JP3499490B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドの製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書き込
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドの製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。
【０００３】記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高め
るには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必
要がある。このためには、記録ギャップ（write gap)を
挟んでその上下に形成された下部磁極（ボトムポール）
および上部磁極（トップポール）のエアベアリング面で
の幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くし
た狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、
これを達成するために半導体加工技術が利用されてい
る。
【０００４】ここで、図３６〜図４１を参照して、従来
の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型薄膜
磁気ヘッドの製造方法について説明する。
【０００５】この製造方法では、まず、図３６に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）よ
りなる基板１０１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ
2 Ｏ3 ；以下、単に「アルミナ」という。）よりなる絶
縁層１０２を、約５．０〜１０．０μｍ程度の厚みで堆
積する。次に、絶縁層１０２上に、再生ヘッド用の下部
シールド層１０３を形成する。次に、下部シールド層１
０３上に、例えばアルミナ層を１００〜２００ｎｍの厚
みでスパッタ堆積し、シールドギャップ膜１０４を形成
する。次に、シールドギャップ膜１０４上に、再生用の
ＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜１０５を、数十ｎｍの
厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形
状にパターニングする。次に、ＭＲ膜１０５の両側に、
このＭＲ膜１０５と電気的に接続する引き出し電極層と
してのリード層（図示せず）を形成したのち、このリー
ド層、シールドギャップ膜１０４およびＭＲ膜１０５上
に、シールドギャップ膜１０６を形成し、ＭＲ膜１０５
をシールドギャップ膜１０４，１０６内に埋設する。次
に、シールドギャップ膜１０６上に、再生ヘッドおよび
記録ヘッドの双方に用いる磁気材料、例えばニッケル鉄
合金（ＮｉＦｅ；以下、単に「パーマロイ（商品名）」
という。）よりなる上部シールド兼下部磁極（以下、下
部磁極という。）１０７を形成する。
【０００６】次に、図３７に示したように、下部磁極１
０７上に、絶縁材料、例えばアルミナよりなる記録ギャ
ップ層１０８を形成し、この記録ギャップ層１０８上
に、高精度のフォトリソグラフィによりフォトレジスト
膜１０９を所定のパターンとなるように形成する。次
に、フォトレジスト膜１０９上に、例えばめっき法によ
り、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の
薄膜コイル１１０を形成する。次に、フォトレジスト膜
１０９および薄膜コイル１１０を覆うようにして、高精
度のフォトリソグラフィによりフォトレジスト膜１１１
を所定のパターンとなるように形成する。次に、薄膜コ
イル１１０の各巻線間の絶縁化のために、フォトレジス
ト膜１１１に対して、例えば２５０°Ｃの温度で加熱処
理を行う。
【０００７】次に、図３８に示したように、薄膜コイル
１１０よりも後方（図３８における右側）の位置におい
て、磁路形成のために、記録ギャップ層１０８の一部を
部分的にエッチングして開口部１０８ａを形成し、下部
磁極１０７の一部を露出させる。次に、下部磁極１０７
の露出面、フォトレジスト膜１１１および記録ギャップ
層１０８を覆うようにして、高飽和磁束密度の磁気材
料、例えばパーマロイを電解めっき法によって成膜す
る。次に、所定の平面形状を有するフォトレジスト膜よ
りなるマスク（図示せず）を用いて、このパーマロイよ
りなるめっき膜をイオンミリングによって選択的にエッ
チングすることにより上部ヨーク兼上部磁極（以下、上
部磁極という。）１１２を形成する。この上部磁極１１
２は、例えば、後述する図４１に示したような平面形状
を有するものであり、ヨーク部１１２ａおよびポールチ
ップ部１１２ｂを含んでいる。上部磁極１１２は、開口
部１０８ａにおいて下部磁極１０７と接触し、磁気的に
連結されている。次に、上部磁極１１２の一部（ポール
チップ部１１２ｂ）をマスクとして、記録ギャップ層１
０８および下部磁極１０７の双方をイオンミリングによ
って選択的に約０．５μｍ程度エッチングしたのち（図
４０参照）、上部磁極１１２上に、例えばアルミナより
なるオーバーコート層１１３を形成する。最後に、機械
加工や研磨工程によって、記録ヘッドおよび再生ヘッド
のトラック面、すなわちエアベアリング面１２０を形成
して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０００８】図３９〜図４１は、完成した状態の薄膜磁
気ヘッドの構造を表すものである。ここで、図３９はエ
アベアリング面１２０に垂直な方向における薄膜磁気ヘ
ッドの断面を示し、図４０は磁極部分のエアベアリング
面１２０に平行な方向における断面を拡大して示し、図
４１は平面構造を示す。図３８は、図４１におけるＸＸ
ＸＶＩＩＩ−ＸＸＸＶＩＩＩ線に沿った矢視断面に相当
する。なお、図３９〜図４１では、オーバーコート層１
１３等の図示を省略している。また、図４１では、薄膜
コイル１１０およびフォトレジスト膜１１１について
は、それらの最外端のみを図示している。
【０００９】図３９および図４１において、「ＴＨ」は
スロートハイト（Throat Height ）を表し、「ＭＲＨ」
はＭＲハイトを表している。ここで、「スロートハイト
（ＴＨ）」とは、記録ヘッドの性能を決定する要因のう
ちの一つであり、薄膜コイル１１０を他の導電部分と電
気的に分離するための絶縁層（フォトレジスト膜１１
１）の最もエアベアリング面１２０に近い側の端縁の位
置、すなわちスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）か
らエアベアリング面１２０の位置まで長さである。記録
ヘッドの性能向上のためには、スロートハイト（ＴＨ）
の最適化が望まれている。このスロートハイト（ＴＨ）
は、エアベアリング面１２０の加工の際の研磨量によっ
て制御される。また、「ＭＲハイト（ＭＲＨ）」とは、
ＭＲ膜１０５の最もエアベアリング面１２０から遠い側
の端縁の位置、すなわちＭＲハイトゼロ位置（ＭＲＨ０
位置）からエアベアリング面１２０の位置までの長さで
ある。このＭＲハイト（ＭＲＨ）もまた、エアベアリン
グ面１２０の加工の際の研磨量によって制御される。
【００１０】薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因とし
て、スロートハイト（ＴＨ）やＭＲハイト（ＭＲＨ）等
の他に、図３９に示したエイペックスアングル（Apex A
ngle：θ）がある。このエイペックスアングルθは、フ
ォトレジスト膜１１１のエアベアリング面１２０に近い
側の斜面の平均斜度である。
【００１１】図４０に示したように、記録ギャップ層１
０８および下部磁極１０７の双方の一部が上部磁極１１
２のポールチップ部１１２ｂに対して自己整合的にエッ
チングされた構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。
このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発
生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止
することができる。図４０において、「Ｐ２Ｗ」とある
のは、トリム構造を有する部分（以下、単に「磁極部分
５００」という。）の幅、すなわち磁極幅（以下、「ト
ラック幅」ともいう。）を表している。また、同図にお
いて、「Ｐ２Ｌ」とあるのは、磁極部分５００の一部を
構成するポールチップ部１１２ｂの厚み、すなわち磁極
長を表している。なお、図４０に示したように、ＭＲ膜
１０５の両側には、このＭＲ膜１０５と電気的に接続す
る引き出し電極層としてのリード層１２１が設けられて
いる。ただし、図３６〜図３９では、リード層１２１の
図示を省略している。
【００１２】図４１に示したように、上部磁極１１２
は、その大部分を占めるヨーク部１１２ａと、磁極幅Ｐ
２Ｗとしてほぼ一定の幅を有するポールチップ部１１２
ｂとを有している。ヨーク部１１２ａとポールチップ部
１１２ｂとの連結部分において、ヨーク部１１２ａの外
縁はエアベアリング面１２０と平行な面に対して角度α
をなし、また、上記連結部分において、ポールチップ部
１１２ｂの外縁は、エアベアリング面１２０と平行な面
に対して角度βをなしている。ここで、αは、例えば４
５度程度であり、βは９０度である。上記したように、
ポールチップ部１１２ｂは、磁極部分５００のトリム構
造を形成する際のマスクとなる部分である。図３９およ
び図４１から判るように、ポールチップ部１１２ｂは平
坦な記録ギャップ層１０８の上に延在し、ヨーク部１１
２ａはフォトレジスト膜１１１で覆われて丘陵状に盛り
上がったコイル部分（以下、「エイペックス部」とい
う。）の上に延在している。
【００１３】なお、上部磁極の詳細な構造的特徴に関し
ては、例えば、特開平８−２４９６１４号公報に記載が
ある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】磁極部分５００の磁極
幅Ｐ２Ｗは記録媒体上の記録トラック幅を規定するもの
であるため、記録密度を高めるためには、磁極部分５０
０を高い精度で形成して磁極幅Ｐ２Ｗを狭小化すること
が要求される。磁極幅Ｐ２Ｗが大きすぎる場合には、記
録媒体上の所定の記録トラック領域以外の隣接領域にも
書き込みしてしまう現象、すなわちサイドイレーズ現象
が発生してしまい、記録密度を向上させることができな
いからである。このことから、磁極部分５００の磁極幅
Ｐ２Ｗを狭小化すると共に、磁極幅Ｐ２Ｗが厚み方向
（図４０における上下方向）および長さ方向（図３９に
おける左右方向）の全域にわたって一定となるようにす
ることが重要である。
【００１５】上部磁極１１２の形成方法としては、フレ
ームめっき法のようなウェットプロセスの他、上記した
ように、例えば、パーマロイよりなるめっき膜をイオン
ミリングによって選択的にエッチングしてパターニング
するドライプロセスがある。
【００１６】しかしながら、このイオンミリングを用い
た方法では、以下のような不具合が発生することを本出
願人等は確認している。例えば、めっき膜の表面に対し
てほぼ垂直な方向（めっき膜の表面に対する垂線から０
度〜３０度程度の方向）からイオンビームを照射する
と、エッチング時に生じたエッチング生成物が非エッチ
ング部分に再付着してしまい、ポールチップ部１１２ｂ
の幅が部分的に設計値よりも拡張してしまうこととな
る。一方、例えば、めっき膜の表面に対してほぼ平行な
方向（めっき膜の表面に対する垂線から５０度〜７０度
程度の方向）からイオンビームを照射すると、上記のよ
うなエッチング生成物の再付着現象は回避されるが、処
理が進むにつれてエッチング量が増加してしまい、ポー
ルチップ部１１２ｂの幅が部分的に設計値よりも縮小し
てしまうこととなる。特に、後者の条件においてイオン
ミリングを用いて磁極部分５００を形成すると、図４２
に示したように、磁極幅Ｐ２Ｗが不均一になってしま
う。
【００１７】また、従来法では、めっき膜のパターニン
グに用いるマスク（フォトレジストパターン）を形成す
るためのフォトレジスト膜を、凹凸構造を有する下地
（パーマロイ層）上に形成しているため、露光時におい
て、下地の表面から斜め方向または横方向へ反射する反
射光が発生し、この反射光が露光領域を拡張または縮小
させることにより、マスクの形成精度が低下してしま
う。なお、このマスクの形成精度の低下は、フォトレジ
スト膜の下地であるめっき膜の形成材料として、比較的
反射率が高いパーマロイを用いていることにも起因して
いる。
【００１８】また、従来法では、磁極部分５００の形成
をエッチング速度の遅いイオンミリングによって行って
いるので、エッチング処理に時間がかかり、磁極部分５
００の加工完了までに相当な時間を要することとなる。
このような傾向は、磁極部分５００の形成時に限られる
ものではなく、上部磁極１１２や他の磁性層部分（下部
シールド層１０３，下部磁極１０７等）の形成時におい
ても同様である。
【００１９】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、薄膜磁気ヘッドの形成を高精度かつ
短時間で行うことを可能とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、記録媒体に対向する記録媒体対向面側の
一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を含
む、互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２
の磁性層と、２つの磁性層の間に絶縁層を介して配設さ
れた薄膜コイル部とを有すると共に、第１の磁性層が、
記録媒体対向面からこの面と離れる方向に延在すると共
に記録媒体の記録トラック幅を画定する第１の一定幅部
分を含む第１の磁性層部分と、薄膜コイル部の配設領域
を覆うと共に第１の磁性層部分に磁気的に連結された第
２の磁性層部分とを有し、第２の磁性層が、第１の磁性
層の第１の一定幅部分に対応する第２の一定幅部分を有
する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、第１の磁性層
を形成する工程および第２の磁性層を形成する工程のう
ちの少なくとも一方の工程が、磁性材層を成膜する工程
と、磁性材層の表面を研磨して平坦化する工程と、平坦
化された磁性材層の上に第１のマスクを形成する工程
と、第１のマスクを用いて磁性材層を反応性イオンエッ
チングにより加工する加工工程とを含むようにしたもの
である。
【００２１】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
磁性材層の平坦面上に第１のマスクが形成され、この第
１のマスクを用いて反応性イオンエッチングによって磁
性材層を選択的にエッチングすることにより、第１の磁
性層および第２の磁性層のうちの少なくとも一方が形成
される。
【００２２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
第１のマスクの形成材料として所定の無機材料を用いる
ようにしてもよい。このような場合には、上記の無機材
料として、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムを
含む材料を用いるようにするのが好適である。
【００２３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
第１のマスクの平面形状が、第１の磁性層部分のうちの
少なくとも第１の一定幅部分の平面形状に対応する部分
を含むようにしてもよい。
【００２４】第１の磁性層部分が、さらに、記録媒体対
向面から遠い側において第１の一定幅部分と磁気的に連
結すると共に第１の一定幅部分の幅よりも大きな幅を有
する拡幅部分を含み、第１の一定幅部分と拡幅部分との
連結位置に幅方向の段差が形成され、かつ第１の一定幅
部分の側縁面と上記の段差における拡幅部分の段差面と
が交わる部分にコーナー部が形成されている場合には、
第１のマスクの平面形状が拡幅部分の平面形状に対応す
る部分を含み、第１のマスクのうちの、第１の磁性層部
分のコーナー部に対応する部分における角度が９０度な
いし１２０度の範囲内となるようにするのが好適であ
る。
【００２５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、第１のマスクを形成する工程が、磁性材層の表面
に無機材料よりなるマスク前駆層を形成する工程と、マ
スク前駆層の表面に第２のマスクを形成する工程と、第
２のマスクを用いてマスク前駆層をパターニングして第
１のマスクを形成する工程とを含むようにしてもよい。
このような場合には、マスク前駆層のパターニングを、
塩素および三塩化ボロンのうちの少なくとも１を含むガ
ス雰囲気中、かつ５０°Ｃないし３００°Ｃの範囲内の
温度下において、反応性イオンエッチングによって行う
ようにするのが好適である。
【００２６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、マスク前駆層の表面に所定の形状を有する金属膜
パターンを形成し、この金属膜パターンを第２のマスク
として用いるようにしてもよいし、またはマスク前駆層
の表面に所定の形状を有するフォトレジスト膜パターン
を形成し、このフォトレジスト膜パターンを第２のマス
クとして用いるようにしてもよい。金属膜パターンを第
２のマスクとして用いる場合には、マスク前駆層の表面
に選択的にめっき膜を成長させることにより金属膜パタ
ーンを形成するようにしてもよいし、またはマスク前駆
層の表面に金属層を形成し、この金属層を選択的にエッ
チングすることにより金属膜パターンを形成するように
してもよい。
