WO2012043253A1 - 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および情報記録媒体 - Google Patents

情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および情報記録媒体 Download PDF

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zeta potential
polishing
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colloidal silica
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典子 島津
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コニカミノルタオプト株式会社
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    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C19/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by mechanical means

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a glass substrate for information recording medium and an information recording medium, and in particular, includes a method for manufacturing a glass substrate for information recording medium used for manufacturing an information recording medium, and the glass substrate for information recording medium.
  • the present invention relates to an information recording medium.
  • Patent Document 1 discloses a step of suppressing the adhesion of colloidal silica to a substrate in a polishing step in the process of manufacturing a glass substrate.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and is a glass substrate for an information recording medium capable of sufficiently suppressing re-adhesion of colloidal silica to a glass substrate in the glass substrate production process.
  • An object of the present invention is to provide a manufacturing method and an information recording medium provided with the glass substrate for the information recording medium.
  • the manufacturing method of the glass substrate for information recording media based on this invention, it is a manufacturing method of the glass substrate for information recording media in which a magnetic recording layer is formed in the main surface of a glass substrate, Comprising: During the manufacturing process of the said glass substrate The step of polishing using colloidal silica in a state where the glass substrate is held on the carrier of the polishing apparatus using a polishing apparatus, and the step of polishing the glass substrate includes the zeta potential of the colloidal silica.
  • the zeta potential ⁇ si of the colloidal silica, the zeta potential ⁇ c of the carrier, and the zeta potential ⁇ s of the glass substrate satisfy the relationship of the following formulas 1 and 2.
  • ⁇ 20 Equation 1
  • ⁇ 20 Equation 2
  • a water-soluble polymer or a surfactant is used as the zeta potential regulator.
  • the pH in the polishing step is 3-13.
  • a more preferred pH is 10-13.
  • the method includes a step of subjecting the glass substrate to a chemical strengthening treatment, and the step of polishing the glass substrate is performed on the glass substrate subjected to the chemical strengthening treatment.
  • An information recording medium based on the present invention includes a glass substrate obtained by the above-described method for manufacturing a glass substrate for an information recording medium, and a magnetic thin film layer formed on the main surface of the glass substrate.
  • a method for manufacturing a glass substrate for information recording medium capable of sufficiently suppressing re-adhesion of colloidal silica to the glass substrate in the manufacturing process of the glass substrate, and the glass substrate for information recording medium.
  • An information recording medium can be provided.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line VV in FIG. 4. It is a figure which shows the evaluation result which manufactured the glass substrate by "the process I.” It is a figure which shows the evaluation result which manufactured the glass substrate at "the process II.” It is a figure which shows the evaluation result which manufactured the glass substrate at "the process III.”
  • FIG. 1 is a perspective view showing a glass substrate 1 used for a magnetic disk 10 (see FIG. 2).
  • FIG. 2 is a perspective view showing a magnetic disk 10 provided with a glass substrate 1 as an information recording medium.
  • a glass substrate 1 (glass substrate for information recording medium) used for a magnetic disk 10 has an annular disk shape with a hole 1H formed in the center.
  • the glass substrate 1 has a front main surface 1A, a back main surface 1B, an inner peripheral end surface 1C, and an outer peripheral end surface 1D.
  • the size of the glass substrate 1 is, for example, 0.8 inch, 1.0 inch, 1.8 inch, 2.5 inch, or 3.5 inch.
  • the thickness of the glass substrate is, for example, 0.30 to 2.2 mm from the viewpoint of preventing breakage.
  • the glass substrate has an outer diameter of about 64 mm, an inner diameter of about 20 mm, and a thickness of about 0.8 mm.
  • the thickness of the glass substrate is a value calculated by averaging the values measured at a plurality of arbitrary points to be pointed on the glass substrate.
  • the magnetic disk 10 is configured by forming a magnetic thin film layer 2 on the front main surface 1A of the glass substrate 1 described above.
  • the magnetic thin film layer 2 is formed only on the front main surface 1A, but the magnetic thin film layer 2 may also be formed on the back main surface 1B.
  • the magnetic thin film layer 2 is formed by spin-coating a thermosetting resin in which magnetic particles are dispersed on the front main surface 1A of the glass substrate 1 (spin coating method).
  • the magnetic thin film layer 2 may be formed on the front main surface 1A of the glass substrate 1 by a sputtering method, an electroless plating method, or the like.
  • the film thickness of the magnetic thin film layer 2 formed on the front main surface 1A of the glass substrate 1 is about 0.3 ⁇ m to 1.2 ⁇ m in the case of the spin coating method, about 0.04 ⁇ m to 0.08 ⁇ m in the case of the sputtering method, In the case of the electroless plating method, the thickness is about 0.05 ⁇ m to 0.1 ⁇ m. From the viewpoint of thinning and high density, the magnetic thin film layer 2 is preferably formed by sputtering or electroless plating.
  • the magnetic material used for the magnetic thin film layer 2 is not particularly limited, and a conventionally known material can be used. However, in order to obtain a high coercive force, Co having high crystal anisotropy is basically used for the purpose of adjusting the residual magnetic flux density. A Co-based alloy to which Ni or Cr is added is suitable. Further, as a magnetic layer material suitable for heat-assisted recording, an FePt-based material may be used.
  • a lubricant may be thinly coated on the surface of the magnetic thin film layer 2 in order to improve the sliding of the magnetic recording head.
  • the lubricant include those obtained by diluting perfluoropolyether (PFPE), which is a liquid lubricant, with a solvent such as Freon.
  • an underlayer or a protective layer may be provided.
  • the underlayer in the magnetic disk 10 is selected according to the magnetic film.
  • the material for the underlayer include at least one material selected from nonmagnetic metals such as Cr, Mo, Ta, Ti, W, V, B, Al, and Ni.
  • the underlayer is not limited to a single layer, and may have a multi-layer structure in which the same or different layers are stacked.
  • a multilayer underlayer such as Cr / Cr, Cr / CrMo, Cr / CrV, NiAl / Cr, NiAl / CrMo, or NiAl / CrV may be used.
  • Examples of the protective layer for preventing wear and corrosion of the magnetic thin film layer 2 include a Cr layer, a Cr alloy layer, a carbon layer, a hydrogenated carbon layer, a zirconia layer, and a silica layer. These protective layers can be formed continuously with an in-line type sputtering apparatus, such as an underlayer and a magnetic film. In addition, these protective layers may be a single layer, or may have a multilayer structure including the same or different layers.
  • protective layers may be formed on the protective layer or instead of the protective layer.
  • colloidal silica fine particles are dispersed and applied to a Cr layer diluted with an alcohol solvent, and then fired to form a silicon oxide (SiO2) layer. May be.
  • Glass substrate manufacturing method Next, the manufacturing method of the glass substrate (glass substrate for information recording media) in this Embodiment is demonstrated using the flowchart figure shown in FIG.
  • the glass substrate manufacturing method in the present embodiment includes a glass blank material preparation step (step S10), a glass substrate formation step (step S20), a polishing step (step S30), a chemical strengthening step (step S40), and a cleaning step ( Step S50).
