JP2007284341A - マスクブランクス用ガラス基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法、転写マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法、並びにマスクブランクス用ガラス基板、マスクブランクス、転写マスク - Google Patents

Abstract

【課題】基板表面に微小な凸状の表面欠陥のないマスクブランクス用ガラス基板及びその製造方法、並びに該基板を用いたマスクブランクス、及びその製造方法、並びに、転写マスク及びその製造方法、及び半導体装置の製造方法を得ること可能にする。
【解決手段】ガラス基板に必要な加工処理を施し、表面を粗研磨した後に仕上研磨を行う方法において、その仕上研磨工程の中に、有機ケイ素化合物を加水分解することで生成したコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液（スラリー）を用いて研磨する超精密研磨工程を設ける。
【選択図】なし

Description

本発明は、基板表面に微小な凸状の表面欠陥のないマスクブランクス用ガラス基板、及びその製造方法、並びに該基板を用いたマスクブランクス、及びその製造方法、並びに、転写マスク及びその製造方法、及び半導体装置の製造方法に関する。

近年における超ＬＳＩデバイスの高密度化、高精度化により、マスクブランクス用ガラス基板などの電子デバイス用ガラス基板の平坦度や表面欠陥に対する要求は年々厳しくなる状況にある。ここで、従来のマスクブランクス用ガラス基板の表面粗さを低減するための精密研磨方法としては、例えば、特開平１−４０２６７号公報に記載されているものがある。この精密研磨方法は、酸化セリウムを主材とする研磨材を用いて研磨した後、コロイダルシリカを用いて仕上げ研磨するものである。この場合、上記公報によれば、一般的に市販されているコロイダルシリカは、安定性の点からｐＨが９〜１０．５の範囲にあるが、希釈して使う場合にはｐＨ値が低下するので、ＮａＯＨ、ＫＯＨ等の無機アルカリや、アミン等の有機アルカリを新たに添加し、ｐＨを〜１１と高めて使用する方がアルカリのガラスをエッチングする効果も相乗的に発揮されるので好ましいとされている。

本願発明者は、上記コロイダルシリカを用いてｐＨを高めた状態で仕上げ研磨を行ったガラス基板の表面が、近年要求されている平坦度や表面欠陥に対する高いレベルの条件を満たすものであるか否かを克明に調べた。その結果、上記方法で仕上げ研磨を行ったガラス基板表面には、高さが数ｎｍ程度、大きさは数十ｎｍ〜２０００ｎｍの凸状の突起が形成されることがあることが判明した。これは、従来の目視検査では確認できない小さい高さの凸状の突起で、上記近年要請されるようになった高いレベルの表面欠陥フリーの要請を確認するために開発された欠陥検査装置によってはじめて確認することができたものである。

この凸状の突起上に薄膜を形成し、マスクブランクス、転写マスクを作製した場合、凸状の突起の大きさが拡大化されるため、次世代の基板として要求される０．３μｍ欠陥フリー（０．３μｍ以上の欠陥がないこと）、更には０．１μｍフリー（０．１μｍ以上の欠陥がないこと）、０．０５μｍ欠陥フリー（０．０５μｍ以上の欠陥がないこと）であったとしてもマスクブランクス、マスクの欠陥検査を行った場合、問題となることがある。

また、この数ｎｍ程度の凸状の突起が形成されたガラス基板を使って位相シフトマスクブランクス、位相シフトマスクを作製した場合、露光光の波長が短波長になるにしたがって、凸状の突起による位相角変化が大きくなり位相欠陥となる。この位相欠陥は、使用する露光波長が短くなるに従って、凸状の突起による影響が大きくなり、特に、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２エキシマレーザー、ＥＵＶ光源を露光光源とする次世代のリソグラフィーにおいてその問題は顕著になる。例えば、凸状突起の高さが５ｎｍの場合、露光波長がＡｒＦ（１９３ｎｍ）の場合、位相角変化は４．６度、Ｆ２（１５７ｎｍ）の場合、位相角変化は５．７度となり、また、この数ｎｍ程度の凸状の突起が形成されたガラス基板を使ってＥＵＶ反射型マスクブランクス、ＥＵＶ反射型マスクを作成した場合、凸状突起の高さが５ｎｍの場合、露光波長が１３．５ｎｍで２０度を超え、これらの位相角変化に
よって、ＣＤ誤差不良となり、無視できない問題となる。

本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、コロイダルシリカを用いた研磨砥粒による精密研磨を行っても、基板表面に微小な凸状の表面欠陥が発生しないか又は発生率の低いマスクブランクス用ガラス基板、及び微小な凸状の表面欠陥に起因する位相欠陥のないマスクブランクスの製造方法を提供することを第一の目的とする。
また、本発明は、基板表面に微小な凸状の表面欠陥が起因するパターン欠陥のない転写マスク、及び半導体装置の製造方法を提供することを第二の目的とする。
さらに、基板表面に微小な凸状の表面欠陥のないマスクブランクス用ガラス基板、及び該表面欠陥による位相欠陥のないマスクブランクス及び転写マスクを提供することを第三の目的とする。