【００２７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、加工工程によって、第１の磁性層のうちの少なく
とも第１の一定幅部分を形成するようにしてもよいし、
第２の磁性層のうちの少なくとも第２の一定幅部分を形
成するようにしてもよい。
【００２８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、反応性イオンエッチングによって、ギャップ層の
うちの第１の磁性層の第１の一定幅部分に対応する部分
以外の領域を選択的に除去するようにしてもよい。この
ような場合には、第１の磁性層のうちの第１の一定幅部
分の形成と、上記のギャップ層の選択的除去と、第２の
磁性層のうちの第２の一定幅部分の形成とを同一工程内
において連続的に行うようにするのが好適である。ま
た、上記の各部位の加工を行う際には、所定の無機材料
よりなる第１のマスクを用いて第１の磁性層のうちの第
１の一定幅部分の形成を行い、第１のマスクおよび第１
の一定幅部分のうちの少なくとも一方をマスクとして用
いて、ギャップ層の選択的除去と第２の磁性層のうちの
第２の一定幅部分の形成とを行うようにするのが好適で
ある。
【００２９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、第１の磁性層を形成する工程において、反応性イ
オンエッチングを用いてパターニングを行い、第２の磁
性層部分を第１の磁性層部分とは別体として形成するよ
うにしてもよい。このような場合には、第２の磁性層部
分が、第１の磁性層部分の一部と部分的にオーバーラッ
プするようにすると共に、その記録媒体対向面に近い側
の端縁が、記録媒体対向面の位置から離れて位置するよ
うにするのが好適である。
【００３０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、薄膜コイル部が第１の薄膜コイル層を有し、絶縁
層が、第１の薄膜コイル層を埋設する第１の絶縁層部分
を有する場合には、少なくとも第１の磁性層部分および
第１の薄膜コイル層を覆うように第１の絶縁層部分を形
成する工程と、少なくとも第１の磁性層部分が露出する
まで第１の絶縁層部分の表面を研磨して第１の平坦面を
形成する工程とを含むようにしてもよい。このような場
合には、第１の平坦面上に第２の磁性層部分を形成する
ようにするようにしてもよい。
【００３１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、第１の磁性層が、さらに、第１の磁性層部分と第
２の磁性層部分との間に、両者の間を磁気的に連結する
第３の磁性層部分を含む場合において、この第３の磁性
層部分を第１の平坦面上に反応性イオンエッチングによ
って形成するようにしてもよい。このような場合には、
第３の磁性層部分が、第１の磁性層部分の一部および第
２の磁性層部分の一部の一部の双方とオーバーラップす
るようにすると共に、その記録媒体対向面に近い側の端
縁が、記録媒体対向面の位置から離れて位置するように
するのが好適である。
【００３２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、薄膜コイル部が、さらに、第１の薄膜コイル層と
異なる階層に配設された第２の薄膜コイル層を有し、絶
縁層が、さらに、第２の薄膜コイル層を埋設する第２の
絶縁層部分を有する場合において、第２の薄膜コイルを
形成すると同時に、第２の薄膜コイル層の端部に薄膜コ
イル部の一部をなす第１の接続パターンを第２の薄膜コ
イル層と一体をなすように形成する工程と、第１の接続
パターン上に第３の磁性層部分を形成する工程と同一の
工程により、薄膜コイル部の一部をなす第２の接続パタ
ーンを形成する工程と、少なくとも第３の磁性層部分、
第２の薄膜コイル層および第２の接続パターンを覆うよ
うに第２の絶縁層部分を形成する工程と、少なくとも第
３の絶縁層部分および第２の接続パターンの双方が露出
するまで第２の絶縁層部分の表面を研磨して第２の平坦
面を形成する工程と、第２の平坦面上の一部分に第２の
接続パターンの露出面と電気的に接続するように導電層
パターンを形成する工程とを含むようにしてもよい。こ
のような場合には、第２の平坦面上の他の一部分に第２
の磁性層部分を形成するようにしてもよい。
【００３３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、さらに、記録媒体対向面からこの面と離れる方向
に延在する磁気変換機能素子膜と、この磁気変換機能素
子膜を磁気的に遮蔽する第３の磁性層とを有する場合に
おいて、第３の磁性層を反応性イオンエッチングを用い
たパターニングによって形成するようにしてもよい。
【００３４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、所定の磁性材料を用いて、スパッタリングによっ
て磁性層の成膜を行うようにしてもよい。このような場
合には、上記の磁性材料として、窒化鉄を含む材料、ま
たはジルコニウムコバルト鉄合金を含む材料などのアモ
ルファス合金を用いるようにするのが好適である。
【００３５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、加工工程を、塩素、三塩化ボロンおよび塩化水素
のうちの少なくとも１からなるガス雰囲気中、かつ５０
°Ｃないし３００°Ｃの範囲内の温度下において行うよ
うにするのが好適である。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
【００３７】〔第１の実施の形態〕まず、図１〜図１４
を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一例について説明する。なお、本実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法によって具現化されるので、以下併せて説
明する。
【００３８】図１〜図８において、（Ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。図９〜図１４
は、主要な製造工程に対応する斜視図である。ここで、
図１２は図４に示した状態に対応し、図１３は図５に示
した状態に対応し、図１４は図８に示した状態に対応す
る。ただし、図１３では、図５における絶縁膜１３，１
５および薄膜コイル１４等の図示を省略し、図１４で
は、図８における絶縁膜１３，１５，１６，１８，１
９、薄膜コイル１４，１７およびオーバーコート層２０
等の図示を省略している。
【００３９】以下の説明では、図１〜図１４の各図中に
おけるＸ軸方向を「幅方向」、Ｙ軸方向を「長さ方
向」、Ｚ軸方向を「厚み方向」として表記すると共に、
Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面８０側（または後工
程においてエアベアリング面８０となる側）を「前側
（または前方）」、その反対側を「後側（または後
方）」と表記するものとする。
【００４０】＜薄膜磁気ヘッドの製造方法＞本実施の形
態に係る製造方法では、まず、図１に示したように、例
えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）よりなる基板
１上に、例えばアルミナよりなる絶縁層２を、約３．０
〜５．０μｍの厚みで堆積する。次に、絶縁層２上に、
例えば、フォトリソグラフィ工程およびめっき法を用い
て、例えばパーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０
重量％）を約３．０μｍの厚みで選択的に形成して、再
生ヘッド用の下部シールド層３を形成する。なお、下部
シールド層３の形成材料としては、上記の他、パーマロ
イ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）を用いるよ
うにしてもよい。次に、全体に、例えばアルミナよりな
る絶縁膜を約４．０〜５．０μｍの厚みで形成したの
ち、下部シールド層３が露出するまで絶縁膜の表面を例
えばＣＭＰ（化学機械研磨）法によって研磨して、全体
を平坦化する。
【００４１】次に、同図に示したように、下部シールド
層３上に、例えばアルミナ層を約１００〜２００ｎｍの
厚みでスパッタ堆積し、シールドギャップ膜４を形成す
る。次に、シールドギャップ膜４上に、再生ヘッド部の
要部であるＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜５を形成
し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形状とする。
次に、ＭＲ膜５の両側に、このＭＲ膜５と電気的に接続
する引き出し電極層としてのリード層（図示せず）を形
成したのち、このリード層、シールドギャップ膜４およ
びＭＲ膜５上に、シールドギャップ膜６を形成して、Ｍ
Ｒ膜５をシールドギャップ膜４，６内に埋設する。ここ
で、ＭＲ膜５が、本発明における「磁気変換機能素子
膜」の一具体例に対応する。
【００４２】次に、同図に示したように、シールドギャ
ップ膜６上に、上部シールド層７を約１．０〜１．５μ
ｍの厚みで選択的に形成する。上部シールドギャップ層
７の形成材料および形成方法等は、下部シールドギャッ
プ層３の場合と同様である。ここで、下部シールド層３
および上部シールド層７が、本発明における「第３の磁
性層」の一具体例に対応する。
【００４３】次に、同図に示したように、上部シールド
層７上に、例えばスパッタリングにより、例えばアルミ
ナよりなる絶縁膜８を約０．１５〜０．２μｍの厚みで
形成する。次に、絶縁膜８上に、例えば窒化鉄（Ｆｅ
Ｎ）よりなる下部磁極９を選択的に形成する。ここで、
下部磁極９の形成は、以下のような手順により行う。す
なわち、まず、絶縁膜８上に、例えばスパッタリングに
より、例えば窒化鉄層を約２．０〜２．５μｍの厚みで
成膜する。続いて、成膜した窒化鉄層を、所定の形状お
よび材質を有するマスクを用いてリアクティブイオンエ
ッチング（Reactive Ion Etching；以下、単に「ＲＩ
Ｅ」という）によってエッチングしてパターニングする
ことにより、下部磁極９を選択的に形成する（図１５参
照）。なお、上記のような、成膜した窒化鉄をＲＩＥに
よってパターニングする工程の詳細については、後述す
る。ここで、下部磁極９が、本発明における「第２の磁
性層」の一具体例に対応する。
【００４４】次に、図２に示したように、下部磁極９上
に、例えばスパッタリングによって例えばアルミナ層を
約０．５〜１．０μｍの厚みで成膜したのち、このアル
ミナ層を、例えばフォトレジスト膜よりなるマスク（図
示せず）を用いてＲＩＥによりエッチングしてパターニ
ングすることにより、絶縁膜パターン１０を選択的に形
成する。このエッチング処理により、アルミナ層のうち
の、前側の領域の一部と後工程において磁路接続部１２
ｂが形成されることとなる領域の一部とが選択的に除去
され、特に、後者の領域には、下部磁極９と後工程にお
いて形成される上部磁極１２とを接続させるための開口
部１０ｋが形成されることとなる。この絶縁膜パターン
１０は、スロートハイト（ＴＨ）を決定する際に基準の
位置となるスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）を規
定するためのものである。絶縁膜パターン１０を形成す
る際には、例えば、絶縁膜パターン１０の最も前側の端
縁（以下、単に「最前端」という）の位置が、ＭＲ膜５
の最も後側の端縁（以下、単に「最後端」という）の位
置とほぼ一致するようにする。また、例えば、絶縁膜パ
ターン１０の少なくとも前端縁部近傍が、斜面をなすよ
うにするのが好適である。これは、後工程において形成
される上部ポールチップ１２ａのうちの、上記の斜面部
の上方領域における磁束の流れを円滑化させることがで
きるからである。なお、上記のエッチング処理を行う際
には、例えば、ＣＦ4 などを含む塩素系ガスを用いるよ
うにする。
【００４５】次に、同図に示したように、全体に、例え
ばスパッタリングにより、例えばアルミナよりなる記録
ギャップ層１１を約０．１５〜０．２μｍの厚みで形成
する。記録ギャップ層１１を形成する際には、先工程に
おいて形成された開口部１０ｋがアルミナによって覆わ
れないようにする。ここで、記録ギャップ層１１が、本
発明における「ギャップ層」の一具体例に対応する。
【００４６】次に、同図に示したように、全体に、例え
ばスパッタリングにより、例えば窒化鉄よりなる上部ポ
ールチップ前駆層１１２ａ（以下、単に「窒化鉄層」と
もいう）を約２．０〜３．０μｍの厚みで形成する。こ
の上部ポールチップ前駆層１１２ａは、後工程において
エッチング処理によってパターニングされることにより
上部ポールチップ１２ａ（および磁路接続部１２ｂ）と
なる前準備層である。以下の説明では、このように後工
程で所定の形状となるようにパターニングされることと
なる前準備層を「前駆層」と称呼し、同様に表記するも
のとする。図２に示したように、上部ポールチップ前駆
層１１２ａの表面部は、下地の凹凸構造に対応した凹凸
構造をなすこととなる。なお、上部ポールチップ前駆層
１１２ａの形成材料としては、窒化鉄の他、例えば、ジ
ルコニウムコバルト鉄合金（ＦｅＣｏＺｒ）、窒化ジル
コニア鉄（ＦｅＺｒＮ）または窒化コバルト鉄（ＦｅＣ
ｏＮ）などのような高い飽和磁束密度を有するアモルフ
ァス合金を用いるようにしてもよい。ここで、上部ポー
ルチップ前駆層１１２ａが、本発明における「磁性材
層」の一具体例に対応する。
【００４７】次に、図３に示したように、上部ポールチ
ップ前駆層１１２ａの表面を例えばＣＭＰ法によって約
０．５〜１．０μｍ程度研磨して平坦化する。次に、平
坦化された上部ポールチップ前駆層１１２ａ上の所定の
位置に、例えばアルミナよりなる第１のマスク２２ａお
よび他のマスク２２ｂを選択的に形成する。この第１の
マスク２２ａおよび他のマスク２２ｂの形成方法につい
ては、後述する。
【００４８】次に、第１のマスク２２ａを用いて、上部
ポールチップ前駆層１１２ａを選択的にエッチングして
パターニングすることにより、図４および図１２に示し
たように、記録ギャップ層１１上の一部領域から絶縁膜
パターン１０上の一部領域にかけて、上部ポールチップ
１２ａを選択的に形成する。上部ポールチップ１２ａを
形成する際には、同時に、他のマスク２２ｂを用いて、
開口部１０ｋに磁路接続部１２ｂ（図１２では図示せ
ず）を形成する。上部ポールチップ１２ａおよび磁路接
続部１２ｂは、共に上部磁極１２の一部を構成するもの
である。上部ポールチップ１２ａは、後述する図１５に
示したような平面形状を有するものであり、記録媒体
（図示せず）上の記録トラック幅を規定する一定幅を有
する先端部１２ａ(1) と、先端部１２ａ(1) の幅よりも
大きい幅を有する後端部１２ａ(2) とを含んでいる。こ
こで、上部ポールチップ１２ａが、本発明における「第
１の磁性層部分」の一具体例に対応し、先端部１２ａ
(1) が、本発明における「第１の一定幅部分」の一具体
例に対応し、後端部１２ａ(2) が、本発明における「拡
幅部分」の一具体例に対応する。
【００４９】ここで、図４および図１２と共に図９〜図
１１を参照して、上部ポールチップ１２ａの形成方法に
ついて詳細に説明する。
【００５０】まず、図９に示したように、平坦化された
上部ポールチップ前駆層１１２ａ上に、例えばスパッタ
リングにより、例えばアルミナなどの無機材料よりなる
第１のマスク前駆層１２２ａを約１．０〜２．０μｍの
厚みで形成する。このとき、第１のマスク前駆層１２２
ａの表面もまた平坦となるように形成されることとな
る。この第１のマスク前駆層１２２ａは、後工程におい
てエッチング処理によってパターニングされることによ
り、上部ポールチップ前駆層１１２ａをパターニングす
るための第１のマスク２２ａとなるものである。なお、
第１のマスク前駆層１２２ａを形成するための無機材料
としては、アルミナの他、例えば窒化アルミニウム（Ａ
ｌＮ）などを用いるようにしてもよい。ここで、第１の
マスク前駆層１２２ａが、本発明における「 マスク前駆
層」 の一具体例に対応する。
【００５１】次に、平坦化された第１のマスク前駆層１
２２ａ上に、例えばスパッタリングにより、例えばパー
マロイを約５０ｎｍの厚みで形成して、電解めっき法に
おけるシード層としての電極膜（図示せず）を形成す
る。次に、電極膜上にフォトレジスト膜を約１．０μｍ
程度の厚みで形成し、このフォトレジスト膜をフォトリ
ソグラフィによってパターニングすることにより、図９
に示したように、所定の形状よりなる開口部１３２ｘを
有するフォトレジストパターン１３２ａを形成する。こ
の開口部１３２ｘの平面形状は、上部ポールチップ１２
ａの平面形状に対応するものである。このとき、フォト
レジストパターン１３２ａを形成するためのフォトレジ
スト膜は平坦面上に形成されるので、フォトレジスト膜
を斜面上に形成する場合とは異なり、露光時において電
極膜（シード層）の表面から斜め方向または横方向へ反
射する反射光がほとんど生じない。このため、露光領域
の拡張または縮小等に起因するパターンくずれを抑制し
て、特に、開口部１３２ｘのうちの、上部ポールチップ
１２ａの先端部１２ａ(1) に対応する部分１３２ｘ(1)
を高精度に形成することができる。また、第１のマスク
前駆層１２２ａの形成材料として、アルミナなどの比較
的反射率の低い無機材料を用いているので、パーマロイ
などの比較的反射率の高い材料を用いた場合よりも、露
光時において第１のマスク前駆層１２２ａの表面から反
射する反射光の発生自体を抑制することができる。この
ため、この点でも開口部１３２ｘの形成の高精度化に寄
与することとなる。なお、フォトレジストパターン１３
２ａを形成する際には、必ずしも上記のようにフォトリ
ソグラフィ処理を用いなければならないものではなく、
例えばＲＩＥまたはイオンミリング等によってフォトレ
