JP5492276B2 - 磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスク - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 199
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 181
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 115
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 62
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 40
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 39
- 238000003426 chemical strengthening reaction Methods 0.000 claims description 26
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 claims description 15
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 13
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 24
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 17
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 10
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 9
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 4
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 4
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 4
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 3
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 3
- 229910000734 martensite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 3
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- AVMBSRQXOWNFTR-UHFFFAOYSA-N cobalt platinum Chemical compound [Pt][Co][Pt] AVMBSRQXOWNFTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 2
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 2
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 2
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 2
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 2
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co] Chemical compound [Cr].[Co] WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGGYKLULVSLVBW-UHFFFAOYSA-N [Pt].[B].[Cr].[Co] Chemical compound [Pt].[B].[Cr].[Co] UGGYKLULVSLVBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRVLHCMOXCBPHN-UHFFFAOYSA-N aluminum ruthenium Chemical compound [Al].[Ru] DRVLHCMOXCBPHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- QNHZQZQTTIYAQM-UHFFFAOYSA-N chromium tungsten Chemical compound [Cr][W] QNHZQZQTTIYAQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
端面部の鏡面研磨工程、すなわち、メカニカルな研磨方式においては、サーマルアスペリテイ障害を防止できる優れた鏡面品質が得られる一方で、研磨表面にごく微細なクラックを生成させてしまうことが知られている。
研磨中においては、研磨の進行に伴ってガラスが削減され、表面が次第に鏡面状態に研磨されていくが、研磨表面に生成された微細なクラックが表層部(表面下)に徐々に伸展していってしまう場合がある。
したがって、鏡面研磨後の端面部は、表面は鏡面であるが、表層部には、微細なクラックが残留している場合がある。
本発明においては、このようなクラックを除去することにより、「モバイル機器」用のハードディスクドライブに用いても十分な耐衝撃性を有する磁気ディスク用ガラス基板を製造することに成功した。
すなわち、この磁気ディスク用ガラス基板においては、ガラスディスクの端面部の鏡面加工工程は、「鏡面研磨」工程と「化学処理」工程の2つのサブプロセスで構成される。「鏡面研磨」工程では、端面部の表面が鏡面状態とされ、「化学処理」工程では、端面部の表層部に存在するクラックが除去される。ここで、「表層部」とは、端面部の表面下の微小な深さまでの領域のことである。また、クラックを除去する処理とは、凹状の欠陥そのものを除去しないとしても、クラックの底部の先鋭形状を鈍化させることによって実質的にクラック形状ではない形状に変質させることによりクラックを除去する処理を含む。
