形成されているので、第２のマスク３２ａおよび他のマスク３２ｂの双方も高精度に形成することができる。特に、第２のマスク３２ａのうちの微小幅領域１３２ｘ(1) に対応する部分を高精度に形成することができる。なお、第２のマスク３２ａ等を形成するためのめっき膜の形成材料としては、上記のパーマロイの他、例えば、ニッケル銅（ＮｉＣｕ）、窒化鉄、コバルト鉄（ＣｏＦｅ）、ニッケルボロン（ＮｉＢ）またはニッケルリン（ＮｉＰ）などを用いるようにしてもよい。ここで、第２のマスク３２ａが、本発明におけるめっき膜よりなる「金属膜パターン」としての「第２のマスク」の一具体例に対応する。
【００６５】
次に、図５および図１４に示したように、第２のマスク３２ａおよび他のマスク３２ｂを用いて、例えばＲＩＥによって第１のマスク前駆層１２２ａを選択的にエッチングすることにより、アルミナよりなるマスク前駆パターン２２ｚおよび他のマスク２２ｂ（図１４では他のマスク２２ｂを図示せず。）を形成する。このエッチング処理により、第１のマスク前駆層１２２ａ（図４，図１３参照）のうちの、第２のマスク３２ａおよび他のマスク３２ｂのそれぞれの形成領域以外の領域が選択的に除去される。このとき、第１のマスク前駆層１２２ａのうちの上記の領域がエッチングされると同時に、第２のマスク３２ａ自体および他のマスク３２ｂ自体もそれぞれエッチングされ、両者の膜厚は減少する。なお、本実施の形態では、第１のマスク２２ａを形成するためのエッチング処理後においても、第１のマスク２２ａ上に第２のマスク３２ａが残存している場合について以降の説明を続けるが、必ずしもこのような場合に限られるものではなく、残存しないようにしてもよい。
【００６６】
ＲＩＥによるエッチング処理を行う際には、例えば、加工温度を５０度〜３００度の範囲内とすると共に、エッチング用ガスとして、塩素（Ｃｌ₂），三塩化ボロン（ＢＣｌ₃），塩化水素（ＨＣｌ），四フッ化炭素（ＣＦ₄），六フッ化硫黄（ＳＦ₆）および三臭化ボロン（ＢＢｒ₃）のうちの少なくとも１種に、水素（Ｈ₂）、酸素（Ｏ₂）、窒素（Ｎ₂）およびアルゴン（Ａｒ）などを添加したものを用いるようにする。このような条件を採用することにより、ＲＩＥによるエッチング処理を短時間で行うことができる。特に、第１のマスク前駆層１２２ａをＲＩＥによりエッチングする際のエッチング用ガスとしては、塩素および三塩化ボロンのうちの少なくとも１種を含むようにするのが好ましい。
【００６７】
次に、図６および図１５に示したように、マスク前駆パターン２２ｚ（図６，図１５では図示せず。図５，図１４参照。）に対して、斜め上方からイオンビームを照射してエッチング処理（イオンミリング）を施すことにより、第１のマスク２２ａを形成する。このとき、上記のエッチング処理は、例えば、上部ポールチップ前駆層１１２ａの延在方向に平行な平面に対する垂線Ｓを回転軸として、基板１を固定している図示しない固定台を回転させながら行う。このエッチング処理を行う際には、同時に、第１のマスク２２ａおよび他のマスク２２ｂ（図６，図１５では他のマスク２２ｂを図示せず。）で覆われていない領域における上部ポールチップ前駆層１１２ａを選択的に約０．５μｍ程度エッチングして掘り下げると共に、第１のマスク２２ａの上方に配設されていた第２のマスク３２ａをエッチングして除去する。このエッチング処理により、第１のマスク２２ａの部分２２ａ(1) の幅Ｗ２は高精度に狭小化され、その幅はマスク前駆パターン２２ｚの部分２２ｚ(1) の幅Ｗ１（図１４参照）よりも小さくなる。
【００６８】
イオンミリングによるエッチング処理を行う際には、例えば、その処理工程の前半および後半において、イオンビームの照射角度を変更する。具体的には、例えば、前半においては、垂線Ｓに対する傾き角度δがより小さい方向（例えば、角度δ＝約４５±１５度程度）からイオンビームを照射し、後半においては、垂線Ｓに対する傾き角度εがより大きい方向（例えば、角度ε＝約７５±１５度程度）からイオンビームを照射するようにする。前者の場合におけるイオンビームの照射は、主に、垂直方向におけるエッチング処理、すなわち上部ポールチップ前駆層１１２ａの掘り下げ加工に寄与し、一方、後者の場合におけるイオンビームの照射は、主に、幅方向におけるエッチング処理、すなわちマスク前駆層２２ｚの部分２２ｚ(1) の狭幅化加工（第１のマスク２２ａの形成）に寄与する。このように、イオンビームの照射角度をエッチング処理の途中で変更することにより、エッチング領域に対するイオンビームの照射状態を最適化し、幅方向および深さ方向の加工を高精度かつ短時間で行うことができる。
【００６９】
なお、上記のように、第２のマスク３２ａおよび他のマスク３２ｂは、イオンミリングによるエッチング処理の完了時において消失し、残存しない。これにより、後工程において第１のマスク２２ａ等を用いて上部ポールチップ前駆層１１２ａをＲＩＥによりパターニングする際に、残存している第２のマスク３２ａがエッチングされることによって生じるエッチング生成物が第１のマスク２２ａや上部ポールチップ前駆層１１２ａの側壁に再付着することによる形成幅の増大を回避することができる。
【００７０】
次に、第１のマスク２２ａを用いて、上部ポールチップ前駆層１１２ａをＲＩＥによって選択的にエッチングしてパターニングすることにより、図７および図１６に示したように、記録ギャップ層１１上の一部領域から絶縁膜パターン１０上の一部領域にかけて、窒化鉄よりなる上部ポールチップ１２ａを選択的に形成する。このエッチング処理により、上部ポールチップ前駆層１１２ａ（図７および図１６では図示せず）のうちの第１のマスク２２ａの形成領域以外の領域（磁路接続部１２ｂとなる部分を除く）が選択的に除去されることとなる。上部ポールチップ１２ａを形成する際には、同時に、他のマスク２２ｂを用いて、開口部１０ｋに磁路接続部１２ｂ（図１６では図示せず）を形成する。上部ポールチップ１２ａおよび磁路接続部１２ｂは、共に上部磁極１２の一部を構成するものである。上部ポールチップ１２ａは、後述する図１９に示したような平面形状を有するものであり、記録媒体（図示せず）上の記録トラック幅を規定する一定幅を有する先端部１２ａ(1) と、先端部１２ａ(1) の幅よりも大きい幅を有する後端部１２ａ(2) とを含んでいる。ここで、上部ポールチップ１２ａが、本発明における「第１の磁性層部分」の一具体例に対応し、先端部１２ａ(1) が、本発明における「第１の磁極」の一具体例に対応し、後端部１２ａ(2) が、本発明における「拡幅部分」の一具体例に対応する。
【００７１】
上部ポールチップ前駆層１１２ａをエッチングする際には、例えば、絶縁膜パターン１０および記録ギャップ層１１のうちの上記の領域に対応する双方の一部をもエッチングするようにする。なお、必ずしもこのような場合に限らず、エッチング条件を調整して、上部ポールチップ前駆層１１２ａのみをエッチングするようにしてもよい。このとき、上部ポールチップ前駆層１１２ａの形成材料として、窒化鉄やアモルファス合金（ジルコニウムコバルト鉄酸化物合金）などを用いることにより、ＲＩＥによるエッチング時において、非エッチング部分の周壁にエッチング生成物が再付着することによる非エッチング部分の幅の部分的な拡張または過剰エッチングによる非エッチング部分の幅の部分的な縮小が回避される。このため、特に、上部ポールチップ１２ａの先端部１２ａ(1) を高精度に形成することができる。
【００７２】
ＲＩＥにより上部ポールチップ前駆層１１２ａをエッチングする際には、特に、例えば、加工温度を５０度〜３００度の範囲内、より好ましくは１５０度〜２５０度の範囲内とするのが好ましい。また、エッチング用ガスとして、例えば、塩素、三塩化ボロンおよび塩化水素のうちの少なくとも1 種、より好ましくは塩素を用いるようにするのが好ましい。塩素を用いる場合には、その供給量を例えば１００〜２００ｍｌ／ｍｉｎとするのが好ましい。なお、上部ポールチップ１２ａの形成が完了した時点で第１のマスク２２ａが残存するようにしてもよいし（図７および図１６参照）、または残存しないようにしてもよい。上記のような手法を用いることにより、上部ポールチップ１２ａを高精度かつ短時間で形成することができる。なお、上記した下部磁極９の形成も上部ポールチップ１２ａの場合と同様の手法を用いて行うようにすることにより、下部磁極９もまた高精度かつ短時間で形成することができる。
【００７３】
次に、図８（Ｂ）および図１７に示したように、例えば上部ポールチップ１２ａを形成した場合と同様の条件により、第１のマスク２２ａと、絶縁膜パターン１０の最前端の位置よりも後方の領域に選択的に形成した図示しないフォトレジスト膜とをマスクとして、記録ギャップ層１１および下部磁極９の双方の一部を約０．５μｍ程度ＲＩＥにより選択的にエッチングする。このエッチング処理により、記録ギャップ層１１および下部磁極９のうちの、上部ポールチップ１２ａにおける先端部１２ａ(1) の前方部分（絶縁膜パターン１０の最前端の位置よりも前側の部分）に対応する部分以外の領域が選択的に除去され、トリム構造を有する磁極先端部分１００が形成される。この磁極先端部分１００は、上部ポールチップ１２ａの先端部１２ａ(1) 、下部磁極９のうちの先端部１２ａ(1) に対応する部分（９Ｆ）および双方に挟まれた記録ギャップ層１１の一部によって構成され、これらの各部位は互いにほぼ同一の幅を有している。ＲＩＥによるエッチング処理を行うことにより、極先端部極部分１００を形成するためにＲＩＥによるエッチング処理を行う際には、例えば、塩素を２０〜４０ｍｌ／ｍｉｎ程度および三塩化ボロンを６０〜８０ｍｌ／ｍｉｎ程度含むエッチング用ガスを用いるようにするのが好ましい。
【００７４】
なお、上記のＲＩＥによるエッチング処理中に第１のマスク２２ａがエッチングされて消失したとしても問題とはならない。このような場合には、上部ポールチップ１２ａ自体が、その下層領域（記録ギャップ層１１および下部磁極９）に対するエッチング用マスクとして機能するからである。ただし、エッチングによって上部ポールチップ１２ａの膜厚が減少することとなるので、その減少分をあらかじめ見込んで膜厚を大きめにしておくのが好ましい。ここで、部分９Ｆが、本発明における「第２の磁極」の一具体例に対応する。
【００７５】
次に、図８（Ａ）に示したように、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１３を約０．３〜０．５μｍの厚みで形成する。
【００７６】
次に、図８（Ａ）に示したように、上部ポールチップ１２ａの配設領域よりも後方の領域（磁路接続部１２ｂの配設領域を除く）における平坦な絶縁膜１３上に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１４を約１．０〜２．０μｍの厚みで選択的に形成する。この薄膜コイル１４は、例えば、後述する図１９に示したような渦巻状の平面構造を有するものである。なお、図８（Ａ）では、薄膜コイル１４の一部分のみを図示している。薄膜コイル１４を形成する際には、同時に、例えば、その内側の終端部における絶縁膜１３上に、コイル接続部１４ｓを薄膜コイル１４と一体に形成する。このコイル接続部１４ｓは、薄膜コイル１４と後工程において形成されるコイル接続部１７ｓａ（図１０（Ａ）参照）とを電気的に接続させるためのものである。なお、薄膜コイル１４を形成する際には、例えば、その最外周部分における最前端が、絶縁膜パターン１０の最前端の位置よりも約２．０〜３．０μｍ程度後方にずれて位置するようにする。ここで、第１層目の薄膜コイル１４が、本発明における「第１の薄膜コイル層」の一具体例に対応する。
【００７７】
次に、図８（Ａ）に示したように、薄膜コイル１４（コイル接続部１４ｓを含む）の各巻線間およびその周辺に、加熱時に流動性を示す材料、例えばフォトレジストなどの有機絶縁材料を用いて、絶縁膜１５を高精度のフォトリソグラフィ処理により所定のパターンとなるように形成する。絶縁膜１５を形成する際には、フォトレジストに対して例えば２００度程度の温度で加熱処理を施し、フォトレジストが流動して薄膜コイル１４の各巻線間を隙間なく埋めつくすようにする。なお、絶縁膜１５を形成する際には、絶縁膜１５が薄膜コイル１４および薄膜コイル接続部１４ｓの双方の上面を覆わないようにしてもよいし（図８参照）、または覆うようにしてもよい。
【００７８】
次に、全体に、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナ層を約３．０〜４．０μｍの厚みで成膜して、上部ポールチップ１２ａ、磁路接続部１２ｂ、薄膜コイル１４およびコイル接続部１４ｓ等によって構成された凹凸構造領域を埋設したのち、図９に示したように、例えばＣＭＰ法によりアルミナ層の表面全体を研磨して、薄膜コイル１４等を埋設する絶縁膜１６を形成する。なお、この場合におけるアルミナの表面研磨は、上部ポールチップ１２ａおよびコイル磁路接続部１２ｂの双方が露出するまで行う。アルミナの表面研磨を行う際には、例えば、研磨後の上部ポールチップ１２ａの厚みが約１．５〜２．５μｍとなるようにする。絶縁膜１６の形成材料としてアルミナなどの無機絶縁材料を用いることにより、フォトレジストなどの軟絶縁材料を用いる場合とは異なり、ＣＭＰ研磨盤の研磨面が目詰まりを起こすことを防止できると共に、研磨後の表面をより平滑に形成することができる。ここで、絶縁膜１５，１６が、本発明における「第１の絶縁層部分」の一具体例に対応する。また、上記の研磨処理によって形成される平坦面が、本発明における「第１の平坦面」の一具体例に対応する。
【００７９】
次に、図１０に示したように、例えばＲＩＥまたはイオンミリングにより、コイル接続部１４ｓの上方を覆っている絶縁膜１６を部分的にエッチングして、コイル接続部１４ｓと後工程において形成されるコイル接続部１７ｓａとを接続させるための開口部１６ｋを形成する。
【００８０】
次に、図１０に示したように、薄膜コイル１４の上方における平坦化された絶縁膜１６上に、第１層目の薄膜コイル１４を形成した場合と同様の工程の電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる第２層目の薄膜コイル１７を約１．０〜２．０μｍの厚みで選択的に形成する。この薄膜コイル１７は、薄膜コイル１４と同様の平面構造を有するものである。薄膜コイル１７を形成する際には、同時に、例えば、その内側の終端部におけるコイル接続部１４ｓ上にコイル接続部１７ｓａを形成し、また、その外側の終端部における絶縁膜１６上に配線接続部１７ｓｂを形成する。コイル接続部１７ｓａおよび配線接続部１７ｓｂは、薄膜コイル１７と一体をなすものである。薄膜コイル１４と薄膜コイル１７とは、開口部１６ｋにおいて、コイル接続部１４ｓ，１７ｓａを介して電気的に接続され、また配線接続部１７ｓｂとも電気的に接続される。ここで、第２層目の薄膜コイル１７が、本発明における「第２の薄膜コイル層」の一具体例に対応し、配線接続部１７ｓｂが、本発明における「第１の接続パターン」の一具体例に対応する。