ジスト膜を選択的にエッチングしてパターニングするよ
うにしてもよい。
【００５２】次に、上記の電極膜をシード層とする電解
めっき法により、開口部１３２ｘの領域に、例えばパー
マロイよりなるめっき膜を約０．５〜１．０μｍの厚み
で成長させたのち、フォトレジストパターン１３２ａを
除去する。これにより、図１０に示したように、めっき
膜よりなる第２のマスク３２ａが形成される。この第２
のマスク３２ａは、上部ポールチップ１２ａの平面形状
に対応する形状を有するものである。このとき、フォト
レジストパターン１３２ａは上記のように高精度に形成
されているので、第２のマスク３２ａを高精度に形成す
ることができる。このとき、第２のマスク３２ａのうち
の磁極部分に対応する極微小な一定幅部分も高精度に形
成される。ここで、第２のマスク３２ａが、本発明にお
けるめっき膜よりなる「金属膜パターン」としての「第
２のマスク」の一具体例に対応する。
【００５３】次に、第２のマスク３２ａを用いて、例え
ばＲＩＥによって第１のマスク前駆層１２２ａを選択的
にエッチングすることにより、図１１に示したように、
アルミナよりなる第１のマスク２２ａを形成する。この
エッチング処理により、第１のマスク前駆層１２２ａ
（図１１では図示せず）のうちの第２のマスク３２ａに
対応する部分以外の領域が選択的に除去されることとな
る。この第１のマスク２２ａは、第２のマスク３２ａと
同様に上部ポールチップ１２ａの平面形状に対応する形
状を有するものである。このとき、第１のマスク前駆層
１２２ａのうちの上記の領域がエッチングされると同時
に、第２のマスク３２ａ自体もエッチングされ、第２の
マスク３２ａの膜厚は減少することとなる。なお、第１
のマスク２２ａの形成が完了した時点で必ずしも第２の
マスク３２ａが残存している必要はなく、エッチング処
理中に第２のマスク３２ａが消失するようにしてもよ
い。
【００５４】ＲＩＥによるエッチング処理を行う際に
は、加工温度を５０°Ｃ〜３００°Ｃの範囲内とすると
共に、エッチング用ガスとして、塩素（Ｃｌ2 ），三塩
化ボロン（ＢＣｌ3 ）および塩化水素（ＨＣｌ）のうち
の少なくとも１に、水素（Ｈ２）、酸素（Ｏ２ ）、窒
素（Ｎ2 ）およびアルゴン（Ａｒ）などを添加したもの
を用いるのが好ましい。このような条件を採用すること
により、ＲＩＥによるエッチング処理を短時間で行うこ
とができる。特に、第１のマスク前駆層１２２ａをＲＩ
Ｅによりエッチングする際のエッチングガスとしては、
塩素および三塩化ボロンのうちの少なくとも１を含むよ
うにするのが好ましい。塩素および三塩化ボロンの双方
を用いる場合には、例えば、それぞれの供給量を約２０
〜４０ｍｌ／ｍｉｎ（ミリリットル毎分），６０〜８０
ｍｌ／ｍｉｎとするのが好ましい。また、例えば、エッ
チング時の圧力を約１００〜４００Ｐａとし、エッチン
グ時の出力を高周波の場合には約３０〜６０Ｗ、または
マイクロ波の場合には約１３００Ｗとするのが好まし
い。このような条件を用いた場合には、約２００ｎｍ／
ｍｉｎ程度の処理速度で第１のマスク前駆層１２２ａを
加工することができる。
【００５５】次に、第１のマスク２２ａを用いて上部ポ
ールチップ前駆層１１２ａをＲＩＥによって選択的にエ
ッチングすることにより、図４および図１２に示したよ
うに、窒化鉄よりなる上部ポールチップ１２ａを形成す
る。このエッチング処理により、上部ポールチップ前駆
層１１２ａ（図４および図１２では図示せず）のうちの
第１のマスク２２ａに対応する部分以外の領域（磁路接
続部１２ｂとなる部分を除く）が選択的に除去されるこ
ととなる。上部ポールチップ前駆層１１２ａをエッチン
グする際には、例えば、絶縁膜パターン１０および記録
ギャップ層１１のうちの上記の領域に対応する双方の一
部をもエッチングするようにする。なお、必ずしもこの
ような場合に限らず、エッチング条件を調整して、上部
ポールチップ前駆層１１２ａのみをエッチングするよう
にしてもよい。このとき、上部ポールチップ前駆層１１
２ａの形成材料として、窒化鉄やアモルファス合金（ジ
ルコニウムコバルト鉄合金）などを用いることにより、
ＲＩＥによるエッチング時において、非エッチング部分
の周壁にエッチング生成物が再付着することが回避され
る。このため、特に、上部ポールチップ１２ａの先端部
１２ａ(1) を高精度に形成することができる。
【００５６】ＲＩＥにより上部ポールチップ前駆層１１
２ａをエッチングする際には、特に、加工温度を１５０
°Ｃ〜２５０°Ｃの範囲内とするのが好ましい。また、
エッチングガスとして例えば塩素を用いる場合には、そ
の供給量を例えば１００〜２００ｍｌ／ｍｉｎとするの
が好ましい。なお、第２のマスク３２ａの場合と同様
に、上部ポールチップ１２ａの形成が完了した時点で第
１のマスク２２ａが残存するようにしてもよいし（図４
および図１２参照）、またはエッチング処理中において
消失するようにしてもよい。上記のような手法を用いる
ことにより、上部ポールチップ１２ａを高精度かつ短時
間で形成することができる。なお、上記した下部磁極９
の形成も上部ポールチップ１２ａの場合と同様の手法を
用いて行うようにすることにより、下部磁極９もまた高
精度かつ短時間で形成することができる。
【００５７】なお、磁路接続部１２ｂの形成もまた、第
１のマスク２２ａと同一の工程および材質によって形成
される他のマスク２２ｂ（図４参照）を用いて、上部ポ
ールチップ１２ａの場合と同様の手法により行う。
【００５８】次に、図５（Ｂ）および図１３を参照し
て、引き続き、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製
造方法について説明する。
【００５９】図５（Ｂ）および図１３に示したように、
例えば上部ポールチップ１２ａを形成した場合と同様の
条件により、第１のマスク２２ａと、絶縁膜パターン１
０の最前端の位置よりも後方の領域に選択的に形成した
図示しないフォトレジスト膜とをマスクとして、記録ギ
ャップ層１１および下部磁極９の双方の一部を約０．５
μｍ程度ＲＩＥにより選択的にエッチングする。このエ
ッチング処理により、記録ギャップ層１１および下部磁
極９のうちの、上部ポールチップ１２ａにおける先端部
１２ａ(1) の前方部分（絶縁膜パターン１０の最前端の
位置よりも前側の部分）に対応する部分以外の領域が選
択的に除去され、トリム構造を有する磁極部分１００が
形成される。この磁極部分１００は、上部ポールチップ
１２ａの先端部１２ａ(1) 、下部磁極９のうちの先端部
１２ａ(1) に対応する部分（９Ｆ）および双方に挟まれ
た記録ギャップ層１１の一部によって構成され、これら
の各部位は互いにほぼ同一の幅を有している。ＲＩＥに
よるエッチング処理を行うことにより、磁極部分１００
を高精度かつ短時間で形成することができる。特に、磁
極部分１００を形成するためにＲＩＥによるエッチング
処理を行う際には、例えば、塩素を２０〜４０ｍｌ／ｍ
ｉｎ程度および三塩化ボロンを６０〜８０ｍｌ／ｍｉｎ
程度含むエッチング用ガスを用いるようにするのが好ま
しい。
【００６０】なお、上記のＲＩＥによるエッチング処理
中に第１のマスク２２ａがエッチングされて消失したと
しても問題とはならない。このような場合には、上部ポ
ールチップ１２ａ自体が、その下層領域（記録ギャップ
層１１および下部磁極９）に対するエッチング用マスク
として機能するからである。ただし、エッチングによっ
て上部ポールチップ１２ａの膜厚が減少することとなる
ので、その減少分をあらかじめ見込んで膜厚を大きめに
しておくのが好ましい。ここで、部分９Ｆが、本発明に
おける「第２の一定幅部分」の一具体例に対応する。
【００６１】次に、図５（Ａ）に示したように、全体
に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１３を約０．３〜
０．５μｍの厚みで形成する。
【００６２】次に、同図に示したように、上部ポールチ
ップ１２ａの配設領域よりも後方の領域（磁路接続部１
２ｂの配設領域を除く）における平坦な絶縁膜１３上
に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）より
なる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１４
を約１．０〜２．０μｍの厚みで選択的に形成する。こ
の薄膜コイル１４は、例えば、後述する図１５に示した
ような渦巻状の平面構造を有するものである。なお、図
５（Ａ）では、薄膜コイル１４の一部分のみを図示して
いる。薄膜コイル１４を形成する際には、同時に、例え
ば、その内側の終端部における絶縁膜１３上に、コイル
接続部１４ｓを薄膜コイル１４と一体に形成する。この
コイル接続部１４ｓは、薄膜コイル１４と後工程におい
て形成されるコイル接続部１７ｓａ（図７（Ａ）参照）
とを電気的に接続させるためのものである。なお、薄膜
コイル１４を形成する際には、例えば、その最外周部分
における最前端が、絶縁膜パターン１０の最前端の位置
よりも約２．０〜３．０μｍ程度後方にずれて位置する
ようにする。ここで、第１層目の薄膜コイル１４が、本
発明における「第１の薄膜コイル層」の一具体例に対応
する。
【００６３】次に、同図に示したように、薄膜コイル１
４（コイル接続部１４ｓを含む）の各巻線間およびその
周辺に、加熱時に流動性を示す材料、例えばフォトレジ
ストなどの有機絶縁材料を用いて、絶縁膜１５を高精度
のフォトリソグラフィ処理により所定のパターンとなる
ように形成する。絶縁膜１５を形成する際には、フォト
レジストに対して例えば２００°Ｃ程度の温度で加熱処
理を施し、フォトレジストが流動して薄膜コイル１４の
各巻線間を隙間なく埋めつくすようにする。なお、絶縁
膜１５を形成する際には、絶縁膜１５が薄膜コイル１４
および薄膜コイル接続部１４ｓの双方の上面を覆わない
ようにしてもよいし（図５参照）、または覆うようにし
てもよい。
【００６４】次に、全体に、例えばスパッタリングによ
り、例えばアルミナ層を約３．０〜４．０μｍの厚みで
成膜して、上部ポールチップ１２ａ、磁路接続部１２
ｂ、薄膜コイル１４およびコイル接続部１４ｓ等によっ
て構成された凹凸構造領域を埋設したのち、図６に示し
たように、例えばＣＭＰ法によりアルミナ層の表面全体
を研磨して、薄膜コイル１４等を埋設する絶縁膜１６を
形成する。なお、この場合におけるアルミナの表面研磨
は、上部ポールチップ１２ａおよびコイル磁路接続部１
２ｂの双方が露出するまで行う。アルミナの表面研磨を
行う際には、例えば、研磨後の上部ポールチップ１２ａ
の厚みが約１．５〜２．５μｍとなるようにする。絶縁
膜１６の形成材料としてアルミナなどの無機絶縁材料を
用いることにより、フォトレジストなどの軟絶縁材料を
用いる場合とは異なり、ＣＭＰ研磨盤の研磨面が目詰ま
りを起こすことを防止できると共に、研磨後の表面をよ
り平滑に形成することができる。ここで、絶縁膜１５，
１６が、本発明における「第１の絶縁層部分」の一具体
例に対応する。
【００６５】次に、図７に示したように、例えばＲＩＥ
またはイオンミリングにより、コイル接続部１４ｓの上
方を覆っている絶縁膜１６を部分的にエッチングして、
コイル接続部１４ｓと後工程において形成されるコイル
接続部１７ｓａとを接続させるための開口部１６ｋを形
成する。
【００６６】次に、同図に示したように、薄膜コイル１
４の上方における平坦化された絶縁膜１６上に、第１層
目の薄膜コイル１４を形成した場合と同様の工程の電解
めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる第２層目の
薄膜コイル１７を約１．０〜２．０μｍの厚みで選択的
に形成する。この薄膜コイル１７は、薄膜コイル１４と
同様の平面構造を有するものである。薄膜コイル１７を
形成する際には、同時に、例えば、その内側の終端部に
おけるコイル接続部１４ｓ上にコイル接続部１７ｓａを
形成し、また、その外側の終端部における絶縁膜１６上
に配線接続部１７ｓｂを形成する。コイル接続部１７ｓ
ａおよび配線接続部１７ｓｂは、薄膜コイル１７と一体
をなすものである。薄膜コイル１４と薄膜コイル１７と
は、開口部１６ｋにおいて、コイル接続部１４ｓ，１７
ｓａを介して電気的に接続され、また配線接続部１７ｓ
ｂとも電気的に接続される。ここで、第２層目の薄膜コ
イル１７が、本発明における「第２の薄膜コイル層」の
一具体例に対応し、配線接続部１７ｓｂが、本発明にお
ける「第１の接続パターン」の一具体例に対応する。
【００６７】次に、同図に示したように、薄膜コイル１
７（コイル接続部１７ｓａおよび配線接続部１７ｓｂを
含む）の各巻線間およびその周辺に、絶縁膜１５の場合
と同様の材料および形成方法（加熱処理を含む）を用い
て絶縁膜１８を選択的に形成する。なお、絶縁膜１８を
形成する場合においても、絶縁膜１８が、薄膜コイル１
７、コイル接続部１７ｓａおよび配線接続部１７ｓｂの
各部位の上面を覆わないようにしてもよいし（図７参
照）、または覆うようにしてもよい。
【００６８】次に、同図に示したように、絶縁膜１６の
上方から上部ポールチップ１２ａの後端部１２ａ(2) の
上方にかけての領域における平坦面上に、例えば、上部
ポールチップ１２ａおよび磁路接続部１２ｂの場合と同
様の材料および形成方法を用いて、上部磁極１２の一部
を構成することとなる中間接続部１２ｃを約２．０〜
３．０μｍの厚みで選択的に形成する。この中間接続部
１２ｃは、例えば、後述する図１５に示したような平面
形状を有するものである。中間接続部１２ｃの構造的特
徴については、後述する。中間接続部１２ｃは、後端部
１２ａ(2) の一部と部分的にオーバーラップして接触
し、両者は磁気的に連結される。
【００６９】中間接続部１２ｃを形成する際には、同時
に、磁路接続部１２ｂ上に上部磁極１２の一部を構成す
ることとなる磁路接続部１２ｄを形成すると共に、配線
接続部１７ｓｂ上に中間接続パターン１２ｅを形成す
る。このとき、薄膜コイル１７は絶縁膜１８によって覆
われているので、中間接続部１２ｃ等の形成時における
エッチング処理等による薄膜コイル１７の損傷等が回避
されることとなる。中間接続パターン１２ｅは、薄膜コ
イル１４，１７と後工程において形成されるコイル接続
配線１２ｆｈ（図８参照）とを電気的に接続させるため
のものである。磁路接続部１２ｄおよび中間接続パター
ン１２ｅの材質および形成方法もまた、上部ポールチッ
プ１２ａ等の場合と同様である。中間接続部１２ｃ、磁
路接続部１２ｄおよび中間接続パターン１２ｅの形成方
法として、上部ポールチップ１２ａ等の場合と同様の手
法を用いることにより、上記の各部位を高精度かつ短時
間で形成することができる。なお、中間接続部１２ｃを
形成する際には、例えば、その最前端が、絶縁膜パター
ン１０の最前端の位置よりも約０．５〜１．０μｍ程度
後方にずれて位置するようにするのが好ましい。また、
例えば、中間接続部１２ｃの前側の端縁部が斜面をなす
ようにするのが好ましい。これにより、中間接続部１２
ｃの前側の端縁部はテーパを有することとなる。ここ
で、中間接続部１２ｃが、本発明における「第３の磁性
層部分」の一具体例に対応し、接続中間パターン１２ｅ
が、本発明における「第２の接続パターン」の一具体例
に対応する。また薄膜コイル１４，１７、コイル接続部
１４ｓ，１７ｓａ、配線接続部１７ｓｂおよび中間接続
パターン１２ｅが、本発明における「薄膜コイル部」の
一具体例に対応する。
【００７０】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層を約３．０〜４．０μｍの厚みで形成したのち、図
８に示したように、例えばＣＭＰ法によりこのアルミナ
絶縁層の表面全体を研磨して平坦化することにより、薄
膜コイル１７等を埋設する絶縁膜１９を形成する。な
お、この場合におけるアルミナ絶縁層の表面研磨は、中
間接続部１２ｃ、磁路接続部１２ｄおよび中間接続パタ
ーン１２ｅが露出するまで行う。ここで、絶縁膜１８，
１９が、本発明における「第２の絶縁層部分」の一具体
例に対応し、絶縁膜１５，１６，１８，１９が、本発明
における「絶縁層」の一具体例に対応する。
【００７１】次に、同図に示したように、平坦化された
領域のうち、磁路接続部１２ｄから中間接続部１２ｃに
かけての領域に、上部磁極１２の一部を構成することと
なる上部ヨーク１２ｆを約２．０〜３．０μｍの厚みで
選択的に形成する。この上部ヨーク１２ｆは、例えば、
後述する図１５に示したような平面形状を有するもので
あり、薄膜コイル１４，１７の上方領域に延在するヨー
ク部１２ｆ(1) と、ヨーク部１２ｆ(1) の前方において
中間接続部１２ｃの一部と部分的にオーバーラップする
ように延在する接続部１２ｆ(2) とを含んでいる。上部
ヨーク１２ｆの構造的特徴については、後述する。上部
ヨーク１２ｆは、その後方部分において、開口部１０ｋ
を通じて磁路接続部１２ｂ，１２ｄを介して下部磁極９
と磁気的に連結されると共に、その前方部分において、
中間接続部１２ｃを介して上部ポールチップ１２ａとも
磁気的に連結される。
【００７２】上部ヨーク１２ｆを形成する際には、同時
に、中間接続パターン１２ｅの上方から図示しない外部
回路にかけての領域にコイル接続配線１２ｆｈを形成す
る。このコイル接続配線１２ｆｈは、中間接続パターン
１２ｅと図示しない外部回路とを電気的に接続させるた
めのものである。上部ヨーク１２ｆおよびコイル接続配
線１２ｆｈの形成材料および形成方法は、上記した上部
ポールチップ１２ａ等の場合と同様である。このような
手法を用いることにより、上部ヨーク１２ｆおよびコイ
ル接続配線１２ｆｈもまた高精度かつ短時間で形成する
ことができる。なお、上部ヨーク１２ｆを形成する際に
は、例えば、その最前端が、中間接続部１２ｃの前側の
端縁面における上端の位置よりも後方にずれて位置する
ようにすると共に、その最後端の位置が、磁路接続部１
２ｂ，１２ｄの最後端の位置とほぼ一致するようにす
る。このときの接続部１２ｆ(2) 周辺における立体的構
造は、図１４に示したようになる。ここで、上部ヨーク
１２ｆが、本発明における「第２の磁性層部分」の一具