  • a magnetic thin film forming step (step S60) may be performed on the glass substrate (corresponding to the glass substrate 1 in FIG. 1) obtained through the chemical strengthening treatment step (step S40).
  • the magnetic disk 10 is obtained by the magnetic thin film forming step (step S60).
  • the glass material constituting the glass substrate is melted (step S11).
  • the glass material is, for example, aluminosilicate glass.
  • the molten glass material is poured onto the lower mold and then press-molded with the upper mold and the lower mold (step S12).
  • a disk-shaped glass blank (glass base material) is formed by press molding.
  • the glass blank material may be formed by cutting out a sheet glass (sheet glass) formed by a downdraw method or a float method with a grinding wheel.
  • a lapping process is performed on both main surfaces of the press-molded glass blank (step S21).
  • Both main surfaces of a glass blank material are the main surfaces used as the front main surface 1A and the main surface used as the back main surface 1B in FIG. 1 through each process mentioned later (henceforth, both main surfaces) Also called).
  • the lapping polishing process is performed by pressing a lapping platen such as a double-sided lapping device using a planetary gear mechanism against both main surfaces.
  • the approximate parallelism, flatness, thickness, and the like of the glass substrate are preliminarily adjusted by the lapping process.
  • a coring (inner peripheral cut) process is performed on the center portion of the glass blank using a cylindrical diamond drill or the like (step S22).
  • a coring process is performed on the center portion of the glass blank using a cylindrical diamond drill or the like.
  • a predetermined chamfering process may be performed on the hole in the center.
  • step S30 Similar to step S21 described above, lap polishing is performed on both main surfaces of the glass substrate (step S31).
  • the coring step (step S22) fine scratches and protrusions formed on both main surfaces of the glass substrate are removed.
  • the outer peripheral end surface of the glass substrate is polished into a mirror surface by a brush (step S32).
  • the abrasive grains a slurry containing cerium oxide abrasive grains is used.
  • step S31 the warp of the glass substrate is corrected while removing scratches remaining on both main surfaces of the glass substrate in the lapping polishing process (step S31) (step S32).
  • step S31 a double-side polishing device using a planetary gear mechanism is used.
  • the glass substrate is subjected to polishing again, and minute defects and the like remaining on both main surfaces of the glass substrate are eliminated (step S34). Both main surfaces of the glass substrate are finished to have a mirror-like surface to form a desired flatness, and the warp of the glass substrate is eliminated.
  • a double-side polishing device using a planetary gear mechanism is used. Colloidal silica is used as the abrasive.
  • FIGS. 4 is a partial cross-sectional view of a double-side polishing apparatus 1000 used in the polishing process
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line VV in FIG.
  • double-side polishing apparatus 1000 has an upper surface plate (upper whetstone holding surface plate) 300 and lower surface plate (lower whetstone holding) to which pellet holding plates 300a and 400a holding a number of grinding pellets 100 are attached.
  • a disk-shaped glass substrate 1 held by a carrier 500 is disposed between a surface plate 400.
  • the upper surface plate 300 and the lower surface plate 400 rotate in opposite directions.
  • a sun gear 600 and an internal gear 700 are provided between the upper surface plate 300 and the lower surface plate 400, and the carrier 500 is disposed between them.
  • a gear that meshes with the sun gear 600 and the internal gear 700 is formed on the outer periphery of the carrier 500. Accordingly, the sun gear 600 and the internal gear 700 are rotated with the rotation of the upper and lower surface plates, so that the carrier 500 rotates and revolves.
  • the rotation direction of the carrier 500 can be selected to be clockwise or counterclockwise by changing the rotation speed of the sun gear 600 and the rotation speed of the internal gear 700.
  • the carrier 500 rotates and revolves around the sun gear 600, and the upper and lower surface plates 300 and 400 rotate in opposite directions.
  • the upper surface plate 300 rotates in the clockwise direction
  • the sun gear 600, the internal gear 700, and the lower surface plate 400 all rotate in the counterclockwise direction.
  • the zeta potential of the colloidal silica and the zeta potential of the carrier 500 on which the glass substrate 1 is placed are repelled, and the zeta potential of the colloidal silica and the zeta potential of the glass substrate 1 are repelled.
  • the zeta potential of the colloidal silica is expressed as ⁇ si
  • the zeta potential of the carrier 500 is expressed as ⁇ c
  • the zeta potential of the glass substrate 1 is expressed as ⁇ s, each zeta potential satisfying the conditions of ⁇ si ⁇ 0, ⁇ c ⁇ 0, and ⁇ s ⁇ 0. Then, the glass substrate 1 is polished.
  • the zeta potential ⁇ si of the colloidal silica, the zeta potential ⁇ c of the carrier 500, and the zeta potential ⁇ s of the glass substrate 1 should satisfy the following formulas 1 to 3.
  • a water-soluble polymer or a surfactant can be used as a zeta potential regulator for colloidal silica zeta potential ⁇ si, carrier 500 zeta potential ⁇ c, and zeta potential ⁇ s of glass substrate 1.
  • the water-soluble polymer include polyvinyl alcohol, modified polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, (meth) acrylic acid (co) polymer, poly (meth) acrylamide (co) polymer, or ethylene glycol.
  • the surfactant include phosphoric acid surfactants, sulfonic acid surfactants, and nonionic surfactants.
  • the treatment time and the concentration of the water-soluble polymer or surfactant used in the treatment are adjusted by the water-soluble polymer or surfactant.
  • the value of the zeta potential For example, when the contact time with the water-soluble polymer is increased and the introduction amount of OH groups or COOH groups on the glass substrate or carrier surface is increased, the value of zeta potential decreases, and the OH group or COOH group When the introduction amount is decreased, the zeta potential value tends to increase.
  • the zeta potential of colloidal silica can be adjusted by adjusting the pH of the polishing liquid.
  • the pH of the polishing liquid is increased, that is, when adjusted to the alkaline side, the zeta potential decreases (adjustable to the negative side).
  • the pH is decreased, that is, adjusted to the acidic side, the zeta potential increases (adjustable to the positive side).
  • it can be similarly adjusted by the above water-soluble polymer or surfactant.
  • the pH of the colloidal silica in the polishing step is 3 to 13. More preferably, the pH is 10-13.
  • the alkali metal ions such as lithium ions and sodium ions contained in the glass substrate are replaced with alkali metal ions such as potassium ions having a larger ion radius than these ions (ion exchange method). Compressive stress is generated in the ion-exchanged region due to the strain caused by the difference in ion radius, and both main surfaces of the glass substrate are strengthened. As described above, a glass substrate corresponding to the glass substrate 1 shown in FIG. 1 is obtained.
  • the glass substrate 1 may be further subjected to a polishing polishing process in which the machining allowance on both main surfaces is 0.1 ⁇ m or more and 0.5 ⁇ m or less.
  • a polishing polishing process in which the machining allowance on both main surfaces is 0.1 ⁇ m or more and 0.5 ⁇ m or less.
  • a chemical strengthening step may be performed between the first polishing step (rough polishing) and the second polishing step (precision polishing).
  • the glass substrate is cleaned (step S50).
  • the deposits attached to the two main surfaces of the glass substrate are removed.
