BE1007281A3

BE1007281A3 - Werkwijze voor het polijsten van een oppervlak van koper of een in hoofdzaak koper bevattende legering, magneetkop vervaardigbaar met gebruikmaking van de werkwijze, röntgenstralingcollimerend element en röntgenstralingreflecterend element, beide voorzien van een volgens de werkwijze gepolijst oppervlak en polijstmiddel geschikt voor toepassing in de werkwijze.

Info

Publication number: BE1007281A3
Application number: BE9300716A
Authority: BE
Inventors: Jan Haisma; Haas Peter W De; Boer Dirk K G De; Lambertus Postma; Den Hoogenhof Waltherus W Van
Original assignee: Philips Electronics Nv
Priority date: 1993-07-12
Filing date: 1993-07-12
Publication date: 1995-05-09
Also published as: HU9402034D0; MY111523A; TW346503B; DE69414480T2; HK1013093A1; HUT71054A; US5622525A; EP0634465B1; HU217664B; DE69414480D1; EP0634465A1; JPH0775943A; SG48408A1

Abstract

Werkwijze voor het polijsten van een oppervlak van koper of een in hoofdzaak koper bevattende legering, magneetkop vervaardigbaar met gebruikmaking van de werkwijze, röntgenstralingcollimerend element en röntgenstralingreflecterend element, beide voorzien van een volgens de werkwijze gepolijst oppervlak en polijstmiddel geschikt voor toepassing in de werkwijze. Werkwijze voor het polijsten van een oppervlak (5a) voor koper of een in hoofdzaak koper bevattende legering, waarbij een polijstmiddel onder uitoefening van een polijstdruk van ongeveer 500 gr/cm2 over het oppervlak wordt verplaatst voor het verkrijgen van een vlak, glad en defectvrij gepolijst oppervlak. Als polijstmiddel wordt een samenstelling, die een een colloïdale suspensie van SiO2 deeltjes met een tussen 20 en 50 nm liggende gemiddelde deeltjesgrootte in een alkali-oplossing bevattende polijstcomponent, gedemineraliseerd water en een chemische activator bevat, toegepast .

Description

Werkwijze voor het polijsten van een oppervlak van koper of een in hoofdzaak koper bevattende legering, magneetkop vervaardigbaar met gebruikmaking van de werkwijze, röntgenstralingcollimerend element en röntgenstralingreflecterend element, beide voorzien van een volgens de werkwijze gepolijst oppervlak en polijstmiddel geschikt voor toepassing in de werkwijze.

De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het polijsten van een oppervlak van koper of een in hoofdzaak koper bevattende legering, waarbij een polijstmiddel en het genoemde oppervlak onder uitoefening van een polijstdruk ten opzichte van elkaar worden verplaatst voor het verkrijgen van een gepolijst oppervlak.

Het is algemeen bekend, om een koperoppervlak op mechanische wijze te polijsten met behulp van polijstkorrels. Hoewel op die wijze in het algemeen een goede vlakheid bereikbaar is, vertoont het gepolijste oppervlak microscopisch gezien veel groeven en krassen. Voorts veroorzaakt mechanisch polijsten materiaalverstoringen onder het polijstoppervlak. Een mechanisch gepolijst oppervlak is voor veel toepassingen, zoals bijvoorbeeld direct bonding of hoogwaardige reflectoren, ongeschikt. Voorts zijn bij de vervaardiging van laagsgewijze opgebouwde high-tech produkten, zoals dunnefilm magneetkoppen, zeer vlakke en gladde, defectvrije polijstoppervlakken vereist.

De uitvinding beoogt een werkwijze voor het polijsten van een oppervlak van koper of een in hoofdzaak koper bevattende legering, waarbij een polijstmiddel onder uitoefening van een polijstdruk over het te polijsten oppervlak wordt verplaatst, aan te geven, waarmede een in hoge mate vlak, glad en defectvrij oppervlak kan worden bereikt.

De werkwijze volgens de uitvinding vertoont daartoe als kenmerk, dat als polijstmiddel een samenstelling, die een een colloïdale suspensie van Si02 deeltjes met een tussen 20 en 50 nm liggende gemiddelde deeltjesgrootte in een alkali-oplossing bevattende polijstcomponent, gedemineraliseerd water en een chemische activator bevat, wordt toegepast, terwijl een tussen 400 en 600 gr/cm2liggende polijstdruk wordt uitgeoefend met behulp van een een polijstmiddel absorberende polijstondergrond, die

een tussen Shore hardheid A van 40 en Shore hardheid D van 90 liggende hardheid heeft. De Shore hardheden A en D zijn gedefinieerd in DIN 53505.