体例に対応し、コイル接続配線１２ｆｈが、本発明にお
ける「導電層パターン」の一具体例に対応する。また、
上部ポールチップ１２ａ、中間接続部１２ｃ、磁路接続
部１２ｂ，１２ｄおよび上部ヨーク１２ｆによって構成
される上部磁極１２が、本発明における「第１の磁性
層」の一具体例に対応する。
【００７３】次に、同図に示したように、全体を覆うよ
うに、例えばアルミナよりなるオーバーコート層２０を
形成する。最後に、機械加工や研磨工程により記録ヘッ
ドおよび再生ヘッドのエアベアリング面８０を形成し
て、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００７４】＜薄膜磁気ヘッドの構造＞次に、図１５を
参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造に
ついて説明する。
【００７５】図１５は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面
構造の概略を表すものである。なお、図１５では、絶縁
膜１５，１６，１８，１９およびオーバーコート層２０
等の図示を省略している。また、薄膜コイル１４，１７
については、その最外周部分のみを図示し、絶縁膜パタ
ーン１０については、その最外端のみを図示している。
図８（Ａ）は、図１５におけるＶＩＩＩＡ−ＶＩＩＩＡ
線に沿った矢視断面に相当する。なお、図１５中のＸ，
Ｙ，Ｚ軸方向に関するそれぞれの表記については、図１
〜図１４の場合と同様とする。
【００７６】図１５に示したように、絶縁膜パターン１
０の最前端の位置は、スロートハイト（ＴＨ）を決定す
る際の基準となる位置、すなわちスロートハイトゼロ位
置（ＴＨ０位置）である。スロートハイト（ＴＨ）は、
絶縁膜パターン１０の最前端の位置（ＴＨ０位置）から
エアベアリング面８０までの長さとして規定される。ま
た、図１５中における「ＭＲＨ０位置」は、ＭＲ膜５の
最後端の位置、すなわちＭＲハイトゼロ位置を表してい
る。ＭＲハイト（ＭＲＨ）は、ＭＲハイトゼロ位置から
エアベアリング面８０までの長さである。スロートハイ
トゼロ位置（ＴＨ０位置）とＭＲハイトゼロ位置（ＭＲ
Ｈ０位置）とは、例えば、ほぼ一致している。
【００７７】上部磁極１２は、例えば、それぞれ別個に
形成された上部ポールチップ１２ａ、中間接続部１２
ｃ、磁路接続部１２ｂ，１２ｄおよび上部ヨーク１２ｆ
によって構成されている。すなわち、上部磁極１２は、
これらの各部位の集合体である。
【００７８】上部ヨーク１２ｆは、薄膜コイル１４，１
７で発生した磁束を収容するたの大きな面積を有するヨ
ーク部１２ｆ(1) と、ヨーク部１２ｆ(1) よりも小さい
一定幅を有する接続部１２ｆ(2) とを含んでいる。ヨー
ク部１２ｆ(1) の幅は、例えば、その後方部においては
ほぼ一定であり、その前方部においてはエアベアリング
面８０に近づくにつれて徐々に狭まるようになってい
る。また、接続部１２ｆ(2) の幅は、例えば、後述する
中間接続部１２ｃの幅よりも大きくなっている。ただ
し、必ずしもこのような場合に限らず、例えば、前者の
幅が後者の幅よりも小さくなるようにしてもよい。
【００７９】中間接続部１２ｃは、例えば、矩形状の平
面形状を有するものであり、その幅は、後述する上部ポ
ールチップ１２ａにおける後端部１２ａ(2) の幅よりも
大きくなっている。ただし、前者の幅が後者の幅よりも
小さくなるようにしてもよい。
【００８０】上部ポールチップ１２ａは、例えば、エア
ベアリング面８０から順に先端部１２ａ(1) および後端
部１２ａ(2) を含んでおり、両者は矩形状の平面形状を
有するものである。先端部１２ａ(1) は、その全域にわ
たってほぼ一定な幅を有し、この幅は記録時の記録トラ
ック幅を画定するものである。後端部１２ａ(2) の幅
は、先端部１２ａ(1) の幅よりも大きくなっている。す
なわち、先端部１２ａ(1) と後端部１２ａ(2) との連結
部分には、幅方向の段差が形成されている。
【００８１】上部ポールチップ１２ａの段差部における
後端部１２ａ(2) 側の段差面１２ａｄは、例えば、ＴＨ
０位置（またはＭＲＨ０位置）の位置よりも後方にずれ
て位置している。中間接続部１２ｃの前側の端縁面１２
ｃｔは、例えば、段差面１２ａｄの位置よりも後方にず
れて位置し、上部ヨーク１２ｆの前側の端縁面１２ｆｔ
は、例えば、端縁面１２ｃｔの位置よりも後方にずれて
位置している。すなわち、中間接続部１２ｃおよび上部
ヨーク１２ｆは、共にエアベアリング面８０から離れて
位置するように配設されている。なお、中間接続部１２
ｃおよび上部ヨーク１２ｆの配設位置は、必ずしも上記
のような場合に限らず、例えば、端縁面１２ｃｔの位置
が段差面１２ａｄの位置と一致するようにしてもよい
し、または端縁面１２ｃｔおよび端縁面１２ｆｔの双方
の位置が段差面１２ａｄの位置と一致するようにしても
よい。上部ヨーク１２ｆ、中間接続部１２ｃおよび上部
ポールチップ１２ａの各幅方向の中心は互いに一致して
いる。
【００８２】上部ポールチップ１２ａにおける先端部１
２ａ(1) の側縁面と段差面１２ａｄとが交わるコーナー
部における角度γは、例えば９０度である。なお、この
コーナー部の角度γは必ずしもこれに限られるものでは
なく、例えば９０度ないし１２０度の範囲内となるよう
にするのが好適である。角度γを上記の範囲内とするこ
とにより、後端部１２ａ(2) から先端部１２ａ(1) に流
入する磁束の流れを円滑化することができるためであ
る。上部ポールチップ１２ａが上記のような構造的特徴
を有するようにするためには、上部ポールチップ１２ａ
を形成する際に用いられる第１のマスク２２ａ（図１１
参照）のうちの、上記のコーナー部に対応する部分が同
様の角度を有するようにすることで可能となる。
【００８３】図８（Ａ）、図１４および図１５に示した
ように、上部ヨーク１２ｆの前側の一部は、中間接続部
１２ｃの一部と部分的にオーバーラップして磁気的に連
結され、また中間接続部１２ｃの一部もまた、上部ポー
ルチップ１２ａの後端部１２ａ(2) の一部と部分的にオ
ーバーラップして磁気的に連結されている。一方、図８
（Ａ）および図１５に示したように、上部ヨーク１２ｆ
の後方の一部は、開口部１０ｋにおいて、磁路接続部１
２ｂ，１２ｄを介して下部磁極９とも磁気的に連結され
ている。すなわち、上部磁極１２（上部ポールチップ１
２ａ，中間接続部１２ｃ，磁路接続部１２ｂ，１２ｄ，
上部ヨーク１２ｆ）と下部磁極９とが接続されることに
より、磁束の伝搬経路、すなわち磁路が形成されてい
る。
【００８４】図１５に示したように、薄膜コイル１ 4，
１７は、共に渦巻状の平面形状を有する巻線体である。
薄膜コイル１４の内側の終端部および外側の終端部に
は、それぞれコイル接続部１４ｓおよび端子１４ｘが形
成されている。両者は、薄膜コイル１４と一体をなすも
のである。薄膜コイル１７の内側の終端部および外側の
終端部には、それぞれコイル接続部１７ｓａおよび配線
接続部１７ｓｂが形成されている。両者は、共に薄膜コ
イル１７と一体をなすものである。薄膜コイル１４，１
７は、コイル接続部１４ｓ，１７ｓａを介して電気的に
接続されている。また、コイル接続部１７ｓｂ上には中
間接続パターン１２ｅが形成されており、薄膜コイル１
４，１７とコイル接続配線１２ｆｈとは、コイル接続部
１７ｓｂおよび中間接続パターン１２ｅを介して電気的
に接続されている。端子１４ｘおよびコイル接続配線１
２ｆｈの後端部（図示せず）は、共に図示しない外部回
路に接続されており、この外部回路によって薄膜コイル
１ 4，１７を通電させることができるようになってい
る。
【００８５】＜薄膜磁気ヘッドの作用＞次に、図８
（Ａ）、図１４および図１５を参照して、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドの作用について説明する。
【００８６】ここでは、薄膜磁気ヘッドの基本的動作、
すなわち、記録媒体に対するデータの記録動作および記
録媒体からのデータの再生動作について簡単に説明す
る。
【００８７】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
情報の記録動作時に図示しない外部回路を通じて薄膜コ
イル１ 4，１７に電流が流れると、これに応じて磁束が
発生する。このとき発生した磁束は、上部ヨーク１２ｆ
内をヨーク部１２ｆ(1) から接続部１２ｆ(2) へ伝搬
し、上部ヨーク１２ｆと磁気的に連結されている中間接
続部１２ｃおよび上部ポールチップ１２ａの後端部１２
ａ(2) を経由して先端部１２ａ(1) へ伝搬する。先端部
１２ａ(1) へ伝搬した磁束は、さらにそのエアベアリン
グ面８０側の先端部分に到達し、記録ギャップ層１１近
傍の外部に記録用の信号磁界を発生させる。この信号磁
界により、磁気記録媒体を部分的に磁化して、情報を記
録することができる。
【００８８】一方、再生時においては、再生ヘッド部の
ＭＲ膜５にセンス電流を流す。ＭＲ膜５の抵抗値は、磁
気記録媒体からの再生信号磁界に応じて変化するので、
その抵抗変化をセンス電流の変化によって検出すること
により、磁気記録媒体に記録されている情報を読み出す
ことができる。
【００８９】＜薄膜磁気ヘッドの製造方法における作用
および効果＞次に、図９〜図１３を参照して、本実施の
形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における特徴的な
作用および効果を説明する。
【００９０】本実施の形態では、図９に示したように、
研磨処理によって平坦化された上部ポールチップ前駆層
１１２ａ上に第１のマスク前駆層１２２ａを形成するよ
うにしている。このため、上部ポールチップ前駆層１１
２ａの配設領域における下地が凹凸構造をなしていたと
しても、第１のマスク前駆層１２２ａの表面が平坦化す
る。この平坦化された第１のマスク前駆層１２２ａ上に
形成したフォトレジスト膜に対してフォトリソグラフィ
処理を施す場合には、露光工程において下地（第１のマ
スク前駆層１２２ａ）から斜め方向または横方向へ反射
する反射光がほとんど発生しないので、露光領域の拡張
または縮小を抑制することができる。また、第１のマス
ク前駆層１２２ａの形成材料として、比較的反射率の低
いアルミナなどの無機材料を用いるようにしたことか
ら、露光時における下地からの反射光の発生自体をも抑
制することもできる。したがって、特に、上部ポールチ
ップ１２ａの先端部１２ａ(1) に対応する極微小幅領域
１３２ｘ(1) が長さ方向および厚み方向において正確に
一定となるように、フォトレジストパターン１３２ａの
開口部１３２ｘを高精度に形成することができる。この
結果、第２のマスク３２ａ（図１０参照）および第１の
マスク２２ａ（図１１参照）をも同様に高精度に形成す
ることができ、最終的に、上部ポールチップ１２ａ（図
１２参照）の先端部１２ａ(1) を高精度に形成すること
ができる。
【００９１】また、本実施の形態では、図１２に示した
ように、第１のマスク２２ａを用いて上部ポールチップ
前駆層１１２ａ（図１２では図示せず。図１１参照。）
をＲＩＥにより選択的にエッチングしてパターニングす
ることにより上部ポールチップ１２ａを形成するように
している。このＲＩＥは、一般に、イオンミリングと比
べて加工速度が速い。また、ＲＩＥによるエッチングを
行う際には、特に、塩素系のガスを選択すると共に、加
工時の温度が５０°Ｃ〜３００°Ｃの範囲内となるよう
に調整して、エッチング時の化学反応の反応性が促進さ
れるようにエッチング条件を最適化している。このた
め、イオンミリングを用いる従来法の場合よりも、上部
ポールチップ１２ａを極めて短時間で形成することが可
能となる。このような作用および効果は、上部ポールチ
ップ１２ａを形成する場合と同様の手法によって他の磁
性層部分（下部磁極９，中間接続部１２ｃ，磁路接続部
１２ｂ，１２ｄ，上部ヨーク１２ｆ）や磁極部分１００
（図１３参照）などを形成する場合についても得られ
る。なお、上記のようにＲＩＥによって磁極部分１００
を形成することにより、先端部１２ａ(1) および９Ｆを
イオンミリングによって加工し、記録ギャップ層１１の
選択的除去をＲＩＥによって加工する場合よりも加工時
間を短縮することができる。
【００９２】さらに、本実施の形態では、上部ポールチ
ップ前駆層１１２ａの形成材料として、窒化鉄やアモル
ファス合金（ジルコニウムコバルト鉄合金）などを用
い、これらの材料よりなる上部ポールチップ前駆層１１
２ａをＲＩＥによってエッチングすることにより、上部
ポールチップ１２ａを高精度に形成することができる。
このような作用および効果は、同様の材料および手法を
用いて上部ポールチップ１２ａ以外の他の磁性層部分を
形成する場合についても得られる。特に、パーマロイよ
りなるめっき膜をイオンミリングによって加工する従来
法において生じていた、エッチング生成物の再付着によ
る非エッチング部分の幅の部分的な拡張または過剰エッ
チングによる非エッチング部分の幅の部分的な縮小など
が回避される。この結果、図１３に示したように、磁極
部分１００の磁極幅が厚み方向および長さ方向の全域に
わたって一定となるようにすることができる。
【００９３】以上のように、本実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法によれば、上部ポールチップ前駆層
１１２ａを形成したのち、その表面を研磨して平坦化す
るようにしたので、第２のマスク３２ａおよび第１のマ
スク２２ａの形成精度を高めることができ、最終的に上
部ポールチップ１２ａを高精度に形成することができ
る。
【００９４】また、本実施の形態では、第１のマスク前
駆層１２２ａの形成材料として、アルミナなどの比較的
反射率の低い無機材料を用いるようにしたので、フォト
レジストパターン１３２ａを形成するためのフォトリソ
グラフィ工程における下地（第１のマスク前駆層１２２
ａ）からの反射光の発生自体をも抑制することができ
る。この点でも、開口部１３２ｘの形成の高精度化に寄
与することとなる。
【００９５】また、本実施の形態では、薄膜磁気ヘッド
を構成する各磁性層部分（下部磁極９，上部ポールチッ
プ１２ａ，中間接続部１２ｃ，磁路接続部１２ｂ，１２
ｄ，上部ヨーク１２ｆ等）をＲＩＥにより適切な条件下
で形成するようにしたので、従来のイオンミリングを用
いる場合よりも、形成に要する時間を短縮することがで
きる。このような利点は、ＲＩＥにより第１のマスク２
２ａおよびトリム構造を有する磁極部分１００を形成す
る場合においても同様であり、結果として、薄膜磁気ヘ
ッド全体の製造に要する所要時間を大幅に短縮すること
ができる。
【００９６】また、本実施の形態では、上記の磁性材層
の形成材料として、窒化鉄やアモルファス合金（ジルコ
ニウムコバルト鉄合金）などを用いるようにしたので、
ＲＩＥ工程におけるエッチング生成物の再付着が少なく
て済み、各磁性層部分を高精度に形成することができ
る。特に、上部ポールチップ１２ａの先端部１２ａ(1)
を含む磁極部分１００の磁極幅が全域にわたって一定と
なるようにすることができるため、安定した記録特性を
得ることができると共に、記録密度を高めるための磁極
幅の狭小化にも対応することができる。
【００９７】また、本実施の形態では、上部ポールチッ
プ前駆層１１２ａをパターニングするための第１のマス
ク２２ａの形成材料として、エッチング速度の遅いアル
ミナなどの無機材料を用いるようにしたので、第１のマ
スク２２ａの形成材料としてエッチング速度の速いフォ
トレジスト膜などの軟材料を用いる場合よりも、第１の
マスク２２ａ自体の被エッチング量を低減させることが
でき、結果として、最終的に形成される上部ポールチッ
プ１２ａの厚みの目減りを低減させることが可能とな
る。このような効果は、アルミナよりなる他のマスク２
２ｂ等を用いて形成される磁路接続部１２ｂ等について
も同様である。
【００９８】また、本実施の形態では、第１のマスク２
２ａの形成もまたＲＩＥによって行うようにしたので、
イオンミリングを用いる場合よりも、第１のマスク２２
ａの形成に要する所要時間を短縮することができる。こ
の点でも、薄膜磁気ヘッド全体の製造時間の短縮に寄与
することとなる。
【００９９】また、本実施の形態では、図７に示したよ
うに、配線接続部１７ｓｂ上に中間接続パターン１２ｅ
を配設して、中間接続パターン１２ｅの上面位置が、中
間接続部１２ｃおよ磁路接続部１２ｄの双方の上面の位
置よりも高くなるようにしたので、これらの各部位をア
ルミナによって覆ったのち、絶縁膜１９を形成するため
にアルミナの表面を研磨したときに、中間接続部１２ｃ
およ磁路接続部１２ｄの双方と共に中間接続パターン１
２ｅをも露出させることができる。このため、中間接続
パターン１２ｅを形成しない場合とは異なり、配線接続
部１７ｓｂとコイル接続配線１２ｆｈとを接続させるた
めに、絶縁膜１９の一部を除去して開口部を形成する工
程が不要となる。しかも、中間接続パターン１２ｅは、
中間接続部１２ｃおよび磁路接続部１２ｄと同一工程に
よって形成されるので、中間接続パターン１２ｅを形成
するために新たな工程を必要としない。したがって、製
造工程数を削減することができる。
【０１００】また、本実施の形態では、薄膜コイル１４
（コイル接続部１４ｓを含む）および薄膜コイル１７
（コイル接続部１７ｓａおよびコイル接続配線１７ｓｂ
を含む）の双方の各巻線間を埋め込む絶縁膜１５，１８
の形成材料として、加熱時に流動性を示すフォトレジス
トなどの有機絶縁材料を用いるようにしたので、加熱時
に流動性を示さないアルミナなどの無機絶縁材料を用い
る場合とは異なり、薄膜コイル１４，１７等の各巻線間
を隙間なく埋めつくすことができ、確実に絶縁すること
ができる。
【０１０１】また、本実施の形態では、図４および図１
２に示したように、上部ポールチップ１２ａを形成する
ために、上部ポールチップ前駆層１１２ａをＲＩＥによ
って選択的にエッチングする際に、絶縁膜パターン１０
および記録ギャップ層１１の双方の一部もエッチングす