【００８１】
次に、図１０に示したように、薄膜コイル１７（コイル接続部１７ｓａおよび配線接続部１７ｓｂを含む）の各巻線間およびその周辺に、絶縁膜１５の場合と同様の材料および形成方法（加熱処理を含む）を用いて絶縁膜１８を選択的に形成する。なお、絶縁膜１８を形成する場合においても、絶縁膜１８が、薄膜コイル１７、コイル接続部１７ｓａおよび配線接続部１７ｓｂの各部位の上面を覆わないようにしてもよいし（図１０参照）、または覆うようにしてもよい。
【００８２】
次に、図１０に示したように、絶縁膜１６の上方から上部ポールチップ１２ａの後端部１２ａ(2) の上方にかけての領域における平坦面上に、例えば、上部ポールチップ１２ａおよび磁路接続部１２ｂの場合と同様の材料および形成方法を用いて、上部磁極１２の一部を構成することとなる中間接続部１２ｃを約２．０〜３．０μｍの厚みで選択的に形成する。この中間接続部１２ｃは、例えば、後述する図１９に示したような平面形状を有するものである。中間接続部１２ｃの構造的特徴については、後述する。中間接続部１２ｃは、後端部１２ａ(2) の一部と部分的にオーバーラップして接触し、両者は磁気的に連結される。
【００８３】
中間接続部１２ｃを形成する際には、同時に、磁路接続部１２ｂ上に上部磁極１２の一部を構成することとなる磁路接続部１２ｄを形成すると共に、配線接続部１７ｓｂ上に中間接続パターン１２ｅを形成する。このとき、薄膜コイル１７は絶縁膜１８によって覆われているので、中間接続部１２ｃ等の形成時におけるエッチング処理等による薄膜コイル１７の損傷等が回避されることとなる。中間接続パターン１２ｅは、薄膜コイル１４，１７と後工程において形成されるコイル接続配線１２ｆｈ（図１１参照）とを電気的に接続させるためのものである。磁路接続部１２ｄおよび中間接続パターン１２ｅの材質および形成方法もまた、上部ポールチップ１２ａ等の場合と同様である。中間接続部１２ｃ、磁路接続部１２ｄおよび中間接続パターン１２ｅの形成方法として、上部ポールチップ１２ａ等の場合と同様の手法を用いることにより、上記の各部位を高精度かつ短時間で形成することができる。なお、中間接続部１２ｃを形成する際には、例えば、その最前端が、絶縁膜パターン１０の最前端の位置よりも約０．５〜１．０μｍ程度後方にずれて位置するようにするのが好ましい。また、例えば、中間接続部１２ｃの前側の端縁部が斜面をなすようにするのが好ましい。これにより、中間接続部１２ｃの前側の端縁部はテーパを有することとなる。ここで、中間接続部１２ｃが、本発明における「第３の磁性層部分」の一具体例に対応し、接続中間パターン１２ｅが、本発明における「第２の接続パターン」の一具体例に対応する。また薄膜コイル１４，１７、コイル接続部１４ｓ，１７ｓａ、配線接続部１７ｓｂおよび中間接続パターン１２ｅが、本発明における「薄膜コイル部」の一具体例に対応する。
【００８４】
次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層を約３．０〜４．０μｍの厚みで形成したのち、図１１に示したように、例えばＣＭＰ法によりこのアルミナ絶縁層の表面全体を研磨して平坦化することにより、薄膜コイル１７等を埋設する絶縁膜１９を形成する。なお、この場合におけるアルミナ絶縁層の表面研磨は、中間接続部１２ｃ、磁路接続部１２ｄおよび中間接続パターン１２ｅが露出するまで行う。ここで、絶縁膜１８，１９が、本発明における「第２の絶縁層部分」の一具体例に対応し、絶縁膜１５，１６，１８，１９が、本発明における「絶縁層」の一具体例に対応する。また、上記の研磨処理によって形成される平坦面が、本発明における「第２の平坦面」の一具体例に対応する。
【００８５】
次に、図１１に示したように、平坦化された領域のうち、磁路接続部１２ｄから中間接続部１２ｃにかけての領域に、上部磁極１２の一部を構成することとなる上部ヨーク１２ｆを約２．０〜３．０μｍの厚みで選択的に形成する。この上部ヨーク１２ｆは、例えば、後述する図１９に示したような平面形状を有するものであり、薄膜コイル１４，１７の上方領域に延在するヨーク部１２ｆ(1) と、ヨーク部１２ｆ(1) の前方において中間接続部１２ｃの一部と部分的にオーバーラップするように延在する接続部１２ｆ(2) とを含んでいる。上部ヨーク１２ｆの構造的特徴については、後述する。上部ヨーク１２ｆは、その後方部分において、開口部１０ｋを通じて磁路接続部１２ｂ，１２ｄを介して下部磁極９と磁気的に連結されると共に、その前方部分において、中間接続部１２ｃを介して上部ポールチップ１２ａとも磁気的に連結される。
【００８６】
上部ヨーク１２ｆを形成する際には、同時に、中間接続パターン１２ｅの上方から図示しない外部回路にかけての領域にコイル接続配線１２ｆｈを形成する。このコイル接続配線１２ｆｈは、中間接続パターン１２ｅと図示しない外部回路とを電気的に接続させるためのものである。上部ヨーク１２ｆおよびコイル接続配線１２ｆｈの形成材料および形成方法は、上記した上部ポールチップ１２ａ等の場合と同様である。このような手法を用いることにより、上部ヨーク１２ｆおよびコイル接続配線１２ｆｈもまた高精度かつ短時間で形成することができる。なお、上部ヨーク１２ｆを形成する際には、例えば、その最前端が、中間接続部１２ｃの前側の端縁面における上端の位置よりも後方にずれて位置するようにすると共に、その最後端の位置が、磁路接続部１２ｂ，１２ｄの最後端の位置とほぼ一致するようにする。このときの接続部１２ｆ(2) 周辺における立体的構造は、図１８に示したようになる。ここで、上部ヨーク１２ｃが、本発明における「第２の磁性層部分」の一具体例に対応し、コイル接続配線１２ｆｈが、本発明における「導電層パターン」の一具体例に対応する。また、上部ポールチップ１２ａ、中間接続部１２ｃ、磁路接続部１２ｂ，１２ｄおよび上部ヨーク１２ｆによって構成される上部磁極１２が、本発明における「第１の磁性層」の一具体例に対応する。
【００８７】
次に、図１１に示したように、全体を覆うように、例えばアルミナよりなるオーバーコート層２０を形成する。最後に、機械加工や研磨工程により記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面８０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００８８】
＜薄膜磁気ヘッドの構造＞
次に、図１９を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造について説明する。
【００８９】
図１９は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面構造の概略を表すものである。なお、図１９では、絶縁膜１５，１６，１８，１９およびオーバーコート層２０等の図示を省略している。また、薄膜コイル１４，１７については、その最外周部分のみを図示し、絶縁膜パターン１０については、その最外端のみを図示している。図１１（Ａ）は、図１９におけるＸＩＡ−ＸＩＡ線に沿った矢視断面に相当する。なお、図１９中のＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に関するそれぞれの表記については、図１〜図１８の場合と同様とする。
【００９０】
図１９に示したように、絶縁膜パターン１０の最前端の位置は、スロートハイト（ＴＨ）を決定する際の基準となる位置、すなわちスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）である。スロートハイト（ＴＨ）は、絶縁膜パターン１０の最前端の位置（ＴＨ０位置）からエアベアリング面８０までの長さとして規定される。また、図１９中における「ＭＲＨ０位置」は、ＭＲ膜５の最後端の位置、すなわちＭＲハイトゼロ位置を表している。ＭＲハイト（ＭＲＨ）は、ＭＲハイトゼロ位置からエアベアリング面８０までの長さである。スロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）とＭＲハイトゼロ位置（ＭＲＨ０位置）とは、例えば、ほぼ一致している。
【００９１】
上部磁極１２は、例えば、それぞれ別個に形成された上部ポールチップ１２ａ、中間接続部１２ｃ、磁路接続部１２ｂ，１２ｄおよび上部ヨーク１２ｆによって構成されている。すなわち、上部磁極１２は、これらの各部位の集合体である。
【００９２】
上部ヨーク１２ｆは、薄膜コイル１４，１７で発生した磁束を収容するたの大きな面積を有するヨーク部１２ｆ(1) と、ヨーク部１２ｆ(1) よりも小さい一定幅を有する接続部１２ｆ(2) とを含んでいる。ヨーク部１２ｆ(1) の幅は、例えば、その後方部においてはほぼ一定であり、その前方部においてはエアベアリング面８０に近づくにつれて徐々に狭まるようになっている。また、接続部１２ｆ(2) の幅は、例えば、後述する中間接続部１２ｃの幅よりも大きくなっている。ただし、必ずしもこのような場合に限らず、例えば、前者の幅が後者の幅よりも小さくなるようにしてもよい。
【００９３】
中間接続部１２ｃは、例えば、矩形状の平面形状を有するものであり、その幅は、後述する上部ポールチップ１２ａにおける後端部１２ａ(2) の幅よりも大きくなっている。ただし、前者の幅が後者の幅よりも小さくなるようにしてもよい。
【００９４】
上部ポールチップ１２ａは、例えば、エアベアリング面８０から順に先端部１２ａ(1) および後端部１２ａ(2) を含んでおり、両者は矩形状の平面形状を有するものである。先端部１２ａ(1) は、その全域にわたってほぼ一定な幅を有し、この幅は記録時の記録トラック幅を画定するものである。後端部１２ａ(2) の幅は、先端部１２ａ(1) の幅よりも大きくなっている。すなわち、先端部１２ａ(1) と後端部１２ａ(2) との連結部分には、幅方向の段差が形成されている。
【００９５】
上部ポールチップ１２ａの段差部における後端部１２ａ(2) 側の段差面１２ａｄは、例えば、ＴＨ０位置（またはＭＲＨ０位置）の位置よりも後方にずれて位置している。中間接続部１２ｃの前側の端縁面１２ｃｔは、例えば、段差面１２ａｄの位置よりも後方にずれて位置し、上部ヨーク１２ｆの前側の端縁面１２ｆｔは、例えば、端縁面１２ｃｔの位置よりも後方にずれて位置している。すなわち、中間接続部１２ｃおよび上部ヨーク１２ｆは、共にエアベアリング面８０から離れて位置するように配設されている。なお、中間接続部１２ｃおよび上部ヨーク１２ｆの配設位置は、必ずしも上記のような場合に限らず、例えば、端縁面１２ｃｔの位置が段差面１２ａｄの位置と一致するようにしてもよいし、または端縁面１２ｃｔおよび端縁面１２ｆｔの双方の位置が段差面１２ａｄの位置と一致するようにしてもよい。上部ヨーク１２ｆ、中間接続部１２ｃおよび上部ポールチップ１２ａの各幅方向の中心は互いに一致している。
【００９６】
上部ポールチップ１２ａにおける先端部１２ａ(1) の側縁面と段差面１２ａｄとが交わるコーナー部における角度γは、例えば９０度である。なお、このコーナー部の角度γは必ずしもこれに限られるものではなく、例えば９０度ないし１２０度の範囲内となるようにするのが好適である。角度γを上記の範囲内とすることにより、後端部１２ａ(2) から先端部１２ａ(1) に流入する磁束の流れを円滑化することができるためである。上部ポールチップ１２ａが上記のような構造的特徴を有するようにするためには、上部ポールチップ１２ａを形成する際に用いられる第１のマスク２２ａ（図６，図１５参照）のうちの、上記のコーナー部に対応する部分が同様の角度を有するようにすることで可能となる。
【００９７】
図１１（Ａ）、図１８および図１９に示したように、上部ヨーク１２ｆの前側の一部は、中間接続部１２ｃの一部と部分的にオーバーラップして磁気的に連結され、また中間接続部１２ｃの一部もまた、上部ポールチップ１２ａの後端部１２ａ(2) の一部と部分的にオーバーラップして磁気的に連結されている。一方、図１１（Ａ）および図１９に示したように、上部ヨーク１２ｆの後方の一部は、開口部１０ｋにおいて、磁路接続部１２ｂ，１２ｄを介して下部磁極９とも磁気的に連結されている。すなわち、上部磁極１２（上部ポールチップ１２ａ，中間接続部１２ｃ，磁路接続部１２ｂ，１２ｄ，上部ヨーク１２ｆ）と下部磁極９とが接続されることにより、磁束の伝搬経路、すなわち磁路が形成されている。
【００９８】
図１９に示したように、薄膜コイル１ 4，１７は、共に渦巻状の平面形状を有する巻線体である。薄膜コイル１４の内側の終端部および外側の終端部には、それぞれコイル接続部１４ｓおよび端子１４ｘが形成されている。両者は、薄膜コイル１４と一体をなすものである。薄膜コイル１７の内側の終端部および外側の終端部には、それぞれコイル接続部１７ｓａおよび配線接続部１７ｓｂが形成されている。両者は、共に薄膜コイル１７と一体をなすものである。薄膜コイル１４，１７は、コイル接続部１４ｓ，１７ｓａを介して電気的に接続されている。また、コイル接続部１７ｓｂ上には中間接続パターン１２ｅが形成されており、薄膜コイル１４，１７とコイル接続配線１２ｆｈとは、コイル接続部１７ｓｂおよび中間接続パターン１２ｅを介して電気的に接続されている。端子１４ｘおよびコイル接続配線１２ｆｈの後端部（図示せず）は、共に図示しない外部回路に接続されており、この外部回路によって薄膜コイル１ 4，１７を通電させることができるようになっている。
【００９９】
〈薄膜磁気ヘッドの作用〉
次に、図１１（Ａ）、図１８および図１９を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの作用について説明する。
【０１００】
ここでは、薄膜磁気ヘッドの基本的動作、すなわち、記録媒体に対するデータの記録動作および記録媒体からのデータの再生動作について簡単に説明する。