  • the number of deposits on the glass substrate surface is inspected using an optical defect inspection apparatus or the like.
  • Magnetic thin film layers are formed on both main surfaces (or any one of the main surfaces) of the glass substrate (corresponding to the glass substrate 1 shown in FIG. 1) on which the chemical strengthening treatment has been completed.
  • the magnetic thin film layer includes an adhesion layer made of a Cr alloy, a soft magnetic layer made of a CoFeZr alloy, an orientation control underlayer made of Ru, a perpendicular magnetic recording layer made of a CoCrPt alloy, a protective layer made of a C system, and a lubrication made of an F system. It is formed by sequentially depositing layers. By forming the magnetic thin film layer, a perpendicular magnetic recording disk corresponding to the magnetic disk 10 shown in FIG. 2 can be obtained.
  • the magnetic disk in the present embodiment is an example of a perpendicular magnetic disk composed of a magnetic thin film layer.
  • the magnetic disk may be composed of a magnetic layer or the like as a so-called in-plane magnetic disk.
  • Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4 shown in FIG. 6 are glass substrates manufactured by “Step I”.
  • Examples A to D and Comparative Examples A to D shown in FIG. II ” is a glass substrate manufactured according to“ Step III ”
  • Examples a to d and Comparative Examples a to d shown in FIG. 8 are glass substrates manufactured according to“ Step III ”.
  • the composition of the glass substrate is, by mass, SiO 2 : 50% to 70%, Al 2 O 3 : 0% to 20%, B 2 O 3 : 0% to 5%.
  • Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4 Referring to FIG. 6, the evaluation results of manufacturing the glass substrate in “Step I” are shown as Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4. Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4 show the results of polishing at each pH shown in FIG.
  • colloidal silica Compol 20 manufactured by Fujimi Incorporated was used, and a polishing process was performed using a suede polishing pad.
  • Zeda potential was measured using ELSZ-2 manufactured by Otsuka Electronics.
  • a sample of a predetermined size 37 mm ⁇ 16 mm ⁇ 5 mm
  • the zeta potential was measured using a flat cell of the carrier and the glass substrate.
  • the zeta potential was measured using a flow cell unit.
  • the applied voltage is 60 mV / cm.
  • the number of defects the number of defects on the end face of the glass substrate was evaluated.
  • the zeta potential of the colloidal silica, the carrier and the glass substrate was adjusted such that the pH of the polishing liquid was adjusted as shown in FIG. Adjustment was made by adjusting the time of contact with the activator solution. Specifically, it was adjusted by changing the concentration of the phosphoric acid surfactant (monoalkyl phosphate solution) (usually 1% solution). When the concentration is increased, the zeta potential decreases, and when the concentration is decreased, the zeta potential tends to increase (or remain unchanged with no treatment).
  • the concentration of the phosphoric acid surfactant usually 1% solution.
  • Example 1 The number of defects in Example 1 was “6”, the number of defects in Example 2 was “8”, the number of defects in Example 3 was “9”, and the evaluation results were all excellent (A).
  • the number of defects in Example 4 was “17”, and the evaluation result was good (B).
  • zeta potential of colloidal silica when the zeta potential of colloidal silica is expressed as ⁇ si, the zeta potential of carriers is expressed as ⁇ c, and the zeta potential of the glass substrate is expressed as ⁇ s, ⁇ si ⁇ 0, ⁇ c ⁇ 0, and ⁇ s ⁇ 0. The conditions were met.
  • Examples 1 to 3 with an evaluation result of excellent (A) have conditional expressions of Expressions 1 to 3 below.
  • Examples A to D and Comparative Examples A to D Referring to FIG. 7, the evaluation results of manufacturing the glass substrate in “Step II” are shown as Examples A to D and Comparative Examples A to D. Examples A to D and Comparative Examples A to D show the results of polishing at each pH shown in FIG.
  • colloidal silica Compol 20 manufactured by Fujimi Incorporated was used, and a polishing process was performed using a suede polishing pad.
  • Zeda potential was measured using ELSZ-2 manufactured by Otsuka Electronics.
  • a sample having a predetermined size 37 mm ⁇ 16 mm ⁇ 5 mm
  • the zeta potential was measured using a flat cell of the carrier and the glass substrate.
  • the zeta potential was measured using a flow cell unit.
  • the applied voltage is 60 mV / cm.
  • the number of defects the number of defects on the end face of the glass substrate was evaluated.
  • Example A The number of defects in Example A was “7”, the number of defects in Example B was “6”, the number of defects in Example C was “10”, and the evaluation results were all excellent (A).
  • the number of defects in Example D was “18”, and the evaluation result was good (B).
  • zeta potential of colloidal silica is expressed as ⁇ si
  • the zeta potential of carriers is expressed as ⁇ c
  • the zeta potential of the glass substrate is expressed as ⁇ s, ⁇ si ⁇ 0, ⁇ c ⁇ 0, and ⁇ s ⁇ 0. The conditions were met.
  • Example A to Example C with an excellent evaluation result (A) have conditional expressions of Expressions 1 to 3 below.
  • Examples a to d and Comparative examples a to d Referring to FIG. 8, the evaluation results of manufacturing the glass substrate in “Step III” are shown as Examples a to d and Comparative Examples a to d. Examples a to d and comparative examples a to d show the results of polishing at each pH shown in FIG.
  • colloidal silica Compol 20 manufactured by Fujimi Incorporated was used, and a polishing process was performed using a suede polishing pad.
  • Zeda potential was measured using ELSZ-2 manufactured by Otsuka Electronics.
  • a sample having a predetermined size 37 mm ⁇ 16 mm ⁇ 5 mm
  • the zeta potential was measured using a flat cell of the carrier and the glass substrate.
  • the zeta potential was measured using a flow cell unit.
  • the applied voltage is 60 mV / cm.
  • the number of defects the number of defects on the end face of the glass substrate was evaluated.
  • Example a The number of defects in Example a was “14”, the number of defects in Example b was “16”, the number of defects in Example c was “18”, and the evaluation results were all good (B).
  • the number of defects in Example d was “23”, and the evaluation result was good (C).
  • ⁇ si the zeta potential of colloidal silica
  • ⁇ c the zeta potential of carriers
  • Example A to Example C with a good evaluation result (B) have the following conditional expressions 1 to 3.
  • Comparative Examples a to d are inferior to those of Comparative Examples 1 to 4 and Comparative Examples A to D.
  • the evaluation results are “Step I” and “Step II”. This is because the "chemical strengthening process" is not adopted.

