CN101151224A - 磁盘用玻璃衬底的制造方法和磁盘的制造方法 - Google Patents
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Abstract
在具有化学增强步骤的磁盘用玻璃衬底的制造方法中,提供玻璃衬底的表层部的压缩应力的分布变为均匀、防止头碰撞和热粗糙等问题、实现磁头的低飞行高度化、能进行高密度信息记录、适用于便携式信息设备的小型磁盘的磁盘用玻璃衬底。在化学增强步骤中具有:使玻璃衬底与含有离子半径比玻璃衬底中的离子还大的第一离子的第一处理液(化学增强处理液)接触的第一步骤;使板状玻璃与含有二价离子即第二以后的离子的处理液接触的第二以后的步骤,或者使玻璃衬底与含有与玻璃衬底中的离子的离子交换的速度比第一离子还快的第二以后的离子的第二以后的化学增强处理液接触并且使离子交换减速的第二以后的步骤。
Description
技术领域
本发明涉及构成作为磁盘装置即硬盘驱动器(HDD)等中所使用的磁盘的磁盘用玻璃衬底的制造方法和使用该磁盘用玻璃衬底的磁盘的制造方法。
背景技术
今天,伴随着信息记录技术,特别是所谓的磁记录技术,随着IT产业的发达,要求飞跃的技术革新。与磁带或软盘等其他磁记录媒体不同,在作为计算机用存储器使用的磁盘装置即硬盘驱动器(HDD)中搭载的磁盘中,信息记录密度正在持续地急速增大。能容纳在个人电脑装置中的硬盘驱动器的信息记录容量受到这样的磁盘的信息记录密度的增大的支持而飞跃地增加。
这种磁盘是在铝合金衬底或玻璃衬底等衬底上形成磁性层而构成的。在硬盘驱动器中,一边使磁头在高速旋转的磁盘上浮起飞行,一边通过该磁头把信息信号作为磁化图案记录在磁性层上、或进行再现。
近年,在这样的磁盘中,信息记录密度超过每1平方英寸40吉比特,还要实现超过每1平方英寸100吉比特的超高记录密度。能实现这样高的信息记录密度的近年的磁盘具有即使是比以往的软盘等磁盘小很多的盘面积,也能容纳足以实用的信息量的特征。
此外,这样的磁盘也具有以下的特征:与其它信息记录媒体相比,信息的记录速度或再现速度(响应速度)极其迅速,能进行信息的随时写入和读出。
关注这样的磁盘的各种特征的结果是在近年,要求在象所谓的移动电话、数字相机、便携式信息设备(例如,PDA(个人数字助理))、或者汽车导航系统等那样,外壳比个人电脑装置小很多、并且要求高响应速度的便携式设备中能搭载的小型的硬盘驱动器。
伴随着对在便携式设备中搭载硬盘驱动器(所谓的“移动用途”)的要求提高,作为磁盘用衬底,采用了由硬质材料的玻璃构成的玻璃衬底。因为与由软质材料的金属构成的衬底相比,玻璃衬底是高强度、高刚性的。
此外,在玻璃衬底中,能获得平滑的表面,所以能防止头碰撞和热粗糙(thermal asperity)等问题,并且能使一边在磁盘上浮动飞行一边进行记录再现的磁头的浮起量狭窄化(低飞行高度化),能获得高信息记录密度的磁盘。
可是,玻璃衬底也具有是脆性材料的一方面。因此,从以往就提出各种玻璃衬底的强化方法。例如,在专利文献1中,记载了如图3所示的把玻璃衬底101以给定时间浸渍在化学增强槽102中被加热到300℃左右的硝酸钠(NaNO3)或硝酸钾(KNO3)等硝酸盐溶液中,把玻璃衬底中的表层部的锂离子(Li+)置换为钠(Na+)离子或钾离子(K+),或者把玻璃衬底中的表层部的钠(Na+)离子置换为钾离子(K+),在两面的表层部形成压缩应力层,使这些压缩应力层之间成为拉伸应力层的化学增强处理。
此外,专利文献2中记载了防止化学增强步骤后产生的所谓的“烧伤”的方法。
须指出的是,“烧伤”一般是指在进行化学增强的玻璃衬底的表面附着水分,在该水分中混入空气中的二氧化碳而产生碳酸(H2CO3)时,玻璃衬底中的钠(Na+)离子和碳酸反应,生成碳酸钠、碳酸氢钠、碳酸钾等,而在表面形成凸部的现象。
在专利文献2中,记载了把玻璃衬底浸渍到只由硝酸钾(KNO3)构成的熔融盐溶液中后,浸渍到硝酸钠(NaNO3)和硝酸钾(KNO3)的混合熔融盐溶液中,从而抑制向玻璃表面的碱溶出量,获得化学耐久性高的玻璃衬底。
专利文献1:日本专利申请公开特开2002-121051公报
专利文献2:日本专利申请公开特开平7-223844号公报
发明内容
可是,在所述的化学增强步骤中,使玻璃衬底101跨给定时间浸渍在进行化学增强处理的化学增强槽102中后,在从该化学增强槽102拉起玻璃衬底后到在移动到洗净槽103之前的期间,由于在玻璃衬底101的表面附着化学增强处理液,会进一步多余地进行化学增强。
这时,如图4所示,在玻璃衬底101的表面附着的化学增强处理液在玻璃衬底101的表面产生所谓的“液滴流”,从而产生急剧冷却凝固了的固体部分104、和保持液体状而流动的部分105。因此,这样的多余的化学增强不是对玻璃衬底101的整个表面进行的,而是如图3所示,根据化学增强处理液的流动,在筋状的地方106进行。
因此,在玻璃衬底101的表层部,如图5所示,只在进行多余的化学增强的筋状的地方106,如箭头A所示,压缩应力增大,压缩应力的分布变为不均匀。结果,进行多余的化学增强的筋状的地方106的表面部膨胀出来,形成高度2nm~5nm左右的多个凸部(微小起伏)107。
如果在玻璃衬底101的表面形成这样的凸部(微小起伏)107,在使用玻璃衬底101构成的磁盘中,对磁头的飞行高度产生影响,有可能产生头碰撞等问题。虽然到此为止,该程度的凸部(微小起伏)未成为问题,但是由于低飞行高度化,该程度的凸部(微小起伏)成为问题。