るようにしたので、薄膜コイル１４の配設領域の表面の
位置が上部ポールチップ１２ａの後端部１２ａ(2) の下
面の位置よりも低くなる。このため、薄膜コイル１４の
上方には十分な厚みを有する絶縁膜１６が存在すること
となるので、薄膜コイル１４と後工程において形成され
る薄膜コイル１７との間を確実に絶縁することができ
る。
【０１０２】また、本実施の形態では、第１のマスク２
２ａのうちの、上部ポールチップ１２ａにおける先端部
１２ａ(1) の側縁面と段差面１２ａｄとが交わるコーナ
ー部に対応する部分の角度が９０度ないし１２０度の範
囲内となるようにしたので、形成される上部ポールチッ
プ１２ａのコーナー部γもまた同範囲内となるようにす
ることができる。このため、上部ポールチップ１２ａの
後端部１２ａ(2) から先端部１２ａ(1) へ向かう磁束の
流れを円滑化することができる。
【０１０３】また、本実施の形態では、絶縁膜パターン
１０の前端縁部近傍が斜面をなすようにしたので、この
斜面部の上方領域における上部ポールチップ１２ａ内の
磁束の流れを円滑化することができる。
【０１０４】また、本実施の形態では、中間接続部１２
ｃの前側の端縁面が斜面をなすようにしたので、中間接
続部１２ｃから上部ポールチップ１２ａへ流入する磁束
の流れを円滑化することができる。
【０１０５】なお、本実施の形態では、薄膜磁気ヘッド
を構成する各磁性層部分を形成するための磁性材層の形
成材料として、窒化鉄やアモルファス合金（ジルコニウ
ムコバルト鉄合金）などを用いるようにしたが、これら
の材料の他、例えばパーマロイなどを用いるようにして
もよい。ただし、磁性材層の形成材料としてパーマロイ
を用いる場合には、その組成中におけるニッケル（Ｎ
ｉ）の割合を例えば４５％以下とするのが好ましい。こ
のように組成中におけるニッケルの割合を減少させるこ
とにより、ＲＩＥによるエッチング処理時におけるエッ
チング生成物の再付着を防止することができる。
【０１０６】また、本実施の形態では、第１のマスク前
駆層１２２ａの形成方法としてスパッタリングを用いる
ようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、
例えばＣＶＤ（Chemical vapor deposition ）法、特
に、ＬＰ（Low pressure）―ＣＶＤ法を用いるのが好適
である。このような方法を用いることにより、第１のマ
スク前駆層１２２ａがより緻密に形成され、エッチング
時における被エッチング速度を低減させることができる
からである。
【０１０７】また、本実施の形態では、下部シールド層
３および上部シールド層７の形成に電解めっき法を用い
るようにしたが、必ずしもこれに限られるものではな
く、例えば、双方またはいずれか一方の部位の形成にス
パッタリングを用いるようにしてもよい。このような場
合における形成材料としては、上記したパーマロイの
他、窒化鉄を用いるようにしてもよい。このように、上
部ポールチップ１２ａ等の場合と同様の手法を用いるこ
とにより、各部位を高精度かつ短時間で形成することが
でき、この点でも薄膜磁気ヘッド全体の製造時間の短縮
に寄与することとなる。
【０１０８】また、本実施の形態では、上部シールド層
７および下部磁極９を別体として形成し、両者の間に絶
縁膜８を配設するようにしたが、必ずしもこれに限られ
るものではなく、例えば、両者の間に絶縁膜８を配設し
ないようにしてもよい。このような場合には、上部シー
ルド層７および下部磁極９を一体として形成し、単層と
なるようにしてもよい。
【０１０９】また、本実施の形態では、磁極部分１００
を構成する上部ポールチップ１２ａの先端部１２ａ(1)
および下部磁極９の部分９Ｆを連続的に形成するように
したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば
部分９Ｆを下部磁極９の形成直後に形成するようにして
もよい。
【０１１０】また、本実施の形態では、絶縁膜１５，１
８の形成材料としてフォトレジストを用いるようにした
が、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、フ
ォトレジストと同様に加熱時に流動性を示すポリイミド
樹脂やＳＯＧ（Spin on glass ）などを用いるようにし
てもよい。
【０１１１】また、本実施の形態では、記録ギャップ層
１１の形成材料としてアルミナを用い、またその形成手
法としてスパッタリングを用いるようにしたが、必ずし
もこれに限られるものではない。記録ギャップ層１１の
形成材料としては、アルミナの他、例えば窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）、シリコン酸化物、シリコン窒化物など
の無機絶縁材料を用いるようにしてもよいし、またはタ
ンタル（Ｔａ），チタンタングステン（ＷＴｉ），窒化
チタン（ＴｉＮ）などの非磁性金属を用いるようにして
もよい。また、記録ギャップ層１１の形成方法として
は、スパッタリングの他、ＣＶＤ（Chemical Vapor Dep
osition ）法を用いるようにしてもよい。このような方
法を用いて記録ギャップ層１１を形成することにより、
ギャップ層内にピンホールなどが含有されることを抑制
できるので、記録ギャップ層１１を介する磁束の漏れを
回避することができる。このような効果は、特に、記録
ギャップ層１１の厚みを薄くした場合に有益である。
【０１１２】また、本実施の形態では、薄膜コイル１
４，１７のそれぞれの内側の終端部にコイル接続部１４
ｓ，１７ｓａを配設し、薄膜コイル１７の外側の終端部
に配線接続部１７ｓｂを配設するようにしたが、必ずし
もこれに限られるものではなく、例えば、上記の部位の
配設位置を前者については内側から外側へ、また後者に
ついては外側から内側へと変更するようにしてもよい。
このような場合には、配線接続部１７ｓｂの配設位置の
変更と共に、中間接続パターン１２ｅおよびコイル接続
配線１２ｆｈの配設位置も同様に変更するようにするの
が好適である。
【０１１３】＜変形例１−１＞また、本実施の形態で
は、図１３に示したように、上部ポールチップ１２ａの
先端部１２ａ(1) と後端部１２ａ(2) との連結位置が絶
縁膜パターン１０の最前端の位置よりも後方にずれるよ
うにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例
えば、図１６に示したように、上記の連結位置が前方に
ずれるようにしてもよい。このような場合には、先端部
１２ａ(1) の長さを短くできると共に、先端部１２ａ
(1) よりも大きい磁気ボリュームを有する後端部１２ａ
(2) をよりエアベアリング面側（図１６における手前
側）に近づけることができるので、オーバーライト特性
を向上させることができる。なお、図１６において、上
記の点以外の上部ポールチップ１２ａ等の構造的特徴
は、図１３に示した場合と同様である。
【０１１４】＜変形例１−２＞また、本実施の形態で
は、上部ヨーク（１２ｆ）が窒化鉄の単層構造からなる
場合について説明したが、必ずしもこれに限られるもの
ではなく、例えば図１７に示したように、上部ヨーク
が、例えば窒化鉄などの高飽和磁束密度材層９１と、例
えばアルミナなどの無機絶縁材層９２とが交互に積層さ
れた構造よりなる（２１２ｆ）ようにしてもよい。上部
ヨークをこのような構造とすることにより、磁路におけ
る渦電流の発生を防止し、高周波特性を向上させること
ができる。なお、上記の高飽和磁束密度材層９１および
無機絶縁材層９２の双方の形成もＲＩＥによって行うこ
とにより、形成時間を短縮することができる。なお、図
１７において、上部ヨーク２１２ｆ以外の部分は、上記
の図８の場合と同様である。
【０１１５】また、本実施の形態では、第２のマスク
（３２ａ）を電解めっき法によってめっき膜として形成
するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではな
い。以下では、図１８〜図２１を参照して、電解めっき
法以外の方法を用いて第２のマスクを形成する場合につ
いて説明する。なお、図１８〜図２１において、図９に
示した構成要素と同一の部分には同一の符号を付し、そ
れらの部分の説明を適宜省略するものとする。
【０１１６】＜変形例１―３＞図１８および図１９は、
本実施の形態の第３の変形例を説明するためのものであ
る。本変形例では、まず、図１８に示したように、第１
のマスク前駆層１２２ａ上に、例えばスパッタリングに
より、例えば窒化鉄よりなる第２のマスク前駆層１４２
ａを形成する。次に、第２のマスク前駆層１４２ａ上の
所定の位置に、例えばフォトレジスト膜よりなる第３の
マスク５２ａを配設し、これをエッチングマスクとし
て、例えばＲＩＥまたはイオンミリングによって第２の
マスク前駆層１４２ａを選択的にエッチングすることに
より、図１９に示したように第２のマスク４２ａを形成
する。このときの第３のマスク５２ａは、上部ポールチ
ップ１２ａの平面形状に対応する形状を有するものであ
る。第２のマスク４２ａの形成以降の工程は、上記実施
の形態の場合と同様であるので、その説明を省略する。
このような第２のマスク４２ａを用いた場合において
も、上記実施の形態の場合と同様の効果を得ることがで
きる。なお、第２のマスク前駆層１４２ａの形成材料と
しては、窒化鉄以外の金属（例えばパーマロイなど）を
用いるようにしてもよい。このような場合には、パーマ
ロイなどを電解めっき法によって全面にめっき成長させ
て第２のマスク前駆層１４２ａを形成するようにしても
よい。ここで、第２のマスク前駆層１４２ａが、本発明
における「金属層」の一具体例に対応し、第２のマスク
４２ａが、本発明における金属層の選択的エッチングに
よって形成される「金属膜パターン」としての「第２の
マスク」の一具体例に対応する。
【０１１７】＜変形例１−４＞図２０および図２１は、
本実施の形態の第４の変形例を説明するためのものであ
る。本変形例では、まず、図２０に示したように、第１
のマスク前駆層１２２ａ上に、例えばフォトレジスト膜
よりなる第２の前駆層前駆層１６２ａを形成する。次
に、第２のマスク前駆層１６２ａ上の所定の位置に第３
のマスク７２ａを配設し、これをエッチングマスクとし
て、例えばＲＩＥまたはイオンミリングによって第２の
マスク前駆層１６２ａを選択的にエッチングしてパター
ニングすることにより、図２１に示したように第２のマ
スク６２ａを形成する。このときの第３のマスク７２ａ
は、上部ポールチップ１２ａの平面形状に対応する形状
を有するものである。第２のマスク６２ａの形成以降の
工程は、上記実施の形態の場合と同様であるので、その
説明を省略する。このような第２のマスク６２ａを用い
た場合においても、上記実施の形態の場合と同様の効果
を得ることができる。なお、第２のマスク前駆層１６２
ａをパターニングする場合には、必ずしもエッチング処
理を用いなければならないものではなく、例えばフォト
リソグラフィ処理を用いるようにしてもよい。ここで、
第２のマスク６２ａが、本発明における「フォトレジス
ト膜パターン」としての「第２のマスク」の一具体例に
対応する。
【０１１８】＜変形例１−５＞上記の実施の形態では、
図５（Ｂ）および図１３に示したように、磁極部分１０
０をＲＩＥによるエッチング処理のみによって形成する
ようにしたが、必ずしもこれに限られるものではない。
このような手法を用いた場合の形成可能な最小磁極幅は
０．３μｍ程度が限界であり、磁極幅を０．３μｍより
小さくしようとすると磁極部分１００の加工精度が大き
く低下してしまう。０．３μｍ以下の磁極幅（磁極部分
１００Ｐ）を実現する方法としては、例えば、図２２〜
図２４に示したように、ＲＩＥおよびＦＩＢ（Focused
Ion Beam）の双方によるエッチング処理を併用する方法
が有効である。ここで、図２２は、エッチング時におけ
る磁極部分１００Ｐおよびその周辺領域の平面構造を拡
大して表すものであり、図２３は、エッチング処理後の
磁極部分１００Ｐおよびその周辺領域の断面構造を表す
ものであり、図２４は、エッチング処理後の磁極部分１
００Ｐおよびその周辺領域の斜視構造を拡大して表すも
のである。これらの各図は、上記実施の形態における図
１２に示した工程に続く工程を表すものであり、各図中
において、上記実施の形態における図１２に示した構成
要素と同一部分には同一の符号を付すものとする。ま
た、各図中におけるＸ，Ｙ，Ｚ軸のそれぞれの方向に関
する記載は上記実施の形態の場合と同様である。なお、
図２２では、上部ポールチップ１２ａの後端部１２ａ
（2)の一部と先端部１２ａ(1) のみを図示し、それ以外
の図示を省略している。図２３は、図２２におけるＸＸ
ＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿った矢視断面に相当する。
【０１１９】ＲＩＥおよびＦＩＢの双方によるエッチン
グ処理を併用して磁極部分１００Ｐを形成する際には、
まず、ＲＩＥによるエッチング処理によって上部ポール
チップ１２ａ（先端部１２ａ(1) の幅＝Ｗ１；Ｗ１≧
０．３μｍ）を形成する。次に、図２２に示したよう
に、例えば図中の領域６００内にＦＩＢによるエッチン
グ処理を施すことにより、先端部１２ａ(1) のうちの領
域６００に対応する部分を除去し、これと連続して記録
ギャップ層１１および下部磁極９の双方のうちの領域６
００に対応する部分も除去してトリム構造をなす磁極部
分１００Ｐを形成する。このようなエッチング処理によ
って形成された磁極部分１００Ｐは、図２３に示したよ
うに、Ｗ１より小さい幅Ｗ２（Ｗ２＜０．３μｍ）を有
することとなり、すなわち磁極幅をさらに狭小化させる
ことができる。しかも、その幅は、厚み方向および長さ
方向の全域にわたってより高精度に一定となる。
【０１２０】このとき、領域６００に対応する領域にお
ける記録ギャップ層１１および下部磁極９の双方は部分
的に深く掘り下げされ、特に、下部磁極９には、例えば
Ｖ字型の断面構造を有する溝部１００Ｍが形成されるこ
ととなる。ＦＩＢによるエッチング処理を行う際には、
下部磁極９の最表面部における溝部１００Ｍの幅Ｗ３が
約１μｍ以上となるようにするのが好適である。溝部１
００Ｍの幅Ｗ３を約１μｍ以上とすることにより、下部
磁極９の一部（部分９Ｓ）の影響による記録時における
サイドイレーズの発生を防止するためである。このとき
の立体的構造は、図２４に示したようになる。このた
め、高精度に磁極幅が狭小化されることにより、より高
密度かつ安定した記録特性を得ることが可能となる。な
お、ＲＩＥおよびＦＩＢの双方によるエッチング処理を
併用する場合には、ＲＩＥによって磁極幅Ｗ１を有する
磁極部分１００を形成したのち、ＦＩＢによって磁極幅
Ｗ２となるように狭小化するようにしてもよい。絶縁膜
１３の形成以降の工程は、上記実施の形態における図５
に示した同部位（絶縁膜１３）の形成以降の工程と同様
である。
【０１２１】［第２の実施の形態］次に、本発明の第２
の実施の形態について説明する。
【０１２２】まず、図２５〜図２９を参照して、本発明
の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法と
しての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。な
お、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、本実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によって具現化され
るので、以下併せて説明する。図２５〜図２７におい
て、（Ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、
（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示
している。図２８〜図２９は、主要な製造工程に対応す
る斜視図である。ここで、図２８は図２５に示した状態
に対応し、図２９は図２７に示した状態に対応する。た
だし、図２８では、図２５における絶縁膜３１等の図示
を省略し、図２９では、図２７における薄膜コイル３
２，絶縁膜３３，３４およびオーバーコート層３５等の
図示を省略している。なお、図２５〜図２９において、
各図中のＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に関する表記は、上記第１の
実施の形態の場合と同様とし、また各図中の上記第１の
実施の形態における構成要素と同一部分には同一の符号
を付すものとする。
【０１２３】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、図２５における上部ポールチップ１２ａ
および磁路接続部１２ｂを形成するところまでの工程
は、上記第１の実施の形態における図４に示した同工程
までと同様であるので、その説明を省略する。
【０１２４】本実施の形態では、上部ポールチップ１２
ａおよび磁路接続部１２ｂを形成したのち、図２５およ
び図２８に示したように、第１のマスク２２ａおよび他
のマスク２２ｂの双方をマスクとして、上記第１の実施
の形態において磁極部分１００を形成した場合と同様の
ＲＩＥによるドライエッチングを行うことにより、トリ
ム構造を有する磁極部分２００を形成する。このエッチ
ング処理により、双方のマスクに対応する部分以外の領
域における記録ギャップ層１１、絶縁膜パターン１０お
よび下部磁極９のそれぞれの一部が選択的に除去され、
特に、エッチング領域における下部磁極９の表面の位置
は非エッチング領域における表面の位置よりも低くな
る。このようなＲＩＥによるエッチング処理を用いるこ
とにより、イオンミリングを用いた場合よりも磁極部分
２００を高精度かつ短時間で形成することができる。磁
極部分２００は、上部ポールチップ１２ａの先端部１２
ａ (１) と、下部磁極９のうちの先端部１２ａ(1) に対
応する部分（９Ｚ）と、双方に挟まれた記録ギャップ層
１１および絶縁膜パターン１０のそれぞれの一部とによ