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Abstract

　この情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板（１）の製造工程中に、研磨装置（１０００）を用いて、上記ガラス基板（１）を上記研磨装置（１０００）のキャリア（５００）に保持した状態で、コロイダルシリカを用いて研磨する工程を含み、上記ガラス基板（１）を研磨する工程は、上記コロイダルシリカのゼータ電位と上記キャリア（５００）のゼータ電位とを反発させるとともに、上記コロイダルシリカのゼータ電位と上記ガラス基板（１）のゼータ電位を反発させて、上記ガラス基板（１）を研磨する工程を含み、上記コロイダルシリカのゼータ電位をζｓｉと表し、上記キャリア（５００）のゼータ電位をζｃと表し、上記ガラス基板（１）のゼータ電位をζｓと表すとき、ζｓｉ＜０、ζｃ＜０、ζｓ＜０の条件を満たす各ゼータ電位で上記ガラス基板（１）の研磨を行なう。

Description

情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および情報記録媒体
　本発明は、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および情報記録媒体に関し、特に、情報記録媒体の製造に用いられる情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、およびその情報記録媒体用ガラス基板を備えた情報記録媒体に関する。
　近年のメモリーハードディスクドライブ等の情報記録媒体においては、記録密度を上げるためにガラス基板の清浄性、平滑性への要求が高まっている。近年では、ガラス基板の最外端部まで高清浄に仕上げることが求められている。
　特開２００６－３０６９２４号公報（特許文献１）においては、ガラス基板の製造過程における研磨工程において、コロイダルシリカの基板への付着を抑制する工程が開示されている。
特開２００６－３０６９２４号公報
　しかし、発明者らの鋭意研究の結果、コロイダルシリカのゼータ電位とガラス基板のゼータ電位とをそれぞれ制御し、それぞれのゼータ電位を反発させた場合であっても、コロイダルシリカの基板への付着が十分に抑制されていないことを知見した。特に、研磨工程において、ガラス基板を保持するキャリアからのガラス基板の端部へのコロイダルシリカの付着が抑制されていないことを知見した。
　本発明は、上記の実情に鑑みて為されたものであって、ガラス基板の製造工程において、コロイダルシリカのガラス基板への再付着を十分に抑制することが可能な情報記録媒体用ガラス基板の製造方法およびその情報記録媒体用ガラス基板を備えた情報記録媒体を提供することを目的とする。
　この発明に基づいた情報記録媒体用ガラス基板の製造方法においては、ガラス基板の主表面に磁気記録層が形成される情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、上記ガラス基板の製造工程中に、研磨装置を用いて、上記ガラス基板を上記研磨装置のキャリアに保持した状態で、コロイダルシリカを用いて研磨する工程を含み、上記ガラス基板を研磨する工程は、上記コロイダルシリカのゼータ電位と上記キャリアのゼータ電位とを反発させるとともに、上記コロイダルシリカのゼータ電位と上記ガラス基板のゼータ電位を反発させて、上記ガラス基板を研磨する工程を含み、上記コロイダルシリカのゼータ電位をζｓｉと表し、上記キャリアのゼータ電位をζｃと表し、ガラス基板のゼータ電位をζｓと表すとき、ζｓｉ＜０、ζｃ＜０、ζｓ＜０の条件を満たす各ゼータ電位でガラス基板の研磨を行なう。
　他の形態においては、上記コロイダルシリカのゼータ電位ζｓｉ、上記キャリアのゼータ電位ζｃ、および、上記ガラス基板のゼータ電位ζｓが、下記の式１および式２の関係を満足する。｜ζｓｉ－ζｃ｜≦２０・・・式１、｜ζｓｉ－ζｓ｜≦２０・・・式２、｜ζｃ－ζｓ｜≦２０・・・式３。
　他の形態においては、上記各ゼータ電位の調整剤として、水溶性ポリマーまたは界面活性剤を用いる。
　他の形態においては、上記研磨工程におけるｐＨは、３～１３である。更に好ましいｐＨは、１０～１３である。
　他の形態においては、上記ガラス基板に化学強化処理を施す工程を含み、上記ガラス基板を研磨する工程は、上記化学強化処理を施した上記ガラス基板に対して行なう。
　この発明に基づいた情報記録媒体においては、上述の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得られたガラス基板と、上記ガラス基板の上記主表面上に形成された磁気薄膜層とを備える。
　本発明によれば、ガラス基板の製造工程において、コロイダルシリカのガラス基板への再付着を十分に抑制することが可能な情報記録媒体用ガラス基板の製造方法およびその情報記録媒体用ガラス基板を備えた情報記録媒体を提供することが可能となる。
実施の形態におけるガラス基板の製造方法によって得られるガラス基板を示す斜視図である。 実施の形態におけるガラス基板の製造方法によって得られるガラス基板を備えた磁気ディスクを示す斜視図である。 実施の形態におけるガラス基板の製造方法を示すフローチャート図である。 研磨工程に用いられる両面研磨装置の部分断面図である。 図４中のＶ－Ｖ線矢視断面図である。 「工程Ｉ」でガラス基板を製造した評価結果を示す図である。 「工程ＩＩ」でガラス基板を製造した評価結果を示す図である。 「工程ＩＩＩ」でガラス基板を製造した評価結果を示す図である。
　本発明に基づいた実施の形態について、以下、図面を参照しながら説明する。実施の形態の説明において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。実施の形態の説明において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。
　［ガラス基板１・磁気ディスク１０］
　図１および図２を参照して、まず、本実施の形態に基づく情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得られるガラス基板１、およびガラス基板１を備えた磁気ディスク１０について説明する。図１は、磁気ディスク１０（図２参照）に用いられるガラス基板１を示す斜視図である。図２は、情報記録媒体として、ガラス基板１を備えた磁気ディスク１０を示す斜視図である。
　図１に示すように、磁気ディスク１０に用いられるガラス基板１（情報記録媒体用ガラス基板）は、中心に孔１Ｈが形成された環状の円板形状を呈している。ガラス基板１は、表主表面１Ａ、裏主表面１Ｂ、内周端面１Ｃ、および外周端面１Ｄを有している。
　ガラス基板１の大きさは、たとえば０．８インチ、１．０インチ、１．８インチ、２．５インチ、または３．５インチである。ガラス基板の厚さは、破損防止の観点から、たとえば０．３０～２．２ｍｍである。本実施の形態におけるガラス基板の大きさは、外径が約６４ｍｍ、内径が約２０ｍｍ、厚さが約０．８ｍｍである。ガラス基板の厚さとは、ガラス基板上の点対象となる任意の複数の点で測定した値の平均によって算出される値である。
　図２に示すように、磁気ディスク１０は、上記したガラス基板１の表主表面１Ａ上に磁気薄膜層２が形成されることによって構成される。図２中では、表主表面１Ａ上にのみ磁気薄膜層２が形成されているが、裏主表面１Ｂ上にも磁気薄膜層２が形成されていてもよい。