【０１０１】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、情報の記録動作時に図示しない外部回路を通じて薄膜コイル１ 4，１７に電流が流れると、これに応じて磁束が発生する。このとき発生した磁束は、上部ヨーク１２ｆ内をヨーク部１２ｆ(1) から接続部１２ｆ(2) へ伝搬し、上部ヨーク１２ｆと磁気的に連結されている中間接続部１２ｃおよび上部ポールチップ１２ａの後端部１２ａ(2) を経由して先端部１２ａ(1) へ伝搬する。先端部１２ａ(1) へ伝搬した磁束は、さらにそのエアベアリング面８０側の先端部分に到達し、記録ギャップ層１１近傍の外部に記録用の信号磁界を発生させる。この信号磁界により、磁気記録媒体を部分的に磁化して、情報を記録することができる。
【０１０２】
一方、再生時においては、再生ヘッド部のＭＲ膜５にセンス電流を流す。ＭＲ膜５の抵抗値は、磁気記録媒体からの再生信号磁界に応じて変化するので、その抵抗変化をセンス電流の変化によって検出することにより、磁気記録媒体に記録されている情報を読み出すことができる。
【０１０３】
＜薄膜磁気ヘッドの製造方法における作用および効果＞
次に、図１２〜図１７を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における特徴的な作用および効果を説明する。
【０１０４】
本実施の形態では、フレームめっき法によって形成されためっき膜よりなる第２のマスク３２ａ（図１３参照）を用いて、第１のマスク前駆層１２２ａをＲＩＥによってパターニングすることによりマスク前駆パターン２２ｚを形成したのち（図１４参照）、このマスク前駆パターン２２ｚのうちの部分２２ｚ(1) の一部をイオンミリングによってエッチングすることにより第１のマスク２２ａを形成するようにしている（図１５参照）。このイオンミリングによって、第１のマスク２２ａの部分２２ａ(1) の幅は高精度に狭小化され、その幅Ｗ２はマスク前駆パターン２２ｚの部分２２ｚ(1) の幅Ｗ１よりも小さくなる。ここで、マスク前駆パターン２２ｚにおける部分２２ｚ(1) の形成限界幅は、上記のように第２のマスク３２ａを形成するためのフレーム（フォトレジストパターン１３２ａ；図１２参照）の微小幅領域１３２ｘ(1) の形成限界幅に依存し、約０．３μｍ程度である。すなわち、マスク前駆パターン２２ｚを形成したのち、これにイオンミリングによるエッチング処理を施すことにより、最終的に形成される第１のマスク２２ａの部分２２ａ(1) の幅を従来よりも狭小化することができるのである。より具体的には、部分２２ａ(1) の幅が０．３μｍ以下となるようにすることが可能となる。このような手法によって形成された第１のマスク２２ａを用いることにより、上部ポールチップ１２ａの先端部１２ａ(1) の幅と共に磁極部分１００の磁極幅もまた高精度に狭小化（例えば、０．３μｍ以下）することができる（図１６，図１７参照）。
【０１０５】
また、本実施の形態では、イオンミリングによるエッチング処理によって第１のマスク２２ａを形成すると同時に、上部ポールチップ前駆層１１２ａのうちの第１のマスク２２ａの形成領域以外の表層部分をもエッチングして掘り下げるようにしている。ここで、上部ポールチップ前駆層１１２ａのうちの上記の部分（表層部分）は、後工程において上部ポールチップ１２ａを形成するためにＲＩＥによってエッチングされる部分でもある。このため、後工程においてＲＩＥによるエッチング処理を行う際のエッチング量が少なくて済む。したがって、後工程においてＲＩＥによるエッチング処理に要する時間を短縮することができる。
【０１０６】
以上のように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、マスク前駆パターン２２ｚに対してイオンミリングによるエッチング処理を施すことによって第１のマスク２２ａを形成するようにしたので、上記のエッチング処理を施さない場合とは異なり、第１のマスク２２ａの部分２２ａ(1) の幅を高精度に狭小化することができる。したがって、この第１のマスク２２ａを用いることにより、上部ポールチップ１２ａの先端部１２ａ(1) の幅もまた同様に高精度に狭小化することができる。
【０１０７】
また、本実施の形態では、イオンミリングによるエッチング処理によって第１のマスク２２ａを形成すると同時に、上部ポールチップ前駆層１１２ａのうちの第１のマスク２２ａの形成領域以外の領域もエッチングするようようにしたので、後工程において上部ポールチップ１２ａを形成する際のＲＩＥによるエッチング処理に要する時間を短縮することができる。
【０１０８】
また、本実施の形態では、イオンミリングによるエッチング処理を行う際に、その途中においてイオンビームの照射角度を変更して最適化するようにしたので、第１のマスク２２ａの形成（つまり、マスク幅の狭小化）および上部ポールチップ前駆層１１２ａの掘り下げ加工を高精度かつ短時間で行うことができる。
【０１０９】
また、本実施の形態では、第１のマスク前駆層１２２ａの形成方法として、ＣＶＤ法、特に、１００Ｐａ以下の低圧下におけるＬＰ−ＣＶＤ法を用いるようにしたので、第１のマスク前駆層１２２ａが緻密に形成され、結果として、第１のマスク２２ａが後工程（ＲＩＥ工程）においてエッチングされにくくすることができる。
【０１１０】
また、本実施の形態では、第１のマスク２２ａを形成するためにイオンミリングによるエッチング処理を行う際に、第２のマスク３２ａもエッチングして、エッチング処理の完了時において第２のマスク３２ａが残存しないようにしたので、第２のマスク３２ａが残存する場合とは異なり、上部ポールチップ１２ａを高精度に形成することができる。
【０１１１】
また、本実施の形態では、上部ポールチップ前駆層１１２ａを形成したのち、その表面を研磨して平坦化するようにしたので、第２のマスク３２ａを形成するためのフォトレジストパターン１３２ａにおける微小幅領域１３２ｘ(1) （図１２参照）を高精度に形成することができる。
【０１１２】
また、本実施の形態では、第１のマスク前駆層１２２ａの形成材料として、アルミナなどの比較的反射率の低い無機材料を用いるようにしたので、フォトレジストパターン１３２ａを形成するためのフォトリソグラフィ工程における下地（第１のマスク前駆層１２２ａ）からの反射光の発生自体をも抑制することができる。この点でも、フォトレジストパターン１３２ａにおける微小幅領域１３２ｘ(1) の形成精度の向上に寄与することとなる。
【０１１３】
また、本実施の形態では、上部ポールチップ１２ａを形成する際に、上部ポールチップ前駆層１１２ａをパターニングするための手法としてＲＩＥを用いているので、イオンミリングを用いていた従来の場合よりも上部ポールチップ１２ａを極めて短時間で形成することが可能となる。このような作用および効果は、上部ポールチップ１２ａを形成する場合と同様の手法によって他の磁性層部分（下部磁極９，中間接続部１２ｃ，磁路接続部１２ｂ，１２ｄ，上部ヨーク１２ｆ）や磁極先端部分１００などを形成する場合についても得られる。このため、薄膜磁気ヘッド全体の製造に要する時間を短縮することができる。なお、上記のようにＲＩＥによって磁極先端部分１００を形成することにより、先端部１２ａ(1) および部分９Ｆをイオンミリングによって加工し、記録ギャップ層１１の選択的除去をＲＩＥによって加工する場合よりも加工時間を短縮することができる。
【０１１４】
また、本実施の形態では、マスク前駆パターン２２ｚをＲＩＥによるエッチング処理によって形成する際に、エッチング用ガスとして、塩素（Ｃｌ₂），三塩化ボロン（ＢＣｌ₃），塩化水素（ＨＣｌ），四フッ化炭素（ＣＦ₄），六フッ化硫黄（ＳＦ₆）および三臭化ボロン（ＢＢｒ₃）のうちの少なくとも１種を選択すると共に、加工時の温度が５０度〜３００度の範囲内となるように調整しているので、エッチング条件が最適化されることにより、マスク前駆パターン２２ｚをより高精度かつ短時間で形成することができる。
【０１１５】
また、本実施の形態では、上部ポールチップ１２ａ等の各磁性層部分や磁極先端部分１００をＲＩＥによるエッチング処理によって形成する際に、エッチング用ガスとして、塩素（Ｃｌ₂），三塩化ボロン（ＢＣｌ₃）および塩化水素（ＨＣｌ）のうちの少なくとも１種を選択すると共に、加工時の温度が５０度〜３００度の範囲内となるように調整しているので、エッチング条件が最適化されることにより、上部ポールチップ１２ａ等の各磁性層部分や磁極先端部分１００をより高精度かつ短時間で形成することができる。
【０１１６】
また、本実施の形態では、上部ポールチップ前駆層１１２ａの形成材料として窒化鉄やアモルファス合金（ジルコニウムコバルト鉄酸化物合金）などを用い、これらの材料よりなる上部ポールチップ前駆層１１２ａをＲＩＥによってエッチングすることにより上部ポールチップ１２ａを形成するようにしているので、パーマロイよりなるめっき膜をイオンミリングによってエッチングしていた従来の場合とは異なり、上部ポールチップ１２ａを高精度に形成することができる。このような作用および効果は、同様の材料および手法を用いて上部ポールチップ１２ａ以外の他の磁性層部分を形成する場合についても得られる。この結果、図１７に示したように、磁極先端部分１００の磁極幅がその全域にわたって一定となるため、安定した記録特性を得ることができると共に、記録密度を高めるための磁極幅の狭小化にも対応することができる。また、特に、上部磁極１２および下部磁極９の形成材料として高飽和磁束密度を有する窒化鉄等を用いることにより、磁極部分１００の磁極幅を極狭小化した場合においても、磁束の飽和現象を防止し、優れたオーバーライト特性を確保することができる。
【０１１７】
また、本実施の形態では、上部ポールチップ前駆層１１２ａをパターニングするための第１のマスク２２ａの形成材料として、被エッチング速度の遅いアルミナなどの無機材料を用いるようにしたので、第１のマスク２２ａの形成材料として被エッチング速度の速いフォトレジスト膜などの軟材料を用いる場合よりも、第１のマスク２２ａ自体の被エッチング量を低減させることができ、結果として、最終的に形成される上部ポールチップ１２ａの厚みの目減りを低減させることが可能となる。このような効果は、アルミナよりなる他のマスク２２ｂ等を用いて形成される磁路接続部１２ｂ等についても同様である。
【０１１８】
また、本実施の形態では、マスク前駆パターン２２ｚをＲＩＥによるエッチング処理によって形成するようにしたので、イオンミリングを用いる場合よりも、マスク前駆パターン２２ｚの形成に要する所要時間を短縮することができる。この点でも、薄膜磁気ヘッド全体の製造時間の短縮に寄与することとなる。
【０１１９】
また、本実施の形態では、図１０および図１１に示したように、配線接続部１７ｓｂ上に中間接続パターン１２ｅを配設して、中間接続パターン１２ｅの上面位置が、中間接続部１２ｃおよび磁路接続部１２ｄの双方の上面の位置よりも高くなるようにしたので、これらの各部位をアルミナによって覆ったのち、絶縁膜１９を形成するためにアルミナの表面を研磨したときに、中間接続部１２ｃおよび磁路接続部１２ｄの双方と共に中間接続パターン１２ｅをも露出させることができる。このため、中間接続パターン１２ｅを形成しない場合とは異なり、配線接続部１７ｓｂとコイル接続配線１２ｆｈとを接続させるために、絶縁膜１９の一部を除去して開口部を形成する工程が不要となる。しかも、中間接続パターン１２ｅは、中間接続部１２ｃおよび磁路接続部１２ｄと同一工程によって形成されるので、中間接続パターン１２ｅを形成するために新たな工程を必要としない。したがって、製造工程数を削減することができる。
【０１２０】
また、本実施の形態では、薄膜コイル１４（コイル接続部１４ｓを含む）および薄膜コイル１７（コイル接続部１７ｓａおよびコイル接続配線１７ｓｂを含む）の双方の各巻線間を埋め込む絶縁膜１５，１８の形成材料として、加熱時に流動性を示すフォトレジストなどの有機絶縁材料を用いるようにしたので、加熱時に流動性を示さないアルミナなどの無機絶縁材料を用いる場合とは異なり、薄膜コイル１４，１７等の各巻線間を隙間なく埋めつくすことができ、確実に絶縁することができる。
【０１２１】
また、本実施の形態では、図７および図１６に示したように、上部ポールチップ１２ａを形成するために、上部ポールチップ前駆層１１２ａをＲＩＥによって選択的にエッチングする際、絶縁膜パターン１０および記録ギャップ層１１の双方の一部もエッチングするようにしたので、薄膜コイル１４の配設領域の表面の位置が上部ポールチップ１２ａの後端部１２ａ(2) の下面の位置よりも低くなる。このため、薄膜コイル１４の上方には十分な厚みを有する絶縁膜１６が存在することとなるので、薄膜コイル１４と後工程において形成される薄膜コイル１７との間を確実に絶縁することができる。
【０１２２】
また、本実施の形態では、第１のマスク２２ａのうちの、上部ポールチップ１２ａにおける先端部１２ａ(1) の側縁面と段差面１２ａｄとが交わるコーナー部に対応する部分の角度が９０度ないし１２０度の範囲内となるようにしたので、形成される上部ポールチップ１２ａのコーナー部の角度γもまた同範囲内となるようにすることができる。このため、上部ポールチップ１２ａの後端部１２ａ(2) から先端部１２ａ(1) へ向かう磁束の流れを円滑化することができる。
【０１２３】
また、本実施の形態では、絶縁膜パターン１０の前端縁部近傍が斜面をなすようにしたので、この斜面部の上方領域における上部ポールチップ１２ａ内の磁束の流れを円滑化することができる。
【０１２４】
また、本実施の形態では、中間接続部１２ｃの前側の端縁面が斜面をなすようにしたので、中間接続部１２ｃから上部ポールチップ１２ａへ流入する磁束の流れを円滑化することができる。
【０１２５】
また、本実施の形態では、中間接続部１２ｃおよび上部ヨーク１２ｆをそれぞれ研磨処理後の平坦面上に形成するようにしているので、双方を高精度に形成することができる。
【０１２６】
また、本実施の形態では、中間接続部１２ｃおよび上部ヨーク１２ｆのそれぞれの最前端が、エアベアリング面８０の位置よりも後方にずれて位置するようにしたので、これらの部位からエアベアリング面８０側に対して磁束が直接放出されることを回避することができる。このため、サイドイレーズ現象の発生を防止することができる。
【０１２７】
なお、本実施の形態では、イオンミリングによるエッチング処理を行う際に、その処理の途中においてイオンビームの照射角度を１回変更するようにしたが、必ずしもこのような場合に限られるものではなく、例えば、２回以上変更するようにしてもよいし、または変更しないようにしてもよい。イオンビームの照射角度は、上記の実施の形態で示したような場合（例えば４５度や７５度程度）に限らず、エッチング状況等に応じて任意に設定することができる。
