JP2015155139A - 合成石英ガラス基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ラッピング工程では、インゴットからスライスしたときの加工歪みを除去し、ポリッシング工程では、基板を鏡面化して表面の平坦度及び形状の作り込みを行い、最終的に精密研磨工程において、コロイダルシリカ砥粒の研磨スラリーを用いて基板表面を平滑にし、微小欠陥を除去した基板を製造する。
〔1〕
精密研磨前に界面活性剤が添加されている水溶液に合成石英ガラス基板を浸漬させた後、コロイダルシリカ水分散液を用いて合成石英ガラス基板を精密研磨することを特徴とする合成石英ガラス基板の製造方法。
〔2〕
前記界面活性剤が、ノニオン系界面活性剤であることを特徴とする〔1〕に記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
〔3〕
前記ノニオン系界面活性剤が、直鎖のアルキルエーテル型界面活性剤であることを特徴とする〔2〕に記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
〔4〕
前記ノニオン系界面活性剤のHLB値が、8〜15であることを特徴とする〔2〕又は〔3〕に記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
〔5〕
前記界面活性剤の添加量が、0.01〜0.5質量%であることを特徴とする〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
〔6〕
前記コロイダルシリカ水分散液に含まれるコロイダルシリカ砥粒の一次粒子径が、20〜200nmであることを特徴とする〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
〔7〕
界面活性剤を用いてナップ層を発泡させたスェード研磨布を用いて研磨を行うようにした〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
本発明における合成石英ガラス基板の製造方法は、コロイダルシリカ砥粒を研磨スラリーに使用する研磨工程直前に、界面活性剤、特にアルキルエーテル型のノニオン系界面活性剤を添加している水溶液に基板を浸漬させることによって、研磨開始時における基板表面の環境が、コロイダルシリカ砥粒が集まりやすい状態を提供する。即ち、精密研磨工程の最初期に基板表面へ静電気的に引き寄せられるコロイダルシリカ砥粒が増加し、基板表面に多くのコロイダルシリカ砥粒が配置されることにより、続いてコロイダルシリカ砥粒同士の静電気的引力、もしくはファンデルワールス力によって後続のコロイダルシリカ砥粒が基板表面に衝突しやすくすることが研磨レート向上に有効であり、同時に基板表面の低欠陥、低粗度を達成する。
また、本手法は、あらゆる大きさの合成石英ガラス基板に対しても、研磨レートを向上させつつ、低欠陥、低粗度の要求を満たす基板を効率よく製造することを可能とする。
即ち、スェード系研磨布のナップ層に残留している界面活性剤が研磨スラリー中に含まれる水分によって溶出してくるよりも早く、基板表面のノニオン系界面活性剤と研磨スラリー中のコロイダルシリカ粒子との相互作用が得られるために、研磨工程の最初期の基板表面におけるコロイダルシリカ粒子の存在確率を引き上げることができ、研削力が上がった状態で研磨を開始することができる。
ノニオン系の場合は、それ自身が電荷を持たず研磨の進行を促進させ、かつ上記副反応を引き起こす可能性がないことより好ましい。
更に、スェード系研磨布の中には、ナップ層を形成させる際に、電荷をもつアニオン系などの界面活性剤を用いているものもあり、そのような研磨布を用いた研磨工程では、ノニオン系界面活性剤以外のものを用いると、合成石英ガラス基板表面と研磨布内の残留界面活性剤の異種の界面活性剤が相互作用し、研磨スラリーの不安定化などの不具合が起こる場合がある。
これは、一般的に、コロイダルシリカ砥粒を研磨スラリーとして使用する際、液性はアルカリもしくは弱酸性であることが多く、エーテル結合が強酸性下でのみ開裂する特性を考慮すると、アルキルエーテル型の形を持つことで、研磨中にノニオン系界面活性剤の構造が化学的に破壊される可能性が極めて低い理由による。更に、アルキル鎖の部分が直鎖構造であれば、界面活性剤の分子が立体的に嵩高くなることが少ないため、コロイダルシリカ砥粒と基板表面の衝突における障害となりにくく、更に好ましい。
HLB=(ポリオキシエチレン鎖の分子量/ノニオン系界面活性剤の分子量)×
(100/5)
において、8〜15の範囲の値を有するものが好ましい。HLB値が8よりも小さい場合、合成石英ガラス基板表面上のノニオン系界面活性剤が消泡剤としての機能を発揮することがしばしばあり、研磨布中に残留している界面活性剤と相互作用を引き起こし、研磨スラリーの電気的バランスが崩れコロイダルシリカ砥粒が凝集もしくは溶解する不具合を起こす可能性がある。逆に、HLB値が15より大きい場合、合成石英ガラス基板表面のノニオン系界面活性剤がコロイダルシリカ砥粒の周りに集まりミセル構造を形成し、コロイダルシリカ砥粒の研削力の低下につながるおそれがある。
本発明の製造方法は、好ましくはセミファイナルもしくはファイナルポリッシュ等の精密研磨工程において適用される。
スライスされた合成石英ガラス基板原料(6インチ角、厚さ6.35mm)を、遊星運動を行う両面ラップ機にてラッピングした後、遊星運動を行う両面ポリッシュ機にて粗研磨を行い、原料基板を用意した。