Gebleken is, dat toepassing van de werkwijze volgens de uitvinding bij koper of in hoofdzaak koper bevattende legeringen, zoals messing of brons, in hoge mate vlakke en defectvrije polijstoppervlakken opleveren, waarbij oppervlakteruwheden R (rms, root means square) kleiner dan 2 nm bereikbaar zijn. Verondersteld wordt, dat de toegepaste deeltjes een optimale grootte en hardheid hebben om koper en koperlegeringen zonder beschadigingen van de materiaalstructuur te polijsten. De chemische activator dient om oxidatie te optimaliseren. In de werkwijze volgens de uitvinding spelen zowel fysische, chemische als mechanische parameters een rol. Daarbij is de polijstdruk een externe grootheid, waarmede de werkwijze gestuurd en geoptimaliseerd kan worden.

De genoemde polijstdruk geeft een optimaal resultaat, omdat een lagere druk het chemische aspect teveel bevoordeelt en een enigszins verruwd oppervlak geeft, en een hogere druk het mechanisch aspect te veel bevoordeelt, hetgeen op zijn beurt ook weer een meer verruwd oppervlak geeft. De polijstondergrond houdt tijdens het polijsten het polijstmiddel vast en zorgt daardoor onder andere voor een optimale bevochtiging van het te polijsten oppervlak. Bij voorkeur wordt gebruik gemaakt van een weefsel van organische vezels of een polijstdoek van geperste organische vezels. De hardheid van de polijstondergrond is uiterst belangrijk voor de optimalisatie van de werkwijze volgens de uitvinding.

Opgemerkt wordt, dat onder de merknaam Syton een middel om mechano-chemisch te polijsten bekend is, dat SiO nanodeeltjes in een basische oplossing bevat. Dit middel is op zieh zelf, dat wil zeggen zonder de genoemde toevoegingen zoals genoemd bij de omschrijving van de werkwijze volgens de uitvinding, niet geschikt om oppervlakken van koper of koperlegeringen nauwkeurig te polijsten. Het bovengenoemde middel is onder andere genoemd in US 3, 485, 608 (herewith incorporated by reference), waarin een methode voor het polijsten van siliciumplakken wordt beschreven.

Een uitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de uitvinding heeft het kenmerk, dat de polijstcomponent wordt samengesteld uit ongeveer 50 gewichtsprocenten SiQz deeltjes en ongeveer 50 gewichtsprocenten oplossing met een pH van ongeveer 10. De pH van ongeveer 10 wordt geregeld met de alkalische toevoeging waarvan de concentratie ongeveer 104 molair bedraagt.

Een uitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de uitvinding heeft het kenmerk, dat op 100 volume eenheden polijstcomponent 60 tot 100 volume-eenheden gedemineraliseerd water en 25 tot 50 volume-eenheden chemische activator worden toegepast. Bij relatief ductiele materialen, zoals koper, dient coaguleren van het polijstmiddel tijdens het polijsten te worden voorkomen, terwijl toch een chemische werking aanwezig moet zijn. De verdunningsgraad, zoals voorgesteld in de werkwijze volgens de uitvinding, beantwoordt hieraan. Het aspect van de chemische werking kan nog worden geoptimaliseerd.

Een uitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de uitvinding heeft het kenmerk, dat als chemische activator waterstofperoxide, een organische peroxide of een hypochloride wordt toegepast. Een dergelijke chemische activator verhoogt, bijvoorbeeld door oxidatie, de desorptie van het bij het polijsten vrijgekomen materiaal en doet dit materiaal in oplossing gaan. Dit in tegenstelling tot het zieh plaatselijk plastisch over het oppervlak vervormen van het materiaal zoals bij puur mechanisch polijsten het gebruikelijke verschijnsel is.

Een uitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de uitvinding heeft het kenmerk, dat wordt uitgegaan van een substraat, waarop een van het oppervlak van koper of een in hoofdzaak koper bevattende legering voorziene laag wordt gevormd.