上述の課題を解決するための手段として、第１の手段は、
マスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、
前記研磨砥粒は、有機ケイ素化合物を加水分解することで生成したコロイダルシリカ砥粒を含むことを特徴とするマスクブランクス用ガラス基板の製造方法である。
第２の手段は、
マスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、
前記研磨液は、コロイダルシリカ砥粒を含むものであるとともに、中性であることを特徴とするマスクブランクス用ガラス基板の製造方法である。
第３の手段は、
前記コロイダルシリカ砥粒は、アルカリ金属の含有量が、０．１ｐｐｍ以下であることを特徴とする第１又は第２の手段にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法である。
第４の手段は、
マスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する工程を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、
前記研磨液は、コロイダルシリカ砥粒を含むものであり、
前記研磨工程は、研磨体を前記ガラス基板表面に所定の圧力で押圧してこれらを相対移動させて所望の表面粗さに仕上げる表面粗さ制御工程を有し、この表面粗さ制御工程の後に、前記所定の圧力よりも小さい圧力にし、前記研磨体と前記ガラス基板を相対移動させて微小な凸状の突起の発生を抑制する突起抑制工程と、を有することを特徴とするマスクブランクス用ガラス基板の製造方法である。
第５の手段は、
前記突起抑制工程における基板に対する研磨体からの圧力を１００ｇ／ｃｍ^２以下とすることを特徴とする第４の手段にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法である。
第６の手段は、
マスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程と、洗浄液で洗浄する洗浄工程とを有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、
前記研磨工程は、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いた精密研磨であり、
前記洗浄液は、前記マスクブランクス用ガラス基板に対してエッチング作用を有するとともに、前記研磨液に含まれる金属粒子等の不純物であって、前記マスクブランクス用ガラス基板に付着した不純物に対してより強いエッチング作用を有する洗浄液であることを特徴とするマスクブランクス用ガラス基板の製造方法である。
第７の手段は、
前記洗浄は、フッ酸及び／又はケイフッ酸を含む洗浄液で洗浄することを特徴とする第６の手段にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法である。
第８の手段は、
前記ガラス基板は、ＡｒＦエキシマレーザー露光用位相シフトマスクブランクス用ガラス基板、Ｆ２エキシマレーザー露光用位相シフトマスクブランクス用ガラス基板、又は、ＥＵＶ反射型マスクブランクス用ガラス基板の何れかであることを特徴とする第１〜第７のいずれかの手段にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法である。
第９の手段は、
第１〜第８のいずれかの手段にかかる電子デバイス用ガラス基板の製造方法で製造した電子デバイス用ガラス基板の主表面上に、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクスの製造方法である。
第１０の手段は、
第９の手段にかかるマスクブランクスの製造方法で製造したマスクブランクスにおける前記薄膜をパターニングして、前記ガラス基板上に薄膜パターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法である。
第１１の手段は、
第１０の手段にかかる転写マスクの製造方法で製造した転写マスクを用いて、半導体基板上にリソグラフィー技術により微細パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
第１２の手段は、
ガラス基板の主表面内に主成分がＳｉとＯとを含み、高さが約２〜７ｎｍの微小な凸状の表面欠陥が存在しないマスクブランクス用ガラス基板である。
第１３の手段は、
第１２の手段にかかるガラス基板の主表面上に、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜を形成したことを特徴とするマスクブランクスである。
第１４の手段は、
第１３の手段にかかるマスクブランクスにおける前記薄膜をパターニングして、前記ガラス基板上に薄膜パターンを形成することを特徴とする転写マスクである。

上述の手段によれば、コロイダルシリカを用いた研磨砥粒による精密研磨を行っても、基板表面に微小な凸状の表面欠陥が発生しないマスクブランクス用ガラス基板及びその製造方法を提供することができる。また、基板表面に微小な凸状の表面欠陥のないマスクブランクス用ガラス基板を使用してマスクブランクスを作製することにより、位相欠陥のないマスクブランクス及びその製造方法を提供することができる。位相欠陥のないマスクブランクスを使用して転写マスクを作製することによりパターン欠陥のない転写マスクを、さらに、パターン欠陥のない転写マスクを使用してリソグラフィー技術により半導体基板上に微細パターンを形成するので、パターン欠陥のない半導体装置を製造することができる。

以下、本発明の実施の形態にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法、転写マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法を説明した後、本発明の実施の形態にかかるマスクブランクス用ガラス基板、マスクブランクス、及び転写マスクを詳細に説明する。なお、以下の説明において、微小な凸状の表面欠陥（以下、単に突起欠陥ともいう）とは、主成分がＳｉとＯとを含む凸状の突起をいい、その高さは数ｎｍ程度で、大きさは数十ｎｍ〜２０００ｎｍ程度のものをいう。

（実施の形態１）
実施の形態１にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法は、例えば、必要な加
工処理等が施されたマスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液（スラリー）を用いて研磨する研磨工程を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、前記研磨砥粒は、有機ケイ素化合物を加水分解することで生成したコロイダルシリカ砥粒を含むことを特徴とするものである。ここで、有機ケイ素化合物を加水分解することで生成したコロイダルシリカ砥粒とは、具体的には、例えば、金属不純物が除去された高純度アルコキシシランを原料にゾルゲル法で合成することによって、高純度なコロイダルシリカ砥粒としたもの等である。

上述の方法で合成、生成された高純度なコロイダルシリカ砥粒は、純度が９９．９９９９９％と極めて高く、しかも、Ｎａ、Ｋのアルカリ金属や、Ｆｅ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ等の重金属といった不純物も極めて少ない。よって、後述するようなアルカリ金属によるゲル状物質や、重金属の不純物がガラス基板に付着し、付着した箇所がマスクとなって研磨速度の差やエッチングにより形成される微小な凸状の表面欠陥の発生を抑えることができる。この場合、上記コロイダルシリカ砥粒を用いた研磨液を中性（具体的には研磨液のｐＨを、例えば、６〜８程度にする）に調整して用いることがより好ましい。上述の方法によって生成したコロイダルシリカは、中性域でも安定して使用することができるため、中性溶液（例えば、純水や水）に混ぜることで中性の研磨液となる。

（実施の形態２）
実施の形態２にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法は、マスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、前記研磨液は、コロイダルシリカ砥粒を含むものであるとともに、中性であることを特徴とする。この実施の形態２にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法は、以下の解明事実に基づいてなされたものである。すなわち、本発明者はまず、従来のコロイダルシリカスラリーによる研磨では、何故凸状の突起が形成されるかを考えた。種々の考えられる要因の中から、従来のコロイダルシリカスラリーが高いアルカリ質を有する（ｐＨが高い）点に着目し、以下の仮説を考えた。

即ち、コロイダルシリカがアルカリ溶液と反応してゲル状物質を生成し、そのゲル状物質が基板に付着し、ＯＨ基を触媒とした縮結合が発生して、基板に強固に付着する凸状の突起になるのではないか、という仮説である。そこで、この仮説を検証すべく、コロイダルシリカ砥粒を用いた研磨液としてそのｐＨが６〜８のものを使用して実験した。その結果、凸状の突起の発生を非常によく抑えられることがわかった（発生率が低減した）。なお、この場合、用いる研摩液のｐＨは、好ましくは７〜７．６が、使いやすさや安定性の観点から望ましいこともわかった。