って構成され、これらの各部位は互いに同一の幅を有し
ている。なお、磁極部分２００を形成する際には例え
ば、下部磁極９が約０．３〜０．５μｍ程度エッチング
されるようにする。ここで、部分９Ｚが、本発明におけ
る「第２の一定幅部分」の一具体例に対応する。
【０１２５】次に、同図に示したように、例えばアルミ
ナよりなる絶縁膜３１を約０．３〜０．５μｍ程度の厚
みで形成する。
【０１２６】次に、図２６に示したように、上部ポール
チップ１２ａの配設領域よりも後方の領域（磁路接続部
１２ｂの配設領域を除く）における平坦な絶縁膜３１上
に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）より
なる誘導型の記録ヘッド用の薄膜コイル３２を約１．０
〜２．０μｍ程度の厚みで形成する。この薄膜コイル３
２は、例えば上記第１の実施の形態における薄膜コイル
１４と同様の構造的特徴を有するものである。薄膜コイ
ル３２を形成する際には、同時に、例えば、その内側の
終端部における絶縁膜３１上に、コイル接続部３２ｓを
薄膜コイル３２と一体に形成する。ここで、薄膜コイル
３２が、本発明における「第１の薄膜コイル層」に対応
し、薄膜コイル３２およびコイル接続部３２ｓが、本発
明における「薄膜コイル部」の一具体例に対応する。
【０１２７】次に、同図に示したように、薄膜コイル３
２（コイル接続部３２ｓを含む）の各巻線間およびその
周辺に、例えばフォトレジストよりなる絶縁膜３３を高
精度のフォトリソグラフィ処理により所定のパターンと
なるように形成する。なお、絶縁膜３３の形成方法（加
熱処理を含む）は、上記第１の実施の形態における絶縁
膜１５の場合と同様である。次に、全体に、例えばスパ
ッタリングにより、例えばアルミナを約３．０〜４．０
μｍの厚みで成膜したのち、上部ポールチップ１２ａお
よび磁路接続部１２ｂの双方が露出するまでアルミナの
表面全体を研磨して、薄膜コイル３２等を埋設する絶縁
膜３４を形成する。
【０１２８】次に、図２７に示したように、例えばＲＩ
Ｅまたはイオンミリングにより、コイル接続部３２ｓの
上方を覆っている絶縁膜３４の一部を部分的にエッチン
グして、コイル接続部３２ｓと後工程において形成され
るコイル接続配線４２ｆｈとを接続させるための開口部
３４ｋを形成する。
【０１２９】次に、図２７および図２９に示したよう
に、磁路接続部１２ｂの上方から上部ポールチップ１２
ａの後端部１２ａ(2) の上方にかけての領域に、上部磁
極４２の一部を構成することとなる上部ヨーク４２ｆを
約２．０〜３．０μｍ程度の厚みで選択的に形成する。
上部ヨーク４２ｆを形成する際には、同時に、開口部３
４ｋの上方から後方にかけての領域にコイル接続配線４
２ｆｈ（図２９では図示せず）を選択的に形成する。
【０１３０】上部ヨーク４２ｆおよびコイル接続配線４
２ｆｈの形成は、上記第１の実施の形態における上部ポ
ールチップ１２ａ等の場合と同様の手法を用いて行う。
すなわち、まず、スパッタリングによって窒化鉄層を全
面に成膜したのち、窒化鉄層の表面を例えばＣＭＰ法に
よって研磨して平坦化する。続いて、窒化鉄層の表面の
所定の位置に、例えばフレームめっき法によって形成さ
れためっき膜よりなるマスク（図２７では図示せず）を
配設して、所定の条件下においてＲＩＥにより窒化鉄層
をパターニングすることにより行う。このような手法を
用いることにより、上記のマスクを高精度に形成できる
と共に、上部ヨーク４２ｆおよびコイル接続配線４２ｆ
ｈを高精度かつ短時間で形成することができる。図２７
では、上部ヨーク４２ｆ等を形成するためのエッチング
処理によって、上記のマスク自体がエッチングされて消
失した場合を示している。上部ヨーク４２ｆは、例え
ば、後述する図３０に示したような平面形状を有するも
のである。上部ヨーク４２ｆの構造的特徴については、
後述する。なお、上部ヨーク４２ｆを形成する際には、
例えば、その最前端が、絶縁膜パターン１０の最前端の
位置（ＴＨ０位置）よりも約０．５〜１．０μｍ程度後
方にずれて位置するようにすると共に、少なくともその
前端部近傍がテーパを有するようにする。ここで、上部
ヨーク４２ｆが、本発明における「第２の磁性層部分」
の一具体例に対応し、上部ポールチップ１２ａ、磁路接
続部１２ｂおよび上部ヨーク４２ｆによって構成される
上部磁極４２が、本発明における「第１の磁性層」の一
具体例に対応する。
【０１３１】次に、図２７に示したように、全体を覆う
ようにして、例えばアルミナよりなるオーバーコート層
３５を形成したのち、機械加工や研磨工程によってエア
ベアリング面８０を形成して、本実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドが完成する。
【０１３２】図３０は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面
構造の概略を表すものである。図３０において、上記第
１の実施の形態における図１５に示した構成要素と同一
部分には同一の符号を付すものとする。なお、図３０で
は、絶縁膜３３，３４およびオーバーコート層３５等の
図示を省略している。また、薄膜コイル３２について
は、その最外周部分のみを図示している。図２７（Ａ）
は、図３０におけるＸＸＶＩＩＡ−ＸＸＶＩＩＡ線に沿
った矢視断面に相当する。
【０１３３】図３０に示したように、上部磁極４２は、
例えば、それぞれ別個に形成された上部ポールチップ１
２ａ、磁路接続部１２ｂおよびおよび上部ヨーク４２ｆ
によって構成されている。上部ヨーク４２ｆは、上記第
１の実施の形態における上部ヨーク１２ｆと同様の平面
形状を有するものであり、上部ヨーク１２ｆのヨーク部
１２ｆ(1) および接続部１２ｆ(2) のそれぞれに対応す
るヨーク部４２ｆ(1)および接続部４２ｆ(2) を含んで
いる。上部ヨーク４２ｆの前側の端縁面４２ｆｔは、例
えば、上部ポールチップ１２ａの段差面１２ａｄの位置
よりも後方にずれて位置している。
【０１３４】図２７（Ａ）、図２９および図３０に示し
たように、上部ヨーク４２ｆは、開口部１０ｋにおいて
磁路接続部１２ｂを介して下部磁極９と磁気的に連結さ
れると共に、上部ポールチップ１２ａの後端部１２ａ
(2) の一部とも部分的にオーバーラップして磁気的に連
結されている。すなわち、上部磁極４２（上部ポールチ
ップ１２ａ，磁路接続部１２ｂ，上部ヨーク４２ｆ）と
下部磁極９とが接続されることにより磁路が形成されて
いる。
【０１３５】図３０に示したように、薄膜コイル３２お
よびコイル接続部３２ｓは、上記第１の実施の形態にお
ける薄膜コイル１４およびコイル接続部１４ｓと同様の
構造的特徴を有するものである。薄膜コイル３２は、開
口部３４ｋにおいてコイル接続部３２ｓを介してコイル
接続配線４２ｆｈと電気的に接続されている。薄膜コイ
ル３２の外側の終端部３２ｘとコイル接続配線４２ｆｈ
の後方の一部（図示せず）とは図示しない外部回路に接
続されており、この外部回路を通じて薄膜コイル３２を
通電させることができるようになっている。
【０１３６】なお、図３０に示した上記以外の配設物に
関する構造的特徴は、上記第１の実施の形態の場合（図
１５）と同様である。
【０１３７】本実施の形態では、磁極部分２００を形成
するためのエッチング処理を行う際に、上部ポールチッ
プ１２ａの配設領域よりも後方の領域（磁路接続部１２
ｂの配設領域を除く）における下部磁極９の表層部の一
部もエッチングするようにしたので、薄膜コイル３２の
配設領域における下地（絶縁膜３１）の表面の位置を下
部磁極９の表面の位置よりも低くすることができる。こ
のときの薄膜コイル３２の配設領域における下地（絶縁
膜３１）の表面の位置は、上記第１の実施の形態におけ
る薄膜コイル１４の下地（絶縁膜１３）の表面の位置よ
りも低いため、薄膜コイル３２の上方により十分な厚み
の絶縁膜３４を確保することができ、より絶縁効果を高
めることができる。
【０１３８】また、本実施の形態では、上部ヨーク４２
ｆの前側の端縁面が斜面をなすようにしたので、上部ヨ
ーク４２ｆから上部ポールチップ１２ａへ流入する磁束
の流れを円滑化することができる。
【０１３９】なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法に関する上記以外の作用、効果および変形例
等は、上記第１の実施の形態の場合と同様であるので、
その説明を省略する。
【０１４０】なお、本実施の形態では、図２８に示した
ように、上部ポールチップ１２ａの先端部１２ａ(1) と
後端部１２ａ(2) との連結位置が絶縁膜パターン１０の
最前端の位置よりも後方にずれるようにしたが、必ずし
もこれに限られるものではなく、例えば、図３１に示し
たように、上記の連結位置が前方にずれるようにしても
よい。このような場合においても、上記第１の実施の形
態における変形例１−１の場合と同様の作用により、オ
ーバーライト特性を向上させることができる。なお、図
３１において、上記の点以外の上部ポールチップ１２ａ
等の構造的特徴は、図２８に示した場合と同様である。
【０１４１】また、本実施の形態では、ＲＩＥにより磁
極部分２００を形成するようにしたが、必ずしもこれに
限られるものではなく、例えば、上記第１の実施の形態
における変形例１−５で説明したように、ＲＩＥおよび
ＦＩＢを併用するようにしてもよい。
【０１４２】［第３の実施の形態］次に、本発明の第３
の実施の形態について説明する。
【０１４３】まず、図３２〜図３４を参照して、本発明
の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法と
しての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。な
お、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、本実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によって具現化され
るので、以下併せて説明する。図３２〜図３４におい
て、（Ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、
（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示
している。なお、図３２〜図３４において、各図中の
Ｘ，Ｙ，Ｚ軸方向に関する表記は、上記各実施の形態の
場合と同様とし、また各図中の上記各実施の形態におけ
る構成要素と同一部分には同一の符号を付すものとす
る。
【０１４４】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、図３２における絶縁膜８を形成するとこ
ろまでの工程は、上記第１の実施の形態における図１に
示した同工程までと同様であるので、その説明を省略す
る。
【０１４５】本実施の形態では、絶縁膜８を形成したの
ち、図３２に示したように、絶縁膜８上に、下部磁極９
の一部を構成することとなる下部磁性層９ａを約１．０
〜２．０μｍの厚みで形成する。次に、下部磁性層９ａ
上の前方の領域に、下部磁極９の一部を構成することと
なる下部ポールチップ９ｂを約１．５〜２．５μｍの厚
みで選択的に形成すると同時に、下部磁性層９上の後方
の領域に、下部磁極９の一部を構成することとなる下部
接続部９ｃを同様の厚みで選択的に形成する。下部磁性
層９ａ、下部ポールチップ９ｂおよび下部接続部９ｃの
形成方法としては、上記の第１の実施の形態における上
部ポールチップ１２ａの場合と同様の手法を用いるよう
にする。このような手法を用いることにより、下部磁極
９を構成する上記の各部位をエッチング処理によって形
成する際に用いられるマスク（図示せず）を高精度に形
成することができると共に、上記の各部位を高精度かつ
短時間で形成することができる。ここで、下部磁性層９
ａ、下部ポールチップ９ｂおよび下部接続部９ｃによっ
て構成される下部磁極９が、本発明における「第２の磁
性層」の一具体例に対応する。
【０１４６】次に、同図に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなる絶縁膜５１を約０．３〜０．５μｍ
の厚みで形成する。
【０１４７】次に、図３３に示したように、下部ポール
チップ９ｂの配設領域よりも後方の領域（下部接続部９
ｃの配設領域を除く）における平坦な絶縁膜５１上に、
例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる
誘導型の記録ヘッド用の薄膜コイル５２を約１．０〜
２．０μｍの厚みで選択的に形成する。薄膜コイル５２
を形成する際には、例えば、その内側の終端部に、コイ
ル接続部５２ｓを薄膜コイル５２と一体に形成する。次
に、薄膜コイル５２（コイル接続部５２ｓを含む）の各
巻線間およびその周辺に、例えばフォトレジストよりな
る絶縁膜５３を形成する。なお、絶縁膜５３の形成方法
（加熱処理を含む）は、上記第１の実施の形態における
絶縁膜１５の場合と同様である。次に、全体に、例えば
アルミナを約３．０〜４．０μｍの厚みで形成したの
ち、下部ポールチップ９ｂおよび下部接続部９ｃが露出
するまでアルミナの表面全体を例えばＣＭＰ法によって
研磨して、薄膜コイル５２等を埋設する絶縁膜５４を形
成する。ここで、薄膜コイル５２が、本発明における
「第１の薄膜コイル層」の一具体例に対応し、絶縁膜５
３，５４が、本発明における「第１の絶縁層部分」の一
具体例に対応する。
【０１４８】次に、図３４に示したように、全体に、例
えばスパッタリングによって例えばアルミナを約０．５
〜１．０μｍの厚みで成膜したのち、このアルミナ層を
例えばＲＩＥによってエッチングしてパターニングする
ことにより、絶縁膜パターン５５を選択的に形成する。
このエッチング処理により、アルミナ層のうちの前側の
領域の一部と下部接続部９ｃの上方領域とが選択的に除
去され、特に、後者の領域には、下部接続部９ｃと後工
程において形成される上部磁極５７とを接続させるため
の開口部５５ｋが形成されることとなる。この絶縁膜パ
ターン５５は、上記第１の実施の形態における絶縁膜パ
ターン１０と同様に、スロートハイトゼロ位置（ＴＨ０
位置）を規定するためのものである。絶縁膜パターン５
５の配設領域、構造的特徴および形成方法の詳細等は、
絶縁膜パターン１０の場合と同様である。
【０１４９】次に、同図に示したように、全体に、例え
ばスパッタリングにより、例えばアルミナよりなる記録
ギャップ層５６を約０．１５〜０．２μｍの厚みで形成
する。記録ギャップ層５６を形成する際には、先工程に
おいて形成された開口部５５ｋがアルミナによって覆わ
れないようにする。ここで、記録ギャップ層５６が、本
発明における「ギャップ層」の一具体例に対応する。
【０１５０】次に、同図に示したように、コイル接続部
５２ｓの上方における記録ギャップ層５６、絶縁膜パタ
ーン５５および絶縁膜５４のそれぞれの一部を例えばＲ
ＩＥまたはイオンミリングによって選択的に除去して、
コイル接続部５２ｓと後工程において形成されるコイル
接続配線５７ｈとを接続させるための開口部５４ｋを形
成する。次に、下部接続部９ｃ上から後工程においてエ
アベアリング面８０（図中左側）となる側にかけての領
域に、上部磁極５７を約１．５〜３．０μｍ程度の厚み
で選択的に形成する。上部磁極５７を形成する際には、
同時に、開口部５４ｋの上方領域から後方にかけての領
域にコイル接続配線５７ｈを選択的に形成する。上部磁
極５７およびコイル接続配線５７ｈの形成は、上記第１
の実施の形態における上部ポールチップ１２ａ等の場合
と同様に、窒化鉄層を成膜して、その表面を平坦化した
のち、所定の条件下におけるＲＩＥによって窒化鉄層を
パターニングすることにより行う。このような手法を用
いることにより、上部磁極５７およびコイル接続配線５
７ｈをエッチング処理によって形成する際に用いられる
マスク（図示せず）を高精度に形成することができると
共に、上記の各部位を高精度かつ短時間で形成すること
ができる。上部磁極５７は、例えば、後述する図３５に
示したような平面形状を有するものであり、記録媒体上
の記録トラック幅を画定する先端部５７ａと、先端部５
７ａよりも大きな幅を有する中間部５７ｂと、中間部５
７ｂよりも大きな幅および面積を有するヨーク部５７ｃ
とを含んでいる。上部磁極５７の構造的特徴に関する詳
細については、後述する。ここで、上部磁極５７が、本
発明における「第１の磁性層」の一具体例に対応する。
【０１５１】次に、図３４（Ｂ）に示したように、上記
の第１の実施の形態において磁極部分１００を形成した
場合と同様のＲＩＥによるドライエッチングにより、記
録ギャップ層５６および下部ポールチップ９ｂを約０．
５μｍ程度エッチングして、トリム構造を有する磁極部
分３００を形成する。このようなＲＩＥによるエッチン
グ処理を用いることにより、イオンミリングなどを用い
た場合よりも磁極部分３００を高精度かつ短時間で形成
することができる。なお、このエッチング処理は、上部
磁極５７における先端部５７ａの最後端の位置よりも後
方に形成した図示しないフォトレジスト膜をマスクとし
て行う。磁極部分３００は、上部磁極５７の先端部５７
ａと、下部ポールチップ９ｂのうちの先端部５７ａに対
応する部分（９ｂＦ）と、双方に挟まれた記録ギャップ
層５６の一部分とによって構成され、これらの各部位は
互いにほぼ同一の幅を有している。ここで、先端部５７
ａが、本発明における「 第１の一定幅部分」 の一具体例
に対応し、部分９ｂＦが、本発明における「 第２の一定
幅部分」 の一具体例に対応する。
【０１５２】次に、図３４（Ａ）に示したように、全体
を覆うようにして、例えばアルミナよりなるオーバーコ
ート層５８を形成したのち、機械加工や研磨工程によっ
てエアベアリング面８０を形成して、本実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１５３】図３５は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面