【０１２８】
また、本実施の形態では、マスク前駆パターン２２ｚの部分２２ｚ(1) の幅を縮小化して第１のマスク２２ａを形成するためのエッチング処理（イオンミリング）と、上部ポールチップ前駆層１１２ａを選択的に掘り下げるためのエッチング処理（イオンミリング）との双方を行うようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、以下に説明するように、いずれか一方のみを行うようにしてもよい。
【０１２９】
第１のマスク２２ａを形成するためのエッチング処理のみを行う場合には、イオンミリングによるエッチング処理によって第１のマスク２２ａを形成したのち、この第１のマスク２２ａを用いて、上部ポールチップ前駆層１１２ａをＲＩＥによって一括してパターニングすることにより上部ポールチップ１２ａを形成する。なお、この場合のエッチング処理（イオンミリング）時には、例えば、図１５に示した垂線Ｓからの幅方向における傾き角度が約７５±１５度程度の方向からイオンビームを照射するようにするのが好ましい。このような場合においても、最終的に形成される上部ポールチップ１２ａの先端部１２ａ(1) の幅を高精度に極狭小化することができる。
【０１３０】
一方、上部ポールチップ前駆層１１２ａを選択的に掘り下げるためのエッチング処理のみを行う場合には、イオンミリングによるエッチング処理によって上部ポールチップ前駆層１１２ａを選択的に掘り下げたのち、マスク前駆パターン２２ｚをマスクとして用いて、前者の場合と同様にＲＩＥによって上部ポールチップ１２ａを形成する。なお、この場合のエッチング処理（イオンミリング）時には、例えば、図１５に示した垂線Ｓからの幅方向における傾き角度が約４５±１５度程度の方向からイオンビームを照射するようにするのが好ましい。このような場合には、イオンミリングによるエッチング処理が前処理として施されることとなるので、後工程においてＲＩＥによるエッチング処理を施す際のエッチング量が低減し、エッチング処理に要する時間が短縮することとなる。これにより、ＲＩＥによるエッチング処理時におけるエッチング幅の拡大を防止することができる。なぜなら、ＲＩＥによるエッチング処理に要する時間が長すぎると、エッチング生成物の再付着現象が発生し、エッチング幅が拡大してしまうからである。
【０１３１】
また、本実施の形態では、薄膜磁気ヘッドを構成する各磁性層部分を形成するための磁性材層の形成材料として、窒化鉄やアモルファス合金（ジルコニウムコバルト鉄酸化物合金）などを用いるようにしたが、これらの材料の他、例えばパーマロイなどを用いるようにしてもよい。ただし、磁性材層の形成材料としてパーマロイを用いる場合には、その組成中におけるニッケル（Ｎｉ）の割合を例えば４５％以下とするのが好ましい。このように組成中におけるニッケルの割合を減少させることにより、ＲＩＥによるエッチング処理時におけるエッチング生成物の再付着を防止することができる。
【０１３２】
また、本実施の形態では、第１のマスク前駆層１２２ａの形成方法としてＣＶＤ法を用いるようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えばスパッタリングを用いるようにしてもよい。ただし、第１のマスク２２ａ（第１のマスク前駆層１２２ａ）を用いて上部ポールチップ前駆層１１２ａをＲＩＥによってエッチングする際の両者のエッチング速度を考慮するならば、ＣＶＤ法を用いるようにするのがより好ましい。
【０１３３】
また、本実施の形態では、下部シールド層３および上部シールド層７の形成に電解めっき法を用いるようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、双方またはいずれか一方の部位の形成にスパッタリングを用いるようにしてもよい。このような場合における形成材料としては、上記したパーマロイの他、窒化鉄を用いるようにしてもよい。このように、上部ポールチップ１２ａ等の場合と同様の手法を用いることにより、各部位を高精度かつ短時間で形成することができ、この点でも薄膜磁気ヘッド全体の製造時間の短縮に寄与することとなる。
【０１３４】
また、本実施の形態では、上部シールド層７および下部磁極９を別体として形成し、両者の間に絶縁膜８を配設するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、両者の間に絶縁膜８を配設しないようにしてもよい。このような場合には、上部シールド層７および下部磁極９を一体として形成し、単層となるようにしてもよい。
【０１３５】
また、本実施の形態では、磁極先端部分１００を構成する上部ポールチップ１２ａの先端部１２ａ(1) および下部磁極９の部分９Ｆを連続的に形成するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば部分９Ｆを下部磁極９の形成直後に形成するようにしてもよい。
【０１３６】
また、本実施の形態では、絶縁膜１５，１８の形成材料としてフォトレジストを用いるようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、フォトレジストと同様に加熱時に流動性を示すポリイミド樹脂やＳＯＧ（Spin on glass ）などを用いるようにしてもよい。
【０１３７】
また、本実施の形態では、記録ギャップ層１１の形成材料としてアルミナを用い、またその形成手法としてスパッタリングを用いるようにしたが、必ずしもこれに限られるものではない。記録ギャップ層１１の形成材料としては、アルミナの他、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコン酸化物、シリコン窒化物などの無機絶縁材料を用いるようにしてもよいし、またはタンタル（Ｔａ），チタンタングステン（ＷＴｉ），窒化チタン（ＴｉＮ）などの非磁性金属を用いるようにしてもよい。また、記録ギャップ層８の形成方法としては、スパッタリングの他、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法を用いるようにしてもよい。このような方法を用いて記録ギャップ層１１を形成することにより、ギャップ層内にピンホールなどが含有されることを抑制できるので、記録ギャップ層１１を介する磁束の漏れを回避することができる。このような効果は、特に、記録ギャップ層１１の厚みを薄くした場合に有益である。
【０１３８】
また、本実施の形態では、薄膜コイル１４，１７のそれぞれの内側の終端部にコイル接続部１４ｓ，１７ｓａを配設し、薄膜コイル１７の外側の終端部に配線接続部１７ｓｂを配設するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、上記の部位の配設位置を前者については内側から外側へ、また後者については外側から内側へと変更するようにしてもよい。このような場合には、配線接続部１７ｓｂの配設位置の変更と共に、中間接続パターン１２ｅおよびコイル接続配線１２ｆｈの配設位置も同様に変更するようにするのが好適である。
【０１３９】
＜変形例１−１＞
また、本実施の形態では、図１７に示したように、上部ポールチップ１２ａの先端部１２ａ(1) と後端部１２ａ(2) との連結位置が絶縁膜パターン１０の最前端の位置よりも後方にずれるようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図２０に示したように、上記の連結位置が前方にずれるようにしてもよい。このような場合には、先端部１２ａ(1) の長さを短くできると共に、先端部１２ａ(1) よりも大きい磁気ボリュームを有する後端部１２ａ(2) をよりエアベアリング面側（図２０における手前側）に近づけることができるので、オーバーライト特性を向上させることができる。なお、図２０において、上記の点以外の上部ポールチップ１２ａ等の構造的特徴は、図１７に示した場合と同様である。
【０１４０】
＜変形例１−２＞
また、本実施の形態では、上部ヨーク（１２ｆ）が窒化鉄の単層構造からなる場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば図２１に示したように、上部ヨークが、例えば窒化鉄などの高飽和磁束密度材層９１と、例えばアルミナなどの無機絶縁材層９２とが交互に積層された構造よりなる（２１２ｆ）ようにしてもよい。上部ヨークをこのような構造とすることにより、磁路における渦電流の発生を防止し、高周波特性を向上させることができる。なお、上記の高飽和磁束密度材層９１および無機絶縁材層９２の双方の形成もＲＩＥによって行うことにより、形成時間を短縮することができる。なお、図２１において、上部ヨーク２１２ｆ以外の部分は、上記の図１１の場合と同様である。
【０１４１】
また、本実施の形態では、第２のマスク（３２ａ）を電解めっき法によってめっき膜として形成するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではない。以下では、図２２〜図２５を参照して、電解めっき法以外の方法を用いて第２のマスクを形成する場合について説明する。なお、図２２〜図２５において、図１２に示した構成要素と同一の部分には同一の符号を付し、それらの部分の説明を適宜省略するものとする。
【０１４２】
＜変形例１―３＞
図２２および図２３は、本実施の形態の第３の変形例を説明するためのものである。本変形例では、まず、図２２に示したように、第１のマスク前駆層１２２ａ上に、例えばスパッタリングにより、例えば窒化鉄よりなる第２のマスク前駆層１４２ａを形成する。次に、第２のマスク前駆層１４２ａ上の所定の位置に、例えばフォトレジスト膜よりなる第３のマスク５２ａを配設し、これをエッチングマスクとして、例えばＲＩＥまたはイオンミリングによって第２のマスク前駆層１４２ａを選択的にエッチングすることにより、図２３に示したように第２のマスク４２ａを形成する。このときの第３のマスク５２ａは、上部ポールチップ１２ａの平面形状に対応する形状を有するものである。第２のマスク４２ａの形成以降の工程は、上記実施の形態の場合と同様であるので、その説明を省略する。このような第２のマスク４２ａを用いた場合においても、上記実施の形態の場合と同様の効果を得ることができる。なお、第２のマスク前駆層１４２ａの形成材料としては、窒化鉄以外の金属（例えばパーマロイなど）を用いるようにしてもよい。このような場合には、パーマロイなどを電解めっき法によって全面にめっき成長させて第２のマスク前駆層１４２ａを形成するようにしてもよい。ここで、第２のマスク前駆層１４２ａが、本発明における「金属層」の一具体例に対応し、第２のマスク４２ａが、本発明における金属層の選択的エッチングによって形成される「金属膜パターン」としての「第２のマスク」の一具体例に対応する。
【０１４３】
＜変形例１−４＞
図２４および図２５は、本実施の形態の第４の変形例を説明するためのものである。本変形例では、まず、図２４に示したように、第１のマスク前駆層１２２ａ上に、例えばフォトレジスト膜よりなる第２の前駆層１６２ａを形成する。次に、第２のマスク前駆層１６２ａ上の所定の位置に第３のマスク７２ａを配設し、これをエッチングマスクとして、例えばＲＩＥまたはイオンミリングによって第２のマスク前駆層１６２ａを選択的にエッチングしてパターニングすることにより、図２５に示したように第２のマスク６２ａを形成する。このときの第３のマスク７２ａは、上部ポールチップ１２ａの平面形状に対応する形状を有するものである。第２のマスク６２ａの形成以降の工程は、上記実施の形態の場合と同様であるので、その説明を省略する。このような第２のマスク６２ａを用いた場合においても、上記実施の形態の場合と同様の効果を得ることができる。なお、第２のマスク前駆層１６２ａをパターニングする場合には、必ずしもエッチング処理を用いなければならないものではなく、例えばフォトリソグラフィ処理を用いるようにしてもよい。ここで、第２のマスク６２ａが、本発明における「フォトレジスト膜パターン」としての「第２のマスク」の一具体例に対応する。
【０１４４】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
【０１４５】
まず、図２６〜図３０を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によって具現化されるので、以下併せて説明する。図２６〜図２８において、（Ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。図２９および図３０は、主要な製造工程に対応する斜視図である。ここで、図２９は図２６に示した状態に対応し、図３０は図２８に示した状態に対応する。ただし、図２９では、図２６における絶縁膜３１等の図示を省略し、図３０では、図２８における薄膜コイル３２，絶縁膜３３，３４およびオーバーコート層３５等の図示を省略している。なお、図２６〜図３０において、各図中のＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に関する表記は、上記第１の実施の形態の場合と同様とし、また各図中の上記第１の実施の形態における構成要素と同一部分には同一の符号を付すものとする。
【０１４６】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、図２６における上部ポールチップ１２ａおよび磁路接続部１２ｂを形成するところまでの工程は、上記第１の実施の形態における図７に示した同工程までと同様であるので、その説明を省略する。
【０１４７】
本実施の形態では、上部ポールチップ１２ａおよび磁路接続部１２ｂを形成したのち、図２６および図２９に示したように、第１のマスク２２ａおよび他のマスク２２ｂの双方をマスクとして、上記第１の実施の形態において磁極先端部分１００を形成した場合と同様のＲＩＥによるドライエッチングを行うことにより、トリム構造を有する磁極先端部分２００を形成する。このエッチング処理により、双方のマスクに対応する部分以外の領域における記録ギャップ層１１、絶縁膜パターン１０および下部磁極９のそれぞれの一部が選択的に除去され、特に、エッチング領域における下部磁極９の表面の位置は非エッチング領域における表面の位置よりも低くなる。このようなＲＩＥによるエッチング処理を用いることにより、イオンミリングを用いた場合よりも磁極先端部分２００を高精度かつ短時間で形成することができる。磁極先端部分２００は、上部ポールチップ１２ａの先端部１２ａ (１) と、下部磁極９のうちの先端部１２ａ(1) に対応する部分（９Ｚ）と、双方に挟まれた記録ギャップ層１１および絶縁膜パターン１０のそれぞれの一部とによって構成され、これらの各部位は互いに同一の幅を有している。なお、磁極先端部分２００を形成する際には例えば、下部磁極９が約０．３〜０．５μｍ程度エッチングされるようにする。ここで、部分９Ｚが、本発明における「第２の磁極」の一具体例に対応する。