因此,本发明是鉴于所述的问题而提出的,其目的在于,提供一种磁盘用玻璃衬底的制造方法,具有通过化学增强处理在玻璃衬底的两个主表面一侧的表层部分形成压缩应力层,并且在这些压缩应力层之间形成拉伸应力层的化学增强步骤,可以制造构成玻璃衬底的表层部的压缩应力的分布均匀、可以在防止头碰撞和热粗糙等问题的同时实现磁头的低飞行高度化、从而可以进行高密度信息记录、适合在便携式信息设备的小型硬盘驱动器中使用的磁盘的磁盘用玻璃衬底。
此外,本发明提供一种磁盘的制造方法,能制造在防止头碰撞和热粗糙等问题的同时,实现磁头的低飞行高度化,能进行高密度信息记录,能适合在便携式信息设备的小型硬盘驱动器中使用的磁盘。
本发明者为了解决所述课题,进行研究的结果发现在化学增强步骤中,通过适当设定、控制化学增强处理液的条件,能解决所述的课题。
即本发明具有以下的结构中的任意一种。
[结构1]
本发明是一种磁盘用玻璃衬底的制造方法,包含把玻璃衬底进行化学增强的化学增强步骤,其特征在于:化学增强步骤至少具有2个步骤;在第一步骤中,使含有离子半径比所述玻璃衬底中包含的离子的离子半径还大的第一离子的化学增强处理液与玻璃衬底接触,进行离子交换;在第二以后的步骤中,使含有作为二价离子的第二以后的离子的处理液与玻璃衬底接触。
[结构2]
本发明是在具有结构1的磁盘用玻璃衬底的制造方法中,其特征在于:第二以后的离子是Pb2+、Cd2+、Zn2+、Hg2+、Ca2+、Sr2+、或者Ba2+中的任意一种。
[结构3]
本发明是一种磁盘用玻璃衬底的制造方法,包含把玻璃衬底进行化学增强的化学增强步骤,其特征在于:化学增强步骤至少具有2个步骤;在使玻璃衬底和化学增强处理液接触的第一步骤中,使含有离子半径比玻璃衬底中包含的碱金属离子的离子半径还大的第一离子的化学增强处理液与玻璃衬底接触,进行离子交换;在第二以后的步骤中,使含有离子半径比第一离子的离子半径还小的第二以后的离子的处理液与玻璃衬底接触。
[结构4]
一种磁盘用玻璃衬底的制造方法,包含把玻璃衬底进行化学增强的化学增强步骤,其特征在于:化学增强步骤至少具有2个步骤;在使玻璃衬底和化学增强处理液接触的第一步骤中,使含有离子半径比玻璃衬底中包含的离子的离子半径还大的第一离子的化学增强处理液与玻璃衬底接触,进行离子交换;在第二以后的步骤中,使含有离子半径与玻璃衬底中包含的碱金属离子中最小的碱金属离子的离子半径相同的第二以后的离子的处理液与玻璃衬底接触。
[结构5]
本发明在具有结构3或结构4的磁盘用玻璃衬底的制造方法中,其特征在于:第二以后的离子在第一步骤中存在于化学增强处理液中;第二以后的步骤中的处理液中的第二以后的离子的比例比第一步骤中的化学增强处理液中的第二以后的离子的比例高。
[结构6]
本发明在具有结构3~结构5中的任意一种的磁盘用玻璃衬底的制造方法中,其特征在于:第二以后的离子是锂离子或钠离子。
[结构7]
本发明在具有结构3~结构6中的任意一种的磁盘用玻璃衬底的制造方法中,其特征在于:使第一步骤的化学增强处理液与玻璃衬底接触的时间比使第二以后的步骤中的处理液与玻璃衬底接触的时间还长。
[结构8]
本发明在具有结构3~结构6中的任意一种的磁盘用玻璃衬底的制造方法中,其特征在于:玻璃衬底的主表面的微小起伏的最大值在各边为800μm和980μm的矩形的测定范围内低于5nm。
[结构9]
本发明是一种磁盘用玻璃衬底的制造方法,包含处理含有碱金属元素的玻璃衬底的表面的步骤,其特征在于:把比玻璃衬底中含有的碱金属离子的离子半径还相对大的碱金属离子和玻璃衬底中含有的碱金属离子进行离子交换,把玻璃衬底的表面进行化学增强处理后,进行使与玻璃衬底中含有的最小碱金属离子相同或相对更小的碱金属离子和玻璃衬底的表面接触的处理。
[结构10]
本发明是一种磁盘用玻璃衬底的制造方法,包含处理含有碱金属元素的玻璃衬底的表面的步骤,其特征在于:把包含比玻璃衬底中含有的碱金属离子的离子半径还相对大的碱金属离子的第一熔融盐与玻璃衬底的表面接触,把玻璃衬底的表面进行化学增强处理后,把与玻璃衬底中含有的最小碱金属离子相同或相对更小的碱金属离子作为主成分包含的第二熔融盐附着在玻璃衬底的表面,冷却处理第二熔融盐附着的玻璃衬底。
[结构11]
本发明是在具有结构10的磁盘用玻璃衬底的制造方法中,其特征在于:在气氛中把玻璃衬底冷却处理到第二熔融盐的凝固点以下的温度。
[结构12]
本发明的磁盘的制造方法,其特征在于:由具有结构1~结构8中的任意一种的磁盘用玻璃衬底的制造方法制造的磁盘用玻璃衬底上至少形成磁性层。
在本发明的磁盘用玻璃衬底的制造方法中,在使玻璃衬底与化学增强处理液接触的化学增强步骤的第一步骤中,使含有离子半径比所述玻璃衬底中包含的离子的离子半径还大的第一离子的化学增强处理液与玻璃衬底接触,进行离子交换;在第二以后的步骤中,使含有作为二价离子的第二以后的离子的处理液与玻璃衬底接触,所以在第二以后的步骤中,能抑制由附着在玻璃衬底的表面部的化学增强处理液引起的多余的化学增强,不形成凸部(微小起伏),磁头的浮起稳定。
第二以后的离子优选是Pb2+、Cd2+、Zn2+、Hg2+、Ca2+、Sr2+、或者Ba2+中的任意一种。
此外,在本发明的磁盘用玻璃衬底的制造方法中,化学增强步骤至少具有2个步骤,在第一步骤中,使含有离子半径比玻璃衬底中包含的碱金属离子的离子半径还大的第一离子的化学增强处理液与玻璃衬底接触,进行离子交换;在第二以后的步骤中,使含有比第一离子的离子半径还小的第二以后的离子的处理液与玻璃衬底接触,所以不形成凸部(微小起伏),磁头的浮起稳定。