Deze uitvoeringsvorm, waarbij de genoemde elektrisch geleidende laag gestructureerd kan zijn, is in het bijzonder geschikt voor toepassing in de fabricage van planair opgebouwde dunnefilm magneetkoppen, waarin hoge eisen betreffende gladheid, vlakheid en gesteldheid, in het bijzonder fysische gesteldheid, van gepolijste oppervlakken worden gesteld. In dunnefilm magneetkoppen komt in het algemeen een gestructureerde laag als schrijf- enlof testwinding voor. Met name in het geval van een schrijfwinding moet de laag een kleine weerstand hebben, bijvoorbeeld kleiner dan 1 Ohm. De werkwijze volgens de uitvinding maakt het mogelijk, om smalle, relatief dikke windingen toe te passen, waarbij de laag in het substraat wordt ingebed. Als substraat materiaal kan probleemloos een hard ferriet worden gebruikt.

Een uitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de uitvinding heeft het kenmerk, dat op het verkregen gepolijste oppervlak een niet-magnetische laag wordt gedeponeerd voor het vormen van een overdrachtsspleet van een magneetkop. Vanwege het aanwezige, nauwkeurige polijstoppervlak kan de niet-magnetische laag bij toepassing van de werkwijze volgens de uitvinding volkomen glad en zonder diktevariaties en

EMI4.1
derhalve van een nauwkeurig gedefinieerde dikte zijn. De dikte van de niet-magnetische laag is bepalend voor het schrijfgedrag van de vervaardigde magneetkop. Als materiaal voor de niet-magnetische laag kan bijvoorbeeld Si02 of ZrO toegepast, dat door PE-CVD respectievelijk sputteren kan worden gedeponeerd. Door toepassing van een verzonken geleider kan ook voor een kleine schrijfspleet de dikte van de nietmagnetische laag vrij worden gekozen.

Bij een niet-verzonken geleider moeten ten behoeve van goede stapbedekkingen, om kortsluitingen tussen de geleider en het magnetische juk van de magneetkop te voorkomen, dikke isolatielagen worden aangebracht, die later tijdens het vervaardigingsproces op een juiste dikte moeten worden teruggeetst, teneinde de gewenste schrijfspleet te kunnen realiseren.

De uitvinding heeft voorts betrekking op een magneetkop vervaardigbaar met gebruikmaking van de werkwijze volgens de uitvinding. De vervaardigde dunnefilm magneetkop kan een lees en/of zijn. In het geval van een leeskop is een hoge efficiency vereist. De werkwijze volgens de uitvinding maakt het mogelijk, om daartoe in een magnetisch substraat een uitsparing of groef aan te brengen. In de uitsparing wordt koper of een in hoofdzaak koper bevattende legering gedeponeerd voor het vormen van een elektrische geleider, waarna wordt geplanariseerd, waarbij gebruik wordt gemaakt van de werkwijze volgens de uitvinding voor het verkrijgen van een gepolijst oppervlak. In de aldus verkregen magneetkop ligt de elektrische geleider ingebed in het magnetische substraat.

De uitvinding heeft voorts betrekking op een röntgenstralingcollimerend element voorzien van een volgens de werkwijze volgens de uitvinding gepolijst oppervlak.

De uitvinding heeft voorts betrekking op een röntgenstralingreflecterend element voorzien van een volgens de werkwijze volgens de uitvinding gepolijst oppervlak. De genoemde elementen kunnen bijvoorbeeld gebruikt worden als stralingsdivergentiebeperkend element en kunnen fungeren als referentie voor oppervlakken. Het is derhalve van belang dat de genoemde elementen een zo goed mogelijk gedefinieerde oppervlaktekwaliteit hebben.

De uitvinding heeft verder betrekking op een polijstmiddel, dat geschikt is voor toepassing in de werkwijze volgens de uitvinding.

Het polijstmiddel volgens de uitvinding is gekenmerkt door de aanwezigheid van een een colloida1e suspensie van Si02 met een tussen 20 en 50 nm

liggende gemiddelde deeltjesgrootte in een alkali-oplossing bevattende polijstcomponent, gedemineraliseerd water en een chemische activator, waarbij op 100 volume-eenheden polijstcomponent 60 tot 100 volume-eenheden gedemineraliseerd water en 25 tot 50 volume-eenheden chemische activator aanwezig zijn. De alkali-oplossing kan KOH of NaOH zijn. Uit experimenten is gebleken, dat binnen de genoemde samenstellingsgrenzen van het polijstmiddel de oppervlakteruwheid van het gepolijste oppervlak binnen een limiet van 2 nm blijft. Voorts is gebleken dat het gepolijste oppervlak een gladheid heeft, waarmede direct bonding is te realiseren.