構造の概略を表すものである。図３５において、上記第
２の実施の形態における図３０に示した構成要素と同一
部分には同一の符号を付すものとする。なお、図３５で
は、絶縁膜５３，５４、絶縁膜パターン５５オーバーコ
ート層５８等の図示を省略している。また、薄膜コイル
５２については、その最外周部分のみを図示し、絶縁膜
パターン５５については、その最外端のみを図示してい
る。図３４（Ａ）は、図３５におけるＸＸＸＩＶＡ−Ｘ
ＸＸＩＶＡ線に沿った矢視断面に相当する。
【０１５４】図３５に示したように、上部磁極５７は、
エアベアリング面８０から順に先端部５７ａ、中間部５
７ｂおよびヨーク部５７ｃを含み、これらの各部位は一
体化されている。先端部５７ａは、記録時における記録
媒体上の記録トラック幅を決定する部分であり、すなわ
ち先端部５７ａの幅がトラック幅を画定することとな
る。中間部５７ｂの幅は先端部５７ａの幅よりも大き
く、ヨーク部５７ｃの幅は中間部５７ｂの幅よりも大き
くなっている。ヨーク部５７ｃは、上記第１の実施の形
態における上部ヨーク１２ｆのヨーク部１２ｆ(1) とほ
ぼ同様の構造を有するものである。先端部５７ａと中間
部５７ｂとの連結部分には幅方向の段差が形成されてお
り、この段差部における中間部５７ｂ側の段差面５７ｄ
は、ＴＨ０位置（またはＭＲＨ０位置）よりも後方にず
れて位置している。ただし、必ずしもこのような場合に
限らず、段差面５７ｄがＴＨ０位置（またはＭＲＨ０位
置）よりも前方にずれるようにしてもよいし、または双
方の位置が一致するようにしてもよい。
【０１５５】図３４（Ａ）および図３５に示したよう
に、上部磁極５７の後方の一部は、開口部５５ｋにおい
て、下部接続部９ｃを介して下部磁性層９ａおよび下部
ポールチップ９ｂと磁気的に連結されている。すなわ
ち、上部磁極５７と下部磁極９（下部磁性層９ａ，下部
ポールチップ９ｂ，下部接続部９ｃ）とが接続されるこ
とにより磁路が形成されている。なお、薄膜コイル５
２、コイル接続部５２ｓおよびコイル接続配線５７ｈ
は、上記第２の実施の形態において図３０に示した薄膜
コイル３２、コイル接続部３２ｓおよびコイル接続配線
４２ｆｈとそれぞれ同様の構造的特徴を有するものであ
る。
【０１５６】なお、図３５に示した上記以外の配設物に
関する構造的特徴は、上記第２の実施の形態の場合（図
３０）と同様である。
【０１５７】本実施の形態では、上部磁極５７の各部位
（先端部５７ａ，中間部５７ｂ，ヨーク部５７ｃ）を一
体として形成するようにしたので、上記の各実施の形態
において上部磁極１２（第１の実施の形態）または上部
磁極４２（第２の実施の形態）の各部位を別体として形
成した場合よりも、製造工程を簡略化することができ
る。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法に関する上記以外の作用、効果および変形例等は、上
記の各実施の形態の場合と同様であるので、その説明を
省略する。
【０１５８】なお、本実施の形態では、下部ポールチッ
プ９ｂおよび磁路接続部９ｃが露出した時点で絶縁膜５
４の表面研磨を終了するようにしたが、必ずしもこれに
限られるものではなく、例えば、両者の他に薄膜コイル
５２が露出するまで行うようにしてもよい。この時点で
薄膜コイル５２が露出したとしても、後工程において、
薄膜コイル５２の上方には絶縁膜パターン５５および記
録ギャップ層５６などの絶縁部位が配設されることとな
るので、薄膜コイル５２と上部磁極５７との間を絶縁す
ることができる。
【０１５９】また、本実施の形態では、ＲＩＥにより磁
極部分３００を形成するようにしたが、必ずしもこれに
限られるものではなく、例えば、上記第１の実施の形態
における変形例１−５で説明したように、ＲＩＥおよび
ＦＩＢを併用するようにしてもよい。
【０１６０】以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発
明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。例えば、上記の各実施
の形態では、上部ポールチップ１２ａ等を形成するため
の前駆層（窒化鉄層）を形成したのち、この前駆層の表
面を研磨して平坦化するようにしたが、必ずしもこれに
限られるものではなく、前駆層の形成領域における下地
が平坦である場合には、上記の研磨処理は行わなくても
よい。
【０１６１】また、上記の各実施の形態では、形成精度
および形成速度を向上させるために、薄膜磁気ヘッドを
構成する各磁性層部分をＲＩＥによる窒化鉄層の選択エ
ッチングにより形成することを推奨しているが、これを
すべての磁性層部分について適用しなければならないも
のではない。例えば、各磁性層部分の一部を電解めっき
法によってパーマロイ等を材料として用いて形成するよ
うにしてもよい。ただし、高い形成精度が必要とされる
部位、すなわち磁極部分を構成することとなる部位（第
１，第２の実施の形態では上部ポールチップ１２ａおよ
び下部磁極９，第２の実施の形態では上部磁極５７およ
び下部ポールチップ９ｂ）の形成は、少なくともＲＩＥ
による窒化鉄の選択エッチングによって行うようにする
のが好ましい。
【０１６２】また、上記の各実施の形態で示した上部磁
極を構成する各磁性層部分（上部ポールチップ１２ａ，
中間接続部１２ｃ，上部ヨーク１２ｆ，４２ｆ，上部磁
極５７等）の平面形状は、必ずしも図１５、図３０よび
図３５に示したものに限られるものではなく、薄膜コイ
ルで発生した磁束を先端部（１２ａ(1) または５７ａ）
の先端部分まで十分に供給し得る限り、自由に変更する
ことが可能である。
【０１６３】また、例えば、上記各実施の形態およびそ
の変形例では、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法につい
て説明したが、本発明は、書き込み用の誘導型磁気変換
素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや記録・再生兼
用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適
用することができる。また、本発明は、書き込み用の素
子と読み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄
膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【０１６４】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項３１のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法によれば、第１の磁性層を形成する工程および第２
の磁性層を形成する工程のうちの少なくとも一方の工程
が、磁性材層を成膜する工程と、磁性材層の表面を研磨
して平坦化する工程と、平坦化された磁性材層の上に第
１のマスクを形成する工程と、第１のマスクを用いて磁
性材層を反応性イオンエッチングにより加工する加工工
程とを含むようにしたので、磁性材層の形成領域におけ
る下地が凹凸構造を有する場合であっても、第１のマス
クを高精度に形成することができる。したがって、この
ような第１のマスクを用いて磁性材層を加工することに
より、第１の磁性層部分を高精度に形成することができ
るという効果を奏する。また、磁性材層の加工に反応性
イオンエッチングを用いることにより、イオンミリング
を用いる場合よりも、短時間での加工が可能となる。し
たがって、薄膜磁気ヘッド全体の製造に要する所要時間
を大幅に短縮することができる。
【０１６５】特に、請求項２または請求項３に記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１のマスクの形成
材料として、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウム
を含む材料よりなる無機材料を用いるようにしたので、
フォトレジスト膜などのエッチング速度の速い材料を用
いた場合よりも、第１の磁性層部分の厚みの目減りを低
減させることができるという効果を奏する。
【０１６６】また、請求項５記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、第１のマスクのうちの、第１の磁性層
部分のコーナー部に対応する部分における角度が９０度
ないし１２０度の範囲内となるようにしたので、形成さ
れる第１の磁性層部分の同箇所における角度もまた同様
の範囲内となるようにすることができるという効果を奏
する。このような構造的特徴を有する第１の磁性層部分
では、拡幅部分から第１の一定幅部分へ向かう磁束の流
れを円滑化することができる。
【０１６７】また、請求項７記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、マスク前駆層のパターニングを反応性
イオンエッチングによって行うようにしたので、第１の
マスクの形成に要する所要時間を短縮することができる
という効果を奏する。
【０１６８】また、請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、マスク前駆層のパターニングを５０°
Ｃないし３００°Ｃの範囲内の温度下において行うよう
にしたので、エッチング処理に要する時間を短縮するこ
とができるという効果を奏する。
【０１６９】また、請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、第１の磁性層の第１の一定幅部分の
形成と、ギャップ層のうちの第１の一定幅部分に対応す
る部分以外の領域の選択的除去と、第２の磁性層のうち
の第２の一定幅部分の形成とを同一工程内において連続
的に行うようにしたので、薄膜磁気ヘッド全体の製造に
要する所要時間を短縮することができるという効果を奏
する。
【０１７０】また、請求項２０記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、第２の磁性層部分が第１の磁性層部
分と部分的にオーバーラップするようにすると共に、そ
の記録媒体対向面に近い側の端縁が、記録媒体対向面の
位置から離れて位置するようにしたので、第２の磁性層
部分に起因するサイドイレーズの発生を回避することが
できるという効果を奏する。
【０１７１】また、請求項２２記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、第１の平坦面上に第２の磁性層部分
を形成するようにしたので、第２の磁性層部分を高精度
に形成することができるという効果を奏する。
【０１７２】また、請求項２３記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、第１の平坦面上に、第３の磁性層部
分を反応性イオンエッチングによって形成するようにし
たので、第３の磁性層部分を高精度かつ短時間で形成す
ることができるという効果を奏する。
【０１７３】また、請求項２４記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、第３の磁性層部分が、第１の磁性層
部分の一部および第２の磁性層部分の一部の双方とオー
バーラップするようにすると共に、その記録媒体対向面
に近い側の端縁面が記録媒体対向面の位置から離れて位
置するようにしたので、第３の磁性層部分に起因するサ
イドイレーズの発生を回避することができるという効果
を奏する。
【０１７４】また、請求項２５記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、第３の磁性層部分を形成すると同時
に、第１の接続パターン上に、薄膜コイル部の一部をな
す第２の接続パターンを形成する工程を含むようにした
ので、第１の接続パターン上に第２の接続パターンを形
成しない場合とは異なり、第２の接続パターンと導電層
パターンとを電気的に接続させるために絶縁層の一部を
除去して開口部分を形成する工程が不要となる。したが
って、製造工程数を削減することができるという効果を
奏する。
【０１７５】また、請求項２６記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、第２の平坦面上の他の一部分に第２
の磁性層部分を形成するようにしたので、この場合にお
いても、第２の磁性層部分の高精度に形成することがで
きるという効果を奏する。
【０１７６】また、請求項２７記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、第３の磁性層を反応性イオンエッチ
ングを用いたパターニングによって形成するようにした
ので、第３の磁性層を高精度かつ短時間で形成すること
ができ、薄膜磁気ヘッド全体の製造時間をさらに短縮す
ることができるという効果を奏する。
【０１７７】また、請求項２９または請求項３１に記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、磁性材料とし
て、窒化鉄を含む材料や、ジルコニウムコバルト鉄合金
を含む材料（アモルファス合金）を用いるようにしたの
で、磁性材層の形成材料としてパーマロイなどを用いる
場合よりも、磁性材層をＲＩＥによりエッチングする際
の再付着が少なくなり、高精度なパターニングが可能に
なるという効果を奏する。
【０１７８】また、請求項３３記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、加工工程を５０°Ｃないし３００°
Ｃの範囲内の温度下において行うようにしたので、エッ
チング処理に要する時間を短縮することができるという
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図９】図２に示した工程と図３に示した工程との間の
工程を説明するための斜視図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための斜視図であ
る。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための斜視図で
ある。
【図１２】図４に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
【図１３】図５に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
【図１４】図８に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
【図１５】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面構造を表す平面図である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの磁極部分周辺の変形例を表す斜視図である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの上部ヨークの変形例を表す断面図である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態における第２のマ
スクの形成方法の変形例を説明するための斜視図であ
る。
【図１９】図１８に続く工程を説明するための斜視図で
ある。
【図２０】本発明の第１の実施の形態における第２のマ
スクの形成方法の他の変形例を説明するための斜視図で
ある。
【図２１】図２０に続く工程を説明するための斜視図で
ある。
【図２２】磁極部分の形成方法の変形例を説明するため
の磁極部分周辺を拡大して表す平面図である。
【図２３】図２２に示した平面図に対応する断面図であ
る。
【図２４】図２３に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
【図２５】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
【図２６】図２５に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２７】図２６に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２８】図２５に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
【図２９】図２７に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
【図３０】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面構造を表す平面図である。
【図３１】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの磁極部分周辺の変形例を表す斜視図である。
【図３２】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
【図３３】図３２に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図３４】図３３に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
【図３５】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面構造を表す平面図である。
【図３６】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一工程を
説明するための断面図である。
【図３７】図３６に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図３８】図３７に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図３９】従来の薄膜磁気ヘッドの要部構造を表す断面