此外,在本发明的磁盘用玻璃衬底的制造方法中,化学增强步骤至少具有2个步骤,在第一步骤中,使含有离子半径比玻璃衬底中包含的离子的离子半径还大的第一离子的化学增强处理液与玻璃衬底接触,进行离子交换;在第二以后的步骤中,使含有离子半径与玻璃衬底中包含的碱金属离子中最小的碱金属离子的离子半径相同的第二以后的离子的处理液与玻璃衬底接触,所以不形成凸部(微小起伏),磁头的浮起稳定。
须指出的是,在本发明中,第二以后的离子也可以在第一步骤中存在于化学增强处理液中,这时,第二以后的步骤中的处理液中的第二以后的离子的比例比第一步骤中的化学增强处理液中的第二以后的离子的比例高。这样,分别在第一步骤和第二步骤中,使用把玻璃衬底浸渍在化学增强处理液中和处理液中的至少2个槽的处理槽,从而能容易执行。
另外,第二以后的离子优选是锂离子或钠离子。
优选使第一步骤的化学增强处理液与玻璃衬底接触的时间比使第二以后的步骤中的处理液与玻璃衬底接触的时间还长。
此外,玻璃衬底的主表面的微小起伏的最大值在各边为800μm和980μm的矩形的测定范围内优选为低于5nm。
此外,在本发明的磁盘用玻璃衬底的制造方法中,把比玻璃衬底中含有的碱金属离子的离子半径还相对大的碱金属离子和玻璃衬底中含有的碱金属离子进行离子交换,把玻璃衬底的表面进行化学增强处理后,使与玻璃衬底中含有的最小碱金属离子相同或相对更小的碱金属离子和玻璃衬底的表面接触,所以能抑制多余的化学增强。
另外,优选把包含与玻璃衬底中含有的最小碱金属离子相同或相对更小的碱金属离子作为主成分的熔融盐附着在玻璃衬底的表面,在气氛中把附着有第二熔融盐的玻璃衬底冷却处理到熔融盐的凝固点以下的温度。通过该冷却处理,能有效地抑制多余的化学增强。
因此,根据本发明,在具有化学增强步骤的磁盘用玻璃衬底的制造方法中,能提供能制造防止头碰撞和热粗糙等问题、实现磁头的低飞行高度化、使高密度信息记录成为可能、特别地、能构成适合在便携式信息设备的小型硬盘驱动器中使用的磁盘的磁盘用玻璃衬底的磁盘用玻璃衬底的制造方法。
在本发明的磁盘的制造方法中,使用由本发明的磁盘用玻璃衬底的制造方法制造的磁盘用玻璃衬底,所以能制造在防止头碰撞和热粗糙等问题的同时实现磁头的低飞行高度化/能进行高密度信息记录、适合在便携式信息设备的小型硬盘驱动器中使用的磁盘。
附图说明
图1是表示本发明的磁盘用玻璃衬底的制造方法的步骤的程序流程图。
图2是表示本发明的磁盘用玻璃衬底的制造方法的化学增强步骤的侧视图。
图3是表示现有的磁盘用玻璃衬底的制造方法的化学增强步骤的侧视图。
图4是表示现有的磁盘用玻璃衬底的制造方法的化学增强步骤结束后的玻璃衬底的表面部的状态的立体图。
图5是说明以往的磁盘用玻璃衬底的制造方法的化学增强步骤结束后产生的现象的立体图。
具体实施方式
[研磨步骤]
在本发明的磁盘用玻璃衬底的制造方法中,首先如图1所示,磨削(lapping)处理板状玻璃1的主表面以作为玻璃母材2,切断该玻璃母材2以切出玻璃衬底3,对该玻璃衬底3的主表面至少进行抛光(polishing)处理。
作为用于磨削处理的板状玻璃1,能使用各种形状的板状玻璃1。该板状玻璃1的形状可以是矩形,也可以是盘状(圆盘状)。盘状的板状玻璃1使用在现有的磁盘用玻璃衬底的制造方法中使用的磨削装置,进行磨削处理,可以廉价地进行可靠性高的加工。
该板状玻璃1的尺寸有必要是比要制造的磁盘用玻璃衬底还大的尺寸。例如,制造“1英寸型硬盘驱动器”或者更小尺寸的小型硬盘驱动器中搭载的磁盘中使用的磁盘用玻璃衬底时,该磁盘用玻璃衬底的直径大约是20mm~30mm左右,所以作为盘状的板状玻璃1的直径,为30mm以上,优选是48mm以上。如果使用直接65mm以上的盘状的板状玻璃1,从一个板状玻璃1能获得多个在“1英寸型硬盘驱动器”中搭载的磁盘中使用的磁盘用玻璃衬底,适合于大量生产。
例如把熔融玻璃作为材料,能使用挤压法和浮法、或者熔融法等众所周知的制造方法制造该板状玻璃1。其中,如果使用挤压法,就能以廉价制造板状玻璃1。
此外,作为板状玻璃1的材料,只要是化学增强的玻璃即可,没有特别的限制,但是可以优选列举硅酸铝玻璃。特别优选含有锂的硅酸铝玻璃。这样的硅酸铝玻璃通过离子交换型化学增强处理,特别是低温离子交换型化学增强处理,能精密地获得具有优选的压缩应力的压缩应力层和具有拉伸应力的拉伸应力层,所以可以作为磁盘用化学增强玻璃衬底3的材料。
作为这样的硅酸铝玻璃的组成比,作为主成分,优选含有58~75重量%的SiO2、5~23重量%的Al2O3、3~10重量%的Li2O、4~13重量%的Na2O。
作为硅酸铝玻璃的组成比,作为主成分,优选含有62~75重量%的SiO2、5~15重量%的Al2O3、4~10重量%的Li2O、4~12重量%的Na2O、5.5~15重量%的ZnO2,并且,Na2O和ZnO2的重量比(Na2O/ZnO2)为0.5~2.0,Al2O3和ZnO2的重量比(Al2O3/ZnO2)为0.4~2.5。
磨削处理(第一磨削步骤)是以提高板状玻璃1的主表面的形状精度(例如,平坦度)或尺寸精度(例如板厚的精度)为目的的加工。在板状玻璃1的主表面上按压砂轮或平板,通过使这些板状玻璃1和砂轮或平板相对移动,磨削板状玻璃1的主平面,从而进行该磨削处理。该研磨处理可以使用利用行星齿轮机构的两面研磨装置进行。
作为磨削处理中使用的砂轮,可以使用金刚石砂轮。此外,作为游离磨料,可以使用氧化铝磨料或氧化锆磨料、或者碳化硅磨料等硬质磨料。