さらに、本発明者の研究によれば、ＳｉＯ_２は、アルカリ雰囲気では単一分散で安定的であるが、高ｐＨ領域（高いアルカリ性領域）では、研磨粒子の表層部で研磨剤表面の水酸基を介して脱水縮合反応が生じ、この反応の繰り返しにより、最終的には数百ｎｍ以上の凝集体が形成されると推察される。突起欠陥は、このような反応により生じた研磨剤粒子もしくはその一部が残渣物として基板上に付着（ゲル状残渣物として）し、又は、この残渣物によって基板が被覆されることで研磨レート差が生じ、この研磨レート差によって結果的に形成されるものと推察される。なお、上述の有機ケイ素化合物を加水分解することで生成したコロイダルシリカは中性域において安定であるために、容易にコロイダルシリカ砥粒を含む中性（ｐＨが６〜８）の研磨液を得ることができる。

また、この場合、コロイダルシリカ砥粒に含まれるアルカリ金属（Ｎａ、Ｋ等）の含有量を０．１ｐｐｍ以下にすることが望ましい。より、好ましくは０．０８ｐｐｍ以下、さらに好ましくは０．０５ｐｐｍ以下が望ましい。これは、以下の理由によるものと考えられる。すなわち、通常、ＳｉＯ_２粒子は、粒子間同士である一定の電気的反発力が働き、
互いに独立して存在するが、溶媒中の電解質濃度（金属イオン不純物）が高くなると、電気的反発力は低下し、また、アルカリ性の雰囲気ではｐＨが高いほどＳｉＯ_２の溶解度が高くなることから、上記の脱水縮合反応は生じやすくなるものと推察される。これらのことから、ｐＨ的に中性域で、電解質（金属イオン）の少ない純度の高い研磨剤であれば、このような凝集反応の抑制が可能と推察され、現実にこの種の研磨剤を使用した研磨加工においては、該当欠陥が全く認められない。

蒸留精製が可能な有機珪素化合物を加水分解することで、中性域でしかもＮａやＫ等のアルカリ金属の少ない高純度なコロイダルシリカを得ることが可能となる。コロイダルシリカが中性であったとしても、コロイダルシリカ砥粒に含まれるアルカリ金属（Ｎａ、Ｋ）の不純物がある程度以上であると、上述のゲル状物質が発生する可能性があるので、できるだけコロイダルシリカ砥粒に含まれるアルカリ金属（Ｎａ、Ｋ）は少ない方が好ましい。具体的には、上記の通りである。使用するコロイダルシリカの平均粒径は、得ようとする基板の表面粗さに応じて適宜選定する。また、コロイダルシリカに含まれる不純物（例えば、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ等）は、少ない方が好ましい。

（実施の形態３）
実施の形態３にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法は、マスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、前記研磨液は、コロイダルシリカ砥粒を含むものであり、前記研磨工程は、研磨体を前記ガラス基板表面に所定の圧力で押圧してこれらを相対移動させて研磨して所望の表面粗さに仕上げる表面粗さ制御工程を有し、この表面粗さ制御工程の後に、前記所定の圧力よりも小さい圧力にし、前記研磨体と、前記ガラス基板を相対移動させて微小な凸状の突起の発生を抑制する突起抑制工程と、を有することを特徴とする。

上述の表面粗さ制御工程は、使用する露光波長において要求されるマスクブランクス用ガラス基板の表面粗さにする工程である。具体的には、ＡｒＦエキシマレーザー露光用マスクブランクス用ガラス基板、Ｆ２エキシマレーザー露光用マスクブランクス用ガラス基板の場合、二乗平均平方根表面粗さ（ＲＭＳ）で０．２ｎｍ以下、ＥＵＶ反射型マスクブランクス用ガラス基板の場合、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下に仕上げる。

微小な凸状の突起の発生を抑制するメカニズムは以下のように推察される。まず、突起欠陥（微小な凸状の表面欠陥）が形成されるメカニズムとしては、研磨中におけるコロイダルシリカが凝集体（付着物）を形成し、被研磨物の表面に残留した場合、その残留物によってその部分のみの研磨が阻止され、結果として残渣（微小な凸状の表面欠陥）が発生することになるものと考えられる。

このような現象による残渣の発生時間としては、実験によれば、約２〜５秒程度であり、凝集体が１ヵ所に上記時間残留した場合に発生するものと推察される。それゆえ、研磨シーケンス（基板に対する研磨体からの圧力）を低荷重化することで、１秒当たりの研磨量（研磨速度）を低下させ、突起段差量を低下させれば、突起欠陥の発生を抑制できるものと推察される。

上述のような残留物による微小な凸状の表面欠陥の発生は、所望の表面粗さに仕上げる表面粗さ制御工程では発生することはなく、表面粗さ制御工程の後、即ち、研磨工程終了直前に発生する。従って、表面粗さ制御工程の後、ガラス基板に付着した付着物が付着した箇所とそれ以外の箇所との研磨速度の差により形成される微小な凸状の突起の高さが、
使用するマスクブランクス用ガラス基板で許容される位相欠陥以下となるように、研磨体の基板に対する圧力を制御し、研磨速度を最小限に抑えた突起抑制工程により、微小な凸状の突起の発生を抑えることができる。

突起抑制工程における研磨速度は、０．１２μｍ／ｍｉｎ以下とすることが好ましい。好ましくは、０．０４μｍ／ｍｉｎ以下、さらに好ましくは、０．０１μｍ／ｍｉｎ以下が望ましい。なお、ここで、研磨体は、マスクブランクス用ガラス基板の主表面を研磨する場合は、例えば、研磨パッドを貼りつけた研磨定盤を指し、また端面を研磨する場合は、例えば、基板の端面形状とほぼ同じ形状をした治具に研磨パッドを貼りつけたものや、研磨ブラシを指す。