Een praktische uitvoeringsvorm van het polijstmiddel volgens de uitvinding heeft het kenmerk, dat de polijstcomponent ongeveer 50 gewichtsprocenten Six : deeltjes bevat, waarbij de oplossing een pH van nagenoeg 10 heeft.

Een uitvoeringsvorm van het polijstmiddel volgens de uitvinding heeft het kenmerk, dat de chemische activator een stof uit de door waterstofperoxide, organische peroxiden en hypochloriden gevormde groep is. Teneinde het chemisch aspect van deze werkwijze, te weten het oplossen van tijdens polijsten losgemaakte materiaal, te optimaliseren is toevoeging van deze chemische activator nodig.

De uitvinding zal nu, bij wijze van voorbeeld, nader worden toegelicht aan de hand van de tekening, waarin de Figuren 1 tot en met 8 een werkwijze voor het vervaardigen van een planaire magneetkop representeren, bij welke werkwijze gebruik wordt gemaakt van een uitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de uitvinding,
Figuur 9 een met de aangeduide werkwijze vervaardigd dunnefilm magneetkop volgens de uitvinding toont,
Figuur 10 schematisch een van een calibratie-sample voorziene inrichting voor röntgenanalyse bij scherende inval toont,
Figuur 11 schematisch een van een reflectie-element voorziene inrichting voor röntgenanalyse bij scherende inval toont,

Figuur 12 schematisch een van een ca1ibratie-sample voorziene inrichting voor röntgenstralingreflectiemetingen toont en
Figuur 13 schematisch een van een reflectie-element voorziene inrichting voor röntgenstralingrefletiemetingen toont.

Onder verwijzing naar de figuren 1 tot en met 8 zal een werkwijze voor het vervaardigen van een dunnefilm magneetkop, waarbij gebruik wordt gemaakt van een uitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de uitvinding, worden geschreven. De werkwijze gaat uit van een zacht-magnetisch substraat 1, in dit voorbeeld een ferriet, zoals NiZn ferriet, met een glad en vlak substraat oppervlak, waarop door achtereenvolgens depositie en structurering een masker 3, in dit voorbeeld een masker van nikkel, wordt gevormd. Het deponeren van nikkel kan daarbij langs galvanische weg plaatsvinden, terwijl voor het structureren van de laag een fotoresistlaag kan worden toegepast.

Door materiaalverwijdering, bijvoorbeeld door sputteretsen of reactief ionenetsen, wordt een groef of uitsparing la in het substraat 1 gevormd, waarna eventueel overgebleven delen van het masker 3 door bijvoorbeeld nat chemisch etsen worden verwijderd. Op het aldus gestructureerde substraat 1 wordt, bijvoorbeeld door sputteren, een koperlaag 5 aangebracht. Eventueel kan, ter verbetering van de hechting van koper aan het ferrietmateriaal, alvorens koper wordt aangebracht, een hechtlaag worden gevormd.

De laag 5 is voorzien van een van het substraat 1 afgekeerd koperoppervlak 5a, dat met behulp van de werkwijze volgens de uitvinding wordt gepolijst voor het verkrijgen van een als inductief overdrachtselement dienende winding 7 met een althans nagenoeg vlak, kras- en defectvrij oppervlak 7a. Daartoe wordt een uitvoeringsvorm van het polijstmiddel volgens de uitvinding toegepast, dat in dit voorbeeld 400 cc polijstcomponent, 400 ce gedemineraliseerd water en 160 ce waterstofperoxide bevat.

De polijstcomponent bevat 50. 4 gewichtsprocenten Si02 deeltjes in water waarin 10-4 molair van een base is toegevoegd. De deeltjes hebben een gemiddelde grootte van 36 nm. De pH is 10. 1. Het polijstmiddel wordt met behulp van een polijstondergrond van organische vezels over het oppervlak 5a verplaatst met een Shore hardheid D van ongeveer 35, onder het gelijktijdig uitoefenen van een polijstdruk van ongeveer 500 gr/cm2. Verrassenderwijze is gebleken, dat het verkregen gepolijste koperoppervlak 7a perfect aansluit op de aangrenzende oppervlaktedelen Ib van het substraat 1, waarbij hoogteverschillen kleiner dan 100 nm gemakkelijk gerealiseerd kunnen worden.