通过该磨削处理,板状玻璃1的形状精度提高,形成主表面的形状平坦化、并且板厚削减到给定值的玻璃母材2。玻璃母材2的主表面通过磨削处理,变得平坦,此外板厚削减,从而能切断这些玻璃母材2,从该玻璃母材2切出玻璃衬底3。即,能防止在从玻璃母材2切出玻璃衬底3时,发生缺口、裂痕、破裂等缺陷。
[端面抛光步骤]
优选进行玻璃衬底3的端面的镜面抛光(端面抛光步骤)。玻璃衬底3的端面成为切断形状,所以通过把该端面抛光为镜面,能抑制来自端面的微粒的发生,在使用该磁盘用玻璃衬底制造的磁盘中,能良好地防止所谓的热粗糙。此外,如果端面是镜面,就能防止微小裂纹引起的延迟破坏。作为端面的镜面状态,优选是算术平均粗糙度(Ra)为100nm以下的镜面。
[第二磨削步骤]
在后述的玻璃衬底3的抛光步骤之前,优选进行磨削步骤(第二磨削步骤)。通过与对所述的板状玻璃1的磨削处理同样的方法,进行这时的磨削处理。把玻璃衬底3进行磨削处理后,进行抛光处理,能以更短的时间获得镜面化的主表面。
[抛光步骤]
对从玻璃母材2切出的玻璃衬底3进行抛光处理,把玻璃衬底3的主表面镜面化。
通过进行该抛光处理,除去玻璃衬底3的主表面的裂纹,主表面的微小起伏例如最大值为5nm以下。微小起伏的最大值是使用PHASE SHIFT TECHNOLOGY公司制造的“MicroXAM”,通过非接触激光干涉法,测定波长4μm~1mm的频率的起伏时的最大值。测定范围是各边为800μm和980μm的矩形(800μm×980μm)的范围内。
如果玻璃衬底3的主表面变为这样的镜面,则在使用该玻璃衬底3制造的磁盘中,磁头的浮起量为10nm时,也能防止所谓的碰撞问题或热粗糙问题的发生。此外,如果玻璃衬底3的主表面变为这样的镜面,在后面描述的化学增强处理中,在玻璃衬底3的微细区域中,能均匀地实施化学增强处理,能防止微小裂纹引起的延迟破坏。
例如,在玻璃衬底3的主表面按压粘贴了抛光布(例如,抛光垫)的平板,一边对玻璃衬底3的主表面供给抛光液,一边使玻璃衬底3和平板相对移动,来抛光玻璃衬底3的主表面,从而进行该抛光处理。这时,可以在抛光液中包含抛光料。作为抛光料,能使用胶态硅石。作为抛光料,可以使用平均粒径为10nm~200nm的抛光料。
此外,作为其他抛光处理,也可以使用在玻璃衬底3的主表面按压带状的抛光布(例如,抛光带),一边对玻璃衬底3的主表面供给抛光液,一边使这些玻璃衬底3和抛光布相对移动,来抛光玻璃衬底3的主表面的带抛光方法。这时,在抛光液中可以含有抛光料。作为抛光料,能使用金刚石抛光料。作为抛光料,可以使用平均粒径为10nm~200nm的抛光料。
抛光垫或者抛光带的抛光面希望为聚氨酯、聚酯等树脂材料。如果是抛光垫,抛光面优选发泡树脂(例如,发泡聚氨酯);如果是抛光带,抛光面优选树脂纤维(例如,聚酯树脂纤维)。
[化学增强步骤]
在玻璃衬底3的研磨步骤之前和/或之后的化学增强步骤中,进行化学增强处理。通过进行化学增强处理,能使磁盘用玻璃衬底的表面产生高的压缩应力,能提高耐冲击性。特别是把硅酸铝玻璃作为玻璃衬底3的材料使用时,适合进行化学增强处理。
作为本发明的化学增强步骤,具有分别在其中使化学增强处理液与玻璃衬底3接触的至少2个步骤。该化学增强步骤可以使用分别在其中把玻璃衬底3浸渍在化学增强处理液中的至少2个化学增强槽进行。
(第一步骤)
图2是表示本发明的磁盘用玻璃衬底的制造方法的化学增强步骤的侧视图。
在使玻璃衬底3和化学增强处理液开始接触的第一步骤中,使含有离子半径比玻璃衬底3中含有的离子的离子半径还大的第一离子的第一处理液(化学增强处理液)与玻璃衬底3接触,进行离子交换。在使用至少2个槽的处理槽进行该化学增强步骤时,如图2所示,使用第一处理槽(化学增强槽)4进行该第一步骤,把玻璃衬底3浸渍在含有离子半径比玻璃衬底3中含有的离子的离子半径还大的第一离子的第一处理液(化学增强处理液)中。
该化学增强步骤的第一步骤作为化学增强处理方法是与众所周知的方法同等的方法;作为第一处理液(化学增强处理液),可以使用加热了的化学增强熔融盐。作为离子交换法,已知低温离子交换法、高温离子交换法、表面结晶法、玻璃表面的脱碱法等,但是在该第一步骤中,优选在不超过玻璃的退火点的温度区域中进行离子交换的低温离子交换法。
须指出的是,这里所说的低温离子交换法是指在玻璃的退火点以下的温度区域,把玻璃中的碱金属离子与比该碱金属离子的离子半径大的碱金属离子置换,通过使离子交换部的容积增加,使玻璃表层产生压缩应力,从而强化玻璃表层的方法。
须指出的是,从良好地进行离子交换的观点出发,进行化学增强处理时的熔融盐的加热温度是280℃~660℃,特别优选300℃~400℃。使玻璃衬底3与熔融盐接触的时间是数小时~数十小时。
须指出的是,使玻璃衬底3与熔融盐接触之前,作为预备加热,优选把玻璃衬底3加热到100℃~300℃。
作为用于进行化学增强步骤的化学增强槽的材料,只要是耐腐蚀性优异、并且低出尘性的材料即可,而没有特别限定。化学增强盐或化学增强熔融盐具有氧化性,并且处理温度是高温,所以通过选择耐腐蚀性优异的材料,能抑制损失或出尘,因此,有必要抑制热粗糙问题以及头碰撞问题。从该观点出发,作为化学增强槽的材料,特别优选石英材料,但是也能使用不锈钢、特别是耐腐蚀性优异的马氏体或奥氏体类不锈钢。须指出的是,石英材料的耐腐蚀性优异,但是高价,所以可以考虑收支来适宜选择。