【０１４８】
次に、図２６および図２９に示したように、例えばアルミナよりなる絶縁膜３１を約０．３〜０．５μｍ程度の厚みで形成する。
【０１４９】
次に、図２７に示したように、上部ポールチップ１２ａの配設領域よりも後方の領域（磁路接続部１２ｂの配設領域を除く）における平坦な絶縁膜３１上に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の薄膜コイル３２を約１．０〜２．０μｍ程度の厚みで形成する。この薄膜コイル３２は、例えば上記第１の実施の形態における薄膜コイル１４と同様の構造的特徴を有するものである。薄膜コイル３２を形成する際には、同時に、例えば、その内側の終端部における絶縁膜３１上に、コイル接続部３２ｓを薄膜コイル３２と一体に形成する。ここで、薄膜コイル３２が、本発明における「第１の薄膜コイル層」に対応し、薄膜コイル３２およびコイル接続部３２ｓが、本発明における「薄膜コイル部」の一具体例に対応する。
【０１５０】
次に、図２７に示したように、薄膜コイル３２（コイル接続部３２ｓを含む）の各巻線間およびその周辺領域に、例えばフォトレジストよりなる絶縁膜３３を高精度のフォトリソグラフィ処理により所定のパターンとなるように形成する。なお、絶縁膜３３の形成方法は、上記第１の実施の形態における絶縁膜１５の場合（加熱処理を含む）と同様である。次に、全体に、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナを約３．０〜４．０μｍの厚みで成膜したのち、例えばＣＭＰ法により上部ポールチップ１２ａおよび磁路接続部１２ｂの双方が露出するまでアルミナの表面全体を研磨して、薄膜コイル３２等を埋設する絶縁膜３４を形成する。ここで、上記の研磨処理によって形成される平坦面が、本発明における「第１の平坦面」の一具体例に対応する。
【０１５１】
次に、図２８に示したように、例えばＲＩＥまたはイオンミリングにより、コイル接続部３２ｓの上方を覆っている絶縁膜３４の一部を部分的にエッチングして、コイル接続部３２ｓと後工程において形成されるコイル接続配線４２ｆｈとを接続させるための開口部３４ｋを形成する。
【０１５２】
次に、図２８に示したように、磁路接続部１２ｂの上方から上部ポールチップ１２ａの後端部１２ａ(2) の上方にかけての領域に、上部磁極４２の一部を構成することとなる上部ヨーク４２ｆを約２．０〜３．０μｍ程度の厚みで選択的に形成する。上部ヨーク４２ｆを形成する際には、同時に、開口部３４ｋの上方から後方にかけての領域にコイル接続配線４２ｆｈを選択的に形成する。
【０１５３】
上部ヨーク４２ｆおよびコイル接続配線４２ｆｈの形成は、上記第１の実施の形態における上部ポールチップ１２ａ等の場合と同様の手法を用いて行う。すなわち、まず、スパッタリングによって窒化鉄層を全面に成膜したのち、窒化鉄層の表面を例えばＣＭＰ法によって研磨して平坦化する。続いて、平坦化された窒化鉄層上にアルミナ層を形成したのち、このアルミナ層上の所定の位置に、例えばフレームめっき法によってめっき膜よりなる第２のマスク（図２８では図示せず）を形成する。続いて、この第２のマスクを用いて、アルミナ層に対して所定の条件下におけるエッチング処理（ＲＩＥ）を施すことによりマスク前駆パターンを形成したのち、このマスク前駆パターンに対して所定の条件下におけるエッチング処理（イオンミリング）を施すことにより第１のマスクを形成する。最後に、この第１のマスクを用いて窒化鉄層に対して所定の条件下におけるエッチング処理（ＲＩＥ）を施す。このような手法を用いることにより、上記の第１のマスクの一部を高精度に狭小化することができると共に、上部ヨーク４２ｆおよびコイル接続配線４２ｆｈを高精度かつ短時間で形成することができる。図２８では、上部ヨーク４２ｆ等を形成するためのエッチング処理によって、上記の第１のマスク自体がエッチングされて消失した場合を示している。上部ヨーク４２ｆは、例えば、後述する図３１に示したような平面形状を有するものである。上部ヨーク４２ｆの構造的特徴については、後述する。なお、上部ヨーク４２ｆを形成する際には、例えば、その最前端が、絶縁膜パターン１０の最前端の位置（ＴＨ０位置）よりも約０．５〜１．０μｍ程度後方にずれて位置するようにすると共に、少なくともその前端部近傍がテーパを有するようにする。このときの上部ヨーク４２ｆの周辺における立体的構造は、図３０に示したようになる。ここで、上部ヨーク４２ｆが、本発明における「第２の磁性層部分」の一具体例に対応し、上部ポールチップ１２ａ、磁路接続部１２ｂおよび上部ヨーク４２ｆによって構成される上部磁極４２が、本発明における「第１の磁性層」の一具体例に対応する。
【０１５４】
次に、図２８に示したように、全体を覆うようにして、例えばアルミナよりなるオーバーコート層３５を形成したのち、機械加工や研磨工程によってエアベアリング面８０を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１５５】
図３１は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面構造の概略を表すものである。図３１において、上記第１の実施の形態における図１９に示した構成要素と同一部分には同一の符号を付すものとする。なお、図３１では、絶縁膜３３，３４およびオーバーコート層３５等の図示を省略している。また、薄膜コイル３２については、その最外周部分のみを図示している。図２８（Ａ）は、図３１におけるＸＸＶＩＩＩＡ−ＸＸＶＩＩＩＡ線に沿った矢視断面に相当する。
【０１５６】
図３１に示したように、上部磁極４２は、例えば、それぞれ別個に形成された上部ポールチップ１２ａ、磁路接続部１２ｂおよびおよび上部ヨーク４２ｆによって構成されている。上部ヨーク４２ｆは、上記第１の実施の形態における上部ヨーク１２ｆと同様の平面形状を有するものであり、上部ヨーク１２ｆのヨーク部１２ｆ(1) および接続部１２ｆ(2) のそれぞれに対応するヨーク部４２ｆ(1) および接続部４２ｆ(2) を含んでいる。上部ヨーク４２ｆの前側の端縁面４２ｆｔは、例えば、上部ポールチップ１２ａの段差面１２ａｄの位置よりも後方にずれて位置している。
【０１５７】
図２８（Ａ）、図３０および図３１に示したように、上部ヨーク４２ｆは、開口部１０ｋにおいて磁路接続部１２ｂを介して下部磁極９と磁気的に連結されると共に、上部ポールチップ１２ａの後端部１２ａ(2) の一部とも部分的にオーバーラップして磁気的に連結されている。すなわち、上部磁極４２（上部ポールチップ１２ａ，磁路接続部１２ｂ，上部ヨーク４２ｆ）と下部磁極９とが接続されることにより磁路が形成されている。
【０１５８】
図３１に示したように、薄膜コイル３２およびコイル接続部３２ｓは、上記第１の実施の形態における薄膜コイル１４およびコイル接続部１４ｓと同様の構造的特徴を有するものである。薄膜コイル３２は、開口部３４ｋにおいてコイル接続部３２ｓを介してコイル接続配線４２ｆｈと電気的に接続されている。薄膜コイル３２の外側の終端部３２ｘとコイル接続配線４２ｆｈの後方の一部（図示せず）とは図示しない外部回路に接続されており、この外部回路を通じて薄膜コイル３２を通電させることができるようになっている。
【０１５９】
なお、図３１に示した上記以外の配設物に関する構造的特徴は、上記第１の実施の形態の場合（図１９）と同様である。
【０１６０】
本実施の形態では、磁極先端部分２００を形成するためのエッチング処理を行う際に、上部ポールチップ１２ａの配設領域よりも後方の領域（磁路接続部１２ｂの配設領域を除く）における下部磁極９の表層部の一部もエッチングするようにしたので、薄膜コイル３２の配設領域における下地（絶縁膜３１）の表面の位置を下部磁極９の表面の位置よりも低くすることができる。このときの薄膜コイル３２の配設領域における下地（絶縁膜３１）の表面の位置は、上記第１の実施の形態における薄膜コイル１４の下地（絶縁膜１３）の表面の位置よりも低いため、薄膜コイル３２の上方により十分な厚みの絶縁膜３４を確保することができ、より絶縁効果を高めることができる。
【０１６１】
また、本実施の形態では、上部ヨーク４２ｆの前側の端縁面が斜面をなすようにしたので、上部ヨーク４２ｆから上部ポールチップ１２ａへ流入する磁束の流れを円滑化することができる。
【０１６２】
なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する上記以外の作用、効果および変形例等は、上記第１の実施の形態の場合と同様であるので、その説明を省略する。
【０１６３】
なお、本実施の形態では、図２９に示したように、上部ポールチップ１２ａの先端部１２ａ(1) と後端部１２ａ(2) との連結位置が絶縁膜パターン１０の最前端の位置よりも後方にずれるようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図３２に示したように、上記の連結位置が前方にずれるようにしてもよい。このような場合においても、上記第１の実施の形態における変形例１−１の場合と同様の作用により、オーバーライト特性を向上させることができる。なお、図３２において、上記の点以外の上部ポールチップ１２ａ等の構造的特徴は、図２９に示した場合と同様である。
【０１６４】
［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。
【０１６５】
まず、図３３〜図３５を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によって具現化されるので、以下併せて説明する。図３３〜図３５において、（Ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。なお、図３３〜図３５において、各図中のＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に関する表記は、上記各実施の形態の場合と同様とし、また各図中の上記各実施の形態における構成要素と同一部分には同一の符号を付すものとする。
【０１６６】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、図３３における絶縁膜８を形成するところまでの工程は、上記第１の実施の形態における図１に示した同工程までと同様であるので、その説明を省略する。
【０１６７】
本実施の形態では、絶縁膜８を形成したのち、図３３に示したように、絶縁膜８上に、下部磁極９の一部を構成することとなる下部磁性層９ａを約１．０〜２．０μｍの厚みで形成する。次に、下部磁性層９ａ上の前方の領域に、下部磁極９の一部を構成することとなる下部ポールチップ９ｂを約１．５〜２．５μｍの厚みで選択的に形成すると同時に、下部磁性層９ａ上の後方の領域に、下部磁極９の一部を構成することとなる下部接続部９ｃを同様の厚みで選択的に形成する。下部磁性層９ａ、下部ポールチップ９ｂおよび下部接続部９ｃの形成方法としては、上記の第１の実施の形態における上部ポールチップ１２ａの場合と同様の手法を用いるようにする。このような手法を用いることにより、下部磁極９を構成する上記の各部位をエッチング処理によって形成する際に用いられるマスク（図示せず）を高精度に形成することができると共に、上記の各部位を高精度かつ短時間で形成することができる。ここで、下部磁性層９ａ、下部ポールチップ９ｂおよび下部接続部９ｃによって構成される下部磁極９が、本発明における「第２の磁性層」の一具体例に対応する。
【０１６８】
次に、図３３に示したように、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁膜５１を約０．３〜０．５μｍの厚みで形成する。
【０１６９】
次に、図３４に示したように、下部ポールチップ９ｂの配設領域よりも後方の領域（下部接続部９ｃの配設領域を除く）における平坦な絶縁膜５１上に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の薄膜コイル５２を約１．０〜２．０μｍの厚みで選択的に形成する。薄膜コイル５２を形成する際には、例えば、その内側の終端部に、コイル接続部５２ｓを薄膜コイル５２と一体に形成する。次に、薄膜コイル５２（コイル接続部５２ｓを含む）の各巻線間およびその周辺に、例えばフォトレジストよりなる絶縁膜５３を形成する。なお、絶縁膜５３の形成方法（加熱処理を含む）は、上記第１の実施の形態における絶縁膜１５の場合と同様である。次に、全体に、例えばアルミナを約３．０〜４．０μｍの厚みで形成したのち、下部ポールチップ９ｂおよび下部接続部９ｃが露出するまでアルミナの表面全体を例えばＣＭＰ法によって研磨して、薄膜コイル５２等を埋設する絶縁膜５４を形成する。ここで、薄膜コイル５２が、本発明における「第１の薄膜コイル層」の一具体例に対応し、絶縁膜５３，５４が、本発明における「第１の絶縁層部分」の一具体例に対応する。
【０１７０】
次に、図３５に示したように、全体に、例えばスパッタリングによって例えばアルミナを約０．５〜１．０μｍの厚みで成膜したのち、このアルミナ層を例えばＲＩＥによってエッチングしてパターニングすることにより、絶縁膜パターン５５を選択的に形成する。このエッチング処理により、アルミナ層のうちの前側の領域の一部と下部接続部９ｃの上方領域とが選択的に除去され、特に、後者の領域には、下部接続部９ｃと後工程において形成される上部磁極５７とを接続させるための開口部５５ｋが形成されることとなる。この絶縁膜パターン５５は、上記第１の実施の形態における絶縁膜パターン１０と同様に、スロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）を規定するためのものである。絶縁膜パターン５５の配設領域、構造的特徴および形成方法の詳細等は、絶縁膜パターン１０の場合と同様である。
【０１７１】
