JP2006035413A - ガラス基板の研磨方法およびガラス基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】平均一次粒子径が50nm以下のコロイダルシリカ、酸および水を含み、pHが0.5〜4の範囲になるように調整してなる研磨スラリーを用いて、SiO2を主成分とするガラス基板の表面を、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さRmsが0.15nm以下になるように研磨する。
【選択図】なし
Description
(1) 平均一次粒子径が50nm以下のコロイダルシリカと水とを含み、pHを1〜4の範囲となるように調整された研磨スラリーを用いて、SiO2を主成分とするガラス基板の表面を、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さRmsが0.15nm以下になるように研磨することを特徴とするガラス基板の研磨方法。
(2) 平均一次粒子径が50nm以下のコロイダルシリカと水とを含み、pHを0.5〜4の範囲となるように調整された研磨スラリーを用いて、SiO2を主成分とするガラス基板の表面を、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さRmsが0.15nm以下になるように研磨することを特徴とするガラス基板の研磨方法。
(3) 平均一次粒子径が20nm未満のコロイダルシリカを用いる上記(1)または(2)のガラス基板の研磨方法。
(4) 幅が60nm以上の凹状欠点を142mm×142mmの範囲内で3個以下にする上記(1)、(2)または(3)のガラス基板の研磨方法。
(5) 前記研磨スラリーがコロイダルシリカと酸と水とを含有してなり、研磨スラリー中のコロイダルシリカの含有量が10〜30質量%である上記(1)〜(4)のいずれかのガラス基板の研磨方法。
(6) 前記水が、レーザー光等を用いた光散乱方式で計測した0.1μm以上の微粒子数が実質的に1ケ/ml以下である純水または超純水である上記(1)〜(5)のいずれかのガラス基板の研磨方法。
(7) 前記研磨スラリーで研磨した後のガラス基板を、硫酸と過酸化水素水の熱溶液で洗浄し、さらに中性界面活性剤溶液で洗浄する上記(1)〜(6)のいずれかのガラス基板の研磨方法。
(8) ガラス基板の表面をあらかじめ予備研磨し、その後に前記研磨スラリーで仕上げ研磨する上記(1)〜(7)のいずれかのガラス基板の研磨方法。
(9) 上記(1)〜(8)のいずれかの研磨方法で研磨された、SiO2を主成分とするガラス基板。
(10) 前記ガラス基板が、線幅が45nm以下の半導体製造用露光装置の光学系部品用のガラス基板である上記(9)のガラス基板。
その研磨方法は限定されないが、例えば複数の両面ラップ研磨機を連接し、研磨材や研磨条件を変えながら該研磨機で順次研磨することにより、ガラス基板を所定の厚さと表面粗さに予備研磨できる。この予備研磨の表面粗さ(Rms)としては、例えば3nm以下が好ましく、より好ましくは1.0nm以下、更に好ましくは0.5nm以下である。
好ましい洗浄方法の一つとして、例えば最初に硫酸と過酸化水素水の熱溶液で洗浄したあと、水ですすぎ洗浄し、次いで中性界面活性剤溶液で洗浄する方法を挙げることができる。しかし、洗浄方法はこれに限定されないで、その他の方法でもよい。
凸状欠点2の幅もこれと同じである。幅wが60nm以上の凹状欠点1が、142mm×142mmの範囲内に3個より多く存在すると、研磨表面の平坦性が悪くなるばかりでなく、該表面に反射多層膜を形成したとき、膜上の凹凸欠点となるので好ましくない。
(研磨条件)
研磨試験機 :浜井産業社製 両面24B研磨機
研磨パッド :カネボウ社製 ベラトリックスK7512
研磨定盤回転数:35rpm
研磨時間 :50分
研磨荷重 :80g/cm2
希釈水 :純水(比抵抗値4.2MΩ・cm、0.2μm以上異物濾過)
スラリー流量 :10l/min
2:凸状欠点
3:ガラス基板
Claims (10)
- 平均一次粒子径が50nm以下のコロイダルシリカと水とを含み、pHを0.5〜4の範囲となるように調整された研磨スラリーを用いて、SiO2を主成分とするガラス基板の表面を、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さRmsが0.15nm以下になるように研磨することを特徴とするガラス基板の研磨方法。
- 平均一次粒子径が50nm以下のコロイダルシリカと水とを含み、pHを1〜4の範囲となるように調整された研磨スラリーを用いて、SiO2を主成分とするガラス基板の表面を、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さRmsが0.15nm以下になるように研磨することを特徴とするガラス基板の研磨方法。
- 平均一次粒子径が20nm未満のコロイダルシリカを用いる請求項1または2に記載のガラス基板の研磨方法。
- 幅が60nm以上の凹状欠点を142mm×142mmの範囲内で3個以下にする請求項1、2または3に記載のガラス基板の研磨方法。
- 前記研磨スラリーがコロイダルシリカと酸と水とを含有してなり、研磨スラリー中のコロイダルシリカの含有量が10〜30質量%である請求項1〜4のいずれかに記載のガラス基板の研磨方法。
- 前記水が、レーザー光等を用いた光散乱方式で計測した0.1μm以上の微粒子数が実質的に1ケ/ml以下である純水または超純水である請求項1〜5のいずれかに記載のガラス基板の研磨方法。
- 前記研磨スラリーで研磨した後のガラス基板を、硫酸と過酸化水素水の熱溶液で洗浄し、さらに中性界面活性剤溶液で洗浄する請求項1〜6のいずれかに記載のガラス基板の研磨方法。
- ガラス基板の表面をあらかじめ予備研磨し、その後に前記研磨スラリーで仕上げ研磨する請求項1〜7のいずれかに記載のガラス基板の研磨方法。
- 請求項1〜8のいずれかの研磨方法で研磨されたSiO2を主成分とするガラス基板。
- 前記ガラス基板が、線幅が45nm以下の半導体製造用露光装置の光学系部品用のガラス基板である請求項9に記載のガラス基板。
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