作为第一处理液(化学增强处理液),优选使用含有碱金属元素的硝酸盐,例如含有硝酸钾、硝酸钠、硝酸锂等的硝酸盐。须指出的是,硝酸盐中含有的锂元素优选为0ppm~2000ppm。这样的化学增强盐在对玻璃,特别是含有锂元素的硅酸铝玻璃进行化学增强处理时,能实现作为磁盘用玻璃衬底的预定刚性和耐冲击性。如果第一步骤中的化学增强熔融盐中含有的锂离子过多,就会阻碍离子交换,结果,有时难以获得本发明中要获得的拉伸应力或压缩应力。
(第二以后的步骤)
化学增强步骤的第二步骤接着所述的第一步骤,使玻璃衬底3和第二处理液接触。在该第二步骤中,使含有二价离子的第二离子的第二处理液与玻璃衬底接触。
须指出的是,第二离子在第一步骤中也可以存在于第一处理液(化学增强处理液)中,这时,第二步骤的第二处理液中的第二离子的比例比第一步骤的第一处理液(化学增强处理液)中的第二离子的比例还高。此外,使第一步骤的第一处理液(化学增强处理液)和玻璃衬底3接触的时间比使第二步骤的第二处理液与玻璃衬底3接触的时间还长。
或者,在第二步骤中,使含有比第一离子的离子半径小的第二离子的第二处理液与玻璃衬底3接触。此外,该第二离子也可以是与玻璃衬底3中含有的碱金属离子中最小的碱金属离子的离子半径相同离子半径的离子。离子半径可以利用离子色谱法来测定。
作为第二处理液,适合使用含有碱金属元素的硝酸盐,例如含有硝酸锂等的硝酸盐。硝酸盐中含有的锂元素为2000ppm以上。
须指出的是,第二离子在第一步骤中,也可以存在于第一处理液(化学增强处理液)中,这时,第二步骤的第二处理液中的第二离子的比例比第一步骤的第一处理液(化学增强处理液)中的第二离子的比例还高。在第二处理液中离子半径小的离子的比例比第一处理液(化学增强处理液)高、以及在第一处理液(化学增强处理液)中离子半径大的离子的比例比第二处理液高的情况可以通过离子色谱法测定。
此外,使第一步骤的第一处理液(化学增强处理液)和玻璃衬底3接触的时间比使第二步骤的第二处理液与玻璃衬底3接触的时间还长。
该第二步骤使用第二处理槽5进行,将玻璃衬底3从第一处理槽4(化学增强槽)拉起,在第二处理槽5中浸渍到第二处理液中。
在第二步骤中,使含有二价离子的第二离子的第二处理液、或者第二离子以比第一步骤的第一处理液(化学增强处理液)中的第二离子的比例还高的比例存在的第二处理液与玻璃衬底3接触。
或者在第二步骤中,使含有比第一离子的离子半径还小的第二离子的第二处理液、或者含有离子半径与玻璃衬底3中含有的碱金属离子中最小的碱金属离子的离子半径相同的第二离子的第二处理液、或者第二离子以比第一步骤的第一处理液(化学增强处理液)中的第二离子的比例还高的比例存在的第二处理液与玻璃衬底3接触。
因此,在从第一处理槽(化学增强槽)4拉起玻璃衬底3时,即使在玻璃衬底3的表面附着第一处理液(化学增强处理液),因为在第二处理槽5中与第二处理液接触,所以能防止由该第一处理液(化学增强处理液)进行多余的化学增强。
附着在玻璃衬底3的表面的第一处理液(化学增强处理液)由于在玻璃衬底3的表面上产生所谓的“液滴流”,有可能产生急剧冷却凝固的固体部分、和保持液体形态流动的部分。可是,在本发明中,在第一处理槽(化学增强槽)4之后,立刻在第二处理槽5与第二处理液接触,所以可以防止该第一处理液(化学增强处理液)引起的多余的化学增强,在玻璃衬底3的表层部保持均匀的压缩应力分布。结果,玻璃衬底3的表面部维持平坦的状态。
玻璃衬底3的表面部维持平坦的状态,从而在使用该玻璃衬底3构成的磁盘中,磁头的飞行高度维持良好,能防止头碰撞等问题。此外,在为了在小型的硬盘驱动器中搭载而薄型化的玻璃衬底3中,表层部的压缩应力的分布是均匀的,从而能防止产生翘曲。
作为在可以执行这种第二步骤的第二处理液中所含有的二价离子,希望是Pb2+、Cd2+、Zn2+、Hg2+、Ca2+、Sr2+或者Ba2+中的任意一种。
或者,作为在能执行这种第二步骤的第二处理液中所含有的第二离子,能使用离子半径与玻璃衬底3中含有的离子的玻璃衬底3相同或更小半径的离子。例如,在玻璃衬底3中包含的离子是锂离子时,作为第二离子,能使用锂离子。此外,玻璃衬底3中含有的离子是钠离子时,作为第二离子,能使用锂离子或钠离子。
须指出的是,在第二步骤以后,可以反复进行与第二步骤同样的步骤,即第三步骤、第四步骤…。
在这些第三以后的步骤中,使用第三以后的处理槽,把玻璃衬底3浸渍在第三以后的处理液中,使第三以后的处理液与玻璃衬底3接触。在第三以后的处理液中含有第三以后的离子。第三以后的离子与第二离子同样,是二价离子。此外,第三以后的离子在第一步骤中可以存在于第一处理液(化学增强处理液)中,这时,第三以后的步骤中的处理液中的第三以后的离子的比例比第一步骤的第一处理液(化学增强处理液)中第三以后的离子的比例还高。此外,使第一步骤的第一处理液(化学增强处理液)和玻璃衬底3接触的时间比使第三以后的步骤中的处理液与玻璃衬底3接触的时间还长。
或者,第三以后的离子与第二离子同样,是比第一处理液(化学增强处理液)中含有的第一离子的离子半径还小的离子。此外,第三以后的离子也可以是离子半径与玻璃衬底3中含有的碱金属离子中最小的碱金属离子的离子半径相同的离子。第三以后的离子在第一步骤中可以存在于第一处理液(化学增强处理液)中,这时,第三以后的步骤中的处理液中的第三以后的离子的比例比第一步骤的第一处理液(化学增强处理液)中第三以后的离子的比例还高。此外,使第一步骤的第一处理液(化学增强处理液)和玻璃衬底3接触的时间比使第三以后的步骤中的处理液与玻璃衬底3接触的时间还长。
然后,上述的化学增强步骤完成之后的玻璃衬底3如图1所示,经过冷却、洗净步骤等,成为产品(磁盘用玻璃衬底)。