この場合、前記突起抑制工程における研磨体の基板に対する圧力を１００ｇ／ｃｍ^２以下とすることが好ましい。突起抑制工程、即ち、最終研磨終了直前（研磨体停止直前）の基板に対する研磨体からの圧力を１００ｇ／ｃｍ^２以下とすることにより、微小な凸状の表面欠陥の発生率を低減することができる。好ましくは、５０ｇ／ｃｍ^２以下、さらに好ましくは２５ｇ／ｃｍ^２以下、さらに好ましくは０ｇ／ｃｍ^２とすることが望ましい。

使用するコロイダルシリカ砥粒は、中性でもアルカリ性でも構わない。従来技術で用いられたアルカリ性のコロイダルシリカ砥粒であっても、研磨終了直前における研磨シーケンス（荷重）を低荷重化することで、突起欠陥を抑制することが可能である。尚、突起抑制工程、つまり最終研磨終了直前の基板に対する圧力を低荷重化することで、研磨体が研磨パッドである場合において、ガラス基板の縁部における研磨パッドの沈み込み（中心部に比べて圧力がかかること）による縁ダレがなく、平坦度が良好になるというメリットも有る。

上記基板に対する研磨体からの圧力にての研磨時間は、９０秒以上、好ましくは１２０秒以上、さらに好ましくは１８０秒以上が好ましい。生産性を考慮して３６０秒以下が好ましい。最終研磨終了直前の上記圧力の最終時間を一定時間より長くするというような考え方については、最終の研磨速度が低下するため、これまで高い研磨速度で加工していた場合の突起の残留高さ除去分（付着物・残留物除去分）の加工時間が必要となり、低荷重と共にある一定時間以上の加工時間が必要となる。

上述の全てのことを考慮し、基板に対する研磨体からの圧力が１００ｇ／ｃｍ^２以下の場合、研磨時間は１８０秒以上３６０秒以下が良く、基板に対する研磨体からの圧力が５０ｇ／ｃｍ^２以下の場合、研磨時間は１２０秒以上３６０秒以下が良く、基板に対する研磨体からの圧力が２５ｇ／ｃｍ^２以下の場合、研磨時間は９０秒以上３６０秒以下が良い。

（実施の形態４）
実施の形態４にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法は、マスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程と、洗浄液で洗浄する洗浄工程とを有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、前記研磨工程は、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いた精密研磨であり、前記洗浄液は、前記マスクブランクス用ガラス基板に対してエッチング作用を有するとともに、前記研磨液に含まれる金属粒子等の不純物であって、前記マスクブランクス用ガラス基板に付着した不純物に対してより強いエッチング作用を有する洗浄液であることを特徴とする。

突起欠陥が形成されるメカニズムとしては、コロイダルシリカに含まれる上述の不純物が基板に固着し、不純物がマスクとして、不純物が溶解されるまでエッチング作用を有する洗浄液により基板がエッチングされるので突起欠陥（微小な凸状の表面欠陥）が形成さ
れると考えられる。さらに、コロイダルシリカ砥粒がアルカリ性の場合においては、上述のゲル状残渣物が基板に固着し、洗浄液によるゲル状残渣物と基板のエッチング速度の差により、基板がエッチングされ突起欠陥が形成されると考えられる。従って、上述の不純物に対して、洗浄液によって溶解除去され、かつ、ガラス基板に対してあまりエッチングされない条件（即ち、ガラス基板よりも不純物に対してより強いエッチング作用を有する洗浄液）にすることにより、突起欠陥の高さを抑えることができる。洗浄液、及び洗浄液の濃度は、ガラス基板の材料、洗浄により除去する不純物等により選定する。尚、使用するコロイダルシリカ砥粒は、中性でもアルカリ性でも構わない。

ここで、前記洗浄は、フッ酸及び／又はケイフッ酸を含む洗浄液で洗浄することが好ましい。通常、コロイダルシリカ砥粒を用いた研磨液によりガラス基板を精密研磨した後の洗浄としては、アルカリ洗浄や硫酸、塩酸等の洗浄が行われる。しかし、コロイダルシリカ砥粒には極微量のＦｅ、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ等の不純物が含まれていることがあり、この不純物が精密研磨終了後にガラス基板表面に付着したことにより発生する微小な凸状の表面欠陥を従来の洗浄方法をそのまま適用したのでは効果的に防止することができない。本発明者の研究によれば、フッ酸及び／又はケイフッ酸を含む洗浄液で洗浄することにより、これらの不純物を効果的に溶解除去でき、これらの不純物が原因の微小な凸状の表面欠陥の発生を効果的に低減することができることがわかった。洗浄による表面粗さの悪化をなるべく防ぐために、フッ酸やケイフッ酸の濃度は、低い方が好ましい。

すなわち、上述の不純物を溶解除去し、かつ、ガラス基板はあまりエッチングされない条件にすることにより、突起欠陥の高さを抑えることができる。よって、ガラス基板に対して比較的エッチング作用が弱いケイフッ酸、ケイフッ酸＋フッ酸、又は、低濃度のフッ酸を用いることによって、突起欠陥の高さを低減することができるのである。フッ酸、ケイフッ酸の濃度としては、両者とも、０．００１〜０．５％が好ましい。

さらに、上記実施の形態１〜４の発明に、さらに以下のａ，ｂ，ｃのいずれか１の構成を付加することによって、基板表面に微小な凸状の表面欠陥が発生しないマスクブランクス用ガラス基板を得ることが可能である。
（構成ａ）前記研磨工程は、基板に対する研磨体からの圧力を複数段階に分けて行い、前記研磨工程終了直前（研磨体の停止直前）の基板に対する圧力を１００ｇ／ｃｍ^２以下とする。
（構成ｂ）前記研磨工程の後に行う洗浄は、フッ酸及び／又はケイフッ酸を含む洗浄液で洗浄する。
（構成ｃ）前記研磨工程は、基板に対する研磨体からの圧力を複数段階に分けて行い、研磨工程終了直前（研磨体の停止直前）の基板に対する圧力を１００ｇ／ｃｍ^２以下とし、前記研磨工程の後に行う洗浄は、フッ酸及び／又はケイフッ酸を含む洗浄液で洗浄する。