次に、図３５に示したように、全体に、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナよりなる記録ギャップ層５６を約０．１５〜０．２μｍの厚みで形成する。記録ギャップ層５６を形成する際には、先工程において形成された開口部５５ｋがアルミナによって覆われないようにする。ここで、記録ギャップ層５６が、本発明における「ギャップ層」の一具体例に対応する。
【０１７２】
次に、図３５に示したように、コイル接続部５２ｓの上方における記録ギャップ層５６、絶縁膜パターン５５および絶縁膜５４のそれぞれの一部を例えばＲＩＥまたはイオンミリングによって選択的に除去して、コイル接続部５２ｓと後工程において形成されるコイル接続配線５７ｈとを接続させるための開口部５４ｋを形成する。次に、下部接続部９ｃ上から後工程においてエアベアリング面８０（図中左側）となる側にかけての領域に、上部磁極５７を約１．５〜３．０μｍ程度の厚みで選択的に形成する。上部磁極５７を形成する際には、同時に、開口部５４ｋの上方領域から後方にかけての領域にコイル接続配線５７ｈを選択的に形成する。上部磁極５７およびコイル接続配線５７ｈの形成は、上記第１の実施の形態における上部ポールチップ１２ａ等の場合と同様に、窒化鉄層を成膜したのち、ＲＩＥおよびイオンミリングの双方のエッチング処理によって形成したマスクを用いて、所定の条件下におけるＲＩＥによって窒化鉄層をパターニングすることにより行う。このような手法を用いることにより、上記のマスクの一部を高精度に狭小化することができると共に、上部磁極５７およびコイル接続配線５７ｈを高精度かつ短時間で形成することができる。上部磁極５７は、例えば、後述する図３６に示したような平面形状を有するものであり、記録媒体上の記録トラック幅を画定する先端部５７ａと、先端部５７ａよりも大きな幅を有する中間部５７ｂと、中間部５７ｂよりも大きな幅および面積を有するヨーク部５７ｃとを含んでいる。上部磁極５７の構造的特徴に関する詳細については、後述する。ここで、上部磁極５７が、本発明における「第１の磁性層」の一具体例に対応する。
【０１７３】
次に、図３５（Ｂ）に示したように、上記の第１の実施の形態において磁極部分１００を形成した場合と同様のＲＩＥによるドライエッチングにより、記録ギャップ層５６および下部ポールチップ９ｂを約０．５μｍ程度エッチングして、トリム構造を有する磁極先端部分３００を形成する。このようなＲＩＥによるエッチング処理を用いることにより、イオンミリングなどを用いた場合よりも磁極先端部分３００を高精度かつ短時間で形成することができる。なお、このエッチング処理は、上部磁極５７における先端部５７ａの最後端の位置よりも後方に形成した図示しないフォトレジスト膜をマスクとして行う。磁極先端部分３００は、上部磁極５７の先端部５７ａと、下部ポールチップ９ｂのうちの先端部５７ａに対応する部分（９ｂＦ）と、双方に挟まれた記録ギャップ層５６の一部分とによって構成され、これらの各部位は互いにほぼ同一の幅を有している。ここで、先端部５７ａが、本発明における「第１の磁極」の一具体例に対応し、部分９ｂＦが、本発明における「第２の磁極」の一具体例に対応する。
【０１７４】
次に、図３５（Ａ）に示したように、全体を覆うようにして、例えばアルミナよりなるオーバーコート層５８を形成したのち、機械加工や研磨工程によってエアベアリング面８０を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１７５】
図３６は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面構造の概略を表すものである。図３６において、上記第２の実施の形態における図３１に示した構成要素と同一部分には同一の符号を付すものとする。なお、図３６では、絶縁膜５３，５４、絶縁膜パターン５５オーバーコート層５８等の図示を省略している。また、薄膜コイル５２については、その最外周部分のみを図示し、絶縁膜パターン５５については、その最外端のみを図示している。図３５（Ａ）は、図３６におけるＸＸＸＶＡ−ＸＸＸＶＡ線に沿った矢視断面に相当する。
【０１７６】
図３６に示したように、上部磁極５７は、エアベアリング面８０から順に先端部５７ａ、中間部５７ｂおよびヨーク部５７ｃを含み、これらの各部位は一体化されている。先端部５７ａは、記録時における記録媒体上の記録トラック幅を決定する部分であり、すなわち先端部５７ａの幅がトラック幅を画定することとなる。中間部５７ｂの幅は先端部５７ａの幅よりも大きく、ヨーク部５７ｃの幅は中間部５７ｂの幅よりも大きくなっている。ヨーク部５７ｃは、上記第１の実施の形態における上部ヨーク１２ｆのヨーク部１２ｆ(1) とほぼ同様の構造を有するものである。先端部５７ａと中間部５７ｂとの連結部分には幅方向の段差が形成されており、この段差部における中間部５７ｂ側の段差面５７ｄは、ＴＨ０位置（またはＭＲＨ０位置）よりも後方にずれて位置している。ただし、必ずしもこのような場合に限らず、段差面５７ｄがＴＨ０位置（またはＭＲＨ０位置）よりも前方にずれるようにしてもよいし、または双方の位置が一致するようにしてもよい。
【０１７７】
図３５（Ａ）および図３６に示したように、上部磁極５７の後方の一部は、開口部５５ｋにおいて、下部接続部９ｃを介して下部磁性層９ａおよび下部ポールチップ９ｂと磁気的に連結されている。すなわち、上部磁極５７と下部磁極９（下部磁性層９ａ，下部ポールチップ９ｂ，下部接続部９ｃ）とが接続されることにより磁路が形成されている。なお、薄膜コイル５２、コイル接続部５２ｓおよびコイル接続配線５７ｈは、上記第２の実施の形態において図３１に示した薄膜コイル３２、コイル接続部３２ｓおよびコイル接続配線４２ｆｈとそれぞれ同様の構造的特徴を有するものである。
【０１７８】
なお、図３６に示した上記以外の配設物に関する構造的特徴は、上記第２の実施の形態の場合（図３１）と同様である。
【０１７９】
本実施の形態では、上部磁極５７の各部位（先端部５７ａ，中間部５７ｂ，ヨーク部５７ｃ）を一体として形成するようにしたので、上記の各実施の形態において上部磁極１２（第１の実施の形態）または上部磁極４２（第２の実施の形態）の各部位を別体として形成した場合よりも、製造工程を簡略化することができる。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する上記以外の作用、効果および変形例等は、上記の各実施の形態の場合と同様であるので、その説明を省略する。
【０１８０】
なお、本実施の形態では、下部ポールチップ９ｂおよび磁路接続部９ｃが露出した時点で絶縁膜５４の表面研磨を終了するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、両者の他に薄膜コイル５２が露出するまで行うようにしてもよい。この時点で薄膜コイル５２が露出したとしても、後工程において、薄膜コイル５２の上方には絶縁膜パターン５５および記録ギャップ層５６などの絶縁部位が配設されることとなるので、薄膜コイル５２と上部磁極５７との間を絶縁することができる。
【０１８１】
以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記の各実施の形態では、上部ポールチップ１２ａ等を形成するための前駆層（窒化鉄層）を形成したのち、この前駆層の表面を研磨して平坦化するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、前駆層の形成領域における下地が平坦である場合には、上記の研磨処理は行わなくてもよい。
【０１８２】
また、上記の各実施の形態では、形成精度および形成速度を向上させるために、薄膜磁気ヘッドを構成する各磁性層部分をＲＩＥによる窒化鉄層の選択エッチングにより形成することを推奨しているが、これをすべての磁性層部分について適用しなければならないものではない。例えば、各磁性層部分の一部を電解めっき法によってパーマロイ等を材料として用いて形成するようにしてもよい。ただし、高い形成精度が必要とされる部位、すなわち磁極部分を構成することとなる部位（第１，第２の実施の形態では上部ポールチップ１２ａおよび下部磁極９，第３の実施の形態では上部磁極５７および下部ポールチップ９ｂ）の形成は、少なくともＲＩＥによる窒化鉄の選択エッチングによって行うようにするのが好ましい。
【０１８３】
また、上記の各実施の形態で示した上部磁極を構成する各磁性層部分（上部ポールチップ１２ａ，中間接続部１２ｃ，上部ヨーク１２ｆ，４２ｆ，上部磁極５７等）の平面形状は、必ずしも図１９、図３１よび図３６に示したものに限られるものではなく、薄膜コイルで発生した磁束を先端部（１２ａ(1) または５７ａ）の先端部分まで十分に供給し得る限り、自由に変更することが可能である。
【０１８４】
また、例えば、上記各実施の形態およびその変形例では、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明したが、本発明は、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや記録・再生兼用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。また、本発明は、書き込み用の素子と読み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【０１８５】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１ないし請求項４６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１の磁極を形成する工程および第２の磁極を形成する工程のうちの少なくとも一方の工程が、磁性材層を成膜する工程と、磁性材層上に、第１の磁極に対応する部分を有すると共にその第１の磁極に対応する部分の幅が第１の幅よりも大きな第２の幅となるようにマスク前駆パターンを形成する工程と、イオンミリングによって、マスク前駆パターンを選択的にエッチングして第１の磁極に対応する部分の幅を第２の幅から第１の幅まで狭めることにより第１のマスクを形成すると同時に第１のマスクの形成領域以外の領域における磁性材層を所定の深さまでエッチングする第１のエッチング工程と、反応性イオンエッチングによって、第１のマスクを用いて磁性材層を選択的にエッチングして第１の磁極および第２の磁極のうちの少なくとも一方を形成する第２のエッチング工程とを含むようにしたので、第１の磁極および第２の磁極のうちの少なくとも一方を高精度に狭小化することができると共に、これらの部位の形成に要する時間を短縮することができるという効果を奏する。
【０１８６】
特に、請求項２ないし請求項４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１のエッチング工程の途中において、磁性材層の延在方向に平行な面に対して直交する方向とイオンビームの照射方向との間の幅方向における角度を第１の角度（４５±１５度）から第２の角度（７５±１５度）へ変更するようにしたので、イオンミリングによるエッチング処理を高精度かつ短時間で行うことができるという効果を奏する。
【０１８７】
また、請求項５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１の磁極を形成する工程および前記第２の磁極を形成する工程のうちの少なくとも一方の工程が、磁性材層を成膜する工程と、磁性材層上に、第１の磁極に対応する部分を有すると共にその第１の磁極に対応する部分の幅が第１の幅よりも大きな第２の幅となるようにマスク前駆パターンを形成する工程と、イオンミリングによって、マスク前駆パターンを選択的にエッチングして第１の磁極に対応する部分の幅を第２の幅から前記第１の幅まで狭めることにより第１のマスクを形成する第１のエッチング工程と、反応性イオンエッチングによって、第１のマスクを用いて磁性材層を選択的にエッチングして第１の磁極および第２の磁極のうちの少なくとも一方を形成する第２のエッチング工程とを含むようにしたので、第１の磁極および第２の磁極のうちの少なくとも一方を高精度に狭小化することができるという効果を奏する。
【０１８８】
また、請求項６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１のエッチング工程において、第１のエッチング工程において、磁性材層の延在方向に平行な面に対して直交する方向から幅方向に７５±１５度の角度をなすような方向からイオンビームを照射するようにしたので、イオンミリングによるエッチング処理を高精度かつ短時間で行うことができるという効果を奏する。
【０１９１】
また、請求項７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、さらに、磁性材層を成膜する工程とマスク前駆パターンを形成する工程との間に、磁性材層の表面を研磨して平坦化する工程を含むようにしたので、磁性材層の形成領域における下地が凹凸構造を有する場合であっても、その上方に形成される他の層（例えば、マスク前駆パターンを形成するための前駆層）の表面を平坦となるようにすることができるという効果を奏する。
【０１９２】
また、請求項１８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第３のエッチング工程において、第２のマスクをもエッチングして除去するようにしたので、第２のマスクが残存したまま後工程を行う場合に予想されるエッチング生成物の再付着を回避でき、第１の磁極および第２の磁極のうちの少なくとも一方を高精度に形成することができるという効果を奏する。
【０１９３】
また、請求項１９または請求項２０に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、１００Ｐａ以下の圧力下における化学蒸着によってマスク前駆層の成膜を行うようにしたので、このマスク前駆層をパターニングすることによって形成される第１のマスクの被エッチング量を低減させることができるという効果を奏する。
【０１９４】
また、請求項２１または請求項２２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１のマスクの形成材料として、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムを含む材料よりなる無機材料を用いるようにしたので、フォトレジスト膜などのエッチング速度の速い材料を用いた場合よりも、第１の磁性層部分の厚みの目減りを低減させることができるという効果を奏する。