如上所述制作的本发明的磁盘用玻璃衬底适合作为盘厚低于0.5mm,特别是盘厚为0.1mm~0.4mm的薄型磁盘用玻璃衬底。此外,该磁盘用玻璃衬底特别适合作为盘的直径(外径)为30mm以下的小型磁盘用玻璃衬底。因为这样的薄型、小型磁盘搭载在“1英寸型硬盘驱动器”、或者比“1英寸型硬盘驱动器”更小型的硬盘驱动器中。即,该磁盘用玻璃衬底适合作为搭载在“1英寸型硬盘驱动器”、或者比“1英寸型硬盘驱动器”更小型的硬盘驱动器中的磁盘用玻璃衬底。
须指出的是,用于制造“1英寸型硬盘驱动器”中搭载的磁盘的磁盘用玻璃衬底的直径约27.4mm,盘厚0.381mm。此外,用于制造“0.85英寸型硬盘驱动器”中搭载的磁盘的磁盘用玻璃衬底的直径约21.6mm。
[代替化学增强的表面处理步骤]
在本发明的磁盘用玻璃衬底的制造方法中,代替如上所述的由2以上的步骤构成的化学增强步骤,也可以实施由以下的步骤构成的表面处理步骤。
即,作为第一步骤,通过把比玻璃衬底3中含有的碱金属离子的离子半径还相对大的碱金属离子和玻璃衬底3中含有的碱金属离子进行离子交换,对玻璃衬底的表面进行化学增强处理。
通过把包含把比玻璃衬底3中含有的碱金属离子的离子半径还相对大的碱金属离子的第一熔融盐和玻璃衬底3的表面接触,进行该第一步骤。
然后,作为第二步骤,使与玻璃衬底3中含有的最小碱金属离子相同或相对小的碱金属离子与玻璃衬底3的表面接触。
可以通过使与玻璃衬底3中含有的最小碱金属离子相同或相对小的碱金属离子作为主成分包含的第二熔融盐与玻璃衬底3的表面接触,进行该第二步骤。
接着,冷却处理附着有该第二熔融盐的玻璃衬底3。该冷却处理优选在气氛中,把玻璃衬底3冷却处理到第二熔融盐的凝固点以下的温度。通过在附着有第二熔融盐的状态下,在气氛中,把玻璃衬底3冷却处理到第二熔融盐的凝固点以下的温度,可以抑制多余的化学增强。
[磁性层的成膜]
在本发明的磁盘的制造方法中,作为按上述制造的磁盘用玻璃衬底上形成的磁性层,例如能使用由钴(Co)类强磁性材料构成的磁性层。优选形成由获得高矫顽力的钴铂(Co-Pt)类强磁性材料、钴铬(Co-Cr)类强磁性材料构成的磁性层。须指出的是,作为磁性层的形成方法,可以使用DC磁控管溅射法。
此外,在玻璃衬底和磁性层之间适当插入底层。作为这些底层的材料,能使用Al-Ru类合金、Cr类合金。
此外,在磁性层上可以设置用于保护磁盘以防止磁头的冲击的保护层。作为该保护层,优选使用硬质的碳化氢保护层。
在该保护层上形成PFPE(全氟聚醚)化合物构成的润滑层,能缓和磁头和磁盘的干涉。可以通过浸渍法涂敷成膜来形成该润滑层。
实施例
以下,通过列举实施例和比较例来具体说明。须指出的是,本发明并不局限于这些实施例的结构。
[磁盘用玻璃衬底的制造方法的实施例]
上述的本实施例的磁盘用玻璃衬底的制造方法由以下的(1)~(9)的步骤构成。
(1)粗磨削步骤
(2)形状加工步骤
(3)精磨削步骤
(4)端面镜面加工(抛光)步骤
(5)第一抛光步骤
(6)第二抛光步骤
(7)化学增强步骤(第一步骤)
(8)化学增强步骤(第二步骤)
(9)洗净步骤
首先,准备由非晶硅酸铝玻璃构成的盘状的玻璃母材。该硅酸铝玻璃含有锂。该硅酸铝玻璃的组成包含63.6重量%的SiO2、14.2重量%的Al2O3、10.4重量%的Na2O、5.4重量%的Li2O、6.0重量%的ZnO2、0.4重量%的Sb2O3。
(1)粗研磨步骤
使用从熔融的硅酸铝玻璃形成的厚度0.6mm的玻璃片作为玻璃母材,从该玻璃片,通过磨削砂轮,获得直径28.7mm、厚度0.6mm的圆盘状的玻璃衬底。
作为该玻璃片的材料即硅酸铝玻璃,可以含有58~75重量%的SiO2、5~23重量%的Al2O3、4~13重量%的Na2O、3~10重量%的Li2O。
接着,为了提高尺寸精度和形状精度,对玻璃衬底进行磨削步骤。使用两面磨削装置,使用粒度#400的磨料进行该磨削步骤。
具体而言,开始使用粒度#400的氧化铝磨料,把负载设定为100kg左右,使恒星齿轮和内齿轮旋转,把托架内收藏的玻璃衬底的两面磨削到面精度0~1μm、表面粗糙度(Rmax)6μm左右。
(2)形状加工步骤
接着,使用圆筒状的砂轮,在玻璃衬底的中央部分形成直径6.1mm的孔,并且磨削外周端面,当直径变为27.43mm后,对外周端面和内周端面进行倒角加工。这时的玻璃衬底的端面的表面粗糙度Rmax为4μm左右。
(3)精磨削步骤
接着,把磨料的粒度改变为#1000,通过磨削玻璃衬底的主表面,使主表面表面粗糙度Rmax为2μm左右,算术平均粗糙度(Ra)为0.2μm。
通过进行该精磨削步骤,能减少在以前步骤的粗明星村步骤或形状加工步骤中在主表面形成的微细的凹凸形状。
把结束了这样的精磨削步骤的玻璃衬底依次浸渍到作用超声波的中性洗剂和水的各洗净槽中,进行超声波洗净。
(4)端面镜面加工(抛光)步骤
接着,通过对玻璃衬底的端面进行毛刷抛光,一边使玻璃衬底旋转,一边把玻璃衬底的端面(外周端面和内周端面)的表面粗糙度抛光为算术平均粗糙度(Ra)40nm左右。
然后,用水洗净结束了端面镜面加工的玻璃衬底的主表面。
须指出的是,在该端面镜面加工(抛光)步骤中,是将玻璃衬底重叠并抛光端面,但是这时,为了避免对玻璃衬底的主表面带来损伤,所以优选在后述的第一抛光步骤之前,或者第二抛光步骤的前后进行。
通过该端面镜面加工(抛光)步骤,玻璃衬底的端面加工为能防止微粒等的产生的镜面状态。
(5)第一抛光步骤
接着,为了除去在所述的精磨削步骤中残留的伤痕或变形,使用两面抛光装置,进行第一抛光步骤。