De oppervlakken Ib en 7a vormen samen een glad hoofdoppervlak 9, waarop een laag 11 van een niet-magnetische, elektrisch niet-geleidend materiaal wordt gevormd. Daartoe kan bijvoorbeeld kwarts met behulp van PE-CVD of zirconia door sputteren worden gedeponeerd. Hierbij is het van belang, dat de laag 11 een nauwkeuri-

ge uniforme laagdikte krijgt, daar een gedeelte van de laag 11 in de vervaardigde magneetkop als overdrachtsspleet lla (zie Fig. 9) fungeert.

In de gevormde laag 11 wordt met een op zieh bekende techniek, bijvoorbeeld chemisch etsen in het geval van een kwartslaag, een doorverbindingsopening 13 aangebracht. Daarna wordt met een op zieh bekende depositietechniek een zacht-magnetisch materiaal, bijvoorbeeld een NiFe legering of een CoZrNb legering, gedeponeerd voor het vormen van een fluxgeleidende laag 15. Vervolgens wordt de laag 15 gepolijst voor het vormen van een fluxgeleider 15a en kan door slijpen en/of polijsten een kopvlak 17 worden gevormd.

In figuur 9 is een met bovengenoemde werkwijze vervaardigde dunnefilm magneetkop getoond. Deze magneetkop omvat een in het substraat 1 verzonken liggend inductief element 7 van koper en is voorzien van een door het substraat 1 en de fluxgeleider 15a gevormd magnetisch juk en een niet-magnetische overdrachtsspleet lla.

Opgemerkt wordt, dat de werkwijze volgens de uitvinding niet is beperkt tot het gebruik in vervaardigingsprocessen voor magneetkoppen, doch geschikt is voor velerlei toepassingen, waar hoge eisen aan de gesteldheid van koperoppervlakken of oppervlakken van in hoofdzaak koper bevattende legeringen gesteld worden. De werkwijze kan bijvoorbeeld met succes worden toegepast bij het vervaardigen van spiegels met een spiegeloppervlak van koper of een koperlegering.

Dergelijke spiegels kunnen bijvoorbeeld als röntgenstralingcollimerend element, als dispersief element of als ca1ibratie-sample worden toegepast in X-ray reflectometers. Ter voorkoming van oxidatie kan het met behulp van de werkwijze volgens de uitvinding verkregen gepolijste oppervlak worden bedekt met een dun laagje, van bijvoorbeeld 30 nm, van een edelmetaal, zoals goud.

De in de figuren 10 en 11 schematisch getoonde inrichtingen hebben betrekking op röntgenanalyse bij scherende inval (Glancing-Incidence X-ray Analysis).

Met deze inrichtingen kunnen metingen uitgevoerd worden ter verkrijging van informatie over onder meer laagdikte, grensvlakruwheden, laterale ruwheidscorrelaties, samenstellingsprofielen en structuren van dunne lagen.

De in figuur 10 getoonde inrichting omvat een energie dispersieve spectrometer 50, een röntgenbuis 52 en transmissiespleten 54 voor het beperken van de divergentie van een op een calibratie-sample 56 vallende röntgenbundel. Het kantelbaar opgestelde sample 56 is voorzien van een volgens de werkwijze volgens de uitvinding

gepolijst oppervlak 56a.

De in figuur 11 getoonde inrichting omvat een energie-dispersieve spectrometer 60, een röntgenbuis 62, een transmissiespleet 64 en een vlakke of gekromde spiegel 65 voor een dispersieve bewerking van een op een kantelbaar sample 67 vallende röntgenbundel. De spiegel 65 is voorzien van een volgens de werkwijze volgens de uitvinding gepolijst koper-oppervlak 65a.

De in de figuren 12 en 13 getoonde inrichtingen zijn elk voorzien van een röntgenbuis 71 en een detector 73. De inrichting volgens figuur 12 is voorts voorzien van transmissie-spleten 75 voor het beperken van de divergentie van een op een kantelbare calibratie-sample 77 vallende röntgenstraling, en een spleet 78 vóór de detector, die de acceptatiehoek van de straling bepaalt. Het koperen sample 77 heeft een met de werkwijze volgens de uitvinding verkregen gepolijst oppervlak 77a. De inrichting volgens figuur 13 is voorzien van een spiegel 79 voor het dispersief bewerken van een op een sample 81 vallende straling. De spiegel 79 heeft een door toepassing van de werkwijze volgens de werkwijze verkregen oppervlak 79a.