上述の構成を採用することにより、微小な凸状の表面欠陥の発生が抑えられるとともに、研磨体が研磨パッドである場合において、ガラス基板の縁部における研磨パッドの沈み込み（中心部に比べて圧力がかかること）による縁ダレがなく、平坦度が良好になるという効果が得られる。

また、上記実施の形態３にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法に、さらに以下のｄの構成を付加することによって、基板表面に微小な凸状の表面欠陥が発生しないマスクブランクス用ガラス基板を得ることを可能になる。
（構成ｄ）前記研磨工程の後に行う洗浄は、フッ酸及び／又はケイフッ酸を含む洗浄液で洗浄する。

尚、以上の実施の形態においては、ガラス基板の材料は特に限定されない。ガラス基板の材料としては、例えば、合成石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ソーダライムガラス、無アルカリガラスなどが挙げられる。また、マスクブランクスとしては、フォトマスクブランクス、位相シフトマスクブランクス（ＡｒＦエキシマレーザー露光用位相シフトマスクブランクス、Ｆ２エキシマレーザー露光用位相シフトマスクブランクス）、Ｘ線やＥＵＶ用反射型マスクブランクスなどが挙げられ、用途としてはＬＳＩ（半導体集積回路）用マスクブランクス、ＬＣＤ（液晶表示板）用マスクブランクスなどが挙げられる。

上述の通り、本実施の形態にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法は、微小な凸状の表面欠陥により発生する位相差変化（位相欠陥）を抑えることができるため、特に、露光波長の短いリソグラフィーに使用されるＡｒＦエキシマレーザー露光用位相シフトマスクブランクス用ガラス基板、Ｆ２エキシマレーザー露光用位相シフトマスクブランクス用ガラス基板、ＥＵＶ反射型マスクブランクス用ガラス基板に特に効果がある。

（実施の形態５）
実施の形態５は、実施の形態１ないし４にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法によって製造したマスクブランクス用ガラス基板の主表面上に、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクスの製造方法である。基板表面に微小な凸状の表面欠陥がないマスクブランクス用ガラス基板を使用してマスクブランクスを製造するので、マスクブランクス表面に位相欠陥等の表面欠陥のないマスクブランクスが得られる。

ここで、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜とは、位相シフト膜（多層の場合を含む）又は遮光膜（多層の場合を含む）、あるいは位相シフト膜と遮光膜とを積層した膜や、位相シフト機能と遮光機能を有するハーフトーン膜（多層の場合を含む）、反射膜、吸収体膜などを指す。従って、本発明でいうマスクブランクは広義の意味で用い、遮光膜のみが形成されたフォトマスクブランクのほか、位相シフト膜やハーフトーン膜などが形成された位相シフトマスクブランク、更には反射膜と吸収体膜などが形成された反射型マスクブランクスが含まれる。

（実施の形態６）
実施の形態６は、実施の形態５にかかるマスクブランクスの製造方法で製造したマスクブランクスにおける前記薄膜をパターニングして、前記ガラス基板上に薄膜パターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法である。実施の形態５にかかるマスクブランクスの製造方法によって得られたマスクブランクス表面に位相欠陥等の表面欠陥のないマスクブランクスを使用して転写マスクを製造するので、パターン欠陥のない転写マスクが得られる。

（実施の形態７）
実施の形態７は、実施の形態６にかかる転写マスクの製造方法で製造した転写マスクを用いて、半導体基板上にリソグラフィー技術により微細パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。実施の形態６にかかる転写マスクの製造方法によって得られた転写マスク表面にパターン欠陥のない転写マスクを使用してリソグラフィー技術により半導体装置を製造するので、パターン欠陥のない半導体装置が得られる。

（実施の形態８）
実施の形態８は、ガラス基板の主表面内に主成分がＳｉとＯとを含み、高さが約２〜７ｎｍの微小な凸状の表面欠陥が存在しないマスクブランクス用ガラス基板である。位相欠陥の要因となる微小な凸状の表面欠陥が、ガラス基板の主表面内に存在しないので、ガラ
ス基板上に薄膜を形成してマスクブランクスにしたときに、位相欠陥等の表面欠陥のないマスクブランクスを提供することができる。このようなマスクブランクス用ガラス基板は、実施の形態１ないし４にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法によって製造することができる。

（実施の形態９）
実施の形態９は、実施の形態８にかかるマスクブランクス用ガラス基板の主表面上に、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクスである。基板表面に微小な凸状の表面欠陥がないマスクブランクス用ガラス基板を使用してマスクブランクスを製造するので、マスクブランクス表面に位相欠陥等の表面欠陥のないマスクブランクスが得られる。

（実施の形態１０）
実施の形態１０は、実施の形態９にかかるマスクブランクスにおける前記薄膜をパターニングして、前記ガラス基板上に薄膜パターンが形成されている転写マスクである。マスクブランクスの位相欠陥等の表面欠陥によるパターン欠陥がない転写マスクが得られる。

以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明する。以下の例では、マスクブランクス用ガラス基板として、位相シフトマスクブランクス用ガラス基板（以下、単にガラス基板と称する）を例に説明する。尚、本実施例における研磨の工程は、両面研磨装置を用いて行なう。図１は両面研磨装置の概略構成例を示す図である。図１に示した例は、遊星歯車方式の両面研磨装置である。この遊星歯車方式の両面研磨装置１は、太陽歯車２と、その外方に同心円状に配置される内歯歯車３と、太陽歯車２及び内歯歯車３に噛み合い、太陽歯車２や内歯歯車３の回転に応じて公転及び自転するキャリア４と、このキャリア４に保持された被研磨加工物５（ガラス基板）を研磨パッド６が貼着された挟持可能な上定盤７及び下定盤８と、上定盤７と下定盤８との間に研磨液を供給する研磨液供給部９とを備えている。