この化学処理では、ガラスディスクを構成するガラスに対する溶解能が所定の処理液、言い換えると、溶解速度が所定の処理液を用い、この化学処理によって除去されるガラスの量は1μm以下の少量とされているので、この化学処理によって、すでに鏡面研磨工程によって形成されている鏡面状態が乱されることはない。
なお、ガラスに対する溶解能は、ガラスの種類、処理液の組成や濃度や、環境温度などにより変動するが、本発明は、この化学処理を行うときにおいて、ガラスに対する溶解速度が毎分10nm乃至毎分800nmとなる溶解能であるようにすることが好ましい。
端面部が鏡面加工された、磁気抵抗効果型の素子を備える磁気ヘッドと共に用いられる磁気ディスクの基板となる磁気ディスク用ガラス基板であって、端面部は、鏡面研磨工程の後に、ガラス基板を構成するガラスに対して溶解能のある処理液により化学処理された表面を有し、端面部の表面の算術平均粗さ(Ra)が100nm以下であることを特徴とするものである。
構成1を有する磁気ディスク用ガラス基板において、化学処理の後に、化学強化処理がなされていることを特徴とするものである。
〔構成3〕
構成1を有する磁気ディスク用ガラス基板において、化学処理の後に、化学強化処理がなされており、抗折強度が2.2kgf以上であることを特徴とするものである。
構成1、または、構成3を有する磁気ディスク用ガラス基板において、化学処理の後に、化学強化処理がなされており、耐衝撃性が5000G以上であることを特徴とするものである。
構成1乃至構成4のいずれか一を有する磁気ディスク用ガラス基板において、板厚が0.5mm未満であることを特徴とするものである。
〔構成6〕
構成1乃至構成5のいずれか一を有する磁気ディスク用ガラス基板において、リチウムを含有するアルミノシリケートガラスにより構成されていることを特徴とするものである。
〔構成7〕
構成1乃至構成6のいずれか一を有する磁気ディスク用ガラス基板において、主成分として、SiO2を58乃至75重量%、Al2O3を5乃至23重量%、Li2Oを3乃至10重量%、Na2Oを4乃至13重量%含有するアルミノシリケートガラスで構成されていることを特徴とするものである。
構成1乃至構成7のいずれか一を有する磁気ディスク用ガラス基板において、端面部の表層部に、化学処理によって底部の先鋭形状が鈍化された微細クラックを有していることを特徴とするものである。
磁気ディスクであって、構成1乃至構成8のいずれか一を有する磁気ディスク用ガラス基板の主表面上に、少なくとも磁性層が成膜されていることを特徴とするものである。
以下に述べる本実施例における磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、以下の(1)乃至(6)の工程からなる。
(2)端面部研削加工工程
(3)精研削工程
(4)端面部鏡面加工工程
(4−1)端面部鏡面研磨工程
(4−2)端面部化学処理工程
(5)主表面鏡面加工工程
(6)化学強化工程
上記のディスク状のガラス母材を用いて、直径28.7mm、厚さ0.6mmの円盤状のガラスディスクを得た。
この端面部研削加工工程は、研削砥石を用いて、ガラスディスクに外周側端面部と内周側端面部とを作成する工程である。
次に、砥粒の粒度を#1000に替え、ガラスディスクの主表面を研削することにより、主表面の表面粗さを、Rmaxで2μm程度、Raで0.2μm程度とした。
(4−1)端面部鏡面研磨工程
次いで、ガラスディスクの端面部について、ブラシ研磨により、ガラスディスクを回転させながら、ガラスディスクの端面部(内周端面部及び外周端面部)の表面の粗さを、Raで30nm程度に鏡面研磨した。
次に、端面部の化学処理を行なった。具体的には、弗酸水溶液(0.5重量%)を処理液とし、この処理液にガラスディスクを2分間浸漬させた。処理槽は、マルチンサイト系の耐食性ステンレス合金材料からなるものを用いた。
両面研磨装置を用いて、ガラスディスクの主表面鏡面研磨加工を行なった。両面研磨装置においては、研磨パッドが貼り付けられた上下定盤の間にキャリアにより保持したガラスディスクを密着させ、このキャリアをサンギアとインターナルギアとに噛合させ、このガラスディスクを上下定盤によって挟圧する。その後、研磨パッドとガラスディスク主表面との間に研磨スラリーを供給して回転させることによって、ガラスディスクが定盤上で自転しながら公転して両面を同時に研磨加工されものである。研磨キャリアの保持孔は、ガラスディスクの端面部が傷つかない部材で構成した。
ガラスディスクに化学強化を施した。化学強化は、硝酸カリウムと硝酸ナトリウムとを混合した化学強化用硝酸塩を用意し、340°C乃至380°Cに加熱して溶融塩とし、ガラスディスクを約2時間乃至4時間浸漬し、イオン交換を行なうことで、化学強化処理を行なった。
磁気ディスク用ガラス基板の主表面及び端面部について、目視検査を行い、さらに、光の反射、散乱及び透過を利用した精密検査を実施した。その結果、磁気ディスク用ガラス基板の主表面及び端面部には、突起や傷、クラックや異物等の欠陥は全く発見されなかった。サーマルアスペリティ障害の原因となる異物も全く発見されなかった。
得られた磁気ディスク用ガラス基板について、強度測定を行なった。この磁気ディスク用ガラス基板の内径部分に、直径10mmの鋼球を置き、外周を保持した状態で、鋼球を毎分3mmの速度で押し下げて、磁気ディスク用ガラス基板が破壊したときの荷重を測定した。その結果、2.2kgfの荷重を加えるまで、破壊しなかった。なお、強度測定には、島津製作所製「オートグラフAG−I5kN」を用いた。
次に、以下の工程を経て、磁気ディスクを製造した。
前述の実施例1において、(4−2)端面部化学処理工程の処理条件を様々に変更して、磁気ディスク用ガラス基板及ぴ磁気ディスクを製造した。処理条件を以下の〔表1〕に示す。
(比較例1)
実施例1における端面部化学処理工程において、処理液への浸漬時間を延ぱし、ガラスの除去量(取りしろ)を3000nmとしたところ、端面部の表面が梨子地状の表面状態となった。
比較例2−1として、実施例1における端面部化学処理工程を行わない磁気ディスク用ガラス基板を製造した。
Claims (9)
- 端面部が鏡面加工された、磁気抵抗効果型の素子を備える磁気ヘッドと共に用いられる磁気ディスクの基板となる磁気ディスク用ガラス基板であって、
前記端面部は、鏡面研磨工程の後に、前記ガラス基板を構成するガラスに対して溶解能のある処理液により化学処理された表面を有し、