Opgemerkt wordt, dat de elementen 65 en 79 in de figuren 11 en 13 zowel een reflecterend als collimerend karakter kunnen hebben, afhankelijk van de kromming van de elementen.

Opgemerkt wordt, dat de uitvinding niet is beperkt tot de getoonde uitvoeringsvormen. Zo zijn naast het eerder genoemde polijstvoorbeeld succesvolle experimenten uitgevoerd met andere uitvoeringsvormen van het polijstmiddel volgens de uitvinding. In deze experimenten bedroegen de volumeverhoudingen tussen polijstcomponent, gedemineraliseerd water en chemische activator respectievelijk 100 : 100 : 25, 100 : 60 : 50 en 100 : 60 : 40.

Claims

CONCLUSIES : 1. Werkwijze voor het polijsten van een oppervlak van koper of een in hoofdzaak koper bevattende legering, waarbij een polijstmiddel en het genoemde oppervlak onder uitoefening van een polijstdruk ten opzichte van elkaar worden verplaatst voor het verkrijgen van een gepolijst oppervlak, met het kenmerk, dat als polijstmiddel een samenstelling, die een een colloidale suspensie van Si02 deeltjes met een tussen 20 en 50 nm liggende gemiddelde deeltjesgrootte in een alkali-oplossing bevattende polijstcomponent, gedemineraliseerd water en een chemische activator bevat, wordt toegepast, terwijl een tussen 400 en 600 gr/cm2liggende polijstdruk wordt uitgeoefend met behulp van een een polijstmiddel absorberende polijstondergrond,

die een tussen Shore hardheid A van 40 en Shore hardheid D van 90 liggende hardheid heeft.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de polijstcomponent wordt samengesteld uit ongeveer 50 gewichtsprocenten SiO deeltjes en ongeveer 50 gewichtsprocenten oplossing met een pH van ongeveer 10.
3. Werkwijze volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat op 100 volume-eenheden polijstcomponent 60 tot 100 volume-eenheden gedemineraliseerd water en 25 tot 50 volume-eenheden chemische activator worden toegepast.
4. Werkwijze volgens conclusie 1, 2 of 3, met het kenmerk, dat als chemische activator waterstofperoxide, een organische peroxide of een hypochloride wordt toegepast.
5. Werkwijze volgens conclusie 1, 2,3 of 4, met het kenmerk, dat wordt uitgegaan van een substraat, waarop een van het oppervlak van koper of een in hoofdzaak koper bevattende legering voorziene laag wordt gevormd.
6. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat op het verkregen gepolijste oppervlak een niet-magnetische laag wordt gedeponeerd voor het vormen van een overdrachtsspleet van een magneetkop.
7. Magneetkop vervaardigbaar met gebruikmaking van de werkwijze volgens conclusie 6.
8. Magneetkop volgens conclusie 7, gekenmerkt door de aanwezigheid van een in een magnetisch substraat ingebedde elektrische geleider van koper of een legering daarvan.
9. Röntgenstralingcollimerend element voorzien van een volgens de <Desc/Clms Page number 10> werkwijze volgens een van de conclusies 1 tot en met 4 gepolijst oppervlak.
10. Röntgenstralingreflecterend element voorzien van een volgens de werkwijze volgens een van de conclusies 1 tot en met 4 gepolijst oppervlak.
11. Polijstmiddel, geschikt voor toepassing in de werkwijze volgens een van de conclusies 1 tot en met 6, gekenmerkt door de aanwezigheid van een een colloidale suspensie van SiO deeltjes met een tussen 20 en 50 nm liggende gemiddelde deeltjesgrootte in een alkali-oplossing bevattende polijstcomponent, gedemineraliseerd water en een chemische activator, waarbij op 100 volume-eenheden polijstcomponent 60 tot 100 volume-eenheden gedemineraliseerd water en 25 tot 50 volume-eenheden chemische activator aanwezig zijn.
12. Polijstmiddel volgens conclusie 11, met het kenmerk, dat van de polijstcomponent ongeveer 50 gewichtsprocenten SiOz deeltjes bevat, waarbij de oplossing een pH van nagenoeg 10 heeft.
13. Polijstmiddel volgens conclusie 11 of 12, met het kenmerk, dat de chemische activator een stof uit de door waterstofperoxide, organische peroxiden en hypochloriden gevormde groep is.