研磨加工時には、キャリア４に保持された被研磨加工物５を上定盤７及び下定盤８とに挟持とともに、上下定盤の研磨パッド６と被研磨加工物５との間に研磨液を供給しながら太陽歯車２や内歯歯車３の回転に応じて、キャリア４が公転及び自転しながら、被研磨加工物５の上下両面を同時に研磨加工する。両面研磨装置１には、太陽歯車３、内歯歯車４、上定盤７、下定盤８、これらの回転数と回転時間、及び荷重シーケンス（研磨時間と荷重）を設定し、制御する動作制御部１０（図示せず）が接続されており、予め設定した太陽歯車３、内歯歯車４、上定盤７、下定盤８の回転数と回転時間、及び加工荷重にしたがって、被研磨加工物５を研磨加工するようになっている。

この実施例は、上記実施の形態２にかかるスクブランクス用ガラス基板の製造方法（研磨液を中性にしたもの）の具体例である。この実施例は、以下の工程からなる。
１）粗研磨工程
合成石英ガラス基板（１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ）の端面を面取加工、及び両面ラッピング装置によって研削加工を終えたガラス基板を、両面研磨装置に１０枚セットし、以下の研磨条件で粗研磨工程を行った。１０枚セットを１０回行い合計１００枚のガラス基板の粗研磨工程を行った。尚、加工荷重、研磨時間は適宜調整して行った。
研磨液：酸化セリウム（平均粒径２〜３μｍ）＋水
研磨パッド：硬質ポリシャ（ウレタンパッド）
粗研磨工程後、ガラス基板に付着した研磨砥粒を除去するため、ガラス基板を洗浄槽に浸漬（超音波印加）し、洗浄を行った。

２）精密研磨工程
両面研磨装置に１０枚セットし、以下の研磨条件で精密研磨工程を行った。１０枚セットを１０回行い合計１００枚のガラス基板の精密研磨工程を行った。尚、加工荷重、研磨時間は適宜調整して行った。
研磨液：酸化セリウム（平均粒径１μｍ）＋水
研磨パッド：軟質ポリシャ（スウェードタイプ）
精密研磨工程後、ガラス基板に付着した研磨砥粒を除去するため、ガラス基板を洗浄槽に浸漬（超音波印加）し、洗浄を行った。

３）超精密研磨工程
両面研磨装置に１０枚セットし、以下の研磨条件で超精密研磨工程を行った。
１０枚セットを１０回行い合計１００枚のガラス基板の超精密研磨工程を行った。尚、加工荷重、研磨時間は位相シフトマスクブランクスに使用するガラス基板として必要な表面粗さ（所望の表面粗さ：二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．２ｎｍ以下）となるように適宜調整して行った。但し、超精密研磨工程終了直前（即ち所望の表面粗さが得られる研磨時間が経過した後であって研磨定盤の回転停止直前）のガラス基板に対する加工圧力を１４４ｇ／ｃｍ^２、この加工圧力のもとでの研磨時間を９０秒とした。
研磨液：中性（ｐＨ７〜７．６）コロイダルシリカ（平均粒径３０〜２００ｎｍ）＋水
研磨パッド：超軟質ポリシャ（スウェードタイプ）
超精密研磨工程後、ガラス基板に付着した研磨砥粒を除去するため、ガラス基板を、アルカリ水溶液を含む洗浄液が入った洗浄槽に浸漬（超音波印加）し、洗浄を行った。

この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥を調べたところ、このような表面欠陥は全く確認できず、微小な凸状の表面欠陥の発生率は０％（１００枚中０枚）であった。このように、コロイダルシリカ砥粒を中性にすることにより、ゲル状物質の生成をおさえることができ、微小な凸状の表面欠陥の発生率を０％にすることが可能になる。なお、研磨後のｐＨが６〜８の中性域でも上述と同様の効果が得られた。

（実施例２−１、２−２、２−３）
この実施例は、上記実施の形態３にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法（突起抑制工程における加工荷重基板に対する研磨体からの圧力と研磨時間）の具体例である。すなわち、上述の実施例１において、超精密研磨工程で使用するコロイダルシリカを用いた研磨液として、ｐＨが１０．２のもの（アルカリ性のコロイダルシリカ）を使用し、超精密研磨工程終了直前（研磨定盤の回転停止直前）のガラス基板に対する加工圧力を２０ｇ／ｃｍ^２、この加工圧力のもとでの研磨時間を９０秒（実施例２−１）、加工圧力を２０ｇ／ｃｍ^２、研磨時間を１２０秒（実施例２−２）、加工圧力を２０ｇ／ｃｍ^２、研磨時間を１８０秒（実施例２−３）、加工圧力を４３ｇ／ｃｍ^２、この加工圧力のもとでの研磨時間を９０秒（実施例２−４）、加工圧力を４３ｇ／ｃｍ２、研磨時間を１２０秒（実施例２−５）、加工圧力を４３ｇ／ｃｍ^２、研磨時間を１８０秒（実施例２−６）、加工圧力を８７ｇ／ｃｍ^２、研磨時間を９０秒（実施例２−７）、加工圧力を８７ｇ BR>^ｃｍ^２、研磨時間を１２０秒（実施例２−８）、加工圧力を８７ｇ／ｃｍ^２、研磨時間を１８０秒（実施例２−９）とした以外は実施例１と同様にマスクブランクス用ガラス基板を作製した例である。

この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥を調べたところ、表面欠陥が全く確認できなかった０欠陥発生率は、実施例２−１で５％、実施例２−２で３％、実施例２−３で１％、実施例２−４で７％、実施例２−５で３％、実施例２−
６で２％、実施例２−７で１０％、実施例２−８で６％、実施例２−９で３％であった。このように、超精密研磨工程終了直前の研磨シーケンス（圧力）を１００ｇ／ｃｍ^２以下とすることにより、研磨量を低下させることで、コロイダルシリカ凝集体による突起段差量を低下させることができたことにより、微小な凸状の表面欠陥の発生率を０％若しくは、後述の比較例と比べて抑えることができた。尚、コロイダルシリカ砥粒を用いた精密研磨終了直前の圧力を１００ｇ／ｃｍ^２以下で且つこの圧力の研磨時間を１２０秒以上とすることにより、微小な凸状の表面欠陥の発生率を０％とすることができる。