　磁気薄膜層２は、磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂をガラス基板１の表主表面１Ａ上にスピンコートすることによって形成される（スピンコート法）。磁気薄膜層２は、ガラス基板１の表主表面１Ａに対してスパッタリング法、または無電解めっき法等により形成されてもよい。
　ガラス基板１の表主表面１Ａに形成される磁気薄膜層２の膜厚は、スピンコート法の場合は約０．３μｍ～１．２μｍ、スパッタリング法の場合は約０．０４μｍ～０．０８μｍ、無電解めっき法の場合は約０．０５μｍ～０．１μｍである。薄膜化および高密度化の観点からは、磁気薄膜層２はスパッタリング法または無電解めっき法によって形成されるとよい。
　磁気薄膜層２に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を得るために結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でＮｉやＣｒを加えたＣｏ系合金などが好適である。また、熱アシスト記録用に好適な磁性層材料として、ＦｅＰｔ系の材料が用いられてもよい。
　また、磁気記録ヘッドの滑りをよくするために磁気薄膜層２の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、たとえば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。
　さらに、必要により下地層や保護層を設けてもよい。磁気ディスク１０における下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、たとえば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、またはＮｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。
　また、下地層は単層とは限らず、同一または異種の層を積層した複数層構造としても構わない。たとえば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層としてもよい。
　磁気薄膜層２の摩耗や腐食を防止する保護層としては、たとえば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。これらの保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、これらの保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一または異種の層からなる多層構成としてもよい。
　上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。たとえば、上記保護層に替えて、Ｃｒ層の上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素（ＳｉＯ２)層を形成してもよい。
　［ガラス基板の製造方法］
　次に、図３に示すフローチャート図を用いて、本実施の形態におけるガラス基板（情報記録媒体用ガラス基板）の製造方法について説明する。
　本実施の形態におけるガラス基板の製造方法は、ガラスブランク材準備工程（ステップＳ１０）、ガラス基板形成工程（ステップＳ２０）、研磨工程（ステップＳ３０）、化学強化工程（ステップＳ４０）、および洗浄工程（ステップＳ５０）を備えている。化学強化処理工程（ステップＳ４０）を経ることによって得られたガラス基板（図１におけるガラス基板１に相当）に対して、磁気薄膜形成工程（ステップＳ６０）が実施されてもよい。磁気薄膜形成工程（ステップＳ６０）によって、磁気ディスク１０が得られる。
　以下、これらの各ステップＳ１０～Ｓ６０の詳細について順に説明する、以下には、各ステップＳ１０～Ｓ６０間に適宜行なわれる簡易的な洗浄については記載していない。
　（ガラスブランク材準備工程）
　ガラスブランク材準備工程（ステップＳ１０）においては、ガラス基板を構成するガラス素材が溶融される（ステップＳ１１）。ガラス素材は、たとえばアルミノシリケートガラスである。溶融したガラス素材は、下型上に流し込まれた後、上型および下型によってプレス成形される（ステップＳ１２）。プレス成形によって、円盤状のガラスブランク材（ガラス母材）が形成される。ガラスブランク材は、ダウンドロー法またはフロート法によって形成されたシートガラス（板ガラス）を、研削砥石で切り出すことによって形成されてもよい。
　（ガラス基板形成工程）
　次に、ガラス基板形成工程（ステップＳ２０）においては、プレス成形されたガラスブランク材の両方の主表面に対して、ラップ研磨処理が施される（ステップＳ２１）。ガラスブランク材の両方の主表面とは、後述する各処理を経ることによって、図１における表主表面１Ａとなる主表面および裏主表面１Ｂとなる主表面のことである（以下、両主表面ともいう）。ラップ研磨処理は、遊星歯車機構を利用した両面ラッピング装置などのラップ定盤を、両主表面に押圧することによって行なわれる。ラップ研磨処理によって、ガラス基板としてのおおよその平行度、平坦度、および厚みなどが予備調整される。
　ラップ研磨処理の後、円筒状のダイヤモンドドリルなどを用いてガラスブランク材の中心部に対してコアリング（内周カット）処理が施される（ステップＳ２２）。コアリング処理によって、中心部に孔の開いた円環状のガラス基板が得られる。中心部の孔に対しては、所定の面取り加工が施されてもよい。
　（研磨工程）
　次に、研磨工程（ステップＳ３０）においては、上述のステップＳ２１と同様に、ガラス基板の両主表面に対してラップ研磨処理が施される（ステップＳ３１）。コアリング工程（ステップＳ２２）においてガラス基板の両主表面に形成された微細なキズや突起物などが除去される。ラップ研磨処理の後、ガラス基板の外周端面がブラシによって鏡面状に研磨される（ステップＳ３２）。研磨砥粒としては、酸化セリウム砥粒を含むスラリーが用いられる。
　次に、第１ポリッシュ研磨工程（粗研磨）として、ラップ研磨工程（ステップＳ３１）においてガラス基板の両主表面に残留したキズを除去しつつ、ガラス基板の反りを矯正する（ステップＳ３２）。第１ポリッシュ研磨工程においては、遊星歯車機構を利用した両面研磨装置などが使用される。
　第２ポリッシュ研磨工程（精密研磨）においては、ガラス基板に研磨加工が再度実施され、ガラス基板の両主表面上に残留した微小欠陥等が解消される（ステップＳ３４）。ガラス基板の両主表面は鏡面状に仕上げられることによって所望の平坦度に形成され、ガラス基板の反りも解消される。第２ポリッシュ研磨工程においては、遊星歯車機構を利用した両面研磨装置などが使用される。研磨剤としては、コロイダルシリカが使用される。
　ここで、図４および図５を参照して、両面研磨装置１０００の構成について簡単に説明する。図４は、研磨工程に用いられる両面研磨装置１０００の部分断面図、図５は、図４中のＶ－Ｖ線矢視断面図である。
　図４を参照して、両面研磨装置１０００は、多数の研削用ペレット１００を保持したペレット保持板３００ａ，４００ａを取り付けた上定盤（上側砥石保持定盤）３００および下定盤（下側砥石保持定盤）４００の間にキャリア５００で保持したディスク状のガラス基板１が配置される。上定盤３００と下定盤４００とは互いに反対方向に回転するようになっている。