作为抛光垫,使用发泡聚氨酯来实施第一抛光步骤。抛光条件使用由氧化铈和RO水构成的抛光液。把结束了第一抛光步骤的玻璃衬底依次浸渍到中性洗剂、纯水(1)、纯水(2)、IPA(异丙醇)、IPA(蒸汽干燥)的各洗净槽中,进行超声波洗净和干燥。
(6)第二抛光步骤
接着使用与第一抛光步骤中使用的两面抛光装置同样的两面抛光装置,把抛光器代替为软质抛光垫(发泡聚氨酯),作为主表面的镜面抛光步骤,实施第二抛光步骤。
第二抛光步骤的目的在于,维持由所述的第一抛光步骤获得的平坦的主表面,可靠地除去裂纹,成为把该主表面的表面粗糙度算术平均粗糙度(Ra)降低到0.4~0.1nm左右的镜面。
抛光液使用由胶态硅石抛光料(平均粒径80nm)和RO构成的抛光液,负载为100g/cm2,抛光时间为5分钟。
把结束了该第二研磨步骤的玻璃衬底依次浸渍到中性洗剂、纯水(1)、纯水(2)、IPA(异丙醇)、IPA(蒸汽干燥)的各洗净槽中,进行超声波洗净和干燥。
(7)化学增强步骤(第一步骤)
接着,对结束了洗净的玻璃衬底进行化学增强处理。在化学增强处理中,作为第一步骤,使用熔融了混合硝酸钾和硝酸钠的化学增强盐的化学增强熔融盐作为第一处理液(化学增强处理液)来进行。
把该第一处理液(化学增强处理液)加热到340℃~380℃,把结束了洗净和干燥的玻璃衬底在第一处理槽(化学增强槽)4中浸渍约2~4小时,进行化学增强处理。在该浸渍时,为了对磁盘用玻璃衬底的整个表面进行化学增强,以由端面保持的方式将地多个磁盘用玻璃衬底收纳在支架中。
(8-1)化学增强步骤(第二步骤)(实施例2)
接着,对结束了化学增强步骤的第一步骤的玻璃衬底进行化学增强步骤的第二步骤。使用分别包含作为第二离子的二价离子的pb2+、Cd2+、Zn2+、Hg2+、Ca2+、Sr2+、或者Ba2+的处理液作为第二处理液,进行化学增强处理的第二步骤。
把第二处理液在第二处理槽中加热到340℃~380℃,把结束了第一步骤并从第一处理槽(化学增强槽)4拉起的玻璃衬底立刻在第二处理槽中浸渍到第二处理液中。
(8-2)化学增强步骤(第二步骤)(实施例2)
接着,对结束化学增强步骤的第一步骤的玻璃衬底进行化学增强步骤的第二步骤。把熔融了硝酸锂的、锂离子浓度高的化学增强熔融盐作为第二处理液使用,进行化学增强步骤的第二步骤。
把第二处理液在第二处理槽中加热到340℃~380℃,把结束第一步骤,从第一处理槽(化学增强槽)4拉起的玻璃衬底立刻在第二处理槽中浸渍到第二处理液中。
(9)洗净步骤
把结束了化学增强步骤的磁盘用玻璃衬底浸渍到20℃的水槽中,急速冷却,维持约10分钟。
把结束了急速冷却的磁盘用玻璃衬底浸渍到加热到约40℃的浓硫酸中,进行洗净。把结束硫酸洗净的磁盘用玻璃衬底依次浸渍到纯水(1)、纯水(2)、IPA(异丙醇)、IPA(蒸汽干燥)的各洗净槽中,进行超声波洗净并干燥。
接着,对结束了洗净的磁盘用玻璃衬底的主表面进行目视检查,并进一步实施利用光的反射、散射和透射的精密检查。
确认了经过这样的步骤而获得的磁盘用玻璃衬底的主表面的微小起伏为2.5nm,成为超平滑的镜面。该微小起伏的最大值是使用PHASE SHIFT TECHNOLOGY公司制造的“MicroXAM”,通过非接触激光干涉法,测定波长4μm~1mm的频率的起伏时的最大值。测定范围是各边为800μm和980μm的矩形(800μm×980μm)的范围。
使用电子显微镜精密地分析了获得的磁盘用玻璃衬底的主表面,确认了是不存在裂纹或凸部(微小起伏)的良好的镜面。通过使用胶态硅石研磨料(平均粒径80nm)进行主表面的镜面抛光,获得了精加工Ra为0.30nm的平滑的镜面。
通过使主表面成为Ra为0.1nm~0.4nm的、除去了裂纹的镜面,能更可靠地防止化学增强玻璃的延迟破坏。
此外,在磁盘用玻璃衬底的表面上未观察到异物或成为热粗糙的原因的微粒,在圆孔的内周一侧端面也未发现异物或裂纹。
[磁盘的制造方法的实施例]
接着,经过以下的步骤,制造磁盘。
在由上述的步骤获得的磁盘用玻璃衬底的两个主表面上,使用静止对置型的DC磁控管溅射装置,依次形成Al-Ru合金的种层、Cr-W合金的底层、Co-Cr-Pt-Ta合金的磁性层、碳化氢保护层。种层起到把磁性层的磁性晶粒微细化的作用,底层起到把磁性层的易磁化轴定向在面内方向的作用。
该磁盘至少具有非磁性衬底即磁盘用玻璃衬底、形成在该磁盘用玻璃衬底上的磁性层、形成设在磁性层上的保护层、形成在该保护层上的润滑层。
在磁盘用玻璃衬底和磁性层之间形成由种层和底层构成的非磁性金属层(非磁性底层)。在该磁盘中,除磁性层以外全部是由非磁性层构成的层。在本实施例中,磁性层和保护层、保护层和润滑层在分别接触的状态下形成。
即,首先,作为溅射靶,使用Al-Ru(铝-钌)合金(Al:50at%,Ru:50at%),通过溅射,在磁盘用玻璃衬底上形成膜厚30nm的Al-Ru合金。接着,作为溅射靶,使用Cr-W(铬-钨)合金(Cr:80at%,W:20at%),通过溅射,在种层5上形成膜厚20nm的Cr-W合金构成的底层。接着,作为溅射靶,使用由Co-Cr-Pt-Ta(钴-铬-铂-钽)合金(Cr:20at%,Pt:12at%,Ta:5at%,剩余部分为Co)构成的溅射靶,通过溅射,在底层上形成膜厚15nm的Co-Cr-Pt-Ta合金构成的磁性层。
接着,在磁性层上形成由碳化氢构成的保护层,并用浸渍法形成由PFPE(全氟聚醚)构成的润滑层。保护层起到保护磁性层以防止磁头的冲击的作用。