（実施例３−１、３−２）
この実施例は、上記実施の形態４に係るマスクブランクス用ガラス基板の製造方法の具体例である。上述の実施例１において、超精密研磨工程で使用するコロイダルシリカを用いた研磨液のｐＨを１０．２にしたもの（アルカリ性のコロイダルシリカ）を使用し、超精密研磨工程後、ガラス基板に付着した研磨砥粒を除去するため、ガラス基板を、ケイフッ酸（０．２％）を含む洗浄液（実施例３−１）、ケイフッ酸（０．２％）＋低濃度がフッ酸（０．０５％）を含む洗浄液（実施例３−２）入った洗浄槽に浸漬（超音波印加）し、洗浄を行った以外は、実施例１と同様にマスクブランクス用ガラス基板を作製した例である。

この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥を調べたところ、表面欠陥が全く確認できなかった０欠陥発生率は実施例３−１で１６％、実施例３−２で１０％であった。このように、コロイダルシリカ砥粒を用いた研磨液による精密研磨後の洗浄として、フッ酸及び／又はケイフッ酸を含む洗浄を使用することにより、ガラス基板に固着した不純物を溶解除去し、ガラス基板に対するエッチングを比較的弱くし、これにより、後述の比較例に比べて、微小な凸状の表面欠陥を押さえることができる。

この実施例は、上記実施の形態２〜４に上述の構成（ａ）〜（ｃ）のいずれか１以上を加えた構成を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法の具体例である。上述の実施例１において、超精密研磨工程終了直前（研磨定盤の回転停止直前）のガラス基板に対する加工圧力を２０ｇ／ｃｍ^２、この加工圧力のもとでの研磨時間を９０秒とし、さらに、超精密研磨工程後、ガラス基板に付着した研磨砥粒を除去するため、ガラス基板を、ケイフッ酸を含む洗浄液が入った洗浄槽に浸漬（超音波印加）し、洗浄を行った以外は、実施例１と同様にマスクブランクス用ガラス基板を作製した例である。

この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥を調べたところ、表面欠陥の発生率は０％（１００枚中０枚）であった。実施例１〜３の得られたガラス基板と比較して、ガラス基板の端部形状も縁だれが小さく良好で、平坦度も０．５μｍ以下の基板の発生率も実施例１〜３に比べて２０％向上し、良好であった。

この実施例は、上記実施の形態３に上述の構成（ｄ）を加えた構成を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法の具体例である。上述の実施例２−１において、超精密研磨工程後、ガラス基板に付着した研磨砥粒を除去するため、ガラス基板を、ケイフッ酸を含む洗浄液が入った洗浄槽に浸漬（超音波印加）し、洗浄を行った以外は、実施例２−１と同様にマスクブランクス用ガラス基板を作製した例である。この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥を調べたところ、表面欠陥の発生率は３％
（１００枚中３枚）であった。実施例２−１の表面欠陥の発生率５％と比較して２％低減することができた。

この実施例は、上記実施の形態１にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法の具体例である。上述の実施例１において、超精密研磨工程で使用する研磨液を以下のようにした以外は実施例１と同様にしてマスクブランクス用ガラス基板を作製した。
研磨液：高純度コロイダルシリカ（平均粒径３０〜１００ｎｍ）＋水
高純度コロイダルシリカ：有機ケイ素を加水分解することで生成したコロイダルシリカであって、金属不純物が除去された高純度アルコキシシランを原料にゾルゲル法により合成したもの。純度が９９．９９９９９％。コロイダルシリカ砥粒に含まれるアルカリ金属（Ｎａ，Ｋ）の含有量が０．１ｐｐｍ以下。

この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥を調べたところ、このような表面欠陥は全く確認できず、微小な凸状の表面欠陥の発生率は０％（１００枚中０枚）であった。

（比較例１、２）
この比較例は、上述の実施例１において、超精密研磨工程で使用するコロイダルシリカを用いた研磨液として、そのｐＨが１０．２（比較例１）、ｐＨが９（比較例２）であるものを使用した以外は実施例１と同様にマスクブランクス用ガラス基板を作製した例である。この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜５ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥を調べたところ、比較例１は、１枚当たり平均１００個程度の表面欠陥が確認され、微小な凸状の表面欠陥の発生率は１００％（１００枚中１００枚）（比較例１）、比較例２は１枚当たり数個〜数十個程度で、微小な凸状の表面欠陥の発生率は２２％（１００枚中２２枚）であった。

（比較例３）
上述の実施例１において、超精密研磨工程で使用するコロイダルシリカを、塩酸や硫酸などを添加し、ｐＨが３〜４の酸性域の研磨液を使用してマスクブランクス用ガラス基板の作成を試みたが、研磨剤の安定性が悪く、ガラス基板の主表面に凹凸が形成され、表面粗さが大きくなり、位相シフトマスクブランク用ガラス基板としては使用できるものではなかった。

尚、上述の実施例２、３及び比較例１、２で確認された微小な凸状の表面欠陥をＥＰＭＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ（Ｘ−ｒａｙ） Ｍｉｃｒｏ Ａｎａｌｙｚｅｒ）で成分分析を行ったところ、主成分がＳｉ、Ｏを含むものであることが確認された。

また、上述の実施例１〜６にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法によって製造した微小な凸状の表面欠陥のないマスクブランクス用ガラス基板、並びに、上述の比較例１の製造方法によって製造した微小な凸状の表面欠陥のあるガラス基板の一主表面上に、モリブデンシリサイド窒化膜からなるハーフトーン膜をスパッタリング法により形成した位相シフトマスクブランクスを作製した。

こうして作製した位相シフトマスクブランクスの欠陥検査を行ったところ、実施例１〜６にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法によって製造したマスクブランクス用ガラス基板を用いた位相シフトマスクブランクスには凸状の表面欠陥が認められなかった。これに対し、微小な凸状の表面欠陥が確認されたマスクブランクス用ガラス基板（比
較例１）を使って作製した位相シフトマスクブランクスにおいては、ハーフトーン膜表面に凸状の表面欠陥が確認された。