　また、図５に示すように、上定盤３００と下定盤４００との間には、太陽歯車６００とインターナル歯車７００とが設けられ、キャリア５００がこれらの間に配置されている。キャリア５００の外周には太陽歯車６００とインターナル歯車７００とに噛み合う歯車が形成されている。これにより、上下定盤の回転とともに太陽歯車６００およびインターナル歯車７００も回転してキャリア５００が自転及び公転するようになっている。
　キャリア５００の回転方向については、太陽歯車６００の回転数と、インターナル歯車７００の回転数を変化させることで、時計回りか、反時計回りかを選択できる。この加工装置においては、キャリア５００が太陽歯車６００のまわりを自転・公転しながら回ると共に、上下定盤３００，４００もそれぞれ反対方向に回転する。加工装置の上方から見た場合、上定盤３００は時計方向に回転し、太陽歯車６００，インターナル歯車７００，および下定盤４００はいずれも反時計方向に回転する。
　また、この研磨工程においては、コロイダルシリカのゼータ電位とガラス基板１を載置するキャリア５００のゼータ電位とを反発させるとともに、コロイダルシリカのゼータ電位とガラス基板１のゼータ電位を反発させている。
　コロイダルシリカのゼータ電位をζｓｉと表し、キャリア５００のゼータ電位をζｃと表し、ガラス基板１のゼータ電位をζｓと表すとき、ζｓｉ＜０、ζｃ＜０、ζｓ＜０の条件を満たす各ゼータ電位でガラス基板１の研磨を行なう。
　より好ましくは、コロイダルシリカのゼータ電位ζｓｉ、キャリア５００のゼータ電位ζｃ、および、ガラス基板１のゼータ電位ζｓが、下記の式１から式３の関係を満足すると良い。
　｜ζｓｉ－ζｃ｜≦２０・・・式１
　｜ζｓｉ－ζｓ｜≦２０・・・式２
　｜ζｃ－ζｓ｜≦２０・・・式３
　また、コロイダルシリカのゼータ電位ζｓｉ、キャリア５００のゼータ電位ζｃ、および、ガラス基板１のゼータ電位ζｓの各ゼータ電位の調整剤として、水溶性ポリマーまたは界面活性剤を用いることができる。水溶性ポリマーとしては、ポリビニルアルコール、変性ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、（メタ）アクリル酸（共）重合体、ポリ（メタ）アクリルアミド（共）重合体、またはエチレングリコールなどが挙げられる。界面活性剤としては、リン酸系界面活性剤、スルホン酸系界面活性剤、または非イオン界面活性剤などが挙げられる。
　キャリア５００のゼータ電位を調整する場合には、研磨液のｐＨを変更することに加えて、上記水溶性ポリマーまたは界面活性剤により処理時間や処理に用いる水溶性ポリマーや界面活性剤の濃度を調整することでゼータ電位の値を上昇させたり、下降させることが可能である。例えば、水溶性ポリマーとの接触時間を長くして、ガラス基板やキャリア表面におけるＯＨ基やＣＯＯＨ基の導入量を増加させた場合には、ゼータ電位の値は減少し、ＯＨ基やＣＯＯＨ基の導入量を低下させた場合にはゼータ電位の値は増加する傾向を示す。
　コロイダルシリカのゼータ電位は研磨液のｐＨを調整することで調整可能であり、研磨液のｐＨを大きくすると、即ちアルカリ性側に調整するとゼータ電位は低下し（マイナス側に調整可能）、研磨液のｐＨを小さくすると、即ち酸性側に調整すると、ゼータ電位は増加する（プラス側に調整可能）。更に、上記の水溶性ポリマーや界面活性剤により同様に調整が可能である。
　また、好ましくは、本研磨工程におけるコロイダルシリカのｐＨは、３～１３であると良い。更に好ましくはｐＨ１０-１３である。
　（化学強化工程）
　図３を再び参照して、ガラス基板が洗浄された後、化学強化処理液にガラス基板を浸漬することによって、ガラス基板の両主表面に化学強化層を形成する（ステップＳ４０）。
　ガラス基板に含まれるリチウムイオン、ナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンは、これらのイオンに比べてイオン半径の大きなカリウムイオン等のアルカリ金属イオンによって置換される（イオン交換法）。イオン半径の違いによって生じる歪みより、イオン交換された領域に圧縮応力が発生し、ガラス基板の両主表面が強化される。以上のようにして、図１に示すガラス基板１に相当するガラス基板が得られる。
　ガラス基板１に対しては、両主表面上における取り代が０．１μｍ以上０．５μｍ以下のポリッシュ研磨処理がさらに施されてもよい。化学強化工程を経た後にガラス基板の主表面上に残留している付着物が除去されることによって、ガラス基板１を用いて製造される磁気ディスクにヘッドクラッシュが発生することが低減される。また、ポリッシュ研磨処理における両主表面上の取り代を０．１μｍ以上０．５μｍ以下とすることによって、化学強化処理によって発生した応力の不均一性が表面に現れることもなくなる。本実施の形態におけるガラス基板の製造方法としては、以上のように構成される。
　なお、第１ポリッシュ研磨工程（粗研磨）と第２ポリッシュ研磨工程（精密研磨）との間に、化学強化工程を施してもかまわない。
　（洗浄工程）
　次に、ガラス基板は洗浄される（ステップＳ５０）。ガラス基板の両主表面が洗剤、純水、オゾン、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、またはＵＶ（ultraviolet）オゾンなどによって洗浄されることによって、ガラス基板の両主表面に付着した付着物が除去される。
　その後、ガラス基板表面上の付着物の数が、光学式欠陥検査装置等を用いて検査される。
　（磁気薄膜形成工程）
　化学強化処理が完了したガラス基板（図１に示すガラス基板１に相当）の両主表面（またはいずれか一方の主表面）に対し、磁気薄膜層が形成される。磁気薄膜層は、Ｃｒ合金からなる密着層、ＣｏＦｅＺｒ合金からなる軟磁性層、Ｒｕからなる配向制御下地層、ＣｏＣｒＰｔ合金からなる垂直磁気記録層、Ｃ系からなる保護層、およびＦ系からなる潤滑層が順次成膜されることによって形成される。磁気薄膜層の形成によって、図２に示す磁気ディスク１０に相当する垂直磁気記録ディスクを得ることができる。
　本実施の形態における磁気ディスクは、磁気薄膜層から構成される垂直磁気ディスクの一例である。磁気ディスクは、いわゆる面内磁気ディスクとして磁性層等から構成されてもよい。
　（作用・効果）
　以上、本実施の形態においては、研磨工程において、コロイダルシリカのゼータ電位とガラス基板１のゼータ電位を反発させるだけでなく、コロイダルシリカのゼータ電位とガラス基板１を載置するキャリア５００のゼータ電位とを反発させている。これにより、キャリア５００へのコロイダルシリカの付着が抑制されことで、キャリア５００からガラス基板１へのコロイダルシリカの再付着を防止することができる。
　[実施例・比較例]
　次に、図６から図８を参照して、実施例１～４、実施例Ａ～Ｄ、実施例ａ～ｄ、比較例１～４、比較例Ａ～Ｄ、および比較例ａ～ｄについて説明する。なお、図３で説明した製造工程を「工程Ｉ」と称し、第１ポリッシュ研磨工程（粗研磨）と第２ポリッシュ研磨工程（精密研磨）との間に、化学強化工程を採用した製造工程を「工程ＩＩ」と称し、化学強化工程を採用しない製造工程を「工程ＩＩＩ」と称する。
　図６に示す、実施例１～４および比較例１～４は、「工程Ｉ」により製造されたガラス基板であり、図７に示す実施例Ａ～Ｄおよび比較例Ａ～Ｄは、「工程ＩＩ」により製造されたガラス基板であり、図８に示す実施例ａ～ｄおよび比較例ａ～ｄは、「工程ＩＩＩ」により製造されたガラス基板である。
　また、ガラス基板の組成は、質量％で、ＳｉＯ２：５０％～７０％、Ａｌ２Ｏ３：０％～２０％、Ｂ２Ｏ３：０％～５％である。
　ただし、ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３＝５０％～８０％