使用这样获得的磁盘,通过浮起量为10nm的滑动头进行滑动检查时,未检测到冲突的异物,能维持稳定的浮起状态。此外,使用该磁盘,以700kFCI进行记录再现试验,能获得充分的信号强度比(S/N比)。此外,没有发现信号的错误。
另外,在需要每1平方英寸60吉比特以上的信息记录密度的“1英寸型硬盘驱动器”中搭载、驱动,能没问题地进行记录和再现。即不发生碰撞问题和热粗糙问题。
须指出的是,在本发明中,关于磁盘用玻璃衬底的直径(尺寸),未特别限定。可是,本发明在制造小直径的磁盘用玻璃衬底时发挥优异的有用性。这里所说到小直径是指例如直径为30mm以下的磁盘用玻璃衬底。
即,例如,直径30mm以下的小直径的磁盘被用在所谓的汽车导航系统等车载设备、所谓的PDA或移动电话终端装置等便携式设备中,因为与固定使用的设备的通常的磁盘相比,要求更高的耐久性和耐冲击性。
产业上的可利用性
本发明可用在构成磁盘装置即硬盘驱动器(HDD)等中使用的磁盘的磁盘用玻璃衬底的制造中。
此外,本发明可用在使用该磁盘用玻璃衬底的磁盘的制造中。
Claims (12)
1.一种磁盘用玻璃衬底的制造方法,包含把玻璃衬底进行化学增强的化学增强步骤,其特征在于:
所述化学增强步骤至少具有2个步骤:
在第一步骤中,使含有离子半径比所述玻璃衬底中包含的离子的离子半径还大的第一离子的化学增强处理液与玻璃衬底接触,进行离子交换;
在第二以后的步骤中,使含有第二以后的离子的处理液与玻璃衬底接触,所述第二以后的离子是二价离子。
2.根据权利要求1所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法,其特征在于:
所述第二以后的离子是Pb2+、Cd2+、Zn2+、Hg2+、Ca2+、Sr2+或者Ba2+中的任意一种。
3.一种磁盘用玻璃衬底的制造方法,包含把玻璃衬底进行化学增强的化学增强步骤,其特征在于:
所述化学增强步骤至少具有2个步骤:
在使所述玻璃衬底和化学增强处理液接触的第一步骤中,使含有离子半径比所述玻璃衬底中包含的碱金属离子的离子半径还大的第一离子的化学增强处理液与所述玻璃衬底接触,进行离子交换;
在第二以后的步骤中,使含有离子半径比所述第一离子的离子半径还小的第二以后的离子的处理液与所述玻璃衬底接触。
4.一种磁盘用玻璃衬底的制造方法,包含把玻璃衬底进行化学增强的化学增强步骤,其特征在于:
所述化学增强步骤至少具有2个步骤:
在使所述玻璃衬底和化学增强处理液接触的第一步骤中,使含有离子半径比所述玻璃衬底中包含的离子的离子半径还大的第一离子的化学增强处理液与所述玻璃衬底接触,进行离子交换;
在第二以后的步骤中,使含有离子半径与所述玻璃衬底中包含的碱金属离子中最小的碱金属离子的离子半径相同的第二以后的离子的处理液与所述玻璃衬底接触。
5.根据权利要求3或4所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法,其特征在于:
所述第二以后的离子在所述第一步骤中存在于所述化学增强处理液中;
所述第二以后的步骤中的所述处理液中的所述第二以后的离子的比例比所述第一步骤中的所述化学增强处理液中的所述第二以后的离子的比例高。
6.根据权利要求3~5中的任意一项所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法,其特征在于:
所述第二以后的离子是锂离子或钠离子。
7.根据权利要求3~6中的任意一项所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法,其特征在于:
使所述第一步骤的所述化学增强处理液和所述玻璃衬底接触的时间比使所述第二以后的步骤中的所述处理液和所述玻璃衬底接触的时间还长。
8.根据权利要求1~7中的任意一项所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法,其特征在于:
所述玻璃衬底的主表面的微小起伏的最大值在各边为800μm和980μm的矩形的测定范围内低于5nm。
9.一种磁盘用玻璃衬底的制造方法,包含处理含有碱金属元素的玻璃衬底的表面的步骤,其特征在于:
通过把比所述玻璃衬底中含有的碱金属离子的离子半径还相对大的碱金属离子与所述玻璃衬底中含有的碱金属离子进行离子交换来将所述玻璃衬底的表面进行化学增强处理后,进行使与所述玻璃衬底中含有的最小碱金属离子相同或相对小的碱金属离子与所述玻璃衬底的表面接触的处理。
10.一种磁盘用玻璃衬底的制造方法,包含处理含有碱金属元素的玻璃衬底的表面的步骤,其特征在于:
使包含比所述玻璃衬底中含有的碱金属离子的离子半径还相对大的碱金属离子的第一熔融盐与所述玻璃衬底的表面接触,把所述玻璃衬底的表面进行化学增强处理后,使包含与所述玻璃衬底中含有的最小碱金属离子相同或相对小的碱金属离子作为主成分的第二熔融盐附着在所述玻璃衬底的表面上,并冷却处理附着有所述第二熔融盐的玻璃衬底。
11.根据权利要求10所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法,其特征在于:
在气氛中把所述玻璃衬底冷却处理到所述第二熔融盐的凝固点以下的温度。
12.一种磁盘的制造方法,其特征在于:
在利用权利要求1~11中的任意一项所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法制造的磁盘用玻璃衬底上至少形成磁性层。
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