上述の微小な凸状の表面欠陥が認められなかった位相シフトマスクブランクス、及び微小な凸状の表面欠陥が確認された位相シフトマスクブランクス上にレジスト膜を形成し、さらに、レジスト膜をパターニングしてレジストパターンとしたの知、このレジストパターンをマスクにしてハーフトーン膜をドライエッチングによりエッチング除去、レジストパターンを除去してガラス基板上にハーフトーン膜パターンが形成された位相シフトマスクを作製した。

こうして作製した位相シフトマスクについて、表面欠陥を確認したところ、実施例１〜５の微小な凸状の表面欠陥のないガラス基板を使って作製した位相シフトマスクには、位相欠陥は確認されなかったが、比較例１のガラス基板を使って作製した位相シフトマスクに、ガラス基板表面とハーフトーン膜パターンの境界に凸状の表面欠陥が確認され位相欠陥となった。

また、これら位相欠陥が確認された位相シフトマスクを使って露光機により半導体基板上にリソグラフィー技術により微細パターンを形成したところ、位相シフトマスクの位相欠陥要因のパターン欠陥が確認されたが、位相欠陥が確認されなかった位相シフトマスクを使って半導体基板上に微細パターンを形成した場合は、パターン欠陥はなかった。

上述の実施例１〜６、比較例１にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法によって製造したガラス基板上に、Ｍｏ膜とＳｉ膜の積層膜を４０周期にわたり形成して多層反射膜を形成し、さらに、多層反射膜上にＴａＢＮ膜からなる吸収体膜を形成してＥＵＶ反射型マスクブランクスを作製し、さらに、ＴａＢＮ膜上にレジスト膜を形成し、パターニングしてレジストパターンとした後、このレジストパターンをマスクにしてＴａＢＮ膜をドライエッチングによりエッチング除去、レジストパターンを除去してＥＵＶ反射型マスクを作製した。

上述と同様にしてＥＵＶ反射型マスクブランクスの表面欠陥、ＥＵＶ反射型マスクの位相欠陥、ＥＵＶ反射型マスクを使ってリソグラフィー技術により作製した半導体基板上に形成された微細パターンのパターン欠陥について調べたところ、実施例１〜５のガラス基板を使った場合、上述の欠陥はなかったが、比較例１のガラス基板を使った場合、ＥＵＶ反射型マスクブランクス、ＥＵＶ反射型マスク、半導体装置に上述の欠陥が確認された。

尚、上述の実施例では、遊星歯車方式の両面研磨装置を使って研磨加工を行った例を示したが、これに限らず、他の方式の両面研磨装置や片面ずつ研磨を行う片面研磨装置を使い、コロイダルシリカ砥粒を用いた研磨液により精密研磨しても上述と同様の効果が得られる。また、上述の実施例では、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液による研磨工程（超精密研磨工程）の前に、酸化セリウム砥粒を含む研磨液による粗研磨工程、精密研磨工程を行なった例をあげたが、これに限定されるものではない。コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液による研磨工程を行なう前のガラス基板が十分に平坦で平滑であれば、酸化セリウム砥粒による粗研磨工程及び／又は精密研磨工程を行なわなくてもよい。また、粗研磨工程、精密研磨工程を行なう場合であっても、酸化セリウム以外に、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム等の研磨砥粒を使用してもかまわない。

本発明は、近年における超ＬＳＩデバイスの高密度化、高精度化にも対応できるように基板表面に微小な凸状の表面欠陥のないマスクブランクス用ガラス基板及びその製造方法、並びに該基板を用いたマスクブランクス、及びその製造方法、並びに、転写マスク及び
その製造方法、及び半導体装置の製造方法を得る際等に利用できる。

両面研磨装置の概略構成例を示す図である。

符号の説明

１ 両面研磨装置
２ 太陽歯車
３ 内歯歯車
４ キャリア
５ 被研磨加工物（ガラス基板）
６ 研磨パッド
７ 上定盤
８ 下定盤
９ 研磨液供給部

Claims (11)

1. マスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程と、洗浄液で洗浄する洗浄工程とを有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、
   前記洗浄液は、前記マスクブランクス用ガラス基板に対してエッチング作用を有するとともに、前記研磨液に含まれる金属粒子等の不純物であって、前記マスクブランクス用ガラス基板に付着した不純物に対してより強いエッチング作用を有する洗浄液であることを特徴とするマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。
2. 前記洗浄は、フッ酸及び／又はケイフッ酸を含む洗浄液で洗浄することを特徴とする請求項１記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。
3. 前記研磨砥粒は、有機ケイ素化合物を加水分解することで生成したコロイダルシリカ砥粒を含むものであるとともに、前記研磨液は中性であることを特徴とする請求項１又は２記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。
4. 前記研磨液は、コロイダルシリカ砥粒を含むものであるとともに、中性であり、前記コロイダルシリカ砥粒は、アルカリ金属の含有量が０．１ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。
5. 前記研磨液は、７．０から７．６の範囲のｐＨ値を有することを特徴とする請求項３又は４記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。
6. 前記ガラス基板は、ＡｒＦエキシマレーザー露光用位相シフトマスクブランクス用ガラス基板、Ｆ２エキシマレーザー露光用位相シフトマスクブランクス用ガラス基板、又は、ＥＵＶ反射型マスクブランクス用ガラス基板の何れかであることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。
7. 前記研磨工程の後、前記ガラス基板表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて前記ガラス基板の表面欠陥の有無を検査する検査工程を有し、
   前記検査工程は、前記ガラス基板表面に主成分がＳｉとＯとを含み、位相欠陥となり得る突起の高さを有する微小な凸状の表面欠陥の有無を検査することを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。
8. 前記検査工程は、突起の高さが約２〜７ｎｍの微小な凸状の表面欠陥が存在しないマスクブランクス用ガラス基板を選定することを特徴とする請求項７記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。
9. 請求項１乃至８の何れかに記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法で製造したマスクブランクス用ガラス基板の主表面上に、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクスの製造方法。
10. 請求項９に記載のマスクブランクスの製造方法で製造したマスクブランクスにおける前記薄膜をパターニングして、前記ガラス基板上に薄膜パターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。
11. 請求項１０に記載の転写マスクの製造方法で製造した転写マスクを用いて、半導体基板上にリソグラフィー技術により微細パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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