図である。
【図４０】図３９に示した薄膜磁気ヘッドにおける磁極
部分のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図であ
る。
【図４１】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す平面図で
ある。
【図４２】従来の薄膜磁気ヘッドの磁極部分を形成する
場合の問題点を説明するための磁極部分のエアベアリン
グ面に平行な断面を示す断面図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４，６…
シールドギャップ膜、５…ＭＲ膜、７…上部シールド
層、９…下部磁極、９ａ…下部磁性層、９ｂ…下部ポー
ルチップ、９ｃ…下部接続部、８，１３，１４，１６，
１８，１９，３１，３３，３４，５１，５３，５４…絶
縁膜、１０…絶縁膜パターン、１１…記録ギャップ層、
１０，５５…絶縁膜パターン、１２，４２，５７…上部
磁極、１２ａ…上部ポールチップ、１２ａ(1) ，５７ａ
…先端部、１２ａ(2) …拡幅部、１２ｂ，１２ｄ…磁路
接続部、１２ｃ…中間接続部、１２ｆ，４２ｆ，２１２
ｆ…上部ヨーク、１２ｆ(1) ，５７ｃ…ヨーク部、１２
ｆ(2) …接続部、１２ｅ…中間接続パターン、１２ｆ
ｈ，４２ｆｈ，５７ｈ…コイル接続配線、１４，１７，
３２，５２…薄膜コイル、１４ｓ，１７ｓａ，３２ｓ，
５２ｓ…コイル接続部、１７ｓｂ…配線接続部、２０，
３５，５８…オーバーコート層、２２ａ…第１のマス
ク、２２ｂ…他のマスク、３２ａ，４２ａ…第２のマス
ク、５２ａ，７２ａ…第３のマスク、５７ｂ…中間部、
８０…エアベアリング面、９１…高飽和磁束密度材層、
９２…無機絶縁材層、１００，２００，３００…磁極部
分、１１２ａ…上部ポールチップ前駆層，１２２ａ…第
１のマスク前駆層，１３２ａ…フォトレジストパター
ン、１４２ａ，１６２ａ…第２のマスク前駆層、ＴＨ…
スロートハイト、ＭＲＨ…ＭＲハイト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−119613（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−339223（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−37130（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−269748（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−44528（ＪＰ，Ａ) 特開2001−209908（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−312305（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/31

Claims (33)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 記録媒体に対向する記録媒体対向面側の
    一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を含
    む、互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２
    の磁性層と、２つの磁性層の間に絶縁層を介して配設さ
    れた薄膜コイル部とを有すると共に、前記第１の磁性層
    が、前記記録媒体対向面からこの面と離れる方向に延在
    すると共に前記記録媒体の記録トラック幅を画定する第
    １の一定幅部分を含む第１の磁性層部分と、前記薄膜コ
    イル部の配設領域に延在すると共に前記第１の磁性層部
    分に磁気的に連結された第２の磁性層部分とを有し、前
    記第２の磁性層が、前記第１の磁性層の前記第１の一定
    幅部分に対応する第２の一定幅部分を有する薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法であって、 前記第１の磁性層を形成する工程および前記第２の磁性
    層を形成する工程のうちの少なくとも一方の工程が、 磁性材層を成膜する工程と、 前記磁性材層の表面を研磨して平坦化する工程と、 平坦化された前記磁性材層の上に第１のマスクを形成す
    る工程と、 前記第１のマスクを用いて前記磁性材層を反応性イオン
    エッチングにより選択的にエッチングする加工工程とを
    含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  2. 【請求項２】 前記第１のマスクの形成材料として、無
    機材料を用いることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
  3. 【請求項３】 前記無機材料として、酸化アルミニウム
    または窒化アルミニウムを含む材料を用いることを特徴
    とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  4. 【請求項４】 前記第１のマスクの平面形状が、前記第
    １の磁性層部分のうちの少なくとも前記第１の一定幅部
    分の平面形状に対応する部分を含むように、前記第１の
    マスクを形成することを特徴とする請求項１ないし請求
    項３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  5. 【請求項５】 前記第１の磁性層部分が、さらに、前記
    第１の一定幅部分と磁気的に連結すると共に前記第１の
    一定幅部分の幅よりも大きな幅を有する拡幅部分を含
    み、前記第１の一定幅部分と前記拡幅部分との連結位置
    に幅方向の段差が形成され、かつ前記第１の一定幅部分
    の側縁面と前記段差における前記拡幅部分の段差面とが
    交わる部分にコーナー部が形成されている場合におい
    て、 前記第１のマスクの平面形状が前記拡幅部分の平面形状
    に対応する部分を含み、 前記第１のマスクのうちの、前記第１の磁性層部分の前
    記コーナー部に対応する部分における角度が９０度ない
    し１２０度の範囲内となるように、前記第１のマスクを
    形成することを特徴とする請求項１ないし請求項４のい
    ずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  6. 【請求項６】 前記第１のマスクを形成する工程は、 前記磁性材層の表面に無機材料よりなるマスク前駆層を
    形成する工程と、 前記マスク前駆層の表面に第２のマスクを形成する工程
    と、 前記第２のマスクを用いて前記マスク前駆層をパターニ
    ングして第１のマスクを形成する工程とを含むことを特
    徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  7. 【請求項７】 前記マスク前駆層のパターニングを反応
    性イオンエッチングにより行うことを特徴とする請求項
    ６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  8. 【請求項８】 前記マスク前駆層のパターニングを、塩
    素および三塩化ボロンのうちの少なくとも１を含むガス
    雰囲気中において行うことを特徴とする請求項７記載の
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  9. 【請求項９】 前記マスク前駆層のパターニングを、５
    ０°Ｃないし３００°Ｃの範囲内の温度下において行う
    ことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記マスク前駆層の表面に所定の形状
    を有する金属膜パターンを形成し、この金属膜パターン
    を前記第２のマスクとして用いることを特徴とする請求
    項６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記マスク前駆層の表面に選択的にめ
    っき膜を成長させることにより前記金属膜パターンを形
    成することを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記マスク前駆層の表面に金属層を形
    成し、この金属層を選択的にエッチングすることにより
    前記金属膜パターンを形成することを特徴とする請求項
    １０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記マスク前駆層の表面に所定の形状
    を有するフォトレジスト膜パターンを形成し、このフォ
    トレジスト膜パターンを前記第２のマスクとして用いる
    ことを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッドの製造
    方法。
  14. 【請求項１４】 前記加工工程によって前記第１の磁性
    層のうちの少なくとも前記第１の一定幅部分を形成する
    ことを特徴とする請求項１ないし請求項１３のいずれか
    １項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記加工工程によって前記第２の磁性
    層のうちの少なくとも前記第２の一定幅部分を形成する
    ことを特徴とする請求項１ないし請求項１４のいずれか
    １項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  16. 【請求項１６】 反応性イオンエッチングによって、前
    記ギャップ層のうちの前記第１の磁性層の前記第１の一
    定幅部分に対応する部分以外の領域を選択的に除去する
    ことを特徴とする請求項１４または請求項１５に記載の
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記第１の磁性層のうちの前記第１の
    一定幅部分の形成と、前記ギャップ層のうちの前記第１
    の一定幅部分に対応する部分以外の領域の選択的除去
    と、前記第２の磁性層のうちの前記第２の一定幅部分の
    形成とを連続的に行うことを特徴とする請求項１ないし
    請求項１６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
  18. 【請求項１８】 無機材料よりなる第１のマスクを用い
    て前記第１の磁性層のうちの前記第１の一定幅部分の形
    成を行うと共に、 前記第１のマスクおよび前記第１の一定幅部分のうちの
    少なくとも一方をエッチングマスクとして用いて、前記
    ギャップ層の選択的除去と前記第２の磁性層のうちの前
    記第２の一定幅部分の形成とを行うことを特徴とする請
    求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記第１の磁性層を形成する工程にお
    いて、 反応性イオンエッチングを用いてパターニングを行い、
    前記第２の磁性層部分を前記第１の磁性層部分とは別体
    として形成することを特徴とする請求項１ないし請求項
    １８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  20. 【請求項２０】 前記第２の磁性層部分が、前記第１の
    磁性層部分の一部と部分的にオーバーラップするように
    すると共に、その前記記録媒体対向面に近い側の端縁
    が、前記記録媒体対向面の位置から離れて位置するよう
    に、前記第２の磁性層部分を形成することを特徴とする
    請求項１９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記薄膜コイル部が第１の薄膜コイル
    を有し、前記絶縁層が、少なくとも前記第１の薄膜コイ
    ルを埋設する第１の絶縁層部分を有する場合において、 少なくとも前記第１の磁性層部分および前記第１の薄膜
    コイルを覆うように前記第１の絶縁層部分を形成する工
    程と、 少なくとも前記第１の磁性層部分が露出するまで前記第
    １の絶縁層部分の表面を研磨して第１の平坦面を形成す
    る工程とを含むことを特徴とする請求項１９または請求
    項２０に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  22. 【請求項２２】 前記第１の平坦面上に、露出した第１
    の磁性層部分と接触するように前記第２の磁性層部分を
    形成することを特徴とする請求項２１記載の薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
  23. 【請求項２３】 前記第１の磁性層が、さらに、前記第
    １の磁性層部分と前記第２の磁性層部分との間に、両者
    の間を磁気的に連結する第３の磁性層部分を含む場合に
    おいて、 前記第１の平坦面上に、前記第３の磁性層部分を反応性
    イオンエッチングによって形成することを特徴とする請
    求項２１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  24. 【請求項２４】 前記第３の磁性層部分が、前記第１の
    磁性層部分の一部および前記第２の磁性層部分の一部の
    双方とオーバーラップするようにすると共に、その前記
    記録媒体対向面に近い側の端縁が、前記記録媒体対向面
    の位置から離れて位置するように、前記第３の磁性層部
    分を形成することを特徴とする請求項２３記載の薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
  25. 【請求項２５】 前記薄膜コイル部が、さらに、前記第
    １の薄膜コイルと異なる階層に配設された第２の薄膜コ
    イルを有し、前記絶縁層が、さらに、少なくとも前記第
    ２の薄膜コイルを埋設する第２の絶縁層部分を有する場
    合において、 前記第１の平坦面上に、前記第２の薄膜コイルを形成す
    ると同時に、前記第２の薄膜コイルの端部に、前記薄膜
    コイル部の一部をなす第１の接続パターンを前記第２の
    薄膜コイルと一体をなすように形成する工程と、 前記第３の磁性層部分を形成すると同時に、前記第１の
    接続パターン上に、前記薄膜コイル部の一部をなす第２
    の接続パターンを形成する工程と、 少なくとも前記第３の磁性層部分、前記第２の薄膜コイ
    ルおよび前記第２の接続パターンを覆うように前記第２
    の絶縁層部分を形成する工程と、 少なくとも前記第３の絶縁層部分および前記第２の接続
    パターンの双方が露出するまで前記第２の絶縁層部分の
    表面を研磨して第２の平坦面を形成する工程と、 前記第２の平坦面上に、前記第２の接続パターンの露出
    面と電気的に接続するように導電層パターンを形成する
    工程とを含むことを特徴とする請求項２３または請求項
    ２４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  26. 【請求項２６】 前記第２の平坦面上に前記第２の磁性
    層部分を形成することを特徴とする請求項２５記載の薄
    膜磁気ヘッドの製造方法。
  27. 【請求項２７】 さらに、前記記録媒体対向面からこの
    面と離れる方向に延在する磁気変換機能素子膜と、この
    磁気変換機能素子膜を磁気的に遮蔽する第３の磁性層と
    を有する場合において、 前記第３の磁性層を反応性イオンエッチングを用いたパ
    ターニングによって形成することを特徴とする請求項１
    ないし請求項２６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
  28. 【請求項２８】 所定の磁性材料を用いて、スパッタリ
    ングによって前記磁性材層の成膜を行うことを特徴とす
    る請求項１ないし請求項２７のいずれか１項に記載の薄
    膜磁気ヘッドの製造方法。
  29. 【請求項２９】 前記磁性材料として窒化鉄を含む材料
    を用いることを特徴とする請求項２８記載の薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
  30. 【請求項３０】 前記磁性材料としてアモルファス合金
    を用いることを特徴とする請求項２８記載の薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
  31. 【請求項３１】 前記アモルファス合金としてジルコニ
    ウムコバルト鉄合金を含む材料を用いることを特徴とす
    る請求項３０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  32. 【請求項３２】 前記加工工程を、塩素、三塩化ボロン
    および塩化水素のうちの少なくとも１を含むガス雰囲気
    中において行うことを特徴とする請求項１ないし請求項
    ３１のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  33. 【請求項３３】 前記加工工程を、５０°Ｃないし３０
    ０°Ｃの範囲内の温度下において行うことを特徴とする
    請求項１ないし請求項３２のいずれか１項に記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
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