前記端面部の表面の算術平均粗さ(Ra)が100nm以下である
ことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。 - 前記化学処理の後に、化学強化処理がなされている
ことを特徴とする請求項1記載の磁気ディスク用ガラス基板。 - 前記化学処理の後に、化学強化処理がなされており、抗折強度が2.2kgf以上である
ことを特徴とする請求項1記載の磁気ディスク用ガラス基板。 - 前記化学処理の後に、化学強化処理がなされており、耐衝撃性が5000G以上である
ことを特徴とする請求項1、または、請求項3記載の磁気ディスク用ガラス基板。 - 板厚が0.5mm未満である
ことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の磁気ディスク用ガラス基板。 - リチウムを含有するアルミノシリケートガラスにより構成されている
ことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載の磁気ディスク用ガラス基板。 - 主成分として、SiO2を58乃至75重量%、Al2O3を5乃至23重量%、Li2Oを3乃至10重量%、Na2Oを4乃至13重量%含有するアルミノシリケートガラスで構成されている
ことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一に記載の磁気ディスク用ガラス基板。 - 前記端面部の表層部に、前記化学処理によって底部の先鋭形状が鈍化された微細クラックを有している
ことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか一に記載の磁気ディスク用ガラス基板。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一に記載の磁気ディスク用ガラス基板の主表面上に、少なくとも磁性層が成膜されている
ことを特徴とする磁気ディスク。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012244017A JP5492276B2 (ja) | 2012-11-05 | 2012-11-05 | 磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスク |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012244017A JP5492276B2 (ja) | 2012-11-05 | 2012-11-05 | 磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスク |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010007869A Division JP5235916B2 (ja) | 2010-01-18 | 2010-01-18 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法及び磁気ディスク |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013030268A JP2013030268A (ja) | 2013-02-07 |
JP2013030268A5 JP2013030268A5 (ja) | 2013-07-11 |
JP5492276B2 true JP5492276B2 (ja) | 2014-05-14 |
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ID=47787137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012244017A Expired - Lifetime JP5492276B2 (ja) | 2012-11-05 | 2012-11-05 | 磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5492276B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7058358B1 (ja) * | 2021-03-05 | 2022-04-21 | 株式会社Uacj | 磁気ディスク装置および磁気ディスク装置を製造する方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07230621A (ja) * | 1993-07-07 | 1995-08-29 | A G Technol Kk | 磁気ディスク用ガラス基板およびその製造方法 |
JP2001019466A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-01-23 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク用ガラス基板 |
JP2001162510A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-19 | Hoya Corp | 研磨方法並びに磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
JP2002140816A (ja) * | 2000-11-01 | 2002-05-17 | Fuji Electric Co Ltd | 情報記録媒体用基板の特性評価方法 |
JP2005108306A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の化学強化処理方法、磁気ディスク用化学強化ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 |
-
2012
- 2012-11-05 JP JP2012244017A patent/JP5492276B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013030268A (ja) | 2013-02-07 |
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