【０１９５】
また、請求項２４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１のマスクのうちの、第１の磁性層部分のコーナー部に対応する部分における角度が９０度ないし１２０度の範囲内となるようにしたので、形成される第１の磁性層部分の同箇所における角度もまた同様の範囲内となるようにすることができるという効果を奏する。このような構造的特徴を有する第１の磁性層部分では、拡幅部分から第１の磁極へ向かう磁束の流れを円滑化することができる。
【０１９６】
また、請求項２５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、マスク前駆層のパターニングを反応性イオンエッチングによって行うようにしたので、第１のマスクの形成に要する所要時間を短縮することができるという効果を奏する。
【０１９７】
また、請求項２６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第３のエッチング工程において、５０度ないし３００度の範囲内の温度下においてエッチング処理を行うようにしたので、エッチング処理に要する時間をより短縮することができるという効果を奏する。
【０１９８】
また、請求項３０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１の磁性層の第１の磁極の形成と、ギャップ層のうちの第１の磁極に対応する部分以外の領域の選択的除去と、第２の磁性層のうちの第２の磁極の形成とを一連の工程内において連続的に行うようにしたので、薄膜磁気ヘッド全体の製造に要する所要時間を短縮することができるという効果を奏する。
【０１９９】
また、請求項３３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第２の磁性層部分が第１の磁性層部分と部分的にオーバーラップするようにすると共に、その記録媒体対向面に近い側の端縁が、記録媒体対向面の位置から離れて位置するようにしたので、形成される第２の磁性層部分は、記録媒体対向面から離れて位置することとなる。したがって、第２の磁性層部分に起因するサイドイレーズの発生を回避することができるという効果を奏する。
【０２００】
また、請求項３５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１の平坦面上に第２の磁性層部分を形成するようにしたので、第２の磁性層部分を高精度に形成することができるという効果を奏する。
【０２０１】
また、請求項３６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１の平坦面上に、第３の磁性層部分を反応性イオンエッチングによって形成するようにしたので、第３の磁性層部分を高精度かつ短時間で形成することができるという効果を奏する。
【０２０２】
また、請求項３７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第３の磁性層部分が、第１の磁性層部分の一部および第２の磁性層部分の一部の双方とオーバーラップするようにすると共に、その記録媒体対向面に近い側の端縁面が記録媒体対向面の位置から離れて位置するようにしたので、形成される第３の磁性層部分は、記録媒体対向面から離れて位置することとなる。したがって、第３の磁性層部分に起因するサイドイレーズの発生を回避することができるという効果を奏する。
【０２０３】
また、請求項３８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第３の磁性層部分を形成すると同時に、第１の接続パターン上に、薄膜コイル部の一部をなす第２の接続パターンを形成する工程を含むようにしたので、第１の接続パターン上に第２の接続パターンを形成しない場合とは異なり、第２の導電層パターンと導電層パターンとを電気的に接続させるために絶縁層の一部を除去して開口部分を形成する工程が不要となる。したがって、製造工程数を削減することができるという効果を奏する。
【０２０４】
また、請求項３９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第２の平坦面上に第２の磁性層部分を形成するようにしたので、この場合においても、第２の磁性層部分の高精度に形成することができるという効果を奏する。
【０２０５】
また、請求項４０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第３の磁性層を反応性イオンエッチングを用いたパターニングによって形成するようにしたので、第３の磁性層を高精度かつ短時間で形成することができ、薄膜磁気ヘッド全体の製造時間をさらに短縮することができるという効果を奏する。
【０２０６】
また、請求項４２ないし請求項４４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、磁性材料として、窒化鉄を含む材料や、ジルコニウムコバルト鉄酸化物合金を含む材料（アモルファス合金）を用いるようにしたので、磁性材層の形成材料としてパーマロイなどを用いる場合よりも、磁性材層をＲＩＥによりエッチングする際の再付着が少なくなり、高精度なパターニングが可能になるという効果を奏する。
【０２０７】
また、請求項４６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第２のエッチング工程において、５０度ないし３００度の範囲内の温度下においてエッチング処理を行うようにしたので、エッチング処理に要する時間を短縮することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図である。
【図１２】図３に示した断面図に対応する斜視図である。
【図１３】図４に示した断面図に対応する斜視図である。
【図１４】図５に示した断面図に対応する斜視図である。
【図１５】図６に示した断面図に対応する斜視図である。
【図１６】図７に示した断面図に対応する斜視図である。
【図１７】図８に示した断面図に対応する斜視図である。
【図１８】図１１に示した断面図に対応する斜視図である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面構造を表す平面図である。
【図２０】
本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの磁極部分周辺の変形例を表す斜視図である。
【図２１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの上部ヨークの変形例を表す断面図である。
【図２２】本発明の第１の実施の形態における第２のマスクの形成方法の変形例を説明するための斜視図である。
【図２３】図２２に続く工程を説明するための斜視図である。
【図２４】本発明の第１の実施の形態における第２のマスクの形成方法の他の変形例を説明するための斜視図である。
【図２５】図２４に続く工程を説明するための斜視図である。
【図２６】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２７】図２６に続く工程を説明するための断面図である。
【図２８】図２７に続く工程を説明するための断面図である。
【図２９】図２６に示した断面図に対応する斜視図である。
【図３０】図２８に示した断面図に対応する斜視図である。
【図３１】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面構造を表す平面図である。
【図３２】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの磁極部分周辺の変形例を表す斜視図である。
【図３３】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図３４】図３３に続く工程を説明するための断面図である。
【図３５】図３４に続く工程を説明するための断面図である。
【図３６】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面構造を表す平面図である。
【図３７】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一工程を説明するための断面図である。
【図３８】図３７に続く工程を説明するための断面図である。
【図３９】図３８に続く工程を説明するための断面図である。
【図４０】従来の薄膜磁気ヘッドの要部構造を表す断面図である。
【図４１】図４０に示した薄膜磁気ヘッドにおける磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。
【図４２】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す平面図である。
【図４３】従来の薄膜磁気ヘッドの磁極部分を形成する場合の問題点を説明するための磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４，６…シールドギャップ膜、５…ＭＲ膜、７…上部シールド層、９…下部磁極、９ａ…下部磁性層、９ｂ…下部ポールチップ、９ｃ…下部接続部、８，１３，１４，１６，１８，１９，３１，３３，３４，５１，５３，５４…絶縁膜、１０…絶縁膜パターン、１１…記録ギャップ層、１０，５５…絶縁膜パターン、１２，４２，５７…上部磁極、１２ａ…上部ポールチップ、１２ａ(1) ，５７ａ…先端部、１２ａ(2) …拡幅部、１２ｂ，１２ｄ…磁路接続部、１２ｃ…中間接続部、１２ｆ，４２ｆ，２１２ｆ…上部ヨーク、１２ｆ(1) ，５７ｃ…ヨーク部、１２ｆ(2) …接続部、１２ｅ…中間接続パターン、１２ｆｈ，４２ｆｈ，５７ｈ…コイル接続配線、１４，１７，３２，５２…薄膜コイル、１４ｓ，１７ｓａ，３２ｓ，５２ｓ…コイル接続部、１７ｓｂ…配線接続部、２０，３５，５８…オーバーコート層、２２ａ…第１のマスク、２２ｂ…他のマスク、２２ｚ…マスク前駆パターン、３２ａ，４２ａ…第２のマスク、５２ａ，７２ａ…第３のマスク、５７ｂ…中間部、８０…エアベアリング面、９１…高飽和磁束密度材層、９２…無機絶縁材層、１００，２００，３００…磁極先端部分、１１２ａ…上部ポールチップ前駆層，１２２ａ…第１のマスク前駆層，１３２ａ…フォトレジストパターン、１４２ａ，１６２ａ…第２のマスク前駆層、ＴＨ…スロートハイト、ＭＲＨ…ＭＲハイト。

Claims

記録媒体に対向する記録媒体対向面側の一部に、ギャップ層を介して対向する第１の磁極および第２の磁極をそれぞれ含む、互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２の磁性層と、これらの２つの磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイル部とを有し、前記第１の磁極が前記記録媒体対向面からこの面と離れる方向に延在すると共に前記記録媒体の記録トラック幅を画定する第１の幅を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記第１の磁極を形成する工程および前記第２の磁極を形成する工程のうちの少なくとも一方の工程が、
磁性材層を成膜する工程と、
前記磁性材層上に、前記第１の磁極に対応する部分を有すると共にその第１の磁極に対応する部分の幅が前記第１の幅よりも大きな第２の幅となるようにマスク前駆パターンを形成する工程と、
イオンミリングによって、前記マスク前駆パターンを選択的にエッチングして前記第１の磁極に対応する部分の幅を前記第２の幅から前記第１の幅まで狭めることにより第１のマスクを形成すると同時に、前記第１のマスクの形成領域以外の領域における前記磁性材層を所定の深さまでエッチングする第１のエッチング工程と、
反応性イオンエッチングによって、前記第１のマスクを用いて前記磁性材層を選択的にエッチングして前記第１の磁極および前記第２の磁極のうちの少なくとも一方を形成する第２のエッチング工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第１のエッチング工程において、イオンビームの照射角度を工程の途中において少なくとも１回変更する
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第１のエッチング工程の途中において、
前記磁性材層の延在方向に平行な面に対して直交する方向と前記イオンビームの照射方向との間の幅方向における角度をより小さい第１の角度からより大きい第２の角度へ変更する
ことを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第１のエッチング工程において、
前記第１の角度を４５±１５度とし、
前記第２の角度を７５±１５度とする
ことを特徴とする請求項ことを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
記録媒体に対向する記録媒体対向面側の一部に、ギャップ層を介して対向する第１の磁極および第２の磁極をそれぞれ含む、互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２の磁性層と、これらの２つの磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイル部とを有し、前記第１の磁極が前記記録媒体対向面からこの面と離れる方向に延在すると共に前記記録媒体の記録トラック幅を画定する第１の幅を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記第１の磁極を形成する工程および前記第２の磁極を形成する工程のうちの少なくとも一方の工程が、
磁性材層を成膜する工程と、
前記磁性材層上に、前記第１の磁極に対応する部分を有すると共にその第１の磁極に対応する部分の幅が前記第１の幅よりも大きな第２の幅となるようにマスク前駆パターンを形成する工程と、
イオンミリングによって、前記マスク前駆パターンを選択的にエッチングして前記第１の磁極に対応する部分の幅を前記第２の幅から前記第１の幅まで狭めることにより第１のマスクを形成する第１のエッチング工程と、