　　　　　Ｌｉ２＋Ｎａ２＋Ｋ２Ｏ＝０％～２０％
　　　　　ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ＋ＺｎＯ＝２％～２０％
である。
　（実施例１～４および比較例１～４）
　図６を参照して、「工程Ｉ」でガラス基板を製造した評価結果を、実施例１～４および比較例１～４として示す。実施例１～４および比較例１～４は、図６に示す各ｐＨで研磨した結果を示す。
　コロイダルシリカは、フジミインコーポレッド社製のＣｏｍｐｏｌ２０を用い、スウェード製の研磨パッドを用いて、研磨工程を実施した。
　ゼーダ電位は、大塚電子製のＥＬＳＺ－２を用いて測定した。キャリアおよびガラス基板は、所定のサイズ（３７ｍｍ×１６ｍｍ×５ｍｍ）のサンプルを作成し、キャリアおよびガラス基板の平板セルを用いてゼータ電位を測定した。コロイダルシリカは、フローセルユニットを用いて、ゼータ電位を測定した。印加電圧は、６０ｍＶ／ｃｍである。欠陥（Ｄｅｆｅｃｔ）数は、ガラス基板の端面の欠陥（Ｄｅｆｅｃｔ）数を評価した。
　また、本実施例においては、コロイダルシリカ、キャリア及びガラス基板のゼータ電位は、研磨液のｐＨを図６に記載のように調整したことに加え、研磨処理前に界面活性剤としてリン酸系界面活性剤溶液と接触させる時間を調整することで、調整した。具体的には、リン酸系界面活性剤（モノアルキルリン酸塩溶液）の濃度を変更することで調整した（通常１％溶液）。濃度を高くした場合には、ゼータ電位は減少し、低くした場合には増加(するか未処理と変化なし)する傾向を示す。
　実施例１の欠陥数は「６」、実施例２の欠陥数は「８」、実施例３の欠陥数は「９」と、評価結果はいずれも優（Ａ）であった。実施例４の欠陥数は「１７」で、評価結果は良（Ｂ）であった。実施例１～４はいずれも、コロイダルシリカのゼータ電位をζｓｉと表し、キャリアのゼータ電位をζｃと表し、ガラス基板のゼータ電位をζｓと表すとき、ζｓｉ＜０、ζｃ＜０、ζｓ＜０の条件を満たしていた。
　また、評価結果が優（Ａ）の実施例１～実施例３は、下記式１から式３の条件式を具備している。
　｜ζｓｉ－ζｃ｜≦２０・・・式１
　｜ζｓｉ－ζｓ｜≦２０・・・式２
　｜ζｃ－ζｓ｜≦２０・・・式３
　一方、比較例１は、ζｓｉ＝０、ζｃ＝－２０（＜０）、ζｓ＝－４５（＜０）の条件で、また、上記式１から式３の条件式を具備していないことから、欠陥数が「２５」で評価は可（Ｃ）であった。また、比較例２は、ζｓｉ＝５（＞０）、ζｃ＝－１０（＜０）、ζｓ＝－１５（＜０）の条件で、また、上記式１から式３の条件式を具備していないことから、欠陥数が「２８」で評価は可（Ｃ）であった。また、比較例３は、ζｓｉ＝５（＞０）、ζｃ＝３（＞０）、ζｓ＝－２０（＜０）の条件で、また、上記式１から式３の条件式を具備していないことから、欠陥数が「６０」で評価は不（Ｄ）であった。また、比較例４は、ｐＨが１４かつ式３を満たさないため、であることから、欠陥数が「５５」で評価は不（Ｄ）であった。
　（実施例Ａ～Ｄおよび比較例Ａ～Ｄ）
　図７を参照して、「工程ＩＩ」でガラス基板を製造した評価結果を、実施例Ａ～Ｄおよび比較例Ａ～Ｄとして示す。実施例Ａ～Ｄおよび比較例Ａ～Ｄは、図７に示す各ｐＨで研磨した結果を示す。
　コロイダルシリカは、フジミインコーポレッド社製のＣｏｍｐｏｌ２０を用い、スウェード製の研磨パッドを用いて、研磨工程を実施した。
　ゼーダ電位は、大塚電子製のＥＬＳＺ－２を用いて測定した。キャリアおよびガラス基板は、所定のサイズ（３７ｍｍ×１６ｍｍ×５ｍｍ）のサンプルを作成し、キャリアおよびガラス基板の平セルを用いてゼータ電位を測定した。コロイダルシリカは、フローセルユニットを用いて、ゼータ電位を測定した。印加電圧は、６０ｍＶ／ｃｍである。欠陥（Ｄｅｆｅｃｔ）数は、ガラス基板の端面の欠陥（Ｄｅｆｅｃｔ）数を評価した。
　実施例Ａの欠陥数は「７」、実施例Ｂの欠陥数は「６」、実施例Ｃの欠陥数は「１０」と、評価結果はいずれも優（Ａ）であった。実施例Ｄの欠陥数は「１８」で、評価結果は良（Ｂ）であった。実施例Ａ～Ｄはいずれも、コロイダルシリカのゼータ電位をζｓｉと表し、キャリアのゼータ電位をζｃと表し、ガラス基板のゼータ電位をζｓと表すとき、ζｓｉ＜０、ζｃ＜０、ζｓ＜０の条件を満たしていた。
　また、評価結果が優（Ａ）の実施例Ａ～実施例Ｃは、下記式１から式３の条件式を具備している。
　｜ζｓｉ－ζｃ｜≦２０・・・式１
　｜ζｓｉ－ζｓ｜≦２０・・・式２
　｜ζｃ－ζｓ｜≦２０・・・式３
　一方、比較例Ａは、ζｓｉ＝０、ζｃ＝－２０（＜０）、ζｓ＝－４５（＜０）の条件で、また、上記式１から式３の条件式を具備していないことから、欠陥数が「２７」で評価は可（Ｃ）であった。また、比較例Ｂは、ζｓｉ＝５（＞０）、ζｃ＝－１０（＜０）、ζｓ＝－１３（＜０）の条件で、また、上記式１から式３の条件式を具備していないことから、欠陥数が「２９」で評価は可（Ｃ）であった。また、比較例Ｃは、ζｓｉ＝５（＞０）、ζｃ＝３（＞０）、ζｓ＝－２０（＜０）の条件で、また、上記式１から式３の条件式を具備していないことから、欠陥数が「５７」で評価は不（Ｄ）であった。また、比較例Ｄは、ｐＨが１４かつ式３を満たさないため、欠陥数が「５７」で評価は不（Ｄ）であった。
　（実施例ａ～ｄおよび比較例ａ～ｄ）
　図８を参照して、「工程ＩＩＩ」でガラス基板を製造した評価結果を、実施例ａ～ｄおよび比較例ａ～ｄとして示す。実施例ａ～ｄおよび比較例ａ～ｄは、図８に示す各ｐＨで研磨した結果を示す。
　コロイダルシリカは、フジミインコーポレッド社製のＣｏｍｐｏｌ２０を用い、スウェード製の研磨パッドを用いて、研磨工程を実施した。
　ゼーダ電位は、大塚電子製のＥＬＳＺ－２を用いて測定した。キャリアおよびガラス基板は、所定のサイズ（３７ｍｍ×１６ｍｍ×５ｍｍ）のサンプルを作成し、キャリアおよびガラス基板の平セルを用いてゼータ電位を測定した。コロイダルシリカは、フローセルユニットを用いて、ゼータ電位を測定した。印加電圧は、６０ｍＶ／ｃｍである。欠陥（Ｄｅｆｅｃｔ）数は、ガラス基板の端面の欠陥（Ｄｅｆｅｃｔ）数を評価した。
　実施例ａの欠陥数は「１４」、実施例ｂの欠陥数は「１６」、実施例ｃの欠陥数は「１８」と、評価結果はいずれも良（Ｂ）であった。実施例ｄの欠陥数は「２３」で、評価結果は可（Ｃ）であった。実施例ａ～ｄはいずれも、コロイダルシリカのゼータ電位をζｓｉと表し、キャリアのゼータ電位をζｃと表し、ガラス基板のゼータ電位をζｓと表すとき、ζｓｉ＜０、ζｃ＜０、ζｓ＜０の条件を満たしていた。
　また、評価結果が良（Ｂ）の実施例Ａ～実施例Ｃは、下記式１から式３の条件式を具備している。
　｜ζｓｉ－ζｃ｜≦２０・・・式１
　｜ζｓｉ－ζｓ｜≦２０・・・式２
　｜ζｃ－ζｓ｜≦２０・・・式３
　この実施例ａ～ｄの評価結果が、実施例１～４および実施例Ａ～Ｄに対して評価結果が劣るのは、「工程ＩＩＩ」では、「工程Ｉ」および「工程ＩＩ」で実施している「化学強化工程」を採用していないからである。
　比較例ａは、ζｓｉ＝０、ζｃ＝－２０（＜０）、ζｓ＝－４５（＜０）の条件で、また、上記式１から式３の条件式を具備していないことから、欠陥数が「３０」で評価は可（Ｃ）であった。また、比較例ｂは、ζｓｉ＝５（＞０）、ζｃ＝－１０（＜０）、ζｓ＝－１５（＜０）の条件で、また、上記式１から式３の条件式を具備していないことから、欠陥数が「３８」で評価は不（Ｄ）であった。また、比較例ｃは、ζｓｉ＝５（＞０）、ζｃ＝３（＞０）、ζｓ＝－２０（＜０）の条件で、また、上記式１から式３の条件式を具備していないことから、欠陥数が「７０」で評価は不（Ｄ）であった。また、比較例ｄは、ｐＨが１４かつ式３を満たさないため、欠陥数が「６８」で評価は不（Ｄ）であった。