粗研磨した基板を、ノニオン系界面活性剤として日本乳化剤(株)製Newcol 2310(HLB14.0)のポリオキシエチレンアルキルエーテルが0.05質量%溶解している水溶液に45秒間浸漬させた後、ノニオン系界面活性剤を用いてナップ層を発泡させたスェード研磨布を用い、研磨剤としてSiO2濃度が40質量%のコロイダルシリカ水分散液((株)フジミインコーポレーテッド製、粒子径76.8nm)を用いて研磨を実施した。研磨圧は、100gf/cm2で、5μmを研磨取代として研磨を実施したところ、研磨時間20分間で研磨が完了した。
研磨終了後、洗浄・乾燥してからレーザーコンフォーカル光学系高感度欠陥検査装置(レーザーテック(株)製)を用いて欠陥検査を実施したところ、長径40nm級以上の欠陥は平均1.8個であった。また、基板表面の面粗さ(Rms)は0.15nmであった。
実施例1と同様に粗研磨した基板を、ノニオン系界面活性剤として日本乳化剤(株)製Newcol 2303(HLB8.3)のポリオキシエチレンアルキルエーテルが0.01質量%溶解している水溶液に10秒間浸漬させた後、ノニオン系界面活性剤を用いてナップ層を発泡させたスェード研磨布を用い、研磨剤としてSiO2濃度が40質量%のコロイダルシリカ水分散液((株)フジミインコーポレーテッド製、粒子径54.8nm)を用いて研磨を実施した。研磨圧は、100gf/cm2で、5μmを研磨取代として研磨を実施したところ、研磨時間24分間で研磨が完了した。
研磨終了後、洗浄・乾燥してからレーザーコンフォーカル光学系高感度欠陥検査装置(レーザーテック(株)製)を用いて欠陥検査を実施したところ、長径40nm級以上の欠陥は平均1.6個であった。また、基板表面の面粗さ(Rms)は0.15nmであった。
実施例1と同様に粗研磨した基板を、ノニオン系界面活性剤として花王(株)製エマルゲン709(HLB13.3)のポリオキシエチレンアルキルエーテルが0.05質量%溶解している水溶液に100秒間浸漬させた後、アニオン系界面活性剤を用いてナップ層を発泡させたスェード研磨布を用い、研磨剤としてSiO2濃度が40質量%のコロイダルシリカ水分散液(日産化学工業(株)製、粒子径100.2nm)を用いて研磨を実施した。研磨圧は、90gf/cm2で、5μmを研磨取代として研磨を実施したところ、研磨時間22分間で研磨が完了した。
研磨終了後、洗浄・乾燥してからレーザーコンフォーカル光学系高感度欠陥検査装置(レーザーテック(株)製)を用いて欠陥検査を実施したところ、長径40nm級以上の欠陥は平均1.6個であった。また、基板表面の面粗さ(Rms)は0.17nmであった。
スライスされた8インチφのウェーハ(厚さ0.725mm)を、遊星運動を行う両面ラップ機にてラッピングした後、遊星運動を行う両面ポリッシュ機にて粗研磨を行い、原料基板を用意した。この基板を、HLB13.2のポリオキシエチレンアルキルエーテルが0.05質量%溶解している水溶液に30秒間浸漬させた後、実施例1と同じ研磨布を用い、研磨剤としてSiO2濃度が20質量%のコロイダルシリカ水分散液(扶桑化学工業(株)製、粒子径82.2nm)を用いた研磨圧50gf/cm2の条件で研磨を実施した。
研磨終了後、洗浄・乾燥してから表面の面粗さ(Rms)は0.15nmであった。また、スクラッチやピットといった研磨起因のキズは検出されなかった。
実施例1と同様に粗研磨した基板をノニオン系界面活性剤の処理をせず、ノニオン系界面活性剤を用いてナップ層を発泡させたスェード研磨布を用い、研磨剤としてSiO2濃度が40質量%のコロイダルシリカ水分散液((株)フジミインコーポレーテッド製、粒子径54.8nm)を用いて研磨を実施した。研磨圧は、100gf/cm2で、5μmを研磨取代として研磨を実施したところ、研磨時間42分間で研磨が完了した。
研磨終了後、洗浄・乾燥してからレーザーコンフォーカル光学系高感度欠陥検査装置(レーザーテック(株)製)を用いて欠陥検査を実施したところ、長径40nm級以上の欠陥は平均1.6個であった。また、基板表面の面粗さ(Rms)は0.15nmであった。
Claims (7)
- 精密研磨前に界面活性剤が添加されている水溶液に合成石英ガラス基板を浸漬させた後、コロイダルシリカ水分散液を用いて合成石英ガラス基板を精密研磨することを特徴とする合成石英ガラス基板の製造方法。
- 前記界面活性剤が、ノニオン系界面活性剤であることを特徴とする請求項1に記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
- 前記ノニオン系界面活性剤が、直鎖のアルキルエーテル型界面活性剤であることを特徴とする請求項2に記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
- 前記ノニオン系界面活性剤のHLB値が、8〜15であることを特徴とする請求項2又は3に記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
- 前記界面活性剤の添加量が、0.01〜0.5質量%であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
- 前記コロイダルシリカ水分散液に含まれるコロイダルシリカ砥粒の一次粒子径が、20〜200nmであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
- 界面活性剤を用いてナップ層を発泡させたスェード研磨布を用いて研磨を行うようにした請求項1〜6のいずれか1項に記載の合成石英ガラス基板の製造方法。
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