反応性イオンエッチングによって、前記第１のマスクを用いて前記磁性材層を選択的にエッチングして前記第１の磁極および前記第２の磁極のうちの少なくとも一方を形成する第２のエッチング工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第１のエッチング工程において、前記磁性材層の延在方向に平行な面に対して直交する方向から幅方向に７５±１５度の角度をなすような方向からイオンビームを照射する
ことを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
さらに、前記磁性材層を成膜する工程と前記マスク前駆パターンを形成する工程との間に、前記磁性材層の表面を研磨して平坦化する工程を含む
ことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記マスク前駆パターンを形成する工程は、
前記磁性材層上にマスク前駆層を成膜する工程と、
反応性イオンエッチングによって、前記マスク前駆層を選択的にエッチングして前記マスク前駆パターンを形成する第３のエッチング工程と
を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第３のエッチング工程において、前記マスク前駆パターンの平面形状に対応する形状を有する第２のマスクを用いる
ことを特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記マスク前駆層上に所定の平面形状を有するフォトレジスト膜パターンを形成し、このフォトレジスト膜パターンを前記第２のマスクとして用いる
ことを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記マスク前駆層上に所定の平面形状を有する金属膜パターンを形成し、この金属膜パターンを前記第２のマスクとして用いる
ことを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記マスク前駆層上に選択的にめっき膜を成長させることにより前記金属膜パターンを形成する
ことを特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記マスク前駆層上に金属層を形成し、この金属層を選択的にエッチングすることにより前記金属膜パターンを形成する
ことを特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記金属膜パターンの形成材料として、ニッケル鉄またはニッケル銅のいずれかを用いる
ことを特徴とする請求項１１ないし請求項１３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記金属膜パターンの形成材料として、窒化鉄またはコバルト鉄のいずれかを用いる
ことを特徴とする請求項１１ないし請求項１３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記金属膜パターンの形成材料として、ニッケルボロンを用いる
ことを特徴とする請求項１１ないし請求項１３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記金属膜パターンの形成材料として、ニッケルリンを用いる
ことを特徴とする請求項１１ないし請求項１３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第３のエッチング工程において、前記第２のマスクをもエッチングして除去する
ことを特徴とする請求項９ないし請求項１７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記マスク前駆層の成膜を化学蒸着によって行う
ことを特徴とする請求項８ないし請求項１８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記マスク前駆層の成膜を１００Ｐａ以下の圧力下において行う
ことを特徴とする請求項１９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第１のマスクの形成材料として、所定の無機材料を用いる
ことを特徴とする請求項１ないし請求項２０のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記無機材料として、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムを含む材料を用いる
ことを特徴とする請求項２１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第１の磁性層が、前記第１の磁極を有する第１の磁性層部分と、前記薄膜コイル部の配設領域を覆うと共に前記第１の磁性層部分に磁気的に連結された第２の磁性層部分とを含む場合において、
前記第１のマスクの平面形状が、前記第１の磁性層部分のうちの少なくとも前記第１の磁極に対応する部分を含むように、前記第１のマスクを形成する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項２２のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第１の磁性層部分が、さらに、前記記録媒体対向面から遠い側において前記第１の磁極と磁気的に連結すると共に前記第１の磁極の幅よりも大きな幅を有する拡幅部分を含み、前記第１の磁極と前記拡幅部分との連結位置に幅方向の段差が形成され、かつ前記第１の磁極の側縁面と前記段差における前記拡幅部分の段差面とが交わる部分にコーナー部が形成されている場合において、
前記第１のマスクの平面形状がさらに前記拡幅部分の平面形状に対応する部分を含み、
前記第１のマスクのうちの、前記第１の磁性層部分の前記コーナー部に対応する部分における角度が９０度ないし１２０度の範囲内となるように、前記第１のマスクを形成する
ことを特徴とする請求項２３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第３のエッチング工程において、塩素、三塩化ボロン、塩化水素、四フッ化炭素、六フッ化硫黄および三臭化ボロンのうちの少なくとも１種を含むガス雰囲気中においてエッチング処理を行う
ことを特徴とする請求項８ないし請求項２４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第３のエッチング工程において、５０度ないし３００度の範囲内の温度下においてエッチング処理を行う
ことを特徴とする請求項８ないし請求項２５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第２のエッチング工程において、前記第１の磁性層のうちの少なくとも前記第１の磁極を形成する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項２６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第２のエッチング工程において、前記第２の磁性層のうちの少なくとも前記第２の磁極を形成する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項２７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
反応性イオンエッチングによって、前記ギャップ層のうちの、前記第１の磁極の形成領域以外の領域を選択的に除去する
ことを特徴とする請求項２７または請求項２８に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第１の磁性層のうちの前記第１の磁極の形成と、前記ギャップ層のうちの前記第１の磁極の形成領域以外の領域の選択的除去と、前記第２の磁性層のうちの前記第２の磁極の形成とを一連の工程内において連続的に行う
ことを特徴とする請求項２７ないし請求項２９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
所定の無機材料よりなる第１のマスクをマスクとして用いて前記第１の磁性層のうちの前記第１の磁極の形成を行うと共に、
前記第１のマスクおよび前記第１の磁極のうちの少なくとも一方をマスクとして用いて、前記ギャップ層の選択的除去と前記第２の磁性層のうちの前記第２の磁極の形成とを行う
ことを特徴とする請求項３０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第１の磁性層を形成する工程において、
反応性イオンエッチングによって、前記第２の磁性層部分を前記第１の磁性層部分とは別体として形成する
ことを特徴とする請求項２３ないし請求項３１のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第２の磁性層部分が、前記第１の磁性層部分の一部と部分的にオーバーラップするようにすると共に、その前記記録媒体対向面に近い側の端縁が、前記記録媒体対向面の位置から離れて位置するように、前記第２の磁性層部分を形成する
ことを特徴とする請求項３２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記薄膜コイル部が第１の薄膜コイル層パターンを有し、前記絶縁層が、少なくとも前記第１の薄膜コイル層パターンを埋設する第１の絶縁層部分を有する場合において、
少なくとも前記第１の磁性層部分および前記第１の薄膜コイル層パターンを覆うように前記第１の絶縁層部分を形成する工程と、
少なくとも前記第１の磁性層部分が露出するまで前記第１の絶縁層部分の表面を研磨して第１の平坦面を形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項３２または請求項３３に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第１の平坦面上に前記第２の磁性層部分を形成する
ことを特徴とする請求項３４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第１の磁性層が、さらに、前記第１の磁性層部分と前記第２の磁性層部分との間に、両者の間を磁気的に連結する第３の磁性層部分を含む場合において、
反応性イオンエッチングによって、前記第１の平坦面上に前記第３の磁性層部分を形成する
ことを特徴とする請求項３４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第３の磁性層部分が、前記第１の磁性層部分の一部および前記第２の磁性層部分の一部の双方とオーバーラップするようにすると共に、その前記記録媒体対向面に近い側の端縁が、前記記録媒体対向面の位置から離れて位置するように、前記第３の磁性層部分を形成する
ことを特徴とする請求項３６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記薄膜コイル部が、さらに、前記第１の薄膜コイル層パターンと異なる階層に配設された第２の薄膜コイル層パターンを有し、前記絶縁層が、さらに、少なくとも前記第２の薄膜コイル層パターンを埋設する第２の絶縁層部分を有する場合において、
前記第１の平坦面上に前記第２の薄膜コイル層パターンを形成すると同時に、前記第２の薄膜コイル層パターンの端部に前記薄膜コイル部の一部をなす第１の接続パターンを前記第２の薄膜コイル層パターンと一体をなすように形成する工程と、
前記第３の磁性層部分を形成すると同時に、前記第１の接続パターン上に前記薄膜コイル部の一部をなす第２の接続パターンを形成する工程と、
少なくとも前記第３の磁性層部分、前記第２の薄膜コイル層パターンおよび前記第２の接続パターンを覆うように前記第２の絶縁層部分を形成する工程と、
少なくとも前記第３の絶縁層部分および前記第２の接続パターンの双方が露出するまで前記第２の絶縁層部分の表面を研磨して第２の平坦面を形成する工程と、
前記第２の平坦面上に前記第２の接続パターンの露出面と電気的に接続するように導電層パターンを形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項３６または請求項３７に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
さらに、前記第２の平坦面上に前記第２の磁性層部分を形成する
ことを特徴とする請求項３８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
さらに、前記記録媒体対向面からこの面と離れる方向に延在する磁気変換機能素子膜と、この磁気変換機能素子膜を磁気的に遮蔽する第３の磁性層とを有する場合において、
反応性イオンエッチングによるエッチング処理を用いて前記第３の磁性層を形成する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
所定の磁性材料を用いて、スパッタリングによって前記磁性材層の成膜を行う
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４０のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記磁性材料として窒化鉄を含む材料を用いる
ことを特徴とする請求項４１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記磁性材料としてアモルファス合金を用いる
ことを特徴とする請求項４１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記アモルファス合金としてジルコニウムコバルト鉄酸化物合金を含む材料を用いる
ことを特徴とする請求項４３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第２のエッチング工程において、塩素、三塩化ボロンおよび塩化水素のうちの少なくとも１種を含むガス雰囲気中においてエッチング処理を行う
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第２のエッチング工程において、５０度ないし３００度の範囲内の温度下においてエッチング処理を行う
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。