　この比較例ａ～ｄの評価結果が、比較例１～４および比較例Ａ～Ｄに対して評価結果が劣るのは、「工程ＩＩＩ」では、「工程Ｉ」および「工程ＩＩ」で実施している「化学強化工程」を採用していないからである。
　以上、本発明に基づいた実施の形態および各実施例について説明したが、今回開示された実施の形態および各実施例はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１　ガラス基板、１Ａ　表主表面、１Ｂ　裏主表面、１Ｃ　内周端面、１Ｄ　外周端面、１Ｈ　孔、２　磁気薄膜層、１０　磁気ディスク、１００　研削用ペレット、３００ａ，４００ａ　ペレット保持板、３００　上定盤（上側砥石保持定盤）、４００　下定盤（下側砥石保持定盤）、５００　キャリア、６００　太陽歯車、７００　インターナル歯車、１０００　両面研磨装置。

Claims (6)

  1. 　ガラス基板（１）の主表面に磁気薄膜層（２）が形成される情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、
    　前記ガラス基板（１）の製造工程中に、研磨装置（１０００）を用いて、前記ガラス基板（１）を前記研磨装置（１０００）のキャリア（５００）に保持した状態で、コロイダルシリカを用いて研磨する工程を含み、
    　前記ガラス基板（１）を研磨する工程は、
    　前記コロイダルシリカのゼータ電位と前記キャリア（５００）のゼータ電位とを反発させるとともに、前記コロイダルシリカのゼータ電位と前記ガラス基板（１）のゼータ電位を反発させて、前記ガラス基板（１）を研磨する工程を含み、
    　前記コロイダルシリカのゼータ電位をζｓｉと表し、前記キャリア（５００）のゼータ電位をζｃと表し、前記ガラス基板（１）のゼータ電位をζｓと表すとき、ζｓｉ＜０、ζｃ＜０、ζｓ＜０の条件を満たす各ゼータ電位で前記ガラス基板（１）の研磨を行なう、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
  2. 　前記コロイダルシリカのゼータ電位ζｓｉ、前記キャリア（５００）のゼータ電位ζｃ、および、前記ガラス基板（１）のゼータ電位ζｓが、下記の式１から式３の関係を満足する、請求項１に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
    　｜ζｓｉ－ζｃ｜≦２０・・・式１
    　｜ζｓｉ－ζｓ｜≦２０・・・式２
    　｜ζｃ－ζｓ｜≦２０・・・式３
  3. 　前記各ゼータ電位の調整剤として、水溶性ポリマーまたは界面活性剤を用いる、請求項１または２に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
  4. 　前記研磨工程におけるｐＨは、３～１３である、請求項１から３のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
  5. 　前記ガラス基板（１）に化学強化処理を施す工程を含み、
    　前記ガラス基板（１）を研磨する工程は、前記化学強化処理を施した前記ガラス基板（１）に対して行なう、請求項１から４のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
  6. 　情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得られたガラス基板（１）と、
    　前記ガラス基板（１）の前記主表面上に形成された磁気薄膜層（２）と、を備え、
    　前記情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、
    　前記ガラス基板（１）の製造工程中に、研磨装置（１０００）を用いて、前記ガラス基板（１）を前記研磨装置（１０００）のキャリア（５００）に保持した状態で、コロイダルシリカを用いて研磨する工程を含み、
    　前記ガラス基板（１）を研磨する工程は、
    　前記コロイダルシリカのゼータ電位と前記キャリア（５００）のゼータ電位とを反発させるとともに、前記コロイダルシリカのゼータ電位と前記ガラス基板（１）のゼータ電位を反発させて、前記ガラス基板（１）を研磨する工程を含み、
    　前記コロイダルシリカのゼータ電位をζｓｉと表し、前記キャリア（５００）のゼータ電位をζｃと表し、前記ガラス基板（１）のゼータ電位をζｓと表すとき、ζｓｉ＜０、ζｃ＜０、ζｓ＜０の条件を満たす各ゼータ電位で前記ガラス基板（１）の研磨を行なう、情報記録媒体。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015155139A (ja) * 2014-01-20 2015-08-27 信越化学工業株式会社 合成石英ガラス基板の製造方法
JP2019186346A (ja) * 2018-04-06 2019-10-24 花王株式会社 シリコンウェーハの製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006120912A (ja) * 2004-10-22 2006-05-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法および製造装置
JP2006306924A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Kao Corp 研磨液組成物
JP2010192041A (ja) * 2009-02-18 2010-09-02 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法、それが使用される磁気記録媒体用ガラス基板、および、垂直磁気記録媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006120912A (ja) * 2004-10-22 2006-05-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法および製造装置
JP2006306924A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Kao Corp 研磨液組成物
JP2010192041A (ja) * 2009-02-18 2010-09-02 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法、それが使用される磁気記録媒体用ガラス基板、および、垂直磁気記録媒体

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015155139A (ja) * 2014-01-20 2015-08-27 信越化学工業株式会社 合成石英ガラス基板の製造方法
JP2019186346A (ja) * 2018-04-06 2019-10-24 花王株式会社 シリコンウェーハの製造方法
JP7105089B2 (ja) 2018-04-06 2022-07-22 花王株式会社 シリコンウェーハの製造方法

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